JP6422676B2

JP6422676B2 - 透明導電性フィルム

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Publication number: JP6422676B2
Application number: JP2014115587A
Authority: JP
Inventors: 望藤野; 大貴加藤; 智剛梨木
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2014-06-04
Filing date: 2014-06-04
Publication date: 2018-11-14
Anticipated expiration: 2034-06-04
Also published as: CN204706006U; TW201601934A; JP2015230785A; WO2015186507A1; CN105302358A; KR20160147880A

Description

本発明は、指やスタイラスペン等の接触によって情報を入力することが可能な入力表示装置等に適用される透明導電性フィルムに関する。

従来、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、インジウムスズ酸化物層との間に、無機ケイ素化合物層（例えば、ＳｉＯ_２層）を有する透明導電性フィルムが知られている。（特許文献１）。このような透明導電性フィルムは、無機ケイ素酸化物層が、インジウム−スズ酸化物層の特性を低下させる要因である、ポリエチレンテレフタレートフィルムからの水分などの揮発成分の発生を抑制することが可能であるため、比抵抗が小さいという特徴を有する。

特開２０１０−１８４４７８号公報

近年、入力表示装置等に搭載されるタッチパネルの大型化に伴って、透明導電性フィルムの比抵抗を更に小さくすることが求められている。しかしながら、上記従来の透明導電性フィルムの比抵抗は、５．０×１０^−４Ω・ｃｍ程度であり、大型タッチパネルの透明電極として使用するのに十分な値とは言えない。加えて、大型タッチパネル用の透明導電性フィルムにおいても、本来の特性としての良好な透明性を具備する必要があり、また、製造工程中にフィルム基材が可撓し易くなって取扱いが煩雑となる場合があることから、良好な取扱性を実現することが求められている。

本発明の目的は、透明性及び取扱性が良好で、且つ比抵抗がより小さい透明導電性フィルムを提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の透明導電性フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム、硬化層、無機ケイ素酸化物層及びインジウム−スズ酸化物層を少なくともこの順に有する透明導電性フィルムであって、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚みが４０μｍ〜１３０μｍであり、前記硬化層は、該硬化層内に複数の無機粒子を備え、前記硬化層の厚みと前記無機ケイ素酸化物層との厚みの合計が、３００ｎｍ以上３０００ｎｍ未満であり、前記無機ケイ素酸化物層の厚みは１５ｎｍを超え、前記インジウム−スズ酸化物層は、その厚みが１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、且つその表面の中心線平均粗さＲａが０．１ｎｍ以上２ｎｍ未満であり、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムと前記硬化層との間に易接着層が形成されることを特徴とする。

好ましくは、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚みが、７０μｍ〜１３０μｍである。

また好ましくは、前記硬化層における複数の無機粒子の占有体積率が、１５％〜７０％である。

また、ＢＥＴ法によって算出される前記複数の無機粒子の平均粒径が、５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが好ましい。

また、好ましくは、前記硬化層の厚みと前記無機ケイ素酸化物層との厚みの合計が、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下である。

また、好ましくは、前記無機ケイ素酸化物層の厚みが、２０ｎｍ〜４０ｎｍである。

更に、前記インジウム−スズ酸化物層は、多結晶層であり、その厚みが２０ｎｍを超え４０ｎｍ以下であり、且つその表面の中心線平均粗さＲａが０．１ｎｍ以上１ｎｍ未満であるのが好ましい。

また、前記インジウム−スズ酸化物層は、その厚さ方向に酸化スズの濃度勾配を有し、前記厚さ方向における酸化スズ濃度の最小値が、１重量％〜４重量％であるのが好ましい。

また、比抵抗が３．７×１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、且つ全光線透過率が９０％以上である透明導電性フィルムが提供される。

なお、本発明の透明導電性フィルムは、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面上に前記硬化層が形成され、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの他方の主面上に、他の硬化層が形成されてもよい。

本発明によれば、基材であるポリエチレンテレフタレートフィルムが、４０μｍ〜１３０μｍの範囲の値を有するので、透明導電性フィルムに適度な剛性が付与され、製造工程での取扱性が良好となる。また、ポリエチレンテレフタレートフィルムとインジウム−スズ酸化物層との間に、無機粒子を有する硬化層と、無機ケイ素酸化物層とを設け、且つ硬化層と無機ケイ素酸化物層との厚みの合計が３００ｎｍ以上３０００ｎｍ未満の範囲の値を有し、更に無機ケイ素酸化物層の厚みを１５ｎｍ超えとすることで、製造工程におけるポリエチレンテレフタレートフィルムからの水分の発生が十分に抑制されるため、良好な透明性を実現しながら、比抵抗を小さくすることができる。更に、インジウム−スズ酸化物層の厚みが１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、且つその表面の中心線平均粗さＲａが０．１ｎｍ以上２ｎｍ未満であり、ポリエチレンテレフタレートフィルムと硬化層との間に易接着層が形成されるので、高い光透過率を実現できると共に、表面が平滑なインジウム−スズ酸化物層を有することにより、より小さい比抵抗を実現することができる。

本発明の実施形態に係る透明導電性フィルムの構成を概略的に示す断面図である。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本実施形態に係る透明導電性フィルムの構成を概略的に示す断面図である。尚、図１における各構成の厚みは、その一例を示すものであり、本発明の透明導電性フィルムにおける各構成の寸法は、図１のものに限られないものとする。

図１に示すように、本発明の透明導電性フィルム１は、基材としてのポリエチレンテレフタレートフィルム２と、該フィルムの一方の主面上に形成された硬化層３と、該硬化層のポリエチレンテレフタレートフィルム２とは反対側の面に形成された無機ケイ素酸化物層４と、該無機ケイ素酸化物層の硬化層３とは反対側の面に形成されたインジウムスズ酸化物層とを有する。すなわち透明導電性フィルム１は、ポリエチレンテレフタレートフィルム２、硬化層３、無機ケイ素酸化物層４及びインジウム−スズ酸化物層５を少なくともこの順に有する積層構造体である。硬化層３は、樹脂からなるベース層３ａと、該ベース層に含有された複数の無機粒子３ｂとで構成されている。

透明導電性フィルム１の比抵抗は、３．７×１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、好ましくは２×１０^−４Ω・ｃｍ〜３．７×１０^−４Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは２×１０^−４Ω・ｃｍ〜３．５×１０^−４Ω・ｃｍである。また、透明導電性フィルム１の全光線透過率は、９０％以上であり、好ましくは９１％以上である。

透明導電性フィルム１は、少なくとも上記構成要素を有していればその構成に制限は無く、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム２の他方の主面上（硬化層３が形成されていない側の面）に他の硬化層が積層されてもよい。また、ポリエチレンテレフタレートフィルムと硬化層との間に、接着力を高めるような易接着層が積層されてもよい。

次に、透明導電性フィルム１の各構成要素の詳細を以下に説明する。

（１）ポリエチレンテレフタレートフィルム
本発明に用いられるポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate）フィルムの厚みは、４０μｍ〜１３０μｍであり、好ましくは７０μｍ〜１３０μｍである。上記範囲内の厚みを有するポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることによって、透明導電性フィルムに適度な剛性が付与され、基材であるポリエチレンテレフタレートフィルムが可撓し難くなり、製造時の搬送・成膜等における取扱性が良好となる。特に、大型の透明導電性フィルムを製造する場合、その厚みに対する面積の割合が大きく、フィルム自体に掛かる重力等の影響によってフィルムがより可撓し易くなるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚みを本発明における範囲内の値とすることにより、ポリエチレンテレフタレートフィルムが従来よりも可撓し難くなり、製造工程中の取扱性が格段に向上する。

上記ポリエチレンテレフタレートフィルムの１５０℃で３０分間加熱した場合の収縮率の絶対値は、当該フィルムの長手方向（ＭＤ方向）及び幅方向（ＴＤ方向）共に、好ましくは１％以下であり、より好ましくは０．７％以下である。

上記ポリエチレンテレフタレートフィルムは、市販の一般工業用のものをそのまま、或いは前処理として加熱処理を行い、収縮率を調整して用いることができる。市販のポリエチレンテレフタレートフィルムは、例えば、三菱樹脂社や東レ社から入手することができる。

（２）硬化層
本発明の硬化層は、該硬化層内に無数の無機粒子を有するものであり、代表的には、硬化樹脂により、複数の無機粒子が層状に固定されたものである。

上記硬化層における無機粒子の占有体積率は、ポリエチレンテレフタレートフィルム中から発生する水分を抑制し、且つ屈折率を調整して光透過率を高くする観点から、無機粒子の含有量を高めることが好ましい。硬化層のうち、硬化樹脂を構成する炭素原子の存在率を１とした場合、無機粒子を構成する無機原子の比率は、好ましくは０．１５〜０．８０であり、更に好ましくは０．２５〜０．７０である。なお、炭素原子及び無機原子の含有量は、それぞれＸ線光電子分光法（ESCA : Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）にて厚み方向のプロファイルを分析することで特定できる。また、上記硬化層における複数の無機粒子の占有体積率は、上記水分抑制と屈折率調整の観点から、好ましくは１５％〜７０％である。

上記硬化樹脂は、透明性に優れるものが好ましく、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、又はこれらの混合物である。

上記硬化樹脂に含有される無機粒子は、平均粒径が小さく、分散性に優れるのが好ましく、例えば、酸化ジルコニウム（Zirconium Oxide）、酸化アルミニウム（Aluminum Oxide）、酸化セリウム（Cerium Oxide）、酸化チタン（Titanium Oxide）、酸化亜鉛（Zinc Oxide）、二酸化ケイ素（Silicon dioxide）、又はこれらの混合物である。この無機粒子は、硬化樹脂への分散性が良好で、硬化層の屈折率を高くできる点で、特に好ましくは酸化ジルコニウムである。

無機粒子の平均粒径は、ＢＥＴ（Brunauer - Emmett - Teller equation）法による比表面積データから算出される値が、好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍである。

このように構成される硬化層は、例えば、複数の無機粒子と硬化樹脂とを混合した液体を、ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に均一に塗布し、硬化樹脂を必要な条件で硬化させることで形成することができる。

（３）無機ケイ素酸化物層
本発明の無機ケイ素酸化物層は、代表的には、一酸化ケイ素層（ＳｉＯ）、二酸化ケイ素層（ＳｉＯ_２）、亜酸化ケイ素層（ＳｉＯ_ｘ：ｘは１以上２未満）、又はこれらの積層体である。

上記無機ケイ素酸化物層の厚み（ｄ_Ｂ）は、ポリエチレンテレフタレートフィルム中から発生する水分などの揮発成分を遮断する観点から、１５ｎｍを超える必要があり、好ましくは１８ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ましくは２０ｎｍ〜４０ｎｍである。また、上記硬化層の厚み（ｄ_Ａ）と上記無機ケイ素酸化物の厚み（ｄ_Ｂ）との合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）は、３００ｎｍ以上３０００ｎｍ未満である必要があり、好ましくは４００ｎｍ以上２０００ｎｍ未満であり、より好ましくは４００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満であり、特に好ましくは４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下である。上記硬化層と無機ケイ素酸化物層の厚みの合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）を上記範囲の値とすることにより、ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚みが４０μｍ以上、更には７０μｍ以上と分厚くても、内部から発生する水蒸気などの揮発成分を効果的に抑制することができ、且つ、高い透明性を維持することができる。

上記無機ケイ素酸化物層は、例えば、上記硬化物層上に、スパッタリング法により、無機ケイ素酸化物を堆積させることにより形成することができる。

（４）インジウム−スズ酸化物層
本発明に用いられるインジウム−スズ酸化物（Indium Tin Oxide）は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）にスズ（Ｓｎ）がドープされた化合物である。酸化インジウムに酸化スズ（ＳｎＯ_２）を添加すると、３価のインジウムの格子の一部に４価のスズが置換され、その際に余剰電子が生成するため電気伝導性が発現する。

上記インジウム−スズ酸化物層は、比抵抗を小さくするために、熱エネルギーを与えて結晶化させ、多結晶層とすることが好ましい。上記インジウム−スズ酸化物層の厚みは、光透過率を高くするために、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、好ましくは２０ｎｍを超え５０ｎｍ以下であり、更に好ましくは２０ｎｍを超え４０ｎｍ以下である。

上記インジウム−スズ酸化物層の表面の中心線平均粗さＲａは、比抵抗が小さい透明導電性フィルムを得るために、０．１ｎｍ以上２ｎｍ未満である必要があり、好ましくは０．１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であり、更に好ましくは０．２ｎｍ以上１ｎｍ以下である。この中心線平均粗さＲａは、硬化層の表面が平滑になるように精密に塗布し、更にインジウム−スズ酸化物層をスパッタリング法で形成する場合には、スパッタの放電によって表面が荒れないように、放電出力を調整することによって達成することができる。

上記インジウム−スズ酸化物層は、該層内において、酸化スズ濃度の最大値が、好ましくは４重量％を超え１１重量％以下であり、より好ましくは６重量％〜１１重量％である。上記インジウム−スズ酸化物層は、層内において均一な酸化スズ濃度を有していてもよいし、酸化スズの濃度勾配を有していてもよい。

上記インジウム−スズ酸化物層が酸化スズの濃度勾配を有する場合、当該層の厚さ方向における酸化スズ濃度の最小値は、好ましくは１重量％〜４重量％である。このような構成では、酸化スズ濃度の小さい領域が、酸化スズ濃度の大きい領域の結晶化を促進するので、結晶性が良好である。なお、厚さ方向における酸化スズ濃度は、Ｘ線光電子分光法（ESCA : Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）の深さ分析により求めることができる。

上記インジウム−スズ酸化物層は、例えば、上記無機ケイ素酸化物層上に、所定電源を用いたスパッタリング法により、インジウム−スズ酸化物を堆積させることにより形成することができる。

上述したように、本実施形態によれば、ポリエチレンテレフタレートフィルム２が、４０μｍ〜１３０μｍの範囲の値を有するので、透明導電性フィルム１に適度な剛性が付与され、製造工程での取扱性が良好となる。また、ポリエチレンテレフタレートフィルム２とインジウム−スズ酸化物層５との間に、無機粒子３ｂを有する硬化層３と、無機ケイ素酸化物層４とを設け、且つ硬化層３と無機ケイ素酸化物層４との厚みの合計が３００ｎｍ以上３０００ｎｍ未満の範囲の値を有し、更に無機ケイ素酸化物層４の厚みを１５ｎｍ超えとすることで、スパッタリング時におけるポリエチレンテレフタレートフィルム２からの水分の発生が十分に抑制されるため、良好な透明性を実現しながら、比抵抗を小さくすることができる。更に、インジウム−スズ酸化物層５の厚さが１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、且つその表面の中心線平均粗さＲａが０．１ｎｍ以上２ｎｍ未満であるので、高い光透過率を実現できると共に、表面が平滑なインジウム−スズ酸化物層５を有することにより、より小さい比抵抗を実現することができる。

以上、本実施形態に係る透明導電性フィルムについて述べたが、本発明は記述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想に基づいて各種の変形および変更が可能である。

以下、本発明の実施例を説明する。

［実施例１］
厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂社製、商品名「ダイヤホイル」）の一方の面に、平均粒径が２０ｎｍである酸化ジルコニウム粒子とアクリル樹脂とを含む紫外線硬化性樹脂を塗布し、紫外線照射により硬化させて、厚み５００ｎｍの硬化層を形成した。

次に、交流中周波（ＡＣ／ＭＦ）電源を用いて、酸素雰囲気下でＳｉターゲットをスパッタリングすることにより、上記硬化層の表面にＳｉＯ_ｘ（ｘ＝１．５）とＳｉＯ_２層とを積層し、厚み２５ｎｍの無機ケイ素酸化物層を形成した。

次に、直流（ＤＣ）電源を用いて、酸素雰囲気下で、酸化インジウムと酸化スズを９０：１０の重量比で有するターゲットをスパッタリングすることにより、上記無機ケイ素酸化物層の表面に、厚み２４ｎｍの非晶質のインジウム−スズ酸化物層を形成した。上記インジウム−スズ酸化物層は、常圧で１４０℃、６０分間で加熱処理を行い、非晶質から結晶質に転化させた。

このように作製した透明導電性フィルムの特性を表１に示す。
［実施例２］
硬化層の厚みを６５０ｎｍとし、無機ケイ素酸化物層の厚みを１８ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様の方法で透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの特性を表１に示す。
［実施例３］
硬化層の厚みを４８０ｎｍとし、無機ケイ素酸化物層の厚みを２０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様の方法で透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの特性を表１に示す。

［比較例１］
硬化層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様の方法で透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの特性を表１に示す。
［比較例２］
無機ケイ素酸化物層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様の方法で透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの特性を表１に示す。なお、比較例２のインジウム−スズ酸化物層において、１４０℃、６０加熱処理では、非晶質のインジウム−スズ酸化物が、結晶質のインジウム−スズ酸化物に転化しなかった。

次に、上記のように作製した実施例１〜３および比較例１〜２の透明導電性フィルムを、下記の方法にて測定・評価した。

（１）各構成の厚み
硬化層の厚み（ｄ_Ａ）および無機ケイ素酸化物層の厚み（ｄ_Ｂ）は、透過型電子顕微鏡（日立製作所製、装置名「Ｈ−７６５０」）により断面観察して測定し、厚み合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）は、上記で測定された厚みｄ_Ａ，ｄ_Ｂを合算することにより求めた。フィルム基材の厚みは、膜厚計（尾崎製作所（Peacock（登録商標））社製、装置名「デジタルダイアルゲージＤＧ−２０５」）を用いて測定した。

（２）中心線平均粗さＲａ
インジウム−スズ酸化物層の表面を、走査型プローブ顕微鏡（セイコーインスツルメンツ社製、装置名「Scanning Probe Microscope ＳＰＩ３８００」を用いて、コンタクトモード、Ｓｉ_３Ｎ_４製短針（ばね定数０．０９Ｎ／ｍ）、スキャンサイズ１μｍ□、の条件下で測定した。

（３）比抵抗
ＪＩＳＫ７１９４に準じて、４端子法を用いて表面抵抗値を測定し、これに膜厚（ｃｍ換算）を乗じた値を比抵抗とした。

（４）光透過率
ヘーズメーター（スガ試験機社製、装置名「ＨＧＭ−２ＤＰ）を用いて、全光線透過率を測定した。

（５）結晶質の評価
透過型電子顕微鏡（日立製作所社製、装置名「Ｈ−７６５０」）を用いて平面ＴＥＭ監察を行い、結晶粒が２５０〜５００個程度に見えるように倍率を調整し、結晶粒が全面に存在する状態の場合、結晶質であると判定した。

上記（１）〜（５）の方法にて、実施例１〜３および比較例１〜２の透明導電性フィルムを測定・評価した結果を、表１に示す。

表１に示すように、実施例１において、硬化層の厚み（ｄ_Ａ）が５００ｎｍ、無機ケイ素酸化物層の厚み（ｄ_Ｂ）が２５ｎｍ、厚み合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）が５２５ｎｍ、インジウム−スズ酸化物層表面の中心線平均粗さＲａが０．８であり、この場合、透明導電性フィルムの比抵抗が３．２×１０^−４Ω・ｃｍと小さくなり、また、全光線透過率が９１％となり、高い光透過率を示した。

実施例２では、硬化層の厚み（ｄ_Ａ）が６５０ｎｍ、無機ケイ素酸化物層の厚み（ｄ_Ｂ）が１８ｎｍ、厚み合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）が６６８ｎｍ、インジウム−スズ酸化物層表面の中心線平均粗さＲａが０．８であり、この場合、実施例１と同様、透明導電性フィルムの比抵抗が３．２×１０^−４Ω・ｃｍと小さくなり、また、全光線透過率が９１％となり、高い光透過率を示した。

実施例３では、硬化層の厚み（ｄ_Ａ）が４８０ｎｍ、無機ケイ素酸化物層の厚み（ｄ_Ｂ）が２０ｎｍ、厚み合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）が５００ｎｍ、インジウム−スズ酸化物層表面の中心線平均粗さＲａが０．８であり、この場合、透明導電性フィルムの比抵抗が３．４×１０^−４Ω・ｃｍと小さくなり、また、全光線透過率が９１％となり、高い光透過率を示した。

一方、比較例１では、硬化層を形成せず（ｄ_Ａ＝０）、無機ケイ素酸化物層の厚み（ｄ_Ｂ）が２５ｎｍ、厚み合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）が２５ｎｍ、インジウム−スズ酸化物層表面の中心線平均粗さＲａが２．１であり、この場合、透明導電性フィルムの比抵抗が４．３×１０^−４Ω・ｃｍと大きくなった。

また、比較例２では、硬化層の厚み（ｄ_Ａ）が５００ｎｍ、無機ケイ素酸化物層を形成せず（ｄ_Ｂ＝０）、厚み合計（ｄ_Ａ＋ｄ_Ｂ）が５００ｎｍ、インジウム−スズ酸化物層表面の中心線平均粗さＲａが０．８であり、この場合、透明導電性フィルムの比抵抗が５．１×１０^−４Ω・ｃｍと大きくなり、また、全光線透過率が８９％となり、光透過率が低くなった。

本発明に係る透明導電性フィルムの用途は、特に制限はなく、好ましくはスマートフォンやタブレット端末（Slate PCともいう）等の携帯端末に使用される静電容量方式タッチパネルである。

１透明導電性フィルム
２ポリエチレンテレフタレートフィルム
３硬化層
３ａベース層
３ｂ無機粒子
４無機ケイ素酸化物層
５インジウム−スズ酸化物層

Claims

ポリエチレンテレフタレートフィルム、硬化層、無機ケイ素酸化物層及びインジウム−スズ酸化物層を少なくともこの順に有する透明導電性フィルムであって、
前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚みが４０μｍ〜１３０μｍであり、
前記硬化層は、該硬化層内に複数の無機粒子を備え、
前記硬化層の厚みと前記無機ケイ素酸化物層との厚みの合計が、３００ｎｍ以上３０００ｎｍ未満であり、
前記無機ケイ素酸化物層の厚みは１５ｎｍを超え、
前記インジウム−スズ酸化物層は、その厚みが１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、且つその表面の中心線平均粗さＲａが０．１ｎｍ以上２ｎｍ未満であり、
前記ポリエチレンテレフタレートフィルムと前記硬化層との間に易接着層が形成されることを特徴とする、透明導電性フィルム。
前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの厚みが、７０μｍ〜１３０μｍであることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。
前記硬化層における複数の無機粒子の占有体積率が、１５％〜７０％であることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。
ＢＥＴ法によって算出される前記複数の無機粒子の平均粒径が、５ｎｍ〜５０ｎｍであることを特徴とする、請求項３記載の透明導電性フィルム。
前記硬化層の厚みと前記無機ケイ素酸化物層との厚みの合計が、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。
前記無機ケイ素酸化物層の厚みが、２０ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。
前記インジウム−スズ酸化物層は、多結晶層であり、その厚みが２０ｎｍを超え４０ｎｍ以下であり、且つその表面の中心線平均粗さＲａが０．１ｎｍ以上１ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。
前記インジウム−スズ酸化物層は、その厚さ方向に酸化スズの濃度勾配を有し、前記厚さ方向における酸化スズ濃度の最小値が、１重量％〜４重量％であることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。
比抵抗が３．７×１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、且つ全光線透過率が９０％以上であることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。
前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の主面上に前記硬化層が形成され、前記ポリエチレンテレフタレートフィルムの他方の主面上に、他の硬化層が形成されることを特徴とする、請求項１記載の透明導電性フィルム。