JP6553286B2 - 単結晶成長方法 - Google Patents

Description

本発明は、単結晶成長方法であって、より詳細には原材料に含まれた不純物を制御することなく目標とする比抵抗を有する単結晶を成長させることができる方法に関する。

一般に、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）によるシリコン単結晶を成長させる方法においては、石英るつぼの内部に原材料（多結晶シリコン）を積載してヒーターから放射される熱で多結晶シリコンを溶融させてシリコン融液に作った後、シリコン融液の表面からシリコン単結晶を成長させる。

半導体素子用基板として用いられるシリコンウェーハは適切な比抵抗値を有するために、シリコン単結晶成長工程でＰ−ｔｙｐｅまたはＮ−ｔｙｐｅのドーパントが添加される。また、Ｐ−ｔｙｐｅまたはＮ−ｔｙｐｅのドーパントはさらに融点がシリコン融点よりも高い高融点ドーパントと、シリコンの融点よりも低い低融点ドーパントとに区分され、ドーパントの種類によってシリコン融液にドーパントを添加する方式が変わる。

現在用いられている原材料（ポリシリコン、石英るつぼ）に含まれた不純物で具現可能なインゴットの比抵抗の最大値はＰ−ｔｙｐｅ基準で約５ＫΩcmであり、８ＫΩcm以上の比抵抗を確保するためには原材料に含まれたＤｏｎｏｒとＡｃｃｅｐｔｏｒのレベルを制御する必要がある。

従来においては、原材料に含まれた不純物を正確に把握できないので、ドーパントを投入することなく単結晶インゴットを成長させ、成長した初期のボディーの一部区間を試験片に加工して比抵抗の測定を行った。この場合には目標とする比抵抗値を有するように必要なドーパント量を計算して投入する手順が要求され、試験片の製作のための単結晶ボディーの成長時間、試験片の評価時間及びドーピング時間が追加されるので工程のロスタイムが発生し、単結晶成長の生産性も悪化する問題点がある。

本発明は、前述した問題点を解決するために創案されたものであって、目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させるために行われる工程を簡略化できる単結晶インゴットの成長方法を提供することにその目的がある。

本発明は、原材料自体に含まれた不純物を制御しなくても８ＫΩcm以上の比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させることができる方法を提供することにその目的がある。

実施例は、チョクラルスキー法により、シリコン溶融液において目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させる方法であって、原材料内に含まれたドーパント濃度による比抵抗値を導出し、これを信頼性あるデータとしてテーブル化するステップ；目標とする比抵抗値に対するドーパント濃度の基準値を設定するステップ；前記原材料自体に含まれたドーパント濃度に対する測定値を導出するステップ；前記基準値と測定値との間の差値を算出するステップ；前記差値だけ前記シリコン溶融液にカウンタードーピング（ｃｏｕｎｔｅｒ ｄｏｐｉｎｇ）を実施するステップを含むことができる。

そして、前記目標とする比抵抗は８〜１４ＫΩcmの範囲を有することを特徴とし、前記ドーパント濃度は、Ｐ−ｔｙｐｅドーパントの濃度からＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度を引いた値であることを特徴とする。

実施例による単結晶インゴットの成長方法によると、目標とする比抵抗を有するシリコン単結晶を成長させるとき、原材料に含まれた不純物濃度による比抵抗の関係を示すテーブルを予め得て、目標とする比抵抗値を有するようにする不純物濃度を設定しておくので、原材料自体に含まれた不純物濃度のみを測定することによって目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させることができる。

実施例による単結晶インゴットの成長方法によると、従来のように成長した単結晶インゴットのボディーの一部を試験片加工する過程及びドーピングを実施する過程を省略できるので、目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットの生産性を向上させることができる。

原材料の不純物レベルによる比抵抗値を示すグラフである。 シリコン溶融液内でドーパントの影響による比抵抗の変化を示すグラフである。 Ｎｏｒｍａｌ Ｐ−ｔｙｐｅの比抵抗帯域のプロファイルを示す図である。 単結晶インゴットのボディーの端部を基準として０．０３ｐｐｂａ差だけのＮ−ｔｙｐｅドーパント（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）を投入した後、単結晶インゴットの比抵抗を示すグラフである。 単結晶インゴットが徐々に成長するにつれてシリコン融液に含まれたＰ−ｔｙｐｅ及びＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度及び濃度差を示すグラフである。 本発明の実施例による単結晶インゴットの成長方法の流れ図である。

以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明の実施例によって制限されるか限定されるものではない。本発明を説明するにおいて、公知の機能あるいは構成に対する具体的な説明は、本発明の要旨を明瞭にさせるために省略され得る。

実施例は、目標とする比抵抗を有するシリコン単結晶を成長させるための方法を提案するものであり、特に８ＫΩcm以上１５ＫΩcm以下の比抵抗を有する単結晶を成長させるための方法を提案する。

実施例は、原材料に含まれた不純物濃度による比抵抗の関係を示すテーブルを実験を通じて検証して確保する。すなわち、目標とする比抵抗値を有するようにする不純物濃度を設定しておくので、原材料自体に含まれた不純物濃度のみを測定した後、追加のドーピングを実施して目標とする比抵抗を有する単結晶を成長させることができる。原材料は、石英るつぼまたは単結晶の材料になるポリシリコンであってもよい。

図１は、原材料の不純物レベルによる比抵抗値を示すグラフである。

図１を参照すると、横軸はＰ−ｔｙｐｅ不純物濃度を示し、縦軸はこれに伴って成長する単結晶インゴットの比抵抗（ＫΩcm）を示す。前記Ｐ−ｔｙｐｅ不純物濃度は、Ｐ−ｔｙｐｅを基準とするとき、ポリシリコン内に含有されたＢｏｒｏｎ（Ｐ−ｔｙｐｅ）の濃度からＰｈｏｓｐｈｏｒｕｓ（Ｎ−ｔｙｐｅ）の濃度を引いた値（Ｂ−Ｐ）である。

Ａ区間は結果値による理論値を示す区間であり、Ｂ区間はテストを通した検証によるデータの信頼性がある区間を示す。単結晶インゴットの比抵抗が１５ＫΩcmよりも小さいＢ区間におけるようにＰ−ｔｙｐｅの濃度を維持した場合には目標とする比抵抗値が得られた。実施例は、図１のＢ区間におけるデータをテーブル化し、目標とする比抵抗を得るためのＰ−ｔｙｐｅ不純物濃度に対する基準値として設定する。以下、不純物はドーパントと同じ意味で理解され得る。

しかし、単結晶インゴットの比抵抗が１５ＫΩcmよりも大きいＡ区間は、制御されなければならない濃度が非常に小さく、原材料の不純物の変化に敏感に反応して得られたデータの信頼性が低いため、目標とする比抵抗を得ることが困難である。したがって、本実施例は、単結晶インゴットの比抵抗を１５ＫΩcm以下に成長させる方法に対して提案する。

図２は、単結晶インゴットの長さによる濃度変化を示すグラフである。

図２を参照すると、単結晶インゴットが成長してドーパント（Ｂｏｒｏｎ）の量が少なくなるほど、原材料に含まれたＮ−ｔｙｐｅ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）成分によって比抵抗の逆転現象が発生することを確認することができる。これはＢｏｒｏｎとＰｈｏｓｐｈｏｒｕｓの偏析係数の差によって融液量が減少するほどＰｈｏｓｐｈｏｒｕｓの濃度が高まるためである。

したがって、単結晶インゴットの比抵抗を高めるためにはシリコン溶融液内に含まれたドーパントの量が少なくなければならないということが分かる。実施例においてＰ−ｔｙｐｅドーパントはボロン（Ｂｏｒｏｎ）であり、前記Ｎ−ｔｙｐｅドーパントはリン（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）が使用され得る。

図３は、インゴットの長さによるＮｏｒｍａｌ Ｐ−ｔｙｐｅの比抵抗帯域のプロファイルを示す図である。図３を参照すると、単結晶インゴットの比抵抗が６〜１２ＫΩcmを示す区間においては、インゴットの長さに応じて原材料自体の不純物による影響が少なく現れ、偏析係数（Ｂｏｒｏｎ ０．７、Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ０．３５）による理論値と実測値がほとんど一致するということが分かる。

これは、シリコン溶融液内に含有されたＰ−ｔｙｐｅドーパントがＮ−ｔｙｐｅドーパントよりも絶対的に多いため、比抵抗の変化が大きく起きないと解釈することができ、これによって、目標とする比抵抗を得るためのドーパント量の計算を容易にすることができるということが分かる。

実施例により目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させるための方法は次のとおりである。

先ず、単結晶成長に用いられている原材料（ポリシリコン、石英るつぼ）の不純物レベルを確認する。表１は原材料自体の測定濃度及びこれに伴う比抵抗を示すものであり、成長した単結晶インゴットのボディーの０ｍｍで測定した値である。

表１は、単結晶成長時に、別途のドーパントを投入せずに原材料であるポリシリコンのみを投入して単結晶インゴットを成長させた後に、Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ＦＴ−ＩＲで不純物濃度を測定したものである。測定濃度はＰ−ｔｙｐｅを基準とし、ポリシリコン内に含まれたＢｏｒｏｎ（Ｐ−ｔｙｐｅ）の濃度からＰｈｏｓｐｈｏｒｕｓ（Ｎ−ｔｙｐｅ）の濃度を引いた値である。

上述のようにＢｏｒｏｎ（Ｐ−ｔｙｐｅ）の濃度からＰｈｏｓｐｈｏｒｕｓ（Ｎ−ｔｙｐｅ）の濃度を引く理由は、単結晶インゴットの成長時に偏析現象はＰ型とＮ型ですべて示されるが、ドーパントの絶対量が優勢なＴｙｐｅが半導体としての役割において多くの比重を占めるためである。すなわち、３族のＰ−ｔｙｐｅと５族のＮ−ｔｙｐｅが対（ｐａｉｒ）を成した後に残ったドーパントが半導体の活性化に影響を与えるためである。

表２は、成長した単結晶インゴットのボディーの０ｍｍを基準として、単結晶インゴットのすべての部分で８ＫΩcm以上の比抵抗を満たすことができる濃度を推定したものである。これは、図１のＢ区間で得られたデータであり、目標とする比抵抗を得るためのＰ−ｔｙｐｅ不純物濃度に対する基準値である。

表２のように、成長した単結晶インゴットが８ＫΩcm以上の比抵抗を有するためには、測定濃度であるＢｏｒｏｎ（Ｐ−ｔｙｐｅ）の濃度からＰｈｏｓｐｈｏｒｕｓ（Ｎ−ｔｙｐｅ）の濃度を引いた値が０．０４８ｐｐｂａを有しなければならないということが分かる。すなわち、０．０３ｐｐｂａ差だけのＮ−ｔｙｐｅ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）ドーパントが追加的に投入されてドーピングされると、８ＫΩcm以上の比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させることができるということが分かる。

すなわち、実施例は、原材料に含まれた不純物濃度を測定し、比抵抗が８ＫΩcmであるときの濃度に対する予測値を計算する。そして、差値だけのＰｈｏｓｐｈｏｒｕｓ Ｃｏｕｎｔｅｒ Ｄｏｐｉｎｇを実施することによって、成長したインゴットのすべての部分で８ＫΩcm以上の比抵抗値を持たせることができる。すなわち、実施例は、原材料に含まれた不純物濃度を制御しなくても目標とする比抵抗の単結晶を成長させることができる。

図４は、単結晶インゴットのボディーの端部を基準として０．０３ｐｐｂａ差だけのＮ−ｔｙｐｅドーパント（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）を投入した後の単結晶インゴットの比抵抗を示すグラフである。

図４を参照すると、ドーピングを実施していない比較例においては、単結晶インゴットが固化する間に比抵抗が４〜５ＫΩcmの値を示したが、原材料の不純物レベルによって予測値だけのドーピングを実施した場合にはシリコンインゴットが固化するすべての区間で比抵抗が８ＫΩcmよりも大きく示された。

図５は、単結晶インゴットが徐々に成長するにつれてシリコン融液に含まれたＰ−ｔｙｐｅ及びＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度及び濃度差を示すグラフである。

図５を参照すると、単結晶インゴットの固化が進行するにつれＰ−ｔｙｐｅ及びＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度が徐々に増加する傾向を示すが、その差値はほぼ一定であることを確認することができる。したがって、予測値に該当するカウンタードーピングを実施すると、単結晶インゴットの全区間にかけて８ＫΩcmよりも大きい比抵抗を得ることができる。

図６は、本発明の実施例による単結晶インゴットの成長方法の流れを示す図である。実施例はＰ−ｔｙｐｅの単結晶インゴットの成長に対する方法であり、先ず現在使用中の原材料内に含まれたドーパント濃度による比抵抗値を導出し、これを信頼性あるデータとしてテーブル化する（Ｓ１０）。このとき、実施例はテストによる検証を経て信頼性の高い８〜１４ＫΩcmの比抵抗を有する区間を対象とした。

実施例においては、特に８ＫΩcm以上の比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させるために、８ＫΩcmに該当するＰ−ｔｙｐｅの濃度（Ｂｏｒｏｎの濃度−Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓの濃度）を基準値として設定する（Ｓ２０）。

そして、ドーパントを投入せずに現在の原材料（ポリシリコン）のみを投入して単結晶インゴットを成長させた後、単結晶インゴットのボディー０cmでの比抵抗及びＰ−ｔｙｐｅ不純物濃度の測定値を求める（Ｓ３０）。

続いで、前記基準値と測定値との差値を求め（Ｓ４０）、前記差値だけＮ−ｔｙｐｅのドーパントを投入するカウンタードーピングを実施する（Ｓ５０）。上述のようなカウンタードーピングを実施することによって、８ＫΩcm以上の比抵抗を有する単結晶インゴットを成長（Ｓ６０）させることができる。

しかし、実際の単結晶インゴットのボディー０cmでの比抵抗値は、ドーパントの偏析係数のため、前記差値より多いドーピング量が必要である。

表３を検討すると、単結晶インゴットのボディー０cmで必要なＤｏｎｏｒ（Ｎ−ｔｙｐｅ不純物）は、実際の投入量に対して０．２９４（２９．４％）のレベルであるということが分かる。

したがって、前述したような実験結果に基づいて、８ＫΩcm以上の比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させるときに、要求されるカウンタードーピング量は次のような数式によって計算され得る。

（Ａ：原材料の不純物測定値（Ｐ−ｔｙｐｅ不純物濃度−Ｎ−ｔｙｐｅ不純物濃度）、Ｂ：目標比抵抗を得るためのＰ−ｔｙｐｅ不純物濃度−Ｎ−ｔｙｐｅ不純物濃度の基準値、Ｃ：カウンタードーピング量でありＮ−ｔｙｐｅ不純物濃度、Ｋ：Ｎ−ｔｙｐｅ不純物の偏析による補正値（０．２９４））

他の実施例として、Ｎ−ｔｙｐｅの単結晶インゴットを成長させる方法を説明する。

先ず、目標とする比抵抗を確保するためのＮ−ｔｙｐｅドーパントの投入必要量を計算し、これを基準値として設定する。例えば、８ＫΩcm以上の比抵抗を確保するために必要なＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度を導出し、これは、図１のように予め実験されたターゲット比抵抗に対するドーパントの濃度の関係を示すテーブルを通じて得ることができる。

そして、原材料自体の不純物レベルによるＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度を計算して測定値に設定し、前記基準値と測定値との差値を導出してＮ−ｔｙｐｅドーパントの投入量を決定する。

例えば、８ＫΩcm以上の比抵抗を確保するために原材料の不純物濃度と基準値を比較して差値が導出されると、その差値だけのＮ−ｔｙｐｅドーパントを投入する。

ただし、原材料の不純物レベルがＰ−ｔｙｐｅが優勢なので、Ｎ−ｔｙｐｅの単結晶インゴットの成長時にはカウンタードーピングが必要でない。前述した過程を経て目標とする比抵抗を有するＮ−ｔｙｐｅのシリコン単結晶インゴットを製造することができる。

実施例による単結晶インゴットの成長方法によると、目標とする比抵抗を有するシリコン単結晶を成長させるとき、原材料に含まれた不純物濃度による比抵抗の関係を示すテーブルを予め得て、目標とする比抵抗値を有するようにする不純物濃度を設定しておくので、原材料自体に含まれた不純物濃度のみを測定することによって、目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させることができる。

以上、本発明に対してその望ましい実施例を中心に説明したがこれは単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野における通常の知識を有した者であれば本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上に例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるであろう。例えば、本発明の実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

（付記）
（付記１）
チョクラルスキー法により、シリコン溶融液において目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させる方法であって、
原材料内に含まれたドーパント濃度による比抵抗値を導出し、これを信頼性あるデータとしてテーブル化するステップと、
目標とする比抵抗値に対するドーパント濃度の基準値を設定するステップと、
前記原材料自体に含まれたドーパント濃度に対する測定値を導出するステップと、
前記基準値と前記測定値との間の差値を算出するステップと、
前記差値だけ前記シリコン溶融液にカウンタードーピング（ｃｏｕｎｔｅｒ ｄｏｐｉｎｇ）を実施するステップと、
を含む単結晶インゴットの成長方法。

（付記２）
前記目標とする比抵抗は８〜１４ＫΩcmの範囲を有する、付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記３）
前記単結晶インゴットはＰ−ｔｙｐｅであることを特徴とする、付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記４）
前記ドーパント濃度は、Ｐ−ｔｙｐｅドーパントの濃度からＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度を引いた値であることを特徴とする、付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記５）
前記Ｐ−ｔｙｐｅドーパントはボロン（Ｂｏｒｏｎ）であり、前記Ｎ−ｔｙｐｅドーパントはリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）である、付記４に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記６）
前記原材料自体に含まれたドーパント濃度に対する測定値を導出するステップは、
前記シリコン溶融液にドーパントを投入せずにポリシリコンのみを投入してインゴットを成長させてドーパントの濃度を測定する、
付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記７）
前記原材料はポリシリコン及び石英るつぼを含む、付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記８）
前記差値だけ前記シリコン溶融液にカウンタードーピング(ｃｏｕｎｔｅｒ ｄｏｐｉｎｇ)を実施するステップは、
前記シリコン溶融液に前記差値だけのＮ−ｔｙｐｅドーパントを投入することを特徴とする、
付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記９）
前記基準値は、単結晶インゴットのすべてのボディー区間で８〜１４ＫΩcmの範囲の比抵抗を確保できる理論値であることを特徴とする、付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。

（付記１０）
前記単結晶インゴットのボディー０cmで必要なＮ−ｔｙｐｅドーパントは、ドーパントの偏析係数のため、実際のカウンタードーピング量に対して２９．４%であり、前記カウンタードーピング量は下記の数式のように計算される、付記１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
（Ａ：原材料の不純物測定値（Ｐ−ｔｙｐｅ不純物濃度−Ｎ−ｔｙｐｅ不純物濃度）、Ｂ：目標比抵抗を得るためのＰ−ｔｙｐｅ不純物濃度−Ｎ−ｔｙｐｅ不純物濃度の基準値、Ｃ：カウンタードーピング量でありＮ−ｔｙｐｅ不純物濃度、Ｋ：Ｎ−ｔｙｐｅ不純物の偏析による補正値（０．２９４））

本発明は、単結晶の成長時に、原材料内部の不純物レベルを制御しなくても目標とする比抵抗を有する単結晶を成長させることができ、８ＫΩcm以上の比抵抗を有する単結晶を成長させることがあるので、産業上の利用可能性がある。

Claims (10)

1. チョクラルスキー法により、シリコン溶融液において目標とする比抵抗を有する単結晶インゴットを成長させる方法であって、
   原材料内に含まれたドーパント濃度による比抵抗値を導出し、これを信頼性あるデータとしてテーブル化するステップと、
   目標とする比抵抗値に対するドーパント濃度の基準値を設定するステップと、
   前記原材料自体に含まれたドーパント濃度に対する測定値を導出するステップと、
   前記基準値と前記測定値との間の差値を算出するステップと、
   前記差値だけ前記シリコン溶融液にカウンタードーピング（ｃｏｕｎｔｅｒ ｄｏｐｉｎｇ）を実施するステップと、
   を含む単結晶インゴットの成長方法。
2. 前記目標とする比抵抗は８〜１４ＫΩcmの範囲を有する、請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
3. 前記単結晶インゴットはＰ−ｔｙｐｅであることを特徴とする、請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
4. 前記ドーパント濃度は、Ｐ−ｔｙｐｅドーパントの濃度からＮ−ｔｙｐｅドーパントの濃度を引いた値であることを特徴とする、請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
5. 前記Ｐ−ｔｙｐｅドーパントはボロン（Ｂｏｒｏｎ）であり、前記Ｎ−ｔｙｐｅドーパントはリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）である、請求項４に記載の単結晶インゴットの成長方法。
6. 前記原材料自体に含まれたドーパント濃度に対する測定値を導出するステップは、
   前記シリコン溶融液にドーパントを投入せずにポリシリコンのみを投入してインゴットを成長させてドーパントの濃度を測定する、
   請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
7. 前記原材料はポリシリコン及び石英るつぼを含む、請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
8. 前記差値だけ前記シリコン溶融液にカウンタードーピング(ｃｏｕｎｔｅｒ ｄｏｐｉｎｇ)を実施するステップは、
   前記シリコン溶融液に前記差値だけのＮ−ｔｙｐｅドーパントを投入することを特徴とする、
   請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
9. 前記基準値は、単結晶インゴットのすべてのボディー区間で８〜１４ＫΩcmの範囲の比抵抗を確保できる理論値であることを特徴とする、請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
10. 前記単結晶インゴットのボディー０cmで必要なＮ−ｔｙｐｅドーパントは、ドーパントの偏析係数のため、実際のカウンタードーピング量に対して２９．４%であり、前記カウンタードーピング量は下記の数式のように計算される、請求項１に記載の単結晶インゴットの成長方法。
    （Ａ：原材料の不純物測定値（Ｐ−ｔｙｐｅ不純物濃度−Ｎ−ｔｙｐｅ不純物濃度）、Ｂ：目標比抵抗を得るためのＰ−ｔｙｐｅ不純物濃度−Ｎ−ｔｙｐｅ不純物濃度の基準値、Ｃ：カウンタードーピング量でありＮ−ｔｙｐｅ不純物濃度、Ｋ：Ｎ−ｔｙｐｅ不純物の偏析による補正値（０．２９４））