KR101454148B1

KR101454148B1 - 광투과성 도전성 필름, 그 제조 방법 및 그 용도

Info

Publication number: KR101454148B1
Application number: KR1020147014897A
Authority: KR
Inventors: 모리오 다키자와; 신지 시라키; 데츠로 사와다이시; 오사무 다나카; 히데키 하야시; 야스히로 나카타니
Original assignee: 세키스이나노코토테크노로지 가부시키가이샤; 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date: 2012-03-23
Filing date: 2013-03-22
Publication date: 2014-10-22
Also published as: CN103858182A; JP2014132440A; KR20140075816A; JPWO2013141374A1; TWI447744B; JP5425351B1; TW201340122A; WO2013141374A1; CN103858182B

Abstract

본 발명은, (A) 광투과성 지지층, (B) 광학 조정층 및 (C) 산화인듐주석을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하고, 상기 광학 조정층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있고, 또한 상기 광투과성 도전층 (C) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 적어도 광학 조정층 (B) 를 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서, 상기 광학 조정층 (B) 가, 지르코니아를 함유하고, 또한 두께 0.4 ∼ 3 ㎛ 이고, 또한 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐주석에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비가 0.1 ∼ 1.0 인 것을 특징으로 하는, 광투과성 도전성 필름에 관한 것이다.

Description

광투과성 도전성 필름, 그 제조 방법 및 그 용도{LIGHT-TRANSMITTING ELECTROCONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND USE THEREFOR}

본 발명은, 광투과성 도전성 필름, 그 제조 방법 및 그 용도에 관한 것이다.

터치 패널에 탑재되는 광투과성 도전성 필름으로서, 플라스틱 등으로 이루어지는 광투과성 지지층의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 다른 층을 개재하여, 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 배치한 광투과성 도전성 필름이 수많이 사용되고 있다.

이들 광투과성 도전성 필름을 전극으로서 사용하여 터치 패널을 구성하는 경우에는, 여러 가지 요구 특성을 동시에 만족할 필요가 있다. 그와 같은 요구 특성으로는, 다음과 같은 것이 알려져 있다.

광투과성 도전층을 격자상의 전극으로서 배치하는 경우가 있지만, 사용자로부터 보아 그 격자상 구조를 시인할 수 있는 경우에는, 터치 패널로서의 시인성이 저해되므로 바람직하지 않다. 또, 그와 같은 현상이 해소되어 있는 것을 「인덱스·매칭이 좋다」라고 하는 경우가 있다.

또, 광투과성 도전성 필름을 장착하여 터치 패널을 제조하는 과정에서는, 광투과성 도전성 필름이 소정의 약품 처리에 노출되게 된다. 따라서, 내약품성이 양호하지 않은 광투과성 도전성 필름은, 제조 공정에서의 약품 처리에 의해 데미지를 받는다는 문제가 있다.

또한, 예를 들어 상기 격자상 등을 갖는 전극으로서 성형할 때, 광투과성 도전층을 약품 처리에 의해 소정의 영역에 대해서만 광투과성 도전층을 제거하는, 이른바 에칭 처리를 실시하고, 결과적으로 원하는 형상의 전극을 형성하는 것이 실시되고 있다. 따라서, 에칭 처리에 의해 에칭되기 어려운 (즉, 원하는 영역에서 광투과성 도전층이 제거되기 어려운) 광투과성 도전성 필름은, 터치 패널을 제조하는 과정에서 생산 효율이 나빠지고, 과도하게 에칭되기 쉬운 (즉, 원하는 영역과는 상이한 영역에서도 의도에 반하여 광투과성 도전층이 제거되는) 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 도전층을 원하는 형상으로 성형하는 것이 곤란한 것 등의 문제가 있다.

이와 같이, 터치 패널에 탑재되는 광투과성 도전성 필름으로는, (1) 인덱스·매칭, (2) 내약품성, 및 (3) 에칭성의 어느 것에 있어서도 우수한 광투과성 도전성 필름이 요구되고 있다.

일본 공개특허공보 2010-6647호 일본 공개특허공보 2007-42284호

본 발명은, (A) 광투과성 지지층, (B) 광학 조정층 및 (C) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름에 있어서, (1) 인덱스·매칭, (2) 내약품성, 및 (3) 에칭성의 밸런스를 개선하는 것을 과제로 한다.

본 발명자들은, 예의 검토를 거듭하여, 광학 조정층 (B) 로서 지르코니아를 함유하고, 또한 두께 0.4 ∼ 3 ㎛ 인 것을 채용하고, 또한 필름 전체가, 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비가 0.1 ∼ 1.0 이 되도록 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 새롭게 알아냈다. 본 발명은, 이 새로운 지견에 기초하여 더욱 여러 가지 검토를 거듭함으로써 완성된 것이고, 다음에 게재하는 것이다.

항 1

(A) 광투과성 지지층 ;

(B) 광학 조정층 ; 및

(C) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하고,

상기 광학 조정층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있고, 또한

상기 광투과성 도전층 (C) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 적어도 광학 조정층 (B) 를 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서 :

상기 광학 조정층 (B) 가, 지르코니아를 함유하고, 또한 두께 0.4 ∼ 3 ㎛ 이고 ; 또한

박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비가 0.1 ∼ 1.0 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름.

항 2

상기 광학 조정층 (B) 의, 광투과성 지지층 (A) 와는 반대측의 면의 평균 표면 조도 (Ra) 가 0.4 ∼ 2.0 ㎚ 인, 항 1 에 기재된 광투과성 도전성 필름.

항 3

상기 지르코니아의 평균 입자경이 10 ∼ 40 ㎚ 인, 항 1 또는 2 에 기재된 광투과성 도전성 필름.

항 4

상기 광투과성 도전층 (C) 가, 산화인듐을 함유하는 입자를 함유하고, 당해 입자의 평균 입자경이 3.0 ∼ 8.0 ㎚ 인, 항 1 ∼ 3 중 어느 하나에 기재된 광투과성 도전성 필름.

항 5

상기 광투과성 도전층 (C) 가, 산화인듐을 함유하는 층을 대기 중 90 ∼ 160 ℃ 에서 10 ∼ 120 분간 가열함으로써 얻어질 수 있는, 항 1 ∼ 4 중 어느 하나에 기재된 광투과성 도전성 필름.

항 6

광투과성 도전층 (C) 가 산화인듐주석을 함유하는, 항 1 ∼ 5 중 어느 하나에 기재된 광투과성 도전성 필름.

항 7

항 1 ∼ 6 중 어느 하나에 기재된 광투과성 도전성 필름을 함유하는, 터치 패널.

본 발명에 의하면, (1) 인덱스·매칭, (2) 내약품성, 및 (3) 에칭성의 밸런스가 개선된, (A) 광투과성 지지층, (B) 광학 조정층 및 (C) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름을 제공할 수 있다.

도 1 은 광투과성 지지층 (A) 의 편면에, 광학 조정층 (B) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 2 는 광투과성 지지층 (A) 의 양면에, 광학 조정층 (B) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 3 은 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에, 제 1 광학 조정층 (B) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있고, 또한, 타방의 면에, 제 2 광학 조정층 (B) 가 직접 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 4 는 광투과성 지지층 (A) 의 편면에, 광학 조정층 (B), 언더코트층 (D) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 5 는 광투과성 지지층 (A) 의 양면에, 광학 조정층 (B), 언더코트층 (D) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에, 제 1 광학 조정층 (B), 언더코트층 (D) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있고, 또한, 타방의 면에, 제 2 광학 조정층 (B) 가 직접 배치되어 있는, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 나타내는 단면도이다.

1. 광투과성 도전성 필름

본 발명의 광투과성 도전성 필름은,

(A) 광투과성 지지층 ;

(B) 광학 조정층 ; 및

(C) 산화인듐을 함유하는 광투과성 도전층

을 함유하고,

박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비가 0.1 ∼ 1.0 인 것을 특징으로 하는, 광투과성 도전성 필름이다.

본 발명에 있어서 「광투과성」이란, 광을 투과시키는 성질을 갖는 (translucent) 것을 의미한다. 「광투과성」에는, 투명 (transparent) 이 포함된다. 「광투과성」이란, 예를 들어 전광선 투과율이 80 ％ 이상, 바람직하게는 85 ％ 이상, 보다 바람직하게는 87 ％ 이상인 성질을 말한다. 본 발명에 있어서 전광선 투과율은, 헤이즈미터 (닛폰 전색사 제조, 상품명 : NDH-2000, 또는 그 동등품) 를 사용하여 JIS-K-7105 에 기초하여 측정한다.

본 명세서에 있어서, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에 배치되는 복수의 층 중 2 개의 층의 상대적인 위치 관계에 대해서 언급하는 경우, 광투과성 지지층 (A) 를 기준으로 하여, 광투과성 지지층 (A) 로부터의 거리가 큰 일방의 층을 「위의 층」등이라고 하고, 광투과성 지지층 (A) 로부터의 거리가 작은 타방의 층을 「아래의 층」등이라고 하는 경우가 있다.

이하의 각 층에 대한 설명 개소에서 특별히 명기되어 있지 않는 한, 본 발명에 있어서, 각 층의 두께는, 시판되는 반사 분광 막두께계 (오오츠카 전자, FE-3000, 또는 그 동등품) 를 사용하여 구한다. 각 층의 두께는, 대체적으로, 시판되는 투과형 전자 현미경을 사용한 관찰에 의해 구해도 된다. 구체적으로는, 미크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름면에 대하여 수직 방향으로 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.

도 1 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에, 광학 조정층 (B) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있다.

도 2 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 다른 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양방의 면에, 광학 조정층 (B) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 배치되어 있다.

1.1 광투과성 지지층 (A)

본 발명에 있어서 광투과성 지지층이란, 광투과성 도전층을 함유하는 광투과성 도전성 필름에 있어서, 광투과성 도전층을 함유하는 층을 지지하는 역할을 하는 것을 말한다. 광투과성 지지층 (A) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서, 광투과성 지지층으로서 통상 사용되는 것을 사용할 수 있다.

광투과성 지지층 (A) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리, 및 각종 유기 고분자 등을 들 수 있다. 유기 고분자로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리메타크릴계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리아세탈계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 및 폴리페닐렌술파이드계 수지 등을 들 수 있다. 폴리에스테르계 수지로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 및 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN) 등을 들 수 있다. 광투과성 지지층 (A) 의 소재는, 폴리에스테르계 수지가 바람직하고, 특히 PET 가 바람직하다. 광투과성 지지층 (A) 는, 이들 중 어느 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다.

광투과성 지지층 (A) 의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 2 ∼ 300 ㎛ 의 범위를 들 수 있다.

1.2 광학 조정층 (B)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 광학 조정층 (B) 가 배치되어 있다. 광학 조정층 (B) 는, 바람직하게는 광투과성 지지층 (A) 의 면에 직접 배치되어 있다.

광학 조정층 (B) 는, 1 층이 배치되어 있어도 된다. 또는 2 층 이상이 서로 인접하여, 또는 다른 층을 개재하여 서로 이간되어 배치되어 있어도 된다.

광투과성 지지층 (A) 의 양방의 면에, 광학 조정층 (B) 가 각각 직접 배치되어 있어도 된다.

광학 조정층 (B) 는, 2 층 이상이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우, 상방에 위치하는 광학 조정층에 비교하여 하방에 위치하는 광학 조정층이 보다 높은 굴절률을 갖고 있어도 된다.

이러한 구성을 채용함으로써, 굴절률이 상이한 2 층 사이에 광학 간섭 작용이 발생하고, 이것에 의해 광투과성 도전성 필름의 투과율이 향상되기 때문에 바람직하다.

본 발명에 있어서 광학 조정층이란, 광학 간섭 작용에 의해 광투과성 필름의 투과율을 향상시키는 역할을 하는 것을 말한다. 광학 조정층 (B) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서 광학 조정층으로서 통상 사용되는 것을 사용할 수 있다.

광학 조정층 (B) 는, 지르코니아를 함유한다. 광학 조정층 (B) 가 함유하는 지르코니아는, 바람직하게는 입자상이고, 보다 바람직하게는 평균 입자경이 10 ∼ 40 ㎚, 더욱 바람직하게는 평균 입자경이 10 ∼ 30 ㎚ 이다. 지르코니아의 평균 입자경이 40 ㎚ 보다 작으면 에칭성이 보다 개선되고, 또 10 ㎚ 보다 크면 분산성이 보다 개선되고, 가공성이 보다 개선된다.

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 광학 조정층 (B) 의 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크를 나타낸다.

본 발명에 있어서, 박막법에 의한 XRD 측정은, 다음과 같이 하여 실시한다.

X 선 회절 장치는 Rigaku 제조 박막 평가용 시료 수평형 X 선 회절 장치 SmartLab, 또는 그 동등품을 사용하여 박막법으로 측정한다. 평행 빔 광학 배치를 사용하고, 광원에는 CuKα 선 (파장 : 1.54186 Å) 을 40 ㎸, 30 mA 의 파워로 사용한다. 입사측 슬릿계는 솔라 슬릿 5.0°, 높이 제어 슬릿 10 ㎜, 입사 슬릿 0.1 ㎜ 를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패럴렐 슬릿 애널라이저 (PSA) 0.114 deg. 를 사용한다. 검출기는 신틸레이션 카운터를 사용한다. 시료 스테이지는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여, 펌프에 의해 시료를 흡착 고정시킨다. X 선의 입사각 0.50°로 측정하고, 충분한 검출 감도가 얻어지지 않는 경우에는, 입사각 0.40°, 0.45°, 0.55°및 0.60°로 각각 측정하고, 목적으로 하는 피크가 가장 강해지는 결과를 채용한다. 스텝 간격 및 측정 스피드는 X 선 회절 패턴을 인식할 수 있을 정도로 적절히 조정한다. 바람직하게는 스텝 간격 0.01°, 측정 스피드 3.0°/min 으로 측정한다. 측정 범위를 10°∼ 60°로 측정한다. 또한, 얻어진 X 선 회절 패턴에 대해서 단색화할 필요는 없고, 각 피크 강도는 백그라운드를 뺀 값을 사용한다.

본 발명에 있어서, 지르코니아의 평균 입자경은, 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 미크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다. 이것에 의해, 시인 가능한 무작위로 선택된 20 개의 입자로부터, 장축 방향 길이에 대해서 상위 3 개 및 하위 3 개의 입자를 제외하고 얻어지는 14 개의 입자에 대한, 장축 방향 길이의 수평균값을 평균 입자경으로 한다. 투과형 전자 현미경 관찰의 결과, 소정량의 입자를 시인할 수 없는 경우에는, 동일한 시료의 상이한 영역에서 관찰을 실시한다.

또, 지르코니아 입자와 다른 입자의 구별이 되지 않는 경우에는, EDX 나 EELS 에 의해, 입자의 원소 분석을 실시하고, 지르코니아 입자를 특정한다.

광학 조정층 (B) 의 두께는 0.4 ∼ 3 ㎛ 이고, 바람직하게는 0.5 ∼ 2.5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ∼ 2 ㎛ 이다. 광학 조정층 (B) 의 두께가 3 ㎛ 보다 작으면, 인덱스·매칭성이 보다 개선된다. 또한, 0.4 ㎛ 보다 크면, 지르코니아에서 유래되는 피크를 보다 용이하게 확인할 수 있고, 인덱스·매칭성이 보다 개선된다.

본 발명에 있어서, 광학 조정층 (B) 의 두께는, 다음과 같이 하여 측정한다. 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구한다. 구체적으로는, 미크로톰 또는 포커스 이온 빔 등을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 얇게 절단하고, 그 단면을 관찰한다.

광학 조정층 (B) 는, 에칭성 면에서, 광투과성 지지층 (A) 와는 반대측의 면의 평균 표면 조도 (Ra) 가, 0.4 ∼ 2.0 ㎚ 이면 바람직하고, 0.5 ∼ 1.8 ㎚ 이면 보다 바람직하고, 0.5 ∼ 1.5 ㎚ 이면 더욱 바람직하다.

본 발명에 있어서 평균 표면 조도 (Ra) 는, 주사형 프로브 현미경을 사용하여 측정되는 조도의 산술 평균을 의미한다. 본 발명에 있어서의 평균 표면 조도 (Ra) 는, 상세하게는, 시판되는 주사형 프로브 현미경 (주식회사 시마즈 제작소, SPM-9700, 또는 그 동등품) 을 사용하여, 소정의 컨택트 모드에서 1 ㎛ 평방의 측정면을 탐침 (OLYMPUS 사 제조 OMCL-TR800-PSA-1 스프링 정수 (定數) 0.15 N/m) 으로 주사하여 얻어지는, 평균선으로부터의 절대 편차를 평균한 값이다.

광학 조정층 (B) 는, 본 발명의 효과가 발휘되는 한 특별히 한정되지 않지만, 지르코니아에 더하여 그 밖의 성분을 추가로 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 본 발명의 효과가 발휘되는 한 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 멜라민계 수지 및 알키드계 수지 ; 그리고 실리카, 지르코니아, 티타니아 및 알루미나 등의 콜로이드 입자 등을 들 수 있다. 광학 조정층 (B) 는, 지르코니아에 더하여, 이들 중 어느 단독을 추가로 함유하고 있어도 되고, 복수 종을 추가로 함유하고 있어도 된다.

광학 조정층 (B) 가, 지르코니아에 더하여 그 밖의 성분을 추가로 함유하는 경우, 전체에 있어서의 지르코니아의 함유 비율은, 본 발명의 효과가 발휘되는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20 중량％ 이상이다.

광학 조정층 (B) 를 배치하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 필름에 도포하여, 열로 경화시키는 방법, 및 자외선이나 전자선 등의 활성 에너지선으로 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 생산성 면에서, 자외선에 의해 경화시키는 방법이 바람직하다.

1.3 광투과성 도전층 (C)

광투과성 도전층 (C) 는, 산화인듐을 함유한다. 광투과성 도전층 (C) 는, 산화인듐에 더하여 도펀트를 추가로 함유하고 있어도 된다. 도펀트로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 주석 산화물, 아연 산화물, 세륨 산화물, 가돌리늄 산화물, 실리콘 산화물 및 티탄 산화물 등을 들 수 있다. 광투과성 도전층 (C) 는 산화인듐에 더하여, 도펀트로서 이들을 단독으로 함유하고 있어도 되고, 복수 종을 함유하고 있어도 된다. 광투과성 도전층 (C) 로는, 현 상황에서는 산화인듐주석 (tin-doped indium oxide (ITO)) 을 함유하는 층을 바람직한 일례로서 들 수 있지만, 필요에 따라 다른 도펀트를 함유하는 산화인듐을 함유하는 층을 사용할 수도 있다.

산화인듐주석은, 주석을 도프한 산화인듐이다. 산화인듐주석으로는, 산화인듐 (III) (In₂O₃) 과 산화주석 (IV) (SnO₂) 을 사용하여 얻어진 산화인듐주석이 바람직하다. 이 경우, SnO₂ 의 첨가량으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1 ∼ 15 중량％, 바람직하게는 2 ∼ 10 중량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 8 중량％ 등을 들 수 있다. 또, 광투과성 도전층 (C) 는, 도펀트의 총량이 상기의 수치 범위를 초과하지 않는 범위에서, 산화인듐주석에 추가로 다른 도펀트가 첨가된 것을 함유하고 있어도 된다. 상기에 있어서 다른 도펀트로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 아연, 세륨, 가돌리늄, 실리콘 및 티탄 등을 들 수 있다.

광투과성 도전층 (C) 는, 상기 각종 산화인듐주석 중 어느 단독을 함유하는 것이어도 되고, 복수 종을 함유하는 것이어도 된다.

광투과성 도전층 (C) 는, 산화인듐을 함유하는 입자를 함유하고 있어도 된다. 이 입자의 평균 입자경은, 본 발명의 효과가 발휘되는 한 특별히 한정되지 않지만, 비저항이 작아지기 쉽다는 점에서, 3.0 ∼ 8.0 ㎚ 이면 바람직하고, 3.5 ∼ 6.5 ㎚ 이면 보다 바람직하고, 3.5 ∼ 6.0 ㎚ 이면 더욱 바람직하다. 산화인듐을 함유하는 입자로는, 현 상황에서는 산화인듐주석 입자를 바람직한 일례로서 들 수 있지만, 필요에 따라 다른 도펀트를 함유하는 산화인듐의 입자를 사용할 수도 있다.

본 발명에 있어서 산화인듐을 함유하는 입자의 평균 입자경은, 시판되는 주사형 프로브 현미경 (주식회사 시마즈 제작소, SPM-9700, 또는 그 동등품) 을 사용하여, 소정의 컨택트 모드에서 0.5 ㎛ 평방의 측정면을 탐침 (OLYMPUS 사 제조 OMCL-TR800-PSA-1 스프링 정수 0.15 N/m, 또는 그 동등품) 으로 주사하여 얻어지는 화상으로부터 구한다. 구체적으로는, 관찰 화상으로부터 1 ㎚ ∼ 30 ㎚ 의 입자에 대하여, 1 ㎚ 마다 입자경을 분류하고, 각 입자경에 있어서 적산한 입자수를 조사하고, 그 입도 분포에 있어서의 D50 의 입자경을 평균 입자경으로 한다.

광투과성 도전층 (C) 는, 특별히 한정되지 않지만, 결정체 또는 비정질체, 또는 그들의 혼합체이어도 된다.

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 광투과성 도전층 (C) 에 함유되는 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크를 2θ = 30.5°부근에 나타낸다. 이 피크는, 산화인듐 자체에서 유래되는 것이기 때문에, 산화인듐에 추가로 상기 각종 도펀트가 첨가되어 있는 경우라도 당연히 동일한 피크가 관찰된다. 또한, (222) 면의 피크가 산화인듐 (또는 추가로 도펀트가 첨가되어 있는 경우에는 산화인듐 및 도펀트의 혼합물) 에서 유래되는 모든 피크 중에서 가장 강한 것이다.

또한, 본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비가 0.1 ∼ 1.0 이다. 이것에 기인하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름은, (1) 인덱스·매칭, (2) 내약품성, 및 (3) 에칭성의 밸런스가 개선되어 있다.

상기 특성을 갖는 광투과성 도전층 (C) 는, 가열 처리에 의해 산화인듐 (또는 추가로 도펀트가 첨가되어 있는 경우에는 산화인듐 및 도펀트의 혼합물 ; 이하, 이 혼합물과 산화인듐을 총칭하여 「산화인듐 등」이라고 하는 경우가 있다.) 을 결정화시킴으로써 얻을 수 있다. 이 가열 처리 조건으로는, 상기 특성을 갖는 광투과성 도전층 (C) 가 얻어지는 범위 내에서 적절히 설정할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 대기 중 90 ∼ 160 ℃, 10 ∼ 120 분간의 가열 처리 조건 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 대기 중 140 ℃, 60 분간의 가열 처리 조건을 들 수 있다. 산화인듐 등으로 이루어지는 원료, 또는 산화인듐 등을 함유하는 원료를, 대기 중 90 ∼ 160 ℃, 10 ∼ 120 분간 가열 처리함으로써, 산화인듐 등의 결정화가 보다 촉진되고, 상기 특성을 갖는 광투과성 도전층 (C) 가, 산화인듐 등의 결정체, 또는 산화인듐 등의 결정체 및 산화인듐 등의 비정질체의 혼합물을 함유하는 것으로서 얻어진다. 특별히 한정되지 않지만, 상기 특성을 갖는 광투과성 도전층 (C) 는, 산화인듐 등을 함유하는 층을 그 하지가 되는 층의 위에 형성한 후에, 대기 중 90 ∼ 160 ℃, 10 ∼ 120 분간 가열 처리함으로써, 얻을 수 있다.

광투과성 도전층 (C) 는, 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 적어도 광학 조정층 (B) 를 개재하여 배치되어 있다.

광투과성 도전층 (C) 의 두께는 5 ∼ 200 ㎚, 바람직하게는 10 ∼ 100 ㎚, 보다 바람직하게는 15 ∼ 50 ㎚ 이다. 또한, 정전 용량 타입의 터치 패널용 광투과성 도전성 필름으로는, 광투과성 도전층 (C) 의 두께는 15 ∼ 40 ㎚, 바람직하게는 15 ∼ 38 ㎚, 보다 바람직하게는 17 ∼ 35 ㎚ 이다.

광투과성 도전층 (C) 를 형성하는 방법은, 습식 및 건식 중 어느 것이어도 된다.

광투과성 도전층 (C) 를 형성하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 진공 증착법, CVD 법, 및 펄스 레이저 디포지션법 등을 들 수 있다. 광투과성 도전층 (C) 를 형성하는 방법으로는, 스퍼터링법이 바람직하다.

스퍼터링법에 의해, 광투과성 도전층 (C) 를 형성하는 경우, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 산소 분압을 7.0 × 10^-3 ㎩ 이상으로 하여 형성함으로써, 박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비를, 0.1 ∼ 1.0 으로 적절히 조정할 수 있다.

1.4 언더코트층 (D)

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 지지층 (A) 의 광투과성 도전층 (C) 가 배치되어 있는 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 언더코트층 (D) 가 배치되어 있어도 된다. 언더코트층 (D) 가 배치되어 있는 경우, 적어도 일방의 상기 광투과성 도전층 (C) 가, 적어도 상기 언더코트층 (D) 및 광학 조정층 (B) 를 개재하여 상기 광투과성 지지층 (A) 의 상기 면에 배치되어 있다. 이 경우, 적어도 일방의 상기 광투과성 도전층 (C) 가, 상기 언더코트층 (D) 에 인접하여 배치되어 있어도 된다. 또, 이 경우, 언더코트층 (D) 는 통상, 광학 조정층 (B) 보다 광투과성 도전층 (C) 에 가까운 측에 배치되어 있다.

도 4 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에, 광학 조정층 (B), 언더코트층 (D) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.

도 5 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 양면에, 광학 조정층 (B), 언더코트층 (D) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있다.

도 6 에, 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 일 양태를 나타낸다. 이 양태에서는, 광투과성 지지층 (A) 의 일방의 면에, 제 1 광학 조정층 (B), 언더코트층 (D) 및 광투과성 도전층 (C) 가 이 순서로 서로 인접하여 배치되어 있고, 타방의 면에, 제 2 광학 조정층 (B) 가 직접 배치되어 있다.

언더코트층 (D) 의 소재는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유전성을 갖는 것이어도 된다. 언더코트층 (D) 의 소재로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 탄화규소, 실리콘알콕시드, 알킬실록산 및 그 축합물, 폴리실록산, 실세스퀴옥산, 그리고 폴리실라잔 등을 들 수 있다. 언더코트층 (D) 는, 이들 중 어느 단독으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수 종으로 이루어지는 것이어도 된다. 산화규소를 함유하는 광투과성 하지층이 바람직하고, 산화규소로 이루어지는 광투과성 하지층이 보다 바람직하다.

언더코트층 (D) 는, 1 층이 배치되어 있어도 된다. 또는 2 층 이상이 서로 인접하여, 또는 다른 층을 개재하여 서로 이간되어 배치되어 있어도 된다.

언더코트층 (D) 의 1 층당의 두께는 15 ∼ 40 ㎚ 등을 들 수 있다. 2 층 이상이 서로 인접하여 배치되어 있는 경우에는 서로 인접하고 있는 모든 언더코트층 (D) 의 합계 두께가 상기 범위 내이면 된다. 상기의 예시 열거에 있어서는 후자의 것이 전자의 것보다 바람직하다.

언더코트층 (D) 를 배치하는 방법으로는, 습식 및 건식 중 어느 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않지만, 습식으로는 예를 들어, 졸-겔법, 및 미립자 분산액 또는 콜로이드 용액을 도포하는 방법 등을 들 수 있다. 언더코트층 (D) 를 배치하는 방법으로서, 건식으로는, 예를 들어 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법 또는 펄스 레이저 디포지션법에 의해 인접하는 층 상에 적층하는 방법 등을 들 수 있다.

1.5 그 밖의 층

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 광투과성 지지층 (A) 의 광학 조정층 (B) 및 광투과성 도전층 (C) 가 배치되어 있는 측의 면에, 언더코트층 (D) 및 적어도 1 종의 그 밖의 층 (E) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 층이 추가로 배치되어 있어도 된다.

그 밖의 층 (E) 로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 접착층 등을 들 수 있다.

접착층이란, 2 층 사이에 당해 2 층과 서로 인접하여 배치되고, 당해 2 층 사이를 서로 접착하기 위해 배치되는 층이다. 접착층으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 터치 패널용 광투과성 도전성 필름에 있어서 접착층으로서 통상 사용되는 것을 사용할 수 있다.

1.6 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 용도

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 터치 패널을 위해 바람직하게 사용된다. 본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 특히, 정전 용량형 터치 패널을 위해 보다 바람직하게 사용된다. 저항막 방식 터치 패널의 제조를 위해 사용되는 광투과성 도전성 필름은 일반적으로 표면 저항률 (시트 저항) 이 100 ∼ 1,000 Ω/sq 정도는 필요하게 된다. 이것에 대하여 정전 용량형 터치 패널의 제조를 위해 사용되는 광투과성 도전성 필름은 일반적으로 표면 저항률이 낮은 것이 유리하다. 본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 저항률이 저감되어 있고, 이것에 의해, 정전 용량형 터치 패널의 제조를 위해 바람직하게 사용된다. 정전 용량형 터치 패널에 대해 상세한 것은, 2 에서 설명하는 바와 같다.

2. 본 발명의 정전 용량형 터치 패널

본 발명의 정전 용량형 터치 패널은, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 포함하고, 추가로 필요에 따라 그 밖의 부재를 포함하여 이루어진다.

본 발명의 정전 용량형 터치 패널의 구체적인 구성예로는, 다음과 같은 구성을 들 수 있다. 또, 보호층 (1) 측이 조작 화면측을, 유리 (5) 측이 조작 화면과는 반대측을 향하도록 하여 사용된다.

(1) 보호층

(2) 본 발명의 광투과성 도전성 필름 (Y 축 방향)

(3) 절연층

(4) 본 발명의 광투과성 도전성 필름 (X 축 방향)

(5) 유리

본 발명의 정전 용량형 터치 패널은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 상기 (1) ∼ (5), 그리고 필요에 따라 그 밖의 부재를 통상의 방법에 따라서 조합함으로써 제조할 수 있다.

3. 본 발명의 광투과성 도전성 필름의 제조 방법

본 발명의 광투과성 도전성 필름은, 각각의 층에 대해서 설명한 바와 같이 각각의 층을 배치함으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 광투과성 지지층 (A) 의 광투과성 도전층 (C) 가 배치되어 있는 측의 면에, 하층측부터 순차 배치시켜도 되지만, 배치 순서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 처음에 광투과성 지지층 (A) 가 아닌 층 (예를 들어, 광투과성 도전층 (C)) 의 일방의 면에 다른 층을 배치시켜도 된다. 또는, 일방에서 2 종 이상의 층을 서로 인접하도록 배치시킴으로써 1 종의 복합층을 얻고 나서, 또는 그것과 동시에, 타방에서 동일하게 2 종 이상의 층을 서로 인접하도록 배치시킴으로써 1 종의 복합층을 얻어, 이들 2 종의 복합층을 추가로 서로 인접하도록 배치시켜도 된다.

실시예

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.

실시예 1

두께 125 ㎛ 의 PET 수지 기재 (광투과성 지지층) 상에 평균 입자경이 16 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 0.5 ㎛ 가 되도록 형성하였다.

또, 실시예 및 비교예에 있어서, 지르코니아 입자의 평균 입자경은, 다음과 같이 하여 투과형 전자 현미경 관찰에 의해 구하였다. 구체적으로는, 광투과성 도전성 필름을 수지로 피복하고, 미크로톰을 사용하여 광투과성 도전성 필름을 필름에 수직으로 얇게 절단하여, 그 단면을 관찰하였다. 이것에 의해, 시인 가능한 무작위로 선택된 20 개의 입자로부터, 장축 방향 길이에 대해서 상위 3 개 및 하위 3 개의 입자를 제외하고 얻어지는 14 개의 입자에 대한, 장축 방향 길이의 수평균값을 평균 입자경으로 하였다.

이 때, 광학 조정층의 Ra 는 0.7 ㎚ 였다. 스퍼터링에 의해 이 광학 조정층에, SiO₂층을 20 ㎚ 형성하고, 또한, 산화인듐주석 (ITO) 을 23 ㎚ 제막하였다. 구체적으로는 타깃재로서, 산화인듐 : 95 중량％ 및 산화주석 : 5 중량％ 로 이루어지는 소결체 재료를 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 광투과성 도전층을 형성하고, 대기 중에서 가열 처리하고, 최종적으로 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. 이 때, 챔버 내를 5.0 × 10^-4 ㎩ 이하가 될 때까지 진공 배기한 후에, 이러한 챔버 내에 산소 분압이 6.5 × 10^-3 ㎩ 가 되도록 산소 가스와 아르곤 가스를 도입하고, 챔버 내 압력을 0.3 ∼ 0.4 ㎩ 로 하여 스퍼터링 처리하였다.

그 후, 대기 중, 140 ℃ 에서 60 분 가열 처리하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. 이 필름을 XRD 및 AFM 으로 평가하였다.

또, 실시예 및 비교예에 있어서, 박막법에 의한 XRD 측정은, 다음과 같이 하여 실시하였다. X 선 회절 장치는 Rigaku 제조 박막 평가용 시료 수평형 X 선 회절 장치 SmartLab 를 사용하여 박막법으로 측정하였다. 평행 빔 광학 배치를 사용하고, 광원에는 CuKα 선 (파장 : 1.54186 Å) 을 40 ㎸, 30 ㎃ 의 파워로 사용하였다. 입사측 슬릿계는 솔라 슬릿 5.0°, 높이 제어 슬릿 10 ㎜, 입사 슬릿 0.1 ㎜ 를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패럴렐 슬릿 애널라이저 (PSA) 0.114 deg. 를 사용하였다. 검출기는 신틸레이션 카운터를 사용하였다. 시료 스테이지는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여, 펌프에 의해 시료를 흡착 고정시켰다. 입사측을 0.50°로 고정시키고, 스텝 간격 0.01°, 측정 스피드 3.0°/min, 측정 범위를 10°∼ 60°로 측정하였다.

XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비는 0.15 였다.

또한, 실시예 및 비교예에 있어서, 산화인듐주석의 평균 입자경은, 다음과 같이 하여 측정하였다. 주사형 프로브 현미경 (주식회사 시마즈 제작소, SPM-9700) 을 사용하여, 소정의 컨택트 모드에서 0.5 ㎛ 평방의 측정면을 탐침 (OLYMPUS 사 제조 OMCL-TR800-PSA-1 스프링 정수 0.15 N/m) 으로 주사하여 얻어지는 화상으로부터 구하였다. 구체적으로는, 관찰 화상으로부터 1 ㎚ ∼ 30 ㎚ 의 산화인듐주석 입자에 대하여, 1 ㎚ 마다 입자경을 분류하고, 각 입자경에 있어서 적산한 입자수를 조사하고, 그 입도 분포에 있어서의 D50 의 입자경을 평균 입자경으로 하였다.

산화인듐주석의 평균 입자경은 6.2 ㎚ 였다.

실시예 2

평균 입자경이 25 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 1.0 ㎛ 가 되도록 형성하였다. 그것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비는 0.30 이었다. 또한, 산화인듐주석의 평균 입자경은 5.7 ㎚ 였다.

실시예 3

평균 입자경이 25 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 2.0 ㎛ 가 되도록 형성하였다. 그것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비는 0.65 였다. 또한, 산화인듐주석의 평균 입자경은 3.6 ㎚ 였다.

실시예 4

평균 입자경이 25 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 2.9 ㎛ 가 되도록 형성하였다. 그것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비는 0.94 였다. 또한, 산화인듐주석의 평균 입자경은 4.2 ㎚ 였다.

실시예 5

평균 입자경이 34 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 1.0 ㎛ 가 되도록 형성하였다. 이 때, 광학 조정층의 Ra 는 1.8 ㎚ 였다. 그것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 본 발명의 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비는 0.32 였다. 또한, 산화인듐주석의 평균 입자경은 7.7 ㎚ 였다.

비교예 1

평균 입자경이 16 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 0.2 ㎛ 가 되도록 형성하였다. 그것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 피크는 검출되지 않았다. 또한, 산화인듐주석의 평균 입자경은 6.8 ㎚ 였다.

비교예 2

평균 입자경이 16 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 5.0 ㎛ 가 되도록 형성하였다. 그것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비는 1.5 였다. 또한, 산화인듐주석의 평균 입자경은 4.9 ㎚ 였다.

비교예 3

평균 입자경이 45 ㎚ 인 지르코니아 입자를 함유하는 아크릴레이트계 수지의 광학 조정층을 두께 2.8 ㎛ 가 되도록 형성하였다. 이 때, 광학 조정층의 Ra 는 2.5 ㎚ 였다. 그것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 광투과성 도전성 필름을 얻었다. XRD 에 의한 평가 결과, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비는 1.5 였다. 또한, 산화인듐주석의 평균 입자경은 8.4 ㎚ 였다.

이상과 같이 하여 얻어진 실시예 1 ∼ 5, 및 비교예 1 ∼ 3 의 광투과성 도전성 필름에 대해서, 다음과 같이 하여 인덱스·매칭 (IM) 및 에칭성을 평가하였다.

인덱스·매칭의 평가는, 다음과 같이 하여 실시하였다. 폭 5 ㎝ × 길이 10 ㎝ 로 커트한 광투과성 도전성 필름의 중앙부 부근의 폭 방향으로 빗형 패턴 (2 ㎜ 폭, 10 ㎜ 길이) 을 5 ㎝ 형성하기 위해, 이하의 조작을 실시하였다.

폭 5 ㎝ × 길이 5 ㎝ 의 실리콘 고무판의 4 변의 하나를 빗형 패턴상으로 절단하였다. 폭 5 ㎝ × 길이 10 ㎝ 로 커트한 광투과성 도전성 필름의 ITO 측, 또한, 빗형 패턴이 광투과성 도전성 필름의 중앙부 부근에 배치되도록 실리콘 고무판을 광투과성 도전성 필름에 첩합 (貼合) 하였다. 실리콘 고무를 첩합한 광투과성 도전성 필름의 실리콘 고무측에 에칭 레지스트를 도포하고, 80 ℃ 에서 30 분 건조 후, 실리콘 고무판을 벗겼다. 이것에 의해, 빗형 패턴을 경계로 하여 ITO 표면과 에칭 레지스트 표면이 노출되는 광투과성 도전성 필름을 얻었다. 이것을, 20 ％ 염산에 20 분 침지하고, ITO 를 녹였다. 그 후, 0.5 M 의 KOH 용액에 침지하면서 10 분간 초음파 처리하고, 수세함으로써 ITO 의 빗형 패턴 필름을 얻었다.

백색의 종이 및 흑색의 종이 위에 빗형 패턴 필름을 두고, 각각 ITO 패턴의 에지에 있어서의 시인성을 확인하였다.

평가는 다음과 같이 하여 실시하였다. 백색 종이 위 및 흑색 종이 위에서 ITO 의 패턴을 거의 확인할 수 없을 때를 「◎」, 백색 종이 위 및 흑색 종이 위에서 ITO 의 패턴을 거의 확인할 수 없지만, 어느 시료에 있어서 관찰 각도를 바꿈으로써 패턴을 확인할 수 있는 경우가 있을 때를 「○」, 관찰 각도를 바꿈으로써 어느 시료에 있어서 패턴을 반드시 확인할 수 있을 때를 「△」, 양방의 시료에 있어서 패턴을 확인할 수 있을 때를 「×」로 하였다.

에칭성의 평가는, 다음과 같이 하여 실시하였다.

광투과성 도전성 필름을 20 ％ 염산에 침지하고, 표면 저항이 계측 불능이 될 때까지의 시간을 구하였다. 광투과성 도전성 필름은 10 초 ∼ 90 초까지의 10 초 간격으로 침지 시간을 설정하고, 표면 저항이 계측 불능이 된 시간을 에칭 처리 완료 시간으로 하였다.

에칭 처리 완료 시간이 40 초, 50 초일 때를 「◎」, 30 초, 60 초, 70 초일 때를 「○」, 20 초, 80 초일 때를 「△」, 10 초, 90 초 및 그 이상을 「×」로 하여 평가하였다. 에칭 처리 시간이 지나치게 짧아도, 또한 반대로 지나치게 길어도 에칭 처리를 제어하는 것이 곤란해져 바람직하지 않다.

내약품성의 평가는, 다음과 같이 하여 실시하였다. 광투과성 도전성 필름을 1 ％ 염산에 30 분 침지하고, 수세하였다. 이 때의 표면 저항값 R 과 염산에 침지 전의 표면 저항값 R0 의 비 R/R0 을 구하였다. 이 때, R/R0 이 1.1 미만이면 「◎」, R/R0 이 1.1 이상 또한 1.2 미만이면 「○」, R/R0 이 1.2 이상 또한 1.3 미만이면 「△」, R/R0 이 1.3 이상이면 「×」로 하였다.

평가 결과를 표 1 에 나타낸다. 표 1 에 있어서는, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비를 간단히 「피크비」라고 표기한다.

1 : 광투과성 도전성 필름
11 : 광투과성 지지층 (A)
12 : 광학 조정층 (B)
13 : 광투과성 도전층 (C)
14 : 언더코트층 (D)

Claims

(A) 광투과성 지지층 ;
(B) 광학 조정층 ; 및
(C) 산화인듐주석을 함유하는 광투과성 도전층을 함유하고,
상기 광학 조정층 (B) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 직접 또는 1 이상의 다른 층을 개재하여 배치되어 있고, 또한 상기 광투과성 도전층 (C) 가, 상기 광투과성 지지층 (A) 의 적어도 일방의 면에, 적어도 광학 조정층 (B) 를 개재하여 배치되어 있는 광투과성 도전성 필름으로서 :
상기 광학 조정층 (B) 가, 지르코니아를 함유하고, 또한 두께 0.4 ∼ 3 ㎛ 이고 ; 또한
박막법에 의한 XRD 측정에 있어서, 지르코니아에서 유래되는 2θ = 28°부근의 피크의, 산화인듐주석에서 유래되는 (222) 면의 피크에 대한 비가 0.1 ∼ 1.0 인 것을 특징으로 하는 광투과성 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 광학 조정층 (B) 의, 광투과성 지지층 (A) 와는 반대측의 면의 평균 표면 조도 (Ra) 가 0.4 ∼ 2.0 ㎚ 인, 광투과성 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 지르코니아의 평균 입자경이 10 ∼ 40 ㎚ 인, 광투과성 도전성 필름.
제 2 항에 있어서,
상기 지르코니아의 평균 입자경이 10 ∼ 40 ㎚ 인, 광투과성 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 산화인듐주석의 평균 입자경이 3.0 ∼ 8.0 ㎚ 인, 광투과성 도전성 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 광투과성 도전층 (C) 가, 산화인듐주석을 함유하는 층을 대기 중 90 ∼ 160 ℃ 에서 10 ∼ 120 분간 가열함으로써 얻어질 수 있는, 광투과성 도전성 필름.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 광투과성 도전성 필름을 함유하는, 터치 패널.