JP7342847B2

JP7342847B2 - シリコン単結晶の製造方法

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Publication number: JP7342847B2
Application number: JP2020197196A
Authority: JP
Inventors: 祐一宮原; 徹寛陣祐; 聡添田
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2020-11-27
Filing date: 2020-11-27
Publication date: 2023-09-12
Anticipated expiration: 2040-11-27
Also published as: JP2022085482A

Description

本発明は、シリコン単結晶の製造方法に関する。

例えば、無欠陥領域シリコン単結晶の製造では、引き上げ中のシリコン単結晶内温度勾配Ｇとシリコン単結晶（以下、単結晶とも言う）の成長速度Ｖの比Ｖ／Ｇが、Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ欠陥が発生しない範囲となるよう制御する。Ｇは単結晶引き上げ装置のホットゾーン（以下、ＨＺとも言う）の構成により決まる為、単結晶の成長速度Ｖを高精度に制御する必要がある。
このような無欠陥領域シリコン単結晶の成長速度Ｖの制御には、１／１０００ｍｍ／ｍｉｎ単位の高精度な制御が要求される。ここで、単結晶の成長速度は、引き上げ軸の引き上げ速度（実引き上げ速度）と、単結晶の引き上げに伴う石英ルツボ中のシリコン融液の融液面降下速度（融液面位置変化速度）の和である。

一般的なチョクラルスキー法（ＣＺ法）または磁場印加チョクラルスキー法（ＭＣＺ法）では、設定した内径の石英ルツボを用いて、設定した直径で単結晶を成長させた場合の融液面降下速度（設定融液面降下速度）を算出し、その設定融液面降下速度での融液面の降下を補償するようにルツボを上昇させることで、融液面の位置を一定の高さに保つ方法が行われているので、単結晶の成長速度は実引き上げ速度と同じであるとみなしていた。

例えば、特許文献１では、種ホルダの位置の変化量を測定することで、ワイヤの伸びまたは縮みによる影響を除いた単結晶の実引き上げ速度を算出することができ、その実引き上げ速度と目標引き上げ速度との誤差を補正することで、実引き上げ速度を目標引き上げ速度に一致させることができる。

特開２００８－１９５５７７号公報

しかし、実際の単結晶引き上げでは、引き上げ中の単結晶は成長方向に直径のばらつきが生じる。また、単結晶引き上げに使用する実際の石英ルツボは高さ方向の内径が均一ではなく、使用する石英ルツボ毎に内径の個体差もあるため、実際の単結晶引き上げ中の実融液面降下速度と、目標引き上げ速度と目標の単結晶直径（設定した直径）から算出した設定融液面降下速度との間には乖離が生じる。そして、その設定融液面降下速度と実融液面降下速度との間の乖離の大きさは１／１０００ｍｍ／ｍｉｎ以上になることもあり、また単結晶の成長方向で一定ではない。

そのため、特許文献１のように実引き上げ速度を正確に制御したとしても、実際の単結晶引き上げにおいて石英ルツボに変形が生じた場合等には、前述したような設定融液面降下速度と実融液面降下速度とが一致しなくなる。従って、設定融液面降下速度での融液面の降下を補償するようにルツボを上昇させても、単結晶の実成長速度と目標成長速度に誤差が生じてしまう。その結果、引き上げた単結晶中に、例えば所望の欠陥領域（無欠陥領域等）が得られない部分が発生し、歩留りが低下するという問題があった。

本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、シリコン単結晶の引き上げにおいて、所望のシリコン単結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明では、引き上げ軸にワイヤを使用した引き上げ装置を用い、チョクラルスキー法または磁場印加チョクラルスキー法により、チャンバー内に配置したルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ中の重量及び直径を逐次測定し、
該測定した引き上げ中のシリコン単結晶の重量及び直径から得た任意の単位時間当たりの前記引き上げ中のシリコン単結晶の重量変化量及び平均直径と、シリコンの密度から、前記引き上げ中のシリコン単結晶の実成長速度を逐次算出し、
該算出した実成長速度と前記シリコン単結晶の目標成長速度との差を逐次算出し、
該算出した実成長速度と目標成長速度との差で、前記シリコン単結晶を前記ワイヤで引き上げる引き上げ速度を補正しながら引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法を提供する。

このような製造方法であれば、ワイヤの伸び縮みによる影響や、引き上げ中の単結晶の直径ばらつきや石英ルツボの内径ばらつきによる実融液面降下速度の変化の影響によらず、シリコン単結晶の実成長速度を目標成長速度と逐次一致させながら引き上げを行うことができる。すなわち、引き上げ速度を補正しながら引き上げたときの、補正後の実成長速度が目標成長速度になるようにすることができる。その結果、所望のシリコン単結晶を得ることができる。特には、無欠陥領域シリコン単結晶を得る際に、引き上げたシリコン単結晶中に無欠陥領域が得られない部分が発生することを防止することができ、シリコン単結晶の歩留りを向上することができる。

また、前記引き上げ中のシリコン単結晶の重量を、前記ワイヤを巻き取るワイヤ巻き取り装置に設置されたロードセル重量測定器を用いて測定し、かつ、
前記引き上げ中のシリコン単結晶の直径を、１つ以上の直径測定用カメラを用いて測定することができる。

ロードセル重量測定器を用いれば、引き上げ中のシリコン単結晶の重量を炉外から逐次測定することができる。また、１つ以上の直径測定用カメラを用いれば、引き上げ中のシリコン単結晶の直径を炉外から逐次測定することができる。

また、前記引き上げ中のシリコン単結晶の実成長速度を、演算器を用いて算出することができる。

このようにすれば、引き上げ中のシリコン単結晶の実成長速度をより簡便に算出することができる。

また、前記引き上げるシリコン単結晶を無欠陥領域シリコン単結晶とすることができる。

本発明は、無欠陥領域シリコン単結晶のような、製造可能な引き上げ速度のマージンが狭いシリコン単結晶を製造する場合に特に有効である。

以上のように、本発明のシリコン単結晶の製造方法であれば、引き上げ軸のワイヤの伸びまたは縮みによる実引き上げ速度の変化に加え、引き上げ中の単結晶の直径ばらつきや石英ルツボの内径ばらつきによりシリコン融液の実融液面降下速度が変化したとしても、単結晶の実成長速度と目標成長速度を逐次一致させることができる。その結果、所望のシリコン単結晶を引き上げることができる。特には、無欠陥領域シリコン単結晶を製造するとき、引き上げたシリコン単結晶に無欠陥領域が得られない部分が発生することを防止することができ、シリコン単結晶の歩留りを向上することができる。

本発明のシリコン単結晶の製造方法の一例を示すフロー図である。本発明で使用可能なＣＺ法による引き上げ装置の一例を示す模式図である。実施例における実成長速度Ｖｒと目標成長速度Ｖｓとの差ΔＶを示すグラフである。実施例における引き上げ速度ＶをΔＶで補正しつつ引き上げたことによる、補正後の実成長速度Ｖｒ’及び目標成長速度Ｖｓを示すグラフである。実施例において得られたシリコン単結晶を示す模式図である。比較例における実成長速度Ｖｒ及び目標成長速度Ｖｓを示すグラフである。比較例において得られたシリコン単結晶を示す模式図である。

以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

図２は、本発明のシリコン単結晶の製造方法で使用可能なＣＺ法による引き上げ装置の一例である。構成部品とその仕組み、役割について説明する。
図２の引き上げ装置１は、中空円筒状のチャンバー２で外観を構成し、そのチャンバー２は下部円筒をなすメインチャンバー（炉）２ａと、メインチャンバー２ａに連接固定された上部円筒をなすプルチャンバー２ｂとから構成される。
メインチャンバー２ａ内には、原料（ここではシリコン原料）を溶融しシリコン単結晶３を育成するホットゾーンを有しており、その中心部には、昇降および回転が可能な支持軸４の上に原料を充填する石英ルツボ５ａと、その外側を保持する黒鉛ルツボ５ｂの二重構造からなるルツボ５が配設され、ルツボ５の外側にはヒーター６が同心円状に配設されている。そして、ヒーター６の外側には保温筒７が同心円状に配設され、またその下方で装置底部には保温板８が配設されている。

さらに、ホットゾーンの上部には、昇降および回転可能な引き上げ軸としてワイヤ９が設置されており、そのワイヤ９の先端にはシリコン単結晶３を引き上げる為の種結晶１０が保持された種ホルダ１１が取り付けられている。また、ワイヤ９にはプルチャンバー２ｂと連通する回転可能なワイヤ巻き取り装置１２が配設されている。
また、円筒形状のパージチューブ１３が引き上げ中のシリコン単結晶３を囲繞するようにシリコン融液１４の表面の上方に配設されている。またパージチューブ１３は、メインチャンバー２ａの天井部からシリコン融液面に向かって延伸するように設けられている。さらに、パージチューブ１３のシリコン融液面側にはリング状のカラー１５が設けられている。

なお、必要に応じてさらに磁場印加装置（電磁石等）を炉外に配設し、シリコン融液１４に磁場を印加しつつシリコン単結晶３を育成するＭＣＺ法による引き上げ装置とすることもできる。

さらに、シリコン単結晶３の引き上げ中の重量を測定するための重量測定手段として、ワイヤ巻き取り装置１２に設置されたロードセル重量測定器１６を備えることができる。このような重量測定手段であれば、引き上げ中のシリコン単結晶３の重量を炉外から逐次測定することができる。ロードセル重量測定器１６は特に限定されないが、例えば、測定精度が１０ｇ以下のものとすることができる。

また、シリコン単結晶３の引き上げ中の直径を測定するための直径測定手段として、１つ以上の直径測定用カメラ１７を備えることができる。このような直径測定手段であれば、引き上げ中のシリコン単結晶３の直径を炉外から逐次測定することができる。直径測定用カメラ１７は特に限定されないが、例えば、測定精度が０．１ｍｍ以下のものとすることができる。
なお、直径測定用カメラ１７は、特開２０１３－１７００９７等にも開示されているように、例えば、引き上げ中のシリコン単結晶３の直径の両端に向かって、各々平行に予め間隔を決めて設置した２台のＣＣＤカメラとすることができる。このようなものであれば、各々のカメラが直径の片側ずつの位置を検出する為、融液面位置が変化しても直径の測定値への影響を受けず、より正確に直径を測定可能である。

また、引き上げ中のシリコン単結晶３の実成長速度を算出するための手段として、演算器１８を備えることができる。演算器１８であれば、後述する引き上げ中のシリコン単結晶３の実成長速度を逐次算出する工程において、より簡便に実成長速度を算出することができる。
なお、引き上げるシリコン単結晶としては特に限定されないが、ここでは、径方向全面が無欠陥領域である無欠陥領域シリコン単結晶とすることができる。

以下、図２の引き上げ装置１を用いた、本発明のシリコン単結晶の製造方法の工程について説明する。
所望のシリコン単結晶を得るため、目標成長速度を定め、例えば該目標成長速度通りに目標引き上げ速度を設定し、その通りの引き上げ速度で単結晶を引き上げても、前述したような影響（ワイヤの伸び縮みによる影響や、実融液面降下速度の変化の影響など）により、実成長速度が目標成長速度と不一致になる場合がある。そこで、実成長速度と目標成長速度との差で引き上げ速度を補正しつつ引き上げることで、実成長速度を目標成長速度に一致させるよう修正することができる。それにより、所望のシリコン単結晶を得ることができる。この具体的な工程について詳述する。
図１は本発明のシリコン単結晶の製造方法の一例を示すフロー図である。
なお、本発明のシリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法またはＭＣＺ法のいずれにも適用可能である。

まず、図２に示すような引き上げ装置１を用意し、シリコン単結晶３の引き上げを開始する（図１の工程１）。なお、ここでは引き上げ中のシリコン単結晶３の重量測定にロードセル重量測定器１６を、直径測定に直径測定用カメラ１７を、実成長速度算出に演算器１８を用いる場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されない。
まず、チャンバー２内に配置したルツボ５内のシリコン融液１４に種結晶１０を接触させ、ワイヤ巻き取り装置１２によりワイヤ９を巻き取りシリコン単結晶３を引き上げる。

次に、図１の工程２のように、引き上げ中のシリコン単結晶３の重量及び直径を逐次測定する。重量はロードセル重量測定器１６により、直径は直径測定用カメラ１７により、それぞれ逐次測定することができる。

次に、図１の工程３のように、工程２で測定した重量及び直径から得た任意の単位時間当たりの重量変化量及び平均直径と、シリコンの密度から、引き上げ中のシリコン単結晶３の実成長速度を演算器１８により逐次算出する。
シリコン単結晶３の実成長速度Ｖｒ、単結晶の引き上げ中に測定した単位時間Ｔ当たりの重量変化量（増加量）ΔＷ、平均直径Ｄ_Ａと、シリコンの密度ρは、以下の関係式が成り立つ。
Ｖｒ×Ｔ×π×（Ｄ_Ａ／２）^２×ρ＝ΔＷ
これを実成長速度Ｖｒについて解くと以下の式となる。
Ｖｒ＝ΔＷ／｛π×（Ｄ_Ａ／２）^２×ρ×Ｔ｝（１）

ここで、単位時間Ｔ当たりのシリコン単結晶３の重量変化量ΔＷおよび平均直径Ｄ_Ａとして使用する値は、測定の瞬時値におけるばらつきを平滑化する為、任意に設定した測定間隔ｘで測定した重量変化量ΔＷｘと直径Ｄｘを単位時間Ｔ当たりで平均した値とすることができる（以下の式（２）（３）参照）。より詳しく述べると、重量変化量ΔＷは、測定間隔ｘごとの測定値から測定間隔ｘ当たりの重量変化量ΔＷｘを算出し、単位時間Ｔ当たりでいくらになるか、つまり、Ｔ／ｘ個分のΔＷｘを足し算して値を出す。また平均直径Ｄ_Ａは、測定間隔ｘごとの直径の測定値Ｄｘを足し算し、単位時間Ｔ当たりでの測定回数（Ｔ／ｘ回）で割って平均値を算出する。ここで測定間隔ｘおよび単位時間Ｔは特に限定されないが、例えば、測定間隔ｘは１秒以上６０秒以下、単位時間Ｔは１０分以上２０分以下とすることができる。
ΔＷ＝ΔＷ_１＋ΔＷ_２＋ΔＷ_３＋・・・・＋ΔＷ_Ｔ／ｘ（２）
Ｄ_Ａ＝（Ｄ_１＋Ｄ_２＋Ｄ_３＋・・・・＋Ｄ_Ｔ／ｘ）／（Ｔ／ｘ）（３）
例えば、ｘ＝１分、Ｔ＝１０分とし、０－１分、１－２分、２－３分、…８－９分、９－１０分の重量変化量をΔＷ_１、ΔＷ_２、ΔＷ_３、…ΔＷ_９、ΔＷ_１０とし、１分、２分、３分、…９分、１０分の直径をＤ_１、Ｄ_２、Ｄ_３、…Ｄ_９、Ｄ_１０とした場合、Ｔ＝１０分当たりの重量変化量ΔＷと平均直径Ｄ_Ａは、
ΔＷ＝ΔＷ_１＋ΔＷ_２＋ΔＷ_３＋…＋ΔＷ_９＋ΔＷ_１０
Ｄ_Ａ＝（Ｄ_１＋Ｄ_２＋Ｄ_３＋…＋Ｄ_９＋Ｄ_１０）／（１０／１）
により算出することができる。
なお、単位時間当たりのシリコン単結晶の重量変化量ΔＷおよび平均直径Ｄ_Ａを測定値から算出することができればよく、上記算出方法に限定されるものではない。

次に、図１の工程４のように、工程３で算出した実成長速度Ｖｒとシリコン単結晶の目標成長速度Ｖｓとの差ΔＶを逐次算出する。
ΔＶ＝Ｖｒ－Ｖｓ（４）
ここで、目標成長速度Ｖｓは、シリコン単結晶に無欠陥領域が得られる成長速度マージン内の任意の速度とすることができる。無欠陥領域が得られる成長速度マージンは、使用される引き上げ装置、ホットゾーン、引き上げ条件等に影響される為、使用する引き上げ装置、ホットゾーン、引き上げ条件で成長速度を何水準かに振ったシリコン単結晶の引き上げ実験を行い、予め無欠陥領域が得られる成長速度マージンを求めておくことが望ましい。

最後に、図１の工程５のように、単位時間Ｔの間隔毎に、工程４で算出した実成長速度と目標成長速度との差ΔＶで、シリコン単結晶をワイヤで引き上げる引き上げ速度Ｖを補正しながら引き上げる。
補正した引き上げ速度で引き上げた場合のシリコン単結晶の実成長速度Ｖｒ’は、以下の式で求めることができる。
Ｖｒ’＝Ｖｒ－ΔＶ（５）
このようにして、引き上げ速度ＶをΔＶで補正しながら引き上げることで、補正後の実成長速度Ｖｒ’を目標成長速度Ｖｓに逐次一致させることができる。その結果、所望のシリコン単結晶を得られ、歩留りを向上することができる。

なお、過剰な補正を防止する為、補正１回当りの補正量ΔＶには制限を設けることが望ましい。この時、補正量ΔＶの上下限は特に限定されないが、例えば、シリコン単結晶に無欠陥領域が得られる成長速度マージンの１／２以下とすることができる。これにより、測定異常等により算出された補正量ΔＶが過剰であっても、実際にその過剰な補正量ΔＶが引き上げ速度に適用されるのを防ぐことができ、より確実に無欠陥領域が得られるようにすることができる。

以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例）
図２に示す引き上げ装置１を用い、以下の条件により、シリコン単結晶が長手方向に無欠陥領域となる目標成長速度Ｖｓを目標引き上げ速度に設定し、本発明の製造方法によりシリコン単結晶の引き上げを行った（図１の工程１）。
結晶径：直径約３００ｍｍ
製法：中心磁場４０００ＧのＭＣＺ法（磁場印加装置を炉外に配設）
ＨＺ：ルツボ径３２インチ（約８１ｃｍ）

この時、引き上げ軸であるワイヤ９を巻き取るワイヤ巻き取り装置１２に設置されたロードセル重量測定器１６で、引き上げ中のシリコン単結晶３の重量を１分間隔（すなわち、ｘ＝１分）で逐次測定し、且つ同時にメインチャンバー２ａの外に設置された直径測定用カメラ１７で、引き上げ中のシリコン単結晶３の直径を１分間隔（すなわち、ｘ＝１分）で逐次測定した（図１の工程２）。

そして、測定した重量から式（２）により１０分間（すなわち、Ｔ＝１０分）の重量変化量ΔＷを算出し、測定した直径から式（３）により１０分間の平均直径Ｄ_Ａを算出した。引き上げ装置１に備えた演算器１８を用い、式（１）によりシリコン単結晶３の実成長速度Ｖｒを算出した（図１の工程３）。そして、この実成長速度Ｖｒと、シリコン単結晶の目標成長速度Ｖｓとの差ΔＶを式（４）により算出した（図１の工程４）。このようにＶｒとΔＶを逐次算出し、実成長速度Ｖｒが目標成長速度Ｖｓとなるように目標引き上げ速度をΔＶで補正しながら（すなわち、式（５）で求めた補正後の実成長速度Ｖｒ’がＶｓとなるように引き上げ速度ＶをΔＶで補正しながら）シリコン単結晶の引き上げを行った（図１の工程５）。

図３に実成長速度Ｖｒと目標成長速度Ｖｓとの差ΔＶ（ΔＶはＶｒ－Ｖｓ）の、単結晶長手方向の推移（すなわち、引き上げ中に逐次算出した結果）を示す。本実施例の結果では、シリコン単結晶の引き上げ初期で、目標成長速度Ｖｓに対して実成長速度Ｖｒの方が速くなっていることが分かる。なお、縦軸は引き上げ開始時の目標成長速度を１．００とした場合の速度を、横軸は引き上げ終了時を１とした場合の結晶位置をそれぞれ示す。

図４に、引き上げ速度Ｖを当初の目標引き上げ速度（＝目標成長速度Ｖｓ）からΔＶで補正しながらシリコン単結晶を引き上げたときの、補正後の実成長速度Ｖｒ’と目標成長速度Ｖｓを示す。本実施例により引き上げたシリコン単結晶の補正後の実成長速度Ｖｒ’は、シリコン単結晶が長手方向に無欠陥領域となる目標成長速度Ｖｓと等しくできたことが分かる。

このようにして得られた単結晶からサンプルを切り出し、無欠陥結晶になったかどうかを、選択エッチングにより確認した。選択エッチングはフッ酸、硝酸、酢酸、水からなる選択性のあるエッチング液にサンプルを浸し、取り代が両側で２５±３μｍになるまで揺動せず放置した。
その結果、図５に示すように、シリコン単結晶の無欠陥領域１９を狙った長手方向のほぼ全域で、無欠陥領域シリコン単結晶が得られた。

（比較例）
引き上げ速度ＶをΔＶで補正しなかったこと以外は、実施例と同じ条件でシリコン単結晶の引き上げを行った。

図６に、目標成長速度Ｖｓと、実施例と同様に算出した実成長速度Ｖｒの算出結果を示す。実施例と同様に、シリコン単結晶の引き上げ初期で、目標成長速度Ｖｓに対して実成長速度Ｖｒの方が速くなっていることが分かる。

このようにして得られた単結晶からサンプルを切り出し、実施例と同様の評価を行った。
その結果、図７に示すように、シリコン単結晶の無欠陥領域１９を狙った長手方向の部位の内、引き上げ初期の約３５％の部位で欠陥の発生（欠陥発生領域２０）が見られた。すなわち、実施例に比べて無欠陥領域シリコン単結晶の収率が低く、歩留まりが低かった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…引き上げ装置、２…チャンバー、２ａ…メインチャンバー、
２ｂ…プルチャンバー、３…シリコン単結晶、４…支持軸、５…ルツボ、
５ａ…石英ルツボ、５ｂ…黒鉛ルツボ、６…ヒーター、７…保温筒、
８…保温板、９…ワイヤ、１０…種結晶、１１…種ホルダ、
１２…ワイヤ巻き取り装置、１３…パージチューブ、１４…シリコン融液、
１５…カラー、１６…ロードセル重量測定器、１７…直径測定用カメラ、
１８…演算器、１９…無欠陥領域、２０…欠陥発生領域。

Claims

引き上げ軸にワイヤを使用した引き上げ装置を用い、チョクラルスキー法または磁場印加チョクラルスキー法により、チャンバー内に配置したルツボ内のシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ中の重量及び直径を逐次測定し、
該測定した引き上げ中のシリコン単結晶の重量及び直径から得た任意の単位時間当たりの前記引き上げ中のシリコン単結晶の重量変化量及び平均直径と、シリコンの密度から、前記引き上げ中のシリコン単結晶の実成長速度を逐次算出し、
該算出した実成長速度と前記シリコン単結晶の目標成長速度との差を逐次算出し、
該算出した実成長速度と目標成長速度との差で、前記シリコン単結晶を前記ワイヤで引き上げる引き上げ速度を補正しながら引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
前記引き上げ中のシリコン単結晶の重量を、前記ワイヤを巻き取るワイヤ巻き取り装置に設置されたロードセル重量測定器を用いて測定し、かつ、
前記引き上げ中のシリコン単結晶の直径を、１つ以上の直径測定用カメラを用いて測定することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶の製造方法。
前記引き上げ中のシリコン単結晶の実成長速度を、演算器を用いて算出することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶の製造方法。
前記引き上げるシリコン単結晶を無欠陥領域シリコン単結晶とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。