KR101581957B1 - 반도체 발광 장치의 제조 방법 및 반도체 발광 장치 - Google Patents
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Abstract
방법은, 성장 기판 상에 발광 동작층을 형성하는 단계; 발광 동작층 상에 반사 절연층을 형성하는 단계; 반사 절연층에 개구부를 형성하는 단계; 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 개구부에 매립된 콘택부를 형성하는 단계; 절연층 및 콘택부 상에 전극층을 형성하는 단계; 전극층 상에 제 1 접합 금속층을 형성하는 단계; 제 2 접합 금속층이 형성된 지지 기판을 준비하는 단계; 및 제 1 접합 금속층 및 제 2 접합 금속층을 용융하여 접합시키는 단계를 포함한다.
반도체 발광 장치, 보이드, 발광 효율, 수명, 접합 강도
Description
본 발명은 반도체 발광 장치의 제조 방법 및 반도체 발광 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 납땜층에 의한 접합 (bonding) 기술을 이용한 반도체 발광 장치의 제조 방법 및 반도체 발광 장치에 관한 것이다.
성장 기판 상에 형성된 발광 동작층이 AuSn (금 주석) 납땜 (solder) 을 통해서 지지 기판에 납땜되거나 접합되는 구조를 가지는 반도체 발광 장치가 관련 기술로 알려져 있다. 상술한 바와 같이, 접합된 구조를 가지는 반도체 발광 장치의 예로서 접합하기 이전의 반도체 발광 장치의 단면도가 도 1에 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, Au (금) 층 (102), Ti (티타늄) 층 (103), Ni (니켈) 층 (104), 및 AuSn 납땜층 (105) 이 지지 기판 (101) 의 표면 상에 순차적으로 적층된다. 발광 동작층 (107), AuZn (금 및 아연으로 형성된 합금) 층 (108), TaN (질화 탄탈) 층 (109), Al (알루미늄) 층 (110), Ta (탄탈) 층 (111), 및 Au 층 (112) 이 성장 기판 (106) 의 표면 상에 순차적으로 형성된다. Au 층 (112) 및 AuSn 납땜층 (105) 이 서로 마주보도록 근접하게 부착되고, 이후 AuSn 납땜층 (105) 이 가열 및 냉각되어, AuSn 납땜층 (105) 이 용융 및 고화된다. 용융 및 고화에 의해, 발광 동작층 (107) 이 형성된 성장 기판 (106) 이 AuSn 납땜층 (105) 을 통해 지지 기판 (101) 에 납땜된다. 납땜 이후, 성장 기판 (106) 이 에칭에 의해 제거된다. AuZn 층 (108) 은 발광 동작층 (107) 으로부터 방출된 광을 반사시키고 광의 취출 효율을 증가시키는 기능을 가진다.
발광 동작층 (107) 으로부터 방출된 광을 보다 효율적으로 반사시키기 위해서, 반사 절연층이 발광 동작층 (107) 및 AuZn 층 (108) 사이에 형성된 반도체 발광 장치의 구조가 최근에 제안되었다 (특허 문헌 1: 일본 공개특허공보 2006-86208 참조). 발광 동작층 (107) 의 전류 분포의 제어 및 발광 동작층 (107) 으로부터 방출된 광의 효율적 반사의 관점에서 SiO2 필름 (실리콘 산화물 필름) 또는 금속 산화물 필름이 반사 절연층으로 사용된다.
상술한 반사 절연층을 가지는 반도체 발광 장치에서, 반사 절연층이 발광 동작층의 전면에 형성되지 않고, 개구부가 선택적으로 제공되는 반사 절연층이 형성된다. 이것은, 발광 동작층과의 오믹 콘택이 금속과 같은 도전 물질을 반사 절연층의 개구부에 매립함으로써 획득될 수 있고, 발광 동작층 측으로 흐르는 전류가 오믹 콘택에 의해 제어 및 확보될 수 있기 때문이다.
상술한 오믹 콘택을 획득하기 위해서, 반사 절연층에 개구부를 형성하는 방법으로서, 포토리소그래피 기술에 의해 패터닝된 레지스트를 발광 동작층의 전면에 임시로 형성된 반사 절연층 상에 형성하고, 그 레지스트를 마스크로 사용하여 반사 절연층을 에칭하여 개구부를 형성하는 방법이 있다. 그 후, 소망하는 금속, 합금 등의 박막을 증착 (evaporation deposition) 법 등에 의해 반사 절연층 상에 형성하고, 발광 동작층을 포함하는 성장 기판을 그 박막을 통해 지지 기판에 접합한다.
하지만, 금속, 합금 등의 박막을 증착법 등에 의해 반사 절연층 상에 형성한다면, 형성된 박막의 표면 상에 반사 절연층의 개구부의 단차부에 의해 요철부가 생긴다. 상술한 박막의 표면에 요철부가 존재하는 상태에서 발광 동작층을 포함하는 성장 기판을 지지 기판에 접합한다면, 지지 기판 및 성장 기판의 접합 계면에 요철부에 의한 갭이 생긴다. 갭에 의한 보이드 (즉, 공동) 는 지지 기판 및 성장 기판의 접합 계면에서 더 생긴다. 모세관 현상이 갭 자체에 의해 저해되어, 갭에 의해 생기는 보이드가 계면 단부로 토출되지 않고 반도체 발광 장치에 잔류, 즉, 계면의 반사 절연층의 개구부 내에서 대응하는 위치에 잔류한다. 따라서, 반도체 발광 장치의 성능 저하 (발광 효율의 저하) 및 수명 단축이라는 문제가 발생한다. 또한, 갭에 의해 생기는 보이드는 납땜층의 접합 강도의 감소와 같은 문제도 발생시킨다.
본 발명은 상술한 사정을 고려하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 발광 동작층의 접합 계면에서의 보이드 발생이 억제되고, 발광 효율, 수명, 및 접합 강도에 있어서 우수한 특성을 가지는 반도체 발광 장치의 제조 방법을 제공하고, 그 반도체 발광 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따라서, 반도체 발광 장치의 제조 방법이 제공되며, 그 방법은 성장 기판 상에 발광 동작층을 형성하는 발광 동작층 형성 단계; 상기 발광 동작층 상에 반사 절연층을 형성하는 반사 절연층 형성 단계; 상기 반사 절연층 내에 복수의 개구부를 형성하는 개구부 형성 단계; 상기 복수의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 상기 복수의 개구부 각각에 매립된 콘택부를 형성하는 콘택부 형성 단계; 상기 반사 절연층 및 상기 콘택부 상에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 상기 전극층 상에 제 1 접합 금속층을 형성하는 접합 금속층 형성 단계; 표면에 제 2 접합 금속층이 형성된 지지 기판을 준비하는 지지 기판 준비 단계; 및 상기 제 1 접합 금속층 및 상기 제 2 접합 금속층을 용융하여 접합시키는 접합 단계를 포함한다.
본 발명에 따라서, 반도체 발광 장치도 제공되며, 그 반도체 발광 장치는 발광 동작층; 상기 발광 동작층 상에 형성되고 복수의 개구부를 포함하는 반사 절연층; 상기 복수의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 상기 복수의 개구부의 각각에 매립된 콘택부; 상기 반사 절연층 및 상기 콘택부 상에 형성된 전극층; 및 상기 전극층 상에 제 1 접합 금속층이 형성되고, 상기 제 1 접합 금속층 및 지지 기판 상에 형성된 2 접합 금속층이 용융되어, 상기 전극층 및 상기 지지 기판 사이에 형성된 접합층을 포함한다.
본 발명의 반도체 발광 장치의 제조 방법 및 반도체 발광 장치에 의하면, 복수의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 개구부 내에 매립된 콘택부가 발광 동작층 상에 형성된 반사 절연층의 복수의 개구부 각각에 형성되기 때문에, 발광 동작층 및 지지 기판의 접합 계면에서의 보이드 발생이 억제된다. 또한, 본 발명에 따라서, 반도체 발광 장치의 발광 효율, 수명, 및 접합 강도의 감소가 방지될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 구조를 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
도 2는 반도체 발광 장치 (10) 의 (도 3의 2-2 선 (쇄선으로 표시) 에 따른) 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 장치 (10) 는 제 1 Pt 층 (11), 지지 기판 (12), 제 2 Pt 층 (13), Ti (티타늄) 층 (14), 접합층 (15), 제 1 전극층 (16), 제 2 전극층 (17), 제 3 전극층 (18), 제 4 전극층 (19), 콘택부 (콘택층)(20) 가 복수의 위치에서 매립된 반사 절연층 (21), 및 발광 동작층 (22) 이 순차적으로 적층되는 구조를 가진다. 선상 전극 (23) 은 발광 동작층 (22) 상에 형성된다.
지지 기판 (12) 은, 예를 들어, n-형 또는 p-형 불순물이 도핑된 실리콘 (Si) 으로 형성된 기판이다. 도핑된 불순물의 농도에 대해서는, 예를 들어, 붕소가 3×10-18cm-3 이상 (비저항: 0.02 Ω·cm 이하) 의 농도로 도핑된다. 실리콘 이외에 높은 열전도율을 가지는 전도성 물질, 예를 들어, 구리 (Cu) 등이 지지 기판 (12) 용으로 사용될 수 있다. 제 1 Pt 층 (11) 및 제 2 Pt 층 (13) 이 오믹 전극으로 사용되기 때문에, 그 필름 두께가 약 25nm (나노미터) 이상인 것이 바 람직하다. 제 1 Pt 층 (11) 및 제 2 Pt 층 (13) 의 일 함수가 지지 기판 (12) 의 일 함수보다 높기 때문에, 제 1 Pt 층 (11) 및 지지 기판 (12) 사이의 양호한 오믹 콘택과 제 2 Pt 층 (13) 및 지지 기판 (12) 사이의 양호한 오믹 콘택이 획득된다. 제 1 Pt 층 (11) 은 외부와 전기적으로 접속하기 위한 전극 역할을 한다. Ti 층 (14) 은 후술되는 제 1 Sn 흡수층의 밀착성을 증가시키기 위해 채택된 밀착층으로서 형성된다. Ti 층 (14) 의 필름 두께는, 예를 들어, 약 150nm 로 설정된다.
접합층 (15) 은 후술되는 AuSn 납땜층, 제 1 및 제 2 Au 층, 그리고 Ni 로 형성된 제 1 및 제 2 Sn 흡수층을 열 압착하여 형성된 AuSnNi 의 합금으로 형성된 층이다.
제 1 전극층 (16), 제 2 전극층 (17), 및 제 3 전극층 (18) 은 금속 원자의 확산을 방지하기 위한 배리어층으로서 형성된다. 이들 3개 층의 필름 두께는, 예를 들어, 100nm 로 설정된다. 제 1 전극층 (16) 및 제 3 전극층 (18) 의 각각은 TaN (질화 탄탈) 이 퇴적 (deposition) 된 층이다. 제 2 전극층 (17) 은 TiW (티타늄-텅스텐 합금) 이 퇴적된 층이다. 제 1 내지 제 3 전극층의 각 재료는 상술한 금속에 한정되지 않으며, 접합층을 구성하는 재료, 발광 동작층 (22) 에 직접 접속된 전극층의 재료 등에 따라서 적절히 변경될 수 있다.
발광 동작층 (22) 으로부터 입사되는 광이 반사 절연층 (21) 과의 계면에서 효율적으로 반사될 수 있는 방법으로 제 4 전극층 (19) 을 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 제 4 전극층 (19) 이 콘택부 (20) 와의 밀착성이 높은 재료로 형성 되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제 4 전극층 (19) 은 AuZn (금 및 아연으로 형성된 합금) 으로 형성된 층이다. 제 4 전극층 (19) 의 필름 두께는, 예를 들어, 200nm 로 설정된다.
반사 절연층 (21) 은 접합층 (15) 측의 발광 동작층 (22) 의 표면 상에 형성되고, 복수의 개구부를 가진다. 발광 동작층 (22) 과의 오믹 콘택을 획득하기 위한 콘택부 (20) 가 개구부에 매립된다. 콘택부 (20) 의 필름 두께는, 반사 절연층 (21) 의 개구부 (오목부) 를 평탄화하는 두께로 설정된다. 콘택부 (20) 의 두께가 반사 절연층 (21) 의 필름 두께와 동일한 것이 바람직하며, 예를 들어, 약 100nm 로 설정된다. 또한, 반사 절연층 (21) 의 개구부의 개구 면적이 감소되고, 발광 동작층 (22) 상의 반사 절연층 (21) 의 형성면 (발광 동작층 (22) 의 표면) 의 대부분이 반사 절연층 (21) 으로 커버되는 것이 바람직하다. 이것은, 발광 동작층 (22) 으로부터 발생된 광이 선상 전극 (23) 이 형성된 측면으로부터 효율적으로 방출되어, 그것에 의해 반도체 발광 장치 (10) 의 발광 효율을 상승시키는 것이 필요하기 때문이다.
상술한 두께를 가지는 콘택부 (20) 가 복수의 개구부 각각에 매립되기 때문에, 반사 절연층 (21) 의 개구부의 단차부가 제거되어, 개구부가 평탄화된다. 반사 절연층 (21) 의 개구부가 평탄화되기 때문에, 반사 절연층 (21) 상에 형성되는 제 1 전극층 (16), 제 2 전극층 (17) 및 제 3 전극층 (18) 이 평탄하게 형성된다. 또한, 상술한 복수의 층이 평탄하게 형성되기 때문에, 용융 및 고화에 의해 접합층 (15) 의 역할을 하는 복수의 금속층 (후술되는 AuSn 납땜층, Au 층, 및 Sn 흡수층) 도 또한 평탄하게 형성된다. 이로써 후술되는 AuSn 납땜층에 의한 접합시 접합 계면에서의 갭이 제거되고, 접합층 (15) 에서의 보이드 발생이 억제될 수 있다. 특히, 반사 절연층 (21) 의 개구부에 대응하는 위치에서의 보이드의 잔류가 억제될 수 있다. 반사 절연층 (21) 은, 예를 들어, SiO2 필름 (실리콘 산화물 필름) 이다. 콘택부 (20) 는 제 4 전극층 (19) 과의 밀착성의 관점에서 제 4 전극층 (19) 과 동일한 재료인 AuZn 으로 형성된 층이다. 반사 절연층 (21) 은 금속 산화물 필름에 의해 형성된 층일 수 있다. 콘택부 (20) 는 또다른 금속층이 AuZn 층 상에 적층되는 다층 구조를 가질 수도 있다.
콘택부 (20) 의 두께 및 반사 절연층 (21) 의 필름 두께가 항상 완전히 동일할 필요는 없고, 그 사이에 약 50nm 이하의 차이가 있을 수 있다. 그 경우에 있어서, 예를 들어, 콘택부 (20) 의 총 면적이 반사 절연층 (21) 의 면적보다 더 큰 경우, 콘택부 (20) 의 총 두께가 반사 절연층 (21) 의 전체 필름 두께보다 더 커지도록 콘택부 (20) 의 필름 두께가 조절될 수 있다. 콘택부 (20) 의 총 면적이 반사 절연층 (21) 의 면적보다 더 작은 경우에는, 콘택부 (20) 의 총 필름 두께가 반사 절연층 (21) 의 전체 필름 두께보다 더 작아지도록 콘택부 (20) 의 필름 두께가 조절될 수 있다. 그러한 조건이 만족될 수 있다면, 후술되는 AuSn 납땜층에 의한 접합시 접합 계면에서의 갭이 제거되고, 접합층 (15) 에서의 보이드의 발생이 억제될 수 있다.
발광 동작층 (22) 은, 복수의 반도체층이 결정 성장을 위한 기판 (이하, 성 장 기판이라 칭함) 상에 에피텍셜 성장에 의해 적층되는 구조를 가진다. 예를 들어, 발광 동작층 (22) 은 AlGaInP (알루미늄 갈륨 인듐 인) 계 화합물 반도체로 형성되고, 웰층 및 배리어층을 포함하는 다중 양자 웰 구조를 가지는 층이다. 발광 동작층 (22) 은 호모 pn 접합 구조, 더블-헤테로 구조, 또는 싱글-헤테로 구조를 가지는 층일 수 있다. 또한, 발광 동작층 (22) 은 n-형 클래드층 및 p-형 클래드층 사이에 끼워진 구조를 가질 수도 있다. 발광 동작층 (22) 은 InGaP (인듐 갈륨 인) 계 화합물 반도체로 형성된 층일 수 있다. 본 실시형태에서는, 발광 동작층 (22) 이 AlGaInP 계의 화합물 반도체로 형성된 층이라는 가정하에서 설명한다.
선상 전극 (23) 은, 예를 들어, Au 를 사용하여 형성된 전극이다. 선상 전극 (23) 은 Au 이외에 Ge (게르마늄), Sn, Ni 또는 그 합금으로 형성된 전극일 수 있다.
계속해서, 발광 동작층 (22) 상에 형성된 선상 전극 (23) 과 콘택부 (20) 사이의 위치 관계를 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 반도체 발광 장치 (10) 의 평면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본딩 패드 (31) 는 발광 동작층 (22) 상의 중심에 형성된다. 본딩 패드 (31) 에 전기적으로 접속된 격자상의 선상 전극 (23) 은 발광 동작층 (22) 상에 형성된다. 선상 전극 (23) 은, 반도체 발광 장치 (10) 의 단부로부터 소정 거리 이격된 위치에 형성된 프레임부 (23A); 및 프레임부 (23A) 의 각 측의 중심에서 본딩 패드 (31) 측으로 연장되는 접속부 (23B) 에 의해 구성된다. 상술한 형상을 가지는 선상 전극 (23) 에 의해, 발광 동작층 (22) 의 표면 영역이 4개의 사각형 블록 (22A ~ 22D) 으로 분할된다. 외부 접속 전극은 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 에 의해 구성된다.
콘택부 (20) 는 선상 전극 (23) 에 의해 형성된 4개의 블록 (22A ~ 22D) 의 중심 부분의 각각에 대응하여 반사 절연층 (21) 내에 형성된다. 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 는 콘택부 (20) 에 대응하는 영역을 둘러싸도록 발광 동작층 (22) 상에 형성된다. 즉, 콘택부 (20) 는 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 에 대향하지 않는다. 콘택부 (20) 는, 본딩 패드 (31) 를 중심축으로 하여 대칭인 위치에 형성되는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이 콘택부 (20), 선상 전극 (23), 및 본딩 패드 (31) 사이의 위치 관계로 인해, 발광 동작층 (22) 으로부터 발생된 광이 차단되지 않는다. 발광 동작층 (22) 에서 발생된 광은 효율적으로 외부로 방출될 수 있다. 즉, 반도체 발광 장치 (10) 의 발광 효율은 상술한 위치 관계에 의해 개선된다.
콘택부 (20), 선상 전극 (23), 및 본딩 패드 (31) 사이의 위치 관계는 도 4에 도시된 관계일 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 선상 전극 (23) 의 접속부 (23B) 는 선상 전극 (23) 의 프레임부 (23A) 의 4개의 정점 부분으로부터 본딩 패드 (31) 측으로 형성된다. 상술한 바와 같이, 선상 전극 (23) 의 형상으로 인해, 발광 동작층 (22) 의 표면 영역이 4개의 삼각형 블록 (22E ~ 22H) 으로 분할된다. 콘택부 (20) 는 선상 전극 (23) 에 의해 형성된 4개의 블록 (22E ~ 22H) 의 중심부 각각에 대응하여 반사 절연층 (21) 내에 형성된다. 상술한 바와 같 이 콘택부 (20), 선상 전극 (23), 및 본딩 패드 (31) 사이의 위치 관계로 인해, 콘택부 (20) 가 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 에 대향하지 않기 때문에, 발광 동작층 (22) 에서 발생된 광이 차단되지 않고 외부로 효율적으로 방출된다.
이하, 본 실시형태에 의한 반도체 발광 장치 (10) 의 제조 방법을 도 5A 내지 도 11을 참조하여 설명한다.
먼저, GaAs 기판 (51) 을 성장 기판으로 준비한다 (도 5A). 계속해서, AlGaInP 계의 화합물 반도체로 형성된 발광 동작층 (22) 을 준비된 GaAs 기판 (51) 상에 MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 방법에 의해 형성한다 (도 5B). 성장 조건은 아래와 같이 설정된다. 예를 들어, 성장 온도는 약 700℃ 로 설정되고, 성장 압력은 약 10kPa (킬로파스칼) 로 설정된다. 재료 가스로서, PH3 (포스핀), TMGa (트리메틸 갈륨), TMAl (트리메틸 알루미늄), 및 TMI (트리메틸 인듐) 이 사용된다.
계속해서, SiO2로 형성된 반사 절연층 (21) 을 발광 동작층 (22) 상에 CVD (Chemical Vapor Deposition) 방법에 의해 형성한다 (도 5C). 그 후, 반사 절연층 (21) 의 표면을 레지스트 (52) 로 코팅한다. 계속해서, 레지스트 (52) 를 포토리소그래피에 의해 패터닝한다. 또한, 패터닝된 레지스트를 마스크로 사용하여 에칭을 수행해서, 복수의 개구부 (53) 를 반사 절연층 (21) 내에 형성시킨다 (도 5D). 발광 동작층 (22) 이 개구부 (53) 에 의해 부분적으로 노출된다. 레지스트 (52) 및 반사 절연층 (21) 의 계면에서의 갭을 유발하는 오버에칭 등을 방지하기 위해서, 에칭 시간을 정밀하게 제어하는 것이 필요하다.
계속해서, 레지스트 (52) 가 반사 절연층 (21) 상에 남아있는 상태에서, AuZn 층 (54) 을 스퍼터링에 의해 노출된 발광 동작층 (22) 및 레지스트 (52) 상에 퇴적한다 (도 5E). AuZn 층 (54) 은 개구부 (53) 를 평탄화하는 두께를 가지고, AuZn 층 (54) 의 일부 (콘택부, 20) 는 개구부 (53) 에 매립된다. AuZn 층 (54) 의 필름 두께가 반사 절연층 (21) 의 필름 두께와 동일한 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이 필름 두께를 조절함으로써, 반사 절연층 (21) 및 개구부 (53) 사이의 단차부가 제거되고 개구부 (53) 가 평탄화된다. AuZn 층 (54) 이 저항 가열 증착 또는 전자 빔 증착에 의해 퇴적될 수 있다. 이 공정 단계에서, 반사 절연층 (21) 의 에칭 마스크로서 사용된 레지스트 (52) 가 남겨진 상태에서 AuZn 층 (54) 이 퇴적되기 때문에, 에칭에 의해 형성된 개구부 (53) 가 정확하게 매립될 수 있다. 또한, 포토리소그래피를 이용하는 마스크 형성 단계를 다시 수행할 필요가 없다는 이점이 있다.
계속해서, 반사 절연층 (21) 상에 남아있는 레지스트 (52) 및 레지스트 (52) 상의 AuZn 층 (54) 을 제거한다 (도 5F). 이로써 개구부 (53) 를 매립한 콘택부 (20) (AuZn 층 (54)) 의 형성이 완료된다. 개구부 (53) 가 AuZn 으로 형성된 콘택부 (20) 에 의해 매립된다. 따라서, 반사 절연층 (21) 의 표면이 평탄화되고, 그 이후에 형성된 복수의 층 (구체적으로 말하자면, 제 1 전극층 (16), 제 2 전극층 (17), 제 3 전극층 (18), 후술될 제 1 Sn 흡수층, 및 후술될 제 1 Au 층) 이 또한 평탄하게 형성된다. 후술될 AuSn 납땜층에 의한 접합시 접합 계면에서 의 갭이 이로써 제거되고 접합층 (15) 에서의 보이드의 발생이 억제될 수 있다.
콘택부 (20) 의 필름 두께 및 반사 절연층 (21) 의 필름 두께가 항상 완전히 동일할 필요는 없고, 그 사이에 약 50 nm 이하의 차이가 있을 수 있다. 그 경우에 있어서, 예를 들어, 콘택부 (20) 의 필름 두께는, 콘택부 (20) 의 총 필름 두께가 반사 절연층 (21) 의 전체 필름 두께보다 더 커지도록 조절될 수 있다. 콘택부 (20) 의 총 면적이 반사 절연층 (21) 의 면적보다 더 작은 경우에는, 콘택부 (20) 의 총 필름 두께가 반사 절연층 (21) 의 전체 필름 두께보다 더 작아지도록 콘택부 (20) 의 필름 두께가 조절될 수도 있다.
계속해서, AuZn 으로 형성된 제 4 전극층 (19) 을 스퍼터링에 의해 콘택부 (20) 및 반사 절연층 (21) 상에 형성한다 (도 6A). 제 4 전극층 (19) 은 저항 가열 증착 또는 전자 빔 증착에 의해 형성될 수 있다. 다음, TaN 으로 형성된 제 3 전극층 (18) 을 반응성 스퍼터링에 의해 AuZn 으로 형성된 제 4 전극층 (19) 상에 형성한다. 그 후, 약 500℃ 의 질소 분위기 하에서 제 3 전극층 (18) 이 형성된 GaAs 기판 (51) 에 대해 열 처리 (어닐링) 를 수행한다. 열 처리에 의해, 발광 동작층 (22) 및 콘택부 (20) 의 합금이 형성되어, 양호한 오믹 콘택이 획득된다. 계속해서, TiW 로 형성된 제 2 전극층 (17) 및 TaN 으로 형성된 제 1 전극층 (16) 을 반응성 스퍼터링에 의해 제 3 전극층 (18) 상에 순차적으로 형성한다 (도 6B).
계속해서, Ni로 형성된 제 1 Sn 흡수층 (납땜 흡수층)(61) 을 스퍼터링에 의해 제 1 전극층 (16) 상에 형성한다 (도 6C). 제 1 Sn 흡수층 (61) 이 전자 빔 증착에 의해 형성될 수 있다. 제 1 Sn 흡수층 (61) 은, 후술될 AuSn 납땜층의 용융 수행시 볼-업 (ball-up) 을 억제하고자 하는 관점에서 AuSn 납땜층에 대해 높은 납땜성 (solderability) 및 납땜 젖음성 (solder wettability) 을 가지는 것이 바람직하다. 상술한 관점에서 본 실시형태에서는, 제 1 Sn 흡수층 (61) 이 Ni 로 형성된 층이지만, Ni 층 이외에 Pt 또는 Pd (팔라듐) 으로 형성된 층일 수도 있다. Ni 로 형성된 제 1 Sn 흡수층 (61) 의 필름 두께는, 접합 계면에 보이드가 잔류하는 것을 방지하고자 하는 관점에서, 약 150nm 이상인 것이 바람직하다.
계속해서, 납땜 젖음성 향상층 역할을 하는 제 1 Au 층 (62) 을 스퍼터링에 의하여 제 1 Sn 흡수층 (61) 상에 형성한다 (도 6D). 제 1 Au 층 (62) 은, 후술되는 AuSn 납땜층에 대한 납땜 젖음성을 향상시키기 위해 형성된다. 제 1 Sn 흡수층 (61) 이 Ni로 형성된 층인 실시형태에서, 제 1 Au 층 (62) 은 Ni 층 (즉, 제 1 Sn 흡수층 (61)) 의 산화를 방지한다. 제 1 Au 층 (62) 의 필름 두께는, 예를 들어, 약 30nm 이다. 상기 단계들을 종료함으로써, 반도체 발광 구조체 (60) 의 형성을 완료한다. 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 1 Au 층 (62) 을 총칭하여 제 1 접합 금속층으로 칭한다.
계속해서, 붕소가 3 × 10-18 cm-3 이상 (비저항: 0.02 cm 이하) 의 농도로 도핑된 실리콘으로 형성된 지지 기판 (12) 을 준비한다 (도 7A). 이어서, 제 1 Pt 층 (11) 및 제 2 Pt 층 (13) 을 스퍼터링에 의해 지지 기판 (12) 의 양면에 형성한다 (도 7B). 제 1 Pt 층 (11) 및 제 2 Pt 층 (13) 을 저항 가열 증착 또는 전자 빔 증착과 같은 증착법에 의해 형성할 수 있다.
계속해서, Ti 층 (14) 을 스퍼터링법에 의해 제 2 Pt 층 (13) 상에 형성한다. 또한, Ni 로 형성된 제 2 Sn 흡수층 (71) 을 스퍼터링법에 의해 Ti 층 (14) 상에 형성한다 (도 7C). Ti 층 (14) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 은 전자 빔 증착에 의해 형성될 수 있다. 제 2 Sn 흡수층 (71) 은, 후술될 AuSn 납땜층의 용융 수행시 볼-업을 억제하고자 하는 관점에서 AuSn 납땜층에 대해 높은 납땜 젖음성을 가지는 것이 바람직하다. 상술한 관점에서 본 실시형태에서는, 제 2 Sn 흡수층 (71) 이 Ni 로 형성된 층이지만, Ni 층 이외에 Pt 또는 Pd (팔라듐) 으로 형성된 층일 수도 있다. Ni 로 형성된 제 2 Sn 흡수층 (71) 의 필름 두께는, AuSn 납땜층에 대한 납땜 젖음성을 향상시키고 볼-업을 억제하고자 하는 관점에서 약 100nm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 보이드가 전체 접합 계면에 잔류하지않도록 용융된 납땜 (후술되는 AuSn 납땜층) 의 고화 속도를 조절하는 관점에서, 그리고 후술되는 AuSn 납땜층이 다시 용융되는 것을 어렵게 하기 위해서, 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 의 총 필름 두께 (즉, Ni 의 총 필름 두께) 가 AuSn 납땜층의 필름 두께보다 0.4 배 이상만큼 크도록, 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 각각의 필름 두께를 조절하는 것이 바람직하다.
계속해서, 납땜 젖음성 향상층의 역할을 하는 제 2 Au 층 (72) 을 스퍼터링에 의해 제 2 Sn 흡수층 (71) 상에 형성한다. 또한, AuSn 납땜층 (73) 을 스퍼터링에 의해 제 2 Au 층 (72) 상에 형성한다 (도 7D). 제 2 Au 층 (72) 은 AuSn 납땜층 (73) 에 대한 납땜 젖음성을 향상시키기 위해 형성된다. 제 2 Sn 흡수층 (71) 이 Ni 로 형성된 층인 실시형태에서, 제 2 Au 층 (72) 은 Ni 층 (즉, 제 2 Sn 흡수층 (71)) 의 산화를 방지한다. 제 2 Au 층 (72) 의 두께는, 예를 들어, 약 30nm 이다. AuSn 납땜층 (73) 에서 Au 및 Sn 의 조성비는 중량비로 약 8:2 이고 원자수의 비로 약 7:3 이다. AuSn 납땜층 (73) 의 두께는, 예를 들어, 약 600nm 이다. AuSn 납땜층 (73) 에 첨가제를 첨가하여 획득된 층을 납땜층으로 형성할 수도 있다. 상술한 단계를 완료함으로써, 지지 구조체 (70) 의 형성을 완료한다. 제 2 Sn 흡수층 (71), 제 2 Au 층 (72), 및 AuSn 납땜층 (73) 을 총칭하여 제 2 접합 금속층으로 칭한다.
계속해서, 반도체 발광 구조체 (60) 의 제 1 Au 층 (62) 및 지지 구조체 (70) 의 AuSn 납땜층 (73) 을 서로 대향하여 밀착시킨다. 그 후, 밀착된 반도체 발광 구조체 (60) 및 지지 구조체 (70) 를 질소 분위기 하에서 열 압착시킨다 (도 8). 열 압착 조건은 다음과 같이 설정된다. 예를 들어, 압력은 약 1 MPa (메가파스칼) 로 설정되고, 온도는 320 ~ 370 ℃ 범위 내에 있으며, 압착 시간은 약 10분으로 설정된다. 열 압착에 의해, AuSn 납땜층 (73) 이 용융된다. 또한, 제 1 Au 층 (62) 및 제 2 Au 층 (72) 의 Au 와, 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 의 Ni 가 용융된 AuSn 납땜층 (73) 으로 용해된다. 또한, 제 1 Au 층 (62), 제 2 Au 층 (72), 및 AuSn 납땜층 (73) 에서의 Au 및 Sn 이 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 으로 확산 및 흡수된다. 또한, 용융된 AuSn 납땜층 (73) 이 고화되어, AuSnNi 로 형성된 접합층 (15) 이 형성된다 (도 9).
상술한 단계들에서, 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 이, 가열에 의해 용융된 상태에서, AuSn 납땜층 (73) 으로터 Sn 을 흡수한다. 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 은, 고화 이후의 AuSn 납땜층 (73) 내의 Sn 조성비를 용융 이전의 AuSn 납땜층 (73) 내의 Sn 조성비보다 더 작게 되도록 설정하는 성질을 가진다. 그 결과, AuSn 납땜층 (73) 의 용융점이 상승하기 때문에, AuSn 납땜층 (73) 이 다시 용융되기는 어려워진다. AuSn 납땜층 (73) 에 대해 적용되는 AuSn 납땜의 용융점 (원자수의 조성비: Au:Sn = 7:3) 은 약 280℃ 이다. Au 및 Sn 의 조성비가 증가 방향 또는 감소 방향으로 변이되더라도, 융점은 상승한다. 특히, Au의 조성비가 증가 방향으로 변이된다면, 융점의 상승 경향이 급격해진다. 제 1 Au 층 (62) 및 제 2 Au 층 (72) 이 AuSn 납땜층 (73) 보다 상대적으로 더 두껍다면, AuSn 납땜층 (73) 이 용융되는 경우, 제 1 Au 층 (62) 및 제 2 Au 층 (72) 의 Au 원자가 용융된 AuSn 납땜층 (73) 에 용해되고, 용해된 부분에서의 Au 의 조성비는 증가한다. 따라서, AuSn 납땜층 (73) 의 고화 속도가 상승하고, 접합 계면에서 발생되는 기포가 접합 계면 밖으로 토출되기 전에 AuSn 납땜층 (73) 이 고화된다. 결과적으로 보이드가 발생되는 것으로 사료된다. 제 1 Au 층 (62) 및 제 2 Au 층 (72) 이 얇다면, 제 1 Au 층 (62) 및 제 2 Au 층 (72) 이 용융된 AuSn 납땜층 (73) 으로 용해되기 때문에 발생된 Au 의 조성비에서의 상승은 지배적이지 않고, Sn 이 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 으로 흡수되기 때문에 발생된 Au 의 조성비에서의 상승은 지배적이게 된다. Sn 이 제 1 Sn 흡수층 (61) 및 제 2 Sn 흡수층 (71) 으로 흡수되는 속도는 완만 하기 때문에, 용융된 AuSn 납땜층 (73) 에서의 Au 의 조성비에서의 상승도 또한 완만하다. 이로써, AuSn 납땜층 (73) 이 고화될 때까지 필요한 시간이 길어진다. 접합 계면에서 발생된 기포가 접합 계면의 단부로 이동되고, 기포가 외부로 토출될 때까지 필요한 시간이 확보되어, 보이드 발생이 방지되는 것으로 사료된다. 제 1 Au 층 (62) 및 제 2 Au 층 (72) 의 총 두께를 AuSn 납땜층 (73) 의 필름 두께의 0.39 배 이하로 설정함으로써, 기포의 잔류가 억제되고 충분한 밀착성이 확보될 수 있다.
계속해서, 암모니아수 및 과산화수소수의 혼합액을 사용하는 웨트 에칭에 의해 GaAs 기판 (51) 을 제거한다. GaAs 기판 (51) 을 제거함으로써, 발광 동작층 (22) 의 표면이 노출된다. GaAs 기판 (51) 은 드라이 에칭, CMP (화학적 기계적 연마), 기계적 그라이딩 등에 의해 제거될 수 있다. 이어서, 발광 동작층 (22) 과 오믹 콘택을 형성하는 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 를 발광 동작층 (22) 상에 형성한다. n형 AlGaInP 가 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 와 접촉하게 되는 발광 동작층 (22) 의 표면 상에 노출된다면, 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 로 AuSnNi, AuGeNi, AuSn, 또는 AuGe 를 사용할 수 있다. 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 를 저항 가열 증착법, 전자 빔 증착법, 스퍼터링 등의 제막법 및 리프트-오프법에 의해 원하는 형상으로 형성한다. 원하는 형상은, 예를 들어, 도 10에 도시된 바와 같이, 격자상의 선상 전극 (23) 의 형상 및 선상 전극의 중앙부에 위치한 원형 본딩 패드 (31) 의 형상이다. 그 후, 약 400℃ 의 질소 분위기 하에서 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 에 대해 열 처리를 수행한 다. 열 처리에 의해, 발광 동작층 (22), 선상 전극 (23) 및 본딩 패드 (31) 의 합금이 형성되어, 양호한 오믹 콘택이 획득된다. 상기 단계들을 종료함으로써, 반도체 발광 장치 (10) 의 제조를 완료한다 (도 11).
도 12는 상술된 제조 방법에 의해 획득된 반도체 발광 장치 (10) 의 접합 계면 근방의 단면 사진을 도시한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 개구부에 대응하는 영역에 어떠한 보이드도 존재하지 않는, 양호한 접합 계면을 가지는 반도체 발광 장치 (10) 가 획득된다는 것을 알 수 있다. 반사 절연층 (21) 및 개구부의 경계 영역에 존재하는 매우 적은 수의 보이드는, 반사 절연층 (21) 이 오버에칭되는 경우 레지스트의 저부에서 야기되는 갭에 의해 발생된 보이드이다. 좁은 영역에 존재하는 매우 적은 수의 보이드는 접합 강도 및 반도체 발광 장치의 성능의 저하 문제를 일으키지 않는다. 보이드는 에칭 시간을 정밀하게 제어함으로써 제거될 수 있다.
도 12와 비교하여, 비교예-1 로서의 도 13은 반사 절연층의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지는 콘택부를 형성하는 단계가 생략된 제조 방법에 의해 제작된 반도체 발광 장치의 접합 계면 근방의 단면 사진을 도시한다. 도 13에 도시된 바와 같이, 도 13에 도시된 반도체 발광 장치에서, 접합 계면에 있어서 개구부에 대응하는 영역에 보이드가 잔류한다는 것을 알 수 있다.
도 12 및 도 13의 단면 사진에서 보이드의 면적을 비교하는 경우, 본 발명의 반도체 발광 장치 (10) 에서의 보이드 면적은 비교예-1의 반도체 발광 장치에서의 보이드 면적의 1/18 이다.
반사 절연층의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지는 콘택부를 형성하는 단계 및 Sn 흡수층 (납땜 흡수층) 을 형성하는 단계가 생략된 제조 방법에 의해 형성된 비교예-2 의 반도체 발광 장치에 있어서는, 보이드가 전체 접합 계면에서 잔류하고, 개구부에 대응하는 영역에 많은 보이드가 잔류한다.
상술한 제조 방법에서는 AuSn 납땜층 (73) 이 지지 구조체 (70) 측에만 형성되지만, AuSn 납땜층 (73) 이 반도체 발광 구조체 (60), 즉, 제 1 Au 층 (62) 상에만 형성될 수 있거나 또는 반도체 발광 구조체 (60) 및 지지 구조체 (70) 의 양 부분에 형성될 수도 있다. 반도체 발광 구조체 (60) 및 지지 구조체 (70) 는, 제 1 Au 층 (62) 및 제 2 Au 층 (72) 이 포함되지 않는 구조를 가질 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 발광 장치 (10) 및 반도체 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 개구부 (53) 를 평탄화하는 두께를 가지고 개구부 내에 매립된 콘택부 (20) 가 발광 동작층 (22) 상에 형성된 반사 절연층 (21) 의 복수의 개구부 (53) 각각에 형성되기 때문에, 발광 동작층 (22) 및 지지 기판 (12) 의 접합 계면에서의 보이드 발생이 억제된다. 본 발명에 의하면, 반도체 발광 장치의 발광 효율, 수명, 및 접합 강도의 감소가 방지될 수 있다.
이상, 바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명을 설명하였다. 많은 변형 및 변경이 당업자에 의해 용이하게 이루어질 수 있고, 모든 변형 및 변경은 본 발명의 청구항 범위 내에 포함된다.
이 출원은 일본 특허 출원 2008-213800 에 기초하며, 그 전체 내용은 본 명세서에서 참조로 통합된다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 발광 장치의 접합 이전의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 평면도.
도 4는 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 평면도.
도 5A 내지 도 5F는 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 제조 단계에 있어서의 단면도.
도 6A 내지 도 6D는 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 제조 단계에 있어서의 단면도.
도 7A 내지 도 7D는 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 제조 단계에 있어서의 단면도.
도 8은 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 제조 단계에 있어서의 단면도.
도 9는 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 제조 단계에 있어서의 단면도.
도 10은 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 제조 단계에 있어서의 평면도.
도 11은 본 발명의 실시형태에 의한 반도체 발광 장치의 제조 단계에 있어서의 단면도.
도 12는 본 발명의 실시형태에 의한 제조 방법에 의해 획득된 반도체 발광 장치의 접합 계면 근방의 단면 사진도.
도 13은 종래 기술의 제조 방법에 의해 획득된 반도체 발광 장치의 접합 계면 근방의 단면 사진도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 반도체 발광 장치
11 제 1 Pt 층
12 지지 기판
13 제 2 Pt 층
14 Ti 층
15 접합층
16 제 1 전극층
17 제 2 전극층
18 제 3 전극층
19 제 4 전극층
20 콘택부
21 반사 절연층
22 발광 동작층
23 선상 전극
Claims (13)
- 성장 기판 상에 발광 동작층을 형성하는 발광 동작층 형성 단계;상기 발광 동작층 상에 반사 절연층을 형성하는 반사 절연층 형성 단계;상기 반사 절연층 내에 복수의 개구부를 형성하는 개구부 형성 단계;상기 복수의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 상기 복수의 개구부 각각에 매립된 콘택부를 형성하는 콘택부 형성 단계;상기 반사 절연층 및 상기 콘택부 상에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;상기 전극층 상에 제 1 접합 금속층을 형성하는 접합 금속층 형성 단계;표면에 제 2 접합 금속층이 형성된 지지 기판을 준비하는 지지 기판 준비 단계; 및상기 제 1 접합 금속층 및 상기 제 2 접합 금속층을 용융하여 접합시키는 접합 단계를 포함하고,상기 콘택부 형성 단계에서,상기 콘택부의 총 면적이 상기 반사 절연층의 면적보다 더 큰 경우,상기 콘택부의 총 필름 두께가 상기 반사 절연층의 전체 필름 두께보다 더 커지도록 상기 콘택부의 필름 두께가 조절되는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
- 성장 기판 상에 발광 동작층을 형성하는 발광 동작층 형성 단계;상기 발광 동작층 상에 반사 절연층을 형성하는 반사 절연층 형성 단계;상기 반사 절연층 내에 복수의 개구부를 형성하는 개구부 형성 단계;상기 복수의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 상기 복수의 개구부 각각에 매립된 콘택부를 형성하는 콘택부 형성 단계;상기 반사 절연층 및 상기 콘택부 상에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;상기 전극층 상에 제 1 접합 금속층을 형성하는 접합 금속층 형성 단계;표면에 제 2 접합 금속층이 형성된 지지 기판을 준비하는 지지 기판 준비 단계; 및상기 제 1 접합 금속층 및 상기 제 2 접합 금속층을 용융하여 접합시키는 접합 단계를 포함하고,상기 콘택부 형성 단계에서,상기 콘택부의 총 면적이 상기 반사 절연층의 면적보다 더 작은 경우,상기 콘택부의 총 필름 두께가 상기 반사 절연층의 전체 필름 두께보다 더 작아지도록 상기 콘택부의 필름 두께가 조절되는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 접합 금속층 및 상기 제 2 접합 금속층 각각이 납땜 (solder) 흡수층을 가지고, 상기 제 1 접합 금속층 및 상기 제 2 접합 금속층 중 적어도 하나가 상기 납땜 흡수층 상에 제공되는 납땜층을 가지는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 접합 단계 이후 상기 성장 기판을 제거하는 제거 단계; 및상기 성장 기판의 제거에 의해 노출된 상기 발광 동작층의 표면 상에 위치하고 상기 콘택부에 대응하는 영역을 둘러싸도록 외부 접속 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 더 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 외부 접속 전극은,상기 노출된 표면 상의 중앙부에 위치한 본딩 패드; 및상기 본딩 패드를 둘러싸고 상기 본딩 패드에 접속된 격자상의 선상 (line) 전극을 포함하는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 개구부 형성 단계에서는, 상기 개구부가 포토리소그래피에 의해 형성되고,상기 콘택부 형성 단계에서는, 상기 포토리소그래피로 형성된 레지스트를 그대로 남긴채, 상기 콘택부가 형성되는, 반도체 발광 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 발광 동작층;상기 발광 동작층 상에 형성되고 복수의 개구부를 포함하는 반사 절연층;상기 복수의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 상기 복수의 개구부의 각각에 매립된 콘택부;상기 반사 절연층 및 상기 콘택부 상에 형성된 전극층; 및상기 전극층 상에 제 1 접합 금속층이 형성되고, 상기 제 1 접합 금속층 및 지지 기판 상에 형성된 2 접합 금속층이 용융되어, 상기 전극층 및 상기 지지 기판 사이에 형성된 접합층을 포함하고,상기 콘택부의 총 면적이 상기 반사 절연층의 면적보다 더 큰 경우,상기 콘택부의 총 필름 두께가 상기 반사 절연층의 전체 필름 두께보다 더 큰, 반도체 발광 장치.
- 발광 동작층;상기 발광 동작층 상에 형성되고 복수의 개구부를 포함하는 반사 절연층;상기 복수의 개구부를 평탄화하는 두께를 가지고 상기 복수의 개구부의 각각에 매립된 콘택부;상기 반사 절연층 및 상기 콘택부 상에 형성된 전극층; 및상기 전극층 상에 제 1 접합 금속층이 형성되고, 상기 제 1 접합 금속층 및 지지 기판 상에 형성된 2 접합 금속층이 용융되어, 상기 전극층 및 상기 지지 기판 사이에 형성된 접합층을 포함하고,상기 콘택부의 총 면적이 상기 반사 절연층의 면적보다 더 작은 경우,상기 콘택부의 총 필름 두께가 상기 반사 절연층의 전체 필름 두께보다 더 작은, 반도체 발광 장치.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 제 1 접합 금속층 및 상기 제 2 접합 금속층 각각이 납땜 흡수층을 가지고, 상기 제 1 접합 금속층 및 상기 제 2 접합 금속층 중 적어도 하나가 상기 납땜 흡수층 상에 제공된 납땜층을 가지는, 반도체 발광 장치.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 콘택부는 상기 전극층과 동일한 금속을 포함하는, 반도체 발광 장치.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 콘택부는 AuZn 으로 형성되는, 반도체 발광 장치.
- 삭제
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