KR101464807B1 - 접착 필름 - Google Patents

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야스히로 스가
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 있어서, 비도전성 충전재 함유 접착 필름을 사용하여 배선 기판에 반도체칩을 플립 칩 실장할 때, 양자간으로부터 충전재와 결합제 조성물이 충분히 배제되지 않는 경우에도 확실한 도통을 확보할 수 있는 접착 필름은, 에폭시 화합물과 경화제와 충전재를 함유하는 결합제 조성물을 포함한다. 에폭시 화합물과 경화제와 충전재의 합계량에 대한 충전재의 함유량은 10 내지 70 질량％이다. 충전재는 평균 입경 0.5 내지 1.0 ㎛의 제1 비도전성 무기 입자와, 평균 입경 0.5 내지 1.0 ㎛의 제2 비도전성 무기 입자를 평균 입경이 1.5 ㎛를 초과하지 않도록 무전해 도금 처리된 도전성 입자를 함유하고 있으며, 충전재의 10 내지 60 질량％가 상기 도전성 입자이다.

Description

접착 필름{ADHESIVE FILM}
본 발명은, 배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장할 때 사용하는 접착 필름에 관한 것이다.
배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장할 때, 도전성 입자를 절연성의 결합제 조성물에 분산시켜 이루어지는 이방성 도전 필름이 폭넓게 사용되고 있다. 이러한 도전성 입자로서는, 배선 기판의 접속 패드와 반도체칩의 범프 사이에서 눌러져 수지 코어의 표면에 무전해 도금층을 형성한 것이 사용되고 있다.
그러나, 실장 기판에서의 배선의 협피치화에 따라 범프의 협면적화도 진행되기 때문에, 이방성 도전 접착 필름에 사용하는 도전성 입자의 입경도 작게 할 필요가 있지만, 균일하고 작은 입경의 수지 입자를 제조하는 것이 매우 어렵다는 문제점이 있다. 그 때문에, 배선 기판과 반도체칩 사이에 비도전성 접착 필름(NCF)을 협지시키고, 배선 기판의 접속 패드 또는 범프에 반도체칩의 범프를 그것이 눌러지도록 접촉시키고, 비도전성 접착 필름을 경화시킴으로써 양자를 접속 고정하는 것(NCF 접합)이 행해지고 있다.
NCF 접합의 경우 비도전성 접착 필름의 접속 신뢰성을 향상시키기 위해, 비 도전성의 접착 필름에는 그의 저장 탄성률, 선팽창 계수, 용융 점도 등의 조정을 위해 입경 0.005 내지 0.1 ㎛의 실리카 미립자 등의 비도전성 충전재를 수지 고형분 100 부피부에 대하여 1 내지 50 부피부 배합하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1, 단락 0043-0044 참조).
일본 특허 공개 제2002-275444호 공보
그러나, 실리카 미립자 등의 충전재를 배합한 비도전성 접착 필름을 사용함으로써, 배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장할 때, 배선 기판의 접속 패드 또는 범프와 반도체칩의 범프 사이로부터 실리카 미립자와 결합제 조성물이 충분히 배제되지 않는 경우가 있으며, 이러한 경우 배선 기판과 반도체칩 사이에서 도통(continuity)이 취해지지 않는다는 문제점이 발생한다.
본 발명은, 실리카 미립자 등의 충전재를 배합한 절연성 접착 필름을 사용하는 NCF 접합에 의해 배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장할 때, 배선 기판의 접속 패드 또는 범프와 반도체칩의 범프 사이로부터 비도전성의 충전재와 절연성의 결합제 조성물이 충분히 배제되지 않는 경우에도, 확실한 도통을 확보할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, NCF 접합용의 비도전성 접착 필름을 개선하기 위해 결합제 조성물에 배합해야 할 충전재의 양을 특정할 뿐만 아니라, 종래 사용되었던 충전재의 입경(즉, 0.005 내지 0.1 ㎛)보다 매우 큰 입경인 것을 사용하고, 그 충전재의 일부를 무전해 도금 처리하여, 종래의 수지 코어를 사용하는 이방성 도전 접속용의 도전성 입자의 입경(약 5 ㎛)보다 대폭 작은 입경(1.5 ㎛ 이하)의 도전성 입자로 하고, 이것을 특정한 비율로 사용함으로써 상술한 목적을 달성할 수 있다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 에폭시 화합물과 경화제와 충전재를 함유하는 결합제 조성물을 포함하고, 배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장하기 위한 접착 필름이며,
에폭시 화합물과 경화제와 충전재의 합계량에 대한 충전재의 함유량이 10 내지 70 질량％이고,
상기 충전재가 평균 입경 0.5 내지 1.0 ㎛의 제1 비도전성 무기 입자와, 평균 입경 0.5 내지 1.0 ㎛의 제2 비도전성 무기 입자를 평균 입경이 1.5 ㎛를 초과하지 않도록 무전해 도금 처리하여 이루어지는 도전성 입자를 함유하고 있고,
충전재의 10 내지 60 질량％가 상기 도전성 입자인
것을 특징으로 하는 접착 필름을 제공한다.
또한, 본 발명은, 범프를 갖는 반도체칩을 상술한 접착 필름을 통해 배선 기판에 접속 고정하여 이루어지는 접속 구조체를 제공한다.
본 발명의 접착 필름은 결합제 조성물에 배합하는 충전재의 양을 특정하고, 충전재로서 특정한 입경의 비도전성 무기 입자와 도전성 입자를 특정한 비율로 사용하기 때문에, 배선 기판의 접속 패드 또는 범프와 반도체칩의 범프 사이로부터 충전재와 결합제 수지가 충분히 배제되지 않는 경우에도, 그의 도전성 입자에 의해 확실한 도통을 확보할 수 있다.
도 1은, 실시예 1의 접착 필름 및 비교예 4의 이방성 도전 필름의 비유전율의 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 2는, 실시예 1의 접착 필름을 사용한 경우의 쇼트의 발생과 인접 단자간 거리의 관계를 나타낸 도면이다.
도 3은, 비교예 4의 이방성 도전 필름을 사용한 경우의 쇼트의 발생과 인접 단자간 거리의 관계를 나타낸 도면이다.
본 발명은, 배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장하기 위한 접착 필름이며, 결합제 조성물 중에 충전재를 분산시켜 필름화한 것이다. 여기서, 배선 기판으로서는 유리 에폭시 배선 기판, 유리 배선 기판, 플렉시블 배선 기판 등의 반도체 장치에 폭넓게 사용되고 있는 배선 기판을 적용할 수 있으며, 반도체칩으로서 집적 회로칩, 발광 다이오드칩 등의 반도체 장치에 폭넓게 사용되고 있는 반도체칩을 적용할 수 있다. 또한, 결합제 조성물은 성막 성분이 되는 에폭시 화합물 및 경화제뿐만 아니라 충전재를 함유하고, 열경화성을 나타낸다.
충전재는 주로 접착 필름의 선팽창 계수와 흡수성을 저하시키기 위해 사용되고 있으며, 제1 비도전성 무기 입자와, 제2 비도전성 무기 입자를 무전해 도금 처리하여 얻은 도전성 입자를 함유한다. 제1 비도전성 무기 입자와 제2 비도전성 무기 입자로서는, NCF 접합시에 사용되는 공지된 비도전성 접착 필름에 사용되고 있는 충전재를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 실리카 미립자, 알루미나 입자, 이산화티탄 입자 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경질인 경화물이 비교적 저렴하게 얻어진다는 점에서 실리카 미립자를 사용한다. 또한, 제1 비도전성 무기 입자와 제2 비도전성 무기 입자는 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 본 발명에서의 충전재에는, 유기 수지 코어의 표면에 무전해 도금 처리에 의해 금속층을 설치함으로써 얻어지는 도전성 입자는 포함되지 않는다.
제1 및 제2 비도전성 무기 입자의 평균 입경은 각각 0.5 내지 1.0 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 0.8 ㎛이다. 0.5 ㎛ 미만이면 반도체의 실장을 행할 때, 함유하는 큰 입경의 충전재가 반도체 회로면을 보호하는 보호막을 뚫어서 불량을 발생시키고, 특히 도전성 입자의 경우에는 절연성 열화의 원인이 되기 때문이며, 한편 1.0 ㎛를 초과하면 절연 특성이 악화되기 때문이다. 여기서, "평균 입경"이란 레이저 회절법에 의해 측정된 값이다.
또한, 제2 비도전성 무기 입자는, 공지된 무전해 도금 처리에 의해 표면에 무전해 도금층이 형성되어 도전성이 부여된 도전성 입자로서 사용된다. 배선 기판의 접속 패드 또는 범프와 반도체칩의 범프 사이로부터 충전재와 결합제 조성물이 충분히 배제되지 않는 경우에도, 이들 사이의 도통을 확보하기 위함이다. 무전해 도금층으로서는 종래의 이방성 도전성 입자의 무전해 도금층을 사용할 수 있으며, 예를 들면 금, 니켈, 니켈/금 또는 땜납 등을 포함하는 무전해 도금층을 바람직하게 사용할 수 있다. 단, 도전성 입자의 평균 입경이 1.5 ㎛를 초과하지 않도록, 바람직하게는 1.1 ㎛ 이하로 한다. 이것은, 1.5 ㎛를 초과하면 인접하는 단자간의 절연성을 확보하는 것이 곤란해지기 때문이다.
또한, 도전성 입자의 평균 입경이 제1 상기 비도전성 무기 입자의 평균 입경에 비해 지나치게 작으면 반도체의 범프와 기판의 전극을 도통시키는 효력이 줄어들고, 지나치게 크면 인접하는 단자간에서의 절연성이 열화되기 때문에, 바람직하게는 전자가 후자의 1.0 내지 2.0배, 보다 바람직하게는 1.0 내지 1.5배로 한다.
충전재 중에서의 상술한 도전성 입자의 함유 비율은 10 내지 60 질량％, 바람직하게는 30 내지 50 질량％이다. 10 질량％ 미만이면 초기 도통 특성이 현저히 저하되고, 60 질량％를 초과하면 절연성의 현저한 저하가 발생하기 때문이다.
본 발명의 접착 필름에서 제1 및 제2 비도전성 무기 입자를 포함하는 충전재의 함유량은, 결합제 조성물의 고형분 전체에 상당하는 에폭시 화합물과 경화제와 충전재의 합계량에 대하여 10 내지 70 질량％, 바람직하게는 40 내지 60 질량％, 보다 바람직하게는 50 내지 60 질량％이다. 이것은 10 질량％ 미만이면 접속 구조체의 수명 특성이 저하되고, 70 질량％를 초과하면 필름 성형이 곤란해지기 때문이다.
본 발명의 접착 필름을 구성하는 결합제 조성물은, 상술한 바와 같이 성막 성분이 되는 에폭시 화합물과 그의 경화제를 함유한다.
에폭시 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물 또는 수지를 바람직하게 들 수 있다. 이들은 액상일 수도 있고, 고체상일 수도 있다. 이러한 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지나 비스페놀 F형 에폭시 수지 등의 이관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지나 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 등을 예시할 수 있다. 또한, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트 등의 지환식 에폭시 화합물도 사용할 수 있다.
결합제 조성물에는, 에폭시 화합물과 상용하는 페녹시 수지나 아크릴 수지를 병용할 수 있다.
본 발명의 접착 필름을 구성하는 경화제로서는 종래의 이방성 도전 필름에서 사용되고 있는 에폭시 화합물용 경화제를 사용할 수 있으며, 예를 들면 아민계 경화제, 이미다졸계 경화제, 산 무수물계 경화제 등을 들 수 있다. 경화제는 잠재성일 수도 있다.
결합제 조성물에는, 필요에 따라 공지된 경화 촉진제, 커플링제, 금속 포착제 등을 배합할 수 있다.
본 발명의 접착 필름은 통상법에 따라 제조할 수 있다. 에폭시 화합물에 충전재를 톨루엔, 아세트산에틸 등의 용매와 함께 균일하게 혼합하고, 얻어진 혼합물을 박리 필름 위에 소정 건조막 두께가 되도록 도포하고, 건조함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 접착 필름은, 배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장할 때 사용하는 접착 필름으로서 바람직하게 적용할 수 있다. 따라서, 범프를 갖는 반도체칩이 본 발명의 접착 필름을 통해 배선 기판에 접속 고정되어 이루어지는 접속 구조체는, 배선 기판의 접속 패드 또는 범프와 반도체칩의 범프 사이로부터 결합제 수지가 충분히 배제되지 않는 경우에도, 그 도전성 입자에 의해 확실한 도통이 확보된 것이 된다. 이 접속 구조체는 배선 기판의 접속 패드 또는 범프 위에 접착 필름을 임시 접착하고, 그 위에 범프를 갖는 반도체칩을 그 범프면이 배선 기판측이 되도록 올려놓고, 가열 가압하여 접속 고정함으로써 제조할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
또한, 이하의 실시예 또는 비교예에서 사용한 평가용의 배선 기판은, 표면에 니켈/금 도금이 실시된 두께 12 ㎛의 구리 배선이 형성된 0.6 mm 두께×35 mm 세로×35 mm 가로 크기의 유리 에폭시 회로 기판이다. 또한, 평가용의 반도체칩은, 금 스터드 범프(544 핀, 50 ㎛피치)가 설치된 0.4 mm 두께×7.3 mm 세로×7.3 mm 가로 크기의 실리콘칩이다.
참고예 1(비도전성 무기 입자 코어의 도전성 입자의 제조)
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 입자(구형 실리카, 도꾸야마사)에 대하여, 무전해 니켈 도금액을 사용하여 무전해 니켈 도금 처리를 행하였다. 무전해 니켈 도금 처리에 의해 얻어진 입자에 대하여 무전해 금 도금액을 사용하여 무전해 금 도금 처리를 더 실시함으로써, 평균 입경 0.6 ㎛의 도전성 입자를 얻었다.
참고예 2(비도전성 무기 입자 코어의 도전성 입자의 제조)
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자 대신에 평균 입경 1.0 ㎛의 실리카 미립자(구형 실리카, 도꾸야마사)를 사용한 것 이외에는, 참고예 1과 동일하게 하여 평균 입경 1.1 ㎛의 도전성 입자를 얻었다.
참고예 3(비도전성 무기 입자 코어의 도전성 입자의 제조)
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자 대신에 평균 입경 3.5 ㎛의 실리카 미립자(하이프레시카, 우베 닛토 카세이사)를 사용한 것 이외에는, 참고예 1과 동일하게 하여 평균 입경 3.6 ㎛의 도전성 입자를 얻었다.
비교예 1(접착 필름의 제조)
에폭시 수지(에피코트 828, 재팬 에폭시 레진사) 50 질량부와, 잠재성 경화제(HX3941HP, 아사히 카세이 케미컬사) 100 질량부와, 평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자(구형 실리카, 도꾸야마사) 50 질량부의 혼합물을 고형분이 50 질량％가 되도록 톨루엔에 용해ㆍ분산시켜 이루어지는 열경화형 접착 조성물을, 박리 처리된 50 ㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(세퍼레이터, 토셀로사)에 건조 두께가 40 ㎛가 되도록 도포하여 80 ℃에서 건조함으로써, 열경화형의 비교예 1의 접착 필름을 제조하였다.
실시예 1
에폭시 수지(에피코트 828, 재팬 에폭시 레진사) 50 질량부와, 잠재성 경화제(HX3941HP, 아사히 카세이 케미컬사) 100 질량부와, 평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자(구형 실리카, 도꾸야마사) 45 질량부와, 참고예 1의 도전성 입자 5 질량부의 혼합물을 고형분이 50 질량％가 되도록 톨루엔에 용해ㆍ분산시켜 이루어지는 열경화형 접착 조성물을, 박리 처리된 50 ㎛ 두께의 PET 필름(세퍼레이터, 토셀로사)에 건조 두께가 40 ㎛가 되도록 도포하여 80 ℃에서 건조함으로써, 열경화형의 실시예 1의 접착 필름을 제조하였다. 전체 고형분(에폭시 수지와 경화제와 충전재의 합계)에 대한 충전재의 함유량은 25 질량％가 된다.
실시예 2
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자 45 질량부를 25 질량부로 하고, 도전성 입자를 25 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열경화형의 실시예 2의 접착 필름을 제조하였다.
비교예 2
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자 45 질량부를 5 질량부로 하고, 참고예 1의 도전성 입자 5 질량부를 45 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열경화형의 비교예 2의 접착 필름을 제조하였다.
실시예 3
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자 45 질량부를 25 질량부로 하고, 참고예 1의 도전성 입자 5 질량부 대신에 참고예 2의 도전성 입자를 25 질량부 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열경화형의 실시예 3의 접착 필름을 제조하였다.
비교예 3
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자 대신에 평균 입경 3.5 ㎛의 실리카 입자(하이프레시카, 우베 닛토 카세이사)를 사용하고, 참고예 2의 도전성 입자 대신에 참고예 3의 도전성 입자를 사용한 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 열경화형의 비교예 3의 접착 필름을 제조하였다.
비교예 4
평균 입경 0.5 ㎛의 실리카 미립자를 사용하지 않고, 참고예 1의 도전성 입자 5 질량부 대신에 유기 입자 코어의 표면에 무전해 니켈/금 도금을 실시한 평균 입경 4.0 ㎛의 도전성 입자(브라이트, 닛본 가가꾸사) 10 질량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열경화형의 비교예 4의 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 5
참고예 1의 도전성 입자 대신에 유기 입자 코어의 표면에 무전해 니켈/금 도금을 실시한 평균 입경 4.0 ㎛의 도전성 입자(브라이트, 닛본 가가꾸사)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열경화형의 비교예 5의 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 4
실리카 미립자 45 질량부를 75 질량부로 하고, 도전성 입자 5 질량부를 75 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열경화형의 실시예 4의 이방성 도전 필름을 제조하였다. 본 실시예에서는, 결합제 조성물의 고형분 전체에 상당하는 에폭시 화합물과 경화제와 충전재의 합계량에 대하여 충전재의 함유량은 50 질량％였다.
실시예 5
실리카 미립자 45 질량부를 175 질량부로 하고, 도전성 입자 5 질량부를 175 질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열경화형의 실시예 5의 이방성 도전 필름을 제조하였다. 본 실시예에서는, 결합제 조성물의 고형분 전체에 상당하는 에폭시 화합물과 경화제와 충전재의 합계량에 대하여 충전재의 함유량은 70 질량％였다.
(평가 1)
각 실시예 및 비교예의 접착 필름 및 이방성 도전 필름 각각을 평가용의 배선 기판의 전극 패드 위에 임시 접착하고, 박리 필름을 제거한 후, 그 위에 평가용의 반도체칩을 그 범프면에 올려놓고, 온도 180 ℃, 압력 2.5 MPa로 20초간 반도체칩을 가열 가압함으로써, 도통 저항(conductive resistance) 측정용의 접속 구조체 샘플을 제조하였다.
얻어진 접속 구조체 샘플에 대하여, 초기의 도통 저항값(Ω)(데이지 체인 저항값(136 전극 접속 저항+배선 저항)과 절연 저항값(Ω)(데이지 체인 배선간 절연 저항값(Ω)(136 전극간의 최소값, 108 Ω 미만이 쇼트로 판정)을 측정하였다. 이어서, 상기 샘플을 도통 신뢰성 시험으로서 PCT 시험(조건: 121 ℃, 포화 수증기압의 챔버 중에 24 시간 동안 방치)을 행하여 도통 저항값을 측정하였다. 또한, 종합 평가로서, 오픈도 쇼트도 발생하지 않은 경우를 "양호"하다고 평가하고, 적어도 어느 하나가 발생한 경우를 "불량"으로 평가하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112010069989185-pct00001
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실리카 미립자와 이것에 무전해 도금 처리한 도전성 입자를 사용한 실시예 1 내지 5의 접착 필름은 평가 항목에 대하여 양호한 결과를 나타내었다.
한편, 비교예 1의 접착 필름의 경우, 도전성 입자를 전혀 함유하지 않기 때문에 초기의 도통 저항 측정에서 오픈이었다. 비교예 2의 접착 필름의 경우, 도전성 입자의 배합량이 지나치게 많았기 때문에 인접 전극 사이에서 쇼트가 발생하였다. 비교예 3의 접착 필름의 경우, 도전성 입경이 지나치게 컸기 때문에 단위 부피당 도전성 입자 개수가 줄어들고, 전극간에 포착되지 않는 경우가 발생하고, 데이지 체인의 저항 측정에서 오픈이 발생하고, 한편 전극간 스페이스가 작은 경우에는 쇼트도 발생하였다.
또한, 실리카 미립자를 사용하지 않고 종래의 유기 수지 코어 타입의 도전성 입자를 사용한 비교예 4의 접착 필름의 경우, 초기 특성은 양호하지만, PCT 시험 후의 도통 저항이 오픈이 되고, 도통 신뢰성이 저하된 결과가 되었다. 또한, 유기 수지 코어 타입의 도전성 입자뿐만 아니라 실리카 미립자를 사용한 비교예 5의 접착 필름의 경우, 초기의 도통 저항이 오픈이었다.
(평가 2)
실시예 1의 접착 필름 및 비교예 4의 이방성 도전 필름에 대하여, 비유전율과 절연 특성을 이하에 설명하는 바와 같이 평가하였다.
비유전율은, 비유전율 측정 장치(LF 임피던스 애널라이저 4192A, 휴렛 팩커드사; 유전율 측정용 전극 16451B(전극 A, 직경 38 mm) 사용; 주파수 1, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000, 5000(kHz); 전압 1 V)를 사용하여 측정하였다. 비유전율이 낮을수록 절연성이 높은 것을 나타내고 있다. 얻어진 결과를 도 1에 나타낸다. 도 1로부터, 실시예 1의 접착 필름이 비교예 4의 이방성 도전 필름보다 절연성이 높다는 것을 알 수 있었다.
절연 특성으로서는 ITO 패드에 반도체칩(범프 크기: 50×150 ㎛, 피치: 80 ㎛피치)을 플립 칩 실장하고, 쇼트(절연 저항값이 108 Ω 이하)의 발생과 인접 단자간 거리의 관계를 조사하였다. 얻어진 결과를 도 2와 도 3과 나타낸다. 이들 도면으로부터, 실시예 1의 접착 필름은 쇼트가 전혀 발생하지 않았지만, 비교예 4의 이방성 도전 필름의 경우 쇼트의 발생이 현저하다는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 따르면, 회로 기판으로의 반도체칩의 실장과 반도체칩의 밀봉을 소정 두께의 열경화형 밀봉 수지층을 갖는 밀봉 수지 필름을 사용하여 1회의 열압착 처리에 의해 동시에 행하기 때문에, 회로 기판과 반도체칩 사이에서 형성된 접속부가 접속 후에 다시 가열 가압을 받지 않는다. 따라서, 공정의 단축과 수율의 향상을 실현할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 반도체 장치의 제조 방법으로서 유용하다.

Claims (8)

  1. 에폭시 화합물과 경화제와 충전재를 함유하는 결합제 조성물을 포함하고, 배선 기판에 범프를 갖는 반도체칩을 플립 칩 실장하기 위한 접착 필름이며,
    에폭시 화합물과 경화제와 충전재의 합계량에 대한 충전재의 함유량이 10 내지 70 질량％이고,
    상기 충전재가 평균 입경 0.5 내지 1.0 ㎛의 제1 비도전성 무기 입자와, 평균 입경 0.5 내지 1.0 ㎛의 제2 비도전성 무기 입자를 평균 입경이 1.5 ㎛를 초과하지 않도록 무전해 도금 처리하여 이루어지는 도전성 입자를 함유하고 있고,
    충전재의 10 내지 60 질량％가 상기 도전성 입자인
    것을 특징으로 하는 접착 필름.
  2. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 비도전성 무기 입자가 실리카 미립자, 알루미나 입자 또는 이산화티탄 입자인 접착 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 및 제2 상기 비도전성 무기 입자가 0.5 내지 0.8 ㎛의 평균 입경을 갖는 접착 필름.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 입경이 1.1 ㎛ 이하인 접착 필름.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 평균 입경이 제1 상기 비도전성 무기 입자의 평균 입경의 1.0 내지 2.0배인 접착 필름.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 무전해 도금 처리의 금속종이 금, 니켈, 니켈/금 또는 땜납인 접착 필름.
  7. 범프를 갖는 반도체칩이 제1항 또는 제2항에 기재된 접착 필름을 통해 배선 기판에 접속 고정되어 이루어지는 접속 구조체.
  8. 제7항에 있어서, 반도체칩의 범프와 배선 기판의 범프가 접속되어 있는 접속 구조체.
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