KR101444708B1 - 인덕터 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 인덕터는 반도체 기판 내에 일 방향을 따라 형성된 제 1 내지 제 4 도전 단자들, 상기 반도체 기판의 일면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 내측에 위치한 제 2 및 제 3 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 1 도전 라인, 상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 외측에 위치한 제 1 및 제 4 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 2 도전 라인 및 상기 반도체 기판의 타면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 상기 제 1 도전 단자 및 상기 제 3 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 3 도전 라인을 포함한다.
Description
본 발명은 인덕터에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 반도체 기판에 구현 가능한 인덕터에 관한 것이다.
인덕터는 저항, 커패시터, 트랜지스터, 전원 등과 함께 전기회로를 이루는 가장 중요한 부품 가운데 하나이다. 인덕터는 구리나 알루미늄 등을 나서 모양으로 여러 번 감은 코일(coil)구조를 갖는다. 인덕터는 전류의 변화량에 비례해 전압을 유도함으로써 전류의 급격한 변화를 억제하는 기능을 한다. 이때 회로에 흐르고 있는 전류의 변화에 따라 전자기 유도로 생기는 역기전력의 비율을 인덕턴스(inductance, L)라 한다.
일반적으로 집적회로(IC)나 통신용 MMIC에서도 인덕터가 사용되고 있다. 특히, 최근에는 SoC(System on Chip) 관련 기술이 등장하면서 여러 소자를 하나의 칩에 단일화하는 패키징 기술이 개발되고 있다. 이에 따라 미세한 구조를 가지면서도 우수한 특성을 가지는 인덕터가 필요로 되고 있다. 특히, 하나의 웨이퍼 상에 인덕터를 구현해야 하는 경우, 기판 상에서 부양된 구조의 인덕터는 외부의 충격으로부터 파손되기 쉽고 낮은 견고성을 가지며 제작이 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 좁은 면적에 구현되며 우수한 특성을 갖는 인덕터의 구조를 제공하는 데 있다.
본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 인덕터는 반도체 기판 내에 일 방향을 따라 형성된 제 1 내지 제 4 도전 단자들, 상기 반도체 기판의 일면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 내측에 위치한 제 2 및 제 3 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 1 도전 라인, 상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 외측에 위치한 제 1 및 제 4 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 2 도전 라인 및 상기 반도체 기판의 타면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 상기 제 1 도전 단자 및 상기 제 3 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 3 도전 라인을 포함한다.
본 발명에 따르면, 인덕터를 좁은 면적의 반도체 기판에 구현할 수 있다. 또한, 외부의 충격에 뛰어난 내구성을 가진다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 인덕터(100)는 입력 전극부(120), 상부 수평 도전부(130), 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d), 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부들(150a, 150b) 및 출력 전극부(160)를 포함한다.
제 1 수직 도전부(140a)는 기판(110)의 비아 홀을 통하여 상부 수평 도전부(130) 및 제 1 하부 수평 도전부(150a)에 연결된다. 제 2 수직 도전부(140b)는 기판(110)의 비아 홀을 통하여 입력 전극부(120) 및 제 2 하부 수평 도전부(150b)에 연결된다. 제 3 수직 도전부(140c)는 기판(110)의 비아 홀을 통하여 상부 수평 도전부(130) 및 제 2 하부 수평 도전부(150b)에 연결된다. 제 4 수직 도전부(140d)는 기판(110)의 비아 홀을 통하여 출력 전극부(160) 및 제 2 하부 수평 도전부(150b)에 연결된다. 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)은 상부 수평 도전부(130)를 제 1 또는 제 2 하부 수평 도전부들(150a, 150b)에 연결하여 하나의 코일 구조를 제공한다.
기판(110)은 제 1 내지 제 4 수직 도전부(140a~140d), 상부 수평 도전부(130), 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부(150a, 150b)와 직접 접촉한다. 따라서, 기판(110)은 절연 특성을 갖는 것이 바람직하다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예에 있어서, 기판(110)은 고저항 실리콘으로 형성될 수 있다. 다른 예로, 기판(110)은 표면에 절연 처리를 하여 절연 특성을 가질 수 있다. 기판(110)은 복수의 비아 홀을 포함하고, 각 비아 홀은 기판(110)의 몸체를 상하의 몸체를 상하로 관통하는 구조를 가진다.
입력 전극부(120) 및 출력 전극부(160)는 인덕터(100)를 동일 또는 외부 기판에 있는 회로와 연결한다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예에 있어서, 입력 전극부(120) 및 출력 전극부(160)는 기판(100)의 상면에 노출되어 있다. 그러나 다른 예로, 입력 전극부(120) 및 출력 전극부(160)는 기판(110)을 통과하는 비아 전극을 통하여 하부의 회로와 연결될 수 있다. 또한, 입력 전극부(120) 및 출력 전극부(160)는 각각 상면 및 저면에 노출될 수 있다.
상부 수평 도전부(130)는 기판(110)의 상면에 형성된다. 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부들(150a, 150b)은 기판(110)의 저면에 형성된다. 상부 수평 도전부(130), 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부들(150a, 150b)은 도금 또는 증착의 방법에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 도금의 방법으로 형성되는 경우, 상부 수평 도전부(130), 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부들(150a, 150b)은 구리(Cu) 또는 금(Au)을 이용하여 형성될 수 있다.
상부 수평 도전부(130)와 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부들(150a,150b)은 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)에 연결되어 도전 경로를 형성한다.
예를 들어, 상부 수평 도전부(130)의 일단은 제 1 수직 도전부(140a)를 통하여 제 1 하부 수평 도전부(150a)의 일단에 연결된다. 제 1 하부 수평 도전부(150a)의 타단은 제 4 수직 도전부(140d)에 연결되어 도전 경로를 형성한다. 또한, 상부 수평 도전부(130)의 타단은 제 3 수직 도전부(140c)를 통하여 제 2 하부 수평 도전부(150b)의 일단에 연결된다. 제 2 하부 수평 도전부(150b)의 타단은 제 2 수직 도 전부(140b)에 연결되어 도전 경로를 형성한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예에 있어서, 제 1 하부 수평 도전부(150a)와 제 2 하부 수평 도전부(150b)의 길이는 각각 다르다. 이는 기판(110)에서 인덕터(100)가 형성되는 면적을 최소화하기 위함이다. 즉, 제 1 하부 수평 도전부(150a)의 내측에 제 2 하부 수평 도전부(150b)를 위치시킴으로써, 인덕터(100)가 형성되는 면적을 최소화할 수 있다.
예를 들어, 도 1을 참조하면, 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)이 기판(110)의 몸체를 일렬로 관통하여 형성되어 있다고 가정된다. 이 경우, 제 1 하부 수평 도전부(150a)는 서로 떨어진 제 1 및 제 4 도전부(140a,140d)를 연결하여 도전 경로를 형성한다. 또한, 제 2 하부 수평 도전부(150b)는 서로 인접하는 제 2 및 제 3 수직 도전부(140b,140c)를 연결하여 도전 경로를 형성한다. 따라서, 제 1 하부 수평 도전부(150a)와 제 2 하부 수평 도전부(150b)의 길이는 각각 다르게 형성될 수 있다.
제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)은 기판(110)의 비아 홀 내에 형성된다. 제 1 수직 도전부(140a)는 상부 수평 도전부(130)와 제 1 하부 수평 도전부(150a)를 연결하여 도전 경로를 형성한다. 제 2 수직 도전부들(140b)는 제 2 하부 수평 도전부(150b)와 입력 전극부(120)를 연결하여 도전 경로를 형성한다. 제 3 수직 도전부(140c)는 상부 수평 도전부(130)와 제 2 하부 수평 도전부(150b)를 연결하여 도전 경로를 형성한다. 제 4 수직 도전부(140d)는 제 1 하부 수평 도전부(150a)와 출력 전극부(160)를 연결하여 도전 경로를 형성한다.
제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)은 도금 또는 증착의 방법으로 형성될 수 있다. 도금의 방법으로 형성되는 경우, 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)은 구리(Cu) 또는 금(Au)을 이용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예에 있어서, 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)은 규칙적인 간격을 가지며 일렬로 배치되어 형성될 수 있다. 이는 기판(110)에서 인덕터(100)가 형성되는 면적을 최소화하기 위함이다. 즉, 일렬로 정렬된 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)을 이용함으로써, 인덕터(100)는 적은 기판 면적을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 있어서, 인덕터(100)는 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 먼저 기판(110)의 상면에 상부 수평 도전부(130) 및 입력 및 출력 전극부(120, 160)가 형성된다. 이 후, 기판(110)의 몸체에 다수의 비아 홀이 형성된다. 이 후, 비아 홀에 도전성 물질이 채워짐으로써, 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)이 형성된다. 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)이 형성되고 난 후, 기판(110)의 저면에 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부(150a,150b)가 형성된다.
도 2는 도 1의 A-A'선을 따른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상부 수평 도전부(130) 및 입력 및 출력 전극부(120, 130)는 기판(110) 위의 동일한 층에 형성되어 있다. 또한, 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(140a~140d)은 A-A'선을 따라 일정한 간격으로 일렬로 배치되어 있다.
제 1 수직 도전부(140a)는 기판(110)의 몸체를 관통하여 상부 수평 도전부(130)와 제 1 하부 수평 도전부(150a)를 연결한다. 제 2 수직 도전부(140b)는 기판(110)의 몸체를 관통하여 입력 전극부(120)와 제 2 하부 수평 도전부(150b)를 연결한다. 제 3 수직 도전부(140c)는 기판(110)의 몸체를 관통하여 상부 수평 도전부(130)와 제 2 하부 수평 도전부(150b)를 연결한다. 제 4 수직 도전부(140d)는 기판(110)의 몸체를 관통하여 출력 전극부(160)와 제 1 하부 수평 도전부(150a)를 연결한다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다. 도 3의 인덕터(200)의 구조는 도 1의 인덕터(100)의 구조와 유사하다. 따라서, 이하에서는 도 1의 인덕터(100)와의 차이점이 중심적으로 설명될 것이다.
도 3을 참조하면, 인덕터(200)는 기판(210), 입력 전극부(220), 상부 수평 도전부(230), 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(240a~240b), 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부(250a,250b) 및 출력 전극부(260)를 포함한다. 도 1의 인덕터(100)와 달리, 입력 및 출력 전극부(220, 260)와 상부 수평 도전부(230)는 서로 다른 층에 존재한다. 이에 대한 설명은 이하의 도 4를 참조하면 좀더 명확할 것이다.
도 4는 도 3의 B-B'선을 따른 단면도이다.
도 4를 참조하면, 인덕터(200)는 도 1의 인덕터(100)와 달리 절연층(211)을 더 포함한다. 상부 수평 도전부(230)와 입력 및 출력 전극부(220, 260)는 서로 다른 층에 형성된다.
구체적으로, 절연층(211)은 기판(210) 위에 형성된다. 상부 수평 도전부(230)는 절연층(211) 내에 형성되고, 입력 및 출력 전극부(220, 260)는 절연 층(211)위에 형성된다. 따라서, 상부 수평 도전부(230)와 입력 및 출력 전극부(220, 260)는 절연층(211)에 의하여 전기적으로 분리된다. 또한, 절연층(211)이 보호막으로 작용함으로써, 상부 수평 도전부(230)는 보호될 수 있다.
한편, 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예에 있어서, 절연층(211)은 절연 특성을 갖는 물질을 포함한다. 예를 들어, 절연층(211)은 TEOS/BPSG 일 수 있다. 다른 예로, 절연층(211)은 SiO2/SOG/SiO2 의 구조일 수 있다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다. 도 5의 인덕터(300)는 도 1의 인덕터(100)가 여러 번 반복된 구조이다. 따라서, 이하에서는 도 1의 인덕터(100)와의 차이점이 중심적으로 설명될 것이다.
도 5를 참조하면, 인덕터(300)는 기판(310), 입력 전극부(320), 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부들(330a,330b), 연결 도전부(331), 제 1 내지 제 8 수직 도전부(340a~340h), 제 1 내지 제 4 하부 수평 도전부(350a~350d) 및 출력 전극부(360)를 포함한다.
구체적으로, 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부들(330a,330b)과 제 1 내지 제 4 하부 수평 도전부들(350a~350d)은 기판(310)의 상면 및 저면에 각각 형성된다. 이 경우, 도 5의 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부들(330a,330b)과 제 1 내지 제 4 하부 수평 도전부(350a~350d)의 구조는 도 1의 상부 수평 도전부(130)와 제 1 및 제 2 하부 수평 도전부들(150a,150b)이 반복된 구조이다.
다만, 도 5의 인덕터(300)는 제 1 상부 수평 도전부(330a)와 제 2 상부 수평 도전부(330b)를 직렬적으로 연결하기 위한 연결 도전부(331)를 더 포함한다. 연결 도전부(331)는 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부(330a,330b)와 같은 방법으로 형성된다. 또한, 연결 도전부(331)는 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부(330a,330b)와 같은 층에 위치한다.
제 1 내지 제 8 수직 도전부들(340a~340h)은 기판(310)의 비아 홀 내에 형성된다. 예를 들어, 일렬로 정렬된 제 1 내지 제 4 수직 도전부들(340a~340d) 및 이에 평행한 제 5 내지 제 8 수직 도전부들(340e~340h)이 기판(310)에 형성될 것이다.
제 1 내지 제 8 수직 도전부들(340a~340h)은 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부(330a,330b)와 제 1 내지 제 4 하부 수평 도전부들(350a~350d)을 연결하여 도전 경로를 형성한다. 또한, 제 2 및 제 6 수직 도전부들(340b,340f)은 연결 도전부(331)에 의하여 연결되어 도전 경로를 형성한다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다. 도 6의 인덕터(400)는 도 3의 인덕터(200)가 여러 번 반복된 구조이다. 따라서, 도 6의 인덕터(400)는 도 3 및 도 5의 인덕터(200, 300)의 구조와 유사하다. 따라서, 이하에서는 도 3 및 도 5의 인덕터(200, 300)와의 차이점이 중심적으로 설명될 것이다.
도 6의 인덕터(400)는 도 5의 인덕터(300)와 마찬가지로 도 3의 상부 수평 도전부(230)를 직렬적으로 연결하기 위한 연결 도전부(431)를 포함한다. 그러나 도 5의 연결 도전부(331)와 달리, 도 6의 연결 도전부(431)는 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부들(430a,430b)과 다른 층에 위치한다. 즉, 도 6을 참고하면, 연결 도전부(431)는 입력 및 출력 전극부(420, 460)와 같은 층에 위치한다. 이는 연결 도전부(431)가 절연층에 의하여 제 1 및 제 2 상부 수평 도전부(430a,430b)와 전기적으로 분리됨을 의미한다. 이는 도 3에서 상세히 설명한 것과 유사하므로 자세한 설명은 생략된다.
한편, 본 발명의 기술적 사상에 따른 다른 실시 예에 있어서, 상부 및 하부 수평 도전부는 호의 모양으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 7은 도 1의 인덕터의 상부 및 하부 수평 도전부가 호의 형태로 형성된 것을 나타내는 사시도이다. 다른 예로, 도 8은 도 3의 인덕터의 상부 및 하부 수평 도전부가 호의 형태로 형성된 것을 나타내는 사시도이다. 이 경우, 도 7 및 도 8의 인덕터의 단면은 도 2 및 도 4와 유사할 것이다.
이상에서, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 자명하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선을 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3의 B-B'선을 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 기술적 사상의 다른 실시 예에 따른 인덕터를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 1의 인덕터의 상부 및 하부 수평 도전부가 호의 형태로 형성된 것을 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 3의 인덕터의 상부 및 하부 수평 도전부가 호의 형태로 형성된 것을 나타내는 사시도이다.
Claims (10)
- 반도체 기판 내에 일 방향을 따라 형성된 제 1 내지 제 4 도전 단자들;상기 반도체 기판의 일면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 내측에 위치한 제 2 및 제 3 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 1 도전 라인;상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 외측에 위치한 제 1 및 제 4 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 2 도전 라인;상기 반도체 기판의 타면에 형성되며, 상기 제 1 내지 제 4 도전 단자들 중 상기 제 1 도전 단자 및 상기 제 3 도전 단자와 전기적으로 연결된 제 3 도전 라인;상기 반도체 기판 내의 상기 일 방향을 따라 형성된 제 5 내지 제 8 도전 기둥들;상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 제 5 내지 제 8 도전 기둥들 중 내측에 위치한 제 6 및 제 7 도전 기둥들과 전기적으로 연결된 제 4 도전 라인;상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 제 5 내지 제 8 도전 기둥들 중 외측에 위치한 제 5 및 제 8 도전 기둥들과 전기적으로 연결된 제 5 도전 라인; 및상기 반도체 기판의 상기 타면에 형성되며, 상기 제 5 내지 제 8 도전 기둥들 중 상기 제 1 및 제 3 도전 기둥들과 전기적으로 연결된 제 6 도전 라인을 포함하는 인덕터.
- 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전 라인의 길이는 상기 제 2 도전 라인의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 삭제
- 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판의 상기 타면에 형성되며, 상기 제 2 도전 기둥과 상기 제 6 도전 기둥에 전기적으로 연결된 연결 도전 라인을 더 포함하는 인덕터.
- 반도체 기판을 관통하는 복수의 도전 기둥들; 그리고상기 복수의 도전 기둥들을 연결하여, 코일 구조를 형성하는 복수의 도전 라인들을 포함하며,상기 복수의 도전 라인들은상기 반도체 기판의 일면에 형성되며, 상기 복수의 도전 기둥들 중 제 2 및 제 3 도전 기둥들을 전기적으로 연결하는 제 1 도전 라인;상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 복수의 도전 기둥들 중 제 1 및 제 4 도전 기둥들을 전기적으로 연결하는 제 2 도전 라인;상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 복수의 도전 기둥들 중 제 6 및 제 7 도전 기둥들을 전기적으로 연결하는 제 3 도전 라인; 및상기 반도체 기판의 상기 일면에 형성되며, 상기 복수의 도전 기둥들 중 제 5 및 제 8 도전 기둥들을 전기적으로 연결하는 제 4 도전 라인을 포함하고,상기 제 1 도전 라인의 길이와 상기 제 2 도전 라인의 길이는 다른 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 5 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 4 도전 기둥들은 일 방향을 따라 형성되며,상기 제 1 도전 라인에 연결된 상기 제 2 및 제 3 도전 기둥들은 상기 제 2 도전 라인에 연결된 상기 제 1 및 제 4 도전 기둥들의 내측에 위치하는 인덕터.
- 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 6 항에 있어서,상기 제 1 도전 라인의 길이는 상기 제 2 도전 라인의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 인덕터.
- 삭제
- 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 5 항에 있어서,상기 제 5 내지 제 8 도전 기둥들은 일 방향을 따라 형성되며,상기 제 3 도전 라인에 연결된 상기 제 6 및 제 7 도전 기둥들은 상기 4 도전 라인에 연결된 상기 제 5 및 제 8 도전 기둥들의 내측에 위치하는 인덕터.
- 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.제 9 항에 있어서,상기 제 5 내지 제 8 도전 기둥들은 상기 제 1 내지 제 4 도전 기둥들과 평행한 것을 특징으로 하는 인덕터.
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