CN106145952B - 高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法 - Google Patents

高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106145952B
CN106145952B CN201510129090.9A CN201510129090A CN106145952B CN 106145952 B CN106145952 B CN 106145952B CN 201510129090 A CN201510129090 A CN 201510129090A CN 106145952 B CN106145952 B CN 106145952B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon carbide
high insulating
ceramic substrate
preparation
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510129090.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106145952A (zh
Inventor
曾清隆
陈泽同
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LONGKE ELECTRONIC (HUIYANG) CO Ltd
Original Assignee
LONGKE ELECTRONIC (HUIYANG) CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LONGKE ELECTRONIC (HUIYANG) CO Ltd filed Critical LONGKE ELECTRONIC (HUIYANG) CO Ltd
Priority to CN201510129090.9A priority Critical patent/CN106145952B/zh
Publication of CN106145952A publication Critical patent/CN106145952A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106145952B publication Critical patent/CN106145952B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明涉及一种高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法，包括高绝缘碳化硅陶瓷基板和印制在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板一面或两面的金属线路图，所述高绝缘碳化硅基板和线路板的制备方法包括：配料混合、喷雾造粒、压制成型、排胶烧结、加工清洗、表面涂覆和玻化、网印和还原工艺，本发明提供的高绝缘碳化硅基板与碳化硅基电路板将线路板与散热板合二为一、节省资源、降低消耗，该高绝缘碳化硅基电路板具有散热功效高、散热均匀性好、价格便宜、可用于大功率器件等优点，该制备方法具有工艺简单、节省材料、安全环保等优点，极大地降低了后序生产加工成本。

Description

高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法
技术领域
本发明涉及碳化硅散热板和电路板技术领域，具体涉及高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法。
背景技术
碳化硅(SiC)半导体陶瓷材料于上世纪初被发现后，在过电压防护领域中被广泛用于制作避雷器、防护元件等器件，在电高温领域被用作发热元件。由于SiC的非线性系数a值小、电压梯度低、材料消耗大等原因，自上世纪70年代，在过电压防护领域中逐步被氧化锌取代，但又由于碳化硅(SiC)材料比重轻(约1.7左右)、导热性能好、价格低廉、工艺成熟，基于上述特性可制作性能良好的散热板，常规做法是将功率元件焊贴在PCB板上，再将PCB板胶贴在各种材质(如铝型材、氧化铝、石墨稀、碳化硅等)的散热板上形成整体件，常规碳化硅(SiC)材料因其耐压绝缘值不满 足上游产业需求，故无法制成碳化硅基线路板，现有技术存在着制备工艺较复杂、浪费材料、污染环境(常规PCB板制作中的腐蚀液污染)等缺陷，而且制备的整体件散热功效较低，价格较贵。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明提供一种具有绝缘强度好、散热功效高、集散热与线路为一体的碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法。
为达到上述目的，本发明所采取的技术方案为：
一种高绝缘碳化硅陶瓷基板，包括碳化硅陶瓷基板和涂覆在所述碳化硅陶瓷基板的所有暴露面的绝缘釉涂层，所述碳化硅陶瓷基板由碳化硅、无铅釉料、云母粉/石英粉、滑石粉、锑粉、镁粉、铬粉按70～92:8～15:3～20:0～15:0～3:0～3:0～3的质量比混合研磨、喷雾造粒形成碳化硅陶瓷粉体，再将所述碳化硅陶瓷粉体经过压制成型、排胶烧结、加工清洗、涂 覆玻化制备而成。
进一步地，所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的外部尺寸、形状和在其上设置的孔槽的形状位置根据应用需求设置。
进一步地，包括所述高绝缘碳化硅陶瓷基板和印制在所述高绝缘碳化硅陶
瓷基板一面或两面的金属线路图。
进一步地，当在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的两面印制有金属线路图时，印制在所述碳化硅陶瓷基板两面的金属线路图相同或者不相同。
进一步地，当在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的一面印制有金属线路图时，另一面作为散热面被设置为平面、曲线面、多半球体面或多三角锥体面，利用不同形状增大散热面积。
一种高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：
(1)将颗粒度为800～1400目的碳化硅、无铅釉料、云母粉/石英粉、滑石粉、锑粉、镁粉、铬粉按70～92:8～15:3～20:0～15:0～3:0～3:0～3的质量比搅拌混合并研磨，加入粘合剂后进行喷雾造粒，形成混合粉料；
(2)按需求的外部形状和孔槽形状选用对应的压制成型模具将所述混合粉料压制成型为坯块；
(3)将成型后的坯块送入排胶炉中排胶再转入烧结炉中烧结，形成碳化硅陶瓷基板；
(4)对于成型模具无法加工的碳化硅陶瓷基板的部位，用机械或激光方法进行加工，加工完毕进行清洗；
(5)用绝缘釉涂覆所述碳化碳陶瓷基板的一面并厚度周边，送入烘干炉中烘干，再涂覆另一面，再送入烘干炉中烘干，烘干后转入高温炉进行表面玻璃化处理，制得高绝缘碳化碳陶瓷基板。
进一步地，在步骤(2)中，所述碳化硅陶瓷块的形状为圆形，椭圆形，矩形或多边形，所述碳化硅陶瓷块的压制厚度为0.8mm～10mm，所述碳化硅陶瓷块的散热面为平面、曲线面、多半球体面或多三角锥体面。
进一步地，在步骤(3)中，烧结炉的温度设置为950～1250℃，烧结时长为18～26h。
进一步地，在步骤(3)中，排胶炉的温度设置为550℃～800℃，排胶时长为8～16h。
进一步地，在步骤(5)中，烘干炉温度设置为120℃，时长20-50min，高温炉温度设置为500～850℃，历时35～180min。
一种高绝缘碳化硅基电路板的制备方法，在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法的涂覆与玻化步骤之后，还包括如下步骤：
(6)将按需求制好的线路丝网上入网印机，用金属浆将网板上的线路图案印制在己加工并清洗干净的高绝缘碳化硅基板面上，送入烘干炉中烘干；如制作双面高绝缘碳化硅基电路板，重复该网印步骤印制高绝缘碳化硅基板的另一面，送入烘干炉中烘干；
(7)将印制好并烘干的高绝缘碳化硅基板送入还原炉中还原，出炉冷却后形成高绝缘碳化硅基电路板。
进一步地，在步骤(6)中，还原炉的温度设置为400℃～650℃，还原时间为45～120分钟。
进一步地，步骤(7)中的金属浆料采 用银、锡、镍、铜或铝制作的浆料。
本发明的有益效果在于：
本发明所提供的一种高绝缘碳化硅(SiC)陶瓷基板与碳化硅(SiC)基电路板将线路板与散热板合二为一，节省资源，该高绝缘碳化硅(SiC)陶瓷基板与碳化硅(SiC)基电路板具有散热功效高、生产成本低、可用于大功率器件等优点，且具有一定的电磁防护功能，本发明所提供的高绝缘碳化硅(SiC)陶瓷基板与碳化硅(SiC)基电路板的制备方法，工艺简单、节省材料、安全环保、极大地降低了生产加工成本，为LED产业和电子整机企业节省工时。
附图说明
图1为本发明所提供的无涂覆绝缘釉时高绝缘碳化硅陶瓷基板；
图2为本发明所提供的涂覆绝缘釉的高绝缘碳化硅陶瓷基板；
图3为本发明提供的碳化硅基电路板的第一种实施结构的主视图；
图4为本发明提供的碳化硅基电路板的第一种实施结构的后视图；
图5为本发明提供的碳化硅基电路板的第二种实施结构的主视图；
图6为本发明提供的碳化硅基电路板的第二种实施结构的后视图；
图7为本发明提供的碳化硅基波浪曲线面单面电路板的结构示意图；
图8为本发明提供的碳化硅基多半球体面单面电路板的结构示意图；
图9为本发明提供的碳化硅基多三角锥体面单面电路板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图具体阐明本发明的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本发明专利保护范围的限制。
一种高绝缘碳化硅陶瓷基板，包括碳化硅陶瓷基板1和涂覆在所述碳化硅陶瓷基板的所有暴露面的绝缘釉涂层(绝缘釉图层无法标记，为图中较亮的外层部分)，如图1 和图2所示，图1为无釉料时的高绝缘碳化硅陶瓷基板，图2为涂覆了釉料之后的高绝缘碳化硅陶瓷基板，在本实施中，该基板1设置有5个安装孔4所述碳化硅陶瓷基板由碳化硅、无铅釉料、云母粉/石英粉、滑石粉、锑粉、镁粉、铬粉按70～92:8～ 15:3～20:0～15:0～3:0～3:0～3的质量比混合研磨、喷雾造粒形成碳化硅陶瓷粉体，再将所述碳化硅陶瓷粉体经过压制成型、排胶烧结、加工清洗、涂 覆玻化制备而成。
本实施例中，所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的外部尺寸、形状和在其上设置的孔槽的形状位置根据应用需求设置。
一种高绝缘碳化硅基电路板，包括所述高绝缘碳化硅陶瓷基板1和印制在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板一面或两面的金属线路图2。
当在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的两面印制有金属线路图2时，印制在所述碳化硅陶瓷基板两面的金属线路图相同或者不相同。
当在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的一面印制有金属线路图时，另一面作为散热面被设置为平面、曲线面(优选可以为波浪曲线面或多半球体面)或多三角锥体面，利用不同形状增大散热面积。
图3至图6为不同形状的高绝缘SiC基板结构，第一种设置有凹槽3，第二种设置有凹槽3和孔4，图7、8、9为高绝缘SiC基板的散热面分别为波浪曲线面、球体面和三角锥体面的形状结构。
一种高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：
(1)将颗粒度为800～1400目的碳化硅、无铅釉料、云母粉/石英粉、滑石粉、锑粉、镁粉、铬粉按70～92:8～15:3～20:0～15:0～3:0～3:0～3的质量比搅拌混合并研磨，加入粘合剂后进行喷雾造粒，形成混合粉料；
(2)按需求的外部形状和孔槽形状选用对应的压制成型模具将所述碳化硅混合粉料压制成型为坯块，所述坯块的形状为圆形，椭圆形，或多边形(如矩形)，所述碳化硅陶瓷块的压制厚度为0.8mm～10mm，所述碳化硅陶瓷块的散热面为平面、曲线面、多半球体面或多三角锥体面；
(3)将成型后的碳化硅坯块送入排胶炉中排胶，排胶炉的温度设置为550℃～800℃，排胶时长为8～16h，排胶完毕的碳化硅坯块再转入烧结炉中烧结，形成碳化硅陶瓷基板，烧结炉的温度设置为950-1250℃，烧结时长为18～26h；
(4)对于成型模具无法加工的碳化硅陶瓷基板的部位，用机械或激光方法进行加工，加工完毕进行清洗；
(5)用绝缘釉涂覆所述碳化碳陶瓷基板的一面并厚度周边，送入烘干炉中烘干，再涂覆另一面，再送入烘干炉中烘干，烘干炉温度设置为120℃，时长20-50min，烘干后转入高温炉进行表面玻璃化处理，高温炉温度设置为500～850℃，历时35～180min，制得高绝缘碳化碳陶瓷基板。
在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法的涂覆与玻化步骤之后，还包括：
一种高绝缘碳化硅基电路板的制备方法，在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法的涂覆与玻化步骤之后，还包括如下步骤：
(6)将按需求制好的线路丝网上入网印机，用金属浆将网板上的线路图案印制在己加工并清洗干净的高绝缘碳化硅基板面上，金属浆料采 用银、锡、镍、铜或铝制作的浆料，之后送入烘干炉中烘干；如制作双面高绝缘碳化硅基电路板，重复该网印步骤印制高绝缘碳化硅基板的另一面，送入烘干炉中烘干；
(7)将印制好并烘干的高绝缘碳化硅基板送入还原炉中还原，出炉冷却后形成高绝缘碳化硅基电路板，还原炉的温度设置为400℃～650℃，还原时间为45～120分钟。
上游产业对碳化硅基板的绝缘耐压要求是4KV/lmin，漏电流不大于0.2mA，且与厚度无关，表1是普通碳化硅基板绝缘耐压实测参数，其中规格为15*15*2mm(长*宽* 厚)样品平均击穿电压为3.72KV，20*20*2mm样品平均击穿电压为2.77KV，均为不合格，同规格5mm厚度测试样品漏电流平均为0.104mA，合格，说明绝缘耐压与产品厚度有关，不符合应用需求。
表2为本发明一种高绝缘碳化硅基板绝缘耐压参数，其样品厚度仅为1mm，漏电流平均为0.06mA，提高了一个数量级，合格。
表1
碳化硅基板规格(mm) 测量参数 1号 2号 3号 4号 5号 判定
15*15*2(长*宽*厚) 5KV/min 3.91 3.78 3.89 3.47 3.58 NO
20*20*2 5KVmin 2.27 3.09 2.76 2.62 3.12 NO
15*15*5 5KVmin 0.1 0.07 0.08 0.08 0.08 YES
20*20*5 5KV/min 0.1 0.08 0.09 0.18 0.18 YES
表2
高绝缘碳化硅基板规格 测量参数 1号 2号 3号 4号 5号 判定
圆形30*1mm 5KV/min 0.05 0.08 0.09 0.07 0.06 YES
本发明所提供的一种高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板将线路板与散热板合二为一，节省资源，该高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板具有散热功效高、生产成本低、可用于大功率器件等优点，且具有一定的电磁防护功能，本发明所提供的高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板的制备方法，工艺简单、节省材料、安全环保、极大地降低了生产加工成本，为LED产业和电子整机企业节省工时。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例，不能以此来限定本发明的权利保护范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (14)

1.一种高绝缘碳化硅陶瓷基板，其特征在于：包括碳化硅陶瓷基板和涂覆在所述碳化硅陶瓷基板的所有暴露面的绝缘釉涂层，所述碳化硅陶瓷基板由碳化硅、无铅釉料、云母粉/石英粉、滑石粉、锑粉、镁粉、铬粉按70～92:8～15:3～20:0～15:0～3:0～3:0～3的质量比混合研磨、喷雾造粒形成碳化硅陶瓷粉体，再将所述碳化硅陶瓷粉体经过压制成型、排胶烧结、加工清洗、涂 覆玻化制备而成。
2.根据权利要求1所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板，其特征在于：所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的外部尺寸、形状和在其上设置的孔槽的形状位置根据应用需求设置。
3.根据权利要求1所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板，其特征在于：与印制在其一面或两面的金属线路图构成高绝缘碳化硅基电路板。
4.根据权利要求3所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板，其特征在于：当在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的两面印制有金属线路图时，印制在所述碳化硅陶瓷基板两面的金属线路图相同或者不相同。
5.根据权利要求3所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板，其特征在于：当在所述高绝缘碳化硅陶瓷基板的一面印制有金属线路图时，另一面作为散热面被设置为平面、曲线面或多三角锥体面，利用不同形状增大散热面积。
6.一种高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将颗粒度为800～1400目的碳化硅、无铅釉料、云母粉/石英粉、滑石粉、锑粉、镁粉、铬粉按70～92:8～15:3～20:0～15:0～3:0～3:0～3的质量比搅拌混合并研磨，加入粘合剂后进行喷雾造粒，形成混合粉料；
(2)按需求的外部形状和孔槽形状选用对应的压制成型模具将所述混合粉料压制成型为坯块；
(3)将成型后的坯块送入排胶炉中排胶再转入烧结炉中烧结，形成碳化硅陶瓷基板；
(4)对于成型模具无法加工的碳化硅陶瓷基板的部位，用机械或激光方法进行加工，加工完毕进行清洗；
(5)用绝缘釉涂覆所述碳化碳陶瓷基板的一面并厚度周边，送入烘干炉中烘干，再涂覆另一面，再送入烘干炉中烘干，烘干后转入高温炉进行表面玻璃化处理，制得高绝缘碳化碳陶瓷基板。
7.根据权利要求6所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述碳化硅陶瓷块的形状为圆形，椭圆形，多边形，所述碳化硅陶瓷块的压制厚度为0.8mm～10mm，所述碳化硅陶瓷块的散热面为平面、曲线面或多三角锥体面。
8.根据权利要求6所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，烧结炉的温度设置为950～1250℃，烧结时长为18～26h。
9.根据权利要求6所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，排胶炉的温度设置为550℃～800℃，排胶时长为8～16h。
10.根据权利要求6所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于：在步骤(5)中，烘干炉温度设置为120℃，时长20-50min，高温炉温度设置为500～850℃，历时35～180min。
11.根据权利要求7所述的高绝缘碳化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述多边形为矩形,所述曲线面为波浪曲线面或多半球体面。
12.一种高绝缘碳化硅基电路板的制备方法，实施在所述权利要求6之后,其特征在于：包括如下步骤：
(6)将按需求制好的线路丝网上入网印机，用金属浆将网板上的线路图案印制在己加工并清洗干净的高绝缘碳化硅基板面上，送入烘干炉中烘干；如制作双面高绝缘碳化硅基电路板，重复该网印步骤印制高绝缘碳化硅基板的另一面，送入烘干炉中烘干；
(7)将印制好并烘干的高绝缘碳化硅基板送入还原炉中还原，出炉冷却后形成高绝缘碳化硅基电路板。
13.根据权利要求12所述的高绝缘碳化硅基电路板的制备方法，其特征在于：所述步骤(7)中，还原炉的温度设置为400℃～650℃，还原时间为45～120分钟。
14.根据权利要求12所述的高绝缘碳化硅基电路板的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中的金属浆采 用银、锡、镍、铜或铝制作的浆料。
CN201510129090.9A 2015-03-23 2015-03-23 高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法 Active CN106145952B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510129090.9A CN106145952B (zh) 2015-03-23 2015-03-23 高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510129090.9A CN106145952B (zh) 2015-03-23 2015-03-23 高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106145952A CN106145952A (zh) 2016-11-23
CN106145952B true CN106145952B (zh) 2019-06-11

Family

ID=58063113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510129090.9A Active CN106145952B (zh) 2015-03-23 2015-03-23 高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106145952B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109824367A (zh) * 2019-02-21 2019-05-31 国网河南省电力公司社旗县供电公司 一种碳化硅基复合电路板及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1977378A (zh) * 2004-09-14 2007-06-06 电气化学工业株式会社 铝－碳化硅质复合体
CN201230383Y (zh) * 2008-04-30 2009-04-29 清华大学 一种新型电热元件
CN101801886A (zh) * 2007-04-24 2010-08-11 陶瓷技术股份公司 具有其表面已金属化的陶瓷体的结构部件
CN201556637U (zh) * 2009-04-16 2010-08-18 张成邦 一种大功率led封装基板
CN102548199A (zh) * 2011-12-29 2012-07-04 广东生益科技股份有限公司 电路基板及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1977378A (zh) * 2004-09-14 2007-06-06 电气化学工业株式会社 铝－碳化硅质复合体
CN101801886A (zh) * 2007-04-24 2010-08-11 陶瓷技术股份公司 具有其表面已金属化的陶瓷体的结构部件
CN201230383Y (zh) * 2008-04-30 2009-04-29 清华大学 一种新型电热元件
CN201556637U (zh) * 2009-04-16 2010-08-18 张成邦 一种大功率led封装基板
CN102548199A (zh) * 2011-12-29 2012-07-04 广东生益科技股份有限公司 电路基板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106145952A (zh) 2016-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101321415B (zh) 基于氮化铝微晶陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件及其制备工艺
CN101339821B (zh) 无铅无镉铜浆及其制造方法
JP5091392B2 (ja) 電極線の形成方法および該電極線を備えた電極板
WO2019119981A1 (zh) 一种复合热敏电阻芯片及其制备方法
CN205017608U (zh) 一种功能膜陶瓷电阻电加热元件
CN107995781A (zh) 一种氮化铝陶瓷电路板及制备方法
CN105237045A (zh) 氧化铍陶瓷金属化方法
CN106145952B (zh) 高绝缘碳化硅陶瓷基板与碳化硅基电路板及其制备方法
CN209643853U (zh) 一种液体高导通多孔加热组件及电子烟
CN108887744A (zh) 一种新型卷烟复合发热元件
CN104617204B (zh) 一种碳化硅基电路板及其制备方法
KR20110063635A (ko) 세라믹 히터
RU2758588C1 (ru) Керамический нагревательный элемент, способ его изготовления и его применение
CN202218430U (zh) 基于ir-led陶瓷基板的稀土厚膜电路电热元件
CN109192396A (zh) 一种抗氧化型导电银浆厚膜材料的制备方法
CN108154982A (zh) 一种芯片式固定电阻及其制作方法
KR101729758B1 (ko) 저온 소결용 구리 나노 잉크를 이용한 적층형 디지타이저 및 이의 제조방법
CN104302120A (zh) 一种Roger基片双面回流焊接方法
CN204424250U (zh) 一种碳化硅基电路板
CN114316676A (zh) 一种制备热电器件用印刷油墨及利用其制备热电器件的方法
CN106601331A (zh) 一种具有低tcr值的高温无铅钌浆及其制备方法
CN208925250U (zh) 一种新型卷烟复合发热元件
CN104538135A (zh) 一种加热热电阻及电极的制作方法
KR200360205Y1 (ko) 세라믹 히터
CN202679659U (zh) 厚膜电路发热体

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant