KR101280566B1 - 웨이퍼형 온도 검지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

웨이퍼의 면 내에서의 웨이퍼의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서를 제공한다. 웨이퍼형 온도 검지 센서(21)는, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 상면(18)에 접착되는 회로 기판(22)과, 회로 기판(22)에 탑재되어 있으며 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 온도를 검지하는 온도 검지 유닛(23)과, 회로 기판(22)에 탑재되어 있으며 온도 검지 유닛(23)에 의해 검지한 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 온도의 데이터를 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 외부로 송신 가능한 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)과, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 상면(18) 내에서의 복수의 상이한 개소에 매립되도록 하여 설치되며 매립된 각 위치에서의 온도에 관한 데이터를 검출하는 온도 데이터 검출부(28)를 포함한다. 여기서, 회로 기판(22)의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 선 팽창 계수는 동등 또는 유사하다.

Description

웨이퍼형 온도 검지 센서 및 그 제조 방법{WAFER-TYPE TEMPERATURE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 웨이퍼형 온도 검지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
LSI(Large Scale Integrated circuit) 또는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터 등의 반도체 소자는, 피처리 기판이 되는 웨이퍼에 대하여 포토리소그래피 또는 에칭, CVD(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링 등의 처리를 실시하여 제조된다. 에칭 또는 CVD, 스퍼터링 등의 처리에 대해서는, 예를 들면, 그 에너지 공급원으로서 플라즈마를 이용한 처리 방법, 즉 플라즈마 에칭 또는 플라즈마 CVD, 플라즈마 스퍼터링이 있다.
상기한 에칭 처리 등에 이용되는 일반적인 플라즈마 처리 장치는, 그 내부에서 처리를 행하는 처리 용기와, 처리 용기 내에서 그 위에 웨이퍼를 재치하도록 하여 보지하는 보지대를 구비한다. 보지대 상에 웨이퍼를 보지한 후, 처리 용기 내에서 발생시킨 플라즈마를 이용해 웨이퍼에 대하여 에칭 처리 또는 CVD 처리를 행한다. 보지대의 내부에는, 보지대 상에 보지한 웨이퍼의 온도를 조정하는 히터 등의 온도 조정기가 설치되어 있다. 처리 시에 웨이퍼는 온도 조정기에 의해 처리에 요구되는 적절한 온도로 조정된다. 처리 시의 웨이퍼의 면 내 균일성의 확보, 예를 들면, 원판 형상의 웨이퍼의 중앙측의 영역과 단부측의 영역의 처리의 균일성의 확보 등의 관점에서, 에칭 처리 또는 CVD 처리를 행할 때에는 처리 프로세스 중에 웨이퍼의 각 위치에서의 엄밀한 온도 관리가 중요하다. 또한, 프로세스 처리 중에뿐만 아니라 웨이퍼 반송 중의 온도 관리도 중요하다. 그래서, 웨이퍼의 온도를 검지하기 위한 웨이퍼형 온도 검지 센서에 관한 기술이 일본특허공개공보 2005-156314 호(특허 문헌 1) 또는 일본특허공개공보 2007-187619 호(특허 문헌 2)에 개시되어 있다.
일본특허공개공보 2005-156314 호 일본특허공개공보 2007-187619 호
특허 문헌 1 또는 특허 문헌 2에 따르면, 웨이퍼형 온도 검지 센서로서의 온도 측정 장치는, 피측정물로서의 웨이퍼를 대상으로 하여 온도를 검출하는 온도 검출 수단으로서의 온도 검출 유닛과, 데이터 처리 수단으로서의 수광 유닛을 구비한다. 온도 검출 유닛은 플렉서블 기판에 탑재된 온도 센서와 제어부로 이루어진다. 플렉서블 기판은 챔버, 즉 처리 용기 내에서 플라즈마 처리되는 웨이퍼에 탑재되어 있다. 온도 검출 유닛은 검출된 온도 데이터를 광 펄스 신호로 변환하여 발신한다. 온도 측정 장치에 구비되는 수광 유닛은, 온도 검출 유닛에 대하여 이격된 위치에 배치되어 광 펄스 신호를 수광하여 온도 데이터로 복호(復號)한다.
이와 같이 웨이퍼형 온도 검지 센서에서 계측한 온도 데이터를 통신에 의해 외부로 송신하는 구성으로 하는 것은, 웨이퍼의 외부로 배선을 도출하는 것이 곤란하기 때문이다. 또한 플렉서블 기판을 이용한 이러한 구성으로 하면, 측정 위치의 증가에 수반하는 플렉서블 기판 내의 배선의 다층화의 관점에서도 유리하다. 또한 특허 문헌 1에서는, 반도체 웨이퍼의 극히 일부의 영역을 차지하는 제어부를 폴리이미드 수지의 방호층(防護層)으로 피복하여 플라즈마에 대한 내구성을 향상시켰다.
여기서, 온도 검출 유닛에 구비되는 플렉서블 기판은 온도 검지용의 웨이퍼에 탑재되도록 하여 배치되어 있다. 이러한 구성에서는, 온도 검지용의 웨이퍼의 온도를 변화시킨 경우에 이하의 문제가 발생한다. 즉 예를 들면, 실제 사용 상황 하에서는 요구되는 처리 내용에 따라 처리 온도를 변화시키는 경우가 있다. 이 경우를 상정하여, 보지대의 내부에 설치된 온도 조정기로부터 실제로 프로세스 처리되는 웨이퍼를 본뜬 온도 검지용의 웨이퍼에 대하여 가열 등을 행하는데, 이 때에 온도 변화에 따라 온도 검지용의 웨이퍼 및 플렉서블 기판이 각각 변형된다. 그러면, 플렉서블 기판은 온도 검지용의 웨이퍼에 대하여 어느 정도의 면적을 가지기 때문에, 플렉서블 기판을 탑재한 온도 검지용의 웨이퍼가 일방면측 또는 그 반대측으로 휘어질 우려가 있다. 즉, 특허 문헌 1에 나타낸 반도체 웨이퍼의 극히 일부의 영역을 차지하는 제어부를 폴리이미드 수지의 방호층으로 피복한 웨이퍼에 대해서는, 휘어짐의 문제가 발생할 우려가 있다.
이러한 상황은 실제로 프로세스 처리되는 웨이퍼를 본뜬 온도 검지용의 웨이퍼에 있어서 바람직하지 않다. 즉, 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐의 영향으로 보지대의 표면과 온도 검지용의 웨이퍼의 표면 간의 거리가 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서 상이해져, 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서의 균등한 가열 등을 행할 수 없을 우려가 있다. 이와 같이, 가열 시에 보지대 상에 보지되는 온도 검지용의 웨이퍼에 대하여 정확한 가열을 행할 수 없게 되면, 결과적으로 온도 검지용의 웨이퍼의 면 내에서의 정확한 온도 검지를 할 수 없을 우려가 있다.
즉, 이러한 웨이퍼형 온도 검지 센서의 결과에 기초하여 실제로 반도체 소자를 형성하는 웨이퍼에서의 온도 조정을 행하고 처리를 행하면, 회로 기판이 설치되어 있지 않은 반도체 소자를 형성하는 웨이퍼에서, 면 내에서 처리 시의 온도차가 발생하게 된다. 구체적으로는, 실제로는 휘어짐이 발생하였음에도 불구하고 휘어짐이 발생하지 않은 것으로 가정하고 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서에서 중앙부의 영역이 단부의 영역에 비해 온도가 높다는 결과가 나오면, 보지대에서의 온도 조정에서 중앙부의 영역보다 단부의 영역의 온도를 높이도록 가열하여 프로세스 처리를 행하고자 한다. 그러나, 반도체 소자를 형성하는 웨이퍼에서는 회로 기판이 설치되어 있지 않아 실제로는 휘어짐이 발생하지 않았기 때문에, 단부의 영역에서 보지대로부터 과잉 가열되어 온도가 높아지게 된다. 그러면, 반도체 소자를 형성할 때의 웨이퍼의 처리의 면 내 균일성을 저해할 우려가 있다. 이러한 관점에서, 온도 검지용의 웨이퍼의 면 내에서의 정확한 온도 검지가 요구된다. 본 발명의 목적은, 온도 검지용의 웨이퍼의 면 내에서의 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 온도 검지용의 웨이퍼의 면 내에서의 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서는, 온도 검지용의 웨이퍼와, 온도 검지용의 웨이퍼의 일방의 면에 접착되는 회로 기판과, 온도 검지용의 웨이퍼의 일방의 면측에 설치되어 있으며 온도에 관한 데이터를 검출하는 온도 데이터 검출부와, 회로 기판에 탑재되어 있으며 온도 데이터 검출부에 의해 검출된 온도에 관한 데이터로부터 온도 검지용의 웨이퍼의 온도를 검지하는 온도 검지 유닛을 포함한다. 여기서, 회로 기판의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수의 차이는 미리 설정된 값 이하이다.
이러한 웨이퍼형 온도 검지 센서에 따르면, 회로 기판의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수가 동등 또는 유사하기 때문에, 온도 검지용의 웨이퍼로의 가열 등에 의해 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 변화가 있는 경우에도, 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 변화에 기인하는 변형에 추종하여 회로 기판도 동일하게 변형될 수 있다. 그러면 온도 변화 시의 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐을 억제할 수 있어, 실제로 처리되는 웨이퍼와 마찬가지로 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서의 균등한 가열 등을 행하는 것이 용이해진다. 따라서, 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있다.
바람직하게는, 회로 기판은 열 압착에 의해 온도 검지용의 웨이퍼에 접착되어 있다. 이렇게 함으로써 실제의 처리 온도에 가까운 온도로 열 압착시켜, 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐의 영향을 저감시킬 수 있다. 따라서, 온도 검지용의 웨이퍼의 면 내에서의 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 검지를 더 정확하게 행할 수 있다.
바람직한 일실시예로서, 회로 기판의 재질은 폴리이미드계 수지이고, 온도 검지용의 웨이퍼의 재질은 실리콘, 세라믹스, 사파이어 및 글라스로 이루어지는 군 중 적어도 한 재질로 이루어진다.
또한, 회로 기판의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수와의 차이는 5(ppm(parts per million) / ℃) 이하이도록 구성해도 좋다. 더 바람직한 일실시예로서, 회로 기판은 플렉서블 기판이다.
더 바람직하게는, 온도 데이터 검출부는 온도 검지용의 웨이퍼의 일방의 면측에서 복수 설치되어 있다.
또한, 온도 데이터 검출부는 회로 기판 상에 설치되어 있어도 좋다. 또한, 온도 데이터 검출부와 온도 검지 유닛을 접속시키는 도선은 회로 기판 상에 설치되어 있어도 좋다.
또한, 온도 검지 유닛에 의해 검지한 온도 검지용의 웨이퍼의 온도의 데이터를 온도 검지용의 웨이퍼의 외부로 송신 가능한 송신부를 포함하도록 구성해도 좋다.
본 발명의 다른 국면에서 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법은, 온도 검지용의 웨이퍼와, 온도 검지용의 웨이퍼의 일방의 면에 접착되는 회로 기판과, 온도 검지용의 웨이퍼의 일방의 면측에 설치되어 있으며 온도에 관한 데이터를 검출하는 온도 데이터 검출부와, 회로 기판에 탑재되어 있으며 온도 데이터 검출부에 의해 검출된 온도 데이터로부터 온도 검지용의 웨이퍼의 온도를 검지하는 온도 검지 유닛을 포함하고, 회로 기판의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수의 차이는 미리 설정된 값 이하인 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법이다. 여기서 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법은, 회로 기판을 웨이퍼의 처리에 필요로 하는 온도로 열 압착함으로써 온도 검지용의 웨이퍼에 접착하는 열 압착 공정을 구비한다.
이러한 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법에 따르면, 제조된 웨이퍼형 온도 검지 센서에서 회로 기판과 온도 검지용의 웨이퍼가 실제의 처리에 필요로 하는 온도로 열 압착되어 있기 때문에, 실제의 처리에 필요로 하는 온도 상황 하에서 선 팽창 계수의 차이에 따른 휘어짐의 영향을 극히 줄일 수 있어, 보지대의 표면과 웨이퍼형 온도 검지 센서의 표면의 평행 정도를 높인 상태로 온도 검지를 행할 수 있다. 따라서, 실제의 처리 시의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있다.
이러한 웨이퍼형 온도 검지 센서에 따르면, 회로 기판의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수가 동등 또는 유사하기 때문에, 온도 검지용의 웨이퍼로의 가열 등에 의해 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 변화가 있는 경우에도, 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 변화에 기인하는 변형에 추종하여 회로 기판도 동일하게 변형될 수 있다. 그러면 온도 변화 시의 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐을 억제할 수 있어, 실제로 처리되는 웨이퍼와 마찬가지로 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서의 균등한 가열 등을 행하는 것이 용이해진다. 따라서, 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있다.
또한 이러한 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법에 따르면, 제조된 웨이퍼형 온도 검지 센서에서 회로 기판과 온도 검지용의 웨이퍼가 실제의 처리에 필요로 하는 온도로 열 압착되어 있기 때문에, 실제의 처리에 필요로 하는 온도 상황 하에서 선 팽창 계수의 차이에 따른 휘어짐의 영향을 극히 줄일 수 있어, 보지대의 표면과 웨이퍼형 온도 검지 센서의 표면의 평행 정도를 높인 상태로 온도 검지를 행할 수 있다. 따라서, 실제의 처리 시의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있다.
도 1은 웨이퍼의 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치의 일부를 개략적으로 도시한 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서를 판 두께 방향에서 본 도면이다.
도 3은 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐을 과장하여 표현한 온도 검지용의 웨이퍼의 단면도이다.
도 4는 온도 검지용의 웨이퍼의 온도를 측정하는 측정 위치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 도달 온도와 시간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 6은 도달 온도와 갭의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 7은 도달 온도의 차이와 갭의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서를 판 두께 방향에서 본 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 먼저, 웨이퍼의 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치의 구성에 대하여 간단하게 설명한다. 도 1은 웨이퍼의 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치의 일례를 도시한 개략 단면도이다. 도 1을 참조했을 때, 플라즈마 처리 장치(11)는 마이크로파를 플라즈마원으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치이다. 플라즈마 처리 장치(11)는 실제로 처리를 행하는 웨이퍼, 즉 실제로 그 위에 반도체 소자 등을 형성하는 웨이퍼를 수용 가능하며, 그 내부에서 수용한 웨이퍼의 플라즈마 처리를 행하는 처리 용기(12)와, 처리 용기(12) 내에서 웨이퍼를 보지하는 보지대(13)를 구비한다. 웨이퍼는 보지대(13) 상에서 진공 척 또는 정전 척, 메카니컬 클램프 등을 이용해 재치되도록 하여 보지되어 있다. 웨이퍼로는 예를 들면, φ 300 mm 정도의 것이 이용된다. 또한 도 1에서는 이해의 용이의 관점에서, 실제로 처리를 행하는 웨이퍼와 동등한 온도 검지용의 웨이퍼(16)를 보지대(13) 상에 재치하였다. 실제로 처리를 행하는 웨이퍼와 동등하다는 것은 예를 들면, 그 재질 또는 크기, 두께 등의 형상이 동등한 것을 말한다.
실제의 처리 시에는, 처리 용기(12) 내를 소정의 압력으로 감압한 후 처리 용기(12) 내로 플라즈마 처리용의 가스를 공급하여, 보지대(13) 상에 보지된 웨이퍼에 대하여 처리 용기(12) 내에서 생성한 플라즈마에 의해 에칭 처리 또는 CVD 처리 등을 행한다. 여기서 처리에 있어서는, 보지대(13)의 내부에 설치된 온도 조정기(15)에 의해 웨이퍼의 온도를 처리에 적합한 온도로 조정한 후에 행한다. 온도 조절기 (15)는, 구체적으로는 예를 들면, 보지대(13)의 내부의 중앙 영역 및 단부 영역에 설치된 냉매 또는 히터 등이며, 보지대(13)의 중앙 영역 및 단부 영역을 각각 별개로 조정 가능하다. 구체적으로는, 처리를 행하기 전에 온도 조정기(15)에 의해 보지대(13)의 가열 또는 냉각 등을 행하여 보지대(13) 상의 웨이퍼의 온도를 조정한다. 이렇게 함으로써, 프로세스 처리에서의 면 내 균일성의 확보 등 보다 효율적인 처리를 행할 수 있다.
이어서, 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서의 구성에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서를 개략적으로 도시한 외관도이다. 도 2는 도 1 중의 화살표(II)의 방향에서 본 도면에 상당하며, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 판 두께 방향 중 후술하는 회로 기판이 배치된 측에서 본 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조했을 때 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서(21)는, 원판 형상의 온도 검지용의 웨이퍼(16)와, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 판 두께 방향의 일방의 면이 되는 상면(18)에 배치되는 원판 형상의 회로 기판(22)과, 회로 기판(22)에 탑재되어 있으며 온도 검지용의 웨이퍼(16)에서의 상면(18) 내의 각 개소(各所)의 온도를 검지하는 온도 검지 기구로서의 온도 검지 유닛(23)과, 회로 기판(22)에 탑재되어 있으며 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 외부와의 통신을 행하는 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)과, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 외부에서 온도 검지용의 웨이퍼(16)와 이격되어 설치되며 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)과의 통신을 행하는 외부 데이터 통신 유닛(25)을 구비한다. 외부 데이터 통신 유닛(25)은 도 1에서 처리 용기(12)의 외부에 설치되어 있다. 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)과 외부 데이터 통신 유닛(25) 간에 데이터의 송수신을 행할 수 있다. 즉, 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)과 외부 데이터 통신 유닛(25) 간에는 무선으로 통신을 행할 수 있어, 여기서 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)은 온도 검지 유닛(23)에 의해 검지한 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 온도의 데이터를 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 외부로 송신 가능한 송신부로서 작동한다. 회로 기판(22) 상에는 온도 검지 유닛(23)과 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)을 그 일부에 포함하는 회로가 형성되어 있고, 이 회로 전체를 제어하는 제어 유닛(26)에 대해서도 회로 기판(22) 상에 설치되어 있다. 회로 기판(22)은 유연성이 양호한 플렉서블 기판이다. 회로 기판(22)에는 회로를 구성하는 앰프 또는 프로세서, 메모리, 전원 등이 더 설치되어 있으나, 이해의 용이의 관점에서 이들 도시는 생략하였다.
회로 기판(22)은 원판 형상의 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 중앙 영역에 설치되어 있다. 또한 도 2에 따른 개시 등으로부터 자명한 바와 같이 회로 기판(22)에 대해서도 원판 형상이며, 회로 기판(22)의 직경에 대해서는 웨이퍼의 직경의 대략 3 분의 1 정도이다. 회로 기판(22)은 온도 검지용의 웨이퍼(16) 상에 접착하도록 하여 설치되어 있다. 구체적으로는, 회로 기판(22) 중 온도 검지용의 웨이퍼(16)와 대향하는 측의 면이 되는 하면(27)과, 온도 검지용의 웨이퍼(16) 중 회로 기판(22)과 대향하는 측의 상면(18)이 열 압착되어 있다. 열 압착의 온도로는 실제의 처리 온도에 가까운 온도 중 하나인 약 120℃가 선택된다.
온도 검지 유닛(23)에는, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 상면(18) 내에서의 복수의 상이한 개소에 매립되도록 하여 설치되며 매립된 각 위치에서의 온도에 관한 데이터를 검출하는 온도 데이터 검출부(28)가 도선(29)을 개재하여 장착되어 있다. 또한 도 2에 따른 개시 등으로부터 자명한 바와 같이, 온도 데이터 검출부(28)에 대해서는 복수 설치되어 있다. 온도 데이터 검출부(28)에 의해 검지한 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 각 위치에서의 온도의 데이터가 도선(29)을 거쳐 온도 검지 유닛(23)에 입력된다. 입력된 각 위치에서의 온도의 데이터는 웨이퍼 데이터 통신 유닛(24)에 의해 외부 데이터 통신 유닛(25)으로 송신된다. 이와 같이 하여, 통신에 의해 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 면 내에서의 각 위치의 온도를 정확하게 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 외부로 취출할 수 있다.
여기서, 상기 회로 기판의 선 팽창 계수와 상기 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수의 차이는 미리 설정된 값 이하이어도 좋다. 예를 들면, 상기한 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 선 팽창 계수, 이른바 열 팽창 계수와 회로 기판(22)의 선 팽창 계수는 동등 또는 유사해지도록 구성되어 있다. 여기서 회로 기판(22)의 선 팽창 계수란, 회로 기판(22) 전체로서의 선 팽창 계수를 말한다. 구체적으로는, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 재질은 선 팽창 계수가 2.6 ~ 3.5(ppm / ℃)인 실리콘(Si)이다. 그리고, 회로 기판(22)의 재질은 선 팽창 계수가 3.5(ppm / ℃)인 폴리이미드계 수지이다.
이러한 웨이퍼형 온도 검지 센서는 회로 기판(22)의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 선 팽창 계수가 동등 또는 유사하기 때문에, 온도 검지용의 웨이퍼(16)로의 가열 등에 의해 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 온도 변화가 있는 경우에도, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 온도 변화에 기인하는 변형에 추종하여 회로 기판도 동일하게 변형될 수 있다. 그러면 온도 변화 시의 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 휘어짐을 억제할 수 있어, 실제로 처리되는 웨이퍼와 마찬가지로 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 각 위치에서의 균등한 가열 등을 행하는 것이 용이해진다. 따라서, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있다.
또한 이 경우, 회로 기판과 온도 검지용의 웨이퍼는 열 압착에 의해 접착되어 있는데, 열 압착의 온도를 기점으로 하여 휘어짐의 요철이 나뉘기 때문에, 실제의 처리 온도에 가까운 온도로 열 압착시켜 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐의 영향을 저감시킬 수 있다. 즉 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법은, 온도 검지용의 웨이퍼와, 온도 검지용의 웨이퍼의 일방의 면에 접착되는 회로 기판과, 온도 검지용의 웨이퍼의 일방의 면측에 설치되어 있으며 온도에 관한 데이터를 검출하는 온도 데이터 검출부와, 회로 기판에 탑재되어 있으며 온도 데이터 검출부에 의해 검출된 온도 데이터로부터 온도 검지용의 웨이퍼의 온도를 검지하는 온도 검지 유닛을 포함하고, 회로 기판의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수는 동등 또는 유사한 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법으로서, 회로 기판을 웨이퍼의 처리에 필요로 하는 온도로 열 압착함으로써 온도 검지용의 웨이퍼에 접착하는 열 압착 공정을 구비한다.
이러한 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법에 따르면, 제조된 웨이퍼형 온도 검지 센서에서 회로 기판과 온도 검지용의 웨이퍼가 실제의 처리에 필요로 하는 온도로 열 압착되어 있기 때문에, 실제의 처리에 필요로 하는 온도 상황 하에서 선 팽창 계수의 차이에 따른 휘어짐의 영향을 극히 줄일 수 있어, 보지대의 표면과 웨이퍼형 온도 검지 센서의 표면의 평행 정도를 높인 상태로 온도 검지를 행할 수 있다. 따라서, 실제의 처리 시의 온도 검지를 보다 정확하게 행할 수 있다. 즉, 상온 하에서 다소 휘어져 있었다고 해도, 실제의 처리 온도에 가까운 온도에서는 온도 검지용의 웨이퍼의 표면, 예를 들면, 온도 검지용의 웨이퍼 중 보지대와 대향하는 측의 면인 하면이 보지대의 평면, 구체적으로는 온도 검지용의 웨이퍼가 재치되는 측인 보지대의 상면에 대하여 평행이 되도록 할 수 있다. 열 압착 공정을 행할 때에 이용되는 처리대는, 실제의 처리 시에 웨이퍼가 탑재되는 보지대와 동등한 평행도(flatness)를 가지고 있는 것이 각 위치에서의 정확한 온도 검지의 관점에서 바람직하다. 따라서, 온도 검지용의 웨이퍼의 면 내에서의 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 검지를 더 정확하게 행할 수 있다. 즉, 회로 기판의 선 팽창 계수와 온도 검지용의 웨이퍼의 선 팽창 계수를 동등 또는 유사하게 하고, 또한 회로 기판과 온도 검지용의 웨이퍼의 열 압착을 실제의 처리 온도에 가까운 온도로 함으로써, 미소한 선 팽창 계수의 차이에 기인한 휘어짐의 발생을 가능한 한 억제한 상태로 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서의 가열 등을 행하고, 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서의 온도 검지를 행하여, 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서의 온도 검지의 정밀도를 높이는 것이다. 구체적으로는, 실제로 반도체 소자를 형성하는 웨이퍼에서 실제로 반도체 소자를 형성하는 프로세스 처리의 한 공정인 에칭 처리 등에서 적용되는 온도, 예를 들면, 120℃로 열 압착한다.
(실험예)
본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서에서 구비되는 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐량을 측정하였다. 도 3은 온도 검지용의 웨이퍼의 휘어짐을 과장하여 표현한 온도 검지용의 웨이퍼의 단면도이다. 도 3을 참조했을 때 온도 검지용의 웨이퍼(16)로는, φ 6 인치이고 그 재질을 실리콘으로 하는 온도 검지용의 웨이퍼를 이용하였다. 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 두께는 625 μm였다. 또한 온도 검지용의 웨이퍼(16)와 회로 기판(22)의 사이에는 열 압착용의 접착 시트(31)를 개재시켜 열 압착에 의해 온도 검지용의 웨이퍼(16)와 회로 기판(22)을 접착하였다. 회로 기판(22)은 약 85 mm × 85 mm의 사이즈의 것을 이용하였다. 그리고 회로 기판(22)을 온도 검지용의 웨이퍼(16)에 열 압착한 후, 정반(定盤)(32) 상에서 실온에서부터 200℃까지 온도를 상승시킨 경우의 휘어짐량을 측정하였다. 휘어짐량에 대해서는, 도 3에 도시한 바와 같이 정반(32)의 상면(33)에서부터 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 단부(34)에서의 하면(35)까지의 판 두께 방향의 길이(L1)를 측정하여, 이를 휘어짐량으로 하였다.
여기서, 비교예 1로서 회로 기판(22)을 두께 1 mm의 범용 글라스 에폭시계 수지의 리지드(rigid) 기판으로 한 것, 비교예 2로서 회로 기판(22)을 두께 0.1 mm의 범용 글라스 에폭시계 수지의 플렉서블 기판으로 한 것, 비교예 3으로서 회로 기판(22)을 두께 50 μm 이하의 액정 폴리머계 플렉서블 기판으로 한 것, 실험예 1로서 회로 기판(22)을 두께 50 μm 이하의 폴리이미드계 수지 플렉서블 기판으로 한 것을 이용하였다. 각 예에서의 선 팽창 계수는 표 1에 나타낸 바와 같다. 여기서 K는 절대 온도, 즉 켈빈(kelvin)이다.
재질 실리콘(단결정) 글라스 에폭시 수지계 기판 액정 폴리머계 플렉서블 기판 폴리이미드 수지계 플렉서블 기판
선 팽창 계수
(ppm / K)		 2.6(293K)
3.5(500K)		 xy 방향(α1) 15 정도
z 방향(α1) 65 정도
z 방향(α2) 320 정도		 18 3.5
표 1을 참조했을 때, 실리콘의 선 팽창 계수는 293 K에서 2.6 정도이고 500 K에서 3.5 정도이다. 이에 반해, 글라스 에폭시계 수지에서는 방향에 의존하지만 15 ~ 320 정도이며 실리콘의 선 팽창 계수와 1 ~ 2 자리 수가 상이하다. 액정 폴리머계 플렉서블 기판에서는 18이며 실리콘의 선 팽창 계수가 1 자리 수가 상이하다. 한편, 폴리이미드계 수지 플렉서블 기판에서는 3.5 정도이며 실리콘과 동등하다.
휘어짐량에 대해서는, 비교예 1에서 휘어짐량은 5 mm이고, 비교예 2에서 휘어짐량은 2 mm이며, 비교예 3에서 휘어짐량은 1 mm였다. 이에 반해, 실험예 1에서 휘어짐량은 20 μm 이하였다.
이와 같이, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 선 팽창 계수와 회로 기판(22)의 선 팽창 계수를 동등 또는 유사하게 함으로써, 휘어짐량을 크게 저감시킬 수 있다.
이어서, 이 휘어짐에 의해 발생하는 갭과 온도 검지용의 웨이퍼의 온도 특성과의 관계에 대하여 설명한다. 도 4는 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 온도를 측정하는 측정 위치를 개략적으로 도시한 도면이다. 또한 도 4는, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 일부를 판 두께 방향으로 절단한 확대 단면도에 상당한다. 도 4를 참조했을 때, 정반(32)의 상방에는 실리콘제의 온도 검지용의 웨이퍼(16)가 배치되어 있고, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 상방에는 형성된 실리콘 산화막(36)을 개재하여 회로 기판(22)이 압착되어 있다. 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 두께는 775 μm이며, 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 하면(35)에서부터 판 두께 방향 상방으로 775 μm인 위치를 온도의 측정 위치(37)로 하였다. 즉, 도 4 중의 길이 치수(L2)로 도시한 길이는 775 μm이다.
열을 공급하는 정반(32)과 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 사이에는 갭(38)이 형성되어 있고, 갭(38)의 물성(物性)은 대기를 상정하였다. 이 갭(38)의 간격, 즉 도 4 중의 길이 치수(L3)로 도시한 정반(32)의 상면(33)과 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 하면(35) 간의 길이를 각각 100 μm, 500 μm로 한 경우의 측정 위치(37)에서의 온도를 해석하였다. 정반(32)의 온도는 130℃로 하였다.
도 5는 도달 온도와 시간의 관계를 나타낸 그래프이다. 도 5에서 세로축은 측정 위치에서의 온도(℃)를 나타내고, 가로축은 경과 시간(초)을 나타낸다. 도 5를 참조했을 때, 갭이 100 μm인 경우, 10 초 경과 후에 이미 120℃에 이른 데 반해, 갭이 500 μm인 경우, 10 초 경과 후에도 아직 115℃ 정도이다. 즉, 10 초 경과 후에는 갭이 100 μm인 경우와 갭이 500 μm인 경우 간에 5℃ 정도의 온도차가 발생하게 된다. 이러한 큰 온도차는, 예를 들면, 프로세스 처리에서의 처리의 내용에 따라서는 면 내 균일성을 크게 해치게 된다.
도 6은 최종적인 측정 위치에서의 도달 온도와 갭의 관계를 나타낸 그래프이다. 도 6에서 세로축은 측정 위치에서의 도달 온도(℃)를 나타내고, 가로축은 갭(μm)을 나타낸다. 도 7은 갭 100 μm인 경우와의 도달 온도의 차이와 갭과의 관계를 나타낸 그래프이다. 도 7에서 세로축은 측정 위치에서의 도달 온도의 차이(℃)를 나타내고, 가로축은 갭(μm)을 나타낸다. 도 6 및 도 7을 참조했을 때, 상기한 실험예 1에서의 휘어짐량인 20 μm에서는 정반의 온도가 130℃인 경우에 0.42℃ 정도의 저하이다. 그러나 상기한 비교예 1에서의 휘어짐량인 5 mm에서 도달 온도는 80℃를 밑돌아, 실험예 1에서의 경우에 비해 51℃ 정도 저하된다. 이와 같이, 최종적인 도달 온도에서도 크게 차이가 나게 된다. 실제 사용상 요구되는 프로세스 조건에서 그 온도차는 0.1℃ 이하로 엄격하고, 비교적 온도차가 완화되는 조건에서도 2℃ 이하로 하는 것이 바람직하기 때문에, 이 수 백 μm의 갭의 차이는 도달 온도의 관점에서 매우 큰 영향을 미치는 것이다.
또한, 상기의 실시예에서는 온도 검지용의 웨이퍼의 재질을 실리콘으로 하였으나, 온도 검지용의 웨이퍼의 재질이 실리콘과 상이한 경우에 대하여 설명한다. 온도 검지용의 웨이퍼의 재질로서 거론되는 세라믹스(알루미나 99.6%), 사파이어, 석영 등으로 대표되는 글라스의 각각의 선 팽창 계수는 8.2(ppm / ℃), 7.7(ppm / ℃), 0.6(ppm / ℃)이며, 각 온도 검지용의 웨이퍼의 재질의 선 팽창 계수에 따라 동등 또는 유사한 선 팽창 계수를 가지는 재질을 회로 기판의 재질로서 선택하면 된다. 이 경우, 물론 회로 기판의 재질을 온도 검지용의 웨이퍼의 재질과 완전히 동일한 재질로 하는 것이 좋지만, 상기한 세라믹스(알루미나 99.6%), 사파이어, 글라스의 선 팽창 계수는 대략 1 자리 수이기 때문에, 마찬가지로 1 자리 수인 폴리이미드계 수지를 이용해도 좋다. 이러한 재질을 선택하여 예를 들면, 세라믹스의 선 팽창 계수와 폴리이미드계 수지의 선 팽창 계수의 차이를 5(ppm / ℃) 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한 상기에서는 회로 기판의 재질을 구체적으로 폴리이미드계 수지로 하였으나, 이에 한정되지 않고, 선 팽창 계수가 동등 또는 유사한 다른 재질을 이용해도 좋다.
또한 상기의 실시예에서는 열 압착에 의해 회로 기판과 웨이퍼를 접착하는 것으로 하였으나, 이에 한정되지 않고, 다른 접착 방법, 예를 들면, 접착제에 의해 회로 기판과 온도 검지용의 웨이퍼를 접착하도록 해도 좋다.
또한 상기의 실시예에서는, 원판 형상의 회로 기판의 직경은 온도 검지용의 웨이퍼의 3 분의 1 정도로 하고, 온도 검지용의 웨이퍼의 각 위치에서 온도 데이터 검출부가 장착되어 있는 구성으로 하였으나, 이에 한정되지 않고, 회로 기판의 크기를 온도 검지용의 웨이퍼의 크기와 거의 동일하게 하고, 회로 기판 상에 온도 데이터 검출부를 설치하는 구성으로 해도 좋다.
도 8은 이 경우의 웨이퍼형 온도 검지 센서를 도시한 도면으로, 도 2에 상당하는 것이다. 도 8에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서에 대하여, 도 2에 개시한 웨이퍼형 온도 검지 센서와 동등한 구성의 것에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 그 설명을 생략한다.
도 8을 참조했을 때, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼형 온도 검지 센서(41)는 원판 형상의 회로 기판(42)을 구비한다. 회로 기판(42)에 대해서는, 온도 검지용의 웨이퍼(16)보다 약간 작은 직경으로 구성되는 것이다. 또한, 회로 기판(42)에 온도 데이터 검출부(28) 및 도선(29)이 장착되는 것이다.
이러한 구성에서는, 회로 기판(42) 상에 온도 검지 유닛(23), 온도 데이터 검출부(28), 도선(29) 등이 장착되어 있어, 웨이퍼형 온도 검지 센서(41)를 구성하는 각 부재를 모아 하나의 회로 기판(42) 상에 설치할 수 있으므로, 비교적 용이하게 제조할 수 있다. 따라서 제조 시의 코스트 다운을 도모한다는 관점에서 보면, 이러한 구성으로 해도 좋다. 또한 회로 기판(42)의 크기를 도 8에 도시한 바와 같이 비교적 크게 하면, 회로 기판(42)과 온도 검지용의 웨이퍼(16)의 접촉 면적이 커지게 된다. 여기서, 접촉 면적이 커지면 이른바 선 팽창 계수의 차이에 기인하는 휘어짐의 영향이 커지는데, 본원 발명에 따르면, 이러한 선 팽창 계수의 차이에 기인하는 휘어짐의 영향을 매우 줄일 수 있다. 즉, 도 8에 도시한 바와 같은 구성이라면 본원 발명의 효과를 많이 누릴 수 있는 것이다.
또한 상기한 도 2 및 도 8에 도시한 구성에서 복수 설치되는 온도 데이터 검출부(28)에 대해서는, 그 일부가 회로 기판(22, 42) 상에 장착되어 있고 나머지가 회로 기판(22, 42)이 아니라 온도 검지용의 웨이퍼(16) 상에 장착되는 구성이어도 좋다. 물론, 온도 데이터 검출부(28)가 하나만 설치되어 있는 구성이어도 좋다.
또한 상기의 실시예에서는 회로 기판을 플렉서블 기판으로 하였으나, 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 리지드 기판을 이용해도 좋다. 이 경우 리지드 기판에 대해서는, 온도 검지용의 웨이퍼의 변형으로의 추종의 관점에서 가능한 한 얇은 편이 바람직하며, 예를 들면, 그 두께로서 100 μm 이하의 것이 적합하다.
또한 상기의 실시예에서는 웨이퍼 데이터 통신 유닛과 외부 데이터 통신 유닛 간에 무선으로 통신을 행하는 것으로 하였으나, 이에 한정되지 않고, 웨이퍼 데이터 통신 유닛과 외부 데이터 통신 유닛 간에 유선으로 통신을 행하도록 구성해도 좋다. 또한, 온도 검지 유닛에 의해 검지된 온도 검지용의 웨이퍼의 온도를 메모리 등에 기억하여, 온도 검지용의 웨이퍼를 처리 용기의 외부로 취출했을 때에 메모리로부터 온도 검지용의 웨이퍼의 온도를 얻도록 구성해도 좋다.
또한, 상기와 같은 웨이퍼형 온도 검지 센서는 상기한 바와 같은 마이크로파를 플라즈마원으로 한 플라즈마 처리 장치에 이용될 뿐만 아니라, 예를 들면, 이용하는 플라즈마를 평행 평판형 플라즈마, ICP(Inductively-Coupled Plasma), ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 등으로 한 플라즈마 처리 장치에도 적용된다. 또한 플라즈마를 이용하지 않는 다른 반도체 제조 프로세스, 예를 들면, 포토리소그래피 공정 또는 열 산화로에서의 열 산화 공정, 또한 웨이퍼의 반송 공정 등에서 충분히 적용된다. 즉, 포토리소그래피 공정 등에서의 웨이퍼의 온도 관리에서 상기한 구성의 웨이퍼형 온도 검지 센서를 이용하여 정확한 온도 검지를 행할 수 있다. 이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 도시한 실시예의 것에 한정되지 않는다. 도시한 실시예에 대하여, 본 발명과 동일한 범위 내에서, 혹은 균등한 범위 내에서 다양한 수정 또는 변형을 가하는 것이 가능하다.
11 : 플라즈마 처리 장치
12 : 처리 용기
13 : 보지대
18, 33 : 상면
15 : 온도 조정기
16 : 웨이퍼
27, 35 : 하면
21, 41 : 웨이퍼형 온도 검지 센서
22, 42 : 회로 기판
23 : 온도 검지 유닛
24 : 웨이퍼 데이터 통신 유닛
25 : 외부 데이터 통신 유닛
26 : 제어 유닛
28 : 온도 데이터 검출부
29 : 도선
31 : 접착 시트
32 : 정반
34 : 단부
36 : 실리콘 산화막
37 : 측정 위치
38 : 갭

Claims (12)

  1. 웨이퍼 형상의 부재와,
    상기 웨이퍼 형상의 부재에 접착되는 회로 기판으로서, 상기 회로 기판의 일방의 면은 상기 웨이퍼 형상의 부재의 일방의 면에 접착되는 것인 회로 기판,
    상기 웨이퍼 형상의 부재의 일방의 면측에 설치되어 있으며 온도에 관한 데이터를 검출하는 온도 데이터 검출부와,
    상기 회로 기판에 탑재되어 있으며 상기 온도 데이터 검출부에 의해 검출된 온도 데이터로부터 상기 웨이퍼 형상의 부재의 온도를 검지하는 온도 검지 유닛을 포함하고,
    상기 웨이퍼 형상의 부재의 휘어짐을 억제하기 위해서 상기 회로 기판의 선 팽창 계수와 상기 웨이퍼 형상의 부재의 선 팽창 계수의 차이는 미리 설정된 값 이하인 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회로 기판은 열 압착에 의해 상기 웨이퍼 형상의 부재에 접착되어 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회로 기판은 플렉서블 기판인 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 온도 데이터 검출부는 상기 웨이퍼 형상의 부재의 일방의 면측에서 복수 설치되어 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 온도 데이터 검출부는 상기 회로 기판 상에 설치되어 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 온도 데이터 검출부와 상기 온도 검지 유닛을 접속시키는 도선은 상기 회로 기판 상에 설치되어 있는 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 온도 검지 유닛에 의해 검지한 상기 웨이퍼 형상의 부재의 온도의 데이터를 상기 웨이퍼 형상의 부재의 외부로 송신 가능한 송신부를 포함하는 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회로 기판의 재질은 폴리이미드계 수지이고,
    상기 웨이퍼 형상의 부재의 재질은 실리콘, 세라믹스, 사파이어 및 글라스로 이루어지는 군 중 적어도 한 재질로 이루어지는 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 회로 기판의 선 팽창 계수와 상기 웨이퍼 형상의 부재의 선 팽창 계수와의 차이는 5(ppm / ℃) 이하인 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  10. 웨이퍼 형상의 부재와, 상기 웨이퍼 형상의 부재에 접착되는 회로 기판으로서, 상기 회로 기판의 일방의 면은 상기 웨이퍼 형상의 부재의 일방의 면에 접착되는 것인 회로 기판, 상기 웨이퍼 형상의 부재의 일방의 면측에 설치되어 있으며 온도에 관한 데이터를 검출하는 온도 데이터 검출부와, 상기 회로 기판에 탑재되어 있으며 상기 온도 데이터 검출부에 의해 검출된 온도 데이터로부터 상기 웨이퍼 형상의 부재의 온도를 검지하는 온도 검지 유닛을 포함하고, 상기 웨이퍼 형상의 부재의 휘어짐을 억제하기 위해서 상기 회로 기판의 선 팽창 계수와 상기 웨이퍼 형상의 부재의 선 팽창 계수의 차이는 미리 설정된 값 이하인 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법으로서,
    상기 회로 기판을 가열을 수반하는 웨이퍼의 처리에 필요로 하는 온도로 열 압착함으로써 상기 웨이퍼 형상의 부재에 접착하는 열 압착 공정을 구비하는 웨이퍼형 온도 검지 센서의 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 형상의 부재와 상기 회로 기판은 열 압착용 접착 시트에 의해 접착되는 웨이퍼형 온도 검지 센서.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 열 압착용 접착 시트의 열 압착의 온도는 가열을 수반하는 웨이퍼의 처리에 필요로 하는 온도인 웨이퍼형 온도 검지 센서.
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