KR101343149B1 - 처리 챔버 내 대상물을 템퍼링하는 장치 및 방법 - Google Patents

처리 챔버 내 대상물을 템퍼링하는 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101343149B1
KR101343149B1 KR1020107027485A KR20107027485A KR101343149B1 KR 101343149 B1 KR101343149 B1 KR 101343149B1 KR 1020107027485 A KR1020107027485 A KR 1020107027485A KR 20107027485 A KR20107027485 A KR 20107027485A KR 101343149 B1 KR101343149 B1 KR 101343149B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
processing
space
gas
hood
Prior art date
Application number
KR1020107027485A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110021859A (ko
Inventor
외르그 팜
외르그 바움바흐
프란츠 카르그
마르틴 퓌르판거
Original Assignee
쌩-고벵 글래스 프랑스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쌩-고벵 글래스 프랑스 filed Critical 쌩-고벵 글래스 프랑스
Publication of KR20110021859A publication Critical patent/KR20110021859A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101343149B1 publication Critical patent/KR101343149B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Heat Treatment Of Articles (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 대상물(2, 15)을 템퍼링하기 위한 장치(1) 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 이전에 공지된 템퍼링 공정의 단점을 극복하기 위해, 특히 템퍼링 공정 중에 높은 수준의 재현성 및 높은 처리량을 달성하고, 동시에 투자 비용을 감소시키기 위해 임시적인 공정 박스(11)를 사용하여, 전체적으로 전체적인 템퍼링 공정이 매우 경제적인 방식으로 수행된다.

Description

처리 챔버 내 대상물을 템퍼링하는 장치 및 방법{DEVICE AND METHOD FOR TEMPERING OBJECTS IN A TREATMENT CHAMBER}
본 발명은 청구항 1의 포괄적인 부분에 따른 대상물을 템퍼링(tempering)하는 장치 및 청구항 13의 포괄적인 부분에 따른 대상물을 템퍼링하는 방법에 관한 것이다.
특정 화학적 특성 및/또는 물리적 특성을 미세하게 조정하기 위하여 다양한 방식으로 대상물, 예컨대 박막 태양 전지에 템퍼링 방법이 사용된다.
따라서, 황동석(chalcopyrite) 반도체(예컨대, CuInSe2, "CIS")를 기반으로 한 태양광 모듈은, 보다 유의하게 비용 효율이 높은 태양광 발전 시스템에 있어서 가장 가능성 있는 후보군 중 하나이다. 이러한 박막 태양광 모듈은 필수 구성요소로서 하나 이상의 기판(예컨대, 유리, 세라믹, 금속 포일 또는 플라스틱 필름), 하나의 제1 전극(예컨대, Mo 또는 금속 질화물), 하나의 흡수제층(예컨대, CuInSe2, 또는 보다 일반적으로는 (Ag, Cu)(In, Ga, Al)(Se,S)2), 하나의 전면 전극(예컨대, ZnO 또는 SnO2), 및 캡슐화 및 피복 재료(예컨대, EVA/유리 또는 PVB/유리, 여기서 EVA는 에틸렌 비닐 아세테이트이고 PVB는 폴리비닐 부티랄임)를 갖고, 이하 각각의 경우에서, 특정 원소에 대해서는 화학 기호, 예컨대 몰리브덴은 "Mo"로 또는 셀레늄은 "Se"로 나타낸다. 유리와 Mo 사이의 알칼리 배리어(barrier)층 또는 흡수제와 윈도우층 사이의 버퍼층과 같은 추가적인 층이 효율성 및/또는 장기적인 안정성을 개선하기 위해 사용될 수 있다. 통상적인 박막 태양광 모듈의 추가적인 필수 구성요소는 개별적인 태양 전지의 직렬 연결된 체인(chain)을 형성함으로써 더 높은 작동 전압을 유발할 수 있는 집적된 직렬 회로이다.
반도체 흡수제층(예컨대, CIS)의 생성은 매우 높은 공정 온도를 필요로 하고 공정 분위기 및 온도의 매우 정밀한 제어를 요구하므로, 결과적으로는 CIS 태양광 모듈의 제조를 위한 전체 공정 단계 중 가장 부담스럽고 비용이 많이 드는 부분이다. 이를 위해 지금까지 다양한 방법들이 사용되었으며, 이들은 본질적으로 두 범주: a) 단일-단계 방법(예컨대, 동시-증착) 및 b) 2-단계 방법으로 나뉠 수 있다.
단일-단계 방법의 전형적인 특징은 개별적인 모든 요소의 동시 코팅 및 고온에서의 결정화이다. 이는 공정 제어, 예컨대 층 조성, (나트륨의) 도핑, 결정 성장, 유리 굽힘(bending), 대면적 균질성 유지에 대한 동시 제어, 및 또한 시스템 엔지니어링, 예컨대 고융점을 가진 Cu 및 부식성 Se에 대한 증발기 기술, 고진공 하에서의 처리, 유리 가열의 균질성, 높은 처리량 및 시스템 가용성, 즉 입자 생성의 제어 등 모두에 대한 큰 문제점, 종종 상반되는 문제점을 야기한다. 따라서, 적절히 비용 효율적이고 신뢰성있는 제조 공정을 실현하는 것이 더 어려워진다.
2-단계 방법에서는 코팅과 결정화가 분리된다. 실온 근처에서 금속 성분(소위 전구체 층, 예컨대 Cu 및 In) 및 임의로 Se의 예비 코팅 이후에, 코팅에 의해 분리된 하나의 또는 복수의 처리 챔버에서 600 ℃만큼의 온도에서 층 형성이 일어난다. 실온 근처에서의 코팅 부분은 통상적으로 입증된 PVD 공정으로 신속하고 비용 효율적으로 수행될 수 있지만, 두 번째 처리 부분은 대개 온도 처리를 위한 특수 장비를 필요로 한다. 질적으로 가치가 높은 황동석 반도체를 제조하기 위해, 이러한 특수 시스템은 코팅된 큰 기판의 균질하고 신속한 가열 또는 냉각을 달성하도록 설계되어, 적절히 높고 제어가능하며 재현가능한 칼코겐 원소(Se 및/또는 S)의 분압을 보장하고, 산소 및 수증기가 없는 저 입자 공정 분위기를 보장해야 한다. 또한 유지보수 비용이 낮고 시스템 가용성이 높아야 하며, 휘발성 성분의 응축 또는 Se- 또는 S-화합물로 인한 부식 발생 가능성을 최소화하고, 독성인 공정 성분 및 공정 물질로부터 환경을 보호해야 한다. 그리고 마지막으로, 투자 비용이 낮아야 한다.
역사적으로, 태양광 모듈을 구성하는 제1의 2-단계 공정은, 예컨대 US 4,798,660에 따르면 유리 기판 상에 Cu, Ga 및 In의 전구체 층을 스퍼터링하는 것으로 시작되었다. 이후, 튜브 로(furnace)에서 기판 배치는 H2Se(공정의 제1 단계) 및 H2S(제2 단계) 분위기 하에서 반응성 템퍼링 및 결정화 공정(이 공정의 제1 형태가 문헌 [D. Tarrent, J. Ermer, Proc. 23rd IEEE PVSC (1993) p. 372-378]에 최초로 기술되었음)을 겪게 하였다. 최초의 상업적인 황동석 태양광 모듈은 이를 이용하여 제조되었지만, 이에 따라 제조된 반도체 층의 균질성 및 태양광 모듈의 효율성은 추가 요건을 위해 개선되어야만 했다. 또한, 이러한 개념을 대량 생산으로 전환하는 것은 가능하긴 하지만 문제점을 가지고 있다.
세계적으로, 대면적 태양광 모듈에 있어 최고의 효율도 2-단계 공정을 이용하여 실현되었지만, 여기서 Cu, Ga 및 In 뿐만 아니라 원소 형태의 Se도 PVD 방법에 의해 기판 상에 전구체 층으로 증착되며, (종종 S-함유 공정 가스를 첨가하면서) 급속 템퍼링 공정에서 반응하게 된다. 기본적인 공정 구성요소가, 예컨대 EP 0 662 247 (RTP-("급속 열 처리") 셀렌화에 대한 기본 특허)에 기술되어 있다. 여기서 필수적인 것은 a) 기판의 급속 가열, 및 b) 처리 챔버의 최소화이며, 이는 휘발성 칼코겐 성분(Se 및/또는 S) 및 금속 성분을 갖는 이들의 휘발성 반응 생성물의 손실을 방지한다. 이를 기초로 한 제조 시스템의 구성 및 감소-부피 반응 용기의 개념에 대한 실용적 설계 및 개선이, 예컨대 EP 1 258 043 (셀렌화 박스) 및 WO 01/29901 A2 (셀렌화 시스템의 챔버 구성)에 기술되어 있다.
태양광 모듈이 상기 언급한 마지막 두 가지 개념으로 제조 가능하지만, 이러한 개념을 처리량이 더 큰 훨씬 대형의 챔버로 전환함에 따라, 이러한 제조 시스템에 필요한 추가적인 비용 감소는 어려워진다.
결과적으로, 본 발명의 목적은 공지된 로 개념에 대해 전술한 단점을 극복하는, 특히 템퍼링의 높은 재현성 및 높은 처리량이 달성되면서 동시에 투자 비용은 가능한 한 최소여서, 전체적으로 더 비용 효율적인 템퍼링 공정이 실현될 수 있는, 대상물을 템퍼링 하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 본 발명에 따라 청구항 1에 따른 장치 및 청구항 13에 따른 방법으로 달성된다. 각각의 경우에서 유익한 개선점들이 종속항에 명시된다.
놀랍게도, 예컨대 EP 1 258 043에 기술된 바와 같이 대상물이 아직 템퍼링 챔버에 도입되기 전에 먼저 템퍼링 챔버 내에 처리 챔버의 챔버 공간에 비해 최소화된 처리 공간이 자체적으로 생성되는 경우, 전술한 목적이 달성될 수 있음을 발견하였다. 따라서, 이는 템퍼링 될 대상물의 적어도 일부를 단지 임시적으로 캡슐화하는 것이다. 템퍼링 공정 중 임시적인 캡슐화는 정의된 공정 제어(예컨대, 칼코겐 성분의 분압의 유지)에 있어 중요할 뿐만 아니라, 공정 가스 또는 부식성 가스상 반응 생성물에 대한 반응 챔버의 노출 또한 감소시킨다.
임시적인 캡슐화를 통해, 첫째로, 템퍼링 챔버로 대상물을 도입하기 전에 개별적인 각각의 대상물 또는 대상물의 군을 위해 제공되어야 하는 폐쇄된 공정 박스의 사용이 방지된다. 따라서, 첫째로, 비용이 절감되고, 다음으로는 재현성이 증가되며, 공정 박스를 가장 정밀하게 제조하더라도 통상적인 제조 공차가 존재하고 공정 박스가 처리 작업으로 인해 긴 시간에 걸쳐 약간 상이하게 변화될 수 있기 때문에, 그 결과, 전체적으로 정확히 동일한 처리 공간이 보장될 수 없다. 다음으로, 임시적인 캡슐화를 사용하는 것은 공정 박스를 이용하는 것보다 효율적인 기판 냉각을 가능케 하며, 영구적인 공정 박스를 이용하는 경우에는 대류 감소로 인해 대상물의 급속 냉각을 달성할 수 없다. 특히, 대상물의 굽힘을 방지하기 위해, 대상물의 양면이 균일하게 냉각되어야 한다. 냉각 구역 내에 영구적인 박스를 사용하는 경우에는 저속으로만 양면의 균일 냉각이 가능하다. 임시적인 박스를 사용하면, 대상물의 상부 및 대상물의 캐리어 또는 대상물의 하부가 냉각 구역에서 직접 냉각될 수 있어서 명백히 높은 냉각 속도가 가능하다.
본 발명에 따른 장치 및 본 발명에 따른 방법은 매우 일반적으로 및 기본적으로 사실상 통상의 압력 조건 하의 불활성 또는 반응성 가스 분위기에서 대상물, 특히 대면적 코팅된 기판의 온도 처리에 사용될 수 있다. 이는 가스상 성분의 한정된 분압 하에서 급속 템퍼링을 가능하게 하며, 심지어 장기 사용시 처리 챔버 재료의 부식을 방지한다.
하나 이상의 대상물, 특히 둘 이상의 층을 갖는 다층체를 템퍼링하기 위한 본 발명에 따른 장치는 챔버 공간을 갖는 처리 챔버, 하나 이상의 에너지원, 및 대상물이 적어도 부분적으로 배치될 수 있는 처리 공간을 한정하는 처리 후드를 가지며, 처리 후드는 대상물의 적어도 일부가 템퍼링되는, 챔버 공간보다 작은 처리 공간을 형성한다. 처리 후드는 적어도 처리 챔버에 고정식으로 배치되는 커버로 설계된다. 따라서, 처리 공간과 챔버 공간 사이의 가스 교환은 더 크게 설계된 처리 공간에 비해 또는 처리 후드를 갖지 않는 처리 공간에 비해 명백히 감소한다. 또한, 특정 전제조건 하에서, 처리 공간의 크기와 관련하여, 처리 공간과 챔버 공간 사이에 본질적으로 가스 교환이 일어나지 않을 수 있다.
커버는 처리 챔버에 별도로 배치된 요소로서 또는 처리 챔버의 벽 중 하나 또는 복수의 벽 형태로 설계될 수 있다. 이와 관련하여, 용어 "고정식으로"는 처리 후드가 다른 대상물의 연속적인 템퍼링 공정 중에는 처리 챔버에 유지되고, 유지 및 보수 조치를 위해서만 제거됨을 의미한다. 그러나, 처리 후드는 특히 연속 시스템에서 처리 챔버의 내부에서, 대상물의 이송 방향에 수직인 방향으로 이동하도록 설계되지만, 꼭 그러할 필요는 없으며, 다시 말해서, 처리 공간이 챔버 공간에 비해 감소하기 때문에 대상물이 처리 후드 아래 특정 거리에 배치되는 것으로 충분하다.
처리 공간의 부피는 대상물(예컨대, 유리 기판)의 면적 또는 기판 캐리어의 면적 및 기판 위 커버의 높이, 즉 기판 상부와 커버 하부 간의 거리에 의해 본질적으로 결정된다. 거리는 50 mm 미만, 바람직하게는 10 mm 미만이어야 한다. 실제로, 커버가 대상물과 접촉하지 않아야 하고 표면 불규칙성을 갖는 경우, 또는 예컨대, 유리 기판이 가열에 의해 굽혀지는 경우에는 최소 거리가 요구될 수 있다. 따라서, 실제로 1 mm 내지 8 mm의 거리가 유익할 수 있다. 포일 기판 또는 매우 얇은 유리 시트의 경우 더 작은 거리가 유익할 수 있다.
바람직하게는, 장치는 커버와 대상물 간의 거리가 조정가능하고 커버가 바람직하게는 처리 챔버에 변위가능하게 배치되도록 설계된다. 따라서, 첫째로 상이한 대상물에 대해 상이하게 설계된 처리 공간이 제공될 수 있으며, 다음으로, 처리 공간은 템퍼링 공정 중 단계에 따라 변화될 수 있다.
유익한 실시양태에서, 커버와 대상물 간의 최소 거리를 유지하기 위해 스페이서가 제공되며, 바람직하게는 하나 이상의 스페이서가 원주 방향 프레임으로서, 특히 대상물 또는 대상물의 캐리어 상에 놓이도록 설계되어 처리 공간과 챔버 공간 사이의 가스 교환을 명백히 감소시키거나 처리 공간을 챔버 공간에 대해 본질적으로 밀봉한다.
스페이서는 또한 캐리어의 일체형 부품이어서 커버가 프레임 상에 놓임으로써 처리 공간과 챔버 공간 사이의 가스 교환을 명백히 감소시킬 수 있다.
본 발명에 있어서, 처리 공간과 챔버 공간 사이에 완전한 밀봉이 필요하지는 않다. 증발하는 층 성분, 공정 가스 또는 공정 반응 가스가 공정 가스 또는 공정 반응 가스의 총량에 비해 비제어된 양으로 챔버 공간으로 진행하는 것을 방지하기 위하여, 처리 공간과 챔버 공간 사이에 가스 교환 배리어 또는 압력 평형 저항부가 형성되어야 한다. 가장 단순한 실시양태에서, 이미 대형인 기판에서 커버와 기판 또는 캐리어 사이의 매우 작은 거리는, 특히 자유 경로 길이가 짧은 경우(예컨대, 표준 압력 근처에서 처리됨), 처리 공간으로부터의 휘발성 성분의 누출을 명백히 감소시키는 가스 교환 배리어를 형성한다. 그러나, 물론 때때로 처리 공간의 총 압력이 챔버 공간의 압력보다 큰 경우에도, 가스 교환을 대체로 또는 완전히 방지하기 위해 압력 평형 저항부를 형성하는 특수한 밀봉 수단, 예컨대 밀봉 프레임이 제공될 수 있다. 압력 평형 저항부 또는 가스 교환 배리어는 적어도 처리 공간으로부터 증발 및 외부 확산을 통한 칼코겐 성분(S, Se)의 질량 손실이 50 % 미만, 바람직하게는 20 %, 및 최적으로는 10 % 미만이도록 설계되어야 한다. 비교적 적은 손실은 공급 증가에 의해 보상될 수 있다. 비교적 큰 손실은 또한 부식성 칼코겐 또는 그 화합물에 의한 챔버 공간의 응력 부가 및 재료 비용의 견지에서 불리하다.
바람직하게는, 커버는 대상물 또는 대상물을 지지하는 캐리어가 양 측에 수용될 수 있게 치수설정된 원주방향 프레임을 가지며, 바람직하게는 프레임이 대상물 또는 캐리어에 대해 측방향으로 변위가능하게 배치된다 (다시 말해서, 예컨대, 대상물 위에 커버가 수직 배열되는 경우, 프레임은 대상물 또는 프레임의 외부면을 지나 외향으로 이동될 수 있음). 따라서, 커버와 대상물 표면 간의 거리가 가변적으로 조정될 수 있으며, 이에 따라 템퍼링 공정은 대상물 및 원하는 화학적 및/또는 물리적 특성에 대해 조정가능하게 한정될 수 있다. 또한, 이 프레임은 동시에 비교적 큰 대상물 또는 캐리어에 대한 스페이서 역할을 할 수 있다. 대상물 또는 그의 캐리어를 지나 측방향으로 변위가능하게 설계된 이러한 프레임 대신에, 커버에 대해 변위가능하게 설계된 스페이서로 설계된 프레임이 제공될 수 있다. 그러면, 커버와 대상물 표면 간의 거리는 또한, 본질적으로 대상물 또는 그의 캐리어 표면에 놓인 스페이서에도 불구하고 조정가능하게 한정될 수 있다.
바람직하게는, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어는 처리 공간과 챔버 공간 사이의 가스 교환을 감소시키는 가스 교환 배리어를 형성하여, 가열 공정에서 대상물의 물질 성분의 증발로 인한 질량 손실은 50 % 미만, 바람직하게는 20 % 미만이고, 이상적으로는 10 % 미만이다.
바람직한 다른 실시양태에서, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어에 의해 형성되는 처리 공간은 챔버 공간에 대한 압력 평형 저항부를 형성한다.
또한, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어는 바람직하게는, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어에 의해 형성되는 처리 공간이 본질적으로 기밀식 밀봉되도록 설계된다. 이는 처리 공간의 크기에 비해 처리 공간과 챔버 공간 사이에 가스 교환이 본질적으로 일어나지 않음을 의미할 수 있다.
다른 유리한 실시양태에서, 처리 후드는 하나 이상의 가스 입구 및/또는 가스 출구와 연결되고 가스 통과 방향에 대해 처리 공간과 챔버 공간 사이에 배치되는 본질적으로 원주방향인 구역을 갖는다. 유입되는 불활성 가스를 이용하여 과압 또는 부압(underpressure)을 제공함으로써, 챔버 공간으로 공정 가스 또는 공정 반응 가스의 전달이 더 감소할 수 있다.
유익하게는, 처리 후드는 하나 이상의 가스 입구 및/또는 하나 이상의 가스 출구를 가지며, 처리 후드는 바람직하게는 2차원으로 설계된 가스 스파저(sparger)를 갖는다. 가스 유입 및 배출을 통해, 공정 가스 또는 공정 반응 가스 중 특정 성분의 분압이 조정가능하게 한정될 수 있다. 2차원으로 설계된 가스 스파저를 이용하여, 분압이 특히 균일하게 조정될 수 있다. 시작층으로부터의 가스상 성분 또는 그의 반응 생성물의 손실은 그다지 중요하지 않은 공정 또는 일부 공정 단계의 경우, 특히 2차원으로 설계된 가스 입구가 추천되는데, 이는 그렇지 않은 경우 가스 통과를 위한 구멍이 처리 공간으로부터의 이들 가스상 성분 또는 반응 생성물의 손실을 다시 증가시키기 때문이다. 유익하게는, 고정식 처리 후드와 가스 입구 또는 가스 출구의 조합을 통해, WO 01/09961 A2에 도시되고 이에 필요한 결합 수단이 불필요하게 됨으로써, 첫째로는 장치의 안정성, 및 다음으로는 템퍼링의 재현성이 개선된다.
가스상 성분의 분압은, 한편으로는 온도 및 제공된 물질의 양에 의해, 및 다른 한편으로는 처리 공간으로부터의 가스상 성분의 손실에 의해 결정된다. 전체 손실은 주어진 전체 압력 및 온도에서 가스상 성분의 자유 경로 길이 및 기하학적 주변(marginal) 조건, 즉 대상물에 대한 처리 공간의 높이, 대상물의 크기 및 가스 전달 및 챔버 공간에 대한 처리 공간의 기밀성에 의해 결정된다. 공정 파라미터의 선택 뿐만 아니라 대상물 캡슐화의 설계 및 치수설정을 통해, 결과적으로 중요한 공정 관련 가스상 성분의 분압(예컨대, CIS-태양 전지의 제조 중 칼코겐 성분 Se 및 S의 분압)을 더 잘 제어할 수 있다. 특히, 가스 공간을 최소화함으로써, 처리 중 발생하는 액체상이 그의 증기압과 열 평형을 계속 유지할 수 있으며 훨씬 더 큰 부피의 반응 챔버에서 완전히 증발되지 않을 수 있다. 본 발명은 후드에 의해 형성된 처리 공간과 챔버 공간 사이의 가스 교환이 명백히 감소하는 모든 설계를 포함한다. 그러나, 공정 전 또는 공정 중에 도입되는 추가의 공정 가스(예컨대, 질소, 황화수소)는 특정 환경 하에서, 가열 및 템퍼링으로 인해 전체 압력이 챔버 공간의 전체 압력을 초과하여 상승하는 경우, 남아있는 틈(gap)을 통해 처리 공간으로부터 훨씬 다량으로 누출될 수 있다. 엄밀한 기밀식 설계는 본원에 나타낸 가능한 설계 중 하나에 불과하다. 본 발명에 따른 모든 설계의 본질은 가열 공정에서 먼저 부분적으로 기화되는 층 성분(예컨대, Se 및 S)의 손실을 감소시키는 것이다. 이 질량 손실은 20 % 미만이어야 한다.
바람직하게는, 에너지원은 반응 공간 외부에 배치되며, 바람직하게는 전자기 방사선의 방사원으로, 특히 단일 방사원으로 또는 복수의 점형태(punctiform) 방사원의 배열로서 설계되고, 방사원은 바람직하게는 방사원의 반응 챔버로부터 벗어난(turned away) 면 상에 리플렉터를 구비한다. 가열 요소(임의적 리플렉터 포함)를 외부로 재배치하는 것은 연속 공정 중에 결함이 있는 가열 요소의 더욱 신속한 교체를 가능하게 하고, 부식성 공정 가스와 접촉하지 않아 부식될 수 없는 더 효율적이고 더 비용 효율적인 리플렉터(예컨대, 금속 리플렉터, 냉각된 리플렉터)의 사용을 가능하게 한다. 또한, 다수의 점형태 가열 요소를 사용하는 특정 환경 하에서는, 대상물의 전체적으로 적절히 균질한 템퍼링이 보장되는 경우, 개별적인 점형태 가열 요소가 고장나더라도 템퍼링이 지속될 수 있다.
또한, 처리 후드는 전자기 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과성이도록 설계되고/되거나 처리 챔버의 하나 이상의 벽이 적어도 구역 방식(zone-wise)으로 전자기 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과성이도록 설계되며, 바람직하게는, 세그먼트가 지지 프레임에 수용되는 전자기 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과성이도록 설계되는 것이 바람직하다. 그러면, 에너지원의 에너지가 열 방사를 통해 직접 작용할 수 있어서, 에너지원이 처리 챔버의 내부 또는 외부에 배치될 수 있다.
유익하게는, 처리 챔버의 하나 이상의 벽은 챔버 벽의 피복 또는 그 위에 부식성 가스 또는 증기의 작용을 본질적으로 방지하는 코팅 및/또는 라이닝을 구비하며, 챔버 벽은 바람직하게는 휘발성 성분에 의한 피복이 본질적으로 방지되도록 가열가능하게 구성된다. 이는 본질적으로 유지보수 기간 없이 장기간 동안 처리 챔버의 작동을 가능하게 한다.
또한, 처리 챔버는 둘 이상의 대상물을 동시에 템퍼링하도록 설계되어, 공통 처리 후드 또는 각 대상물에 대한 전용 처리 후드가 제공되는 것이 바람직하다.
또한, 대상물의 이송 방향으로 차례로 배치된 템퍼링을 위한 둘 이상의 처리 챔버 및/또는 대상물을 냉각하기 위한 하나 이상의 장비가 제공되어, 냉각 장비는 바람직하게는 처리 챔버와 독립적인 냉각 챔버에 배치된다.
챔버 공간을 구비한 처리 챔버에서 하나 이상의 대상물, 특히 둘 이상의 층을 갖는 다층체를 템퍼링하는 방법, 특히 본 발명에 따른 템퍼링 장치를 사용하는 방법에 있어서 독립적인 보호가 요구되며, 이에 따라 대상물이 처리 챔버로 도입되고 적어도 구역-방식으로 에너지원에 노출됨으로써, 처리 챔버에서 챔버 공간보다 작은 처리 공간이 대상물 주위에 적어도 구역-방식으로 배치된다. 처리 공간은 처리 챔버의 내부에만 형성된다. 다시 말해서, 처리 챔버의 외부로부터 대상물과 함께 도입될 수 있는 공정 박스가 사용되지 않고, 대상물의 적어도 부분적인 캡슐화는 처리 챔버 내부에서 처리 챔버로의 대상물의 도입 이전 및 처리 챔버로부터의 대상물의 제거 이후에 캡슐화 수단이 처리 챔버에 유지될 때까지는 일어나지 않는다. 유익하게는, 처리 공간은 처리 공간이 적어도 압력 평형 저항부에 의해 챔버 공간으로부터 물리적으로 경계를 이루도록 구성된다.
처리 공간과 챔버 공간 사이의 가스 교환이 명백히 감소되며 (임의로, 처리 공간의 크기에 의존함), 본질적으로 처리 공간과 챔버 공간 사이에 가스 교환이 일어나지 않는다.
이러한 방법의 경우, 틈 향류(counterflow) 퍼징을 발생시키기 위해 WO 01/29901 A2에 공지된 바와 같이 챔버 공간에 대한 퍼징 가스의 사용 및 한정된 압력 구배의 설정이 적절하며, 이러한 이유로 WO 01/29901 A2의 관련 내용이 참조로 본원에 완전히 포함된다. 이는 처리 공간으로부터 챔버 공간으로의 가스 전달을 효과적으로 방지한다. 이를 위해서는, 처리 공간을 둘러싸는 버퍼 공간을 제공하는 것이 필요하며, 이 버퍼 공간은 가스 통과 방향으로 챔버 공간과 처리 공간 사이에 배치되어, 버퍼 공간은 처리 챔버의 외부로 직접 가스를 배출하는 가스 출구와 연결되고; 이는 버퍼 공간으로부터 배출되는 가스가 챔버 공간으로 유입되지 않음을 의미한다.
본 발명의 특징 뿐만 아니라 장점이 도면과 함께 몇몇 예시적인 실시양태를 참조하여 이하에 보다 상세하게 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 제1 실시양태의 단면도이다.
도 2는 도 1에 따른 실시양태의 평면도이다.
도 3은 도 1에 따른 처리 후드의 상세도이다.
도 4는 대안적인 제1 실시양태의 처리 후드이다.
도 5는 대안적인 제2 실시양태의 처리 후드이다.
도 6은 대안적인 제3 실시양태의 처리 후드이다.
도 7은 대안적인 제4 실시양태의 처리 후드이다.
도 8은 본 발명에 따른 장치에서 냉각 구역의 부분도이다.
도 9는 본 발명에 따른 장치의 이송 장치이다.
도 10은 본 발명에 따른 장치가 통합된 전체적인 제1 시스템의 개략도이다.
도 11은 본 발명에 따른 장치가 통합된 전체적인 제2 시스템의 개략도이다.
이하에서, 동일하거나 유사한 참조 번호는 동일하거나 유사하게 설계된 특징부에 사용된다.
도 1 내지 3은 대면적 기판(2)을 템퍼링하는데 적합한 본 발명에 따른 장치(1)의 바람직한 제1 실시양태를 개략적으로만 도시한다. 장치(1)가 챔버 벽(4, 5, 6, 7), 및 유입 도어(8) 및 대향하는 방출 도어(9)를 구비한 처리 챔버(3)를 갖는다는 것을 파악할 수 있다. 기판(2)을 이송하기 위해, 기판(2)에 대한 캐리어를 이용하거나 이용하지 않고 작동되며 처리 챔버(3)의 도어(8, 9)를 통해 기판(2)을 이송할 수 있는 이송 장치(비도시)가 제공된다. 처리 챔버(3)의 위와 아래에, 전자기 방사를 위한 복수의 점형태 공급원(10)이 매트릭스로 배치된다. 방사선 투과를 위하여, 처리 챔버(3)의 챔버 커버(4) 및 챔버 바닥(5)은 기판(2) 상에 에너지의 균일한 작용이 가능하도록 적어도 구역-방식(zone-wise)으로 적어도 부분적으로 투과성으로 설계된다.
처리 챔버(3)의 내부에, 전자기 방사선에 투과성이거나 적어도 부분적으로 투과성인 커버(12), 및 기판(2)이 처리 후드(11) 아래에 배치될 때 기판 코팅(15)으로 피복된 기판(2)의 주연부(14)에 놓일 수 있도록 치수 설정된 프레임의 형태로 설계된 스페이서(13)를 갖는 처리 후드(11)가 제공된다. 처리 후드(11)는 기판(2)에 대해 수직으로 변위가능하도록 배치되며, 챔버 공간(17)에 대해 대체로 밀봉된 기판(2)과 처리 후드(11) 사이에 처리 공간(16)을 형성하여, 템퍼링 중에 처리 공간(16)에 포함된 공정 가스 및 공정 반응 가스가 사실상 챔버 공간(17)으로 전달되지 않는다. 처리 공간(16)의 높이, 즉 커버(12)와 코팅된 기판(2) 간의 거리는 기판(2)을 향한 커버(12)의 수직 이동으로 조정될 수 있다. 이론적으로, 처리 공간(16)을 향해 기판(2)이 아래로부터 수직 이동하는 것 또한 생각할 수 있다. 도시된 이중 화살표는 대응 부분의 이동성을 나타낸다.
도 4에 따른 처리 후드(11a)의 대안적인 제1 실시양태에서, 스페이서 프레임(13a)과 함께 커버(12a)는 최소한의 근접성을 지닌 처리 후드(11a)가 기판(2)의 기판 코팅(15)이 아니라 기판 캐리어(18) 상에 놓이게 되도록 치수설정되어, 처리 공간(16a)을 챔버 공간(17a)으로부터 본질적으로 밀봉한다.
도 5에 따른 처리 후드(11b)의 대안적인 제2 실시양태에서, 처리 후드는 적어도 기판(2)과 동일한 치수를 가진 단 하나의 커버(12b)를 갖는다. 처리 공간(16b)을 챔버 공간(17b)으로부터 본질적으로 밀봉하기 위해, 처리 공간(16b)은 측방향 치수에 비해 작은 높이를 갖는다. 따라서, 커버(12b)의 주연부(21)와 기판 코팅(15) 사이에서 기판(2)의 주연부(19) 상에 존재하는 틈(20)은 압력 저항부 또는 가스 교환 배리어로 작용하여, 전체 처리 공간(16b)에 비해 매우 적은 양의 가스만이 밖으로 나가 챔버 공간(17b)으로 진행할 수 있다. 그러나, 커버(12b)는 기판(2)의 표면에 평행하게 설계될 필요는 없으며, 대신 원호 형태의 경로와 같은 다른 경로를 가질 수 있다. 커버(12b)의 내부 표면의 이러한 경로는 템퍼링 공정의 최적화를 위해 적절히 변경될 수 있다.
템퍼링 공정의 특정 단계에서, 도 3 내지 도 5에 따른 변형 실시양태에서 커버(12, 12a, 12b)와 기판 사이의 거리는 기판(2)의 측방향 치수에 비해 매우 작아야 한다. 커버(12, 12a, 12b), 처리 공간(16, 16a, 16b)의 높이, 및 최적 프레임(13)은 코팅된 기판(2)과 커버(12, 12a, 12b) 사이의 처리 공간(16, 16a, 16b)으로부터 가스상 성분의 억제되지 않은 배출을 감소시킨다. 가스상 성분은 공정 전 또는 공정 중에 첨가되는 공정 가스(예컨대, H2S, H2Se, Se- 또는 S-증기, H2, N2, He, 또는 Ar) 또는 코팅된 기판의 가스상 성분 및 반응 생성물일 수 있다. Cu-In-Ga-Se 전구체 층의 특정 경우에는, 예컨대, Se- 또는 S-증기, 가스상 이원 셀레나이드, N2, H2S, 또는 H2Se이다.
도 6에 따른 처리 후드(11c)의 대안적인 제3 실시양태에서, 이 처리 후드는 공정 가스 첨가를 위한 입구 및 출구 개구(23, 24)를 갖는 유리 리셉터클(22)에 의해 형성된다. 또한, 처리 후드(11c)는 가스 통과 방향으로 처리 공간(16c)과 챔버 공간(17c) 사이에 배치된 커넥터(26)를 구비한 원주방향 채널(25)을 갖는다. 여기서, 용어 "가스 통과 방향"은 발생할 필요는 없지만 발생한다면, 처리 공간(16c)과 챔버 공간(17c) 사이에서 가능한 가스 전달이 오직 채널(25)을 통해서만 가능하다는 것을 의미한다.
커넥터(26)를 통해, 채널(25)은 채널이 (압력 또는 진공 하에서) 소기될 때 기판 캐리어(18) 또는 기판(2)(비도시) 상에서 기밀식으로 흡기될 수 있다. 따라서, 처리 후드(11c)와 기판 캐리어(18) 사이에서 기판의 최적의 가스 캡슐화가 달성되며, 공정 가스 및 반응 가스로 인한 챔버 공간(17c)의 오염이 감소되고, 이상적으로는 방지된다. 처리 후드(11c)의 공급 채널(23)을 통해, 공정 가스가 첨가되며; 배기 채널(24)을 통해 첨가되거나 발생된 가스 혼합물이 배출된다. 이러한 구성을 통해 공정 가스로 완전히 충진된 처리 챔버(1)에 비해 가스 이용 효율이 유의하게 증가하며; 따라서 종래 기술의 처리 챔버에 비해 제조 비용의 감소가 달성된다. EP 1 258 043에 비해, 여기서는 챔버 공간의 오염이 추가로 감소하며, 챔버 공간의 퍼징 범위 및 필요한 후-처리 기술이 최소화된다.
채널(25)을 소기하는 대신에, 채널은 또한 공급되는 불활성 가스에 의해 약간 과압으로 설정할 수 있다. 임의의 개구를 통해 처리 공간(16c)으로 넘치는 불활성 가스는 챔버 공간(17c)으로의 공정 가스의 확산 손실을 감소시킨다.
부분적으로 투과성인 커버(12, 12a, 12b, 12c)를 사용하는 것은 위와 아래로부터 코팅된 유리 기판(2)으로 도입되는 제어된 에너지를 이용하여 EP 1 258 043에 따른 가열 공정의 공정 제어를 가능하게 한다. 기판 캐리어, 예컨대 기판 캐리어판(18)을 사용하는 경우, 이는 부분적으로 투과성이거나 완전히 흡수성일 수 있다.
처리 후드(11d)는 도 7에 따른 2차원 공정 가스 스파저(27)를 구비할 수 있으며, 처리 후드(11d)는 기판 캐리어(18d)에 대해 아직 폐쇄되지 않은 위치로 도시된다. 이를 위해, 반투과성 커버(12d)는 구현된 이중 벽이다. 하부 커버(28)는 대형 기판(2) 상에 신속하고 균일한 가스 분배를 위한 작은 구멍(29)을 포함한다. 가스는 처리 후드(11d)의 측면(30, 31)으로부터 두 커버(28, 33) 사이의 중간 공간(32)으로 보내진다. 가스 유동은 화살표로 개략적으로만 도시된다. 중간 공간(32)의 측방향 가스 분배는 바람직하게는 자유롭게 선택가능한 두 커버판(28, 33) 사이의 거리 때문에 매우 신속하게 수행될 수 있다. 기판(2) 위로의 가스 분배는 하부 커버판(28)의 작은 구멍(29)의 2차원 네트워크에 의해 보장된다. 자유롭게 선택가능한 커버 거리는 처리 후드(11d) 내부에서 상부 커버(33)에 대해 변위가능한 하부 커버(28)에 의해 제공될 수 있다. 별법으로 또는 추가적으로, 물론 가스 배출을 위한 2차원 가스 스파저가 또한 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 처리 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d)를 통한 임시적인 캡슐화를 사용하는 것은 EP 1 258 043에 비해 기판(2)의 보다 효율적인 냉각을 가능하게 한다. 영구적인 공정 박스를 사용하면, 박스 내 대류가 감소하기 때문에 기판(2)의 신속한 냉각을 제공할 수 없다. 기판(2)의 굽힘을 방지하기 위해, 기판(2)의 양면은 특히 균일하게 냉각되어야 한다. 냉각 구역에 영구적인 박스를 이용하는 경우에는 양면의 균일한 냉각이 낮은 속도로만 가능하다. 본 발명의 개념에서는, 템퍼링된 냉각판 및/또는 강제 대류 냉각을 사용함으로써 기판(2)의 균일하고 신속한 냉각이 일어날 수 있다. 상기 개념이 도 8에 도시되어 있는데, 미리 템퍼링된 기판(2)의 위와 아래로 냉각 챔버(34) 내부에 개별적인 많은 대류 냉각기(35)가 배치된다. 물론, 이들 대류 냉각기(35)는 또한 템퍼링을 위한 처리 챔버(1) 내부에 배치될 수 있지만; 별도의 냉각 챔버(34)가 바람직하다.
또한, 수직으로만 이동가능하지만 시스템에 영구적으로 구비된 처리 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d)에 의해, 통상적인 제조 공차 때문에 약간 상이한 다수의 개별 공정 박스를 이용하는 것 보다 신뢰성있게 형성된 처리 환경이 보장될 수 있다.
도 1의 실시예에 의해 도시된 외부 점형태 열원(10)을 이용하는 것이 절대적으로 필수적인 것은 아니다. 많은 응용에서, 선형 가열 요소 또한 동일하게 유익하게 사용될 수 있다. 이는 - 점형태 광원(10)에 대해 본원에서 제안하는 바와 같이 - 챔버(1) 외부에 배치될 수 있다. 마찬가지로, 내부 선형 가열기의 통상적인 배열이 본원에 나타낸 처리 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d)와 양립될 수 있다. 유사하게, 단일편으로 제조된, 전자기 방사선에 투과성인 대면적 챔버 벽(4, 5, 6, 7) 대신에, 이들은 또한 투과성 세그먼트로 구성될 수 있다.
외부 가열 요소(10)를 구비한, 본원에 기술된 챔버 구조에 있어서 필수적인 것은 투과성 챔버 벽 부분을 불투과성 챔버 벽 부분(4, 5, 6, 7)과 밀봉하는 것이다. 이는 독성 가스가 점유하는 처리 공간(16, 16a, 16b, 16c, 16d)을 챔버 공간(17, 17a, 17b, 17c, 17d)으로부터 기밀식으로 밀봉하는 것을 보장한다. 대조적으로, 산소 및 수증기 수준은 공정 시작시 및 이후 공정이 지속되는 동안 불활성 가스(예컨대, N2)를 사용한 퍼징 공정에 의해 최소화될 수 있다.
처리될 실제 기판(2)이 배치되고 이와 함께 시스템(1)을 통해 이송되는 기판 캐리어판(또는 캐리어; 18)의 사용은 기판 이송의 선택적 수행에서 기인할 수 있다. 임의의 경우에, 후속 냉각 공정에서 기판 자체, 예컨대 유리의 중량으로 인한 처짐이, 유리 연화 온도 부근까지의 전체적인 가열 공정 이후에 영구적인 기판 굽힘으로 굳어질 수 있기 때문에 비교적 대형 기판(2)은 가열 공정 중에 기계적 지지부(18)를 필요로 한다. 그러나, 하부로부터의 기판(2)의 기계적 지지부는 하부로부터의 균일한 가열을 방해하지 않아야 한다. 그러나, 기판 캐리어판(18)은 본 발명에 따른 처리 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d)에 있어서 분압의 제어를 위해 절대적으로 필수적인 것은 아니며, 또한 EP 1 258 043에 따른 가열 공정에 있어서도 필수적인 것은 아니다.
도 9는 본 발명에 따른 장치(1)에서 처리 챔버(3)를 위한, 본 발명에 따른 이송 장치(36)를 도시한다. 이송 장치(36)는, 기판 캐리어(18) 또는 기판(2) 자체(비도시)를 지지하는, 일정한 간격으로 측방향으로 설치된 롤러(37)를 가져서, 기판 캐리어(18) 또는 기판(2) 자체가 이 장치를 통해 이송될 수 있다.
추가적인 유익한 개선을 위해 이하의 임의적 특징부(비도시)가 사용될 수 있다:
1. 챔버로부터 벗어난 면 상에 방사 가열기(10)를 구비한 금속 리플렉터.
2. 부식성 가스 및 증기로 인한 피복 또는 부식성 침식을 방지하는 챔버 공간(16, 16a, 16b, 16c, 16d)의 라이닝 및 코팅.
3. 휘발성 성분으로 인한 피복을 방지하는 중간-범위 온도로 가열된 챔버 벽(4, 5, 6, 7).
4. 도시된 구조를 갖는 복수의 동일하거나 유사한 처리 챔버(3)의 순차적 연결, 이로써 부분적인 처리 시간 이후, 처리될 기판(2)이 다음 챔버(3)로 신속하게 이송됨.
5. 처리 챔버(3) 내로, 서로 또는 순차적으로 인접한 둘 이상의 기판(2)의 도입, 그 목적은 하나의 큰 처리 후드 또는 복수의 작은 처리 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d)가 하나의 큰 챔버 공간에서 서로 인접하여 구현됨. 특정 사이클 시간이 전체적인 시스템에 대해 달성되지만 공정이 특정 가열 단계에서 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d)의 개방을 허용하지 않는 경우, 하나의 큰 처리 후드 또는 복수의 작은 처리 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d) 아래에 서로 또는 순차적으로 인접한 복수의 기판(2)을 동시에 도입하는 것이 추천됨.
6. 공정 기판(2)을 냉각하기 위한 하류 냉각 챔버(34) 또는 냉각 구역.
7. WO 01/29901 A2에 따른 압력 구배 및 퍼징 가스 입구를 위한 배열.
8. 청정 처리 조건(예컨대, O2/H2O-농도)의 간섭 없이 새로운 기판(2)의 도입 및 처리된 기판(2)의 송출을 가능하게 하는 상류의 진공 도입 챔버 및 하류의 배출 챔버.
이하에서, 본 발명에 따른 공정 사이클의 예가 주어진다. 여기서, 이하 단계가 순차적으로 일어난다:
1. 하나 또는 복수의 도입 챔버를 통해 (캐리어(18)를 구비하거나 구비하지 않은) 기판(2)을 처리 챔버(3)로 도입하는 단계.
2. 펌핑 및/또는 퍼징에 의해 요구되는 주변 분위기를 생성하는 단계.
3. 제1 처리 후드(11) 아래에 기판(2)을 배치하는 단계.
4. 처리 후드(11)를 내려서 기판(2)의 코팅 표면(15) 위에 처리 공간(16)을 형성하는 단계.
5. 임의로, 반응 가스 혼합물을 처리 공간(16)으로 도입하는 단계.
6. 방사원(10)에 의해 원하는 온도 및 공정 가스 파라미터로 기판(2)을 가열하는 단계.
7. 처리 후드(11)를 올리고 추가적으로 (캐리어(18)를 구비하거나 구비하지 않은) 기판(2)을 이송하는 단계, 이로써 또한 둘 이상의 기판(2)이 병렬로 동시에 또는 순차적으로 도입될 수 있음.
8. 임의로, 단계 3 내지 7 뿐만 아니라, 임의로 사전에 단계 2를 반복하여 추가의 처리 챔버(3) 내로 단계 7에 언급된 이송을 추가 수행하는 단계.
9. 캡슐화 없이 코팅된 기판(2)을 냉각 구역 또는 하나 또는 복수의 냉각 챔버(34)로 이송하는 단계.
10. 배출 챔버를 통해 코팅된 기판(2)을 배출하는 단계.
11. 원하는 최종 온도로 기판(2)을 추가 냉각하는 단계.
도 10 및 11은 본 발명에 따른 장치(1)가 통합된 전체적인 시스템(40, 50)의 두 실시양태를 개략적으로만 도시한다. 전체적인 시스템(40)은 도 10에 따라, 상류 공정 단계와 하류 공정 단계 사이 뿐만 아니라 처리 구역에 대한 경계부를 형성하는 처리 구역(41)을 갖는다. 요구되는 주변/처리 분위기를 생성하기 위해 유입 도어/로크(42)가 제공된다. 본 발명에 따른 템퍼링 공정의 수행을 위해 처리 챔버(3)가 사용된다. 캐리어(18)를 구비하거나 구비하지 않은 기판(2)의 냉각을 위해 냉각 챔버(34)가 사용된다. 방출 도어/로크(43)의 도움으로, 요구되는 주변/처리 분위기가 생성된다. 그리고 마지막으로, 기판(2) 또는 기판(2) 및 캐리어(18)를 처리 구역(41)으로 복귀 이송할 뿐만 아니라 캐리어(18)를 구비하거나 구비하지 않은 기판(2)의 냉각을 위해 사용되는 횡방향/복귀 구역(44)이 제공된다. 개별 구역(41, 42, 34, 43 또는 44)은 예컨대, 시스템(40)이 대응하는 상류 또는 하류의 시스템(비도시)에 연결되는 경우 부분적으로 또는 완전히 생략될 수 있다.
도 11에 도시된, 처리 후드(11, 11a, 11b, 11c, 11d)에 대해 기술된 개념을 기초로 한 전체적인 시스템(50)의 다른 실시양태에서, 처리 챔버(3) 및 임의로 냉각을 위한 냉각 챔버(34)를 포함하는 평행 처리 구역(51, 51', 51")이 템퍼링 공정 종료 직후에 구성되며, 전달 챔버(52, 52')를 통해 양측으로부터 로딩 및 언로딩된다. 이러한 배열의 장점은 모듈성이며, 즉 이러한 배열은 파선으로 나타낸 구역으로부터 파악할 수 있는 바와 같이, 추가의 처리 구역에 의해 연장 모듈(53, 53', 53")을 통해 연장될 수 있다. 또한, 유입 도어/로크(54) 및 방출 도어/로크(55)가 다시 제공됨으로써, 다른 전달 챔버(52") 및 추가적인 냉각 터널(56)이 처리 구역(51, 51', 51")과 방출 도어/로크(55) 사이에 배치된다.
전술한 도면으로부터, 종래 기술의 템퍼링의 단점을 극복하는, 대상물을 템퍼링하는 장치 및 방법이 명확히 제공되며, 이로써 특히, 높은 재현성 및 높은 처리량의 템퍼링이 달성되고 동시에 낮은 투자 비용을 가짐으로써, 전체적인 템퍼링 공정이 매우 비용 효율적으로 실현된다.

Claims (19)

  1. 하나 이상의 대상물을 템퍼링하기 위한 장치로서,
    챔버 공간을 갖는 처리 챔버;
    하나 이상의 에너지원; 및
    대상물이 적어도 부분적으로 배치될 수 있는 처리 공간을 형성하는 처리 후드를 포함하고,
    대상물은 둘 이상의 층을 갖는 다층체이고, 대상물의 적어도 일부가 템퍼링되는 처리 공간은 챔버 공간보다 작고, 처리 후드는 적어도 처리 챔버에 배치되는 커버를 갖도록 구성되고, 커버가 대상물 또는 대상물을 지지하는 캐리어를 수용하도록 원주방향 프레임을 가져서, 원주방향 프레임이 대상물 또는 캐리어에 대해 측방향으로 변위가능하게 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 커버와 대상물 사이의 거리가 조정가능하여, 커버가 처리 챔버에 변위가능하게 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 대상물의 상부와 커버의 하부 사이의 거리가 50 mm 미만인 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 커버와 대상물 사이에 최소 거리를 유지하도록 하나 이상의 스페이서가 제공되어, 하나 이상의 스페이서가 원주방향 프레임으로서 구성되고, 대상물 또는 대상물을 위한 캐리어에 놓이는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제4항에 있어서, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어가, 가열 공정 중 증발되는 대상물의 물질 성분의 질량 손실이 50 % 미만이도록 처리 공간과 챔버 공간 사이의 가스 교환을 감소시키는 가스 교환 배리어를 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제4항에 있어서, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어에 의해 형성되는 처리 공간이 챔버 공간에 대한 압력 평형 저항부를 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제4항에 있어서, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어가, 처리 후드 및 대상물 또는 캐리어에 의해 형성되는 처리 공간이 기밀식으로 밀봉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 후드가, 하나 이상의 가스 입구 또는 가스 출구, 또는 둘 다와 연결되고 가스 통과 방향에 대해 처리 공간과 챔버 공간 사이에 배치되는 원주방향 구역을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 후드가 하나 이상의 가스 입구 또는 하나 이상의 가스 출구, 또는 둘 다를 가져서, 처리 후드가 하나 이상의 2차원 가스 스파저를 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 에너지원은, 전자기 방사를 위한 방사원으로서 챔버 공간 외부에 배치되고, 점형태 방사원 또는 복수의 점형태 방사원의 배열로서 구성되어, 방사원이 방사원의 반응 챔버로부터 벗어난(turned away) 면에 리플렉터를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 후드가 에너지원의 전자기 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과성이거나, 처리 챔버의 하나 이상의 벽이 적어도 구역 방식으로 에너지원의 전자기 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투과성이어서, 상기 처리 챔버의 하나 이상의 벽에서, 전자기 방사선에 적어도 부분적으로 투과성인 세그먼트가 지지 프레임 내에 수용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 챔버의 하나 이상의 벽은 그 위에 부식성 가스 및 증기의 작용 또는 챔버 벽의 피복을 방지하는 코팅 또는 라이닝, 또는 둘 다를 구비하여, 챔버 벽은 휘발성 성분으로 인한 피복이 방지되도록 가열가능하게 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 챔버는 둘 이상의 대상물을 동시에 템퍼링하도록 구성되어, 공통 처리 후드 또는 각 대상물에 대한 전용 처리 후드가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 템퍼링을 위한 둘 이상의 처리 챔버가 대상물의 이송 방향으로 순차적으로 배치되거나, 대상물을 냉각하기 위한 하나 이상의 장비가 제공되며, 상기 장비는 처리 챔버에 독립적인 냉각 챔버에 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서, 처리 공간과 챔버 공간 사이에 가스 통과 방향으로 버퍼 공간이 배열되어, 챔버 공간은 퍼징 가스 입구를 갖고 버퍼 공간은 가스 출구를 가짐으로써, 버퍼 공간 외부로의 가스 출구는 챔버 공간을 우회하여 처리 챔버의 외부로 직접 가스를 배출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제1항 또는 제2항에 따른 템퍼링 장치를 사용하여, 챔버 공간을 갖는 처리 챔버에서 하나 이상의 대상물을 템퍼링하기 위한 방법으로서,
    대상물을 처리 챔버로 도입하여 에너지원에 대해 적어도 구역 방식으로 노출하고, 처리 공간을 대상물 주위에 적어도 구역 방식으로 배치하는 것을 포함하고,
    대상물은 둘 이상의 층을 갖는 다층체이고, 처리 공간은 처리 챔버의 내부에만 형성되고,
    처리 공간은 적어도 가스 교환 배리어 또는 압력 평형 저항부에 의해 챔버 공간으로부터 경계를 이루는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 버퍼 공간은 처리 공간과 챔버 공간 사이에 가스 통과 방향으로 배치되고, 퍼징 가스가 챔버 공간으로 도입되어, 퍼징 가스의 가스 압력이 처리 공간의 공정 가스 및 공정 반응 가스의 가스 압력보다 크고, 버퍼 공간으로부터 누출 가능한 가스가 가스 출구에 의해 챔버 공간을 우회하여 처리 챔버 외부로 직접 배출되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
KR1020107027485A 2008-05-08 2009-05-08 처리 챔버 내 대상물을 템퍼링하는 장치 및 방법 KR101343149B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008022784.6 2008-05-08
DE102008022784A DE102008022784A1 (de) 2008-05-08 2008-05-08 Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von Gegenständen in einer Behandlungskammer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110021859A KR20110021859A (ko) 2011-03-04
KR101343149B1 true KR101343149B1 (ko) 2013-12-19

Family

ID=41152640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107027485A KR101343149B1 (ko) 2008-05-08 2009-05-08 처리 챔버 내 대상물을 템퍼링하는 장치 및 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110117693A1 (ko)
EP (1) EP2291868B1 (ko)
JP (1) JP5405562B2 (ko)
KR (1) KR101343149B1 (ko)
CN (1) CN102165607B (ko)
DE (1) DE102008022784A1 (ko)
ES (1) ES2804758T3 (ko)
WO (1) WO2009135685A2 (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2368860A1 (de) 2010-03-01 2011-09-28 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung und Verfahren zur Substratprozessierung
DE102010018595A1 (de) 2010-04-27 2011-10-27 Centrothem Photovoltaics Ag Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiterschicht
DE102010035569A1 (de) * 2010-08-26 2012-03-01 Centrotherm Photovoltaics Ag Durchlaufofen
JP5836379B2 (ja) 2010-08-27 2015-12-24 サン−ゴバン グラス フランス 複数の多層体を熱処理するための装置および方法
DE202011109510U1 (de) * 2011-12-23 2013-01-18 Singulus Stangl Solar Gmbh Prozesshaube für flache Substrate und Anlage zur einseitigen Behandlung flacher Substrate
KR101680950B1 (ko) 2012-02-16 2016-11-29 쌩-고벵 글래스 프랑스 코팅된 기판을 처리하기 위한 처리 박스, 장치 및 방법
US20130213478A1 (en) * 2012-02-21 2013-08-22 Aqt Solar, Inc. Enhancing the Photovoltaic Response of CZTS Thin-Films
CN104247036A (zh) 2012-04-27 2014-12-24 法国圣戈班玻璃厂 用于产生掺杂有钠的五元化合物半导体cztsse的方法
TWI492407B (zh) * 2012-05-24 2015-07-11 Sunshine Pv Corp 薄膜太陽能電池的退火裝置
TWI492406B (zh) * 2012-05-24 2015-07-11 Sunshine Pv Corp 薄膜太陽能電池的退火裝置
TWI481057B (zh) * 2012-05-24 2015-04-11 Sunshine Pv Corp 薄膜太陽能電池的退火裝置
WO2014009386A1 (de) 2012-07-09 2014-01-16 Saint-Gobain Glass France Prozessbox, anordnung und verfahren zum prozessieren eines beschichteten substrats
KR101720438B1 (ko) 2012-07-09 2017-03-27 쌩-고벵 글래스 프랑스 물체를 열처리하기 위한 장치 및 방법
CN104937706B (zh) 2012-07-09 2019-02-26 蚌埠玻璃工业设计研究院 用于处理衬底的设备和方法
WO2014013042A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Saint-Gobain Glass France Vermeidung von glasverbiegung bei thermischen verfahren
DE102012022067A1 (de) 2012-11-09 2014-05-15 Centrotherm Photovoltaics Ag Substrathalter sowie eine vorrichtung und ein verfahren zum behandeln von substraten
DE102012224500A1 (de) 2012-12-28 2014-07-03 Singulus Technologies Ag Hochtemperatur-Diffusionskammer
JP6236866B2 (ja) * 2013-05-15 2017-11-29 住友電気工業株式会社 ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス微粒子堆積体製造用バーナー
TWI550717B (zh) 2014-08-25 2016-09-21 新能光電科技股份有限公司 熱處理方法及其所製得之產物
KR101577906B1 (ko) * 2014-08-29 2015-12-16 에스엔유 프리시젼 주식회사 Cigs 박막 급속 열처리 장치
CN105063316B (zh) * 2015-08-06 2017-10-24 贵州航天电子科技有限公司 一种安全执行机构杆的热处理方法
DE102015016002A1 (de) * 2015-12-10 2017-06-14 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten sowie Aufnahmeeinheit für Substrate
WO2017116905A1 (en) 2015-12-30 2017-07-06 Mattson Technology, Inc. Gas flow control for millisecond anneal system
DE102016015502A1 (de) 2016-12-23 2018-06-28 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung beschichteter Substrate, insbesondere von Dünnschicht-Solarsubstraten
JPWO2020203517A1 (ko) * 2019-03-29 2020-10-08
CN117083698A (zh) * 2022-06-23 2023-11-17 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 腐蚀性气体中金属基体的节能热处理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003519441A (ja) 1999-07-30 2003-06-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 多層構造体を温度処理するための装置および方法、並びにその種の多層構造体
JP2003526067A (ja) 1999-10-20 2003-09-02 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 少なくとも１つの被処理物をテンパリングするための装置及び方法
JP2005501407A (ja) 2001-08-23 2005-01-13 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 高速熱処理の急速雰囲気切り替えシステムおよびその方法
JP2005166770A (ja) 2003-12-01 2005-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3586847T2 (de) * 1985-03-22 1993-05-19 Siemens Solar Ind Lp Herstellungsverfahren eines zusammengesetzten halbleiters.
US4798660A (en) 1985-07-16 1989-01-17 Atlantic Richfield Company Method for forming Cu In Se2 films
WO1994007269A1 (de) 1992-09-22 1994-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Schnelles verfahren zur erzeugung eines chalkopyrit-halbleiters auf einem substrat
US5567151A (en) * 1994-10-21 1996-10-22 Senju Metal Industry Company Limited Reflow furnaces with hot air blow type heaters
JP2000236105A (ja) * 1999-02-16 2000-08-29 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法および装置
JP3675751B2 (ja) * 2001-10-04 2005-07-27 財団法人北九州産業学術推進機構 炉材用耐火物および炉ならびに炉壁の表面処理方法
US20070111367A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-17 Basol Bulent M Method and apparatus for converting precursor layers into photovoltaic absorbers
DE102005062977B3 (de) * 2005-12-28 2007-09-13 Sulfurcell Solartechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Umsetzung metallischer Vorläuferschichten zu Chalkopyritschichten von CIGSS-solarzellen
KR100749027B1 (ko) * 2006-06-23 2007-08-13 주식회사 포스코 용융 몰드플럭스를 이용한 연속 주조 장치 및 방법
US7977258B2 (en) * 2007-04-06 2011-07-12 Mattson Technology, Inc. Method and system for thermally processing a plurality of wafer-shaped objects

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003519441A (ja) 1999-07-30 2003-06-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 多層構造体を温度処理するための装置および方法、並びにその種の多層構造体
JP2003526067A (ja) 1999-10-20 2003-09-02 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 少なくとも１つの被処理物をテンパリングするための装置及び方法
JP2005501407A (ja) 2001-08-23 2005-01-13 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 高速熱処理の急速雰囲気切り替えシステムおよびその方法
JP2005166770A (ja) 2003-12-01 2005-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110021859A (ko) 2011-03-04
EP2291868B1 (de) 2020-04-22
JP5405562B2 (ja) 2014-02-05
CN102165607A (zh) 2011-08-24
WO2009135685A2 (de) 2009-11-12
JP2011520273A (ja) 2011-07-14
CN102165607B (zh) 2016-04-06
EP2291868A2 (de) 2011-03-09
WO2009135685A3 (de) 2011-03-17
US20110117693A1 (en) 2011-05-19
DE102008022784A1 (de) 2009-11-12
ES2804758T3 (es) 2021-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101343149B1 (ko) 처리 챔버 내 대상물을 템퍼링하는 장치 및 방법
KR101663918B1 (ko) 감소된 챔버 공간을 형성하는 공정 박스 및 다층체의 위치 결정 방법
US9236282B2 (en) Arrangement, system, and method for processing multilayer bodies
JP2009513020A (ja) 前駆体層を光起電性吸収体に変換するための方法と装置
JP5933837B2 (ja) 基板を処理するためのシステムと方法
KR101590684B1 (ko) 복수의 다층체를 열처리하기 위한 장치 및 방법
KR101801452B1 (ko) 코팅된 기판을 가공하기 위한 가공 상자, 조립체 및 방법
US10163670B2 (en) Device and method for heat treating an object
KR101237466B1 (ko) 셀렌화에 의한 광흡수층 제조장치
US20130059431A1 (en) Device and method for substrate processing
WO2011135420A1 (en) Process for the production of a compound semiconductor layer
JP2013133523A (ja) 成膜装置
TW201719919A (zh) 單片式玻璃基板之硒硫化製程設備

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161128

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171124

Year of fee payment: 5