KR101659098B1 - 할로겐화 폴리실란 및 그 열적 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 순수 화합물 또는 화합물의 혼합물로서의 할로겐화 폴리실란(이하에서 폴리실란이라 함) 및 이를 제조하기 위한 열적 방법에 관한 것이다. 폴리실란은 ²⁹Si NMR 스펙트럼에서 특징적인 이동(shifts)에 의해, 그리고 라만 스펙트럼의 밴드들의 전형적인 세기 비율에 의해 특징지워진다. 폴리실란(Si_nX_y)은 높은 비율의 분지쇄 및 환을 가진다. 상기 할로겐화 폴리실란을 제조하는 방법은 높은 쓰로우풋(throughput)(산업상 생산)을 가능하게 하고 특정 가용성 폴리실란의 생산을 가능하게 하는 방법으로 개선되었다.

Description

할로겐화 폴리실란 및 그 열적 제조방법{HALOGENATED POLYSILANE AND THERMAL PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}

본 발명은 치환체들이 할로겐만으로 구성되어 있거나 할로겐과 수소로 구성된, 각각이 적어도 하나의 직접적인 Si-Si 결합을 가지며 그 조성에 있어서, 치환체:실리콘의 원자비가 1:1을 초과하는 순 화합물 또는 화합물들로 이루어진 혼합물인 할로겐화 폴리실란에 관한 것이다.

상기와 같은 염소화 폴리실란류(Chlorinated polysilanes, PCS)는 예를 들면, DE 10 2005 024 041 A1; DE 10 2006 034 061 A1; WO 2008/031427 A2; WO 81/03168; US 2005/0142046 A1; M. Schmeisser, P. Voss "Ueber das Siliciumdichlorid [SiCl₂]_x" [2염화규소 [SiCl₂]_x에 관하여], Z. anorg. allg. Chem. (1964) 334, 50-56; US2007/0078252A1; DE 31 26 240 C2; GB 702,349; R. Schwarz and H. Meckbach "Ueber ein Siliciumchlorid der Formel Si₁₀Cl₂₂" [식 Si₁₀Cl₂₂의 염화규소에 관하여], Z. anorg. allg. Chem. (1937) 232, 241-248에 공지되어 있다. 한편, 이들은 예를 들면 M. Schmeisser, P. Voss "Ueber das Siliciumdichlorid [SiCl₂]_x"에 기술된 바와 같이 증기 상태의 할로실란류를 환원제(Si, H2)와 함께 상대적으로 고온(> 700℃)으로 가열하는 열적 반응에 의해서만 제조될 수 있다. 수득된 할로겐화 폴리실란류는 약간 녹색을 띄는 황색이고 유리질의 고 중합체이다. 또한, 상기 문헌의 혼합물은 제조로 인해 AlCl₃로 심하게 오염되어 있다.

SiCl₄를 탄화규소와 1050℃에서 반응시켜 수득된 조성물 Si₁₀Cl₂₂를 갖는 염화규소가 R. Schwarz and H. Meckbach "Ueber ein Siliciumchlorid der Formel Si₁₀Cl₂₂", Z. anorg. allg. Chem. (1937) 232, 241-248에 제시되어 있다. 상기 저자들은 이를 1060 g/mol의 몰 질량을 갖는 고도로 점성인 오일로 기술하고 있다.

1250의 몰 질량(Si₁₂Cl₂₄) 내지 1580의 몰 질량(Si₁₆Cl₃₂)을 가지며 무색 내지 황색이고 점성 내지 수지형상(resin-like) 사이클릭 물질인 생성물을 수득한 P. W. Schenk and Helmuth Bloching "Darstellung und Eigenshaften des Siliciumdichlorids (SiCl₂)_x [2염화규소(SiCl₂)_x의 제조 및 특성]", Z. anorg. allg. Chem. (1964) 334, 57-64에서 유사한 결과들을 기술하고 있다.

R. Schwarz and U. Gregor "Ueber ein Siliciumchlorid der Formel SiCl" [식 SiCl의 염화규소에 관하여], Z. anorg. allg. Chem. (1939) 24, 395-415에 SiCl 조성의 PCS가 보고되어 있다. 이는 완전 불용성이다.

Si₄C_l8의 개환 중합에 의해 형성되고 모든 종래 용매들에 불용성인 PCS(크림-백색 고체)가 J. R. Koe, D. R. Powell, J. J. Buffy, S. Hayase, R. West, Angew. Chem. 1998, 110, 1514-1515에 기술되어 있다.

Harald Schaefer und Julius Nickl "Ueber das Reaktions-gleichgewicht Si + SiCl₄ = 2SiCl₂ und die thermo-chemischen Eigenschaften des gasfoermigen Silicium(II)-chlorids" [Si + SiCl₄ = 2SiCl₂ 반응 평형 및 기체상태 염화규소(II)의 열역학적 특성에 관하여], Z. anorg. allg. Chem. (1953) 274, 250-264 및 R. Teichmann and E. Wolf "Experimentelle Untersuchung des Reaktions-gleichgewichtes SiCl₄(g) + Si(f) = 2SiCl₂(g) nach der Stroemungsmethode", [유동 방법에 따른 SiCl₄(g) + Si(f) = 2SiCl₂(g) 반응 평형의 실험적 연구], Z. anorg. allg. Chem. (1966) 347, 145-155에 SiCl₄와 Si와의 반응에 관한 열역학적 연구들이 수행되어 있다. PCS는 여기에서 분리되거나 기술되어 있지 않다.

유동층내의 최대 250℃에서 염소 기체를 규화칼슘과 반응시켜 저급 퍼클로로올리고실란류(perchlorooligosilanes)의 생성이 GB 702,349에 기술되어 있다. 여기에 형성된 혼합물들은 저온으로 인하여 분지되지 않으며, 사이클릭 PCS를 함유하지 않으며 11%의 Si₄Cl₁₀ 및 소량의 Si₅Cl₁₂와 Si₆Cl₁₄에 더하여 약 80%의 Si₂Cl₆ 및 Si₃Cl₈로 구성되어 있다. 이러한 화합물들로 구성된 혼합물들은 무색의 액체로서, 사이클릭류를 함유하지 않으며 상기 공정으로 인하여 CaCl₂에 의하여 오염되어 있다.

DE 31 26 240 C2는 촉매와의 반응에 의하여 Si₂Cl₆로 부터 PCS를 습식의 화학적으로 제조하는 제조를 기술하고 있다. 수득된 혼합물들은 여전히 촉매를 함유하고 있으며, 따라서 유기 용매들로 세척하고, 이에 의하여 미량의 반응물들, 용매들 및 촉매가 잔류한다. 또한, 이러한 PCS류는 사이클릭 화합물들을 함유하고 있지 않다.

다른 습식-화학적 공정들은 US2007/0078252A1에 제시되어 있다:

1. 할로겐화 아릴올리고실란(aryloligosilane)류는 나트륨으로 환원되고 이어서 HCl/AlCl₃ 방향족류를 사용하여 분해된다.

2. 아릴화된 H-실란류를 전이 금속-촉매화 탈수소 중합하고 이어서 HCl/AlCl₃로 탈아릴화(dearylation)한다.

3. (SiCl₂)₅를 TBAF(Bu₄NF)로 음이온 촉매 개환 중합(ROP)한다.

4. (SiAr₂)₅를 TBAF 또는 Ph₃SiK로 개환 중합하고 이어서 HCl/AlCl₃로 탈아릴화한다.

이 모든 방법들에 있어서, 용매/촉매로 오염된 PCS류는 효과적으로 정제될 수 있는 증류가능한 부분들로부터만 차례로 수득된다.

그러므로, 고순도의 생성 혼합물은 상기 반응들로부터 수득될 수 없다.

또한, 플라즈마-화학 공정을 통해 그러한 할로겐화 폴리실란류를 제조하는 것으로 알려져 있다. 예를 들면, DE 10 2005 024 041 A1은 할로실란류로부터 실리콘의 제조 공정으로서, 상기 할로실란은 제 1 단계에서 플라즈마 방전 발생과 반응하여 할로겐화 폴리실란을 생성하고, 이어서 제 2 단계에서 가열로 인해 분해되어 실리콘을 생성하는 공정에 관한 것이다. 이 공지된 공정은 플라즈마 발생에 대하여 높은 에너지 밀도(> 10 W㎝^-3)로 수행되어, 최종 생성물이 그다지 치밀하지 않은 밀랍 백색 내지 황갈색 또는 갈색 고체이다. 분광 조사에 따르면 수득된 최종 생성물은 상대적으로 높은 교차결합도를 갖는 것으로 나타났다. 사용된 고 에너지 밀도로 인해 높은 몰 질량의 생성물이 생성되며, 이로부터 불용성과 낮은 용융성이 나타난다. 또한, 이 PCS는 현저한 수소 함유율을 갖는다.

또한, PCS류가 미량 부산물로 수득되는 HSiCl₃의 고압 플라즈마 합성 공정이 WO 81/03168에 기술되어 있다. 이러한 PCS류는 수소화 조건하에서 수득되기 때문에(HSiCl₃ 합성), 상당한 수소 함유율을 갖는다.

상압(normal pressure)의 SiCl₄에서 무음 전기 방전(silent electric discharge)에 의한 PCS 제조는 US 2005/0142046 A1에 기술되어 있다. 이 공정에 있어서, 이의 저자가 몇몇 반응기들을 차례로 연결하여 SiH₄를 선택적으로 반응시켜 Si₂H₆ 및 Si₃H₈를 생성하는 것을 예시적으로 보여주는 바와 같이, 단쇄 올리고실란류만 생성한다.

상기와 같은 거동은 기체 및 액체 PCS류가 주된 구성물로서 Si₂Cl₆와 함께 수득되는 유사한 반응이 기술되어 있는 DE 10 2006 034 061 A1에서와 유사하다(p. 3, [0016]). 비록 상기 저자들이 상기 PCS류의 몰 질량이 서로 연결된 몇몇 반응기들을 사용하여 증가될 수 있다고 기술하고 있지만, 기체상과 접촉될 수 있는 물질만이 분해되지 않고 여기에 수득될 수 있다. 또한, 상기 저자들은 이 상황을 청구의 범위에 표현하였는데, 여기서 이들은 수득되는 모든 PCS 혼합물들에 대한 증류를 제공하고 있다. 또한, DE 10 2006 034 061 A1에 언급된 PCS류는 수소를 함유하고 있다.

또한, 염소화 폴리실란류 이외에, 할로겐화 폴리실란류 Si_xH_y(X = F, Br, I)도 선행 기술에 공지되어 있다.

F. Hoefleer, R. Jannach, Monatshefte fuer Chemie 107 (1976) 731-735에 따르면, Si₃F₈는 Si₃(OMe)₈를 폐쇄관 내에서 BF₃와 -50 내지 -60℃에서 (8 시간) 반응시켜 수율 55 내지 60%로 제조될 수 있다. 상기 메톡시이소테트라실란(methoxyisotetrasilane)은 이 조건하에서 더 짧은 퍼플루오로실란류(perfluorosilanes)로 완전히 분해된다.

E. Hengge, G. Olbrrich, Monatshefte fuer Chemie 101 (1970) 1068-1073은 2-차원적으로 구축된 중합체(SiF)_x의 제조를 기술하고 있다. 상기 2-차원적으로 구축된 중합체류 (SiCl)_x 및 (SiBr)_x는 CaSi₂를 ICl 또는 IBr과 반응시켜 이로부터 수득된다. 이후 할로겐 교환은 SbF₃로 완료된다. 그러나, 상기 Si 층 구조의 부분적인 분해는 여기서 발생한다. 이로 인하여 생성된 생성물은 CaSi로부터 화학양론적으로 특정된 양의 CaCl₂를 함유하는데, 이는 씻겨 없어지지 않는다.

폴리플루오로실란 (SiF₂)_x의 제조는 예를 들면, M. Schmeisser, Angewandte Chemie 66 (1954) 713-714에 기술되어 있다. SiBr₂F₂는 실온에서 마그네슘과 에테르에서 반응하여 황색의 고 중합체 (SiF₂)_x를 생성한다. Si₁₀Cl₂₂, (SiBr)x 및 Si₁₀Br₁₆과 같은 화합물들은 ZnF2와 트랜스할로겐화(transhalogenated)되어 해당 불화물을 생성할 수 있다.

R. L. Jenkins, A. J. Vanderwielen, S. P. Ruis, S. R. Gird, M. A. Ring, Inorganic Chemistry 12 (1973) 2968-2977에서는 Si₂F₆는 405℃에서 분해하여 SiF₄ 및 SiF₂를 생성한다고 보고하고 있다. 이 중간생성물을 응축하여 (SiF₂)_x가 수득될 수 있다.

(SiF₂)_x의 표준 제조방법은 예를 들면, P. L. Timms, R. A. Kent, T. C. Ehlert, J. L. Margrave, Journal of the American Chemical Society 87 (1965) 2824-2828에 예시되어 있다. 여기서, (SiF₂)_x는 SiF₄를 1150℃ 및 0.1 내지 0.2 torr의 실리콘 상에 통과시켜 이로 인해 생성되는 SiF₂를 -196℃에서 동결 중합시키고 이어서 해동시켜 생성된다. 무색 내지 엷은 황색의 플라스틱 중합체는 진공중의 200 내지 350℃로 가열하면 해동되고 SiF₄로부터 적어도 Si₁₄F₃₀의 퍼플루오르화된 실란류를 방출한다. 실리콘이 풍부한 중합체 (SiF)_x는 잔류하게 되며, 400 ± 10℃에서 격렬하게 분해되어 SiF₄ 및 Si를 생성하게 된다. 상기 저급 퍼플루오로폴리실란류는 분획 응축에 의해 단리될 수 있는 95%를 초과하는 순도를 갖는 무색의 액체 또는 결정질 고체이다. 미량의 2차 또는 3차 아민류는 상기 퍼플루오로실란류의 중합을 촉매한다. US 2,840,588은 SiF₂가 50 torr 미만 및 1100℃ 초과에서 SiF₄ 및 Si, SiC, 실리콘 합금류 또는 금속 규소화물류로부터 형성된다고 개시하고 있다. (SiF₂)_x의 단리를 위해, 상기 중간생성물은 0℃ 미만으로 급속히 냉각되어야 한다. G. P. Adams, K. G. Sharp, P. W. Wilson, J. L. Margrave, Journal of Chemical Thermodynamics 2 (1970) 439-443은 (SiF₂)_x가 1250℃에서 SiF₄ 및 Si로부터 제조된다고 기술하고 있다. US 4070444 A에 따르면, (SiF₂)_x는 퍼플루오로실란을 금속 실리콘과 반응시키고 이어서 SiF₂를 증착시켜 유사한 방식으로 제조된다.

상기 중합체의 열분해로 인하여 시작 물질보다 더 높은 순도의 원소 실리콘을 방출한다. US 4138509 A에 개시된 공정은 정제에 대해 유사하게 역할을 한다. SiF₂를 생성하기 위하여, 불순물로서 알루미늄을 함유하는 실리콘은 1100℃를 초과한 온도에서 SiO₂의 존재하에 SiF₄와 반응한다. 생성 기체를 2 단계로 응축시키면 제 1 분획에서 기체 상태 불순물들을 선택적으로 증착시키는 반면에, 제 2 분획은 대부분 순수한 (SiF₂)_x로 구성되어 있다. 상기 중합체를 100 내지 300℃에서 열적으로 분해시키면 기체 및 액체 퍼플루오르화 실란류를 생성하는데, 이후 400 내지 950℃에서 분해시키면 실리콘을 생성한다.

FI 82232 B는 더 고온에서 일어나는 반응을 개시하고 있다. SiF₄는 아르곤 플라즈마에서 Si와 반응하여 SiF₂를 생성한다(0.8:1 mol, 70% SiF₂ 함유율).

단쇄 퍼브롬화 폴리실란류는 A. Besson, L. Fournier, Comptes rendus 151 (1911) 1055-1057에 따라 형성된다. 기체 상태 HSiBr₃에서 전기 방전으로 인하여 SiBr₄, Si₂Br₆, Si₃Br₈ 및 Si₄Br₁₀을 생성한다.

K. Hassler, E. Hengge, D. Kovar, Journal of molecular structure 66 (1980) 25-30은 (SiPh₂)₄를 AlBr₃ 촉매하에서 HBr과 반응시켜 사이클로-Si₄Br₈를 제조한다. H. Stueger, P. Lassacher, E. Hengge, Zeitschrift fuer allgemeine und anorganische Chemie 621 (1995) 1517-1522에서는, Si₅Br₉H가 헵탄에서 Hg(tBu₂)와 함께 끓여 반응되어 해당 비스-시클로펜타-실란(bis-cyclopenta-silane) Si₁₀Br₁₈을 생성한다. 또한, 다양한 용매에서 Si₅Ph₉Br의 나프틸리튬(naphthyllithium) 또는 K 또는 Na/K와의 고리 결합은 HBr/AlBr₃과 이후 할로겐화하여 발생할 수 있다.

퍼브롬화 폴리실란류는 예를 들면, M. Schmeisser, M. Schwarzmann, Zeitschrift fuer Naturforschung 11b (1956) 278-282에 기술되어 있다. 마그네슘 터닝(Mg turnings)을 끓는 에테르에서 SiBr₄와의 반응에 있어서, 2 개의 상들이 형성되는데, 이중 저상은 마그네슘 브롬화물 에테르염(magnesium bromide etherate) 및 (SiBr)_x로 구성되어 있는 반면에, 고상은 에테르에 용해된 MgBr₂ 및 소량의 저급 실리콘 서브-브롬화물(silicon sub-bromides)를 함유한다. SiBr₄ 증기를 1200℃에서 진공으로 Si와 반응시키면 갈색의 부서지기 쉬운 (SiBr₂)_x를 생성한다. 상기 가수분해에 민감한 물질은 벤젠과 대부분의 비극성 용매들에 용이하게 용해될 수 있다. 진공에서, 상기 중합체는 Si₂Br₆를 제거하여 200℃부터 분해된다. 350℃에서 (SiBr)_x는 잔류하게 되며; 550 내지 600℃로 더 가열하면 원소 실리콘이 된다. 이는 양호한 용해도를 기초로 하여 (SiBr₂)_x가 제한된 크기의 Si 고리들로 구성되어 있는 것으로 추정된다. 약 3000으로 측정된 분자량은 신뢰할만하지 않은 것으로 보인다. (SiBr₂)_x는 에테르에서 Mg와 반응하여 (SiBr_{1 .46})_x를 생성한다. DE 955414 B는 고온 반응을 유사하게 개시하고 있다. SiBr₄ 또는 Br₂ 증기가 1000 내지 1200℃의 진공에서 실리콘 그릿(silicon grit)을 관통하면, 약간의 Si₂Br₆가 생성되는 것 이외에 주로 (SiBr₂)_x가 생성한다.

문헌[M. Schmeisser, Angewandte Chemie 66 (1954) 713-714]에 따르면, (SiBr)_x 이외에, 또한 Si₂Br₆, 나아가 올리고 실란(예를 들어, Si₁₀Br₁₆)도 1150℃에서 원소 Si상에서 SiBr₄ 의 작용에 의해 형성된다.

THF 또는 DME에서의 Bu₄NF의 작용에 의한 사이클로-Si₅Br₁₀ 및 사이클로-Si₅I₁₀의 개환 중합이 US 2007/0078252 A1에 청구되어 있다.

예를 들면, 문헌[E. Hengge, D. Kovar, Angewandte Chemie 93 (1981) 698-701] 또는 [K. Hassler, U. Katzenbeisser, Journal of organometallic chemistry 480 (1994) 173-175]는 단쇄 페리오디네이티드(periodinated) 폴리실란류의 생성에 관하여 보고하고 있다. AlI₃ 촉매하에서 페닐시클로실란류 (SiPh₂)_n (n = 4 내지 6) 또는 Si₃Ph₈을 HI와 반응시키면, 페리오디네이티드 시클로실란류 (SiI₂)n (n = 4 내지 6) 또는 Si₃I₈이 생성된다.

M. Schmeisser, K. Friederich, Angewandte Chemie 76 (1964) 782는 페리오디네이티드 폴리실란류의 제조에 대한 다양한 경로들을 기술하고 있다. SiI₄ 증기를 고진공의 800 내지 900℃에서 원소 실리콘 상에 통과시키면 (SiI₂)_x가 약 1%의 수율로 생성된다. 동일한 조건하에서 SiI₄를 열분해시키면 동일한 열분해-민감하고 벤젠-용해성 생성물을 생성한다. 고진공에서 SiI₄ 증기에 대해 글로우 방전을 일으키는 작용으로, 모든 종래 용매들에 불용성인 (SiI_{2 .2})_x 조성의 무정형 황-적색이 도는 실리콘 서브-요오드화물 고체가 60 내지 70%의 수율로 수득된다(SiI₄ 기준). 이 물질을 고진공의 220 내지 230℃에서 열분해시키면 짙은 적색의 (SiI₂)_x를 생성하고, 동시에 SiI₄ 및 Si₂I₆를 형성하게 된다. 이렇게 수득된 화합물 (SiI₂)_x의 화학적 특성은 벤젠에서의 용해도를 제외하고는 일치한다. 고진공의 350℃에서 (SiI₂)_x를 열분해하면 SiI₄, Si₂I₆ 및 오렌지-적색의 (SiI)_x 조성의 부서지기 쉬운 고체를 생성하게 된다. (SiI₂)_x는 -30℃에서 +25℃ 사이에서 염소 또는 브롬과 반응하여 (SiClI)_x 및 (SiBrI)_x와 같은 벤젠-용해성 혼합된 실리콘 서브-할로겐화물을 생성한다. 더 높은 온도에서는 Si-Si 사슬들이 염소 또는 브롬을 요오드로 동시에 완전히 치환하여 쪼개진다. Si_nX_{2n +2} 유형의 화합물들(X = Cl에 대하여 n = 2 내지 6, X = Br에 대하여 n = 2 내지 5)이 수득된다. (SiI₂)_x는 90 내지 120℃의 폭약튜브(bomb tube)에서 요오드와 완전히 반응하여 SiI₄ 및 Si₂I₆를 생성한다.

본 발명은 특히 용이하게 용해성이 있고 용융성이 있는 표시된 유형의 할로겐화 폴리실란을 생성하는데 목적이 있다. 또한, 이러한 할로겐화 폴리실란의 제조방법도 제공된다.

본 발명에 따르면, 표시된 유형의 할로겐화 폴리실란은 전체 생성 혼합물을 기준으로 1%를 초과하는 분지 부위 비율을 갖는 고리 및 사슬로 구성되어 있으며 I₁₀₀이 100 ㎝^-1에서의 라만 세기(Raman intensity)를 나타내고, I₁₃₂가 132 ㎝^-1에서의 라만 세기를 나타내는, I₁₀₀/I₁₃₂가 1 미만인 라만 분자 진동 스펙트럼을 가지며, ²⁹Si NMR 스펙트럼에 있어서 +23 ppm 내지 -13 ppm, -18 ppm 내지 -33 ppm 및 -73 ppm 내지 -93 ppm에 이르는 화학적 이동 범위에서 현저한 생성물 신호들을 갖는다는 점에서 본 목적이 달성된다.

²⁹Si NMR 스펙트럼은 펄스 시퀀스 zg30를 가지고 외부 표준으로서 테트라메틸실란(tetramethylsilane: TMS)에 대하여 기준된 Bruker DPX 250 유형의 250 MHz 기기상에서 기록되었다[δ(²⁹Si) = 0.0]. 여기서 취득 매개변수들(acquisition parameters)은 다음과 같다: TD = 32k, AQ = 1.652 s, D1 = 10 s, NS = 2400, O1p = -40, SW = 400.

상기 라만 분자 진동 스펙트럼은 조절가능한 레이저 여기(T-사파이어 레이저, 아르곤 이온 레이저에 의해 펌핑됨) 및 공초점 라만 및 발광 현미경, 액체 질소-냉각 CCD 검출기, 실온과 동일한 측정 온도, 특히 514.53 ㎚ 및 750 ㎚의 가시 스펙트럼 범위의 여기 파장에서 Dilor 사의 XY 800 분광계를 사용하여 측정되었다.

본 발명에 따라 형성된 할로겐화 폴리실란은 예를 들면, [Schmeisser 1964]에 기술된 것과는 상당히 "더 관대한(milder)" 조건을 이용하여 제조된다. 이는 반응이 더 낮은 온도 및 상승된 압력(elevated pressure)에서 수행되어, 이에 의하여 여분의 SiX₄(X = 할로겐)가 기상에 존재하며, 형성된 SiX₂가 반응하여 Si-X 결합으로 삽입될 수 있다는 것을 의미한다. 이를 이용하여, 상기 SiX₂의 중합도가 감소하며, 이에 의해 액체 및 더 나은 용해성의 생성물이 생성한다. 또한, 전환율이 증가하는데, 이에 의하여 제제 공정 기술이 획득된다.

상기 폴리실란은 흐린 황색 내지 황색이 도는 연갈색의 옅은 색상을 가지며 유리질 및 고도로 중합체가 아니지만, 유성 내지 점성으로서, 중합도가 상당히 더 낮다는 것을 보여주고 있다. 상기 폴리실란은 최대 약 900 g/mol의 평균 몰 질량을 갖는 복합 물질 혼합물이다.

분지 정도(degree of branching)는 ²⁹Si NMR 분광법에 의하여 측정되었다. 여기서, 본 발명에 따라 상기 공정을 이용하여 제조된 할로겐화 폴리실란류는 높은 함유율의 분지된 단쇄 및 사이클릭 화합물들을 가지며, 그 분지화 부위들은 전체 혼합물에서 1% 초과의 함유율을 갖는다. 상기 ²⁹Si NMR에서 분지들은 본 명세서에서 δ = -18 내지 -33 ppm 및 δ = -73 내지 -93 ppm에 이르는 범위에서 관찰된다. 본 발명에 따른 폴리실란류의 표준 ²⁹Si NMR 스펙트럼에 있어서, 명확한 공명들이 이 영역들에서 관찰된다.

따라서, 분지된 폴리실란류의 높은 함유율은 후자가 미분지 사슬들을 갖는 할로겐화 폴리실란류보다 열역학적으로 더 바람직하며, 따라서 바람직하게는 열역학적 평형에 가깝게 진행하는 열적 반응이 발생하게 된다는 사실과 관련되어 있다. 또한, 시클로실란류의 함유율은 ²⁹Si NMR 분광법 및 라만 분광법(하기 참조)에 의해서도 측정되며, 여기서 사이클릭 분자들이 상대적으로 높은 함유율로 존재한다는 것이 관찰되었다.

또한, 본 발명에 따라 형성된 할로겐화 폴리실란류는 1 미만의 I₁₀₀/I₁₃₂의 라만 분자 진동 스펙트럼을 갖는다. 특히, 95 내지 110 ㎝^-1에 이르는 범위에서 약한 라만 신호들이 낮은 진동수 범위에서 발생한 반면에, 120 내지 135 ㎝^-1에 이르는 범위에서는 현저히 더 강한 라만 세기들이 측정되었다.

이를 설명하기 위하여, 다음과 같은 사항에 주의가 요청될 수 있다. 사이클릭 할로겐화 폴리실란류에 대한 이론적인 양자 기계학적 계산에 의하면 특히 120 ㎝^-1에서 135 ㎝^{- 1}사이의 집중된 특징적인 진동 모드들을 보이고 있다. 그러나, 선형 할로겐화 폴리실란류에 대한 그러한 계산은 이 범위에서 특유의 모드들을 전혀 보이고 있지 않다. 그러나, 선형 화합물들의 집중적인 모드들은 증가하는 사슬 길이를 더 짧은 파장으로 변이시킨다. 할로겐화 폴리실란류의 혼합물에 있어서, 이들은 95에서 110 ㎝^{- 1}사이의 라만 밴드로 나타난다. 이러한 방식으로, 상기 I₁₀₀/I₁₃₂ 기준으로부터 사이클릭 및 선형 분자들의 함유율에 대한 결론이 내려질 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 할로겐화 폴리실란은 수많은 불활성 용매들에서 완전히 용해될 수 있어서, 제제용으로 사용된 반응기로부터 용이하게 제거될 수 있다는 점에서 구별된다.

본 발명에 따라 형성된 할로겐화 폴리실란은 실온 및 또한 냉각되고 따뜻하거나 끓는 용매들에서 SiCl₄, 벤젠, 톨루엔, 파라핀 등과 같은 불활성 용매들에 용이하게 용해될 수 있다. 이는 상기에 언급된 발간물(DE 10 2005 024 041 A1)에 따라 제조된, 상기와 같은 용매들에 전혀 용해성이 없거나 겨우 소량으로 용해될 수 있는 할로겐화 폴리실란과는 비교가 된다.

상기 할로겐화 폴리실란은 그 치환체들이 할로겐만으로 구성되어 있다는 점에서 바람직하게 특징된다. 바람직하게는, 본 발명에 따라 형성된 할로겐화 폴리실란은 분지된 사슬들과 고리들의 함유율이 높다는 것이다. 이는 예외 없이 유성 내지 점성이다.

본 발명에 따른 할로겐화 폴리실란은 순수한 해당 시작 물질들을 사용할 경우 고유하게 청정하며 Si 및 X(X = 할로겐)으로만 구성되어 있다.

또한, 본 발명에 따른 할로겐화 폴리실란류는 상당한 정도로 진공하에서도 휘발성이지 않으며 이들을 증류하고자 하면 분해된다.

또한, 본 발명에 따라 형성된 할로겐화 폴리실란은 상기 종래 기술의 플라즈마-화학적으로 제조된 폴리실란과 비교하여, 제조된 폴리실란 조 혼합물(crude mixture)이 n = 3 내지 9의 더 낮은 평균 사슬 길이를 갖는다는 점에서 상이하다.

최종적으로, 상기 종래 기술의 플라즈마-화학적으로 제조된 할로겐화 폴리실란은 본 발명에 따른 할로겐화 폴리실란보다 더 높은 용융점을 갖는다.

종래 기술(DE 10 2005 024 041 A1; DE 10 2006 034 061 A1; WO 2008/031427 A2; WO 81/03168)과 비교하여 다른 구별 기준은 본 발명에 따른 할로겐화 폴리실란은 수소 치환체들을 전혀 함유하지 않는다는 사실에 있다.

본 발명에 따른 폴리실란은 고온 심프로포셔네이션(symproportionation) 공정에서의 제조로 인한 촉매 및 용매 오염에 대해 더 고도로 순수한데, 이는 폴리실란류 제제용의 습식-화학적 공정에 대한 다른 구별 특징으로서, 후자 공정에서 미량의 용매들과 금속 염-유사 시약들이 생성물에 항상 존재하기 때문이다.

본 발명은 특히 염소화 폴리실란에 관한 것이다.

또한, 상기 언급된 목적은 할로실란을 고온에서 실리콘과 반응시켜서, 반응기 내에서 형성된 디할로시릴렌(dihalosilylene) (SiX₂)에 대해 여분의 할로실란으로 반응이 수행되는 것을 특징으로 하는 상술한 유형의 할로겐화 폴리실란 제조공정에 의하여 달성된다. 이는 예를 들면, 사용된 실리콘 충진층(packed bed)에서의 할로실란의 체류 시간을 사용된 실리콘의 입자 크기로 조정하여 발생할 수 있다.

종래 기술(10^-3 hPa 미만의 압력, Schmeisser 1964)과 비교하여 조업 압력은 기상의 SiX₄로 형성된 SiX₂의 능동적 충돌 가능성을 더 증가시켜, 이에 의하여 벽 반응들로 인해 형성된 SiX₂의 중합을 억제시키기 위하여, 바람직하게는 더 현저히 증가된다(0.1 내지 1000 hPa). 한편, 이런 조치에 의하여 참고 문헌(Schmeisser 1964)에 기술된 고도의 중합체, 유리질의 약간 녹황색의 고체가 형성되는 것이 억제되고, 다른 한편으로는 본 발명에 따른 폴리실란류로의 전환율이 종래 기술에 비하여 현저히 증가된다(4 배 초과). 다른 구별되는 특징은 Schemisser 1964에서의 1600 내지 1700 g/mol과 비교하여 상기 폴리실란의 평균 몰 질량이 300 내지 900 g/mol로 더 낮다는 것이다.

본 발명에 따른 공정이 수행되는 반응기의 온도에 관한 한, 할로겐화 폴리실란이 증착된 반응기 부분들은 바람직하게는 -70℃ 내지 300℃, 특히 -20℃ 내지 280℃에서 유지된다. 일반적으로, 증착존(deposition zone)의 온도는 Si의 형성을 회피하기 위하여 상대적으로 낮게 유지된다.

본 발명에 따른 공정을 이용하여, 300 내지 900 g/mol의 평균 몰 질량을 갖는 분자 혼합물들이 제조될 수 있다.

본 발명에 따른 특히 바람직한 할로겐화 폴리실란은 퍼클로로폴리실란류(PCS)이다.

본 발명에 따른 공정을 위하여, 예를 들면 전기 저항 가열, 가스 버너 또는 태양도가니(오목 거울)와 같이, 반응기를 필요한 반응 온도로 둘 수 있는 모든 에너지원들이 반응 수행을 위해 이용될 수 있다. 전기 저항 가열이 바람직하게 이용되는데, 이를 이용하면 아주 정확한 온도 제어가 가능하기 때문이다.

할로실란은 본 발명에 따른 공정을 위한 시작 물질로 사용된다. 본 발명에 따른 공정의 취지 내에서 할로실란은 SiX₄ 유형(X = F, Cl, Br, I)의 화합물들 및 그 혼합물들로 지정되며, 혼합된 할로겐 치환을 갖는 할로실란류를 채용하는 것도 가능하다.

또한, 본 발명에 따른 공정에 사용되는 기체 혼합물(할로실란(류))은 불활성 기체에 의하여 희석될 수 있으며 생성물 형성을 촉진하는 부가혼합물을 함유할 수 있다. 그러나, 불활성 기체들의 부가혼합물은 본 발명에 따른 공정에 있어서 필수적이지는 않다.

본 발명에 따른 공정에 있어서, 플루오로실란류 또는 클로로실란류는 할로실란으로 바람직하게 채용된다. 특히 바람직한 시작 화합물은 SiCl₄이다.

또한, 본 발명에 따른 할로겐화 폴리실란은 몇몇 다른 할로겐류로부터 할로겐 치환체들을 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 공정에 있어서, 혼합된 할로겐 치환이 있는 할로실란류도 채용될 수 있다.

증기 형태의 SiCl₄ 210 g을 약 30°의 경사로 가열로에 연결된 진공 석영 유리관으로 인도하고 상기 SiCl₄ 증기는 1200℃로 가열된 20 ㎝ 길이의 실리콘 충진층으로 인도되어, 공정 압력은 약 1 hPa에서 유지된다. 상기 가열존을 빠져나온 후에, 생성 혼합물은 20℃로 냉각된 석영 유리 벽상에서 응축되고 대부분 -196℃로 냉각된 수거 플라스크(receiver flask)로 흘러간다. 6 시간 후에, 점성의 적갈색 생성물이 약간의 SiCl₄에 용해되어 반응기로부터 제거되고 여과된다. 상기 SiCl₄를 진공에서 제거한 이후에, 약 80 g의 염소화 폴리실란이 적갈색 점성 액체 형태로 잔류하게 된다.

통상적인 ²⁹Si NMR 이동(NMR shift) 및 SiCl 기들(3차 Si 원자들)의 신호에 대하여 통상적이고 Si 치환체들(4차 Si 원자들) 만으로 된 Si 기들의 신호에 대하여 통상적이기도 한, 예컨대, 데카-클로로이소테트라실란(deca-chloroisotetrasilane: 특히, δ = -32 ppm), 도데카-클로로네오펜타실란(dodeca-chloroneopentasilane: 특히, δ = -80 ppm)과 같은 다양한 단쇄 분지 화합물들의 높은 함유율은 다음과 같은 스펙트럼 기준으로 명백하다(도 1). 상기 ²⁹Si NMR 스펙트럼을 통합함으로써, 전체 생성 혼합물을 기준으로 단쇄 분획의 상기 분지 부위들(3차 및 4차 Si 원자들)을 형성하는 실리콘 원자들의 함유율은 1.8 질량% 이며, 따라서 1 질량%를 초과하는 것으로 관찰된다. 상기 ²⁹Si NMR 스펙트럼에 있어서 +23 ppm에서 -13 ppm으로의 화학적 이동((1) 및 (2))은 SiCl₃(말단기) 및 SiCl₂ 기(미분지 사슬 또는 사이클 부분들)의 신호들을 보여주고 있고, -18 ppm 내지 -33 ppm 범위에 있는 신호들((3))은 예를 들면, 데카클로로이소테트라실란(decachloroisotetrasilane)에 존재하는 바와 같이, SiCl 기들 및 용매 SiCl₄의 신호들을 보여주고 있으며, -73 ppm 내지 -93 ppm 범위에 있는 신호들은 예를 들면, 도데카클로로네오펜타실란(dodecachloroneopentasilane)에 존재하는 바와 같이, 염화 실란류의 4차 Si 원자들에 기인한 것이다. 빙점 강하법(cryoscopy)에 의하여 평균 몰 질량은 약 973 g/mol로 측정되는데, 이는 (SiCl₂)_n에 대한 약 n = 10 또는 Si_nCl_{2n +2}에 대한 약 n = 9의 평균 사슬 길이를 갖는, 수득된 염소화 폴리실란 (SiCl₂)_n 또는 Si_nCl_{2n +2}에 해당한다. 생성 혼합물에 있어서 Si 대 Cl의 비율은 M_OHR에 따른 염화물 적정에 의한 분해 이후에, Si:Cl=1:2.1로 측정된다((실험)(분석) 식 SiCl_{2 .1}에 해당). 약 -19.6 ppm에서의 신호는 용매 테트라클로로실란으로부터 유래한다. 저 분자량 시클로실란류는 혼합물들에서 132 ㎝^-1의 영역에 있어서 집중적인 밴드들에 의한 라만 분광법에 의하여 검출될 수 있다. 또한, 시클로실란류가 존재한다는 표시는 δ = -1.6 ppm(Si₅Cl₁₀) 및 δ = -2.7 ppm(Si₆Cl₁₂)에서의 신호들에 의한 ²⁹Si NMR 스펙트럼에서 발견된다.

염소화 폴리실란의 통상적인 라만 분자 진동 스펙트럼은 아래에 나타나 있다(도 2). 상기 스펙트럼은 1 미만의 I₁₀₀/I₁₃₂ 비율을 갖는다, 즉, 132 ㎝^-1에서의 라만 세기(Raman intensity)(I₁₃₂)는 100 ㎝^-1에서의 세기(I₁₀₀)보다 명백히 더 높다. 비교를 해 보면, 플라즈마-화학적으로 생성된 폴리실란 혼합물의 스펙트럼과 사이클릭 테트라실란(옥타클로로시클로테트라실란(octachlorocyclotetrasilane), Si₄Cl₈)의 계산된 스펙트럼이 나타나 있으며, 상기 플라즈마-화학적으로 생성된 폴리실란 혼합물의 경우, 그 비율은 I₁₀₀/I₁₃₂가 1을 초과로 변한다.

또한, 이 차트는 이론적 곡선(적색)의 부분을 예를 통해 보여주고 있다. 여기서, 양자 화학적으로-계산된 모드들[Hohenberg P, Koh W, 1964. Phys. Rev. B 136:864-71; Kohn W, Sham LJ. 1965. Phys. Rev. A 140:1133-38, W. Koch and M. C. Holthausen, A Chemist's Guide to Density Functional Theory, Wiley, Weinheim, 2nd edn., 2000]은 예를 들면, 실험적인 스펙트럼 분해능(spectral resolution)을 모사하는 다중-로렌츠 피크 함수을 이용하여 일치시킨다. 절대적인 세기에 대하여, 이론적 곡선이 표준화되어 예시를 위한 차트에 잘 적합하게 된다. 이론적인 피크들의 상대 세기들은 제 1 원리 계산으로부터 직접 유래한다. 따라서, 특정 세기들은 사이클릭 올리고실란류에 통상적이라는 것을 보여주고 있다.

증기 형태의 SiCl₄ 158 g을 약 30°의 경사로 가열로에 연결된 진공 석영 유리관으로 인도하고 상기 SiCl₄ 증기는 1200℃로 가열된 10 ㎝ 길이의 실리콘 충진층으로 인도되어, 공정 압력은 약 5 hPa에서 유지된다. 상기 가열존을 빠져나온 후에, 생성 혼합물은 20℃로 냉각된 석영 유리 벽상에서 응축되고 일부가 냉각된 수거 플라스크로 흘러간다. 3 시간 후에, 점성의 황갈색이 도는 생성물이 약간의 SiCl₄에 용해되어 반응기로부터 제거되고 여과된다. 상기 SiCl₄를 진공에서 제거한 이후에, 27 g의 염소화 폴리실란이 옅은 황색 점성 액체 형태로 잔류하게 된다. 통상적인 ²⁹Si NMR 이동 및 (SiCl 기들(3차 Si 원자들)의 신호에 대하여 통상적인 (3)에서의 이동 범위에서 이러한 신호들이 발생한다), 그리고 Si 치환체들(4차 Si 원자들) 만으로 된 Si 기들의 신호에 대하여 통상적이기도 한 (4), 예컨대, 데카-클로로이소테트라실란(특히, δ = -32 ppm), 도데카-클로로네오펜타실란(특히, δ = -80 ppm)과 같은 다양한 단쇄 분지 화합물들의 높은 함유율은 다음의 스펙트럼을 보조로 해보면 명백하다(도 3). 상기 ²⁹Si NMR 스펙트럼을 통합함으로써, 전체 생성 혼합물을 기준으로 단쇄 분획의 상기 분지 부위들(3차 및 4차 Si 원자들)을 형성하는 실리콘 원자들의 함유율은 2.1 질량% 이며, 따라서 1 질량%를 초과하는 것으로 관찰된다. 상기 ²⁹Si NMR 스펙트럼에 있어서 +23 ppm에서 -13 ppm으로의 화학적 이동((1) 및 (2))은 SiCl₃(말단기) 및 SiCl₂ 기(미분지 사슬 또는 사이클 부분들)의 신호들을 보여주고 있고, -18 ppm 내지 -33 ppm 범위에 있는 신호들((3))은 예를 들면, 데카클로로이소테트라실란에 존재하는 바와 같이, SiCl 기들 및 용매 SiCl₄의 신호들을 보여주고 있으며, -73 ppm 내지 -93 ppm 범위에 있는 신호들은 예를 들면, 도데카클로로네오펜타실란에 존재하는 바와 같이, 염화 실란류의 4차 Si 원자들에 기인한 것이다.

진공중에서 휘발성 올리고실란류를 용이하게 제거한 이후에, 빙점 강하법에 의하여 평균 몰 질량은 약 795 g/mol로 측정되는데, 이는 상기 염소화 폴리실란 (SiCl₂)_n 또는 Si_nCl_{2n +2}에 있어서, (SiCl₂)_n에 대한 약 n = 8 또는 Si_nCl_{2n +2}에 대한 약 n = 7의 평균 사슬 길이에 해당한다. 생성 혼합물에 있어서 Si 대 Cl의 비율은 M_OHR에 따른 염화물 적정에 의한 분해 이후에, Si:Cl=1:2로 측정된다((실험)(분석) 식 SiCl₂에 해당). 약 -19.6 ppm에서의 신호는 용매 테트라클로로실란으로부터 유래한다. 저 분자량 시클로실란류는 혼합물들에서 132 ㎝^-1의 영역에 있어서 집중적인 밴드들에 의한 라만 분광법에 의하여 검출될 수 있다. δ = -1.6 ppm(Si₅Cl₁₀) 및 δ = -2.7 ppm(Si₆Cl₁₂)에서의 신호들은 ²⁹Si NMR 스펙트럼에서 시클로실란류의 존재를 보여준다.

SiCl₄ 125 g을 약 30°의 경사로 가열로에 연결된 진공 석영 유리관으로 한방울씩 첨가하고 증발시키며, 상기 SiCl₄ 증기는 1200℃로 가열된 10 ㎝ 길이의 실리콘 충진층으로 인도되어, 공정 압력은 약 1013 hPa에서 유지된다. 상기 가열존을 빠져나온 후에, 생성 기체 혼합물은 20℃로 냉각된 석영 유리 벽상에서 응축되고 대부분이 0℃로 냉각된 수거 플라스크로 흘러간다. 4 시간 30 분 후에, 갈색이 도는 생성물이 약간의 SiCl₄에 용해되어 반응기로부터 제거되고 여과된다. 상기 SiCl₄를 진공에서 제거한 이후에, 10 g의 염소화 폴리실란이 옅은 황색 유성 액체 형태로 잔류하게 된다.

통상적인 ²⁹Si NMR 이동 및 (SiCl 기들(3차 Si 원자들)의 신호에 대하여 통상적인 (3)에서의 이동 범위에서 이러한 신호들이 발생한다), 그리고 Si 치환체들(4차 Si 원자들) 만으로 된 Si 기들의 신호에 대하여 통상적이기도 한 (4), 예컨대, 데카-클로로이소테트라실란(특히, δ = -32 ppm), 도데카-클로로네오펜타실란(특히, δ = -80 ppm)과 같은 다양한 단쇄 분지 화합물들의 높은 함유율은 다음의 스펙트럼을 기준으로 해보면 명백하다(도 4). 상기 ²⁹Si NMR 스펙트럼을 통합함으로써, 전체 생성 혼합물을 기준으로 단쇄 분획의 상기 분지 부위들(3차 및 4차 Si 원자들)을 형성하는 실리콘 원자들의 함유율은 1.1 질량% 이며, 따라서 1 질량%를 초과하는 것으로 관찰된다. 상기 ²⁹Si NMR 스펙트럼에 있어서 +23 ppm에서 -13 ppm으로의 화학적 이동((1) 및 (2))은 SiCl₃(말단기) 및 SiCl₂ 기(미분지 사슬 또는 사이클 부분들)의 신호들을 보여주고 있고, -18 ppm 내지 -33 ppm 범위에 있는 신호들((3))은 예를 들면, 데카클로로이소테트라실란에 존재하는 바와 같이, SiCl 기들의 신호들을 보여주고 있으며, -73 ppm 내지 -93 ppm 범위에 있는 신호들은 예를 들면, 도데카클로로네오펜타실란에 존재하는 바와 같이, 염화 실란류의 4차 Si 원자들에 기인한 것이다.

빙점 강하법에 의하여 평균 몰 질량은 약 315 g/mol로 측정되는데, 이는 상기 염소화 폴리실란 (SiCl₂)_n 또는 Si_nCl_{2n +2}에 있어서, (SiCl₂)_n에 대한 약 n = 3.2 또는 Si_nCl_{2n +2}에 대한 약 n = 2.4의 평균 사슬 길이에 해당한다. 생성 혼합물에 있어서 Si 대 Cl의 비율은 M_OHR에 따른 염화물 적정에 의한 분해 이후에, Si:Cl=1:2.8로 측정된다((실험)(분석) 식 SiCl_{2 .8}에 해당). 상기 ²⁹Si NMR 스펙트럼에 있어서 약 -46 ppm에서의 신호는 용매 헥사클로로디실록산으로부터 유래한다.

Claims (13)

1. 치환체들이 할로겐만으로 구성되어 있고, 각각이 적어도 하나의 직접적인 Si-Si 결합을 가지며 그 조성에 있어서, 치환체:실리콘의 원자비가 적어도 1:1인 순 화합물 또는 화합물들로 이루어진 혼합물인 할로겐화 폴리실란에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란은 전체 생성 혼합물을 기준으로 1%를 초과하는 분지 부위 비율을 갖는 고리 및 사슬로 구성되어 있으며 I₁₀₀이 100 ㎝^-1에서의 라만 세기(Raman intensity)를 나타내고, I₁₃₂가 132 ㎝^-1에서의 라만 세기를 나타내는, I₁₀₀/I₁₃₂가 1 미만인 라만 분자 진동 스펙트럼을 가지며, ²⁹Si NMR 스펙트럼에 있어서 +23 ppm 내지 -13 ppm, -18 ppm 내지 -33 ppm 및 -73 ppm 내지 -93 ppm에 이르는 화학적 이동 범위에서 현저한 생성물 신호들을 갖는 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란은 분지 사슬들을 함유하는 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란의 치환체들은 할로겐만으로 구성되는 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란의 조 혼합물(crude mixture)의 평균 사슬 길이는 n = 3 내지 9에 해당하는 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란은 유성 내지 점성인 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란은 옅은 황색(slighlty yellow color) 내지 짙은 오렌지(intensively orange color) 또는 적갈색(red-brown color)을 갖는 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란은 불활성 용매들에 용이하게 용해가능한 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
8. 제 1항에 있어서,
   상기 할로겐화 폴리실란은 수소 치환체들을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 할로겐화 폴리실란.
9. 할로실란이 고온에서 실리콘과 반응하는, 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 할로겐화 폴리실란의 제조방법에 있어서,
   상기 반응은 형성된 디할로시릴렌(SiX₂)에 대하여 여분의 할로실란을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 방법은 700℃를 초과한 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
11. 제 9 항에 있어서,
    사용된 실리콘의 충진층(packed bed) 내의 상기 할로실란의 체류 시간은 상기 실리콘의 입자 크기로 조정되는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 제 9 항에 있어서,
    상기 방법은 0.1 내지 1000 hPa에 이르는 압력 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
13. 제 9 항에 있어서,
    상기 할로겐화 폴리실란이 증착되는 반응기 부분들은 -70℃ 내지 300℃의 온도에서 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
    

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