KR101705380B1

KR101705380B1 - 국소 노광 방법 및 국소 노광 장치

Info

Publication number: KR101705380B1
Application number: KR1020110139009A
Authority: KR
Inventors: 후미히꼬 이께다; 히까루 구보따; 고오따로오 오노우에
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2010-12-22
Filing date: 2011-12-21
Publication date: 2017-02-09
Also published as: CN102566307A; SG182109A1; TW201239544A; JP5470236B2; TWI495959B; CN102566307B; US8691481B2; US20120164585A1; KR20120071347A; JP2012133163A

Abstract

본 발명의 과제는, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제하는 것이다.
피처리 기판(G)에 형성된 감광막을 복수의 대 블록(B1)으로 분할하고, 상기 대 블록을 복수의 소 블록(B2)으로 분할하는 스텝과, 상기 대 블록 내의 소 블록마다, 단계적으로 다른 조사 조도를 설정하는 스텝과, 복수의 발광 소자(L)에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝과, 상기 감광막을 현상 처리하는 스텝과, 상기 소 블록마다, 상기 감광막의 잔여막 두께를 측정하여, 상기 소 블록에 설정된 조도와 잔여막 두께의 상관 데이터를 얻는 스텝과, 상기 상관 데이터에 기초하여 상기 대 블록마다 설정된 감광막의 목표 잔여막 두께로부터, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝을 포함한다.

Description

국소 노광 방법 및 국소 노광 장치{LOCAL EXPOSURE METHOD AND LOCAL EXPOSURE APPARATUS}

본 발명은, 감광막이 형성된 피처리 기판에 대해 국소적으로 노광 처리를 행하는 국소 노광 방법에 관한 것이다.

예를 들어, FPD(플랫 패널 디스플레이)의 제조에 있어서는, 소위 포토리소그래피 공정에 의해 회로 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다.

이 포토리소그래피 공정에서는, 특허 문헌 1에도 기재되어 있는 바와 같이, 글래스 기판 등의 피처리 기판에 소정의 막을 성막한 후, 포토레지스트(이하, 레지스트라 함)가 도포되고, 레지스트 중의 용제를 증발시키는 예비 건조 처리(감압 건조 및 프리베이크 처리)에 의해 레지스트막(감광막)이 형성된다. 그리고 회로 패턴에 대응하여 상기 레지스트막이 노광되고, 이것이 현상 처리되어, 패턴 형성된다.

그런데, 이와 같은 포토리소그래피 공정에 있어서는, 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이 레지스트 패턴(R)에 다른 막 두께[후막부(R1)와 박막부(R2)]를 갖게 하고, 이것을 이용하여 복수회의 에칭 처리를 행함으로써 포토마스크수 및 공정수를 저감시키는 것이 가능하다. 또한, 그와 같은 레지스트 패턴(R)은, 1매에서 광의 투과율이 다른 부분을 갖는 하프톤 마스크를 사용하는 하프(하프톤) 노광 처리에 의해 얻을 수 있다.

이 하프 노광이 적용된 레지스트 패턴(R)을 사용한 경우의 회로 패턴 형성 공정에 대해 도 10의 (a) 내지 (e)를 사용하여 구체적으로 설명한다.

예를 들어, 도 10의 (a)에 있어서, 글래스 기판(G) 상에, 게이트 전극(200), 절연층(201), a-Si층(논도프 비정질 Si층)(202a)과 n＋a－Si층(202b)(인도프 비정질 Si층)으로 이루어지는 Si층(202), 전극을 형성하기 위한 메탈층(203)이 순서대로 적층되어 있다.

또한, 메탈층(203) 상에는, 균일하게 레지스트막이 형성된 후, 감압 건조 및 프리베이크 처리에 의해 레지스트 중의 용제가 증발되고, 그 후, 상기 하프 노광 처리 및 현상 처리에 의해, 레지스트 패턴(R)이 형성된다.

이 레지스트 패턴(R)[후막부(R1) 및 박막부(R2)]의 형성 후, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 이 레지스트 패턴(R)을 마스크로 하여, 메탈층(203)의 에칭(1회째 에칭)이 행해진다.

이어서, 레지스트 패턴(R) 전체에 대해, 플라즈마 중에서 애싱(회화) 처리가 실시된다. 이에 의해, 도 10의 (c)에 도시하는 바와 같이, 막 두께가 절반 정도로 감소된 레지스트 패턴(R3)이 얻어진다.

그리고 도 10의 (d)에 도시하는 바와 같이, 이 레지스트 패턴(R3)을 마스크로서 이용하여, 노출되는 메탈층(203)이나 Si층(202)에 대한 에칭(2회째 에칭)이 행해지고, 마지막으로 도 10의 (e)에 도시하는 바와 같이 레지스트(R3)를 제거함으로써 회로 패턴이 얻어진다.

그러나 상기한 바와 같이 후막부(R1)과 박막부(R2)가 형성된 레지스트 패턴(R)을 사용하는 하프 노광 처리에 있어서는, 레지스트 패턴(R)의 형성 시에, 그 막 두께가 기판면 내에서 불균일한 경우, 형성하는 패턴의 선 폭이나 패턴간의 피치가 변동된다고 하는 과제가 있었다.

즉, 도 11의 (a) 내지 (e)를 사용하여 구체적으로 설명하면, 도 11의 (a)는, 레지스트 패턴(R) 중, 박막부(R2)의 두께 t2가, 도 10의 (a)에 도시한 두께 t1보다도 두껍게 형성된 경우를 도시하고 있다.

이 경우에 있어서, 도 10에 도시한 공정과 마찬가지로, 메탈막(203)의 에칭[도 11의 (b)], 레지스트 패턴(R) 전체에 대한 애싱 처리[도 11의 (c)]가 실시된다.

여기서, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이, 막 두께가 절반 정도로 감소된 레지스트 패턴(R3)이 얻어지지만, 제거되는 레지스트막의 두께는, 도 10의 (c)의 경우와 동일하므로, 도시하는 한 쌍의 레지스트 패턴(R3)간의 피치 p2는, 도 10의 (c)에 도시하는 피치 p1보다도 좁아진다.

따라서, 그 상태로부터, 메탈막(203) 및 Si층(202)에 대한 에칭[도 11의 (d)] 및 레지스트 패턴(R3)의 제거[도 11의 (e)]를 거쳐 얻어진 회로 패턴은, 그 피치 p2가 도 10의 (e)에 도시하는 피치 p1보다도 좁은 것으로 되어 있었다(회로 패턴의 선 폭이 넓게 되어 있었음).

상기 과제에 대해, 종래는 노광 처리 시에 광을 투과시키는 마스크 패턴마다, 레지스트 패턴(R)에 있어서의 막 두께가 원하는 값보다도 두껍게 형성되는 소정 부위를 막 두께 측정에 의해 특정하고, 그 부위의 노광 감도를 높게 하는 수단이 취해지고 있다.

즉, 노광 처리 전에 레지스트막을 가열하여 용제를 증발시키는 프리베이크 처리에 있어서, 기판면 내의 가열량에 차이를 갖게 하여, 상기 소정 부위에 있어서의 노광 감도를 변화시킴으로써, 현상 처리 후의 잔여막 두께가 조정(면내 균일화)되고 있다.

구체적으로는, 프리베이크 처리에 사용하는 히터를 복수의 영역으로 분할하고, 분할된 히터를 독립적으로 구동 제어함으로써 에어리어마다의 온도 조정이 행해지고 있다.

또한, 기판을 지지하는 프록시미티 핀의 높이 변경(히터와 기판간의 거리 변경)에 의해 가열 온도의 조정이 행해지고 있다.

일본 특허 출원 공개 제2007-158253호 공보

그러나 상기한 바와 같이 프리베이크에 의한 가열 처리에 의해 잔여막 두께의 조정을 행하는 경우, 분할된 히터 면적은, 하드웨어의 제약상, 어느 정도의 크기를 확보할 필요가 있으므로, 미세한 에어리어의 가열 조정을 할 수 없다고 하는 과제가 있었다.

또한, 프록시미티 핀의 높이에 의한 가열 조정에 있어서는, 핀 높이를 변경하는 작업 공정수를 필요로 하므로, 생산 효율이 저하된다고 하는 과제가 있었다.

본 발명은, 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것이며, 기판의 피처리면 내에서 미세하게 설정한 에어리어마다의 노광량을 용이하게 조정할 수 있고, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있는 국소 노광 방법을 제공한다.

상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 국소 노광 방법은, 기판에 형성된 감광막을 복수의 대 블록으로 분할하고, 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자의 하방에 있어서, 그 배열 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 상대적으로 이동시키고, 상기 대 블록마다 미리 설정된 조도에 기초하여, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어함으로써, 국소적으로 노광 처리를 실시하는 국소 노광 방법이며, 상기 대 블록을 복수의 소 블록으로 분할하는 스텝과, 상기 대 블록 내의 소 블록마다, 단계적으로 다른 조사 조도를 설정하는 스텝과, 상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝과, 상기 발광 소자의 조사에 의해 노광 처리된 감광막을 현상 처리하는 스텝과, 상기 현상 처리가 이루어진 소 블록마다, 상기 감광막의 잔여막 두께를 측정하여, 상기 소 블록에 설정된 조도와 잔여막 두께의 상관 데이터를 얻는 스텝과, 상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 대 블록마다 설정된 감광막의 목표 잔여막 두께로부터, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝을 포함하는 것에 특징을 갖는다.

또한, 상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 국소 노광 방법은, 기판에 형성된 감광막을 복수의 대 블록으로 분할하고, 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자의 하방에 있어서, 그 배열 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 상대적으로 이동시키고, 상기 대 블록마다 미리 설정된 조도에 기초하여, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어함으로써, 국소적으로 노광 처리를 실시하는 국소 노광 방법이며, 상기 대 블록을 복수의 소 블록으로 분할하는 스텝과, 상기 대 블록 내의 소 블록마다, 단계적으로 다른 조사 조도를 설정하는 스텝과, 상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝과, 상기 발광 소자의 조사에 의해 노광 처리된 감광막을 현상 처리하는 스텝과, 상기 현상 처리가 이루어진 소 블록마다, 상기 감광막의 현상 후의 선 폭을 측정하여, 상기 소 블록에 설정된 조도와 선 폭의 상관 데이터를 얻는 스텝과, 상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 대 블록마다 설정된 감광막의 목표 선 폭으로부터, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝을 포함하는 것에 특징을 갖는다.

또한, 상기 상관 데이터에 기초하여, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝 후, 기판을 상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동시키는 스텝과, 상기 기판 상에 형성된 상기 복수의 대 블록이, 상기 복수의 발광 소자의 하방을 상대적으로 이동할 때, 각 대 블록에 대해, 상기 구해진 필요 조도에 기초하여 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어하는 스텝을 실행하는 것이 바람직하다.

이와 같은 방법에 따르면, 피처리 기판으로의 노광 처리를 보정하는 수단으로서, 막 두께(혹은 선 폭)를 보다 조정하고자 하는 임의의 부위에 대해 국소적으로 노광 처리가 행해진다.

이 국소적인 노광 처리에 있어서는, 미리 레시피 내용을 설정하는 측정 모드에 있어서, 복수 단계의 조도와 잔여막 두께(혹은 선 폭)의 상관 데이터를 얻을 수 있으므로, 막 두께(혹은 선 폭) 제어의 단위로 되는 블록마다, 목표 막 두께(혹은 목표 선 폭)로부터 최적의 필요 조도를 용이하게 설정할 수 있다.

따라서, 예를 들어 하프 노광 처리에 있어서 레지스트막에 다른 막 두께(후막부와 박막부)를 갖게 하는 경우라도(즉, 박막부와 같이 얇은 막 두께라도), 현상 처리 후의 레지스트막 두께를 조정하여 균일하게 할 수 있다. 그 결과, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제할 수 있다.

또한, 상기 상관 데이터를 데이터 베이스로서 유지함으로써, 마스크 패턴의 변경에 의해 목표 막 두께(혹은 목표 선 폭)가 변화되어도, 상기 상관 데이터에 기초하여 필요 조도를 용이하게 얻을 수 있다.

또한, 상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝에 있어서, 상기 소 블록마다, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어하여, 상기 설정된 조도로 조사하는 것이 바람직하다.

이와 같이 1개의 소 블록에 대해 1개의 발광 소자의 발광 제어에 의해 조사를 행하는 경우에는, 기판면에 가장 많은 소 블록을 설정할 수 있어, 막 두께(혹은 선 폭) 균일성의 정밀도를 높은 것으로 할 수 있다.

또한, 1개의 소 블록에 대해 복수의 발광 소자의 발광 제어에 의해 조사를 행하는 경우에는, 복수의 발광 소자의 조사 면적에 따른 소 블록을 설정할 필요가 있으므로, 1개의 발광 소자에 의해 대응하는 경우보다도 기판면에 설정되는 소 블록의 수가 감소하여, 보다 단시간에 각 대 블록에 있어서의 필요 조도를 얻을 수 있다.

또한, 상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝에 있어서, 상기 발광 소자로부터 발광된 광을, 광 확산판을 통해 상기 기판 상의 감광막에 대해 방사하는 것이 바람직하다.

이와 같이 발광 소자로부터 발광된 광을, 광 확산판을 통해 방사함으로써, 광은 광 확산판에 의해 적절하게 확산되어, 인접하는 발광 소자의 광을 라인 형상으로 연결하여 조사할 수 있다.

또한, 상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 국소 노광 장치는, 감광막이 형성된 기판에 국소적으로 노광 처리를 실시하는 국소 노광 장치이며, 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자와, 상기 복수의 발광 소자의 하방에 있어서, 그 배열 방향에 교차하는 방향으로 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 수단과, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어시키는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 기판에 형성된 감광막을 복수의 대 블록으로 분할하고, 상기 대 블록마다 미리 설정된 조도에 기초하여, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어하는 것에 특징을 갖는다.

본 발명에 따르면, 기판의 피처리면 내에서 미세하게 설정한 에어리어마다의 노광량을 용이하게 조정할 수 있고, 현상 처리 후의 레지스트 잔여막의 균일성을 향상시켜, 배선 패턴의 선 폭 및 피치의 편차를 억제하는 것이 가능한 국소 노광 방법을 얻을 수 있다.

도 1은 본 발명에 관한 제1 실시 형태의 전체 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명에 관한 제1 실시 형태의 전체 개략 구성을 도시하는 평면도.
도 3은 포토리소그래피 공정에 있어서의 국소 노광 장치의 배치를 모식적으로 도시하는 도면.
도 4는 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 있어서 레시피 내용을 설정하는 공정 및 통상의 국소 노광 처리의 공정을 나타내는 흐름도.
도 5는 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 있어서, 피처리 기판면을 가상적으로 복수의 대 블록과 소 블록으로 분할하는 이미지를 도시하는 기판 평면도.
도 6은 도 5의 소 블록에 할당되는 조도의 설정예를 도시하는 평면도.
도 7은 도 6의 소 블록에 할당되는 조도에 대한 현상 처리 후의 막 두께를 그래프로 나타낸 도면.
도 8은 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 있어서 사용되는 레시피의 예를 나타내는 표.
도 9는 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 의해 실시되는 국소 노광에 있어서, 도 5의 대 블록에 설정된 필요 조도의 예를 도시하는 평면도.
도 10의 (a) 내지 도 10의 (e)는 하프 노광 처리를 이용한 배선 패턴의 형성 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 11의 (a) 내지 도 11의 (e)는 하프 노광 처리를 이용한 배선 패턴의 형성 공정을 도시하는 도면이며, 도 10의 경우보다도 레지스트막 두께가 두꺼운 경우를 도시하는 단면도.
도 12는 대 블록에 할당된 조도를 도시하는 도면.
도 13은 대 블록에 할당된 조도를 도시하는 도면.
도 14는 제2 실시 형태에 있어서의 보간 작업의 설명도.

이하, 본 발명의 국소 노광 방법에 관한 제1 실시 형태를, 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 관한 국소 노광 방법이 실시되는 국소 노광 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 단면도, 도 2는 그 평면도이다. 또한, 도 3은 포토리소그래피 공정에 있어서의 국소 노광 장치[1(AE)]의 배치를 모식적으로 도시하는 도면이다.

도 1, 도 2에 도시하는 국소 노광 장치[1(AE)]는, 예를 들어 도 3에 도시하는 바와 같이, 피처리 기판을 수평한 상태에서, X 방향으로 수평하게 반송(이후, 평류 반송이라고 기재함)하면서 일련의 포토리소그래피 공정을 행하는 유닛 내에 배치된다. 즉, 포토리소그래피 공정에 있어서는, 피처리 기판에 감광막으로 하는 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포 장치[51(CT)]와, 감압된 챔버 내에 있어서 기판 상의 레지스트막(감광막)을 건조시키는 감압 건조 장치[52(DP)]가 배치된다. 또한, 기판(G)에 레지스트막을 정착시키기 위해 가열 처리를 행하는 프리베이크 장치[53(PRB)]와, 그것을 소정 온도로 냉각하는 냉각 장치[54(COL)]와, 레지스트막에 대해 소정의 회로 패턴에 노광하는 노광 장치[55(EXP)]와, 노광 후의 레지스트막을 현상 처리하는 현상 장치[56(DEV)]가 순서대로 배치된다.

여기서, 본 발명에 관한 국소 노광 장치[1(AE)]는, 예를 들어 도 3에 도시하는 바와 같이, 기판 전체에 대한 노광 처리를 행하는 노광 장치[55(EXP)]의 후단에 배치된다.

이와 같이 배치된 국소 노광 장치(1)에 있어서는, 예를 들어 포지티브형 레지스트를 사용하는 경우, 복수매의 기판(G)을 연속적으로 처리할 때에, 모든 기판(G)의 소정 영역에 있어서 다른 영역보다도 배선 패턴 폭이 넓고 패턴간 피치가 좁아지는 경우에, 상기 소정 영역에 대한 (막 두께 감소를 위한) 국소 노광이 실시된다.

또한, 이하의 실시 형태에 있어서는, 포지티브형 레지스트인 경우를 예로 설명하지만, 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 있어서는, 네거티브형 레지스트인 경우에도 적용할 수 있고, 그 경우에는, 레지스트 잔여막을 보다 두껍게 남기고자 하는 소정 영역에 대해 국소 노광이 실시된다.

국소 노광 장치[1(AE)]의 구성에 대해 상세하게 설명한다. 도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이 국소 노광 장치[1(AE)]는, 회전 가능하게 부설(敷設)된 복수의 롤러(20)에 의해 기판(G)을 X 방향을 향해 반송하는 기판 반송로(2)를 구비한다.

기판 반송로(2)는, 도 2에 도시하는 바와 같이 Y 방향으로 연장되는 원기둥 형상의 롤러(20)를 복수 갖고, 그들 복수의 롤러(20)는, X 방향으로 소정의 간격을 두고, 각각 회전 가능하게 배치되어 있다. 또한, 복수의 롤러(20)는, 그 회전축(21)의 회전이 벨트(22)에 의해 연동 가능하게 설치되고, 1개의 회전축(21)이 모터 등의 롤러 구동 장치(10)에 접속되어 있다.

또한, 국소 노광 장치[1(AE)]는, 기판 반송로(2)의 주위를 덮는 동시에 기판(G)에 대한 노광 처리 공간을 형성하기 위한 상자 형상의 챔버(8)를 구비한다.

도시하는 바와 같이 챔버(8)의 전방부 측벽에는, Y 방향으로 연장되는 슬릿 형상의 반입구(8a)가 설치되어 있다. 이 반입구(8a)를 기판 반송로(2) 상의 기판(G)이 통과하여, 챔버(8) 내로 반입되도록 이루어져 있다.

또한, 챔버(8)의 후방부 측벽에는, 기판 반송로(2) 상의 기판(G)이 통과 가능한 Y 방향으로 연장되는 슬릿 형상의 반출구(8b)가 설치되어 있다. 즉, 이 반출구(8b)를 기판 반송로(2) 상의 기판(G)이 통과하여, 챔버(8)로부터 반출되도록 구성되어 있다.

또한, 도시하는 바와 같이, 챔버(8) 내의 기판 반송로(2)의 상방에는, 기판(G)에 대해 국소적인 노광(UV광 방사)을 행하기 위한 광 조사기(3)가 배치되어 있다.

이 광 조사기(3)는, 광원(4)을 차폐 공간에 수용하는 하우징(5)을 구비하고,이 하우징(5)의 하면에는 광 확산판으로 이루어지는 광 방사창(6)이 설치되어 있다. 즉, 광원(4)과 피조사체인 기판(G)의 사이에 광 방사창(6)이 배치되어 있다.

하우징(5)에 수용된 광원(4)은, 기판 폭 방향(Y 방향)으로 연장 설치된 라인 형상 광원(4)이며, 이 라인 형상 광원(4)은, 각각 소정 파장[예를 들어 g선(436㎚), h선(405㎚), i선(364㎚) 중 어느 하나에 가까운] UV광을 발광하는 복수의 UV-LED 소자[(L1 내지 Ln)(n은 양의 정수)]가 회로 기판(7) 상에 직선 형상으로 배치되어 구성되어 있다.

광원(4)으로부터 방사된 광은, 광 방사창(6)에 의해 적절하게 확산되므로, 인접하는 UV-LED 소자(L)의 광은 라인 형상으로 연결되어 하방에 조사되도록 이루어져 있다.

또한, 광원(4)을 구성하는 각 UV-LED 소자(L)는, 각각 발광 구동부(9)에 의해, 독립적으로 그 발광 구동이 제어된다. 또한, 각 UV-LED 소자(L)에 대해 공급되는 순 전류값을 각각 제어 가능하도록 이루어져 있다. 즉, 각 UV-LED 소자(L)는, 발광 구동부(9)에 의해, 그 공급 전류에 따른 발광의 방사 조도가 가변으로 이루어져 있다.

또한, 통상의 노광 처리일 때에는, 인접하는 복수(예를 들어, 5개)의 UV-LED 소자(L)가 1개의 그룹[발광 제어 그룹(GR)이라 함]으로 되어, 그 그룹 단위로 발광 구동부(9)에 의해 발광 제어가 이루어진다.

또한, 상기 발광 구동부(9)는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(40)에 의해, 그 구동이 제어된다.

또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 광 조사기(3)는, 승강축(11)에 의해 하방으로부터 지지되고, 승강축(11)은, 모터 등으로 이루어지는 승강 구동부(12)에 의해, 예를 들어 볼 나사식 구조에 의해 상하 이동 가능하도록 설치되어 있다. 즉, 광 조사기(3)는, 기판 반송로(2)를 반송되는 기판(G)에 대해, 그 조사 위치의 높이를 가변으로 할 수 있다. 승강 구동부(12)는, 제어부(40)에 의해 제어된다.

또한, 챔버(8) 내에 있어서, 광 조사기(3)의 측방(도면에서는 상류측)에는, 광원(4)으로부터 방사되어, 광 방사창(6)을 통과한 광의 조도[방사속(放射束)]를 검출하기 위한 조도 센서(13)가 설치되어 있다. 이 조도 센서(13)는, 광 방사창(6)의 하방 위치에 대해 측방으로부터 진퇴 가능한 진퇴축(14)의 선단에 설치되고, 또한 진퇴축(14)은, 그 진퇴 구동부(15)가 지지축(16)에 의해 현수되어 있다. 또한, 지지축(16)은, 수평 이동 구동부(17)에 의해 기판 폭 방향(Y 방향)으로 이동 가능하도록 설치되어 있고, 이에 의해 조도 센서(13)는, 광 방사창(6)의 하방에 있어서, 임의의 위치의 조도를 검출 가능하게 이루어져 있다.

또한, 조도 센서(13)에 의해 검출된 신호는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(40)에 공급된다. 또한, 상기 진퇴 구동부(15) 및 수평 이동 구동부(17)는, 제어부(40)에 의해 제어된다.

또한, 이 국소 노광 장치(1)에 있어서는, 예를 들어 챔버(8)의 반입구(8a)의 상류측에, 기판 반송로(2)를 반송되는 기판(G)의 소정 개소(예를 들어, 선단)를 검출하기 위한 기판 검출 센서(30)가 설치되고, 그 검출 신호를 제어부(40)에 출력하도록 이루어져 있다. 기판(G)은, 기판 반송로(2) 상을 소정 속도(예를 들어, 50㎜/sec)로 반송되므로, 제어부(40)는 기판(G)의 반송 위치를 상기 검출 신호와, 상기 검출 신호를 취득 후의 시간 및 기판 반송 속도에 의해 취득할 수 있다.

또한, 제어부(40)는, 광원(4)을 구성하는 각 UV-LED 소자(L)의 휘도, 즉, 각 소자(L)에 공급하는 전류값을 소정의 타이밍에 있어서 제어하기 위한 발광 제어 프로그램(P)을 소정의 기록 영역에 갖는다.

이 발광 제어 프로그램(P)은, 그 실행 시에 사용하는 레시피의 파라미터로서, 기판(G)의 소정 위치에 대해 방사해야 할 필요 조도[발광 제어 그룹(GR)에 공급하는 전류값], 상기 기판(G)의 소정 위치에 대해 발광 제어하는 발광 제어 그룹(GR)을 특정하기 위한 정보 등이 미리 설정되어 있다.

여기서, 국소 노광 장치(1)에 있어서 실시되는, 제어부(40)에 기억되는 레시피 내용(파라미터)을 구하기 위한 공정(측정 모드라 함) 및 통상의 국소 노광 공정의 일련의 동작에 대해, 도 4를 사용하여 설명한다.

또한, 상기 측정 모드에 있어서는, 도 1, 도 2에 도시하는 바와 같이, 국소 노광 장치(1)와 현상 장치[56(DEV)]와 막 두께 측정 장치(57)가 연계되어 작업이 행해진다. 또한, 도 4의 흐름도에 있어서, 파선으로 둘러싸인 스텝은, 국소 노광 장치(1) 이외에서의 처리 내용을 나타내고 있다.

우선, 레지스트막이 형성된 기판(G)이 노광 장치[55(EXP)]에 반입되어, 소정의 마스크 패턴으로의 노광 처리(하프 노광 처리)가 실시된다(도 4의 스텝 St1).

스텝 St1에서의 노광 처리 후, 기판(G)이 국소 노광 장치(1)의 기판 반송로(2)를 반송되어, 기판 검출 센서(30)에 의해 검출되면, 제어부(40)에 그 기판 검출 신호가 공급된다(도 4의 스텝 St2).

제어부(40)는, 상기 기판 검출 신호와 기판 반송 속도에 기초하여, 기판(G)의 반송 위치를 취득(검출) 개시한다(도 4의 스텝 St3).

여기서, 레시피 내용(파라미터)이 미설정인 경우, 제어부(40)의 제어에 의해 레시피 내용을 설정하기 위한 측정 모드가 실시된다(도 4의 스텝 St4).

이 측정 모드에 대해, 도 5 내지 도 7을 사용하여 구체적으로 설명한다.

측정 모드에 있어서는, 도 5에 도시하는 바와 같이 기판(G)의 피처리면(감광막면)이 복수의 대 블록(B1)(굵은선으로 구획된 영역)으로 가상적으로 분할되고, 또한 각 대 블록(B1) 내의 영역이 복수(예를 들어 25개)의 소 블록(B2)(쇄선으로 구획된 영역)으로 가상적으로 분할된다.

제어부(40)에 있어서는, 각 대 블록(B1)의 식별을 좌표값[예를 들어, B1(x1, y1), B1(x2, y1) 등]에 의해 행하고, 각 소 블록(B2)의 식별은, 그 대 블록(B1) 내에서 정한 좌표값[예를 들어, B2(x1－1, y1－1)]에 의해 행한다.

상기 대 블록(B1)은, 막 두께 관리의 최소의 단위 영역(목표 막 두께가 동일한 영역)이며, 측정 모드가 아닌 통상의 국소 노광 공정을 실시할 때에, 그 영역 내는 균일한 조도로 조사가 이루어진다.

또한, 상기 소 블록(B2)은, 측정 모드에 있어서의 조사 제어의 최소의 단위 영역이며, 측정 모드에서 각 소 블록(B2)에 조사되는 조도는, 다른 소 블록(B2)에 조사되는 조도와는 각각 다른 설정으로 이루어진다.

구체적으로는, 도 6에 도시하는 바와 같이 각 대 블록(B1) 중의 소 블록(B2)은, 0 내지 48mJ/㎠의 범위에서, 소정 간격마다 다른 숫자가 할당된다. 도 6에서는, 25개의 소 블록(B2)의 각각에 다른 조도가 할당되어 있다. 이에 의해, 각 소 블록(B2)에 대한 노광량이 조도에 따라 다른 것으로 되어, 현상 처리 후의 막 두께에는, 상기 조도에 따른 차이가 발생하게 된다.

이와 같이 측정 모드에 있어서 복수의 소 블록(B2)에 대해 각각 다른 조도로 조사를 행하는 것은, 각 대 블록(B1)에 대해, 현상 처리 후의 막 두께를 원하는 값(목표 막 두께)으로 하기 위한 최적의 조도(이하, 필요 조도라 함)를 구하기 위해서이다. 즉, 측정 모드에 있어서 현상 처리 후에 목표 막 두께에 일치하는 잔여막 두께로 된 소 블록(B2)을 선택하고, 그 소 블록(B2)에 대해 조사된 조도를 필요 조도로 하면 된다.

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 각 소 블록(B2)의 크기는, 1개의 UV-LED 소자(L)에 의한 조사 면적에 대응하는 것으로 되고, 측정 모드에 있어서 각 UV-LED 소자(L)의 발광 제어가 독립적으로 행해짐으로써, 각 소 블록(B2)에 대해, 도 6에 도시한 설정 조도에 의한 조사가 행해진다. 이와 같이 1개의 소 블록(B2)에 대해 1개의 UV-LED 소자(L)의 발광 제어에 의해 조사를 행하는 경우에는, 기판면에 가장 많은 소 블록(B2)을 설정할 수 있어, 필요 조도의 정밀도를 높게 하여, 막 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.

따라서, 제어부(40)는, 측정 모드에 있어서, 기판(G)이 광 조사기(3)의 하방을 반송될 때, 각 UV-LED 소자(L)의 하방을 통과하는 각 소 블록(B2)에 대해, 도 6에 도시하는 설정 조도로 각 UV-LED 소자(L)에 의해 조사가 이루어지도록 발광 구동부(9)를 제어한다(도 4의 스텝 St5).

여기서, 스텝 St5에서의 노광 처리를 종료한 기판(G)은, 현상 장치[56(DEV)]에 반입되어, 현상 처리가 실시된다(도 4의 스텝 St6).

그리고 현상 처리가 이루어진 기판(G)은, 막 두께 측정 장치(57)에 반입되어, 각 대 블록(B1) 중의 각 소 블록(B2)에 대해, 레지스트막의 잔여막 두께가 측정된다(도 4의 스텝 St7). 이 측정에 의해, 각 대 블록(B1)에 대해, 도 7에 나타내는 바와 같은 잔여막 두께와 조도의 상관 그래프(상관 데이터)가 얻어진다(도 4의 스텝 St8).

즉, 도 7은, 횡축을 조도(0 내지 48mJ/㎠), 종축을 잔여막 두께(Å)로 하여, 각 조도(0, 2, 4,···, 48mJ/㎠)에 대응하는 소 블록(B2)의 잔여막 두께를 플롯한 상관 그래프의 일례이다.

제어부(40)에는, 상기 도 7에 그래프로서 나타낸 대 블록(B1)마다의 상관 데이터가 피드백되어, 그 기억 수단(도시하지 않음)에, 예를 들어 상관 테이블로서 기억된다.

또한, 제어부(40)가 기억하는 도 8의 레시피 테이블(T)에는, 미리 모든 대 블록(B1)에 대해, 목표로 하는 막 두께값[예를 들어, 대 블록 B1(x1, y1)은 7500Å, B1(x3, y1)은 8000Å]이 각각 설정되어 있고, 제어부(40)는, 그 목표 막 두께를 상기 상관 데이터에 맞춤으로써, 모든 대 블록(B1)에 대해 적절한 필요 조도를 구한다.

그리고 모든 대 블록(B1)에 대해 필요 조도가 구해지면, 제어부(40)는, 그들 필요 조도를 레시피 테이블(T)에 등록한다(도 4의 스텝 St9). 도 8의 예에서는, 대 블록 B1(x1, y1)은 0mJ/㎠(즉, 보정 조사의 필요 없음), B1(x3, y1)은 2mJ/㎠가 등록된다.

또한, 제어부(40)는, 각 대 블록(B1)으로의 조사에 대응하는 복수(도면에서는 5개)의 UV-LED 소자(L)를 발광 제어 그룹(GR)으로서 설정하고, 각 발광 제어 그룹(GR)을 상기 필요 조도로 발광시키기 위해 필요한 순 전류값을 구하여, 레시피 테이블(T)에 등록한다. 도 8의 예에서는, 대 블록 B1(x1, y1)은 발광 제어 그룹(GR₅)이 대응하여 0mA의 전류값이 설정되고, B1(x3, y1)은 발광 제어 그룹(GR₅)이 대응하여 4.1mA의 전류값이 설정된다.

이 순 전류값의 측정에 있어서는, 승강 구동부(12)에 의해 광 조사기(3)가 소정 높이까지 상승 이동되고, 상기 진퇴 구동부(15) 및 수평 이동 구동부(17)에 의해 조도 센서(13)가 광 방사창(6)의 하방으로 이동된다. 여기서, 예를 들어 광 방사창(6)과 조도 센서(13)의 거리가, 광 방사창(6)과 기판(G) 상면의 거리와 동등해지도록 조정되고, 발광 제어 단위로 되는 제어 그룹(GR)의 발광 조도가, 각각 조도 센서(13)에 의해 검출된다. 그리고 조도 센서(13)에 의해 검출된 조도의 값이, 그 발광 제어 그룹(GR)을 발광시켜야 할 조도로 되면, 그때의 공급 전류가 측정되어, 구동 전류값으로서 레시피 테이블(T)에 등록된다(도 4의 스텝 St10).

한편, 도 4의 스텝 St4에 있어서, 이미 레시피 내용이 설정되어 있는 경우, 제어부(40)는, 통상의 국소 노광 공정으로서, 레시피 테이블(T)에 기초하여 UV-LED 소자(L)의 발광 제어를 행한다(도 4의 스텝 St11).

즉, 도 9에 모식적으로 도시하는 바와 같이, 각 대 블록(B1)에 있어서의 필요 조도는 레시피에 설정되어 있으므로, 각 발광 제어 그룹(GR)의 하방을 기판(G) 상의 각 대 블록(B1)이 통과하는 타이밍에 있어서, 각 발광 제어 그룹(GR)에 대해, 필요 조도에 대응하는 순 전류의 공급이 이루어진다. 예를 들어, 도 8의 레시피 테이블(T)의 예에서는, 대 블록 B1(x2, y1)이 통과하는 타이밍에 있어서, 발광 제어 그룹(GR₅)에 대해 7.5mA의 순 전류가 공급되고, B1(x3, y1)이 통과하는 타이밍에 있어서, 발광 제어 그룹(GR₅)에 대해 4.1mA의 전류가 공급된다.

또한, 상기한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 5개의 UV-LED 소자(L)를 발광 제어 그룹(GR)으로 하여, 각 그룹(GR)이 1개의 대 블록(B1)에 대응하는 것으로 하고 있다.

이와 같이 하여, 기판(G)이, 광원(4)의 하방을 통과할 때, 모든 대 블록(B1)에 대해 레시피에 기초하는 필요 조도에 의한 조사가 행해지고, 국소 노광 처리가 종료된다.

또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 이 국소 노광 처리(AE)에 의해, 기판(G)에 대한 노광 처리가 완료되고, 그 노광 후의 레지스트막이 현상 장치[56(DEV)]에 의해 현상 처리된다.

이상과 같이, 본 발명에 관한 실시 형태에 따르면, 기판(G)으로의 노광 처리를 보정하는 수단으로서, 막 두께를 보다 얇게 하고자 하는 임의의 부위에 대해 국소적으로 노광 처리가 행해진다.

이 국소적인 노광 처리에 있어서는, 미리 레시피 내용을 설정하는 측정 모드에 있어서, 복수 단계의 조도와 잔여막 두께의 상관 데이터를 얻을 수 있으므로, 막 두께 제어의 단위로 되는 대 블록(B1)마다, 목표 잔여막으로부터 최적의 필요 조도를 용이하게 설정할 수 있다.

또한, 상기 상관 데이터를 데이터 베이스로서 유지함으로써, 마스크 패턴의 변경에 의해 필요한 감소 막 두께(목표 막 두께)가 변화되어도, 상기 상관 데이터에 기초하여 필요 조도를 용이하게 얻을 수 있다.

상술한 수순에서, 대 블록(B1)마다, 최적의 필요 조도를 구한다. 그리고 그 값이, 예를 들어 도 12에 도시하는 값으로 된 것으로 한다. 그리고 도 12에 나타내는 값의 조도로 대 블록(B1)마다 조사를 행하면 된다.

다음으로, 제2 실시 형태에 관해 설명한다. 여기서, 제1 실시 형태와 동일한 부분은, 설명을 생략한다. 제2 실시 형태에서는, 도 12에 나타내는 값을 구한 후, 또한 후술하는 작업을 행하고, 그 작업의 결과에 기초하여 조도의 제어를 행한다.

여기서, 이해하기 쉽도록, 도 12에 있어서의, B1(X1, Y1) B1(X2, Y1) B1(X3, Y1) B1(X4, Y1) B1(X5, Y1)의 영역을 사용하여 설명한다. B1(X1, Y1) 내지 B1(X5, Y1)의 X 방향의 위치를 횡축으로, 각 대 블록(B1)마다의 조도를 종축으로 그래프화한 것이 도 13이다.

제1 실시 형태에서는, 도 12, 도 13에 나타내는 조도로 대 블록(B1)마다의 조도를 설정하고, 조사를 행하였다. 그러나 예를 들어 B1(X2, Y1)과 B1(X3, Y1)의 경계 부분에서는, 조도가 계단 형상으로 변화(1→2㎜J/㎠)되어 버린다. 따라서, 경계 부분에서 조도가 매끄럽게 변화되도록, 예를 들어 도 14에 나타내는 바와 같이, B1(X1, Y1) 내지 B1(X5, Y1)의 사이에서 보간(補間) 작업을 행한다.

예를 들어, 대 블록 B1(Xn, Y1)마다의 최적 조도를 대 블록 B1(Xn, Y1)의 X 방향의 중앙에 플롯하고, 이 플롯한 점을 매끄럽게 보간한 그래프 D를 구한다. 그리고 이 그래프 D에 대응하여, 각 소 블록 B2(Xn, Yn)의 조도를 각각 독립적으로 제어를 행하고, 조사를 행한다. 여기서, B1(X1, Y1) 내지 B1(X5, Y1)의 사이에서의 보간을 행할 때에는, 일반적으로 사용되는 보간 방법을 사용하면 된다. 그리고 보간을 행하는 프로그램을 미리 제어부(40)에 기억시켜 두고, 자동적으로 보간 작업을 행해도 된다. 마찬가지로, Y 방향에서도 각 대 블록(B1)의 사이에서 보간 작업을 행한다. 이와 같이 하여, 모든 소 블록(B2)마다의 조도를 설정하고, 소 블록(B2)마다 제어를 행하는 것도 가능하다.

상술한 바와 같이, 제2 실시 형태는, 제1 실시 형태보다도 작업이나 제어는 복잡해지지만, 제1 실시 형태보다도 더욱 고정밀도로 레지스트막 두께를 조정할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 하프 노광 처리 후의 레지스트 잔여막 두께를 균일하게 하는 경우를 예로 설명했지만, 본 발명에 관한 국소 노광 방법에 있어서는, 하프 노광 처리에 한정하지 않고 적용할 수 있다. 예를 들어, 하프 노광 처리가 아닌 통상의 노광 처리를 행하는 경우라도, 발명에 관한 국소 노광 방법을 적용함으로써, 레지스트 잔여막 두께를 면내 균일하게 할 수 있다.

또한, 측정 모드에 있어서, 도 4의 스텝 St7, St8과 같이, 레지스트 잔여막 두께를 측정하여 잔여막 두께와 조도의 상관 데이터를 구하는 것에 한정하지 않고, 현상 처리 후의 패턴 선 폭을 측정하여 패턴 선 폭과 조도의 상관 데이터를 구하고, 그 상관 데이터에 기초하여 레시피 테이블을 작성해도 된다. 예를 들어, 패턴 선 폭이, 원하는 값(목표 선 폭)에 일치하는 선 폭으로 된 소 블록(B2)에 대해 조사된 조도를, 그 대 블록(B1)에 있어서의 필요 조도로 하면 된다.

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판(G)을 평류 반송하면서 노광 처리를 행하는 경우를 예로 설명했지만, 본 발명에 있어서는, 그 형태에 한정되지 않고, 피처리 기판을 챔버 내에 정지시킨 상태에서 보유 지지하고, 보유 지지한 기판에 대해 노광 처리를 행하는 구성이어도 된다.

그 경우, 라인 형상 광원을 피처리 기판에 대해 이동시키도록 해도 된다(즉, 라인 형상 광원과 피처리 기판이 상대적으로 역방향으로 이동하는 구성이면 됨).

또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 측정 모드에 있어서, 1개의 소 블록(B2)에 대해 1개의 UV-LED 소자(L)를 발광 제어하여, 각각 설정된 조도로 조사하도록 하였지만, 본 발명에 있어서는, 그것에 한정되는 것은 아니다.

즉, 측정 모드에 있어서의 최소의 발광 제어 단위의 크기는 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 1개의 소 블록(B2)에 대해, 서로 인접하는 복수의 UV-LED 소자(L)를 발광 제어하여, 설정된 소정의 조도로 조사하도록 해도 된다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부분을 조합하여 실시해도 된다.

이와 같이 1개의 소 블록(B2)에 대해 복수의 UV-LED 소자(L)의 발광 제어에 의해 조사를 행하는 경우에는, 복수의 UV-LED 소자(L)의 조사 면적에 따른 소 블록(B2)을 설정할 필요가 있으므로, 1개의 UV-LED 소자(L)에 의해 대응하는 경우보다도 기판면에 설정되는 소 블록(B2)의 수가 감소하여, 보다 단시간에 각 대 블록(B1)에 있어서의 필요 조도를 얻을 수 있다.

또한, 상술한 실시 형태는, 액정, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 등의 FPD 기판에 적용한 예였지만, 본 발명은, 기판이 FPD 기판 이외의 반도체 웨이퍼, 포토마스크용의 마스크 레티클, 태양 전지 제조용의 기판 등에도 적용할 수 있다.

1 : 국소 노광 장치
2 : 기판 반송로
3 : 광 조사기
4 : 광원
9 : 발광 구동부
20 : 반송 롤러(기판 반송 수단)
40 : 제어부
G : 글래스 기판(피처리 기판)
L : UV-LED 소자(발광 소자)
GR : 발광 제어 그룹
T : 레시피 테이블

Claims

피처리 기판에 형성된 감광막을 복수의 대 블록으로 분할하고, 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자의 하방에 있어서, 그 배열 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 상대적으로 이동시키고, 상기 대 블록마다 미리 설정된 조도에 기초하여, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어함으로써, 국소적으로 노광 처리를 실시하는 국소 노광 방법이며,
상기 대 블록을 복수의 소 블록으로 분할하는 스텝과,
상기 대 블록 내의 소 블록마다, 단계적으로 다른 조사 조도를 설정하는 스텝과,
상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝과,
상기 발광 소자의 조사에 의해 노광 처리된 감광막을 현상 처리하는 스텝과,
상기 현상 처리가 이루어진 소 블록마다, 상기 감광막의 잔여막 두께를 측정하여, 상기 소 블록에 설정된 조도와 잔여막 두께의 상관 데이터를 얻는 스텝과,
상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 대 블록마다 설정된 감광막의 목표 잔여막 두께로부터, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 방법.
피처리 기판에 형성된 감광막을 복수의 대 블록으로 분할하고, 라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자의 하방에 있어서, 그 배열 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 상대적으로 이동시키고, 상기 대 블록마다 미리 설정된 조도에 기초하여, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어함으로써, 국소적으로 노광 처리를 실시하는 국소 노광 방법이며,
상기 대 블록을 복수의 소 블록으로 분할하는 스텝과,
상기 대 블록 내의 소 블록마다, 단계적으로 다른 조사 조도를 설정하는 스텝과,
상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝과,
상기 발광 소자의 조사에 의해 노광 처리된 감광막을 현상 처리하는 스텝과,
상기 현상 처리가 이루어진 소 블록마다, 상기 감광막의 현상 후의 패턴 선 폭을 측정하여, 상기 소 블록에 설정된 조도와 패턴 선 폭의 상관 데이터를 얻는 스텝과,
상기 상관 데이터에 기초하여, 상기 대 블록마다 설정된 감광막의 목표 패턴 선 폭으로부터, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 상관 데이터에 기초하여, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝 후,
피처리 기판을 상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동시키는 스텝과,
상기 기판 상에 형성된 상기 복수의 대 블록이, 상기 복수의 발광 소자의 하방을 상대적으로 이동할 때, 각 대 블록에 대해, 상기 구해진 필요 조도에 기초하여 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광 제어하는 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 방법.
제3항에 있어서,
상기 상관 데이터에 기초하여, 각 대 블록에 조사하는 필요 조도를 구하는 스텝 후, 피처리 기판을 상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동시키는 스텝에 있어서,
기판 검출 센서에 의해 상기 기판을 검출하고, 상기 기판 검출 센서로부터의 상기 기판의 검출 신호와, 상기 검출 신호를 취득 후의 시간과, 상기 기판의 이동 속도에 기초하여 상기 기판의 위치 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝에 있어서,
상기 소 블록마다, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어하여, 상기 설정된 조도로 조사하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자에 대해 상대적으로 이동하는 상기 기판의 감광막에 대해, 상기 소 블록마다 설정된 조사 조도에 기초하여, 상기 발광 소자를 발광 제어하는 스텝에 있어서,
상기 발광 소자로부터 발광된 광을, 광 확산판을 통해 상기 기판 상의 감광막에 대해 방사하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발광 소자는 UV광을 발광하는 UV- LED 소자인 것을 특징으로 하는, 국소 노광 방법.
삭제
감광막이 형성된 피처리 기판에 대해 국소적으로 노광 처리를 실시하는 국소 노광 장치이며,
라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자와,
상기 복수의 발광 소자의 하방에 있어서, 그 배열 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 상대적으로 이동시키는 기판 반송 수단과,
상기 복수의 발광 소자를 각각 독립하여 발광 구동하는 발광 구동부와,
상기 발광 구동부를 제어하여, 상기 기판 반송 수단에 의해 상대적으로 이동되는 상기 기판에 대해, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광시키는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막을 복수의 대 블록으로 분할하고, 상기 대 블록마다 미리 설정된 조도에 기초하여, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하고,
상기 제어부는, 상기 대 블록마다 미리 설정되는 조도를 결정하기 위한 측정 모드를 실시하고,
상기 측정 모드 시,
상기 복수의 대 블록 내의 영역을, 각각 복수의 소 블록으로 분할하고, 분할한 소 블록마다 소정 간격으로 다른 조도를 할당하고, 상기 복수의 발광 소자가 상기 소 블록마다 할당된 조도로 조사하도록 상기 발광 구동부를 제어하고,
또한, 현상 처리 후의 각 소 블록의 잔여막 두께와, 상기 소 블록마다 조사된 조도의 상관 데이터를 구하고,
상기 상관 데이터에 기초하여, 현상 처리 후의 감광막의 잔여막 두께가, 목표 막 두께에 일치하는 상기 소 블록에 조사된 조도를, 상기 대 블록의 조도로서 설정하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.
감광막이 형성된 피처리 기판에 대해 국소적으로 노광 처리를 실시하는 국소 노광 장치이며,
라인 형상으로 배열된 복수의 발광 소자와,
상기 복수의 발광 소자의 하방에 있어서, 그 배열 방향에 교차하는 방향으로 상기 기판을 상대적으로 이동시키는 기판 반송 수단과,
상기 복수의 발광 소자를 각각 독립하여 발광 구동하는 발광 구동부와,
상기 발광 구동부를 제어하여, 상기 기판 반송 수단에 의해 상대적으로 이동되는 상기 기판에 대해, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광시키는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판에 형성된 감광막을 복수의 대 블록으로 분할하고, 상기 대 블록마다 미리 설정된 조도에 기초하여, 상기 복수의 발광 소자를 선택적으로 발광시키도록 상기 발광 구동부를 제어하고,
상기 제어부는, 상기 대 블록마다 미리 설정되는 조도를 결정하기 위한 측정 모드를 실시하고,
상기 측정 모드 시,
상기 복수의 대 블록 내의 영역을, 각각 복수의 소 블록으로 분할하고, 분할한 소 블록마다 소정 간격으로 다른 조도를 할당하고, 상기 복수의 발광 소자가 상기 소 블록마다 할당된 조도로 조사하도록 상기 발광 구동부를 제어하고,
또한, 현상 처리 후의 각 소 블록에 있어서의 패턴 선 폭과, 상기 소 블록마다 조사된 조도의 상관 데이터를 구하고,
상기 상관 데이터에 기초하여, 현상 처리 후의 감광막에 형성된 패턴 선 폭이, 목표 패턴 선 폭에 일치하는 상기 소 블록에 조사된 조도를, 상기 대 블록의 조도로서 설정하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 측정 모드 시, 상기 제어부는, 상기 소 블록마다, 1개 또는 복수의 발광 소자를 발광 제어하여, 상기 소 블록마다 설정된 조도로 조사하도록 상기 발광 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자와 상기 피처리 기판 사이에 설치된 광 확산판을 구비하고,
상기 발광 소자로부터 발광된 광은, 상기 광 확산판을 통해 상기 기판 상의 감광막에 대해 방사되는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 이동 수단에 의해 이동되는 상기 기판을 검출하는 기판 검출 센서를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판 검출 센서에 의한 검출 신호와, 상기 검출 신호를 취득 후의 시간과, 상기 기판의 이동 속도에 기초하여 상기 기판의 위치 정보를 취득하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자의 각각에 대해, 그 하방 위치로 진퇴 가능하고, 상기 발광 소자로부터 방사된 광의 조도를 검출함과 함께, 검출한 조도를 상기 제어부에 출력하는 조도 센서를 구비하고,
상기 조도 센서와 상기 발광 소자의 거리는, 상기 기판의 상면과 상기 발광 소자의 거리와 동등하게 되고,
상기 제어부는, 상기 조도 센서가 검출한 소정의 조도에 대한 발광 소자의 구동 전류값을 기억하고, 상기 발광 소자의 구동 전류값으로서 사용하는 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 발광 소자는 UV광을 발광하는 UV-LED 소자인 것을 특징으로 하는, 국소 노광 장치.