KR101552937B1 - 반도체 기판의 수분 제거 방법 및 이를 이용한 원자층 증착방법 - Google Patents

반도체 기판의 수분 제거 방법 및 이를 이용한 원자층 증착방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판 상에 흡착되거나 결합된 수분(H2O)를 제거하는 반도체 기판의 수분 제거 방법 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 상기 반도체 기판의 표면을 화학 용매와 접촉시키는 단계; 및 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 제거하는 단계를 포함하는 수분 제거 방법 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다. 본 발명의 수분 제거 방법을 이용하면, 반도체 기판으로부터 수분을 충분히 제거할 수 있기 때문에 우수한 성능의 반도체 소자를 제조할 수 있게 된다.
원자층 증착 방법, 수분, 제거, 화학 용매, 수소 결합

Description

반도체 기판의 수분 제거 방법 및 이를 이용한 원자층 증착 방법{Method of removing water from semiconductor substrate and method of atomic layer deposition using the same}
본 발명은 반도체 기판의 수분 제거 방법 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 반도체 공정에 있어서 반도체 기판으로부터 수분을 충분히 제거할 수 있는 수분 제거 방법과 반도체 기판으로부터 수분을 충분히 제거함으로써 우수한 성능의 반도체 소자를 제조할 수 있는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
반도체 공정 중 반도체 기판에 대하여 물을 사용하는 경우가 있으며, 상기 반도체 기판에 대하여 물을 사용한 후에 상기 반도체 기판으로부터 물을 퍼지(purge)하여 제거하는 것이 매우 중요하다. 만일, 상기 반도체 기판으로부터 물을 충분히 제거하지 못한다면, 예상치 못한 부반응으로 인하여 반도체 소자의 성능에 악영향을 미칠 수 있다.
그런데, 물은 화학 흡착 또는 수소결합을 통해 반도체 기판과 비교적 강하게 결합하여 일반적인 기체 퍼지 방법으로는 충분히 제거되지 않는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 기술적 과제는 반도체 공정에 있어서 반도체 기판으로부터 수분을 충분히 제거할 수 있는 수분 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 기술적 과제는 반도체 기판으로부터 수분을 충분히 제거함으로써 우수한 성능의 반도체 소자를 제조할 수 있는 원자층 증착 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 첫 번째 기술적 과제를 이루기 위하여, 반도체 기판 상에 흡착되거나 결합된 수분(H2O)를 제거하는 수분 제거 방법에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면을 화학 용매와 접촉시키는 단계; 및 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 제거하는 단계를 포함하는 수분 제거 방법을 제공한다.
특히, 상기 화학 용매는 R1OH, R2OR3, R4COR5, NR6R7R8으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다. 여기서, R1, R2 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 8의 아릴기, 탄소수 2 내지 6의 비닐기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 6의 알콕시알킬기, 및 아미노기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고, R3, R5, R6, R7, 및 R8은 각각 독립적으로 수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 8의 아릴기, 탄소수 2 내지 6의 비닐기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 6의 알콕시알킬기, 및 아미노기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고, R2와 R3, R4와 R5, 또는 R6 내지 R8의 어느 둘은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
특히, 상기 접촉시키는 단계는 80 ℃ 내지 300 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 또한, 상기 수분 제거 방법은 상기 접촉시키는 단계 이전 또는 이후에 퍼지(purge) 가스를 이용하여 퍼지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 퍼지 가스는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 및 질소(N2) 가스로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
또, 상기 수분 제거 방법에 있어서 상기 화학 용매를 제거하는 단계는 대기압보다 낮은 절대 압력에서 수행될 수 있다. 또, 상기 수분 제거 방법을 수행함에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 수분 사이의 결합력보다 상기 화학 용매와 상기 수분 사이의 결합력이 더 강하도록 구성할 수 있다.
또한, 상기 수분 제거 방법에 있어서 상기 반도체 기판의 표면을 화학 용매와 접촉시키는 단계는 대기압보다 낮은 절대 압력에서 수행될 수 있다.
특히, 상기 화학 용매는 1-부탄올, 1-펜탄올, 에탄올, 프로판올, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸케톤, 디메틸에테르, 트리메틸아민, 에틸렌옥사이드, 2-부탄 알, 디이소부틸아민, 및 피롤리딘으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
본 발명은 상기 두 번째 기술적 과제를 이루기 위하여, 반도체 기판 상에 원자층 증착(ALD: atomic layer deposition) 공정의 산화제로서 물을 공급하는 단계; 상기 반도체 기판의 표면을 화학 용매와 접촉시키는 단계; 및 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 제거하는 단계를 포함하는 원자층 증착 방법을 제공한다.
본 발명의 수분 제거 방법을 이용하면, 반도체 기판으로부터 수분을 충분히 제거할 수 있기 때문에 우수한 성능의 반도체 소자를 제조할 수 있게 된다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 구현예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 구현예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 구현예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 구현예는 반도체 기판 상에 흡착되거나 결합된 수분(H2O)를 제거하는 수분 제거 방법에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면을 화학 용매와 접촉시 키는 단계; 및 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 제거하는 단계를 포함하는 수분 제거 방법을 제공한다.
상기 화학 용매(chemical solvent)는 비록 "용매"라는 표현을 사용하였지만, 여기서는 용질을 용해시키는 용매로서 사용되는 경우와 물질을 분산시키는 분산매로서 사용되는 경우를 모두 포괄하는 것으로 정의한다. 또한, 상기 화학 용매는 온도와 압력 조건에 따라 액체 상태로 이용될 수도 있고 기체 상태로 이용될 수도 있다.
물은 반도체 공정, 특히 원자층 증착 공정(ALD: atomic layer deposition)에 있어서 산화제로서 이용되는 등 여러 용도로 이용될 수 있다. 한편, 앞서 설명한 바와 같이 물을 사용한 후 후속 공정을 수행하고자 할 때 반도체 기판으로부터 물을 충분히 제거하지 않으면 예상치 못한 부반응으로 인하여 반도체 소자의 성능에 악영향을 미칠 수 있다.
상기 반도체 기판 상에는 수분이 흡착되거나 결합되어 있을 수 있다. 상기 기판 상에 수분이 흡착된 경우는 수분이 물리흡착(physisorption)되어 있거나 화학흡착(chemisorption)되어 있을 수 있다. 또한, 상기 기판에 수분이 결합되어 있는 경우는 수분이 상기 반도체 기판과 수소 결합을 이루고 있을 것으로 추측된다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 반도체 기판 상에 수분이 흡착 및/또는 결합되는 것은 ALD 공정에서 물을 산화제로 사용한 결과일 수 있다. 다시 말해, 상기 반도체 기판의 표면을 화학 용매와 접촉시키는 단계 이전에 상기 반도체 기판 상에 ALD 공정의 산화제로서 물을 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 기판의 표면과 접촉시키는 화학 용매는 R1OH, R2OR3, R4COR5, NR6R7R8으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다. 여기서, R1, R2 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 8의 아릴기, 탄소수 2 내지 6의 비닐기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 6의 알콕시알킬기, 및 아미노기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고, R3, R5, R6, R7, 및 R8은 각각 독립적으로 수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 8의 아릴기, 탄소수 2 내지 6의 비닐기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 6의 알콕시알킬기, 및 아미노기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고, R2와 R3, R4와 R5, 또는 R6 내지 R8의 어느 둘은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
보다 구체적으로 살펴보면 상기 화학 용매는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 2-메틸-1-프로판올, 1-부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, 이소부탄올, 1-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 2-메틸-2-부탄올, 2,2-디메틸-1-프로판올, 3-펜탄올, 2-펜탄올, 3-메틸-2-부탄올, 및 2-메틸-2-부탄올, 시클로헥산올, 디시클로헥산올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-(메톡시메톡시)에탄올, 2-이소프로폭시에탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올과 같은 알코올 류일 수 있다.
또한, 상기 화학 용매는 디메틸 에테르, 메틸에틸 에테르, 디에틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 부틸 에테르, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 비스(2-에톡시에틸)에테르, 이소펜틸 에테르, 디비닐에테르, 에틸렌 옥사이드, 테트라하이드로퓨란, 프로필렌 옥사이드, 페닐 에테르와 같은 에테르계 또는 에폭사이드계 물질일 수 있다.
또한, 상기 화학 용매는 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 에탄알, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 프로판알, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 부탄알, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 2-부탄알과 같은 알데히드류 물질; 또는 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 시클로헥산온, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 프로판온, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 부탄온, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 2-펜탄온, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 아세토페논, 할로겐족 원소로 치환되거나 치환되지 않은 벤조페논과 같은 케톤류 물질;일 수 있다.
상기 화학 용매는 암모니아, 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 프로필아민, 디에틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸에틸프로필아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민, 펜틸아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디펜틸아민, 트리-n-부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-sec-부틸아민, 트리펜틸아민, 트리시클로펜틸아민, 트리헥실아민, 시클로펜틸아민, 디시클로펜틸아민, 시클로헥실아민, 피롤리딘(pyrrolidine), 피리딘(pyridine), 피페리딘(piperidine), 아닐린과 같은 아민계 물질일 수 있다.
상기 화학 용매는, 상기 화학 용매와 상기 수분 사이의 결합력이 상기 반도체 기판과 상기 수분 사이의 결합력보다 더 강하게 되도록 선택될 수 있다.
상기 화학 용매를 상기 반도체 기판의 표면과 접촉시키는 방법은, 예를 들면, 반도체 기판 상에 화학 용매를 스핀코팅하여 접촉시킬 수도 있고, 반도체 기판을 화학 용매에 침지시켜 접촉시킬 수도 있고, 반도체 기판의 표면 주위로 상기 화학 용매의 벌크 흐름을 조성하여 접촉시킬 수도 있다. 그러나, 상기 접촉 방법은 이러한 방법들에 한정되지 않는다. 선택적으로, 상기 화학 용매는 상기 반도체 기판의 표면과 접촉할 때 기체 상태로 접촉할 수도 있다. 상기 화학 용매가 기체 상태로 상기 반도체 기판의 표면과 접촉할 때에는 상기 반도체 기판의 표면 주위에 상기 화학 용매의 증기로 이루어진 분위기(atmosphere)를 형성해 줄 수 있다.
반도체 기판의 표면이 상기 화학 용매와 접촉하는 시간은, 예를 들면, 30초 내지 10분일 수 있다.
또한, 상기 화학 용매에 상기 반도체 기판을 접촉시키는 단계는 80 ℃ 내지 300 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 이와 같이 상승된 온도에서 접촉시킴으로써 반도체 기판 표면에 흡착 또는 결합되어 있는 수분이 더 잘 분리될 수 있다.
또한, 상기 화학 용매에 상기 반도체 기판을 접촉시키는 단계는 대기압보다 낮은 절대압력에서 수행될 수 있다. 상기 화학 용매에 상기 반도체 기판을 접촉시키는 압력은, 예를 들면, 1 Torr 내지 200 Torr의 범위에서 수행될 수 있다. 다 만, 상기 압력 범위가 너무 높으면 증가된 낮은 절대기압으로 인한 수분 제거 효과가 약화될 수 있고 상기 압력 범위가 너무 낮으면 경제적으로 불리하다.
또한, 상기 접촉시키는 단계의 이전 및/또는 이후에 퍼지(purge) 가스를 이용하여 퍼지하는 단계를 더 포함할 수 있는데, 상기 퍼지 가스는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 및 질소(N2) 가스로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
상기한 바와 같이, 화학 용매를 상기 반도체 기판과 접촉시킨 다음 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 제거할 수 있다. 상기 화학 용매는 상기 반도체 기판에 흡착 및/또는 결합되어 있던 수분을 상기 반도체 기판으로부터 제거하여 포함하고 있을 수 있다. 상기 반도체 기판 상에 화학 용매를 스핀코팅하여 접촉시키는 경우는 상기 화학 용매를 상기 반도체 기판의 표면으로부터 제거하기 위하여 상기 화학 용매의 공급을 중단한 채 상기 반도체 기판을 소정 시간 회전시키는 방법을 이용할 수 있다. 상기 반도체 기판을 화학 용매에 침지시켜 접촉시키거나, 또는 반도체 기판의 표면 주위로 상기 화학 용매의 벌크 흐름을 조성하여 접촉시키는 경우는 화학 용매로부터 반도체 기판을 꺼내거나 상기 반도체 기판의 표면 주위에 조성되었던 화학 용매의 벌크 흐름을 차단하는 방법을 이용할 수 있다.
또한, 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 더욱 완전히 제거하기 위하여 상기 화학 용매를 제거하는 단계를 대기압보다 낮은 절대 압력에서 수 행할 수 있다. 예를 들면, 상기 화학 용매를 제거하는 단계는 대기압보다 낮은 0.01 기압 내지 0.8 기압의 범위의 절대 압력에서 수행될 수 있다.
또한, 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 더욱 완전히 제거하기 위하여 퍼지 가스를 이용하여 퍼지하는 단계를 더 포함할 수 있다. 절대 압력을 낮추는 장치는 종종 고가의 설비를 요구하는데, 퍼지 가스를 분사하여 화학 용매의 분압을 낮춤으로써 절대 압력을 낮추는 것과 유사한 효과를 얻는 것이 가능하기 때문에 화학 용매의 보다 완전한 제거에 도움이 될 수 있다. 상기 퍼지 가스는, 예를 들면, 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 및 질소(N2) 가스로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
또한, 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 더욱 완전히 제거하기 위하여 상기 화학 용매를 제거하는 단계를 대기압보다 낮은 절대압력에서 수행하는 단계와 퍼지 가스를 이용하여 퍼지하는 단계를 동시에 수행하거나 순차적으로 수행할 수도 있다. 상기 두 단계를 순차적으로 수행하는 경우는 상기 두 단계를 각각 2회 이상 순차적으로 반복 수행할 수 있다.
상기한 바와 같은 방법을 통해 반도체 기판의 표면으로부터 수분을 충분히 제거하는 것이 가능하다. 상기한 바와 같은 방법으로 수분이 충분히 제거되는 원리는 도 1에 나타낸 바와 같은 원리에 의해 제거되는 것으로 추정되지만 본 발명이 이러한 원리나 이론에 한정되는 것은 아니다.
도 1을 참조하면, 기판 표면에 물 분자가 흡착 또는 결합되어 있을 수 있는 데, 이러한 물 분자를, 예를 들면 R-OH의 화학식을 갖는 하나 이상의 화학 용매 분자가 포획하고, 상기 물 분자와 반도체 기판 사이의 결합력보다 상기 물 분자와 화학 용매 분자 사이의 결합력이 더 커서 상기 물 분자를 반도체 기판으로부터 분리하는 것일 수 있다.
특히, 물 분자와 화학 용매 분자 사이의 강력한 결합은 물 분자의 수소 원자와 화학 용매 분자 내에 존재하는 산소 원자 또는 질소 원자가 형성하는 강력한 수소 결합에 기인하는 것으로 추정된다. 그러나, 본 발명이 이러한 원리 또는 이론에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 수분 제거 방법을 원자층 증착(ALD: atomic layer deposition) 방법의 수행에 응용할 수 있다.
즉, 반도체 기판 상에 ALD 공정을 이용하여 증착하고자 하는 금속 원소의 전구체를 이용하여 상기 금속 원소의 층을 형성한 후, 상기 ALD 공정의 산화제로서 물을 수증기의 형태로 공급할 수 있다. 이어서, 위에서 설명한 수분 제거 방법을 수행할 수 있다.
이와 같이 함으로써, ALD 공정에서 물이 사용된 경우 물을 반도체 기판으로부터 효과적으로 제거하는 것이 가능하다. 여기에서는 물이 산화제로서 사용된 경우에 관하여 설명하였지만 물이 산화제로서 사용되지 않고 다른 용도로 사용되었더라도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 가지고 본 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 단지 본 발명을 보다 명확하게 이해시키기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
본 발명의 실시예에 따른 수분 제거 방법을 시험하기 위하여 도 2에 나타낸 바와 같은 실험 장치(100)를 구현하였다.
도 2를 참조하면 테스트 튜브(110)의 일측에 탈이온수 공급라인(101), 아르곤 가스 공급라인(102) 및 화학 용매 공급라인(103)이 이들 유체들의 흐름을 단속할 수 있는 밸브들과 함께 각각 연결되어 구비된다. 도 3은 상기 테스트 튜브(110)를 나타낸 사시도이다. 상기 테스트 튜브(110)는 스테인레스 스틸 소재로 제작되었으며, 내부에 물, 불활성 가스 및/또는 화학 용매를 통과시킨 후 진공 실험을 수행함으로써 테스트 튜브(110)의 내부 표면에 흡착 및/또는 결합된 분자의 존재 여부를 알 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 상기 테스트 튜브(110)의 주위에는 상기 테스트 튜브(110) 및 그 내부의 온도를 상승 및 유지시킬 수 있는 가열 장치(160)가 구비된다. 상기 테스트 튜브(110)의 타측에는 테스트 튜브(110) 내의 액체들을 제거할 수 있는 트랩부(120)가 구비되고, 상기 트랩부(120)와 병렬적으로 상기 테스트 튜브(110) 내의 기체를 제거하는 기체 제거 라인(104)이 구비된다. 상기 트랩부(120)에는 액체를 원활하게 제거할 수 있도록 제 1 로터리 펌프(rotary pump)(152)가 구비된다.
상기 기체 제거 라인(104)에는 압력 게이지(130)가 구비된다. 또한, 상기 기체 제거 라인(104)의 말단부에는 진공 상태를 조성하기 위한 펌프들(140, 154)이 연결된다. 상기 기체 제거 라인(104) 내에 진공 상태를 조성하기 위하여 제 2 로터리 펌프(154)에 의하여 1차 진공이 형성되고, 상기 제 2 로터리 펌프(154)에 직 렬적으로 연결된 터보 분자 펌프(TMP: turbo molecular pump)(140)에 의하여 상기 1차 진공보다 더 높은 고진공의 2차 진공이 형성된다.
<비교예 1>
우선 레퍼런스 압력 프로파일을 얻기 위하여 테스트 튜브(110) 내에 물이나 화학 용매를 접촉시키지 않은 상태에서 제 2 로터리 펌프(154)를 가동하여 상기 테스트 튜브(110) 내에 1차 진공을 형성하고, 상기 테스트 튜브(110) 내의 압력이 9 Pa에 도달한 시점으로부터 대략 4분여가 경과한 후에 TMP(140)를 작동하여 상기 테스트 튜브(110) 내에 2차 진공을 형성하였다. 이러한 과정에서 상기 테스트 튜브(110) 내의 압력은 상기 압력이 9 Pa이 되는 시점으로부터 압력(130) 게이지에 의하여 측정되었다.
그 결과 도 5의 그래프에 나타낸 바와 같은 레퍼런스 압력 프로파일을 얻을 수 있었다(도 5의 선들 중 가장 하부에 위치하는 선이 레퍼런스 압력 프로파일임).
<비교예 2>
테스트 튜브(110) 내에 물을 통과시킨 경우 물이 테스트 튜브(110) 내에 흡착 또는 결합되는 양상을 알아보기 위하여 도 4a에 나타낸 절차에 따라 비교 실험을 수행하였다.
우선, 테스트 튜브(110) 내에 물을 충전하고(S101), 트랩부(120)를 통하여 물을 제거하고, 불활성 기체인 아르곤 가스를 이용하여 테스트 튜브(110)의 내부를 5초간 퍼지하였다(S102). 그런 다음, 상기 테스트 튜브(110)를 100 ℃로 가열하고(S103), 다시 아르곤 가스를 이용하여 테스트 튜브(110)의 내부를 30초간 퍼지하 였다(S104).
그런 후, 상기 테스트 튜브(110)의 내부에 진공을 형성하였다(S110). 상기 테스트 튜브(110)의 내부에 진공을 형성하는 단계(S110)는 두 개의 서브 단계들(S105, S106)으로 이루어지는데, 우선 제 2 로터리 펌프(154)에 의하여 1차 진공을 형성하고(S105), 소정 시간이 경과한 후 TMP 펌프(140)에 의하여 상기 1차 진공보다 고도의 진공인 2차 진공을 형성하였다(S106). 상기 진공을 형성하는 과정에서 상기 테스트 튜브(110)의 내부 압력을 상기 압력 게이지(130)를 이용하여 측정하였다(S120).
그 결과, 도 5의 그래프에 나타낸 바와 같은 시간에 따른 압력 프로파일을 얻을 수 있었다(도 5의 선들 중 가장 상부에 위치하는 선이 비교예 1의 압력 프로파일임). 구체적으로 살펴보면, 1차 진공 및 2차 진공을 형성하더라도 상기 테스트 튜브(110)의 내부 압력이 레퍼런스 압력 프로파일과 큰 차이를 보이는데, 이는 상기 테스트 튜브(110)의 내부에 흡착 또는 결합되어 있던 물 분자가 탈착 또는 분리됨으로써 조성되는 수증기 분압으로 인한 것으로 판단된다.
따라서, 상기 테스트 튜브(110) 내부에는 상당량의 물이 흡착되어 있고 불활성 기체의 퍼지와 진공을 가해주어도 잘 제거되지 않음을 알 수 있다.
<실시예 1>
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 수분 제거 효과를 테스트하기 위한 절차를 나타낸다. 도 4b를 참조하면, 우선, 테스트 튜브(110) 내에 물을 충전하고(S201), 트랩부(120)를 통하여 물을 제거하고, 불활성 기체인 아르곤 가스를 이 용하여 테스트 튜브(110)의 내부를 5초간 퍼지하였다(S202). 그런 다음, 상기 테스트 튜브(110)를 100 ℃로 가열하고(S203), 1-부탄올 액체를 상기 테스트 튜브(110) 내에 통과시킨 후, 상기 1-부탄올 액체를 상기 트랩부(120)를 통하여 제거하였다(S204). 그런 후, 다시 아르곤 가스를 이용하여 테스트 튜브(110)의 내부를 30초간 퍼지하였다(S105).
그런 후, 상기 테스트 튜브(110)의 내부에 진공을 형성하였다(S210). 상기 테스트 튜브(110)의 내부에 진공을 형성하는 단계(S210)는 두 개의 서브 단계들(S206, S207)으로 이루어지는데, 우선 제 2 로터리 펌프(154)에 의하여 1차 진공을 형성하고(S206), 소정 시간이 경과한 후 TMP 펌프(140)에 의하여 상기 1차 진공보다 고도의 진공인 2차 진공을 형성하였다(S207). 상기 진공을 형성하는 과정에서 상기 테스트 튜브(110)의 내부 압력을 상기 압력 게이지(130)를 이용하여 측정하였다(S220).
그 결과, 도 5의 그래프에 나타낸 바와 같은 시간에 따른 압력 프로파일을 얻을 수 있었다(도 5의 선들 중 1차 진공 영역에 있어서 아래로부터 두 번째에 위치하는 선이 실시예 1의 압력 프로파일임). 구체적으로 살펴보면, 1차 진공을 형성할 때는 테스트 튜브(110)의 내부 표면에 흡착 또는 결합되어 있던 분자들이 탈착 또는 분리됨으로써 형성되는 분압으로 인해 레퍼런스 압력 프로파일에 충분히 접근하지 못하였으나, 2차 진공을 가함에 따라 상기 레퍼런스 압력 프로파일에 신속히 수렴하는 것을 알 수 있었다. 이는 테스트 튜브(110)의 내부 표면에 흡착되어 있는 분자가 거의 없음을 의미한다.
따라서, 상기 테스트 튜브(110) 내부에 흡착 또는 결합되어 있던 물 분자가 1-부탄올에 의하여 거의 모두 제거됨을 알 수 있다.
<실시예 2>
1-부탄올 대신 1-펜탄올을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 5에 나타내었다.
도 5에서 보는 바와 같이, 1-펜탄올의 경우 2차 진공 영역에서 1-부탄올보다 더 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 3>
1-부탄올 대신 IPA(isopropyl alcohol)을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 6에 나타내었다.
도 6에서 보는 바와 같이, IPA의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 4>
1-부탄올 대신 에탄올을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 6에 나타내었다.
도 6에서 보는 바와 같이, 에탄올의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 5>
1-부탄올 대신 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 7에 나타내었다.
도 7에서 보는 바와 같이, NMP의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 6>
1-부탄올 대신 디메틸케톤을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 7에 나타내었다.
도 7에서 보는 바와 같이, 디메틸케톤의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 7>
1-부탄올 대신 디메틸에테르를 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 8에 나타내었다.
도 8에서 보는 바와 같이, 디메틸에테르의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 8>
1-부탄올 대신 트리메틸아민을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 8에 나타내었다.
도 8에서 보는 바와 같이, 트리메틸아민의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 9>
1-부탄올 대신 에틸렌옥사이드를 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 9에 나타내었다.
도 9에서 보는 바와 같이, 에틸렌옥사이드의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 10>
1-부탄올 대신 2-부탄알(2-butanal)을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 9에 나타내었다.
도 9에서 보는 바와 같이, 2-부탄알의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 11>
1-부탄올 대신 디이소부틸아민을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 10에 나타내었다.
도 10에서 보는 바와 같이, 디이소부틸아민의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
<실시예 12>
1-부탄올 대신 피롤리딘(pyrrolidine)을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 테스트를 수행하고 그 결과를 도 10에 나타내었다.
도 10에서 보는 바와 같이, 피롤리딘의 경우 2차 진공 영역에서 매우 강력한 물 제거 효과를 나타냄을 알 수 있었다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명 을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 반도체 제조 산업에 있어서, 증착 공정 분야에 유용하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 것으로 추정되는 수분 제거 원리를 나타낸 모식도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 수분 제거 효과를 시험하기 위한 장치를 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 수분 제거 효과를 시험하기 위한 테스트 튜브를 나타낸 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 수분 제거 효과를 테스트하기 위한 절차를 나타낸 순서도이다.
도 5 내지 10은 각각 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 수분 제거 효과를 테스트한 결과를 나타낸 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101: 탈이온수 공급라인 102: 아르곤 가스 공급라인
103: 화학 용매 공급 라인 104: 기체 제거 라인
110: 테스트 튜브 120: 트랩부
130: 압력 게이지 140: 터보 분자 펌프
152, 154: 제 1 로터리 펌프, 제 2 로터리 펌프
160: 가열 장치

Claims (10)

  1. 반도체 기판 상에 흡착되거나 결합된 수분(H2O)를 제거하는 수분 제거 방법에 있어서,
    상기 반도체 기판의 표면을 80 ℃ 내지 300 ℃의 온도에서 화학 용매와 접촉시키는 단계; 및
    대기압보다 낮은 절대 압력에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 제거하는 단계;
    를 포함하는 수분 제거 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학 용매가 R1OH, R2OR3, R4COR5, NR6R7R8으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 수분 제거 방법.
    (여기서, R1, R2 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 8의 아릴기, 탄소수 2 내지 6의 비닐기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 6의 알콕시알킬기, 및 아미노기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고,
    R3, R5, R6, R7, 및 R8은 각각 독립적으로 수소, 할로겐기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 6 내지 8의 아릴기, 탄소수 2 내지 6의 비닐기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 2 내지 6의 알콕시알킬기, 및 아미노기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있고,
    R2와 R3, R4와 R5, 또는 R6 내지 R8의 어느 둘은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있음)
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉시키는 단계 이전 또는 이후에 퍼지(purge) 가스를 이용하여 퍼지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수분 제거 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 퍼지 가스가 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 및 질소(N2) 가스로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 수분 제거 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판과 상기 수분 사이의 결합력보다 상기 화학 용매와 상기 수분 사이의 결합력이 더 강한 것을 특징으로 하는 수분 제거 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 표면을 화학 용매와 접촉시키는 단계가 대기압보다 낮은 절대 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수분 제거 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학 용매가 1-부탄올, 1-펜탄올, 에탄올, 프로판올, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸케톤, 디메틸에테르, 트리메틸아민, 에틸렌옥사이드, 2-부탄알, 디이소부틸아민, 및 피롤리딘으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 수분 제거 방법.
  10. 반도체 기판 상에 원자층 증착(ALD: atomic layer deposition) 공정의 산화제로서 물을 공급하는 단계;
    상기 반도체 기판의 표면을 80 ℃ 내지 300 ℃의 온도에서 화학 용매와 접촉시키는 단계; 및
    대기압보다 낮은 절대 압력에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 화학 용매를 제거하는 단계;
    를 포함하는 원자층 증착 방법.
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JP5384852B2 (ja) * 2008-05-09 2014-01-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

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