KR101597767B1 - 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 - Google Patents

감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물, (B) 가교제, (C) 알칼리 가용성 수지, 그리고 (D) 용매를 포함한다. 또한 (E) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다. 이에 따라 노광시 감도를 높이며, 감광막 패턴의 프로파일을 용이하게 조절할 수 있다.
감광성 수지, 패턴, 디지털 노광기

Description

감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법{PHOTORESIST RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS BY USING THE SAME}
본 발명은 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting device) 등의 표시 장치는 복수의 도전층, 반도체층 및 이들을 절연하기 위한 절연막 등의 복수의 박막을 포함한다.
박막 트랜지스터 표시판의 경우 게이트 도전층, 반도체층 및 데이터 도전층을 포함한 복수의 박막을 포함하는데, 이들 복수의 박막은 각각의 마스크를 사용하여 사진 식각으로 패터닝될 수 있다. 사진 식각은 박막 위에 감광성 수지 조성물로 만들어진 감광막을 도포하고 이를 노광 및 현상하여 소정 모양의 패턴을 형성한 후, 이를 사용하여 박막을 식각하는 방법이다. 이때, 감광막의 감도가 높은 경우 적은 노광량으로도 패턴을 형성할 수 있기 때문에 생산성 측면에서 유리하다.
그런데 마스크 수가 증가할 때마다 노광, 현상 및 식각 등의 공정이 추가되어 제조 비용 및 시간이 현저하게 증가한다. 이에 따라 마스크를 사용하지 않고 패터닝이 가능한 디지털 노광기 에 연구가 진행되고 있다.
그러나, 기존의 감광제를 이용하여 디지털 노광기 로 패턴을 형성하는 경우, 감광제의 감도가 낮고, 패턴의 프로파일이 낮게 형성된다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 감도를 높이면서도 패턴 프로파일의 조절을 가능하게 하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물, (B) 가교제, (C) 알칼리 가용성 수지, 그리고 (D) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112009004324680-pat00001
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
상기 (A)는 0.5-10 중량부, 상기 (B)는 1-10 중량부, 상기 (C)는 10-50 중량부 및 상기 (D)는 10-90 중량부일 수 있다.
(E) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112009004324680-pat00002
상기 화학식 2에서, R3, R4 및 R5는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
상기 (A)는 0.5-10 중량부, 상기 (B)는 1-10 중량부, 상기 (C)는 10-50 중량부, 상기 (D)는 10-90 중량부 및 상기 (E)는 0.1-3.0 중량부일 수 있다.
상기 가교제는 헥사(메톡시메틸)멜라민을 포함하는 에테르화 아미노플라스트 중합체 또는 올리고머를 포함할 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지는 메타 노볼락 수지, 파라 노볼락 수지 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지는 아크릴계 수지를 더 포함할 수 있다.
상기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸락테이트, 2-메톡시에틸아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 형성 방법은 기판 위에 박막을 적층하는 단계, 상기 박막 위에 (A) 상기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물, (B) 가교제, (C) 알칼리 가용성 수지, 및 (D) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물이 포함된 감 광막을 제조하는 단계, 상기 감광막에 노광기 를 이용하여 감광막 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 박막을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 노광기 는 단일 파장의 광원을 이용할 수 있다. 상기 광원은 405 nm의 파장을 가질 수 있다.
상기 감광막 패턴을 형성하는 단계는 프리베이킹(pre-baking), 노광, 열처리, 그리고 현상의 순서로 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 노광시 감도를 높이며, 감광막 패턴의 프로파일을 용이하게 조절할 수 있다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호가 사용되었다. 또한 널리 알려져 있는 공지기술의 경우 그 구체적인 설명은 생략한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 한편, 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 한편, 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다
그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물 (photosensitive compound), (B) 가교제(cross-linker), (C) 알칼리 가용성 수지(alkali soluble resin) 중량부, 및 (D) 용매를 포함한다.
이하, 각 구성 성분을 상세하게 설명한다.
(A) 감광성 화합물
감광성 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이다.
[화학식 1]
Figure 112009004324680-pat00003
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. 본 명세서에서 '치환'이란, 탄소수 1 내지 5의 알킬기의 치환을 의미하며, 이하 동일하다.
상기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물은 대략 0.5-10 중량부가 사용될 수 있다. 감광성 화합물이 대략 0.5 중량부 이상 사용될 때, 패턴 구현을 용이하게 할 정도의 감도를 유지할 수 있다. 감광성 화합물이 대략 10 중량부 이하로 사용될 때, 역 프로파일의 발생을 용이하게 방지할 수 있며, 이에 따라 패턴의 프로파일을 조절하기가 용이하다.
(B) 가교제
가교제는 감광성 수지 조성물에 포함되는 노볼락 수지 등의 고분자 물질을 가교시킬 수 있다. 가교제의 예로는 헥사(메톡시메틸)멜라민을 포함하는 에테르화 아미노플라스트 중합체 또는 올리고머 등이 있다. 구체적으로, 헥사메틸올멜라민 헥사메틸에테르 등이 있다.
가교제는 대략 1-10 중량부가 사용될 수 있다. 가교제가 대략 1 중량부 이상 사용될 때, 노광시 패턴이 빠르고 용이하게 형성될 수 있다. 가교제가 대략 10 중량부 이하로 사용될 때, 박막을 패터닝한 후 감광막 패턴을 제거하는 공정을 용이하게 수행할 수 있다.
(C) 알칼리 가용성 수지
알칼리 가용성 수지의 예로는 수용성 알칼리 현상액에 용해될 수 있도록 하 는 히드록시기가 포함된 페놀성 중합체 등이 있다. 구체적으로, 메타 노볼락 수지(m-novolak resin), 파라 노볼락 수지(p-novolak resin) 등이 있으며, 메타 노볼락 수지와 파라 노볼락 수지가 혼합되어 사용될 수 있다.
노볼락 수지가 단독으로 사용되거나, 치환기가 서로 다른 노볼락 수지가 혼합되어 사용될 수 있다. 또는 아크릴계 수지와 혼합되어 사용될 수도 있다.
노볼락 수지는 페놀 단량체와 알데히드 화합물을 산 촉매의 존재 하에 반응시켜 합성한 고분자 중합체이다.
페놀 단량체는 메타-크레졸(m-cresol)과 파라-크레졸(p-cresol) 등을 특정 비율로 합성하여 이용할 수 있다. 알데히드 화합물로는 포름알데히드, p-포름알데히드, 벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 아세트알데히드 등에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 또한 페놀 화합물과 알데히드 화합물의 반응시 첨가되는 산 촉매는 예컨대 염산, 질산, 황산, 옥살산 등이 한 개 이상 사용될 수 있다.
아크릴계 수지는 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트, 소르비톨트리아크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸프로판 트리아크릴레이트, 메타크릴레이트펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타메타크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 및 디펜타에리스리톨헥사메타크릴레이트에서 선택 된 적어도 하나 이상이 포함될 수 있다.
알칼리 가용성 수지는 대략 10-50 중량부가 사용될 수 있다. 알칼리 가용성 수지가 대략 10 중량부 이상 사용될 때, 감광막을 적절한 두께로 코팅할 수 있으며, 얼룩 발생을 용이하게 방지할 수 있다. 알칼리 가용성 수지가 대략 50 중량부 이하로 사용될 때, 알칼리 가용성 수지가 석출되는 것을 용이하게 방지할 수 있으며, 이에 따라 양호한 코팅 특성을 유지할 수 있다.
(D) 용매
용매의 예로는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 2-메톡시에틸아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르(propylene glycol methyl ether) 등이 1 종 이상 사용될 수 있다.
또한, 에틸아세테이트(ethyl acetate), 부틸아세테이트(butyl acetate), 디에틸렌글리콜디메틸에테르(diethylene glycol dimethyl ether), 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르(diethylene glycol dimethyl ethyl ether), 메틸메톡시프로피온산(methyl methoxy propionate), 에틸에톡시프로피온산(ethyl ethoxy propionate), 프로필렌글리콜프로필에테르(propylene glycol propyl ether), 메틸셀로솔브아세테이트(methyl cellosolve acetate), 에틸셀로솔브아세테이트(ethyl cellosolve acetate), 디에틸렌글리콜메틸아세테이트(diethylene glycol methyl acetate), 디에틸렌글리콜에틸아세테이트(diethylene glycol ethyl acetate), 아세톤(acetone), 메틸이소부틸케톤(methyl isobutyl ketone), 시클로헥사논(cyclohexanone), 디메틸포름아미드(dimethyl formamide), N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethyl acetamide), N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrolidone), γ-부티로락톤(γ-butyrolactone), 디에틸에테르(diethyl ether), 에틸렌글리콜디메틸에테르(ethylene glycol dimethyl ether), 디글라임(diglyme), 테트라히드로퓨란(tetrahydrofurane), 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 프로판올(propanol), 이소프로판올(isopropanol), 메틸셀로솔브(methyl cellosolve), 에틸셀로솔브(ethyl cellosolve), 디에틸렌글리콜메틸에테르(diethylene glycol methyl ether), 디에틸렌글리콜에틸에테르(diethylene glycol ethyl ether), 디프로필렌글리콜메틸에테르(dipropylene glycol methyl ether), 톨루엔(toluene), 크실렌(xylene), 헥산(hexane), 헵탄(heptane) 및 옥탄(octane) 등이 1 종 이상 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 음성 감광성 화합물을 포함하며 디지털 노광기 에 이용되는 단파장의 광원에 민감하기 때문에 감도가 높다. 특히, 단파장의 광원 중 405 nm 파장의 광원에 매우 민감하다. 따라서, 적은 양의 감광성 화합물을 사용하여도 우수한 특성을 갖는 패턴을 형성할 수 있다.
그러면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 상세하게 설명한다. 전술한 감광성 수지 조성물과 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 전술한 (A) 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물, (B) 가교제, (C) 알칼리 가용성 수지 및 (D) 용매 외에 (E) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112009004324680-pat00004
상기 화학식 2에서, R3, R4 및 R5는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 노광시 광을 흡수하고, 이에 따라 감광막 패턴의 프로파일을 다양한 각도로 조절할 수 있으며, 단파장의 광원에 더욱 민감한 감도를 나타낸다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 대략 0.1-3.0 중량부가 사용될 수 있다. 상기 화학식 2로 표시되는 화합물이 대략 0.1 중량부 이상 사용될 때, 감광막 패턴의 프로파일을 용이하게 조절할 수 있다. 또한 상기 화학식 2로 표시되는 화합물이 대략 3.0 중량부 이하로 사용될 때, 감광막 패턴의 프로파일이 둔각으로 심하게 발생하는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라 감광막 패턴이 박막에서 분리되는 것을 용이하게 방지한다.
그러면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 박막의 형성 방법에 대하여 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 박막의 형성 방법을 차례로 나타내는 개략도이다.
도 1을 참고하면, 기판(substrate)(10) 위에 박막(20)을 적층한다. 적층 방법은 스핀 코팅, 화학 기상 증착 등의 방법이 사용될 수 있다.
기판(10)은 유리 또는 플라스틱 등의 절연성 기판이 사용될 수 있다.
박막(20)은 게이트선(gate line), 데이터선(data line), 유지 전극선(storage electrode line) 등의 신호선(signal line), 반도체, 절연막 등일 수 있다.
신호선은 구리, 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
반도체는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등일 수 있다. 또는, 금속 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질일 수 있다.
절연막은 산화 규소(SiOx), 질화 규소(SiNx), 유기 절연체 등일 수 있다.
박막(20)은 단일막일 수도 있으며, 2 개 이상의 다중막일 수도 있다.
박막(20) 위에 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물이 포함된 감광막을 적층한다. 구체적으로, 박막(20) 위에 본 발명의 실시예에 따른 감광성 수지 조성물을 도포한다. 도포 방법으로는 스프레이법, 롤코팅법, 스핀코팅법 등이 사용될 수 있다.
도 2를 참고하면, 노광 및 현상 공정을 통하여 감광막 패턴(31)을 형성한다.
먼저, 노광 전에 프리베이킹(pre-baking) 공정을 진행한다. 프리베이킹 공정은 대략 섭씨 70-100 도에서 대략 1-10 분 동안 진행한다.
다음, 감광막(30)에 광을 조사한다. 노광기 는 단일 파장의 광원을 이용하는 디지털 노광기 가 사용될 수 있다. 단일 파장의 광원에는 435 nm, 405 nm, 365 nm 등이 있으며, 이중에서도 특히 405 nm 의 파장의 광원이 사용될 수 있다. 감광막(30)에는 음성 감광성 물질이 포함되어 있기 때문에, 광이 조사된 부분은 패턴(31)이 남아 있다.
다음, 노광 후 현상전에 열처리(post exposure baking) 공정을 진행한다. 열처리 공정은 대략 섭씨 90-140 도에서 대략 1-10 분 동안 진행한다.
다음, 알칼리 현상액으로 현상함으로써, 감광막 패턴(31)을 형성한다. 현상은 상온에서 대략 40-70 초 동안 실시할 수 있다.
도 3을 참고하면, 건식 또는 습식 식각 방법을 통하여 감광막 패턴(31)을 마스크로 하여, 박막 패턴(21)을 형성한다.
도 4를 참고하면, 박막 패턴(21)을 형성한 후, 감광막 패턴(31)을 제거한다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 범위를 제한하거나 한정하고자 하는 것은 아니며, 본 발명을 예시하기 위한 것이다.
실시예
실시예 1
노볼락 수지 90 중량부, 헥사케틸올멜라민 헥사메틸에테르 5 중량부, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 프로피오네이트 40 중량부을 이용하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[화학식 3]
Figure 112009004324680-pat00005
기판 위에 감광성 수지 조성물을 도포하였고, 대략 섭씨 90 도에서 대략 5 분 동안 핫 플레이트에서 프리베이킹을 하였다. 다음, 405 nm의 단일 파장 레이저 광원을 조사하였다. 다음, 대략 120 도에서 5 분간 핫 플레이트에서 열처리를 하였다. 다음, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드를 이용하여 상온에서 대략 50 초간 현상함으로써, 감광막 패턴을 제조하였다.
실시예 2
하기 화학식 4로 표시되는 화합물 1 중량부를 추가적으로 더 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 감광막 패턴을 제조하였다.
[화학식 4]
Figure 112009004324680-pat00006
실시예 3
상기 화학식 4로 표시되는 화합물 3 중량부를 추가적으로 더 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 감광막 패턴을 제조하였다.
비교예 1
상기 화학식 3으로 표시되는 감광성 화합물 대신 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 감광막 패턴을 제조하였다.
[화학식 5]
Figure 112009004324680-pat00007
비교예 2
노볼락 수지 20g, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트와 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 30/70 중량부로 혼합하여 4 g, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60 g를 이용하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
제조된 감광성 수지 조성물을 이용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 감광막 패턴을 제조하였다.
노광 에너지 측정
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 2에 의해 감광막 패턴을 제조할 때, 필요한 노광 에너지를 측정하였다. 그 측정 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
패턴 프로파일 측정
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 2에 의해 제조된 감광막 패턴에 대 하여 SEM 사진을 촬영하였다. 그리고 각각의 감광막 패턴의 경사 각도를 측정하였다. SEM 사진의 촬영 결과를 도 5 내지 도 9에 도시했고, 경사 각도를 하기 표 1에 나타냈다. 도 5 내지 도 7은 상기 실시예 1 내지 3의 SEM 사진이고, 도 8 내지 도 9는 상기 비교예 1 내지 2의 SEM 사진이다.
[표 1]
Figure 112009004324680-pat00008
상기 표 1에서 알 수 있는 것처럼, 실시예 1 내지 3의 경우 비교예 1 내지 2보다 노광 에너지가 작고, 이로부터 감도가 높다는 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 화학식 3으로 표시되는 감광성 화합물이 사용된 경우 감도가 높고, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물이 추가로 첨가된 경우 감도가 더욱 높다는 것을 알 수 있다.
아울러, 실시예 1 내지 3에서 화학식 2로 표시되는 화합물의 첨가에 의하여 패턴의 프로파일 각도가 조절될 수 있다는 것을 알 수 있다. 반면, 비교예 1 내지 2의 패턴 프로파일 각도는 상대적으로 낮다는 것을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 박막의 형성 방법을 차례로 나타내는 개략도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시예의 SEM 사진이다.
도 8 내지 도 9는 종래 기술의 SEM 사진이다
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 기판
20: 박막 21: 박막 패턴
30: 감광막 31: 감광막 패턴

Claims (15)

  1. (A) 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물,
    (B) 가교제,
    (C) 알칼리 가용성 수지,
    (D) 용매, 그리고
    (E) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112015092434574-pat00009
    상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다,
    [화학식 2]
    Figure 112015092434574-pat00022
    상기 화학식 2에서, R3, R4 및 R5는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 (A)는 0.5-10 중량부, 상기 (B)는 1-10 중량부, 상기 (C)는 10-50 중량부, 상기 (D)는 10-90 중량부 및 상기 (E)는 0.1-3.0 중량부인 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항에서,
    상기 가교제는 헥사(메톡시메틸)멜라민을 포함하는 에테르화 아미노플라스트 중합체 또는 올리고머를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에서,
    상기 알칼리 가용성 수지는 메타 노볼락 수지, 파라 노볼락 수지 또는 이들 의 혼합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  7. 제6항에서,
    상기 알칼리 가용성 수지는 아크릴계 수지를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항에서,
    상기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트,에틸락테이트, 2-메톡시에틸아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르 또는 이들의 혼합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  9. 기판 위에 박막을 적층하는 단계,
    상기 박막 위에 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물, (B) 가교제, (C) 알칼리 가용성 수지, (D) 용매 및 (E) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물이 포함된 감광막을 제조하는 단계,
    상기 감광막에 노광기를 이용하여 감광막 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    상기 박막을 식각하는 단계
    를 포함하는 박막 형성 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112015092434574-pat00011
    상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다,
    [화학식 2]
    Figure 112015092434574-pat00023
    상기 화학식 2에서, R3, R4 및 R5는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제9항에서,
    상기 (A)는 0.5-10 중량부, 상기 (B)는 1-10 중량부, 상기 (C)는 10-50 중량부, 상기 (D)는 10-90 중량부 및 상기 (E)는 0.1-3.0 중량부인 박막 형성 방법.
  13. 제9항에서,
    상기 노광기는 단일 파장의 광원을 이용하는 박막 형성 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 광원은 405 nm의 파장을 갖는 박막 형성 방법.
  15. 제9항에서,
    상기 감광막 패턴을 형성하는 단계는 프리베이킹(pre-baking), 노광, 열처리, 그리고 현상의 순서로 수행되는 박막 형성 방법.
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