CN102548199A - 电路基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电路基板，包括玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜、分别位于所述玻璃膜两侧的树脂粘接层、以及位于所述树脂粘接层外侧的金属箔，所述玻璃膜、树脂粘接层及金属箔通过压制结合在一起，所述树脂粘接层的树脂填充于玻璃膜的孔隙中。本发明的电路基板，采用多孔隙的玻璃膜为载体材料，使得树脂粘接层与玻璃膜表面具有良好的结合力，并使电路基板的X、Y方向的CTE与原来相比得到了降低，以及具有良好的成型性，工艺操作简便。本发明还涉及一种制作所述电路基板的制作方法。

Description

电路基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种印制电路用的电路基板及其制作方法。
背景技术
近年来，随着电子产品向多功能、小型化的方向发展，使用的电路板朝着多层化、布线高密度化、高模量以及信号传输高速化的方向发展，对电路基板——覆金属箔层压板，如覆铜板的综合性能提出了更高的要求。
例如，随着电子产品电路互联密度的提高，要求电路基板的尺寸稳定性越来越高，为了减少电路基板在制作的热冲击过程中产生的热应力，满足元器件在安装及组装过程的孔对位精确，要求基板在X、Y、Z方向(其中，X、Y、Z方向分别为电路板的长度、宽度、厚度方向)的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion，CTE)越小越好。特别是用于IC封装的电路基板，对于X、Y方向的CTE要越接近于硅芯片的CTE(3ppm/℃)越好，因为如果基板的CTE和封装在基板上的芯片的CTE相差太大，会使得芯片在环境冷热冲击过程中产生很大的应力应变而损坏。
目前所用覆铜板(FR-4)一般都以玻璃纤维布作为增强材料，玻璃纤维布受制造工艺的限制，编织材料的空隙率很多，受覆铜板板材中玻璃纤维布与树脂比例的影响(玻璃占玻璃纤维布与树脂体积总和的体积百分率小于45％)，覆铜板X、Y方向的CTE在16～18ppm/℃左右。
为了改进以上性能，美国专利申请US20040037950A1使用薄型的玻璃膜来替代玻璃纤维布进行覆铜板的制作。该专利申请揭示了一种多层板材的结构由玻璃膜、树脂层以及铜箔层构成，但是该专利申请并没有揭示如何在玻璃膜表面和树脂层之间获得良好的结合力。因玻璃膜的表面是光滑的，这样树脂层无法和其形成良好的结合力，使得附着在树脂层上的电路铜导线随着树脂层一起容易从玻璃膜上剥落下来，进而会造成这种方式制作的覆铜板在PCB制作、PCB元器件组装过程中及电子产品使用过程的可靠度不高，会产生电子产品的报废。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电路基板，采用多孔隙的玻璃膜为载体材料，使得树脂粘接层与玻璃膜表面具有良好的结合力。
本发明的另一目的在于提供使用上述多孔隙的玻璃膜制作的电路基板，控制玻璃膜中孔隙的数量，使玻璃占有的体积百分率(相对于整块玻璃膜)在45％以上，使电路基板的X、Y方向的CTE与原来相比得到了降低。
本发明的再一目的在于提供一种电路基板的制作方法，采用多孔隙的玻璃膜为载体材料，具有良好的成型性，工艺操作简便。
为实现上述目的，本发明提供一种电路基板，包括玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜、分别位于所述玻璃膜两侧的树脂粘接层、以及位于所述树脂粘接层外侧的金属箔，所述玻璃膜、树脂粘接层及金属箔通过压制结合在一起，所述树脂粘接层的树脂填充于玻璃膜的孔隙中。
所述玻璃膜中玻璃占有的体积百分率为45％到90％之间。
优选地，所述玻璃膜中玻璃占有的体积百分率为65％到80％之间。
所述玻璃膜的玻璃成分为碱金属氧化物小于0.3％(重量)的铝硅酸盐玻璃或碱金属氧化物小于0.3％(重量)的硼硅酸盐玻璃。
所述玻璃膜的厚度选择在20μm到1.1mm之间。
所述玻璃膜中的孔隙均匀分布，孔径为20μm到300μm。
所述玻璃膜的表面进行过粗糙化处理。
所述树脂粘接层中的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯并恶嗪树脂、聚酰亚胺、含硅树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、LCP树脂和双马来酰亚胺树脂中的的一种或多种。
所述树脂粘接层中包含有粉末填料，所述粉末填料选自有结晶型二氧化硅、熔融型的二氧化硅、球型二氧化硅、钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶钡、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氧化铝、二氧化钛、玻璃粉、玻璃短切纤维、滑石粉、云母粉、碳黑、碳纳米管、金属粉、聚苯硫醚和PTFE粉中的一种或多种，所述粉末填料的粒径中度值为0.01～15μm。优选地，所述粉末填料的粒径中度值为0.5～10μm。
本发明还提供一种上述电路基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1：提供玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜；
步骤2：在所述玻璃膜的两面分别叠合一张或数张预浸料；
步骤3：在预浸料未与玻璃膜接触的一面分别叠合一张金属箔；
步骤4：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm2～65Kg/cm2。
上述制作方法中，所述玻璃膜中的孔隙均匀分布，孔径为20μm到300μm，通过激光、机械或化学选择蚀刻方式加工而成。
本发明还提供一种上述电路基板的另一制作方法，包括如下步骤：
步骤1：提供玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜；
步骤2：在所述玻璃膜的两面分别叠合一张涂树脂金属箔；
步骤3：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm2～65Kg/cm2。
上述制作方法中，所述玻璃膜中的孔隙均匀分布，孔径为20μm到300μm，通过激光、机械或化学选择蚀刻方式加工而成。
本发明的有益效果：首先，采用多孔隙的玻璃膜为载体材料，因为树脂可以进入玻璃膜的孔隙中，起到销钉的作用，使得树脂粘接层与玻璃具有良好的结合力；
其次，控制玻璃膜中孔隙的数量，使玻璃占有的体积百分率(相对于整块玻璃膜)在45％以上，使电路基板的X、Y、Z方向的CTE与原来使用玻璃纤维布作增强材料的覆铜板相比得到了降低；
再次，本发明的电路基板制作工艺简便，大量生产容易。
为更进一步阐述本发明为实现预定目的所采取的技术手段及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，应当可由此得到深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明电路基板的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的电路基板，包括玻璃占有的体积百分率(相对于整块玻璃膜)为45％以上的多孔隙11的玻璃膜10、分别位于所述玻璃膜10两侧的树脂粘接层20、以及位于所述树脂粘接层20外侧的金属箔30，所述玻璃膜10、树脂粘接层20及金属箔30通过压制结合在一起，所述树脂粘接层20的树脂填充于玻璃膜10的孔隙11中。
本文中所用的术语“玻璃占有的体积百分率”是指，多孔隙11的玻璃膜10中玻璃的体积与该玻璃膜10中玻璃和孔隙11的体积总和的比值。
优选地，玻璃膜10中玻璃占有的体积百分率在45％到90％之间。当玻璃占有的体积百分率大于90％时，玻璃膜10的孔隙11中填充的树脂太少，达不到良好的改善剥离强度的结果，当玻璃占有的体积百分率小于45％时，玻璃膜10的孔隙11中填充的树脂过多，又达不到改善X、Y、Z方向CTE的效果。
所述树脂粘接层20中的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯并恶嗪树脂、聚酰亚胺、含硅树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、LCP(Liquid Crystal Polymer)树脂和双马来酰亚胺树脂中的的一种或多种。
所述玻璃膜10的玻璃成分优选为碱金属氧化物小于0.3％(重量)的铝硅酸盐玻璃或碱金属氧化物小于0.3％(重量)的硼硅酸盐玻璃。
所述玻璃膜10的厚度可以选自20μm到1.1mm之间。
所述玻璃膜10中的孔隙11均匀分布，孔径为20μm到300μm，通过激光、机械、化学选择蚀刻等方式加工而成。
为了获得更好的玻璃膜10和树脂的结合力，玻璃膜10的表面也可以通过拉毛、化学蚀刻、蒙砂、溶胶-凝胶法和机械打磨中的一种或多种进行粗糙化处理，增大接触面积，使玻璃膜10与树脂达到更好的结合。
上述的树脂粘接层20中还可包含粉末填料，粉末填料起着改善尺寸稳定性、降低CTE等目的。上述的树脂粘接层20中还可包含具有低介电损耗的氟聚合物，所述粉末填料的含量占氟聚合物和粉末填料总量的0～70％(体积百分比)。粉末填料选自有结晶型二氧化硅、熔融型的二氧化硅、球型二氧化硅、钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶钡、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氧化铝、二氧化钛、玻璃粉、玻璃短切纤维、滑石粉、云母粉、碳黑、碳纳米管、金属粉、聚苯硫醚和PTFE粉中的一种或多种，其中，优选的粉末填料是熔融型的二氧化硅或二氧化钛。为方便粉末填料可以进入到玻璃膜10的孔隙11中，粉末填料的粒径中度值为0.01～15μm，优选粉末填料的粒径中度值为0.5～10μm。为达到更好的性能，粉末填料的表面可以经过处理，如使用偶联剂进行处理等。所述树脂粘接层20中还包括助剂，助剂包括有乳化剂及分散剂等。
所述金属箔30的材料为铜、铝、镍、或这些金属的合金。
上述电路基板可通过多种方法制作而成。上述电路基板的一种制作方法为，包括如下步骤：
步骤1：提供玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜；
步骤2：在所述玻璃膜的两面分别叠合一张或数张预浸料；
步骤3：在预浸料未与玻璃膜接触的一面分别叠合一张金属箔；
步骤4：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm2～65Kg/cm2。其中，预浸料经过压制后形成所述树脂粘接层。
该制作方法中，玻璃占有的体积百分率优选为45％到90％之间。
该制作方法中，所述玻璃膜中的孔隙均匀分布，孔径为20μm到300μm，通过激光、机械或化学选择蚀刻方式加工而成。
该制作方法的步骤1中，还包括对玻璃膜的表面进行粗糙化处理。
该制作方法中，所述预浸料由树脂浸渍玻璃纤维布制作而成，所述树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯并恶嗪树脂、聚酰亚胺、含硅树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、LCP(Liquid CrystalPolymer)树脂和双马来酰亚胺树脂中的的一种或多种。
上述电路基板的另一种制作方法为，包括如下步骤：
步骤1：提供玻璃占有的体积百分率(相对于整块玻璃膜)为45％以上的多孔隙的玻璃膜；
步骤2：在所述玻璃膜的两面分别叠合一张涂树脂金属箔；
步骤3：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm2～65Kg/cm2。其中，涂树脂金属箔上的树脂经压制后形成所述树脂粘接层。
该制作方法中，玻璃占有的体积百分率优选为45％到90％之间。
该制作方法中，所述玻璃膜中的孔隙均匀分布，孔径为20μm到300μm，通过激光、机械或化学选择蚀刻方式加工而成。
该制作方法的步骤1中，还包括对玻璃膜的表面进行粗糙化处理。
该制作方法中，该涂树脂金属箔通过在金属箔上涂覆树脂制作而成，所述树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯并恶嗪树脂、聚酰亚胺、含硅树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、LCP(LiquidCrystal Polymer)树脂和双马来酰亚胺树脂中的的一种或多种。
针对上述制成的电路基板，如下述实施例进一步给予详加说明与描述。
实施例1：
取一张厚度为200μm、孔径为100μm、玻璃占有的体积百分率为65％的多孔隙的玻璃膜(该玻璃膜预先经过烘干并进行偶联剂处理)，在玻璃膜上下两面各放一张用厚度为0.1mm玻璃纤维布(2116玻璃纤维布)浸渍环氧树脂胶系(双氰胺固化剂)制成FR-4预浸料(即广东生益科技的S1141覆铜板产品用的半固化片)，进行叠合；然后上下再各放上一张铜箔，再进行叠合。
将上述叠合好的叠层放进压机，在真空下，固化温度为180℃，固化压力为15Kg/cm2。进行热压制得所述电路基板——覆铜板，测试该制得的电路基板，铜箔与预浸料的剥离强度为1.7N/mm，预浸料和玻璃膜的剥离强度为1.2N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE分别为8.2ppm/℃、7.8ppm/℃。
实施例2：
取一张厚度为50μm、孔径为20μm、玻璃占有的体积百分率为80％的多孔隙的玻璃膜(该玻璃膜预先经过烘干并进行偶联剂处理)，在玻璃膜上下两面各放一张用厚度为0.06mm玻璃纤维布(1080玻璃纤维布)浸渍环氧树脂胶系制成FR-4预浸料(即广东生益科技的S1141覆铜板产品用的半固化片)，进行叠合；然后上下再各放上一张铜箔，再进行叠合。
将上述叠合好的叠层放进压机，在真空下，固化温度为180℃，固化压力为15Kg/cm2。进行热压制得所述电路基板——覆铜板，测试该制得的电路基板，铜箔与预浸料的剥离强度为1.7N/mm，预浸料和玻璃膜的剥离强度为0.8N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE分别为7.1ppm/℃、6.8ppm/℃。
实施例3：
取一张厚度为1mm、孔径为200μm、玻璃占有的体积百分率为50％的多孔隙的玻璃膜(该玻璃膜预先经过烘干并进行偶联剂处理)，在玻璃膜上下两面各放三张用厚度为0.06mm玻璃纤维布(1080玻璃纤维布)浸渍环氧树脂胶系制成FR-4预浸料(即广东生益科技的S1141覆铜板产品用的半固化片)，进行叠合；然后上下再各放上一张铜箔，再进行叠合。
将上述叠合好的叠层放进压机，在真空下，固化温度为180℃，固化压力为25Kg/cm2。进行热压制得所述电路基板——覆铜板，测试该制得的电路基板，铜箔与预浸料的剥离强度为1.75N/mm，预浸料和玻璃膜的剥离强度为0.9N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE分别为12.6ppm/℃、12.3ppm/℃。
比较例1：
用五张厚度为0.1mm玻璃纤维布(2116玻璃纤维布)浸渍环氧树脂胶系(双氰胺固化剂)制成FR-4预浸料(即广东生益科技的S1141覆铜板产品用的半固化片)，进行叠合，然后上下再各放上一张铜箔，再进行叠合。
将上述叠合好的叠层放进压机，在真空下，固化温度为180℃，固化压力为25Kg/cm2。进行热压制得所述电路基板——覆铜板，测试该制得的电路基板，铜箔的剥离强度为1.75N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE分别为17.6ppm/℃、17.3ppm/℃。
比较例2：
取一张厚度为60μm的无孔玻璃膜，在玻璃膜上下两面各放一张用0.1mm玻璃纤维布(2116玻璃纤维布)浸渍环氧树脂胶系(双氰胺固化剂)制成FR-4预浸料(即广东生益科技的S1141覆铜板产品用的半固化片)，进行叠合；然后上下再各放上一张铜箔，再进行叠合。
将上述叠合好的叠层放进压机，在真空下，固化温度为180℃，固化压力为15Kg/cm2。进行热压制得所述电路基板——覆铜板，测试该制得的电路基板，铜箔粘附预浸料上，直接从玻璃膜上剥落下来，显示剥离强度为0.1N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE分别为6.8ppm/℃、7.3ppm/℃。
从以上实施例1、2、3可以看出，以多孔隙的玻璃膜制作的电路基板不光降低了电路基板的X、Y方向的CTE，而且具有良好的剥离强度。同时实施例揭示出当多孔隙的玻璃膜中玻璃占有的的体积百分率为45％～90％时，孔径为20μm到300μm，可以同时获得良好的剥离强度和X、Y方向的CTE。
比较例1中所示的传统FR-4覆铜板，因使用玻璃纤维布作为增强材料，没有使用可以提高覆铜板中玻璃成分比例的玻璃膜，其X、Y方向的CTE明显高于实施例1、2、3中使用了玻璃膜的X、Y方向的CTE。
比较例2中所示的覆铜板，因使用没有多孔隙的玻璃膜，制作的覆铜板很容易分层剥落，实用性不强。
实施例4：
取一张厚度为200μm、孔径为100μm、玻璃占有的体积百分率为65％的多孔隙的玻璃膜(该玻璃膜预先经过烘干并进行偶联剂处理)，在玻璃膜上下两面各放一张涂覆了厚度为50μm环氧树脂的涂树脂铜箔(RCC)，进行叠合。
将上述叠合好的叠层放进压机，在真空下，固化温度为180℃，固化压力为15Kg/cm2。进行热压制得所述电路基板——覆铜板，测试该制得的电路基板，树脂层和玻璃膜的剥离强度为1.8N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE为8.6ppm/℃。
实施例5：
取一张厚度为200μm、孔径为100μm、玻璃占有的体积百分率为65％的多孔隙的玻璃膜(该玻璃膜预先经过烘干并进行偶联剂处理)，在玻璃膜上下两面各放一张涂覆了厚度为50μm环氧树脂胶系(其中树脂层中含有20％体积百分率的硅微粉)的涂树脂铜箔，进行叠合。
将上述叠合好的叠层放进压机，在真空下，固化温度为180℃，固化压力为15Kg/cm2。进行热压制得所述电路基板——覆铜板，测试该制得的电路基板，树脂层和玻璃膜的剥离强度为1.3N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE为6.6ppm/℃。
实施例6：
在1L的三口烧瓶中加入溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)750g，加入82.1g的2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷，然后将该溶液置于水浴中冷却，通氮气保护，30分钟后加入59.43g的联苯四甲酸二酐，持续高速搅拌3小时，进行聚合反应，制得粘度为600mPa.s的聚酰亚胺前体溶液。该聚酰亚胺前体溶液为热塑性聚酰亚胺前体溶液。
将所得的热塑性聚酰亚胺前体溶液涂覆在铜箔的毛面上，涂覆厚度为14μm，然后在温度为220℃烘烤5分钟制作成涂树脂铜箔。取一张厚度为50μm、孔径为20μm、玻璃占有的体积百分率为65％的多孔隙的玻璃膜(该玻璃膜预先经过烘干并进行偶联剂处理)，在玻璃膜上下两面各放一张涂树脂铜箔，进行叠合，放入间歇性高温热压机中。压合程序为：1小时升温到250℃，在250℃保持30分钟，然后1小时升温到350℃，保持30分钟，2小时后降温至室温，打开压机取出覆铜板。压合程序开始即开始抽真空，压合程序开始即加面压5Mpa。
测试该制得的电路基板，树脂层和玻璃膜的剥离强度为1.3N/mm；玻璃化转变温度前的X、Y方向的CTE为6.8ppm/℃。
以上实施例4中，采用了涂树脂铜箔与多孔隙的玻璃膜配合制作电路基板，获得了良好的剥离强度和低X、Y方向CTE。
实施例5中，采用了树脂层中添加了粉末填料的涂树脂铜箔与多孔隙的玻璃膜配合制作电路基板，与实施例4相比，进一步降低了X、Y方向的CTE。
实施例6采用聚酰亚胺的涂树脂铜箔与多孔隙的玻璃膜配合制作电路基板，也获得了良好的剥离强度和低X、Y方向CTE。
以上实施方式制作的电路基板，不仅可以用做电路板基材，还可以用做光波导通路使用。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种电路基板，其特征在于，包括玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜、分别位于所述玻璃膜两侧的树脂粘接层、以及位于所述树脂粘接层外侧的金属箔，所述玻璃膜、树脂粘接层及金属箔通过压制结合在一起，所述树脂粘接层的树脂填充于玻璃膜的孔隙中。
2.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜中玻璃占有的体积百分率为45％到90％之间。
3.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜中玻璃占有的体积百分率为65％到80％之间。
4.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜的玻璃成分为碱金属氧化物小于0.3％(重量)的铝硅酸盐玻璃或碱金属氧化物小于0.3％(重量)的硼硅酸盐玻璃。
5.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜的厚度选择在20μm到1.1mm之间。
6.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜中的孔隙均匀分布，孔径为20μm到300μm。
7.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述玻璃膜的表面进行过粗糙化处理。
8.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述树脂粘接层中的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯并恶嗪树脂、聚酰亚胺、含硅树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、LCP树脂和双马来酰亚胺树脂中的的一种或多种。
9.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述树脂粘接层中包含有粉末填料，所述粉末填料选自有结晶型二氧化硅、熔融型的二氧化硅、球型二氧化硅、钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶钡、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氧化铝、二氧化钛、玻璃粉、玻璃短切纤维、滑石粉、云母粉、碳黑、碳纳米管、金属粉、聚苯硫醚和PTFE粉中的一种或多种，所述粉末填料的粒径中度值为0.01～15μm。
10.一种制作如权利要求1所述的电路基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：提供玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜；
步骤2：在所述玻璃膜的两面分别叠合一张或数张预浸料；
步骤3：在预浸料未与玻璃膜接触的一面分别叠合一张金属箔；
步骤4：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm2～65Kg/cm2。
11.一种制作如权利要求1所述的电路基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：提供玻璃占有的体积百分率为45％以上的多孔隙的玻璃膜；
步骤2：在所述玻璃膜的两面分别叠合一张涂树脂金属箔；
步骤3：将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电路基板，固化温度为100℃～400℃，固化压力为10Kg/cm2～65Kg/cm2。
12.如权利要求10或11所述的电路基板的制作方法，其特征在于，所述玻璃膜中的孔隙均匀分布，孔径为20μm到300μm，通过激光、机械或化学选择蚀刻方式加工而成。
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