KR101523453B1 - 하전 입자선 장치 - Google Patents

하전 입자선 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101523453B1
KR101523453B1 KR1020137019802A KR20137019802A KR101523453B1 KR 101523453 B1 KR101523453 B1 KR 101523453B1 KR 1020137019802 A KR1020137019802 A KR 1020137019802A KR 20137019802 A KR20137019802 A KR 20137019802A KR 101523453 B1 KR101523453 B1 KR 101523453B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
value
sample
voltage
charged particle
irradiation
Prior art date
Application number
KR1020137019802A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130111617A (ko
Inventor
히로유끼 마쯔이
오사무 고무로
마꼬또 니시하라
자오후이 쳉
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Publication of KR20130111617A publication Critical patent/KR20130111617A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101523453B1 publication Critical patent/KR101523453B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0041—Neutralising arrangements
    • H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/047—Changing particle velocity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

하전 입자선 장치에 새롭게 다른 장치를 탑재하는 일 없이, 시료의 하전 입자선의 조사 영역에 생기는 대전을 고속으로 제전하는 방법을 제공한다. 시료의 측정을 위해 하전 입자선을 조사한 후, 다음의 측정을 행하기 전의 단계에 있어서, 리타딩 전압 또는／및 가속 전압을 조정하고, 리타딩 전압의 값과 가속 전압의 값의 차가, 측정시보다도 작게 함으로써 제전을 행하도록 제어한다. 하전 입자선 장치에 다른 장치를 탑재하는 일 없이, 시료의 하전 입자선의 조사 영역에 생기는 대전을 제전할 수 있으므로, 처리량을 저하시키는 일 없이 제전이 가능해진다.

Description

하전 입자선 장치{CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS}
본 발명은, 하전 입자선 장치에 관한 것으로, 특히 시료 표면의 대전을 제거하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
전자선이나 이온 빔 등의 하전 입자선을 사용하여 시료를 관찰, 측정, 가공을 행하는 장치로서는, 주사형 전자 현미경(SEM)이나 집속 이온 빔(FIB)이 있다. 이들 장치는 하전 입자선을 시료상에 조사하고, 시료로부터 발생하는 2차 하전 입자를 검출함으로써, 시료의 표면 형상을 반영한 2차원 신호(화상)를 취득한다.
하전 입자선을 조사하면, 시료에 입사한 하전 입자의 수와, 시료로부터 방출되는 2차 하전 입자의 수의 차이가 관련되어, 시료의 조사 영역이 일시적으로 플러스 또는 마이너스로 대전되는 경우가 있다. 이와 같이 하전 입자선의 조사 영역에 생기는 대전은 로컬 대전으로 불리고, 예를 들면 그 영역의 범위는 수백㎛×수백㎛이다.
이와 같은 미소 범위 내에 대해, 복수회에 걸쳐 하전 입자선을 주사하면, 로컬 대전의 영향이 커져, 비점 발생, 배율 변화 등이 생긴다.
시료 표면의 로컬 대전이 원인으로 생기는 비점 발생이나 배율 변화를 해결하는 방법으로서는 특허문헌 1과 같이 전자 샤워, 이온 샤워를 발생시키는 장치를 탑재하는 방법이 존재한다. 또한, 상술한 로컬 대전과, 시료의 광범위한 영역에 미치는 대전인 글로벌 대전의 양쪽을 제거하는 방법으로서, 특허문헌 2에서는 로컬 대전용의 중화용 하전 입자원과 글로벌 대전용의 중화용 하전 입자원을 별개로 구비한 전극 유닛을 사용하는 것이 개시되어 있다.
일본 특허 출원 공개 평10－12684호 공보 일본 특허 출원 공개 제2009－277587호 공보
그러나 특허문헌 1의 방법에서는, 하전 입자선 장치에 상기 전자 샤워, 이온 샤워를 발생시키는 장치를, 또한 특허문헌 2의 방법에서는 로컬 대전용의 중화용 하전 입자원, 글로벌 대전용의 중화용 하전 입자원을 구비한 전극 유닛이라고 하는 장치를 별도로 탑재해야만 한다.
이와 같이 별도 장치를 탑재함으로써, 시료실과 같이 작은 공간 내에서의 조작을 곤란하게 하고, 또한 시료와 대물 렌즈 하면과의 거리인 워킹 디스턴스(WD)가 길어짐으로써 해상도를 저하시킬 가능성이 있다. 또한, 각각의 장치의 장소로 시료 스테이지를 이동시킬 필요가 있으므로, 처리량의 저하가 생각된다.
또한, 하전 입자선은 시료 표면에서 대전된 전하에 의해 휘어지므로(bent), 미리 측정하는 위치를 등록하여 자동 측정을 행하는 길이 측정 SEM에서는, 1차 전자선이 휘어짐으로써 다음 측정점의 시야 어긋남이 발생하는 것을 알 수 있었다. 이들 요인에 의해, 장시간의 시료의 관찰에서는 안정적인 전자상이 얻어지지 않게 된다.
본 발명의 목적은, 하전 입자선 장치에 새롭게 다른 장치를 탑재하는 일 없이, 하전 입자선의 조사 영역에 생기는 대전을 고속으로 제전하는 수단을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 형태로서, 시료의 측정을 위해 하전 입자선을 조사한 후, 다음의 측정을 행하기 전의 단계에서, 리타딩 전압 또는／및 가속 전압을 조정하고, 리타딩 전압의 값과 가속 전압의 값의 차를 측정시보다도 작게 함으로써 제전을 행하도록 컨트롤하는 하전 입자선 장치를 제공한다.
상기 일 형태에 따르면, 하전 입자선 장치에 별도 장치를 탑재하는 일 없이 제전할 수 있으므로, 시료실에 있어서의 조작성이나 처리량을 저하시키는 일 없이, 시료 표면의 로컬 대전을 제전할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적 및 다른 구체적인 구성에 대해서는, 이하 발명의 실시 형태의 란에서 상세하게 설명한다.
도 1은 주사형 전자 현미경(SEM)의 개략 구성도.
도 2는 시료에 글로벌 대전이 존재하지 않는 경우에서의 로컬 대전의 제전 방법의 모식도.
도 3a는 시료에 글로벌 대전이 존재하지 않는 경우에 로컬 대전을 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.(Vr＝V01 조건하)
도 3b는 시료에 글로벌 대전이 존재하지 않는 경우에 로컬 대전을 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.(－20[V]≤V01－Vr≤0[V] 또는 0[V]≤V01－Vr≤30[V] 조건하)
도 4는 시료의 글로벌 대전에 있어서의 대전 전위와 시료 위치의 관계를 도시하는 도면.
도 5는 시료에 글로벌 대전이 존재하는 경우에서의 로컬 대전의 제전 방법의 모식도.
도 6a는 시료에 글로벌 대전이 존재하는 경우에 로컬 대전을 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.(Vr＝V01－Vg 조건하)
도 6b는 시료에 글로벌 대전이 존재하는 경우에 로컬 대전을 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.(－20[V]≤V01－Vg－Vr≤0[V] 또는 0[V]≤V01－Vg－Vr≤30[V] 조건하)
도 7은 시료에 글로벌 대전이 존재하지 않는 경우에서의 로컬 대전에 대한 Vr＝V0 조건하에서의 1차 전자선의 조사.
도 8은 시료에 글로벌 대전이 존재하지 않는 경우에서의 로컬 대전의 진행 억제를 고려한 제전 방법의 모식도.
도 9는 시료에 글로벌 대전이 존재하지 않는 경우에 로컬 대전의 진행 억제를 고려하여 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.
도 10은 제전시의 리타딩 전압의 변경 조건의 일례를 나타내는 도면.
도 11은 화상 명도와 제전의 진행 상황의 관계를 나타내는 도면.
도 12는 시료에 흐르는 전류와 제전 상황의 관계를 나타내는 도면.
도 13은 제전 가능 면적의 조사 방법의 일례를 도시하는 도면.
도 14는 복수의 로컬 대전의 일괄 제전 방법의 모식도.
도 15는 복수의 로컬 대전을 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.
도 16은 로컬 대전 위치 및 다음 측정에 미치는 영향 범위를 도시하는 도면.
도 17은 로컬 대전이 다음 측정에 영향을 미치는 경우에 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.
도 18은 로컬 대전의 다음 측정에의 영향이 임계값을 초과한 경우에 제전하는 공정을 나타내는 플로우차트.
도 19는 FOV 내의 전위차에 의한 화상 변화를 도시하는 도면.
이하에 설명하는 실시예에서는, 시료의 측정을 위해 하전 입자선을 조사한 후, 다음의 측정을 행하기 전의 단계에서, 리타딩 전압 또는／및 가속 전압을 조정하고, 리타딩 전압이 가속 전압보다도 큰 상태에서, 전자가 시료에 도달하는 일 없이 시료의 대전 영역에 공급되는 조건으로 컨트롤하는 하전 입자선 장치 및 당해 처리를 컴퓨터에 실행시키는 컴퓨터 프로그램에 대해 설명한다.
상기 양태에 따르면, 처리량을 저하시키는 일 없이, 시료 표면의 로컬 대전을 제전하는 것이 가능하게 된다.
이하, 도면을 참조하여, 시료 표면의 로컬 대전을 제전하는 방법, 장치 및 당해 처리를 컴퓨터에 실행시키는 컴퓨터 프로그램에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에 대해서는, 하전 입자선 장치의 일 형태인 SEM을 예로 들어 설명하지만, 이것으로 한정되는 일은 없고, 다른 장치, 예를 들면 FIB 장치 등에의 적용도 가능하다. 또한, 적용되는 제품의 종류나 실험 조건 등에 따라, 시료가 플러스로 대전하고 있는 경우 및 마이너스로 대전하고 있는 경우 중 어느 것에 있어서도 적용 가능하다.
도 1에 SEM의 개략을 도시한다. SEM의 중에서, 전자원(101)으로부터 발생한 전자는, 가속 전원(112)으로부터 전압이 인가된 1차 전자 가속 전극(113)에 의해 가속된 후에, 리타딩 전원(110)으로부터 시료(107)에 인가된 리타딩 전압에 의해 감속되고, 또한 대물 렌즈(106)에 의해 집속되어 시료 스테이지(111) 상의 시료(107) 상에 조사된다.
여기서, 리타딩 전압에 대해 간단하게 설명한다. SEM이나 FIB에서는, 전자선에 의해 시료의 회로 패턴의 소자를 손상시키는 일 없이, 하전 입자선을 시료상에서 집속시키기 위해, 시료에 전압을 인가하여 전자선의 도달 에너지 강도를 제어하고 있다. 이 인가되는 전압을 리타딩 전압이라고 부른다. 시료에의 입사 전자에 대해, 리타딩 전압에 의해 형성된 감속 전계는, 시료로부터 방출되는 2차 전자에 대해서는 전자원측으로의 가속 전계로서 작용한다.
시료(107)에 1차 전자선(102)이 조사되면, 시료(107)로부터 2차 전자(108)가 발생하고, 2차 전자(108)는 리타딩 전압에 의해 형성되는 전계에 의해 전자원측으로 가속된다. 2차 전자(108)는 반사판(104)에 부딪히고, 반사판(104)에서 발생한 2차 전자(108)가 2차 전자 검출기(109)에서 포착되고, 2차 전자 검출기(109)에 입사하는 전자의 양에 따라 2차 전자 검출기(109)의 출력이 변화한다.
제어 장치(128)는, 이하에 기재하는 각 제어부의 전기적 제어를 행한다.
1차 전자선(102)의 빔은, 편향(주사) 코일(105)에 의해 시료상으로 주사되고, 주사에 동기하여 2차 전자 검출기(109)의 출력이 전기 신호로서 증폭기(121)에 의해 증폭된다. 증폭된 전기 신호는 연산부(122)에 의해 연산되고, 화상의 농담 등의 휘도 정보로 변환되어 촬상 화상으로서 화상 메모리(123)에 저장된다. 저장된 화상은, 시료 표면의 형상의 2차원 화상으로서 취득된 후, 혹은 후술하는 연산 장치(124)에 의해 연산된 후, 표시 장치(125)에 표시된다.
전자선을 주사하는 위치 및 배율은, 위치 제어부(119)가 이미지 시프트 제어부(116), 스캔 제어부(117)를 제어하여 조정한다. 이미지 시프트 제어부(116)는 편향(주사) 코일(105)을 제어하고, 스캔 제어부(117)는 편향(주사) 코일(105) 및 시료 스테이지(111)를 제어한다.
연산 장치(124)에서는, CPU 등의 화상 처리 하드웨어에 의해, 목적에 따른 화상 처리가 행해진다. 또한, 연산 장치(124)는, 화상 메모리(123)에 저장된 화상의 휘도 정보에 기초하여, 라인 프로파일을 작성하고, 프로파일의 피크간의 치수를 측정하는 기능도 구비하고 있다. 당해 처리에 의해 얻어진 결과는, 연산 장치(124)에 접속된 외부 디스플레이 등의 표시 장치(125)에 표시된다. 표시 장치(125)에는, 조작자에 대해 화상이나 검사 결과 등을 표시하는 GUI 등의 기능을 갖는다. 또한, 연산 장치(124)는, 고전압 제어부(114), 위치 제어부(119), 리타딩 전압 제어부(120), 전류계 제어부(127)의 제어를 행한다.
제어 장치(128)는, 길이 측정이나 검사 등에 필요로 되는 전자 디바이스의 좌표, 위치 결정에 이용하는 패턴 매칭용의 템플릿, 촬영 조건 등을 포함하는 촬상 레시피를 작성하는 장치와 네트워크 또는 패스(path) 등을 통해 접속할 수도 있다. 또한, 제어 장치(128)에는, 당연한 것이지만 도시하지 않은 제어부도 포함되어 있다. 또한, 제어 장치(128)에 포함되는 각 제어부는 하드 실장되어도 소프트 실장되어도 되고, 장치 조건에 따라 복수의 제어부가 통합되어 실장되어 있어도 된다.
길이 측정 SEM은, 상술한 바와 같이 반도체 회로 패턴의 형상이나 선 폭의 치수 등을 계측하는 장치로서 널리 이용되고 있다. 길이 측정 SEM의 기본 구조는 도 1과 같다. 여기서, 반도체 회로 패턴이라 함은, 웨이퍼라고 불리는 시료상의 수백㎛×수백㎛로 하는 미소 범위에 있어서 수백, 수천으로 하는 다수의 패턴이 작성되어 이루어져 있고, 길이 측정 SEM에서는 이들 패턴을 모두 측정하는 경우가 상정된다.
길이 측정 SEM에서는 촬상 레시피의 파일에 일련의 측정 수순을 기술하고, 그 수순에 따라서 장치를 가동시킴으로써 자동 측정을 가능하게 하고 있다. 그러나 극히 근방의 패턴의 측정을 연속적으로 행해 가면, 1차 전자선(102)의 조사에 의해 시료(107) 상에 발생한 로컬 대전에 의한 영향이 서서히 커진다. 그 때문에, 레시피 실행시에 1차 전자선(102)이 시료(107) 상의 대전과의 전하의 반발에 의해 휘어져 패턴 검출에 실패하여, 자동 측정을 할 수 없게 된다. 또한, 자동 측정이 행해졌다고 해도, 시료상의 대전은 비점 발생, 배율 변화를 발생시켜, 정확한 치수를 계측할 수 없게 된다.
그런데, 시료의 측정이나 검사를 행하기 위한 화상을 취득하기 전에, 시료 표면을 정(正)대전시키는 전자빔 주사를 행하는 예비 대전 방법의 하나로서, 프리도즈(puridozu)가 있다. 보다 구체적으로는, 시료에 조사되는 전자보다도 시료로부터 발생하는 전자의 쪽이 많은 조건인, 2차 전자 발생 효율(시료로부터 발생하는 전자／시료에 조사되는 전자) δ가 1을 초과하는 빔을 시료상에서 주사함으로써, 시료 표면을 플러스로 대전시킨다. 이와 같은 예비 대전이 행해진 후에, 화상을 형성하기 위한 빔을 주사하면, 패턴 하부인 홀 저부에서 발생한 전자가, 시료 표면의 정대전으로 끌어 당겨지므로, 홀 저부에서 발생한 전자를 고효율로 포착하는 것이 가능하게 된다.
또한, 시료의 결함 검사를 행하는 경우에는 특히, 검사를 위한 화상을 취득하기 전에 정대전과는 반대인 부(負)대전을 형성하는 빔(예를 들면, 2차 전자 발생 효율 δ가 1 미만인 빔)으로 시료를 주사하는 프리차지라고 불리는 예비 대전 방법이 있다. 이것은, 최근의 반도체 제조 프로세스에 있어서의 미세화, 고집적화에 의해, 통상의 전자빔 주사에서는 콘택트 홀 심저부까지 균일하게 대전할 수 없어 2차 전자상으로서 결함을 검출할 수 있을 만큼의 전위 콘트라스트가 얻어지지 않는 경우 등에 있어서 유효하다.
상기한 바와 같은 프리도즈, 프리차지라고 하는 예비 대전 방법을 사용한 경우에서는, 대상의 패턴의 측정이나 검사가 완료된 후, 이들 대전에 의한 영향을 배제하기 위해 제전할 필요가 있다.
이들을 근거로 하여, 이하의 실시예를 제안한다.
제1 실시예
도 2를 사용하여, 시료에의 하전 입자선의 조사에 의해 발생한 대전을 제거하는 원리에 대해 설명한다. 단, 여기서는 시료 표면의 대전은 정대전으로 한다. 또한, 시료의 광범위한 영역에 형성하는 대전(글로벌 대전)은 존재하지 않는 경우에 대해 설명한다.
시료에 1차 전자선(202)이 조사되면, 시료로부터 2차 전자(205)가 발생한다. 이것이 도 2의 (1)의 상태이다. SEM에서는, 이 2차 전자를 사용함으로써, 시료 표면의 형상을 2차원 화상으로서 표시한다. 이때, 2차 전자 발생 효율 δ가 1 이상, 즉 1차 전자선의 전자가 시료에 조사되는 수보다도 시료로부터 발생하는 2차 전자의 수가 많은 경우에, 1차 전자선이 조사된 범위의 시료 표면이 플러스로 대전한다. 이것이 도 2의 (2)에 도시한 시료 표면의 상태이다.
여기서 1차 전자선의 가속 전원(206)에 의해 인가되는 가속 전압을 V01로 하고, 리타딩 전원(207)에 의해 인가되는 리타딩 전압을 Vr로 한다. 전자는 부전하를 가지므로, 시료에의 1차 전자선을 가속하는 가속 전압 V01은 마이너스의 전압, 또한 하전 입자선의 시료에의 도달 에너지를 저하시키는 리타딩 전압 Vr은 마이너스의 전압이다. 여기서는, V01, Vr의 값에 대해서는 절대값을 취하는 것으로 한다. Vr＞V01의 상태에서는, 1차 전자선은 시료 표면에 도달하기 전에, 리타딩 전압 Vr이 형성한 마이너스의 전계에 의해 전자총측으로 반사되므로 도달할 수 없는 상태를 가리킨다. 또한, Vr＜V01의 경우, 1차 전자선은 시료 표면에 도달하는 상태를 가리킨다. Vr＝V01에서는, 1차 전자선의 시료면에 있어서의 에너지가 0[eV]인 상태를 가리킨다. 도 2의 (3)은 Vr＝V01로 되도록 리타딩 전압 Vr을 마이너스의 방향으로 증대시키도록 조정하고, 도 2의 (1)에 있어서 시료에 1차 전자선을 조사한 위치와 동일한 위치에서 1차 전자선을 조사한 상태이다. 이 상태에서는 가속 전압 V01과 감속 전압인 리타딩 전압 Vr이 동일한 값이므로, 서로 상쇄됨으로써 1차 전자선의 에너지는 시료 표면상에서 0[eV]로 된다. 이때 시료상의 플러스로 대전된 로컬 대전 영역에 있어서의 정전하와 시료 표면 근방의 1차 전자선의 전자의 부전하가 서로 끌어당겨, 시료의 로컬 대전이 중화되어, 제전된다(209).
로컬 대전이 제거된 후의 상태에 있어서도, 시료(204)상의 1차 전자선(202)의 에너지는 0[eV] 부근인 점에서, 1차 전자선(202)은 시료(204)에 거의 도달하지 않아, 시료에 영향을 미치지 않는다. 이것이 도 2의 (4)의 상태이다.
도 3a에, 로컬 대전의 제전 방법의 플로우차트를 나타낸다. 우선, 화상의 취득 등의 측정이 종료되면(S01), 시료 표면에서 1차 전자선의 에너지가 0[eV]로 되도록 리타딩 전압 Vr을 변경한다(S02). S02에서 설정한 조건에 있어서, 시료의 측정과 동일한 위치에 있어서 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S03). 도 2의 (3)에서 설명한 바와 같이, 이 상태에 있어서는 대전 영역에 있어서의 정전하와 1차 전자선의 전자의 부전하가 서로 끌어당겨, 대전이 중화됨으로써 제전이 행해진다. 제전이 종료되면, 리타딩 전압 Vr을 변경 전의 통상 조건의 값으로 되돌린다(S04). 이때의 1차 전자선의 시료 표면에 있어서의 가속 전압을 V02로 하면, 식 V02＝V01－Vr로 표시된다. 제전 종료를 판정하는 방법은 제5 실시예에서 설명한다.
또한, 이 플로우차트를 지령하는 프로그램을 주사형 전자 현미경 그 외의 하전 입자선 장치에 내장할 수도 있다. 또한, 1차 전자선이 아닌 이온 빔도 마찬가지로 사용할 수 있다. 단, 이온원이 마이너스인 경우에는 정대전을, 플러스인 경우에는 부대전을 제전할 수 있다.
또한, 상기 플로우차트에서는 리타딩 전압 Vr을 변경하였지만, 1차 전자 가속 전원에 인가하는 가속 전압 V01을 변경, 혹은 양자를 변경하여, 시료 표면에 있어서의 1차 전자선의 에너지를 0[eV]로 조정해도 된다. 단, 리타딩 전압 Vr을 변경하는 경우에는, 가속 전압 V01을 변경하는 경우와 비교하여, 다음과 같은 이점이 있다. 가속 전압 V01을 변경하는 경우에는, 당해 변경에 수반하여 변화되는 SEM의 그 외의 광학계 조건에 대해서도 조정할 필요가 있지만, 리타딩 전압 Vr을 변경하는 경우에는, 이와 같은 조정이 불필요해진다고 하는 점이다.
제2 실시예
제1 실시예에서는 리타딩 전압 Vr을 Vr＝V01로 되도록 조정하였지만, 시료의 제전은 시료의 측정시의 조건보다도 가속 전압 V01의 값과 리타딩 전압 Vr의 값의 차를 작게 한 조건에 있어서도 가능하다. 이와 같은 경우에서는, 시료의 측정시에 있어서의, 가속 전압 V01의 절대값이 리타딩 전압 Vr의 값보다도 큰 조건에서, 리타딩 전압 Vr의 값을 마이너스의 방향으로 크게 함으로써, 또는／및 가속 전압 V01의 값을 플러스의 방향으로 크게 함으로써, 리타딩 전압 Vr과 가속 전압 V01의 차분을 감소시키도록 변경한 상태에 있어서 제전을 행한다. 여기서, 시료에 조사되는 1차 전자선의 에너지의 범위는, 구체적으로는 －20 내지 0[eV], 혹은 0 내지 ＋30[eV]로 한다. 여기서, 에너지가 －20 내지 0[eV]의 범위 내에서는, Vr＞V01로 되고 1차 전자선은 시료에 도달하지 않는 상태에서, 1차 전자의 부전하가 시료의 대전 영역의 정전하와 중화됨으로써 제전이 행해진다. 한편, 에너지가 0 내지 30[eV]의 범위 내에서는, V01＞Vr로 되고, 시료에 입사하는 전자의 수보다도 시료로부터 방출되는 전자의 수가 적은 상태, 즉 시료에 대한 1차 전자선의 2차 전자 발생 효율이 1 이하로 되는 조건하에서, 1차 전자선의 전자의 부전하는 시료의 대전 영역의 정전하와 중화됨으로써 제전이 행해진다.
도 3b에, 로컬 대전의 제전 방법의 플로우차트를 나타낸다. 우선, 화상의 취득 등의 측정이 종료되면(S05), 리타딩 전압 Vr을 마이너스의 방향으로 증대시키고, 측정시의 리타딩 전압 Vr과 가속 전압 V01의 조건보다도 Vr과 V01의 차분을 감소시키도록 변경한다. 구체적으로는, 시료 표면에서 1차 전자선의 에너지가 －20 내지 0[eV], 혹은 0 내지 ＋30[eV]로 되도록 리타딩 전압 Vr을 변경한다(S06). S02에서 설정한 조건에 있어서, 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S07). 이 상태에서는, 도 2의 (3)의 설명과 마찬가지로, 대전 영역에 있어서의 정전하와 1차 전자선의 전자의 부전하가 서로 끌어당겨, 대전이 중화됨으로써 제전이 행해진다. 제전이 종료되면, 리타딩 전압 Vr을 변경 전의 통상 조건의 값으로 되돌린다(S08). 이때의 1차 전자선의 시료 표면에 있어서의 가속 전압을 V02로 하면, 식 V02＝V01－Vr로 표시된다. 제전 종료를 판정하는 방법은 제5 실시예에서 설명한다.
또한, 상기 플로우차트에서는 리타딩 전압 Vr을 변경하였지만, 1차 전자 가속 전원에 인가하는 가속 전압 V01을 변경, 혹은 양자를 변경하여, 시료 표면에 있어서의 1차 전자선의 에너지를 －20 내지 0[eV], 혹은 0 내지 ＋30[eV]로 조정해도 된다.
제3 실시예
상기 제1 실시예, 제2 실시예의 설명에서는 시료에 글로벌 대전이 존재하지 않는 경우에 대해 설명하였지만, 시료에 글로벌 대전이 존재하는 경우의 제전 방법을 설명한다. 글로벌 대전은 로컬 대전과 상이하고, 원래 시료가 갖고 있음으로써, 혹은 측정, 검사의 전단계에 있어서의 공정에서 축적됨으로써, 혹은 2차 전자 등이 시료상에 배치된 대면 전극이 형성하는 전계에 의해 시료상으로 되돌려져, 시료에 재부착됨으로써 형성되는 대전이며, 대전 범위는 수10㎜ 정도로 비교적 광범위에 달한다. 시료가 대전되어 있으면 대전 전위에 따라 초점 위치가 상이하므로, 포커스시키는 위치를 바꿀 필요가 있다. 또한, 글로벌 대전은 도 4에 도시하는 글로벌 대전 1과 같이 시료상에서 전위가 균일한 것뿐만 아니라, 도 4에 도시하는 글로벌 대전 2와 같이 시료상의 위치, 중심으로부터의 거리에 따라 전위가 상이한 것도 존재한다. 그 때문에, 길이 측정 SEM에서는 미리 시료상의 수점에서 글로벌 대전 전위를 측정해 놓고, 시료 위치에 따라 대전 전위에 맞춘 초점 위치로 조정하여 시료의 측정을 행하고 있다. 이 시퀀스에 기초하여 측정을 행하는 경우, 글로벌 대전이 존재하는 경우의 로컬 대전의 제거는 로컬 대전만을 제거하고, 글로벌 대전은 남길 필요가 있다. 이 이유는 글로벌 대전까지 제거해 버리면, 글로벌 대전에 맞추어 초점 위치를 조정하고 있으므로, 포커스가 어긋나 버리기 때문이다. 따라서, 시료의 하전 입자선의 조사 영역에 있어서의 대전량으로부터 글로벌 대전분을 뺀 만큼의 대전에 대해서만 제전을 행하도록 조정이 필요해진다.
상기 조건을 바탕으로 도 5, 도 6을 사용하여 글로벌 대전이 존재하는 경우의 제전 방법을 설명한다. 도 5는 시료의 글로벌 대전 전위가 Vg[V]인 예를 도시하고 있고, 도 6은 그 경우의 제전 방법을 플로우차트로 나타내고 있다. 도 5의 (1)과 같이, Vr＜V01＋Vg의 조건에 있어서 시료의 측정을 행하면, 도 5의 (2)의 1차 전자 조사 범위(509)와 같이 로컬 대전(510)이 생긴다. 글로벌 대전이 존재하므로, 시료상에서 1차 전자선의 에너지를 0[eV]로 하기 위해서는 글로벌 대전을 고려하여 Vr을 변경할 필요가 있다. 즉, 글로벌 대전이 존재하는 경우에는 Vr＝V01－Vg로 설정할 필요가 있다. 예를 들면, 글로벌 대전이 0.1[㎸]의 정대전, 인출 가속 전압이 3.0[㎸]인 경우의 리타딩 전압은 Vr＝3.0[㎸]－0.1[㎸]＝2.9[㎸]의 부전압으로 된다. 이 조건으로 제전을 행하고[도 5의 (3)], 로컬 대전을 제거하면 로컬 대전이 존재한 영역의 대전 전위는 글로벌 대전과 동 전위로 된다[도 5의 (4)].
그 때문에 제전 시퀀스는, 도 6a에 있어서, 화상 취득 등의 측정 후(S09), 글로벌 대전 전위를 측정하고(S10), 시료 표면에서 1차 전자선의 에너지가 0[eV]로 되도록, 리타딩 전압을 Vr＝V0－Vg로 변경(S11)한다. S11에서 설정한 조건에 있어서, 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S12). 도 5의 (3)에서 도시한 바와 같이, 이 상태에 있어서는 로컬 대전의 대전 영역에 있어서의 정전하와 1차 전자선의 부전하가 서로 끌어당겨, 대전이 중화됨으로써 제전이 행해진다. 제전 후, Vr을 원래의 값으로 변경한다(S13). 이 시퀀스를 이용함으로써, 로컬 대전이 생긴 범위의 제전 후의 시료 표면 전위를 글로벌 대전 전위로 설정할 수 있다.
또한, 상기 플로우차트에서는 리타딩 전압 Vr을 변경하였지만 가속 전압 V0을 변경, 혹은 양자를 변경시켜, 시료 표면에 있어서의 1차 전자선의 에너지를 0[eV]로 해도 된다.
제4 실시예
제3 실시예에서는 리타딩 전압 Vr을 Vr＝V01－Vg로 되도록 조정하였지만, 시료의 제전은 Vr과 V01－Vg의 차를 작게 한 조건에 있어서도 가능하다. 이와 같은 경우에서는, 시료의 측정시에 있어서의 리타딩 전압 Vr의 값을 마이너스의 방향으로 크게 함으로써, 또는／및 가속 전압 V01의 값을 플러스의 방향으로 크게 함으로써, Vr과 V01＋Vg의 차분을 감소시키도록 변경한 상태에 있어서 제전을 행한다. 여기서, 시료에 조사되는 1차 전자선의 에너지의 범위는, 구체적으로는 －20 내지 0[eV], 혹은 0 내지 ＋30[eV]로 한다. 여기서, 에너지가 －20 내지 0[eV]의 범위 내에서는, Vr＞V01로 되고 1차 전자선은 시료에 도달하지 않는 상태에서, 1차 전자의 부전하가 시료의 대전 영역의 정전하와 중화됨으로써 제전이 행해진다. 한편, 에너지가 0 내지 30[eV]의 범위 내에서는, V01＞Vr로 되고, 시료에 입사하는 전자의 수보다도 시료로부터 방출되는 전자의 수가 적은 상태, 즉 시료에 대한 1차 전자선의 2차 전자 발생 효율이 1 이하로 되는 조건하에서, 1차 전자선의 전자의 부전하는 시료의 대전 영역의 정전하와 중화됨으로써 제전이 행해진다.
도 6b에, 상기한 경우의 로컬 대전의 제전 방법의 플로우차트를 나타낸다. 화상 취득 등의 측정 후(S14), 글로벌 대전 전위를 측정하고(S15), 시료 표면에서 1차 전자선의 에너지가 －20 내지 0[eV], 혹은 0 내지 ＋30[eV]로 되도록, 리타딩 전압 Vr을 변경한다(S16). S16에서 설정한 조건에 있어서, 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S17). 이 상태에서는, 도 6의 (3)의 설명과 마찬가지로, 로컬 대전의 대전 영역에 있어서의 정전하와 1차 전자선의 부전하가 서로 끌어당겨, 대전이 중화됨으로써 제전이 행해진다. 제전 후, 리타딩 전압 Vr을 원래의 값으로 변경한다(S18). 이 시퀀스를 이용함으로써, 로컬 대전이 생긴 범위의 제전 후의 시료 표면 전위를 글로벌 대전 전위로 설정할 수 있다.
또한, 상기 플로우차트에서는 리타딩 전압 Vr을 변경하였지만 가속 전압 V0을 변경, 혹은 양자를 변경시켜, 시료 표면에 있어서의 1차 전자선의 에너지를 －20 내지 0[eV], 혹은 0 내지 ＋30[eV]로 조정해도 된다.
상기 제전시에서는, 1차 전자선을 로컬 대전 영역에 조사하고자 해도 통상의 측정의 상태와는 상이하므로, 시야가 어긋나 있거나 회전하고 있어, 로컬 대전 영역에 조사할 수 없다. 그 때문에 사전에 상기 조건의 1차 전자선을 조사하고, 주사의 각도를 변경하는 편향 코일이나 1차 전자선을 휘게 하는 이미지 시프트를 사용하여 1차 전자선이 조사되는 위치를 조정하고, 목표 위치에 1차 전자선을 조사하기 위해 적합한 값을 구해 둔다. 제전시에는 이들 값을 사용하여, 로컬 대전 영역에 1차 전자선을 조사한다.
또한, 제5 실시예 이후에서는 제전시에 시료 표면의 1차 전자선의 에너지가 0[eV]로 되도록 리타딩 전압 Vr을 조정하는 방법에 관한 응용예만을 나타내지만, 상기 설명과 동일한 방법에 의해, 1차 전자선의 에너지가 －20 내지 0[eV], 혹은 0 내지 ＋30[eV]로 되는 경우에도 실시 가능한 것으로 한다.
제5 실시예
제1 실시예, 제3 실시예에서는 제전시에 시료 표면의 1차 전자선의 에너지가 0[eV]로 되도록 리타딩 전압을 조정하여 제전을 행하였다. 그러나 1차 전자선이 시료 표면에서 반전되어, 도달하지 않도록 조정한 조건으로부터, 시료 표면의 1차 전자선의 에너지가 서서히 0[eV]로 근접하도록 조정을 행한 경우, 1차 전자선이 로컬 대전 영역의 대전을 일시적으로 진행시키는 일 없이, 제전을 행할 수 있다고 하는 이점이 있다.
상기한 상세한 설명을 도 7, 도 8, 도 9를 사용하여 행한다. 도 7은 시료의 글로벌 대전이 없고, 로컬 대전 전위가 VL인 시료를 Vr＝V0의 조건으로 제전한 경우를 도시하고 있다. 한편, 도 8은 시료 표면의 1차 전자선의 에너지를 시료에 도달하지 않는 조건으로부터 서서히 0[eV]로 되도록 조정을 행하고, 제전한 경우를 도시하고 있다. 도 9는 도 8의 제전 방법을 플로우차트로 나타내고 있다.
또한, 여기서는 1차 전자선이 시료 표면에서 반전되어, 도달하지 않도록 조정한 조건으로부터, 시료 표면의 1차 전자선의 에너지가 서서히 0[eV]로 근접하도록 조정을 행한 경우를 나타내지만, 2차 전자 방출 효율 δ가 1 이하의 조건에 있어서 시료에 1차 전자선이 도달하는 상태, 즉 1차 전자선의 에너지가 0 내지 30[eV]의 범위 내에 있어서, 시료 표면의 1차 전자선의 에너지를 서서히 0[eV]로 근접하도록 조정을 행해도 된다.
도 7과 같이 Vr＝V01의 경우, 통상 1차 전자선(701)의 에너지는 0[eV] 부근이며, 시료에는 도달하지 않는다. 그러나 플러스의 로컬 대전이 존재하는 영역에서는 1차 전자선(702)은 제전 전의 로컬 대전 전위인 VL1의 가속으로 조사되므로, 로컬 대전의 정대전이 진행되어 버리는 경우가 있다. 이때, 1차 전자선의 에너지는 －VL1[eV]로 표시된다. 따라서 제전 개시시의 설정을 도 8의 (1)과 같이 Vr＝V01＋VL1로 함으로써, 대전을 진행시키는 일 없이 제전할 수 있다. 예를 들면, 로컬 대전이 0.1[㎸]인 정대전, 인출 가속 전압이 3.0[㎸]인 경우에는 Vr＝3.0[㎸]＋0.1[㎸]＝3.1[㎸]의 부전압으로 설정한다. 이 조건으로 함으로써 로컬 대전 영역에서는 1차 전자의 가속 에너지가 0[eV] 부근으로 되고 시료의 대전을 진행하지 않고, 제전만이 행해진다. 또한, 로컬 대전 영역 이외에서는 시료 표면의 가속 에너지는 －0.1[㎸]로 되므로 1차 전자는 반전되어, 시료에 도달하지 않는다. 그리고 도 8의 (2)와 같이 제전이 진행되고, 로컬 대전 전위가 제전 전보다 작아져 가서 VL2(VL2＜VL1)의 값으로 되면, 1차 전자는 시료 표면에서 반전되어 제전할 수 없게 된다. 따라서 도 8의 (3)과 같이 Vr의 값을 서서히 －3.0[㎸]에 근접시킴으로써 도 8의 (1), (2)에서 설명한 제전과 동일한 현상에 의해 시료에 영향을 미치지 않고 제전을 행할 수 있다. 그리고 최종적으로 도 8의 (4)와 같이 Vr＝V0으로 제전을 행함으로써 로컬 대전을 제전할 수 있다.
이상의 제전 시퀀스를 도 9를 이용하여 설명한다. 화상 취득 등의 측정 후(S19), 로컬 대전 전위 VL1을 측정하고(S20), 리타딩 전압을 Vr＝V0＋VL1로 되도록 변경한다(S21). S21에서 설정한 조건에 있어서, 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S22). S22에 있어서의 1차 전자선의 조사에 의해, S12에서 설정한 조건에서의 제전이 완료된 후(S23), 다음 단계에 있어서의 로컬 대전 전위(VL2, 3…n, 단 Vn＋1＜Vn)를 고려한 리타딩 전압의 변경이 필요하면 S12 내지 S15의 조작을 다시 행하고, 필요하지 않으면, 리타딩 전압 Vr을 최종 제전 조건인 Vr＝V01로 변경하여(S24), 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S25). 그리고 Vr＝V0으로 제전 후, 리타딩 전압 Vr을 원래의 값으로 변경한다(S26). 이 시퀀스를 이용함으로써, 로컬 대전 영역의 대전을 진행시키는 일 없이, 제전을 행할 수 있다.
상기 제전 시퀀스에서는 도 10과 같이 리타딩 전압 Vr의 변경을 반복한다. 그 때문에 도 8의 (2)의 상태, 즉 제전이 종료되었을 때를 조사하고, 리타딩 전압 Vr의 변경을 바로 행해 가면, 낭비되는 제전 시간이 없어져, 처리량의 저하가 억제된다. 또한, 리타딩 전압 Vr의 변경은 도 10의 A와 같이 단계마다 행해도, 도 10의 B 및 C와 같이 연속적으로 소인(sweeping)하도록 행해도 된다. 또한, 도 10의 A에 있어서의 각 단계에서는 제전 중인 도 8의 (1)의 상태(a1), 제1 단계에서의 제전 종료시인 도 8의 (2)의 상태(a2), 리타딩 전압 Vr의 변경시인 도 8의 (3)의 상태(a3), 제2 단계에서의 제전 종료시인 도 8의 (3)의 상태(a4), 로컬 대전의 제전 종료시인 도 8의 (4)의 상태(a5)를 각각 나타내고 있다.
제전 종료 판정 방법은, 예를 들면 제전 중의 화상 명도를 측정하는 방법을 사용할 수 있다. 이 방법에 대해 도 11을 이용하여 설명한다. 제전 중인 도 11의 (1)의 상태는 시료에 대한 1차 전자선의 에너지가 0[eV]이므로, 2차 전자는 발생하지 않는다. 그 때문에 2차 전자 검출기(9)의 출력은 통상의 측정시에 비해 저하되어, 화상은 어두워진다. 그에 대해 도 11의 (2)와 같이 제전이 종료되면, 1차 전자선은 반전하므로 2차 전자 검출기(9)의 출력은 제전 중에 비해 증가하여, 화상은 밝아진다. 그 때문에 제전 중의 화상의 명도 변화에 기초하여, 제전 종료 판정을 행할 수 있다.
제전 종료 판정은 그 외에도 시료가 1차 전자선으로부터 흡수한 전류를 측정하는 방법도 있다. 이 방법에 대해 도 12를 이용하여 설명한다. 도 12의 (1)과 같이 제전 중은 시료에 1차 전자선이 조사되므로, 시료 중을 1차 전자가 통과하고, 어스로 전류가 흐르므로, 전류계(1204)에 의해 전류의 측정을 할 수 있다. 그러나 도 12의 (2)와 같이 제전이 종료되면 1차 전자선은 반전되므로, 시료에 전류는 흐르지 않는다. 이와 같이, 시료에 흐르는 전류를 조사함으로써, 제전의 종료시 및 다음 단계에 있어서 전압을 변화시키는 타이밍을 판정할 수 있다.
그 외에도 대전 전위로부터 제전에 필요한 도즈량을 계산하고, 필요한 도즈량만을 조사하는 방법이나 제전 중에 로컬 대전 전위를 측정하는 방법 등도 있다. 제전에 필요한 도즈량은 미리 대전 전위와 제전 도즈량의 상관 관계를 측정해 둠으로써 구할 수 있다. 또한, 로컬 대전 전위의 측정은, 하전 입자선의 장치의 렌즈계에 검출기를 배치하여 미러 전자의 도달 위치를 검출하고, 입사 전자의 통과 위치와 미러 전자의 도달 위치의 차인 「어긋남」량과, 리타딩 전압 Vr의 관계를 이용하는 방법이나, 혹은 시료 재질마다의 1차 전자선 조사 면적 및 도즈량과 대전 전위의 상관 관계를 측정해 둠으로써 구해진다.
또한, 도 9의 플로우차트에서는 리타딩 전압 Vr을 변경하였지만 인출(extraction) 가속 전압 V01을 변경, 혹은 양자를 변경시켜도 된다.
제6 실시예
제1 실시예 내지 제5 실시예에서는 시료의 측정 후에 매회 제전을 행하고 있었지만, 제전 가능한 면적 내에 있어서 복수의 측정을 행한 후에 일괄하여 제전을 행해도 된다. 이 방법에 의해 제전 시간을 단축할 수 있어, 처리량의 저하가 억제된다. 길이 측정 SEM의 경우, 길이 측정점 전에 초점을 맞추기 위해서나 위치를 결정하기 위해 시료에 1차 전자선을 조사한다. 그 때문에, 본 명세서 중에 있어서의 복수의 측정이라 함은, 길이 측정의 준비로서 시료에 1차 전자선을 조사한 점과 실제의 길이 측정점을 복수로 부르는 경우 및 실제로 길이 측정을 복수 행한 경우를 나타낸다.
복수점을 통합하여 제전하는 경우, 미리 제전 가능 면적을 구해 둘 필요가 있다. 구하는 방법으로서는, 예를 들면 제전 가능 면적은 1차 전자선을 라스터 주사할 수 있는 면적이므로, 라스터 주사를 행하고, 얻어진 화상의 크기로부터 1차 전자선을 조사할 수 있는 면적을 조사하여, 그 면적을 제전 가능 면적으로 하는 방법이 있다. 그 외에도 도 13과 같이 로컬 대전을 작성하고, 시료 스테이지를 이동시켜 제전을 행하는 위치를 바꾸어 간다. 그리고 제전 후에 로컬 대전의 중심에서 대전 전위를 측정하고, 대전 전위가 0[V]인 범위를 제전 가능 면적으로 하는 방법이 있다.
다음으로 복수의 로컬 대전의 제전 방법을 도 14를 이용하여 설명한다. 측정은 도 14의 측정점 1, 측정점 2, …의 순서대로 행하는 것으로 한다. 제전 가능 면적을 알고 있으므로, 측정점의 위치 및 1차 전자선 조사 면적을 알고 있는 경우, 도 14와 같이 제전 가능 면적 내에 있는 측정점 1 내지 측정점 4는 통합하여 제전할 수 있다.
이와 같이 복수의 로컬 대전을 통합하여 제전하면 제전 면적이 커져, 단위 면적에 조사되는 1차 전자의 수는 저하되어, 제전 효율도 저하된다. 따라서 제전 시간을 단축하기 위해, 제전시의 도즈량을 증대시킬 필요가 생기는 경우가 있다. 도즈량의 증대에는, 예를 들면 이하와 같이, (1) 1차 전자선의 프로브 전류를 늘린다, (2) 제전 범위를 로컬 대전 범위와 동등한 크기로 한다, (3) 1차 전자선이 통상보다도 통과하는 조리개(aperture)를 준비하여 제전시에 조리개를 변경하여, 프로브 전류를 늘린다, 혹은 제전시에 조리개를 취하여, 프로브 전류를 늘린다, 다른 대전류 조사용 전자총을 탑재한다, 등의 방법을 들 수 있다.
이상으로부터, 제전 시퀀스는 도 15와 같이 화상 취득 등의 측정 후(S27), 측정 위치, 영역을 기록하고(S28), 다음 측정이 있고(S29), 다음 측정 위치가 측정 범위 외이면(S30), 리타딩 전압 Vr을 변경하고(S31), 프로브 전류를 증대시킨다(S32). S31, S32에서 설정한 조건에 있어서, 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S33). 제전이 종료되면, S32에서 설정한 프로브 전류를 원래의 값으로 되돌리고(S34), S31에서 설정한 리타딩 전압 Vr을 원래의 값으로 변경한다(S35). 이 시퀀스를 이용함으로써, 처리량의 저하를 억제하여, 제전을 행할 수 있다.
처리량의 저하를 억제하기 위해서는 로컬 대전이 다음 이후의 측정에 영향을 미치는 위치만 제전을 행하는 방법도 있다. 로컬 대전이 측정에 미치는 영향이 있다고 간주하는 경우에는 비점 발생량, 배율 오차, 시야 어긋남량이 임계값을 초과한 경우로 한다. 로컬 대전이 측정에 미치는 영향의 범위를 구하는 방법으로서는, 미리 대전 전위 및 로컬 대전으로부터의 거리 및 측정시의 비점 발생량, 배율 오차, 시야 어긋남량의 상관 관계를 조사하는 방법이 있다. 예를 들면, 대전 전위를 일정한 값으로 하여 작성하고, 대전으로부터의 거리를 변화시켜, 미리 크기를 알고 있는 시료의 측정을 행한다. 그때의 비점 발생량, 배율 오차, 시야 어긋남량을 조사하고, 로컬 대전이 측정에 영향이 미치는 범위를 구한다. 대전 전위를 변경하여 동일한 것을 행함으로써, 로컬 대전이 측정에 미치는 영향 범위의 대전 전위와 거리에 대한 의존성이 구해진다. 또한, 대전 전위는 측정 혹은 1차 전자선의 조사 면적, 도즈량, 시료 재질에 의해 결정한다.
또한, 이 방법을 사용하는 경우도 제전시의 도즈량을 늘림으로써 제전 시간의 단축을 도모할 수 있다.
이 경우의 제전 방법을 도 16을 이용하여 설명한다. 도 16은 4점의 측정을 행하는 경우의 측정 면적 및 대전 영향 범위를 도시하고 있다. 대전 전위 및 측정 위치를 미리 알고 있으면, 대전의 측정에 대한 영향이 미치는 범위를 알 수 있다. 도 16에서는 측정점 2, 3의 로컬 대전은 다른 측정점에 영향을 미치지 않으므로 제전을 행할 필요는 없다. 그러나 측정점 1의 로컬 대전은 측정점 4에 영향을 미치므로 제전을 행할 필요가 있다. 이와 같이 로컬 대전이 다음 이후의 측정에 영향을 미치는 경우만 제전을 행한다.
제전 시퀀스는 도 17과 같이 된다. 화상 취득 등의 측정 후(S36), 다음 측정이 있는 경우에는(S37), 로컬 대전이 다음 측정에 미치는 영향을 평가한다(S38). 로컬 대전이 다음 측정에 영향을 미치는 경우에는 리타딩 전압 Vr을 변경하고(S39), 프로브 전류를 증대시킨다(S40). S39, S40에서 설정한 조건에 있어서, 전자원으로부터 시료 방향으로 1차 전자선을 조사한다(S41). 제전이 종료되면, S40에서 설정한 프로브 전류를 원래의 값으로 변경하고(S42), S41에서 설정한 리타딩 전압 Vr을 원래의 값으로 변경한다(S43).
제7 실시예
로컬 대전이 1차 전자선에 미치는 영향을 시야 어긋남, 비점량, 길이 측정값 변화 등으로 모니터해 놓고, 이들 값이 미리 결정해 둔 임계값을 초과하면, 그때까지의 측정점을 모두, 혹은 수점 거슬러 올라 임의의 측정점에 대해 제전을 행함으로써, 제전에 의한 처리량의 저하를 억제하는 방법도 있다. 단, 측정점을 수점(several points) 거슬러 올라(going back) 제전을 행하는 경우에는 로컬 대전의 영향이 없어질 때까지 행하는 것으로 한다. 로컬 대전의 측정에 대한 영향을 없애기 위해 몇 점의 제전이 필요한지 여부를 결정하는 방법은 대전 전위 및 로컬 대전으로부터의 거리 및 측정시의 비점 발생량, 배율 오차, 시야 어긋남량의 상관 관계를 조사하는 방법을 사용한다.
또한, 상기 조건과 같이 현재의 1차 전자선의 조사 위치와 로컬 대전의 위치가 상이한 경우, 1차 전자선을 로컬 대전 영역에 조사할 수 없어, 제전 가능 범위 외일 가능성이 있다. 그 경우에는 1차 전자선을 휘게 하는 것, 혹은 스테이지를 움직이는 것, 혹은 이 양자를 행하여, 로컬 대전 영역에 1차 전자선을 조사하고, 제전을 행한다. 1차 전자선의 이동은 편향 코일, 집속 렌즈, 조리개 등을 사용하여 행하고, 스테이지의 이동은 측정 위치를 기록해 두고 이동한다. 이들 방법에 의해 로컬 대전 영역에 1차 전자선을 조사할 수 있어, 제전이 가능하게 된다.
또한, 프리차지와 같이 통상적인 측정보다도 광범위하게 1차 전자선을 조사하는 경우, 제전 가능 범위보다도 로컬 대전이 광범위해지는 경우가 있다. 그 경우는 상기 방법으로 로컬 대전 영역에 1차 전자선을 조사함으로써, 광범위의 로컬 대전의 제전이 가능하게 된다.
로컬 대전이 1차 전자선에 미치는 영향을 모니터해 놓고, 영향이 결정된 임계값을 초과하면 제전을 행하는 경우, 제전 시퀀스는 도 18과 같이 된다. 화상 취득 등의 측정을 복수회 행한 후(S44), 다음 측정이 있는 경우에는(S45), 로컬 대전이 측정에 미치는 영향이 미리 설정한 임계값을 초과하고 있는지 여부를 평가한다(S46). 임계값을 초과하고 있는 경우에는 리타딩 전압 Vr을 변경하고(S47), 프로브 전류를 증대시킨다(S48). 그리고 지금까지의 측정 위치를 모두 제전하는 경우는, 이들 모든 측정점을 포함한 영역에서 1차 전자선을 조사하고, 제전을 행한다(S49). 로컬 대전이 측정에 영향을 미치지 않는 범위로 될 때까지 제전을 행하는 경우에는, 로컬 대전의 영향을 측정에 부여하는 범위를 상술한 방법 등에 의해 조사하고(S50), 다음 측정 x점에 영향을 미치지 않는 범위로 될 때까지 1차 전자선을 조사하고, 제전을 행한다(S51). 제전이 종료되면, S48에서 설정한 프로브 전류를 원래의 값으로 변경하고(S52), S47에서 설정한 리타딩 전압 Vr을 원래의 값으로 변경한다(S53).
제8 실시예
지금까지의 실시예는 측정 후, 1차 전자선에 의해 생긴 로컬 대전을 제거하는 것이 목적이었다. 그러나 로컬 대전을 발생시키고 있지 않아도, 이하와 같은 경우에는 제전을 행하는 장점이 존재한다. 시료가 글로벌 대전을 갖는 경우, 그 대전이 웨이퍼 면내에서 모두 균일하다고는 할 수 없다. 그 때문에 배율 어긋남 등이 생겨, 도 19와 같이, 시료 중의 홀 패턴이 왜곡되어 촬영되어 버리는 등, 정확한 화상을 취득할 수 없는 경우가 있다. 이와 같이 시료가 원래 글로벌 대전을 유지하고 있고, 그 대전이 불균일한 경우, 혹은 측정 전부터 시료의 국소적인 영역에서 대전이 존재하는 경우, 제전을 행함으로써 시료 내의 전위가 균일해져, 정확한 화상의 취득 및 측정을 행하는 것이 가능해진다.
101, 201, 501 : 전자원
102, 202, 502, 701, 702, 801, 802, 1102, 1201 : 1차 전자선
103 : 콘덴서 렌즈
104 : 반사판
105 : 편향(주사) 코일
106 : 대물 렌즈
107, 204, 504, 703, 803, 1104, 1202 : 시료
108, 205, 505 : 2차 전자
109, 1103 : 2차 전자 검출기
110, 207, 507 : 리타딩 전원
111 : 시료 스테이지
112, 206, 506 : 가속 전원
113, 203, 503, 1101 : 1차 전자 가속 전극
114 : 고전압 제어부
115 : 전원
116 : 이미지 시프트 제어부
117 : 스캔 제어부
118 : 스테이지 제어부
119 : 위치 제어부
120 : 리타딩 전압 제어부
121 : 증폭기
122 : 연산부
123 : 화상 메모리
124 : 연산 장치
125 : 표시 장치
126, 1204 : 전류계
127 : 전류계 제어부
128 : 제어 장치
208, 509 : 1차 전자 조사 범위
209, 510, 704, 804, 805, 1105, 1203, 1301 : 로컬 대전
210, 512 : 대전 영역에 있어서의 정전하와 1차 전자의 중화
211, 511 : 랜딩 에너지를 갖지 않는 전자
401 : 시료(웨이퍼) 면내
508 : 글로벌 대전
1302 : 제전 면적
1303 : 대전 전위 측정 위치(로컬 대전 중심)
1901 : 시료 중의 홀 패턴

Claims (20)

  1. 하전 입자원과,
    하전 입자를 검출하는 하전 입자 검출기와,
    가속 전극에 하전 입자선을 가속시키는 가속 전압을 인가하는 전원과,
    시료를 탑재하는 시료 스테이지와,
    상기 시료 스테이지에 상기 하전 입자선을 감속시키는 리타딩 전압을 인가하는 전원과,
    상기 가속 전압 또는／및 상기 리타딩 전압을 제어하는 제어 컴퓨터를 구비한 하전 입자선 장치에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값이 상기 가속 전압의 값보다도 작은 조건에서 시료상에 형성된 패턴을 측정하기 위한 하전 입자선 조사를 실행하고,
    상기 측정하기 위한 하전 입자선 조사 후,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차를 상기 조사시보다도 작고, 또한 -20 내지 30[V]로 되도록, 상기 가속 전압을 인가하는 전원, 및 리타딩 전압을 인가하는 전원 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값을 마이너스의 방향으로 증대시킴으로써,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차를 상기 조사시보다도 작게 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차를 －20 내지 0[V]로 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차를 0 내지 30[V]로 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차가 0[V]로 되는 방향으로 제어함으로써 제전하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압과 상기 가속 전압의 값의 차를 0[V]로 수속시킴으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  7. 하전 입자원과,
    하전 입자를 검출하는 하전 입자 검출기와,
    가속 전극에 하전 입자선을 가속시키는 가속 전압을 인가하는 전원과,
    시료를 탑재하는 시료 스테이지와,
    상기 시료 스테이지에 상기 하전 입자선을 감속시키는 리타딩 전압을 인가하는 전원과,
    상기 가속 전압 또는／및 상기 리타딩 전압을 제어하는 제어 컴퓨터를 구비한 하전 입자선 장치에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값이 상기 가속 전압의 값보다도 작은 조건에서 시료 상에 형성된 패턴을 측정하기 위한 하전 입자선 조사를 실행하고,
    상기 측정하기 위한 하전 입자선 조사 후,
    상기 가속 전극에 의해 가속된 하전 입자선이, 시료에 도달하지 않도록, 상기 가속 전압을 인가하는 전원, 및 리타딩 전압을 인가하는 전원 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값을 마이너스의 방향으로 증대시킴으로써,
    상기 시료로부터 방출되는 상기 하전 입자의 수가, 상기 시료에 입사하는 상기 하전 입자의 수보다도 적은 조건으로 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 시료 표면에 있어서의 상기 하전 입자선의 에너지를 0 내지 30[eV]로 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 시료 표면에 있어서의 상기 하전 입자선의 에너지를 0[eV]로 되는 방향으로 제어함으로써 제전하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 시료의 조사 후,
    상기 시료의 글로벌 대전 전위를 측정하고,
    상기 가속 전압의 값으로부터 상기 글로벌 대전 전위의 값을 뺀 값과 상기 리타딩 전압의 값의 차를 작게 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값을 마이너스의 방향으로 증대시킴으로써,
    상기 가속 전압의 값으로부터 상기 글로벌 대전 전위의 값을 뺀 값과 상기 리타딩 전압의 값의 차를 작게 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 가속 전압의 값으로부터 상기 글로벌 대전 전위의 값을 뺀 값과 상기 리타딩 전압의 값의 차를 －20 내지 0[V]로 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 가속 전압의 값으로부터 상기 글로벌 대전 전위의 값을 뺀 값과 상기 리타딩 전압의 값의 차를 0 내지 30[V]로 함으로써 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 가속 전압의 값으로부터 상기 글로벌 대전 전위의 값을 뺀 값과 상기 리타딩 전압의 값의 차가 0[V]로 되는 방향으로 제어함으로써 제전하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 시료의 조사 후,
    상기 시료의 대전 전위를 미리 측정하고,
    상기 대전 전위와 상기 하전 입자선의 방출량의 상관 관계를 취득하고,
    그 구한 하전 입자선의 방출량에 기초하여 제전을 행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값이 상기 가속 전압의 값보다도 작은 조건에서 시료를 복수회 조사하고,
    상기 복수회 조사 후,
    상기 복수회 조사한 시료의 영역 중, 적어도 2개소 이상의 시료의 조사 영역이, 동시에 제전할 수 있는 영역 내에 포함되는지 여부를 판단하고,
    상기 동시에 제전할 수 있는 영역 내에 포함되어 있다고 판단하였을 때,
    상기 적어도 2개소 이상의 시료의 조사 영역을 포함하는 영역에 대해,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차를 상기 조사시보다도 작게 함으로써 동시에 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값이 상기 가속 전압의 값보다도 작은 조건에서 시료를 복수회 조사하고,
    상기 복수회의 조사 중, 임의의 횟수의 조사가 종료된 후에,
    상기 임의의 횟수 조사한 시료의 영역 중, 적어도 2개소 이상의 시료의 조사 영역이, 동시에 제전할 수 있는 영역 내에 포함되는지 여부를 판단하고,
    상기 동시에 제전할 수 있는 영역 내에 포함되어 있다고 판단하였을 때,
    상기 적어도 2개소 이상의 시료의 대전 영역을 포함하는 영역에 대해,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차를 상기 조사시보다도 작게 함으로써 동시에 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 적어도 2개소 이상의 상기 시료의 조사 영역이, 동시에 제전할 수 있는 영역 내에 포함되는지 여부의 판단은,
    상기 하전 입자원으로부터 방출되는 상기 하전 입자선의 조사 가능 면적에 기초하여 행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제어 컴퓨터는,
    상기 리타딩 전압의 값이 상기 가속 전압의 값보다도 작은 조건에서 시료를 복수회 조사하고,
    상기 복수회의 조사 중, 임의의 횟수의 조사가 종료된 후에,
    상기 임의의 횟수 조사한 시료의 영역 중, 적어도 2개소 이상의 시료의 조사 영역 중, 상기 시료의 다음 조사 영역에 영향을 미치는 조사 영역이 포함되는지 여부를 판단하고,
    상기 영향을 미치는 조사 영역이 포함된다고 판단하였을 때,
    상기 영향을 미치는 조사 영역에 대해,
    상기 리타딩 전압의 값과 상기 가속 전압의 값의 차를 상기 조사시보다도 작게 함으로써 동시에 제전하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
KR1020137019802A 2011-01-26 2011-11-30 하전 입자선 장치 KR101523453B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-013560 2011-01-26
JP2011013560A JP5695917B2 (ja) 2011-01-26 2011-01-26 荷電粒子線装置
PCT/JP2011/006672 WO2012101704A1 (ja) 2011-01-26 2011-11-30 荷電粒子線装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130111617A KR20130111617A (ko) 2013-10-10
KR101523453B1 true KR101523453B1 (ko) 2015-05-28

Family

ID=46580317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137019802A KR101523453B1 (ko) 2011-01-26 2011-11-30 하전 입자선 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9202665B2 (ko)
JP (1) JP5695917B2 (ko)
KR (1) KR101523453B1 (ko)
WO (1) WO2012101704A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102231035B1 (ko) 2019-09-25 2021-03-23 한국표준과학연구원 지연 에너지 분석기

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5764444B2 (ja) * 2011-09-16 2015-08-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
DE102013011491A1 (de) 2013-07-09 2015-01-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Partikelstrahlmikroskops und Partikelstrahlmikroskop
DE102015216673A1 (de) * 2015-09-01 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche
JP6527799B2 (ja) * 2015-09-25 2019-06-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及びパターン測定装置
US10460903B2 (en) * 2016-04-04 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Method and system for charge control for imaging floating metal structures on non-conducting substrates
JP6613219B2 (ja) * 2016-09-02 2019-11-27 株式会社日立製作所 走査型顕微鏡
JP6782795B2 (ja) * 2017-01-17 2020-11-11 株式会社日立ハイテク 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡による試料観察方法
US10692690B2 (en) * 2017-03-27 2020-06-23 Kla-Tencor Corporation Care areas for improved electron beam defect detection
CN117153651A (zh) 2017-09-29 2023-12-01 Asml荷兰有限公司 样品检查中的图像对比度增强
WO2020225891A1 (ja) 2019-05-08 2020-11-12 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビームシステム、および荷電粒子線装置における観察条件を決定する方法
JP2021005497A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 キオクシア株式会社 電子顕微鏡およびビーム照射方法
JP7441756B2 (ja) 2020-08-27 2024-03-01 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置
CN114822426A (zh) * 2021-01-28 2022-07-29 咸阳彩虹光电科技有限公司 数据处理方法、数据处理装置及显示面板
WO2023276127A1 (ja) * 2021-07-01 2023-01-05 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP2024004674A (ja) * 2022-06-29 2024-01-17 東レエンジニアリング先端半導体Ｍｉテクノロジー株式会社 パターンマッチング方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303568A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Keyence Corp 電子顕微鏡のチャージアップ防止方法および電子顕微鏡
JP2006234789A (ja) * 2005-01-26 2006-09-07 Hitachi High-Technologies Corp 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置
US20070210250A1 (en) * 2003-10-16 2007-09-13 Ward Billy W Ion sources, systems and methods
JP2010211973A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012684A (ja) 1996-06-26 1998-01-16 Hitachi Ltd 半導体装置の検査方法及びその装置
US7015468B1 (en) * 2003-03-25 2006-03-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods of stabilizing measurement of ArF resist in CD-SEM
US7176468B2 (en) * 2004-09-16 2007-02-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for charging substrate to a potential
JP4500646B2 (ja) * 2004-10-18 2010-07-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料観察方法及び電子顕微鏡
US7893397B2 (en) * 2005-11-07 2011-02-22 Fibics Incorporated Apparatus and method for surface modification using charged particle beams
JP5028181B2 (ja) * 2007-08-08 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 収差補正器およびそれを用いた荷電粒子線装置
JP4764436B2 (ja) 2008-02-14 2011-09-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 外観検査方法及び検査装置
JP5179253B2 (ja) 2008-05-16 2013-04-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電極ユニット、及び荷電粒子線装置
JP2010027743A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Ebara Corp インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置
JP5615489B2 (ja) * 2008-08-08 2014-10-29 株式会社荏原製作所 基板表面の検査方法及び検査装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003303568A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Keyence Corp 電子顕微鏡のチャージアップ防止方法および電子顕微鏡
US20070210250A1 (en) * 2003-10-16 2007-09-13 Ward Billy W Ion sources, systems and methods
JP2006234789A (ja) * 2005-01-26 2006-09-07 Hitachi High-Technologies Corp 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置
JP2010211973A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102231035B1 (ko) 2019-09-25 2021-03-23 한국표준과학연구원 지연 에너지 분석기

Also Published As

Publication number Publication date
US20140027635A1 (en) 2014-01-30
WO2012101704A1 (ja) 2012-08-02
JP2012155980A (ja) 2012-08-16
KR20130111617A (ko) 2013-10-10
US9202665B2 (en) 2015-12-01
JP5695917B2 (ja) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101523453B1 (ko) 하전 입자선 장치
US8304725B2 (en) Charged particle beam system
JP5937171B2 (ja) 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法
KR100721846B1 (ko) 패턴결함 검사방법 및 검사장치
US8847158B2 (en) Device and method for measuring surface charge distribution
US8481935B2 (en) Scanning electron microscope
JP2007207688A (ja) ミラー電子顕微鏡およびミラー電子顕微鏡を用いた検査装置
US20080224039A1 (en) Scanning electron microscope with length measurement function and dimension length measurement method
WO2002075772A2 (en) Simultaneous flooding and inspection for charge control in an electron beam inspection machine
JP2006032107A (ja) 反射結像型電子顕微鏡及びそれを用いたパターン欠陥検査装置
JP2004342341A (ja) ミラー電子顕微鏡及びそれを用いたパターン欠陥検査装置
JP2007280614A (ja) 反射結像型電子顕微鏡、及びそれを用いた欠陥検査装置
CN117355743A (zh) 使用帽偏压以倾斜模式的扫描式电子显微镜（sem）作反散射电子（bse）成像
JP5055015B2 (ja) 荷電粒子線装置
US7335879B2 (en) System and method for sample charge control
JP3711244B2 (ja) ウエハの欠陥検査装置
JP5470194B2 (ja) 荷電粒子線装置
KR20130023280A (ko) 전자 빔의 조사 방법 및 주사 전자 현미경
JP4178003B2 (ja) 半導体回路パターンの検査装置
JP7148714B2 (ja) 荷電粒子ビームシステム、および荷電粒子線装置における観察条件を決定する方法
US20240126057A1 (en) Method of determining a brightness of a charged particle beam, method of determining a size of a source of the charged particle beam, and charged particle beam imaging device
JP2012043816A (ja) 試料電位情報検出方法及び荷電粒子線装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180503

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190503

Year of fee payment: 5