KR101335275B1 - 반도체 칩 본딩 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 칩 본딩 장치를 개시한 것으로서, 본딩 하중을 가하면서 반도체 칩이 리드 프레임에 대해 수평 상태를 유지하도록 하는 것을 구성상의 특징으로 가진다.
이러한 구성에 의하면, 본딩 공정의 진행 중 반도체 칩의 손상을 최소화할 수 있으며, 그리고 서로 다른 경사각으로 기울어져 있는 복수 개의 리드 프레임들에 대해 동시에 칩 본딩 공정을 수행할 수 있는 반도체 칩 본딩 장치를 제공할 수 있다.
본딩, 반도체 칩, 평형 조절

Description

반도체 칩 본딩 장치{APPARATUS FOR BONDING SEMICONDUCTOR CHIP ON SUBSTRATE}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치가 구비된 본딩 설비를 보여주는 도면,
도 2는 도 1의 반도체 칩 본딩 장치의 사시도,
도 3은 도 2의 반도체 칩 본딩 장치의 단면도,
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치를 이용하여 수평 상태의 리드 프레임에 반도체 칩을 본딩하는 과정을 보여주는 도면,
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치를 이용하여 일정 경사각으로 기울어져 있는 상태의 리드 프레임에 반도체 칩을 본딩하는 과정을 보여주는 도면,
도 6은 멀티 본드 헤드 샤프트 방식의 반도체 칩 본딩 장치를 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 리드 프레임 30 : 반도체 칩 본딩 장치
100 : 칩 홀딩 유닛 110 : 콜렛
130 : 콜렛 홀더 200 : 본드 헤드 유닛
220 : 본드 헤드 샤프트 300 : 평형 조절 유닛
322 : 축 부재 324 : 가압 부재
340 : 연결 부재 350 : 탄성 부재
본 발명은 반도체 칩 본딩 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 칩을 리드 프레임(Lead Frame)이나 피씨비(PCB)와 같은 기판에 접착시키는 반도체 칩 본딩 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스는 실리콘 웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fabrication, FAB) 공정과, 팹 공정에서 형성된 반도체 디바이스들의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(Electrical Die Sorting, EDS) 공정과, 반도체 디바이스를 합성 수지로 봉지하고 개별화시키는 패키지(Package) 공정을 통해 제조된다.
반도체 칩의 패키지 공정은 미세 패턴의 회로가 형성된 실리콘 웨이퍼를 소정 크기의 칩 단위로 절단하는 소윙(Sawing) 공정과, 칩을 리드 프레임에 접착시키는 다이 본딩(Die Bonding) 공정과, 칩과 리드 프레임을 도전성 와이어를 사용하여 전기적으로 연결하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정과, 도전성 와이어 및 칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 몰드(Mold) 공정과, 리드 프레임의 외부 리드를 소정 형상으로 절곡시키는 포밍(Forming) 공정 등으로 이루어진다.
소윙 공정은 반도체용 테이프상에 접착되어 있는 웨이퍼를 다이아몬드 절단 기를 사용하여서 소정 크기로 분리하는 공정으로서, 소윙 공정의 결과 미세 회로가 형성되어 있는 칩이 준비된다. 소윙 공정을 통해 준비된 칩은 웨이퍼로부터 개별적으로 분리되고 정렬된 후 리드 프레임 상으로 이송된다. 리드 프레임에는 에폭시와 같은 접착제가 도포되고, 칩은 접착제를 매개체로 하여 리드 프레임에 접착된다. 이때, 칩은 다이 본더(Die Bonder)의 본딩 하중에 의해 가압되면서 리드 프레임에 접착된다.
본 발명은 반도체 칩을 리드 프레임이나 인쇄 회로 기판에 대하여 평형 상태를 유지하면서 접착할 수 있는 반도체 칩 본딩 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 칩 본딩 장치는, 반도체 칩을 기판에 접착하는 반도체 칩 본딩 장치에 있어서, 본딩 하중을 가하는 본드 헤드 유닛과; 기판에 접착될 반도체 칩을 보유하는 칩 홀딩 유닛과; 상기 본드 헤드 유닛의 본딩 하중을 상기 칩 홀딩 유닛으로 전달하며, 이에 연동하여 상기 칩 홀딩 유닛이 상기 기판과 평형을 이루도록 상기 칩 홀딩 유닛을 운동시키는 평형 조절 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 칩 본딩 장치에 있어서, 상기 평형 조절 유닛은 상기 본드 헤드 유닛에 연결되고, 상하 방향으로 이 동하면서 상기 칩 홀딩 유닛으로 본딩 하중을 전달하는 하중 전달 부재와; 상기 하중 전달 부재의 상하 이동에 따라 상기 칩 홀딩 유닛의 상대 회전 운동이 가능하도록 상기 하중 전달 부재와 상기 칩 홀딩 유닛을 연결하는 연결 부재;를 포함할 수 있다.
상기 하중 전달 부재는 상기 본드 헤드 유닛에 연결되어 수직 방향으로 상하 이동하는 축 부재와; 상기 축 부재의 하단에 결합되며, 상기 축 부재의 상하 이동에 따라 상기 칩 홀딩 유닛과 접촉하여 본딩 하중을 가하는 가압 부재;를 포함할 수 있다.
상기 가압 부재의 상기 칩 홀딩 유닛과 접촉하는 면은 라운드지게 아래 볼록한 형상으로 제공될 수 있다.
상기 연결 부재는 상기 축 부재가 삽입되는 홀이 형성된 상부 벽과; 상기 상부 벽의 가장자리로부터 아래 방향으로 연장 형성되며, 상기 칩 홀딩 부재에 결합되는 측 벽들;을 포함하며, 상기 상부 벽과 상기 측 벽들에 의해 형성된 공간에는 상기 축 부재의 하단에 결합된 상기 가압 부재가 수용될 수 있다.
상기 공간은 상기 연결 부재의 내측에 수용된 상기 가압 부재의 상하 이동 및 상기 가압 부재에 대한 상기 연결 부재의 회전 운동이 가능하도록 제공될 수 있다.
상기 연결 부재의 내측에 수용된 상기 가압 부재가 상기 연결 부재의 상부 벽 내면과 접촉 유지되도록 탄성력을 제공하는 탄성 부재;를 더 포함할 수 있다.
상기 본드 헤드 유닛의 본딩 하중을 가하는 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부 재를 연결하는 축 이음 부재;를 더 포함하되, 상기 축 이음 부재에는 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재가 삽입 설치되는 제 1 홀과, 상기 제 1 홀과 통하고 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재를 고정하는 체결 나사가 결합되는 제 2 홀들이 형성될 수 있다.
상기 칩 홀딩 유닛은 상기 반도체 칩을 흡착 고정하는 콜렛과; 상기 콜렛의 상부에 결합된 금속 재질의 플레이트와; 상기 플레이트에 인력을 가하는 자성체가 설치된 콜렛 홀더;를 포함할 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 칩 본딩 장치는, 반도체 칩을 기판에 접착하는 반도체 칩 본딩 장치에 있어서, 본딩 하중을 가하는 복수 개의 본드 헤드 샤프트들이 설치된 본드 헤드 유닛과; 기판에 접착될 반도체 칩을 보유하며, 상기 본드 헤드 샤프트들 각각에 대응하는 칩 홀딩 유닛들과; 서로 대응하는 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 칩 홀딩 유닛 사이에 본딩 하중을 전달하며, 이에 연동하여 상기 칩 홀딩 유닛이 상기 기판과 평형을 이루도록 상기 칩 홀딩 유닛을 운동시키는 평형 조절 유닛들;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 칩 본딩 장치에 있어서, 상기 본드 헤드 샤프트들은 일 방향으로 나란하게 상기 본드 헤드 유닛에 설치될 수 있다.
각각의 상기 평형 조절 유닛은 상기 본드 헤드 유닛의 상기 본드 헤드 샤프트에 연결되고, 상하 방향으로 이동하면서 상기 칩 홀딩 유닛으로 본딩 하중을 전달하는 하중 전달 부재와; 상기 하중 전달 부재의 상하 이동에 따라 상기 칩 홀딩 유닛의 상대 회전 운동이 가능하도록 상기 하중 전달 부재와 상기 칩 홀딩 유닛을 연결하는 연결 부재;를 포함할 수 있다.
상기 하중 전달 부재는 상기 본드 헤드 샤프트에 연결되어 수직 방향으로 상하 이동하는 축 부재와; 상기 축 부재의 하단에 결합되며, 상기 축 부재의 상하 이동에 따라 상기 칩 홀딩 유닛과 접촉하여 본딩 하중을 가하는 가압 부재;를 포함할 수 있다.
상기 가압 부재의 상기 칩 홀딩 유닛과 접촉하는 면은 라운드지게 아래 볼록한 형상으로 제공될 수 있다.
상기 연결 부재는 상기 축 부재가 삽입되는 홀이 형성된 상부 벽과; 상기 상부 벽의 가장자리로부터 아래 방향으로 연장 형성되며, 상기 칩 홀딩 부재에 결합되는 측 벽들;을 포함하며, 상기 상부 벽과 상기 측 벽들에 의해 형성된 공간에는 상기 축 부재의 하단에 결합된 상기 가압 부재가 수용될 수 있다.
상기 공간은 상기 연결 부재의 내측에 수용된 상기 가압 부재의 상하 이동 및 상기 가압 부재에 대한 상기 연결 부재의 회전 운동이 가능하도록 제공될 수 있다.
상기 연결 부재의 내측에 수용된 상기 가압 부재가 상기 연결 부재의 상부 벽 내면과 접촉 유지되도록 탄성력을 제공하는 탄성 부재;를 더 포함할 수 있다.
상기 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재를 연결하는 축 이음 부재;를 더 포함하되, 상기 축 이음 부재에는 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재가 삽입 설치되는 제 1 홀과, 상기 제 1 홀과 통하고 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재를 고정하는 체결 나사가 결합되는 제 2 홀들이 형성될 수 있다.
상기 칩 홀딩 유닛은 상기 반도체 칩을 흡착 고정하는 콜렛과; 상기 콜렛의 상부에 결합된 금속 재질의 플레이트와; 상기 플레이트에 인력을 가하는 자성체가 설치된 콜렛 홀더;를 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 칩 본딩 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치가 구비된 본딩 설비를 보여주는 도면이다.
팹(Fabrication, FAB) 공정과 이디에스(Electrical Die Sorting, EDS) 공정을 거친 웨이퍼는 소윙(Sawing) 공정에 의해 반도체 칩 단위로 절단된다. 절단된 반도체 칩은 칩 이송 장치(미도시)에 의해 웨이퍼로부터 개별적으로 분리되고 정렬되며, 이 후 리드 프레임(10) 상으로 이송된다.
리드 프레임(10)은 복수 개의 반도체 칩을 순차적으로 본딩할 수 있는 스트립(Strip) 형태로 제공된다. 리드 프레임(10)은 리드 프레임 공급부(미도시)로부터 공급되며, 이송 레일(20)을 따라 일 방향으로 이동한다. 리드 프레임(10)의 칩 패 드(12)에는 에폭시와 같은 접착제가 도포된다.
리드 프레임(10) 상으로 이송된 반도체 칩은 반도체 칩 본딩 장치(30)로 전달된다. 반도체 칩 본딩 장치(30)는 리드 프레임(10)의 칩 패드(12) 상으로 반도체 칩을 이동시키고, 본딩 하중을 가하여 반도체 칩을 리드 프레임(10)의 칩 패드(12)에 본딩한다.
반도체 칩은 칩 패드(12)에 도포된 접착제를 매개체로 하여 칩 패드(12)에 본딩되며, 이때 반도체 칩과 칩 패드(12) 간의 수평 상태를 유지시키는 것이 중요하다. 이는 반도체 칩과 칩 패드(12) 간의 수평 상태가 유지되지 못하면, 본딩 공정 시 반도체 칩이 칩 패드(12)와 가장 먼저 접촉하는 부분에 본딩 하중이 집중되어 반도체 칩이 손상될 수 있기 때문이다. 또한, 본딩 공정이 완료된 후 본딩된 반도체 칩과 칩 패드(12)가 수평 상태를 유지하지 못하면, 와이어 본딩 공정 등과 같은 후속 공정에서 공정 불량이 유발될 수도 있기 때문이다.
따라서, 본 발명은 반도체 칩이 리드 프레임(10)에 대하여 수평 상태를 유지하도록 하면서 반도체 칩을 리드 프레임(10)에 본딩할 수 있는 반도체 칩 본딩 장치(30)를 제공하기 위한 것이다.
도 2는 도 1의 반도체 칩 본딩 장치의 사시도이고, 도 3은 도 2의 반도체 칩 본딩 장치의 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 칩 본딩 장치(30)는 칩 홀딩 유닛(100), 본드 헤드 유닛(200) 및 평형 조절 유닛(300)을 포함한다. 칩 홀딩 유닛(100)은 리드 프레임(도 1의 참조 번호 10)에 본딩될 반도체 칩(C)을 보유한다. 본드 헤드 유 닛(200)은 평형 조절 유닛(300)을 매개체로 하여 칩 홀딩 유닛(100)과 연결된다. 본드 헤드 유닛(200)은 본딩 하중을 가하고, 본딩 하중은 평형 조절 유닛(300)을 통해 칩 홀딩 유닛(100)으로 전달된다. 그리고, 평형 조절 유닛(300)은 본드 헤드 유닛(200)의 본딩 하중을 전달하면서 칩 홀딩 유닛(100)이 리드 프레임(10)과 수평을 유지하도록 칩 홀딩 유닛(100)을 회전 운동시킨다.
칩 홀딩 유닛(100)은 반도체 칩(C)을 흡착 고정하는 콜렛(110)을 가진다. 콜렛(110)의 상부에는 금속 재질의 플레이트(120)가 결합되고, 콜렛(110)의 하부는 정전기가 발생하지 않는 비전도성 고무, 실리콘 또는 우레탄 등의 재질로 마련될 수 있다. 콜렛(110)의 내측에는 반도체 칩(C)을 진공 흡착하기 위한 진공 라인(미도시)이 형성되며, 콜렛(110)의 하면은 반도체 칩(C)에 대응하는 단면 형상을 가질 수 있다. 콜렛(110)은 콜렛 홀더(130)에 고정된다. 콜렛 홀더(130)는 자성체(132)를 가지며, 자성체(132)의 자력이 금속 재질의 플레이트(120)에 인력으로 작용하여 콜렛(110)이 콜렛 홀더(130)에 고정된다.
본드 헤드 유닛(200)은 본드 헤드 몸체(210)와 본드 헤드 샤프트(220)를 가진다. 본드 헤드 몸체(210)에는 본드 헤드(미도시)와, 구동 모터(미도시)가 내장되며, 본드 헤드(미도시)에는 본드 헤드 샤프트(220)가 연결된다. 구동 모터(미도시)는 본드 헤드(미도시)를 구동시켜 본드 헤드(미도시)에 연결된 본드 헤드 샤프트(220)의 축 방향 이동 변위와 회전 변위를 조절할 수 있다. 또한, 구동 모터(미도시)는 본드 헤드 샤프트(220)의 본딩 하중을 조절할 수도 있다.
평형 조절 유닛(300)은 하중 전달 부재(320)와 연결 부재(340)를 가진다. 하 중 전달 부재(320)는 본드 헤드 샤프트(220)의 본딩 하중을 칩 홀딩 유닛(100)으로 전달한다. 그리고, 연결 부재(340)는 본딩 하중의 전달 시 하중 전달 부재(320)에 대한 칩 홀딩 유닛(100)의 상대 회전 운동이 가능하도록 하중 전달 부재(320)와 칩 홀딩 유닛(100)을 연결한다.
하중 전달 부재(320)는 축 부재(322)와, 축 부재(322)의 하단에 결합된 가압 부재(324)를 포함한다. 축 부재(322)는 본드 헤드 샤프트(220)의 중심축에 정렬되고, 축 이음 부재(326)에 의해 본드 헤드 샤프트(220)와 연결된다. 축 이음 부재(326)에는 본드 헤드 샤프트(220)와 축 부재(322)의 축 정렬 방향으로 제 1 홀(327)이 관통 형성된다. 제 1 홀(327)의 상측에는 본드 헤드 샤프트(220)가 삽입 설치되고, 제 1 홀(327)의 하측에는 축 부재(322)가 삽입 설치된다. 제 1 홀(327)의 본드 헤드 샤프트(220)가 삽입 설치된 부분과 통하도록 제 1 홀(327)에 수직한 방향으로 제 2 홀(328a)이 축 이음 부재(326)에 형성된다. 그리고, 제 1 홀(327)의 축 부재(322)가 삽입 설치된 부분과 통하도록 제 1 홀(327)에 수직한 방향으로 제 2 홀(328b)이 축 이음 부재(326)에 형성된다. 제 2 홀들(328a,328b)에는 제 1 홀(327)에 삽입 설치된 본드 헤드 샤프(220)와 축 부재(322)를 고정하는 체결 나사(329a,329b)가 각각 체결된다.
가압 부재(324)는 축 부재(322)의 하단에 결합되며, 축 부재(322)의 상하 이동에 따라 칩 홀딩 유닛(100)에 접촉하여 본딩 하중을 가한다. 가압 부재(324)의 칩 홀딩 유닛(100)과 접촉하는 면(325)은 라운드지게 아래로 볼록한 형상으로 제공될 수 있다. 가압 부재(324)의 접촉 면(325)이 라운드진 형상으로 제공되면, 칩 홀 딩 유닛(100)이 일정 경사각으로 기울어지더라도 가압 부재(324)의 접촉 면(325)과 칩 홀딩 유닛(100)이 구름 접촉을 하면서 일정하게 본딩 하중을 가해줄 수 있게 된다.
연결 부재(340)는 콜렛 홀더(130)의 상부 면에 결합된다. 연결 부재(340)는 축 부재(322)가 삽입되는 홀(343)이 형성된 상부 벽(342)과, 상부 벽(342)의 가장자리로부터 아래 방향으로 연장 형성되고 콜렛 홀더(130)에 결합되는 측 벽들(344)을 가진다. 상부 벽(342), 측 벽들(344) 및 콜렛 홀더(130)의 상부 면에 의해 일정 공간(S)이 형성되고, 공간(S)에는 축 부재(322)의 하단에 결합된 가압 부재(324)가 수용된다. 상부 벽(342)과 측 벽들(344)은 공간(S) 내에서 가압 부재(324)의 상하 이동과, 가압 부재(324)에 대한 연결 부재(340)의 회전 운동이 가능하도록 제공된다.
그리고, 연결 부재(340)와 하중 전달 부재(320) 사이의 유동을 방지하기 위한 탄성 부재(350)가 제공된다. 탄성 부재(350)는 하중 전달 부재(320)의 축 부재(322)를 감싸는 코일 스프링의 형태로 제공될 수 있으며, 초기 압축된 상태로 축 부재(322)의 돌출부(323)와 연결 부재(340)의 상부 벽(342)에 코일 스프링의 양단이 지지된다. 탄성 부재(350)는 압축된 초기 상태를 가지므로, 탄성 부재(350)의 양단은 각각 축 부재(322)의 돌출부(323)와 연결 부재(340)의 상부 벽(342)에 탄성력을 작용시킨다. 이와 같이, 탄성 부재(350)의 탄성력이 작용하면, 연결 부재(340)의 내측에 수용된 가압 부재(324)가 연결 부재(340)의 상부 벽(342) 내면과 접촉 유지되어 가압 부재(324)와 연결 부재(340) 간의 유동을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치를 이용하여 반도체 칩을 리드 프레임에 본딩하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 리드 프레임이 수평을 유지하고 있는 상태에서의 본딩 과정을 설명하고, 이어서 리드 프레임이 일정 경사각으로 기울어져 있는 상태에서의 본딩 과정을 설명한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치를 이용하여 수평 상태의 리드 프레임에 반도체 칩을 본딩하는 과정을 보여주는 도면이다.
소윙(Sawing) 공정을 통해 준비된 반도체 칩(C)은 칩 이송 장치(미도시)에 의해 웨이퍼로부터 개별적으로 분리되고 정렬된 후 리드 프레임(10)의 상측으로 이송된다. 이송된 반도체 칩(C)은 반도체 칩 본딩 장치의 칩 홀딩 유닛(100)에 흡착 고정된다. 그리고, 리드 프레임 공급부(미도시)로부터 공급된 리드 프레임(10)은 이송 레일(도 1의 참조 번호 20)을 따라 순차적으로 이동하며, 리드 프레임(10)의 칩 패드에는 에폭시와 같은 접착제(A)가 도포된다.(도 4a)
본드 헤드 유닛(200)에 내장된 구동 모터(미도시)는 본드 헤드(미도시)를 구동시켜 본드 헤드(미도시)에 연결된 본드 헤드 샤프트(220)를 축 방향으로 신장시킨다. 그러면, 평형 조절 유닛(300)을 매개체로 하여 본드 헤드 샤프트(220)에 연결된 칩 홀딩 유닛(100)이 리드 프레임(10)을 향해 아래 방향으로 이동한다. 본드 헤드 샤프트(220)는 칩 홀딩 유닛(100)에 흡착 고정된 반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)과 접촉할 때까지 신장된다.(도 4b)
반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)과 접촉한 상태에서, 본드 헤드 샤프트(220)는 본딩 하중을 가한다. 본딩 하중은 탄성 부재(350)의 탄성력을 극복할 수 있을 만큼 충분히 큰 하중이어야 한다. 본딩 하중이 가해지면, 축 부재(322)와 가압 부재(324)가 탄성 부재(350)의 탄성력을 극복하면서 아래로 이동하고, 가압 부재(324)는 칩 홀딩 유닛(100)의 콜렛 홀더(130) 상면을 가압한다. 이때, 가압 부재(324)의 상면이 연결 부재(340)의 상부 벽(342)으로부터 일정 거리 이격되기 때문에, 칩 홀딩 유닛(100)은 이격 거리만큼의 이동 자유도를 가진다. 이 상태에서 본드 헤드 샤프트(220)는 지속적으로 본딩 하중을 가하고, 본딩 하중은 가압 부재(324)를 통해 칩 홀딩 유닛(100)으로 전달됨으로써, 칩 홀딩 유닛(100)에 흡착 고정된 반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)에 본딩된다.(도 4c)
다음으로, 리드 프레임이 일정 경사각으로 기울어져 있는 상태에서 반도체 칩을 리드 프레임에 본딩하는 과정을 설명한다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치를 이용하여 일정 경사각으로 기울어져 있는 상태의 리드 프레임에 반도체 칩을 본딩하는 과정을 보여주는 도면이다.
소윙(Sawing) 공정을 통해 준비된 반도체 칩(C)은 칩 이송 장치(미도시)에 의해 웨이퍼로부터 개별적으로 분리되고 정렬된 후 리드 프레임(10)의 상측으로 이송된다. 이송된 반도체 칩(C)은 반도체 칩 본딩 장치의 칩 홀딩 유닛(100)에 흡착 고정된다. 그리고, 리드 프레임 공급부(미도시)로부터 공급된 리드 프레임(10)은 이송 레일(도 1의 참조 번호 20)을 따라 순차적으로 이동하며, 리드 프레임(10)의 칩 패드에는 에폭시와 같은 접착제(A)가 도포된다. 여기서, 리드 프레임(10)은 소정 각도(θ) 만큼 경사지게 기울어져 있다.(도 5a)
본드 헤드 유닛(200)에 내장된 구동 모터(미도시)는 본드 헤드(미도시)를 구동시켜 본드 헤드(미도시)에 연결된 본드 헤드 샤프트(220)를 축 방향으로 신장시킨다. 그러면, 평형 조절 유닛(300)을 매개체로 하여 본드 헤드 샤프트(220)에 연결된 칩 홀딩 유닛(100)이 리드 프레임(10)을 향해 아래 방향으로 이동한다. 본드 헤드 샤프트(220)는 칩 홀딩 유닛(100)에 흡착 고정된 반도체 칩(C)이 기울어진 리드 프레임(10)과 접촉할 때까지 신장된다.(도 5b)
반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)과 접촉한 상태에서, 본드 헤드 샤프트(220)는 본딩 하중을 가한다. 본딩 하중이 가해지면, 가압 부재(324)는 연결 부재(340)의 상부 벽(342)으로부터 일정 거리 이격되고, 콜렛 홀더(130)의 상면과도 일정 거리 이격된 상태를 유지한다.(도 5c)
가압 부재(324)가 연결 부재(340) 및 콜렛 홀더(130)와 일정 거리 이격되어 있기 때문에, 칩 홀딩 유닛(100)은 도 5d에 도시된 바와 같이 소정 각도(θ1)만큼 회전할 수 있다. 칩 홀딩 유닛(100)은 짝 힘(Couple of forces, T)에 의해 회전된다. 짝 힘(T)을 발생시키는 소스는 반도체 칩(C)과 리드 프레임(10)의 접촉에 의해 리드 프레임(10)이 반도체 칩(C)에 작용하는 반력(F1)과, 탄성 부재(350)가 연결 부재(340)의 상부 벽(342)에 작용하는 탄성력(F2)이다.(도 5d)
도 5c와 도 5d에 도시된 바와 같은 과정은 칩 홀딩 유닛(100)에 흡착 고정된 반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)과 수평을 이루며 맞닿을 때까지 반복된다. 반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)과 맞닿으면, 칩 홀딩 유닛(100)은 더 이상 회전을 하지 못하게 된다.
이 상태에서 본드 헤드 샤프트(220)는 지속적으로 본딩 하중을 가하고, 본딩 하중에 의해 가압 부재(324)는 칩 홀딩 유닛(100)의 콜렛 홀더(130) 상면을 가압한다. 이에 따라, 칩 홀딩 유닛(100)에 흡착 고정된 반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)을 가압함으로써, 반도체 칩(C)이 리드 프레임(10)에 본딩된다.(도 5e)
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치는 일정 경사각으로 기울어져 있는 리드 프레임에 대해 반도체 칩을 수평 상태가 되도록 조절하면서 본딩 공정을 수행할 수 있다.
그리고, 반도체 칩과 리드 프레임 간에 수평이 이루어지지 않은 상태에서 본딩 공정이 진행되는 경우와 비교할 때, 본딩 하중이 반도체 칩의 어느 일 부분에 집중되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 반도체 칩의 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 본딩 공정이 진행되는 동안에 반도체 칩과 리드 프레임 간의 수평 조절이 이루어지기 때문에, 콜렛의 교체시 별도의 수평 조정 시간을 필요로 하지 않으므로 전체 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
한편, 도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 본드 헤드 유닛(200')에 복수 개의 본드 헤드 샤프트들(220'a, 220'b, 220'c, 220'd)을 구비하고, 각각의 본드 헤드 샤프트들(220'a, 220'b, 220'c, 220'd)에 상기와 같은 구성을 가지는 반도체 칩 본딩 장치들(30'a, 30'b, 30'c, 30'd)을 연결하면, 서로 다른 경사각으로 기울어져 있는 복수 개의 리드 프레임들(10'a, 10'b, 10'c, 10'd) 각각에 대해 동시에 반도체 칩 본딩 공정을 수행할 수 있다.
이상의 설명에서는 반도체 칩을 리드 프레임에 본딩하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 본 발명에 따른 반도체 칩 본딩 장치는 반도체 칩을 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board, PCB) 등과 같은 다양한 종류의 기판에 본딩시키는 공정에 적용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 칩이 리드 프레임에 대하여 수평 상태를 유지하도록 조절하면서 반도체 칩을 리드 프레임에 본딩할 수 있다.
그리고, 본 발명에 의하면, 본딩 공정 진행 시 본딩 하중이 반도체 칩의 어느 일 부분에 집중되는 것을 방지하여 반도체 칩의 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 칩을 흡착 고정하는 콜렛의 교체시 별도의 수평 조정 시간을 필요로 하지 않으므로 전체 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 서로 다른 경사각으로 기울어져 있는 복수 개의 리드 프레임들에 대해 동시에 반도체 칩 본딩 공정을 진행할 수 있다.

Claims (19)

  1. 반도체 칩을 기판에 접착하는 반도체 칩 본딩 장치에 있어서,
    본딩 하중을 가하는 본드 헤드 유닛과;
    기판에 접착될 반도체 칩을 보유하는 칩 홀딩 유닛과;
    상기 본드 헤드 유닛의 본딩 하중을 상기 칩 홀딩 유닛으로 전달하며, 이에 연동하여 상기 칩 홀딩 유닛이 상기 기판과 평형을 이루도록 상기 칩 홀딩 유닛을 운동시키는 평형 조절 유닛;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 평형 조절 유닛은,
    상기 본드 헤드 유닛에 연결되고, 상하 방향으로 이동하면서 상기 칩 홀딩 유닛으로 본딩 하중을 전달하는 하중 전달 부재와;
    상기 하중 전달 부재의 상하 이동에 따라 상기 칩 홀딩 유닛의 상대 회전 운동이 가능하도록 상기 하중 전달 부재와 상기 칩 홀딩 유닛을 연결하는 연결 부재;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하중 전달 부재는,
    상기 본드 헤드 유닛에 연결되어 수직 방향으로 상하 이동하는 축 부재와;
    상기 축 부재의 하단에 결합되며, 상기 축 부재의 상하 이동에 따라 상기 칩 홀딩 유닛과 접촉하여 본딩 하중을 가하는 가압 부재;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가압 부재의 상기 칩 홀딩 유닛과 접촉하는 면은 라운드지게 아래 볼록한 형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 연결 부재는,
    상기 축 부재가 삽입되는 홀이 형성된 상부 벽과;
    상기 상부 벽의 가장자리로부터 아래 방향으로 연장 형성되며, 상기 칩 홀딩 부재에 결합되는 측 벽들;을 포함하며,
    상기 상부 벽과 상기 측 벽들에 의해 형성된 공간에는 상기 축 부재의 하단에 결합된 상기 가압 부재가 수용되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 공간은 상기 연결 부재의 내측에 수용된 상기 가압 부재의 상하 이동 및 상기 가압 부재에 대한 상기 연결 부재의 회전 운동이 가능하도록 제공되는 것 을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 연결 부재의 내측에 수용된 상기 가압 부재가 상기 연결 부재의 상부 벽 내면과 접촉 유지되도록 탄성력을 제공하는 탄성 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 본드 헤드 유닛의 본딩 하중을 가하는 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재를 연결하는 축 이음 부재;를 더 포함하되,
    상기 축 이음 부재에는 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재가 삽입 설치되는 제 1 홀과, 상기 제 1 홀과 통하고 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 축 부재를 고정하는 체결 나사가 결합되는 제 2 홀들이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 칩 홀딩 유닛은,
    상기 반도체 칩을 흡착 고정하는 콜렛과;
    상기 콜렛의 상부에 결합된 금속 재질의 플레이트와;
    상기 플레이트에 인력을 가하는 자성체가 설치된 콜렛 홀더;를 포함하는 것 을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
  10. 반도체 칩을 기판에 접착하는 반도체 칩 본딩 장치에 있어서,
    본딩 하중을 가하는 복수 개의 본드 헤드 샤프트들이 설치된 본드 헤드 유닛과;
    기판에 접착될 반도체 칩을 보유하며, 상기 본드 헤드 샤프트들 각각에 대응하는 칩 홀딩 유닛들과;
    서로 대응하는 상기 본드 헤드 샤프트와 상기 칩 홀딩 유닛 사이에 본딩 하중을 전달하며, 이에 연동하여 상기 칩 홀딩 유닛이 상기 기판과 평형을 이루도록 상기 칩 홀딩 유닛을 운동시키는 평형 조절 유닛들;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 본딩 장치.
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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101585526B1 (ko) 2014-12-31 2016-01-14 주식회사 케이씨텍 대면적 기판의 접촉식 세정장치
US11764198B2 (en) 2017-03-02 2023-09-19 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for bonding of chips

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7845543B1 (en) * 2009-11-17 2010-12-07 Asm Assembly Automation Ltd Apparatus and method for bonding multiple dice
KR100978792B1 (ko) * 2010-01-11 2010-08-30 (주)에이에스티 콜렛 장치 및 이를 적용한 다이 본딩 장치
KR100969998B1 (ko) * 2010-04-02 2010-07-15 한국기계연구원 대면적 전사용 유연 스탬프, 상기 대면적 전사용 유연 스탬프를 이용한 대면적 전사용 스탬프 헤드 모듈 및 상기 대면적 전사용 스탬프 헤드 모듈을 이용한 대면적 전사 장비
KR101152233B1 (ko) * 2010-06-17 2012-06-08 에이피시스템 주식회사 기판 접합 장치
US9299594B2 (en) 2010-07-27 2016-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate bonding system and method of modifying the same
US8857486B2 (en) * 2011-05-04 2014-10-14 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Flip arm module for a bonding apparatus incorporating changeable collet tools
US20130170936A1 (en) * 2012-01-03 2013-07-04 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Self-Aligning Pick and Place Collet for Tape and Reel Machine
KR20130124070A (ko) * 2012-05-04 2013-11-13 삼성전자주식회사 플립칩 패키지 제조 장치 및 이를 이용한 플립칩 패키지 제조 방법
KR102072411B1 (ko) * 2012-10-24 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 본딩 장치 및 이를 이용하여 부품을 기판에 본딩하는 방법
US10096568B2 (en) * 2014-09-18 2018-10-09 Asm Technology Singapore Pte Ltd Die bonding tool and system
EP3300102B1 (en) * 2015-05-22 2019-04-17 FUJI Corporation Electronic component pressure-bonding device and electronic component mounting machine
KR102350553B1 (ko) * 2015-06-09 2022-01-14 세메스 주식회사 반도체 칩을 픽업하기 위한 피커
KR102402189B1 (ko) * 2015-08-26 2022-05-25 엘지전자 주식회사 마이크로 디바이스의 픽업 헤드유닛
CN205674219U (zh) * 2016-05-13 2016-11-09 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 机械手手臂、机械手及承载装置
US10438919B1 (en) 2016-06-28 2019-10-08 Northrop Grumman Systems Corporation Passive hydraulic load leveler for thermal compression bonding
EP3499551A4 (en) * 2016-08-12 2019-11-27 Osaka University BONDINGVORRICHTUNG
KR102425309B1 (ko) * 2016-10-12 2022-07-26 삼성전자주식회사 본딩 헤드와 스테이지 사이의 평행도 보정 장치 및 이를 포함하는 칩 본더
JP6868471B2 (ja) * 2017-05-31 2021-05-12 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
CN114180515A (zh) * 2021-11-24 2022-03-15 郑州锐虎信息技术有限公司 一种mems传感芯片键合结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4797994A (en) * 1986-04-22 1989-01-17 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Apparatus for and methods of die bonding
US5667628A (en) * 1995-05-18 1997-09-16 Daewoo Electronics Co., Ltd. Apparatus for fixing a transformer on a drum for use in a video cassette recorder

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11238786A (ja) 1998-02-23 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体チップ吸着装置
KR20020018795A (ko) 2000-09-04 2002-03-09 윤종용 칩 이송 장치
TWI232276B (en) * 2003-09-10 2005-05-11 Ind Tech Res Inst Adaptive compressing device
KR100546419B1 (ko) 2004-09-03 2006-01-26 삼성전자주식회사 다이 어태치 장치, 이를 세정하는 세정 시스템 및 그세정방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4797994A (en) * 1986-04-22 1989-01-17 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Apparatus for and methods of die bonding
US5667628A (en) * 1995-05-18 1997-09-16 Daewoo Electronics Co., Ltd. Apparatus for fixing a transformer on a drum for use in a video cassette recorder

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101585526B1 (ko) 2014-12-31 2016-01-14 주식회사 케이씨텍 대면적 기판의 접촉식 세정장치
US11764198B2 (en) 2017-03-02 2023-09-19 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for bonding of chips

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