JP7077991B2 - Czシリコン単結晶製造方法 - Google Patents
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Description
直径32インチ(800mm)のルツボに360kgの原料を充填、溶融し原料融液を形成し、先端を尖った形状とした種結晶を原料融液に着液させ、種結晶先端を30mm沈め込み融解し、その後に50mm引上げて結晶径を安定化させた際の結晶径を計測した。基準径を11mmとして、基準径と計測した結晶径のズレ量(以下、単に「ズレ量」ということもある)の計算を行い、ズレ量に応じて、結晶径を計測した後のコーン工程開始から5分の間に、ズレ量1mm当たり1.4kWのヒーター出力の補正を行った。ズレ量が0以上の場合(計測した結晶径が基準径以上の場合)は、ヒーター出力を上げ、ズレ量が0未満の場合(計測した結晶径が基準径未満の場合)は、ヒーター出力を下げる補正を行った。本実施例では、コーン工程開始後5分間で、連続的にヒーター出力の補正を行った。このような制御を行いながら、直径300mmのシリコン単結晶製造を繰り返し多数回実施した。なお、補正を実施する範囲は、ズレ量-8mmから+9mmに設定した。
ヒーター出力の補正を、ズレ量が0mm以上の場合(計測した結晶径が基準径以上の場合)に、ヒーター出力の補正値を0としたこと以外は、実施例1と同様にしてヒーター出力補正を行い、直径300mmのシリコン単結晶製造を繰り返し多数回実施した。
ヒーター出力の補正を実施しなかったこと以外は実施例1と同様にして、直径300mmのシリコン単結晶製造を繰り返し多数回実施した。比較例においては、実施例1,2との対比のために、結晶径の計測とズレ量の計算は行った。
4…シリコン単結晶、 5…引上げ軸、 6…支持軸、 7…種結晶、
8a…保温筒、 8b…保温板、 9a…メインチャンバー、
9b…プルチャンバー、 10…ガス整流筒、 11…遮熱部材、
100…単結晶製造装置。
Claims (5)
- 先端を尖った形状とした種結晶の先端をシリコン融液に接触させた後に、融解させて種付けを行う種付け工程と、前記種結晶を所定長さ引き上げて結晶径を安定化させる結晶径安定化工程と、コーン部を形成するコーン工程と、直胴部を形成する直胴工程とを含むCZシリコン単結晶成長方法であって、
前記結晶径安定化工程で引き上げた結晶の結晶径を計測し、
予め定められた結晶の基準径に対する前記計測した前記結晶径のズレ量を計算し、
前記ズレ量に応じて前記コーン工程におけるヒーター出力の補正量を算出し、
前記コーン工程において、前記補正量を用いてヒーター出力値の補正を行ってコーンを形成し、
前記ヒーター出力の補正量を算出するときに、
前記ズレ量が0以上の場合は、前記補正量を0以上とし、
前記ズレ量が0未満の場合は、前記補正量を0未満とすることを特徴とするCZシリコン単結晶製造方法。 - 前記ヒーター出力の補正量を算出するときに、
前記補正量を、前記ズレ量1mm当たり0.5kW以上、5.0kW以下とすることを特徴とする請求項1に記載のCZシリコン単結晶製造方法。 - 前記ヒーター出力の補正量を算出するときに、
前記ズレ量が0以上の場合の、前記ズレ量1mm当たりの前記補正量の絶対値を、前記ズレ量が0未満の場合の、前記ズレ量1mm当たりの前記補正量の絶対値未満とすることを特徴とする請求項1又は2に記載のCZシリコン単結晶製造方法。 - 前記結晶径の計測を、前記結晶径安定化工程において引き上げる結晶の長さが10mm以上、100mm以下のときに行うことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のCZシリコン単結晶製造方法。
- 前記ヒーター出力値の補正を、コーン工程開始から60分までの間、又は、コーン工程開始から直胴工程開始の60分前までの間の、いずれか長い期間内に行うことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のCZシリコン単結晶製造方法。
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JP3927314B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2007-06-06 | 信越半導体株式会社 | シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法 |
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