KR101665827B1 - 잉곳 계면의 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 초크랄스키법에 의해 단결정 잉곳을 성장시키면서 성장 계면의 형상을 제어하는 방법으로서, 잉곳의 계면이 목표로 하는 형상이 되도록 단결정 성장 공정의 제어 조건을 설정한 후 단결정 잉곳의 성장을 시작하는 단계, 상기 단결정 잉곳 상부에 배치된 로드셀로, 일정 시간 동안 성장한 잉곳의 중량을 측정하여 측정값을 도출하는 단계, 일정 시간 동안 공정 챔버의 외부에 배치된 직경측정 카메라에 의해 측정된 단결정 잉곳의 직경과, 일정 시간 동안 성장된 단결정 잉곳의 높이를 통해 상기 단결정 잉곳 중량의 이론값을 도출하는 단계, 상기 측정값과 이론값의 차이를 도출하여, 성장 중인 단결정 잉곳의 성장 계면 형상을 예측하는 단계 및 예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 성장 중인 잉곳의 계면 형상을 단결정 잉곳의 성장 공정 중에 실시간으로 예측할 수 있어, 공정 조건을 제어하여 목표로 하는 계면 형상으로 실리콘 잉곳을 성장시킬 수 있다

Description

잉곳 계면의 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 방법{Method for Growing Single Crystal enabling control Shape of Ingot Interface}

본 발명은 성장 중인 잉곳 계면의 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 단결정 성장 장치에서 잉곳의 성장 중 잉곳의 계면 형상을 파악하여 목표로 하는 계면의 형상으로 제어할 수 있는 단결정 성장 방법에 관한 것이다.

실리콘 웨이퍼 제조공정은 일반적으로 쵸크랄스키(czochralski, CZ)법에 의해 실리콘 단결정을 성장시켜 이루어진다. 쵸크랄스키법은 폴리 실리콘을 석영 도가니 내부에 장입하고 고온을 가하여 실리콘 융액을 만든 후, 실리콘 종결정(seed)을 이 실리콘 융액에 접촉시키고 천천히 회전시키면서 실리콘 단결정을 성장시키는 방법이다.

실리콘 종결정을 인상함에 따라 실리콘 잉곳이 형성되며, 실리콘 웨이퍼는 이러한 잉곳을 결정 성장 방향에 수직하게 절단하는 슬라이싱(slicing), 슬라이싱 중에 가해진 손상을 완화시키기 위한 래핑(lapping), 거친 웨이퍼 표면을 고도의 평탄도를 갖도록 하는 폴리싱(polishing) 등의 공정을 거쳐서 제조된다.

실리콘 웨이퍼는 실리콘 잉곳을 슬라이싱해서 제조되기 때문에, 실리콘 잉곳의 품질이 곧 실리콘 웨이퍼의 품질을 나타낼 수 있다. 이에, 잉곳의 성장시 잉곳의 직경이 일정하도록 제어하는 방법 등 실리콘 잉곳의 품질을 향상시키기 위한 많은 방법들이 제안되고 있다.

하나의 예시로서 실리콘 잉곳의 직경을 일정하게 제어하기 위한 단결정 성장 장치는, 석영 도가니의 실리콘 융액과 성장중인 잉곳의 접촉면인 응고계면의 특성을 감지하는 센서부를 구비하고, 센서부에 의해 감지된 응고계면의 특성을 통해 잉곳의 직경을 도출하는 직경도출부를 구비한다. 그리고 센서부와 연결되어 센서부의 감지영역이 변경되도록 하는 구동부와 직경도출부를 통해 도출된 잉곳의 직경을 기초로 잉곳의 직경이 증감되도록 제어하는 제어부를 포함한다. 이에, 센서의 감지 영역을 변화시키거나 도출된 직경을 보정하여 실제 잉곳의 직경을 산출하여 정확하게 잉곳의 직경을 제어할 수 있다.

상술한 바와 같이 잉곳의 품질을 향상시키고자 하는 방법이 제안되고 있으나, 잉곳의 성장 중에 잉곳의 성장 계면이 어떤 형상으로 성장되고 있는지 확인할 수 있는 방법은 없는 실정이다.

도 1은 성장 중인 잉곳의 여러가지 계면 형상을 나타낸 것이다.

도 1을 참조하면, 잉곳의 계면(Interface)은 a, b와 같이 성장 방향을 기준으로 오목하거나, b와 같이 편평하거나, c와 같이 볼록한 형상으로 성장될 수 있다. 종래에는 이러한 잉곳의 계면을 잉곳의 성장 공정 중에 확인할 수 없었으며, 잉곳의 성장이 완료된 후에 잉곳의 품질 결과를 확인하여 잉곳의 계면이 볼록했었는지 오목했었는지를 확인할 수 있었다.

실제 단결정 성장 중 잉곳 계면의 형상은 잉곳의 최종 품질에 큰 영향을 미치고 있으며, 성장 중 계면의 변화를 실시간으로 파악할 수 있다면 RRG 또는 ORG 등의 품질을 개선할 수 있고 잉곳으로 빠져나가는 열 균형을 제어하여 단결정 성장률 또한 높일 수 있다. 따라서, 단결정 성장에 있어서, 잉곳의 성장 중에 계면의 변화를 파악하는 방법이 필요하다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 잉곳의 성장 공정 중에 잉곳의 계면 형상을 예측하여 목표로 하는 잉곳의 계면 형상으로 단결정 잉곳을 제조할 수 있는 단결정 성장 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 성장 중인 잉곳의 실제 무게와 직경 측정을 통한 이론값을 비교하는 시스템을 구비함으로써, 잉곳의 현재 계면 형상을 예측하여 이를 제어함으로써 제조된 실리콘 잉곳의 RRG(Radial Resistivity Gradient) 또는 ORG(Oxygen Radial Gradient)값을 제어할 수 있는 단결정 성장 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 실시예는 초크랄스키법에 의해 단결정 잉곳을 성장시키면서 성장 계면의 형상을 제어하는 방법으로서, 잉곳의 계면이 목표로 하는 형상이 되도록 단결정 성장 공정의 제어 조건을 설정한 후 단결정 잉곳의 성장을 시작하는 단계; 상기 단결정 잉곳 상부에 배치된 로드셀로, 일정 시간 동안 성장한 잉곳의 중량을 측정하여 측정값을 도출하는 단계; 일정 시간 동안 공정 챔버의 외부에 배치된 직경측정 카메라에 의해 측정된 단결정 잉곳의 직경과, 일정 시간 동안 성장된 단결정 잉곳의 높이를 통해 상기 단결정 잉곳 중량의 이론값을 도출하는 단계; 상기 측정값과 이론값의 차이를 도출하여, 성장 중인 단결정 잉곳의 성장 계면 형상을 예측하는 단계; 및 예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, 성장 중인 잉곳의 계면 형상을 단결정 잉곳의 성장 공정 중에 실시간으로 예측할 수 있어, 공정 조건을 제어하여 목표로 하는 계면 형상으로 실리콘 잉곳을 성장시킬 수 있다. 따라서, 실시예의 단결정 성장 방법은 성장된 잉곳의 RRG 또는 ORG 품질을 개선할 수 있고, 이에 따라 고객의 요구에 부합하는 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있다.

도 1은 종래의 성장된 잉곳의 계면 형상의 여러가지 예시를 나타낸 단면도
도 2는 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타낸 단면도
도 3은 실시예에 따른 잉곳의 실제 무게를 도출하는 방법을 나타낸 도면
도 4는 실시예에 따라 성장중인 잉곳 중량의 측정값과 이론값을 도출하는 방법을 나타낸 도면
도 5는 실시예에 따라 성장중인 잉곳의 계면 형상을 예측하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 6은 실시예에 따라 성장중인 잉곳의 계면 형상에 따른 단결정 성장의 제어방법을 나타낸 것이다.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.

본 발명은 잉곳의 성장 공정 중에 잉곳의 계면 형상을 예측하여 목표로 하는 잉곳의 계면 형상으로 단결정 잉곳을 제조할 수 있는 단결정 성장 방법을 제공하는 것이며, 이를 위한 단결정 성장 장치의 일실시예에 대해 개시한다.

도 2는 실시예에 따른 단결정 성장 장치를 나타낸 단면도이다.

도 2를 참조하면, 실시예의 단결정 성장 장치(10)는 와이어(1)의 하단에 시드척(2)이 마련되고, 상기 시드척(2)에는 종결정(3)이 결합되어 상기 종결정(3)이 실리콘 융액(6) 내로 디핑된다. 디핑된 종결정을 인상함에 따라 실리콘 잉곳(4)이 형성되며, 상기 실리콘 잉곳(4)의 중량을 측정할 수 있는 로드셀(Loadcell, 11)이 와이어(1) 상단에 구비된다. 그리고 공정 챔버 외부에는 석영 유리를 통해 실리콘 융액(6)과 실리콘 잉곳(4)의 계면을 촬영하여 실리콘 잉곳의 직경을 검출하는 카메라(9)가 마련된다. 그리고, 실리콘 융액(6)에 열을 인가하는 히터(7)가 배치되고, 히터(7) 외측에 단열부재(8)가 마련되어 공정 챔버를 보호하면서, 실리콘 융액에 일정한 열이 가해지도록 한다.

본 발명에서 상기 로드셀(11)은 실시간으로 성장 중인 잉곳의 중량을 측정하기 위한 구성이며, 잉곳 중량의 실측값을 도출하기 위해 구비된다.

그리고, 카메라(9)는 실시간으로 성장 중인 잉곳의 직경을 측정하기 위한 구성이며, 상기 카메라(9)에서 측정된 잉곳의 직경과 단위 시간당 잉곳의 높이 변화량을 통해 단위 시간당 잉곳의 무게 증가량을 도출할 수 있다. 상기 단위 시간당 무게 증가량은 수학적으로 계산된 이론값에 해당한다.

본 발명의 실시예는 상기 잉곳 중량의 실측값과 이론값을 비교함으로써, 현재 잉곳의 계면 형상을 예측할 수 있다. 잉곳의 계면 형상이 목표한 형상과 다를 경우 단결정 결정 성장 속도에 영향을 미치는 파라미터들을 조절하여, 성장 계면을 목표로 하는 위치가 되도록 조절할 수 있다. 본 발명은 실시간으로 잉곳의 계면 형상을 예측할 수 있는 단결정 성장 방법으로서, 잉곳의 성장이 완료되지 않은 시점에서 계면을 제어하여 성장된 잉곳이 원하는 품질을 갖도록 한다.

도 3은 실시예에 따른 단결정 성장 방법을 나타낸 흐름도이다. 도 3을 참조하여 본 발명의 잉곳 계면 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 방법에 대해 구체적으로 알아본다.

우선, 도 2에 개시된 단결정 성장 장치(10) 내부의 공정 조건을 설정하여 단결정 성장 공정을 시작한다(S10). 석영 도가니 내부에 디핑된 종결정을 와이어를 통해 인상시킴에 따라, 소정의 직경을 갖는 단결정 잉곳이 성장된다(S20).

이어서, 단결정 잉곳이 성장되고 있는 도중 로드셀을 통해 단위 시간 동안의 단결정 잉곳의 중량을 측정하여 이를 측정값으로 설정한다(S30).

그리고, 챔버 외부에 배치된 직경측정 카메라로부터 측정된 상기 단위 시간동안의 잉곳의 직경값과, 상기 단위 시간 동안의 잉곳의 높이 변화값으로 단위 시간동안 변화된 잉곳 중량의 이론값을 도출한다(S40).

상기 측정값과 이론값을 구하는 방법에 대해 도 4를 참조하여 설명한다.

도 4는 실시예에 따라 성장중인 잉곳 중량의 측정값과 이론값을 도출하는 방법을 나타낸 도면으로서, 도시된 바와 같이 잉곳의 중량을 측정하고자 하는 시점에서의 잉곳의 바디부의 높이는 h1이며, 이 시점에서 잉곳의 중량은 로드셀의 의해 측정된 측정값인 w1을 나타낸다.

단위시간(t)이 지난후 잉곳의 무게를 다시 로드셀로 측정하여, 단위시간 후의 잉곳 중량의 측정값인 w2를 구한다. 단위시간(t)이 지난 후에 잉곳의 높이는 h1에서 h2로 성장하므로, h2에서 h1을 감산하여 단위시간동안 성장된 잉곳의 높이를 구한다.

즉, 단위시간(t)동안 성장된 잉곳의 중량의 측정값은 w2-w1이며, 단위시간동안 성장된 잉곳 중량의 이론값은 단위시간 동안 변화된 잉곳의 높이(h2-h1)와 직경측정 카메라에서 측정된 단위시간 동안의 잉곳의 직경(r)에 관한 수학식으로 산출할 수 있다. 여기서, 단위시간 동안 측정된 잉곳의 직경(r)은 단결정 제조 공정상 직경이 일정하도록 제어되므로 일정한 값을 가지게 되나, 다른 요인에 의해 단위 시간 동안 직경이 변화한 경우 단위시간 동안 직경의 평균값을 사용할 수 있다.

단위시간동안 변화된 잉곳 중량의 이론값은 다음의 수학식으로 산출될 수 있다.

여기서, ΔW는 단위시간동안 변화된 잉곳 중량의 이론값이며, r은 직경측정 카메라로부터 측정된 잉곳의 직경, h2-h1은 단위시간동안 변화된 잉곳의 높이, K는 잉곳의 밀도를 나타낸다.

이어서, 상기 수학식 1로부터 도출된 잉곳 중량의 이론값(ΔW)과 로드셀에 의해 측정된 실제 잉곳 무게의 변화량인 측정값(w2-w1)을 비교한다(S50).

상기 이론값과 측정값이 동일하게 나타난 경우에는 현재 상태의 공정 조건으로 단결정 잉곳의 성장 공정을 계속 수행한다(S60).

만약, 이론값이 측정값과 동일하지 않은 경우, 이론값이 측정값보다 크게 나타나는지에 대한 여부를 판별하여(S70), 단결정 잉곳 성장 공정의 제어값을 변경한다. 본 실시예에서는 단결정 성장 속도에 영향을 미치는 요소로서, 단결정 잉곳의 인상속도를 제어 팩터로 사용하였으며, 이론값이 측정값보다 크게 나타난 경우 인상속도를 소정의 값만큼 감소시키도록 설정하여(S80), 단결정 잉곳의 성장 속도를 감소시킬 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 본 발명에서 제시한 단결정 잉곳의 인상 속도의 제어 이외에도, 멜트 갭(Melt gap) 제어, 시드 로테이션 제어, 도가니의 회전 제어, 아르곤 가스 유량 제어 등을 통해서도 본 발명과 같이 실리콘 잉곳의 계면 형상을 제어할 수 있다.

한편, 이론값이 측정값보다 작게 나타나는 경우에는 인상속도를 소정의 값만큼 증가시키도록 설정하여(S90), 단결정 잉곳의 성장 속도를 증가시킬 수 있다.

도 5는 실시예에 따라 성장중인 잉곳의 계면 형상을 예측하는 방법을 나타낸 도면이다. 도 5는 구체적으로 S50 단계와 S70 단계에서 잉곳의 이론값과 측정값을 비교하여, 이에 따른 잉곳의 계면 형상을 판단하는 방법을 제시한다.

도 5에는 잉곳 계면의 형상이 상방향으로 오목하게 파여지거나, 편평하거나, 하방향으로 볼록하게 튀어나온 형상이 개시되어 있다. 이렇게 성장된 잉곳을 웨이퍼로 제작하면 웨이퍼의 중심부분과 에지부분의 비저항 차이에 해당하는 RRG 품질은 계면 형상에 따라서 다르게 나타난다.

(a)에 개시된 잉곳은 계면 형상이 상방향으로 오목하게 파여진 상태이며, (a)와 같이 계면이 형성된 잉곳은 오목하게 파여진 부분이 실제 측정값에 반영되어 잉곳 중량의 실제 측정값이 이론값보다 작게 나타난다. (b)에 개시된 잉곳은 계면 형상이 편평한 상태이며 (b)와 같은 계면이 형성된 잉곳은 잉곳 중량의 실제 측정값이 이론값과 동일하게 나타날 수 있다. 그리고, (c)에 개시된 잉곳은 계면 형상이 하방향으로 볼록하게 튀어나온 형상이며 (c)와 같은 계면이 형성된 잉곳은 볼록하게 튀어나온 부분이 실제 측정값에 반영되어, 잉곳 중량의 실제 측정값이 이론값보다 크게 나타날 수 있다.

도 6은 실시예에 따라 성장중인 잉곳의 계면 형상에 따른 단결정 성장의 제어방법의 예시를 나타낸 것이다.

도 6을 참조하면, (a)는 목표로 하는 잉곳의 성장 계면 형상이라 가정한다. 이 때, 실시예에 따른 단결정 잉곳의 중량의 측정값과 이론값이 차이를 비교하여, 예측된 단결정 잉곳의 성장 계면의 예시가 (b)와 (c)에 개시되어 있다.

(b)의 경우에는 목표로 하는 (a)의 계면 형상과 일치하므로, 현재의 공정 조건을 그대로 유지하면서 단결정 잉곳을 성장시킨다. 한편, (c)의 경우에는 예측된 계면이 편평한 형상을 나타내므로 이는 단결정 성장 속도가 목표로 하는 계면을 형성하기 위한 성장 속도보다 느리게 이루어지고 있음을 판단할 수 있다. 따라서, 사용자는 단결정 성장 속도를 빠르게 제어하기 위하여, 측정값과 이론값이 차이에 근거하여 단결정 잉곳의 인상 속도를 소정의 값만큼 증가시켜 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다.

실시예는 예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계 이후에, 다시 단위 시간 동안의 잉곳의 측정값과 이론값을 도출 및 비교하여, 인상 속도의 변경 여부를 결정하는 단계를 반복한다. 따라서, 실시간으로 잉곳의 계면 형상이 예측되며, 이에 따라 실시간으로 인상 속도 등의 공정 조건을 변경하여 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면으로 제어가 가능하다.

단결정 잉곳의 성장을 위해서는 목표로 하는 계면과 원하는 RRG값을 얻기 위해서, 이전에 수행되었던 공정의 결과에 따른 잉곳의 품질 결과를 바탕으로 단결정 성장의 제어값들을 설정한다. 본 발명은 상술한 바와 같이 설정된 제어값에 의해 성장 중인 잉곳에 대해서 실시간으로 잉곳의 계면 형상을 예측할 수 있다.

따라서, 단결정 잉곳의 성장 공정 중간에 목표로 하는 계면의 형상으로 단결정 잉곳이 성장되도록 공정 조건을 제어하여 목표로 하는 계면 형상으로 실리콘 잉곳을 성장시킬 수 있다. 따라서, 실시예의 단결정 성장 방법은 성장된 잉곳의 RRG 또는 ORG 품질을 개선할 수 있고, 이에 따라 고객의 요구에 부합하는 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있다.

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

1. 초크랄스키법에 의해 단결정 잉곳을 성장시키면서 성장 계면의 형상을 제어하는 방법으로서,
   잉곳의 계면이 목표로 하는 형상이 되도록 단결정 성장 공정의 제어 조건을 설정한 후 단결정 잉곳의 성장을 시작하는 단계;
   상기 단결정 잉곳 상부에 배치된 로드셀로, 단위시간 동안 증가된 잉곳의 실제 중량을 도출하여 이를 측정값으로 설정하는 단계;
   상기 단위시간 동안 공정 챔버 외부에 배치된 직경측정 카메라에 의해 측정된 단결정 잉곳의 직경과, 상기 단위시간 동안 증가된 단결정 잉곳의 높이 및 밀도를, 부피와 중량에 관계된 수학식에 대입하여 상기 단위시간동안 증가된 단결정 잉곳의 이론적인 중량을 이론값으로 설정하는 단계;
   상기 측정값과 이론값을 비교하여, 상기 측정값이 상기 이론값보다 큰 경우 성장 중인 단결정 잉곳의 성장 계면은 아래쪽으로 볼록한 형상으로 성장되고 있는 것으로 예측하는 단계; 및
   예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계를 포함하는 단결정 성장 방법.
2. 제 1항에 있어서,
   잉곳의 계면이 목표로 하는 형상이 되도록 단결정 성장 공정의 제어 조건을 설정한 후 단결정 잉곳의 성장을 시작하는 단계는, 바로 전에 수행되었던 단결정 잉곳 성장 공정의 제어 조건과 이에 따라 성장된 단결정 잉곳의 품질을 기초로 단결정 성장 공정의 제어 조건을 설정하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법.
3. 제 1항에 있어서,
   상기 단위시간 동안 증가된 단결정 잉곳의 높이 및 밀도를, 부피와 중량에 관계된 수학식에 대입하여 상기 단위시간동안 증가된 단결정 잉곳의 이론적인 중량을 이론값으로 설정하는 단계는,
   다음의 수학식 1에 의해 도출되는 단결정 성장 방법.
   [수학식 1]
   

   

   
   {r: 직경측정 카메라로부터 측정된 잉곳의 직경, h1-h2: 단위시간동안 변화된 잉곳의 높이, K: 잉곳의 밀도}
4. 제 1항에 있어서,
   상기 측정값과 이론값이 동일한 경우 목표로 한 잉곳의 계면 형상과 성장 중인 잉곳의 계면 형상이 동일한 것으로 예측하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법.
5. 제 4항에 있어서,
   상기 측정값보다 이론값이 큰 경우에는, 목표로 한 잉곳의 계면 형상보다 성장중인 잉곳의 계면 형상이 상방향으로 오목하게 형성되며,
   상기 측정값보다 이론값이 작은 경우에는, 목표로 한 잉곳의 계면 형상보다 성장중인 잉곳의 계면 형상이 하방향으로 볼록하게 형성된 것으로 예측하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법.
6. 제 1항에 있어서,
   예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계는,
   목표로 한 단결정 잉곳의 계면 형상과 예측된 단결정 잉곳의 계면 형상이 동일한 경우에는 단결정 잉곳의 인상 속도를 현재와 동일하게 유지하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법.
7. 제 1항에 있어서,
   예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계는,
   목표로 한 단결정 잉곳의 계면 형상에 비해서 예측된 단결정 잉곳의 계면 형상이 상방향으로 오목하게 파여있을 경우에는 단결정 잉곳의 인상 속도를 감소시켜 상기 단결정 잉곳의 성장 속도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법.
8. 제 1항에 있어서,
   예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계는,
   목표로 한 단결정 잉곳의 계면 형상에 비해서 예측된 단결정 잉곳의 계면 형상이 하방향으로 볼목하게 튀어나온 경우에는 단결정 잉곳의 인상 속도를 증가시켜 상기 단결정 잉곳의 성장 속도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법.
9. 제 1항에 있어서,
   예측된 단결정 잉곳의 계면 형상과 목표로 하는 단결정 잉곳의 계면의 형상을 비교하여, 단결정 잉곳 성장 중의 공정 조건을 변경하는 단계 이후에,
   다시 단위 시간 동안의 잉곳의 측정값과 이론값을 도출 및 비교하여, 인상 속도의 변경 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장 방법.

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