KR101519813B1 - 표면이 금속화된 세라믹 베이스를 구비하는 부품 - Google Patents

표면이 금속화된 세라믹 베이스를 구비하는 부품 Download PDF

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Abstract

전력 전자장치가 보다 높은 전압 범위로 발전함에 따라, 보다 높은 절연 전압 및 보다 큰 부분-방전 저항에 대한 요구가 증대되고 있다. 그에 따라, 본 발명은 세라믹 베이스(2) 및 금속화된 코팅(5, 6; 11)에 의해서 하나 이상의 영역이 덮인 표면(3, 4)을 가지는 성분(1)에 관한 것으로서, 상기 세라믹 베이스(2)는 공간적으로 구조화되고(7) 그리고 동일한 물질 또는 상이한 물질로부터 그리고 세라믹과 금속화된 구조물의 층들(5; 11) 사이에 형성된 둘 이상의 금속화된 구조물(5, 6)의 층 사이의 부분 방전 저항이 20 pC 미만이 된다.

Description

표면이 금속화된 세라믹 베이스를 구비하는 부품 {COMPONENT HAVING A CERAMIC BASE THE SURFACE OF WHICH IS METALIZED}
본 발명은 표면상의 적어도 하나의 구역이 금속화된(meatllized) 코팅으로 덮인 세라믹 본체를 구비하는 부품에 관한 것이다.
전력 전자 장치가 보다 높은 전압 범위로 발전함에 따라, 보다 높은 절연 전압 및 보다 큰 부분-방전 저항(great partial-discharge resistance)에 대한 수요가 증대되고 있다. 절연 및 부분-방전 저항은 특히 베이스 절연체, 하우징 물질, 및 충진 물질, 그리고, 해당되는 경우에 칩(chip) 배열의 두께, 물질 및 균질성에 의존한다.
예를 들어, 주로 트랙션, 리프팅 및 펄스화된 적용 분야에서와 같이, 특히 간헐적인 작동 중에 주파수가 약 3 kHz 미만인 로드-변화(load-changes)는 내부 모듈 연결부의 온도-변화 스트레스를 초래하며, 상기 연결부들은 본딩된(bonded) 연결부들, 칩들의 후방-측부 납땜, DCB/베이스-플레이트 납땜 및 기판 라미네이션(lamination)(Al2O3 또는 AlN 상의 Cu)을 포함한다. 개별적인 층들의 서로 상이한 선형 팽창 계수는 제조 및 작동 중에 열적 왜곡(distortions)을 일으키며, 이는 결국 물질 피로 및 마모를 초래한다. 이러한 사이클 중의 칩 온도 변동의 진폭이 커질수록 서비스 수명(허용가능한 스위칭 사이클의 횟수)이 짧아질 것이다.
10 pC 미만의 신뢰가능한 부분-방전 저항을 나타내는 플레이트형 금속-세라믹 기판이 DE 10 2004 033 227 A1에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 표면이 금속화되고 그리고 플레이트-형상의 평면형 형상 만으로 구성되지 않으며(not exclusively plate-shaped, planar) 높은 부분-방전 저항을 가지는 세라믹 본체를 구비하는 부품을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 특허청구범위 제1항의 특징들의 도움으로 달성될 수 있을 것이다. 본 발명의 바람직한 개량 실시예가 종속항들에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 부품은 공간적으로 구조화된다. 플레이트 대신에, 세라믹 본체가 3-차원적인 구조를 가진다. 그에 따라, 예를 들어, 추가적인 부분들이 플레이트로부터 연속될 수 있을 것이고, 본체가 임의 형태로 전개될 수 있을 것이다. 그러나, 전체 본체는 하나의 피스(piece)이며, 즉 개별적인 부분들로 이루어지지 않는다. 만약, 예를 들어, 추가적인 플레이트들이 플레이트 상에서 수직으로 설치된다면 전체 본체가 예를 들어 E-자형으로 전개될 수 있을 것이다. 예를 들어, 히트 싱크가 그러한 형태를 가진다.
본 발명에 따라서, 동일한 종류의 또는 상이한 물질들의 금속화된 코팅의 2 이상의 층들 사이의 그리고 세라믹 물질과 금속화된 코팅의 층 사이의 부분-방전 저항은 20 pC 미만이 된다. 이러한 부분-방전 저항은, 소정(所定)의 동일한 또는 상이한 측정 방법에 따라서, 동일한 또는 동일하지 않은 또는 변화되는(changing) 소정 측정 전압에서 또는 동일한 또는 동일하지 않은 또는 변화되는 측정 조건에서 달성된다. 측정 조건은, 예를 들어, 압력 또는 온도 또는 공기 습도 또는 금속화된 코팅들 사이의 동일한 또는 동일하지 않은 거리일 수 있을 것이다.
금속화된 코팅이 세라믹 본체 상으로 제공될 때 또는 금속화된 코팅이 다른 금속화된 코팅의 상부에 제공될 때, 엣지 영역에서 기포(blister) 및 공동(cavities) 그리고 또한 분리(detached) 부분들이 형성될 수 있을 것이다. 연결된 부품과 금속화된 코팅 사이의 전이부(transition)에서도 마찬가지일 것이다. 두 개의 금속화된 코팅들 사이의 그리고 금속화된 코팅과 세라믹 본체 사이의 또는 연결된 부품과 금속화된 코팅 사이의 전이부에서의 이들 결함은 부분-방전 저항에 유해한 영향을 미친다. 20 pC 미만의 요구되는 부분-방전 저항이 초과되지 않도록, 이들 결함들은 직경이 100 ㎛를 초과하지 않아야 하고 높이가 100 ㎛을 초과하지 않아야 한다. 직경은 어떠한 방식으로든 형성된 결함의 원에 내접된(inscribed) 돌출부(projection)를 나타낸다.
또한, 금속화된 코팅의 구조화에 의해서 형성되는 부품의 표면 상의 돌출부 또는 리세스(recess) 형태의 결함들은 이들 지점에서의 전기장의 교란으로 인해서 부분-방전 저항에 영향을 미치게 된다. 이러한 이유로, 20 pC 미만의 요구되는 부분-방전 저항이 초과되지 않도록, 이들 결함은 곡률반경이 10 ㎛ 보다 적지 않은 엣지 경로(edge course) 만을 가지게 할 수 있을 것이다.
바람직하게, 코팅 또는 호일 또는 금속 시트 형태의 금속들이 표면의 전체 또는 일부에 걸쳐서 물질-록킹 방식(substance-locking manner) 또는 기계적인 형상-록킹(mechanical form-locking) 방식으로 금속화된 코팅으로서 세라믹 본체에 부착되며, 상기 금속들은 세라믹 본체와 동일한 또는 상이한 열전도도를 가질 수 있을 것이다. 예를 들어, 금속화된 코팅은 텅스텐, 은, 금, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄 또는 순수 스틸 또는 산업용 품질의 스틸 또는 둘 이상의 상이한 금속의 혼합물로 이루어질 수 있을 것이다. 또한, 금속화된 코팅은 예를 들어 반응 땜납, 연질 땜납 또는 경질 땜납을 부가적으로 포함하는 또는 그것 만으로 이루어질 수 있을 것이다.
코팅 또는 호일 또는 금속 시트 형태의 금속화된 코팅의 금속을 코팅하여 세라믹 본체 상의 금속화된 코팅의 접착력을 높이기 위해서, 예를 들어, 유리 또는 폴리머 물질과 같은, 접착-촉진 물질 또는 다른 첨가제가 첨가될 수 있고 또는 사용될 수 있을 것이다.
DCB(직접적인 구리 본딩) 방법 또는 AMB(활성 금속 브레이징; active metal brazing) 방법 또는 스크린-인쇄 방법 또는 전해질 방법 또는 화학적 증착 또는 증발 방법을 이용하여 또는 접착 또는 아교접착(gluing) 또는 이들 방법의 조합에 의해서, 금속화된 코팅의 층 또는 층들이 마주하는 및/또는 인접하는 면(faces)들 상에서 본체의 표면 상에 제공된다.
세라믹 본체의 금속화된 코팅은 금속 면 당(per) 하나 이상의 층으로 구성된다. 금속화된 코팅은, 일부 표면 또는 전체 표면에 걸쳐 또는 부분적으로 또는 완전히 평면-평행 형태(plane-parallel form)로 또는 거의 평면-평행 형태로 또는 임의의 기하학적인 형태로 돌출하는 방식으로 또는 이들이 조합된 형태로, 금속 본체로서 세라믹 본체의 표면을 덮는다.
20 pC 미만의 요구되는 부분-방전 저항이 초과되지 않도록, 금속화된 코팅의 층 두께가 2 mm 미만이 되어야 할 것이다.
세라믹 본체 상의 하나 이상의 금속화된 코팅이 구리만으로 구성될 수 있을 것이다. 세라믹 본체와의 연결은 스크린-인쇄 방법 및 후속하는 열처리 또는 DCB 방법에 의해서 실행될 수 있을 것이다.
세라믹 본체 상의 하나 이상의 금속화된 코팅이 알루미늄만으로 구성될 수 있을 것이다. 세라믹 본체와의 연결은 열처리가 후속되는 스크린-인쇄 방법 또는 AMB 방법에 의해서 실행될 수 있을 것이다.
만약 추가적인 층이 세라믹 본체 또는 금속화된 코팅의 표면에 도포된다면, 접착력 개선을 위해서 중간 층을 제공하는 것이 유리할 수 있을 것이다. 그러한 중간 층은 두께가 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 만약, 예를 들어, 구리로 이루어진 금속화된 코팅이 DCB 방법에 의해서 알루미늄-질화물 세라믹 물질 상에 제공된다면, Al2O3 의 중간 층이 세라믹 본체의 표면 상에 생성되는 것이 유리할 수 있을 것이다. 결과적으로, 구리를 구비하는 금속화된 코팅의 접착 강도가 증대된다.
하나 이상의 금속화된 코팅 및/또는 추가적인 금속화된 코팅의 세라믹 본체에 대한 바인딩(binding)은 90% 초과이다.
하나 이상의 금속화된 코팅이 12 N/cm 이상의 접착 강도로 세라믹 본체에 연결된다. 결과적으로, 특히 열적 로딩(thermal loading)의 결과로서, 세라믹 본체로부터 금속화된 코팅이 분리되는 것이 발생되지 않게 된다.
부품의 본체는 요구되는 특성, 예를 들어, 절연 특성, 부분-방전 저항 특성 및 열적 안정성에 맞춰 조정된 조성을 가지는 세라믹 물질로 이루어 진다.
세라믹 물질은, 주요 성분으로서, 50.1 중량% 내지 100 중량% ZrO2/HfO2 또는 50.1 중량% 내지 100 중량% Al2O3 또는 50.1 중량% 내지 100 중량% AlN 또는 50.1 중량% 내지 100 중량% Si3N4 또는 50.1 중량% 내지 100 중량% BeO, 50.1 중량% 내지 100 중량% SiC 또는 특정 비율 범위로 조합된 상기 주요 성분들 중 둘 이상의 조합, 그리고 또한, 2차(secondary) 성분으로서, 하나 이상의 산화 단계(oxidation stage) 및/또는 화합물 형태를 가지고 특정 비율 범위의 임의 조합 형태로 또는 개별적으로 49.9 중량% 이하의 비율의 Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb 원소를 포함한다. 3 중량% 이하의 불순물 비율을 제외하고, 주요 성분 및 2차 성분이 서로 조합되어 총 100 중량%의 조성물을 제공할 수 있을 것이다.
바람직하게, 부품의 세라믹 본체가 히트 싱크로서 형성된다. 히트 싱크가 본체라는 것으로부터, 전기적 또는 전자적 구조 요소 또는 회로 장치를 포함할 것이고, 구조적 요소 또는 회로 장치에 손상을 가할 수 있는 발생 열의 축적이 방지되도록 상기 구조 요소 또는 회로 장치 내에서 발생되는 열을 발산할 수 있는 방식으로 형성될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 캐리어 본체는 전기적으로 비전도성이거나 거의 비전도성이고 열 전도도가 양호한 물질로 제조된 본체이다. 그러한 본체에 대한 이상적인 물질은 세라믹 물질이다.
본체는 하나의 피스이고, 전자적 구조 요소 또는 회로 장치를 보호하기 위해서 열을 발산하는 또는 열을 공급하는(supplying) 요소를 구비한다. 캐리어 본체는 바람직하게 인쇄회로기판이고, 상기 요소는 가열 또는 냉각 매체가 작용할 수 있는 보어(bores), 채널, 리브(ribs) 및/또는 간극이다. 매체는 액체 또는 기체일 수 있다. 캐리어 본체 및/또는 냉각 요소는 바람직하게 하나 이상의 세라믹 부품 또는 여러 세라믹 물질의 복합체로 이루어진다.
도 1은 본 발명의 실시예를 도시한 도면이다.
예시적인 실시예를 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 예시적인 실시예에는 부품(1)이 도시되어 있으며, 상기 부품(1)은 본 발명에 따라 비-플레이트형인(not plate-shaped) 세라믹 본체(2)를 구비한다. 비-플레이트형이라는 것은, 세라믹 본체(2)의 상부 측면(3)과 하부 측면(4)이 서로 상이한 크기의 표면을 가지도록 세라믹 본체(2)의 상부 측면(3)과 하부 측면(4)이 형성된다는 것을 의미한다. 본체는 공간적으로 구조화된다. 이러한 예시적인 실시예의 부품(1)의 상부 측면(3)은 평평한 표면을 가진다. 여러가지 금속화된 영역(5)이 이러한 상부 측면(3) 상에 제공된다. 상부 측면(3)은 회로-캐리어이다. 세라믹 본체(2)의 상부 측면(3) 상의 하나 이상의 금속화된 코팅(5) 상에 하나 이상의 추가적인 금속화된 코팅(6)이 도포될 수 있으며, 이러한 경우에 상기 추가적인 금속화된 코팅은 제 1의 금속화된 코팅(5)의 표면의 일부를 덮는다.
이러한 예시적인 실시예에서, 세라믹 본체(2)는 E-자 형상이다. 본체는 히트 싱크이다. 세라믹 본체(2)의 하부 측면(4)이 냉각 리브(7)를 구비한다. 냉각 리브(7)는 또한 금속화된 영역(5)을 구비하며, 그러한 금속화된 영역 상에는, 예를 들어, 전자 부품들이 납땜될 수 있을 것이다.
세라믹 본체(2)의 표면(3) 상에서, 납땜된 연결부(9)에 의해서 금속화된 영역(5) 상에 칩(8)이 고정된다. 이는 납(10)에 의해서 금속화된 영역(5)에 연결된다. 이러한 칩(8)은 열 공급원을 나타내며, 그 열은 냉각 리브(7)에 의해서 발산된다.
만약 구리로 이루어진 금속화된 코팅이 DCB 방법에 의해서 알루미늄-질화물 세라믹 물질에 도포된다면, Al2O3 의 중간 층이 세라믹 본체의 표면 상에 제공되는 것이 유리할 것이다. 도시된 예시적인 실시예에서, 이러한 것이 냉각 리브(7) 상에서 세라믹 본체(2)의 좌측부에 도시되어 있다. 본체(2)가 알루미늄 질화물로 구성된 것으로 가정하면, Al2O3 의 중간 층이 구리로 이루어진 금속화된 코팅(11)과 세라믹 본체(2)의 표면 사이에 형성될 것이다. 전자 부품(14)이 납땜(13)에 의해서 구리의 금속화된 코팅(11)에 연결된다.

Claims (20)

  1. 세라믹 본체(2)를 구비하는 전자 부품(1)으로서,
    상기 세라믹 본체(2)의 표면(3, 4) 상의 하나 이상의 영역이 금속 코팅(5, 6; 11)으로 덮이고,
    동일한 종류 또는 상이한 물질로 이루어진 금속 코팅(5, 6)의 둘 이상의 층 사이의 그리고 상기 세라믹 본체(2)의 세라믹 물질과 금속 코팅(5; 11)의 층 사이의 부분-방전 저항(partial-discharge resistance)이 20 pC 미만이며, 상기 세라믹 본체(2)는 플레이트형으로 형성되지 아니하면서 3차원적으로 연장되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 코팅(5, 6) 사이의 전이부에서, 상기 금속 코팅(5; 11)과 상기 세라믹 본체(2) 사이의 전이부에서, 그리고 연결된 부품(8; 14)과 상기 금속 코팅(5; 11) 사이의 전이부에서, 공극을 형성하는 결함은, 100 ㎛를 초과하지 않는 직경 및 100 ㎛을 초과하지 않는 높이를 갖는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전자 부품의 표면 상에서 돌출부 또는 리세스 형태로 구조화된 금속 코팅(5, 6; 11)에 의해 형성된 결함은, 곡률반경이 10 ㎛ 보다 적지 않은 엣지 경로(edge course)를 가지는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  4. 제 1 항에 있어서,
    코팅 또는 호일 또는 금속 시트 형태의 금속이 금속 코팅(5, 6; 11)으로서 상기 표면의 전체 또는 일부에 걸쳐 화학적인 물질-록킹 방식(substance-locking manner)이나 기계적인 형상-록킹(mechanical form-locking) 방식으로 상기 세라믹 본체(2)에 연결되며, 상기 금속은 상기 세라믹 본체(2)와 동일한 또는 상이한 열전도도를 가지는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 코팅(5, 6; 11)은, 텅스텐, 은, 금, 구리, 백금, 팔라듐, 니켈, 알루미늄, 및 스틸 중 어느 하나, 또는 이들 중 둘 이상의 상이한 금속의 혼합물로 이루어지며, 및/또는 상기 금속 코팅은, 반응 땜납만으로 이루어지거나, 연질 땜납만으로 이루어지거나, 경질 땜납(9; 13)만으로 이루어지거나, 반응 땜납과 연질 땜납으로 이루어지거나, 또는 반응 땜납과 경질 땜납으로 이루어지는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  6. 제 1 항에 있어서,
    코팅 또는 호일 또는 금속 시트 형태의 금속 코팅(5, 6; 11)의 금속을 코팅하기 위하여, 첨가제 또는 코팅의 접착을 촉진시킬 수 있는 물질이 첨가되거나 사용되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 본체(2) 상의 금속 코팅(5, 6; 11)은 하나 이상의 층으로 이루어지고,
    상기 층은, DCB(직접적인 구리 본딩) 방법 또는 AMB(활성 금속 브레이징) 방법 또는 스크린-인쇄 방법 또는 전해질 방법 또는 화학적 증착이나 증발 방법을 이용하여 또는 접착 또는 아교접착(gluing) 또는 이러한 방법들의 조합에 의하여, 대향 면 및/또는 인접 면 상에서 상기 세라믹 본체의 표면 상에 제공되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 코팅(5, 6; 11)은, 일부 표면 또는 전체 표면에 걸쳐, 부분적으로 또는 완전히, 평면-평행 형태(plane-parallel form)로 또는 돌출하는 방식으로 또는 이들이 조합된 형태로, 금속 본체로서 상기 세라믹 본체(2)의 표면(3, 4) 위를 덮는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 본체(2) 상의 하나 이상의 금속 코팅(5)의 일부 또는 전부를 덮는 하나 이상의 추가적인 금속 코팅(6)이 상기 하나 이상의 금속 코팅(5)에 도포되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 코팅(5, 6; 11)의 층 두께는 2 mm 미만인 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 본체(2) 상의 하나 또는 둘 이상의 금속 코팅(11)은 구리를 포함하거나 또는 구리만으로 이루어지며, 상기 세라믹 본체(2)와의 연결은 열처리가 후속되는 스크린-인쇄 방법 또는 DCB 방법에 의해서 실행되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 본체(2) 상의 하나 또는 둘 이상의 금속 코팅은 알루미늄만으로 이루어지며, 상기 세라믹 본체(2)와의 연결은 열처리가 후속되는 스크린-인쇄 방법 또는 AMB 방법에 의해서 실행되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  13. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 상기 금속 코팅 및/또는 추가적인 금속 코팅(5, 6; 11)의 면적의 90% 이상이 상기 세라믹 본체(2)에 접착되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  14. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 상기 금속 코팅(5, 6; 11)이 12 N/cm 이상의 접착 강도로 상기 세라믹 본체(2)에 연결되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  15. 삭제
  16. 제 1 항에 있어서,
    추가적인 층(11) 또는 전자 부품의 접착을 촉진하기 위하여, 상기 세라믹 본체(2)의 하나 이상의 표면 상에 또는 금속 코팅 상에 중간 층(12)이 제공되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 중간 층(12)의 두께가 20 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  18. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 중간 층(12)이 Al2O3 로 이루어지는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 물질은: 1차 성분으로서, ZrO2/HfO2, Al2O3, AlN, Si3N4, BeO, 및 SiC로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나의 성분 또는 둘 이상의 성분을 50.1 중량% 내지 100 중량%의 비율로 포함하고,
    또한 2차(secondary) 성분으로서, Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, 및 Pb로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나의 원소 또는 둘 이상의 원소를, 49.9 중량% 이하의 비율로, 하나 이상의 산화 상태(oxidation state) 및/또는 화합물 형태로 포함하며,
    3 중량% 이하로 포함될 수 있는 불순물을 제외하면, 상기 1차 성분 및 상기 2차 성분이 총 100 중량%을 형성하는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
  20. 제 1 항에 있어서,
    냉각 리브(7)를 구비하는 상기 세라믹 본체(2)가 히트 싱크로서 형성되는 것을 특징으로 하는,
    전자 부품(1).
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