KR101674287B1 - 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템 및 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 초크랄스키법에 의한 실리콘 잉곳의 성장시 실리콘 잉곳의 직경 편차를 제어하는 시스템으로서, 종결정인 시드와 결합되며 성장되는 실리콘 잉곳을 지지하는 시드척; 상기 시드척 상면과 케이블로 연결되어 상기 시드척에 가해지는 부하를 측정하는 측정부; 상기 시드척이 케이블과 연결된 상태에서 상기 시드척의 위치를 상하부로 이동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 부하 조절부; 및 상기 측정부에서 측정된 부하값에 따라 상기 부하 조절부를 구동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 따라서, 단결정 잉곳의 성장 공정을 진행하는 도중 시드의 흔들림이 방지되어, 성장하는 단결정 잉곳의 직경 편차를 감소시킬 수 있다.

Description

단결정 잉곳의 직경 제어 시스템 및 제어 방법{Diameter Controlling System of Single Crystal Ingot and Method controlling the Same}
본 발명은 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 초크랄스키법을 사용한 단결정 잉곳의 성장에 있어서 시드를 포함한 부분이 흔들리는 것을 방지하여 단결정 잉곳의 직경을 일정하게 제어할 수 있는 단결정 성장 장치에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 단결정 잉곳 성장장치에서 실리콘 단결정 잉곳(ingot)은 석영 도가니에 폴리실리콘(polysilicon)과 불순물(dopant)을 용융하여 형성된 실리콘 용융물에 인상장치를 사용하여 시드를 디핑(dipping)시키고 이 시드(Seed)와 석영 도가니를 서로 반대 방향으로 회전시키면서 서서히 시드를 인상함으로써(pulling up) 성장 제조된다.
이 실리콘 단결정 잉곳 성장장치는, 챔버 내부의 핫존(Hot Zone, H/Z)에 실리콘 용융물이 담겨지는 석영 도가니와, 이 석영 도가니를 감싸는 흑연 도가니, 이 도가니를 지지하는 지지판과, 이 지지판을 외부의 회전구동장치에 결합시키는 회전축, 도가니의 주변을 포위하는 구조로 설치되어 도가니에 열을 방사하는 히터와, 이 히터에서 발생된 열이 외부로 방사되는 것과 실리콘 용융물의 온도가 저하되는 것을 방지하는 열차폐부재를 포함하여 형성된다.
그리고 상기 챔버 내부에는 시드 척(seed chuck)이 구비된다. 이 시드 척은 드럼과 같은 외부의 인상 구동장치와 케이블로 연결된 시드를 실리콘 용융물에 디핑한 후에 소정의 속도로 시드를 인상시키며, 시드의 일단에서 성장하는 실리콘 단결정 잉곳의 하중을 지탱한다.
이와 같이 쵸크랄스키법으로 실리콘 잉곳을 성장시킬 때, 시드의 일단에 케이블이 연결되며 회전 구동에 의해 잉곳이 성장되므로, 시드 부분은 특히 흔들림이 발생할 가능성이 있다.
도 1은 종래 단결정 잉곳의 성장 길이에 따른 직경을 나타낸 그래프이다.
도 1을 참조하면, 성장이 끝난 실리콘 잉곳의 직경을 길이별로 측정한 결과이며, 잉곳 성장의 초반부인 A 영역에서는 실리콘 잉곳 직경의 편차가 크고 변화주기기 짧으며, 후반부인 B 영역에서는 실리콘 잉곳 직경의 편차가 작고 변화주기 또한 작게 나타남을 확인할 수 있다.
이와 같이 단결정 잉곳의 성장 초반부에 인상 속도의 급격한 증가 또는 초기 잉곳의 가벼운 무게로 인해 성장되는 잉곳의 직경 편차가 발생하여 성장된 단결정의 사용면적이 감소하는 문제점이 발생하게 된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 단결정 잉곳의 초기 성장시 케이블에 의한 회전 구동시 시드가 흔들려 성장되는 잉곳의 직경의 편차가 발생하는 것을 방지할 수 있는 실리콘 잉곳 제어 시프템 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 초크랄스키법에 의한 실리콘 잉곳의 성장시 실리콘 잉곳의 직경 편차를 제어하는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템으로서, 종결정인 시드와 결합되며 성장되는 실리콘 잉곳을 지지하는 시드척; 상기 시드척 상면과 케이블로 연결되어 상기 시드척에 가해지는 부하를 측정하는 측정부; 상기 시드척이 케이블과 연결된 상태에서 상기 시드척의 위치를 상하부로 이동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 부하 조절부; 및 상기 측정부에서 측정된 부하값에 따라 상기 부하 조절부를 구동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는 초크랄스키법에 의한 실리콘 잉곳의 성장시 실리콘 잉곳의 직경 편차를 제어하기 위한 단결정 잉곳의 직경 제어 방법으로서, 실리콘 잉곳에 가해지는 부하에 대한 제어 목표값을 입력하는 단계; 현재 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 측정하여 측정값을 도출하는 단계; 및 상기 목표값과 측정값을 비교하고, 상기 목표값과 측정값이 동일하도록 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 단계;를 포함하고, 상기 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 단계는, 상기 실리콘 잉곳을 지지하는 시드척과 연결된 지지유닛의 위치를 변경하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면 단결정 잉곳의 성장 공정을 진행하는 도중 시드의 흔들림이 방지되어, 성장하는 단결정 잉곳의 직경 편차를 감소시킬 수 있다.
본 발명은 단결정 잉곳의 성장 공정시 급격한 인상 속도로 인해, 단결정 잉곳의 성장 도중 시드 부분이 끊어져 추락하는 것을 방지할 수 있고, 인상 속도를 제어함으로 인해 단결정 잉곳의 불균일한 성장을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 단결정 잉곳의 성장 길이에 따른 직경을 나타낸 그래프
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치를 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 잉곳 직경 제어 시스템의 흐름을 나타낸 도면
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 의해 성장된 잉곳의 길이에 따른 직경을 나타낸 그래프
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.
본 발명에 따른 단결정 성장 장치는 단결정 잉곳의 초기 성장 과정에서부터 시드가 연결된 시드척에 추가적인 부하를 걸어주어 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있는 성장 장치를 제안하는 것이며, 단결정 잉곳이 어느 정도 성장하여 증가된 무게로 인해 시드의 흔들림이 없는 상태로 성장 조건을 제어하는 방법에 대하여 제안한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참조하면, 공정 챔버 내부에 배치되는 단결정 성장 장치의 구성들이 개시되며 공정 챔버는 도시하지 않고, 본 발명의 특징이 드러나는 구성만을 도시하였다.
실리콘 잉곳은 종결정인 시드(11)를 실리콘 융액에 디핑한 후에, 일정한 속도로 회전시키면서 인상함으로써 성장된다. 석영 도가니(10) 내부에 녹이있는 실리콘 융액에 시드(11)를 디핑하기 위해서는 상기 시드(11)를 고정 및 지지하는 시드 척(12)이 마련되고, 상기 시드척(12) 상면에는 케이블이 연결되어 드럼(19)과 같은 회전구동수단(19)의 회전에 따라 상기 시드(11)를 실리콘 융액으로부터 인상시켜 실리콘 잉곳을 성장시킬 수 있다.
실리콘 잉곳이 성장하는 초기 단계에서 시드를 포함한 잉곳의 무게가 가볍기 때문에 케이블의 구동에 따른 흔들림이 발생하게 되고, 이러한 흔들림에 의해 성장되는 잉곳의 길이별로 직경의 편차가 크게 발생하게 되지만, 잉곳의 성장이 완료되는 시점에서는 잉곳의 무게로 인해 시드를 포함한 부분에 흔들림이 발생하지 않아 길이별 직경의 편차가 현저히 작아진다.
본 발명은 상술한 바와 같이 잉곳의 초기 성장시에도 시드와 연결된 케이블에 전달되는 부하가 잉곳의 성장이 완료된 시점의 부하가 되도록 설정하여, 시드를 포함한 영역의 흔들림을 방지하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해, 본 발명에서는 현재 성장되고 있는 잉곳에 걸린 부하를 제어하는 수단과 상기 단결정 잉곳에 부하를 걸어주거나 감해주는 수단을 포함할 수 있다.
단결정 잉곳에 걸린 부하를 제어하는 수단으로서, 사용자가 잉곳에 걸어주고자 하는 부하값을 입력하는 입력부(20), 현재 성장되고 있는 단결정 잉곳에 걸린 부하를 측정하는 측정부(22), 상기 입력부에 입력된 값과 측정부에서 측정된 값을 비교하여 단결정 잉곳에 부하를 가감하기 위한 동작을 제어하는 제어부(21)를 포함할 수 있다.
그리고, 단결정 잉곳에 부하를 더해주거나 감해주는 수단으로서, 시드가 결합 고정되는 시드척(12)을 둘러싸도록 형성되는 원통 형상의 몸체부(18), 상기 몸체부(18)의 상측면 일부와 결합 고정되는 리드 스크류(Lead Screw, 14)로 구성될 수 있다. 상기 리드 스크류(14)는 부하 조절부(16)에 포함되는 구성으로서, 상기 부하 조절부(16)는 회전 운동을 직선 운동으로 변환하는 LM(Linear Motion) 가이드로 형성될 수 있다.
상기 몸체부와 결합되는 상기 리드 스크류(14)는 상기 몸체부(18)의 흔들림을 최소화하기 위해 공정 챔버의 상부에 적어도 한 쌍이 배치될 수 있으며, 상기 몸체부(18)를 사이에 두고 서로 마주보도록 배치될 수 있다.
상기 리드 스크류(14)는 나사면을 가진 봉 형상의 부재로서, 상기 나사면에는 지지유닛(15)이 결합되어 있으며, 상단에는 모터(17)가 연결된다. 그리고, 공정 챔버의 일면에 상기 부하 조절부(16)가 고정됨으로써, 상기 부하 조절부(16)의 위치 또한 고정될 수 있다.
실시예에서는 상기 부하 조절부(16)에 마련된 상기 지지유닛(15)이 일단이 상기 몸체부(18) 상면과 결합된다. 리드 스크류(14)는 회전 운동을 직선 운동으로 변환하며, 상면에 배치된 모터(17)의 회전방향에 따라서 상기 지지유닛(15)은 상승 또는 하강운동을 하게 된다. 예를 들어, 상기 모터(17)가 시계방향(CW)으로 회전구동하는 경우에는 상기 지지유닛(15)이 리드 스크류(15)에서 상방향으로 직선 이동하게 되므로, 이와 연결된 시드척(12)이 상방향으로 이동된다. 반대로, 상기 모터(17)가 반시계방향(CCW)으로 회전구동하는 경우에는 상기 지지유닛(15)이 리드 스크류(15)에서 하방향으로 직선 이동하게 되므로, 이와 연결된 시드척(12)이 하방향으로 이동된다.
상기 지지 유닛(15)의 위치 변경으로 시드척(12) 및 이를 감싸는 몸체부(18)의 위치가 변경되고, 이는 실리콘 잉곳에 가해지는 부하가 변경되는 것을 의미한다. 본실시예에서 부하라 함은 실질적으로 실리콘 잉곳에 가해지는 무게인 것으로 정의할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 더욱 구체적으로 설명하면, 단결정 잉곳이 성장되는 시드와 이를 지탱하기 위해 결합되는 시드척, 그리고 상기 시드척을 인상하는 회전구동수단이 마련되고, 회전구동수단의 일측에는 현재 단결정 잉곳의 무게(부하)를 측정하는 수단인 측정부(22)가 마련된다.
공정 챔버 상부의 양단에는 실리콘 잉곳이 성장되는 시드척의 위치를 고정시키거나 수직방향으로 이동시키기 위한 한쌍의 부하 조절부(16)가 마련되고, 상기 부하 조절부(16)는 사선 방향의 나사면으로 이동레일이 형성된 리드 스크류(14)와 상기 리드 스크류(14)에서 직선 운동이 가능하도록 마련된 지지유닛(15)이 상기 시드척(12)을 감싸도록 마련된 몸체부(18)의 상면부와 두 지점에서 결합된다.
즉, 실시예는 상기 지지유닛(15)을 하방향으로 이동시키는 경우에는 실리콘 잉곳과 연결된 케이블이 당겨짐으로서 부하가 증가되고, 상방향으로 이동시키는 경우에는 상기 케이블에 가해지는 부하가 감소될 수 있다.
한편, 실리콘 잉곳의 성장은 시드척(12)의 회전을 통해 시드(11)가 회전하면서 이루어진다. 상기 시드척(12)이 몸체부(18) 내부에서 회전할 수 있도록, 상기 시드척(12)의 상하면에는 상기 몸체부(18)와 접촉하는 영역에 베어링(13)을 구비함으로써 시드척(12)의 회전시 간섭을 줄여 잉곳의 성장이 이루어지도록 한다.
시드의 초기위치에 따라 시드척(12)을 지지하고 있는 몸체부(18)는 실리콘 융액과 일정한 거리에 위치하며, 시드(12)의 회전에 의해 단결정이 성장하게 되면 케이블을 상방향으로 인상시키면서 성장을 수행하게 된다. 본 발명은 단결정 성장의 초기 시점에서 단결정 시드의 흔들림을 방지하기 위해 단결정 성장의 후반 시점에서 측정된 잉곳의 무게만큼의 부하를 초기 시점에 걸어주고자 하는 것으로, 단결정 잉곳에 걸린 부하를 제어하는 수단으로서 입력부(20)와 제어부(21)가 마련될 수 있다.
입력부(20)는 사용자의 설정값, 즉 사용자가 현재의 시점에서 잉곳에 걸어주고자 하는 부하값을 입력하는 수단이며, 제어부(21)는 상기 입력부(20)에서 입력받는 부하값이 상기 잉곳에 유지되도록 케이블의 이동을 제어하며, 리드 스크류(14) 상에 마련된 모터(17)의 회전을 제어하여, 사용자가 설정한 부하가 단결정 잉곳에 가해지도록 한다. 상기 제어부(21)는 측정부(22)에 걸린 부하값과 사용자의 설정값을 비교하여, 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 증가시키거나 감소시키도록 제어하며 이는 모터(17)를 회전시켜 몸체부를 이동시킴으로써 수행될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 잉곳 직경 제어 시스템의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 실리콘 잉곳의 초기 성장시 잉곳의 직경 편차를 제어하기 위해, 잉곳에 가해지는 부하를 제어하는 과정을 수행한다(S10).
사용자는 입력부에 현재 실리콘 잉곳의 성장 단계에서 잉곳에 가해질 부하값인 제어 목표값을 입력한다(S20). 상기 목표값은 잉곳의 성장 후반부에 성장된 잉곳의 무게로 설정될 수 있으며, 동일한 공정 장비에서 전 런(Run)에 성장된 단결정 잉곳의 직경 편차 프로파일을 참조하여 직경 편차가 감소된 구간의 잉곳의 무게로 설정될 수 있다. 실시예에서는 목료로 하는 잉곳의 부하를 300Kg으로 예를 들어 설명한다.
이어서, 측정부에서는 현재 실리콘 잉곳에 가해진 부하를 측정하는 과정을 수행한다(S40). 부하의 측정은 실리콘 잉곳과 연결된 케이블 일단에 마련된 무게측정 센서를 통해 수행될 수 있다.
제어부에서는 측정부에서 도출된 측정값과, 사용자가 설정한 목표값을 비교한다(S40). 상기 측정값과 목표값이 동일하게 나타난 경우에는, 부하 제어 과정을 종료하고(S50) 현재 단결정 잉곳의 가해지고 있는 부하 그대로 단결정 잉곳의 성장을 계속 수행한다.
만약, 목표값이 측정값을 비교하여 목표값이 측정값보다 작게 나타나는 경우에는(S60) 현재 실리콘 잉곳에 가해지고 있는 부하를 줄이기 위해, 시드척을 둘러싼 몸체부와 결합되어 있는 지지유닛을 상승시킨다. 지지유닛은 리드 스크류 상에 마련된 모터의 회전 방향에 따라 상하방향으로 직선운동하도록 형성되므로, 리드 스크류 상에 마련된 모터를 시계반대방향으로 회전하도록 구동시킴으로써(S70) 지지유닛을 상승시킬 수 있다. 케이블은 단결정 잉곳을 지지하면서 상방향으로 힘을 받고 있으므로 지지유닛을 상승시키면 단결정 잉곳에 가해지는 부하는 줄어들게 된다.
목표값이 측정값을 비교하여 목표값이 측정값보다 크게 나타나는 경우에는 현재 실리콘 잉곳에 가해지고 있는 부하를 증가시키기 위해, 시드척을 둘러싼 몸체부와 결합되어 있는 지지유닛을 하강시킨다. 리드 스크류 상에 마련된 모터를 시계방향으로 회전하도록 구동시킴으로써(S80) 지지유닛을 하강시킬 수 있다. 케이블은 단결정 잉곳을 지지하면서 상방향으로 힘을 받고 있으므로 지지유닛을 하강시키면 단결정 잉곳에 가해지는 부하는 증가된다.
따라서, 실리콘 잉곳 성장의 초반부에 잉곳에 걸리는 부하를 제어함으로써, 사용자가 설정한 목표값과 동일하게 실리콘 잉곳에 부하가 가해지도록 할 수 있다. 즉, 단결정 잉곳의 성장 공정을 진행하는 도중 시드의 흔들림이 방지되고, 성장하는 단결정 잉곳의 직경 편차를 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 단결정 성장 장치에 의해 성장된 잉곳의 길이에 따른 직경을 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 실리콘 잉곳의 직경은 공정의 초반부부터 후반부까지 305~307mm의 범위의 직경을 나타내었으며, 직경의 편차가 2mm 내외를 나타냄을 확인할 수 있다. 도 1에서, 특히 잉곳 성장 초반부에 실리콘 잉곳의 직경 편차가 4mm를 나타낸 것과 비교하면, 본 발명은 잉곳 성장 초반부의 단결정 잉곳의 직경 편차를 효과적으로 감소시킴을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명은 단결정 잉곳의 성장 공정시 잉곳에 가해지는 부하를 일정하게 제어하므로, 단결정 잉곳의 급격한 인상 속도로 인해, 단결정 잉곳의 성장 도중 시드 부분이 끊어져 추락하는 것을 방지할 수 있고, 인상 속도를 제어함으로 인해 단결정 잉곳의 불균일한 성장을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 석영 도가니
11: 시드
12: 시드척
13: 베어링
14: 리드 스크류
15: 지지유닛
16: 부하 조절부
17: 모터
19: 드럼
20: 입력부
21: 제어부
22: 측정부

Claims (13)

  1. 초크랄스키법에 의한 실리콘 잉곳의 성장시 실리콘 잉곳의 직경 편차를 제어하는 시스템으로서,
    종결정인 시드와 결합되며 성장되는 실리콘 잉곳을 지지하는 시드척;
    상기 시드척 상면과 케이블로 연결되어 상기 시드척에 가해지는 부하를 측정하는 측정부;
    상기 시드척이 케이블과 연결된 상태에서 상기 시드척의 위치를 상하부로 이동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 부하 조절부; 및
    상기 측정부에서 측정된 부하값에 따라 상기 부하 조절부를 구동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 부하 조절부는 상기 시드척을 지지하는 몸체부의 외측에서 설정된 방향으로 회전하는 리드 스크류 및 상기 몸체부와 리드 스크류를 연결하여 상기 몸체부의 위치를 상승 또는 하강시키는 지지유닛을 포함하고,
    상기 측정부에서 측정된 부하와 설정된 부하와의 차이만큼 상기 리드 스크류를 회전시켜 상기 지지유닛의 위치를 수직방향으로 변경시킴으로써 상기 시드척에 걸리는 부하를 제어하는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 부하 조절부는 리드 스크류의 회전방향에 따라 상기 리드 스크류의 나사면에 결합된 지지유닛을 직선방향으로 상승 또는 하강시키는 LM(Linear Motion) 가이드로 형성되는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 부하 조절부는 공정 챔버 내부에 고정 결합되며, 상기 부하 조절부는 서로 대향되는 방향에서 상기 시드척과 연결되도록 2개 이상 배치되는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 리드 스크류 상부에 상부에는 모터가 마련되며, 상기 제어부는 상기 모터의 회전 방향 및 회전량을 제어하여 상기 지지유닛의 위치를 조절하는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 몸체부는 상기 시드척을 둘러싸도록 원통형으로 형성되며, 그 중심부는 관통되도록 형성되는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 지지유닛은 상기 몸체부의 상단부에 결합되어 상기 지지유닛의 상승 또는 하강에 의해 상기 몸체부의 위치가 변경되고, 상기 시드척에 가해지는 부하가 변경되는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 시드척과 몸체부가 서로 접촉하는 면에는 베어링이 형성되어, 상기 시드척의 회전이 이루어지는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  8. 제 1항에 있어서,
    사용자가 목표로 하는 잉곳의 부하 목표값을 설정하는 입력부를 포함하며, 상기 제어부는 상기 입력부에 입력된 목표값으로 상기 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 설정하는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제어부는 사용자가 설정한 목표값과 현재 실리콘 잉곳에 걸린 측정값을 비교하여 목표값이 측정값과 동일할 때까지 상기 부하 조절부를 구동시키는 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템.
  10. 초크랄스키법에 의한 실리콘 잉곳의 성장시 실리콘 잉곳의 직경 편차를 제어하기 위한 방법으로서,
    실리콘 잉곳에 가해지는 부하에 대한 제어 목표값을 입력하는 단계;
    현재 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 측정하여 측정값을 도출하는 단계; 및
    상기 목표값과 측정값을 비교하고, 상기 목표값과 측정값이 동일하도록 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 단계;를 포함하고,
    상기 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 단계는,
    상기 실리콘 잉곳을 지지하는 시드척과 연결된 지지유닛의 위치를 변경하는 단계를 포함하는 단결정 잉곳의 직경 제어 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 단계는,
    상기 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 증가시키는 경우 상기 시드척과 연결된 지지유닛을 하방향으로 이동시키는 단계를 포함하는 단결정 잉곳의 직경 제어 방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 단계는,
    상기 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 감소시키는 경우 상기 시드척과 연결된 지지유닛을 상방향으로 이동시키는 단결정 잉곳의 직경 제어 방법.
  13. 제 11항 또는 제 12항에 있어서,
    상기 시드척과 연결된 지지유닛을 하방향 또는 상방향으로 이동시키는 단계는,
    상기 지지유닛 상부에 마련된 모터를 소정의 방향으로 회전시켜 상기 지지유닛을 리드 스크류 상에서 상하방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳의 직경 제어 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200002838A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 Global Wafers Co., Ltd. Methods for producing a silicon ingot that involve monitoring a moving average of the ingot neck pull rate
US11414778B2 (en) * 2019-07-29 2022-08-16 Globalwafers Co., Ltd. Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot
CN111041551B (zh) * 2020-01-06 2021-02-05 北京北方华创真空技术有限公司 直拉硅单晶炉
CN114059151B (zh) * 2021-11-18 2022-08-02 深圳市毫欧电子有限公司 一种用于发热电子元件制备用拉晶装置
CN114481318A (zh) * 2022-02-14 2022-05-13 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 一种碳化硅晶体生长的控制方法及装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000281485A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Super Silicon Kenkyusho:Kk 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI911857A (fi) 1990-04-27 1991-10-28 Nippon Kokan Kk Foerfarande och apparat foer kontroll av diametern hos en enskild silikonkristall.
JP2796687B2 (ja) 1992-01-17 1998-09-10 コマツ電子金属株式会社 単結晶製造方法およびその装置
JPH07172980A (ja) * 1993-12-20 1995-07-11 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体単結晶製造装置
US5653799A (en) 1995-06-02 1997-08-05 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal
JP3615291B2 (ja) 1995-12-25 2005-02-02 信越半導体株式会社 引上げ結晶重量測定装置
JP3758743B2 (ja) 1996-04-22 2006-03-22 コマツ電子金属株式会社 半導体単結晶製造装置
US5932007A (en) * 1996-06-04 1999-08-03 General Signal Technology Corporation Method and apparatus for securely supporting a growing crystal in a czochralski crystal growth system
JP3478021B2 (ja) * 1996-09-18 2003-12-10 信越半導体株式会社 結晶保持装置
JP3438492B2 (ja) * 1996-10-18 2003-08-18 信越半導体株式会社 単結晶の引上げ方法
JPH10251092A (ja) 1997-03-11 1998-09-22 Mitsubishi Materials Corp 単結晶引上装置の上軸昇降機構
JP3400312B2 (ja) 1997-09-05 2003-04-28 株式会社スーパーシリコン研究所 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法
EP1252375B1 (en) 2000-02-01 2003-09-17 MEMC Electronic Materials, Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal to minimize growth rate and diameter deviations
JP5047227B2 (ja) 2009-05-27 2012-10-10 ジャパンスーパークォーツ株式会社 シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶引き上げ装置
KR101218847B1 (ko) 2010-12-13 2013-01-21 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 직경 제어시스템 및 이를 포함하는 단결정 잉곳 성장장치
KR101339149B1 (ko) 2012-01-05 2013-12-09 주식회사 엘지실트론 잉곳 성장 장치의 제어 시스템 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000281485A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Super Silicon Kenkyusho:Kk 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法

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