CN106463343B - 用于均衡衬底堆栈的方法和装置 - Google Patents

用于均衡衬底堆栈的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106463343B
CN106463343B CN201580020432.1A CN201580020432A CN106463343B CN 106463343 B CN106463343 B CN 106463343B CN 201580020432 A CN201580020432 A CN 201580020432A CN 106463343 B CN106463343 B CN 106463343B
Authority
CN
China
Prior art keywords
application
thickness
substrate
unit
application unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580020432.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106463343A (zh
Inventor
J.布格拉夫
F.P.林德纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EV Group E Thallner GmbH
Original Assignee
EV Group E Thallner GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EV Group E Thallner GmbH filed Critical EV Group E Thallner GmbH
Publication of CN106463343A publication Critical patent/CN106463343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106463343B publication Critical patent/CN106463343B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于通过借助于具有至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)的施加设备(11、11'、11")对局部厚度峰(12)进行局部施加而均衡衬底堆栈(1)的厚度变化的方法，该衬底堆栈(1)由产品衬底(4)及载体衬底(2)组成，尤其是借助于连接层(3)连接。此外，本发明涉及一种对应装置。

Description

用于均衡衬底堆栈的方法和装置
技术领域
本发明涉及一种用于通过借助于具有至少一个施加单元的施加设备对局部的厚度最大值进行局部机械压力施加而均衡晶圆堆栈的接合后过程中的厚度变化的方法及对应的装置。
背景技术
在现代半导体行业中，衬底的层厚度的减小是用于不断促进半导体组件的小型化的基本先决条件。尽管几年前主动和被动组件仅在单个衬底(尤其晶圆)上生产，但现今不同功能性的衬底彼此对准且彼此接合。使个别功能单元之间接触经由穿硅导通体(英语：through silicon vias, TSV)优选地发生。TSV允许衬底之间的导电连接的直接生产。
该多衬底堆栈的生产中的关键过程中之一是背部薄化过程。在背部薄化过程中，具有通常数百毫米的直径的衬底经薄化为直至小于50 µm的层厚度。因此，该衬底在背部薄化过程期间使用载体衬底来以机械方式稳定。此外，稳定技术也会允许对几微米厚衬底的进一步处理、运输和储存。
最频繁使用的载体技术是所谓的暂时接合。在暂时接合中，将暂时胶合剂施加至产品晶圆(其待背部薄化)和/或载体衬底。此后，产品衬底与载体衬底之间的暂时接合过程发生。此处往往如此，使得运用暂时胶合剂固定于载体晶圆上的产品衬底侧已具有功能单元。该功能单元可为微芯片、LED、MEM、RDL或凸块（英语：bumps）。暂时胶合剂的层厚度必须相应地大于功能单元的最大高度，以便确保功能单元在胶合剂中的完全嵌入。
先前技术中的极严重问题是所谓的总厚度变化(英语：total thicknessvariation, TTV)。它定义为对象沿着给定方向或平面的最大厚度与最小厚度之间的差。例如，硅晶圆的TTV定义为将在硅晶圆的一个位置处发现的最大厚度与将在别处发现的其最小厚度之间的差。
TTV的概念也可扩展为经组合对象。因此，在半导体行业中，通常测量经接合衬底堆栈的厚度变化。在如此做时将其中其第一衬底的表面指向外侧的衬底堆栈安置于尽可能平坦的测量装置的平面上。此后，衬底堆栈相对于传感器的相对移动发生。传感器通常是激光干涉仪。运用激光干涉仪可侦测并确定纳米范围内的厚度改变。沿着测量方向对衬底堆栈厚度的测量是通过经接合衬底堆栈与激光干涉仪之间的相对移动发生。层厚度图谱以及最大和最小层厚度以及因此TTV可依据已以此方式获得的变化曲线确定。
TTV知识主要对在接合、主要背部薄化和蚀刻过程之后应用于产品衬底的那些过程是重要的。具体来说，过大TTV提供不均匀厚度移除且因此在最坏的情形中导致产品衬底的破坏。
发明内容
本发明的目标是设计可借此减小厚度变化且因此改良厚度变化的过程和装置。
此目标是运用如下所述的技术方案来达成。在本申请给出的特征中的至少两个的所有组合也归属于本发明的范畴内。在给定值范围下，所指示限制内的值也将考虑为经揭示作为边界值且将其以任何组合主张。就此程度，针对该装置所揭示的特征也可视为方法特征，其也可根据该方法应用且反之亦然。根据本发明的用于通过借助于具有至少一个施加单元的施加设备对局部的厚度最大值进行局部机械压力施加而均衡晶圆堆栈的接合后过程中的厚度变化的方法，所述晶圆堆栈由借助于连接层连接的产品晶圆和载体晶圆组成，其中确定所述厚度最大值的X-Y位置，其中所述厚度最大值通过所述至少一个施加单元而以受控方式均匀化，其中通过所述至少一个施加单元对所述产品晶圆进行局部变形处理，其中所述至少一个施加单元直接施加在所述产品晶圆的表面上以导致所述连接层的材料流动，从而在没有移除材料的情况下均衡所述堆栈的厚度。优选地，在所述方法中，在所述局部施加中，排外地使所述连接层变形。运用所述施加设备对所述厚度最大值排外地施加。在局部施加之前借助于光学和/或声学操作测量单元确定所述厚度最大值的X-Y位置。所述施加设备具有能单独地操控和/或离散地布置的多个施加单元。所述施加设备具有隔膜以对所述厚度最大值进行施加，所述隔膜覆盖所述施加单元。根据本发明的用于运用施加设备均衡接合后过程中的衬底堆栈的厚度变化的装置，所述衬底堆栈由借助于连接层连接的产品晶圆和载体晶圆组成，所述施加设备具有至少一个施加单元以对局部的厚度最大值进行局部机械压力施加，其中通过测量设备确定所述厚度最大值的X-Y位置，其中所述厚度最大值通过所述至少一个施加单元而以受控方式均匀化，其中通过所述至少一个施加单元对所述产品晶圆 进行局部变形处理，其中至少一个施加单元直接施加在所述产品晶圆的表面上以导致所述连接层的材料流动，从而在没有移除材料的情况下均衡所述堆栈的厚度。优选地，所述的装置具有光学和/或声学操作的测量单元。所述施加设备具有能单独地操控和/或离散地布置的多个施加单元。所述施加设备具有隔膜以对所述厚度最大值进行施加，所述隔膜覆盖所述施加单元。
本发明的基本理念是通过借助于具有至少一个施加单元的施加设备对局部厚度极端(尤其厚度峰)进行局部施加而均衡衬底堆栈的厚度变化，该衬底堆栈是借助于连接层、第一衬底(尤其是载体衬底)和第二衬底(尤其是产品衬底)而连接。厚度极端可为厚度峰或厚度谷。在此专利文献的下文中，示例性地而非排他地使用根据本发明的优选的对厚度峰的施加，以阐述根据本发明的实施方式。
尤其是制作为产品晶圆的产品衬底比尤其是制作为载体晶圆且将支撑产品衬底的载体衬底薄。
本发明的范畴内的均衡尤其是意指，通过执行根据本发明的方法将厚度变化减小25%、优选地减小50%、再更优选地减小至少75%、最优选地减小至少90%，所有当中最优选地减小至少95%。
本发明尤其涉及用于减小经接合衬底堆栈的总厚度变化的方法和装置。本发明的方面尤其是在于用于尤其结合以下装置来确定TTV或局部峰的X-Y位置的测量装置：该装置可对衬底堆栈、尤其两个衬底之间的边界表面或该衬底之间的连接层优选地在局部上施加，以便以受控制方式改变厚度波动、尤其是以便均衡厚度波动。根据本发明的方法优选地实施为接合后过程。根据本发明的方法和根据本发明的装置优选地用以减小两个衬底之间和其之间的层(尤其是胶合剂层)的TTV。备选地，该装置和该方法也可用以直接操纵层(尤其是胶合剂层)的TTV。尤其是，因此同样考虑揭示根据本发明的关于层(尤其是胶合剂层)的直接操纵的所有所提及实施方式和过程。本发明尤其是涉及用于减小，尤其是用于完全消除尤其是衬底堆栈的总厚度变化的方法和装置。该衬底堆栈优选地是已通过暂时接合过程生产的衬底堆栈。根据本发明的方法也可根本上用于对永久经接合衬底堆栈和/或通过预先接合生产的衬底堆栈的不平整性和因此TTV的局部补偿。
根据本发明的实施方式和根据本发明的装置的根本优点在于TTV的接合后减小的可能性。就过程技术来说，在接合期间将总是做出努力来完全减小TTV。但经验表示，甚至对于最有效和最现代接合装置，TTV的完全减小是不可能的。
根据本发明的装置尤其是由至少两个单元组成，也就是：
-至少一个测量单元，其用于测量厚度分布或厚度峰的X-Y位置，以及
-施加设备，其用于对以下的针对性改变(尤其是均衡)：衬底堆栈的凸出弓形面或衬底堆栈的厚度峰（尤其连接层）。
测量单元
第一单元是用于沿着衬底堆栈的表面，尤其沿着产品衬底的表面测量局部厚度的测量单元。尤其是总厚度变化和/或厚度峰和/或厚度谷的X-Y位置可依据沿着前述表面中之一对不同X-Y位置处的厚度的测量而确定。X-Y位置优选地保存于中央控制单元中以控制所有方法步骤和装置的组件。
该测量单元尤其是由传输器和接收器组成。优选地，传输器和接收器以机械方式彼此耦合。在再更优选实施方式中，传输器和接收器共同安装于一个单元中，尤其是安装于优选地封闭壳体中。下文中，以简化术语论述传输器。因此传输器指发射信号(例如，电磁波、声学声波)、接收、评估并分析该信号以便将先前所提及厚度确定为可进一步用于根据本发明的均衡的值的组件。
在根据本发明的测量单元的第一实施方式中，该测量单元是尤其是具有光学传输器的光学测量单元。该光学测量单元优选地具有干涉仪。该干涉仪可为单色白光干涉仪或根据优选实施方式多色白光干涉仪。在一个具体实施方式中该干涉仪是红外线干涉仪。
在根据本发明的第二实施方式中该测量单元制作为尤其是具有声学传感器的声学测量单元。该声学测量单元优选地具有超音波传输器。为将超音波信号注入至衬底堆栈中，优选地将流体(尤其液体)施加于传输器与衬底堆栈的表面之间。因此该类型的测量不是优选的。
该传输器关于底座优选地刚性地或静态地安装。该底座尽可能平坦且用以容纳试样夹持器，该试样夹持器可沿着底座优选地移动且衬底堆栈可固定于该试样夹持器上，且经固定以供测量和/或均衡。可移动试样夹持器实现衬底堆栈与传输器之间的相对移动和(因此)沿着先前所提及表面对衬底堆栈的层厚度的测量。
随后平整性用作平坦区(尤其是表面)的完美性的量度。与平坦表面的偏差由波纹和粗糙性导致。表面的波纹由该表面在尤其是毫米范围、通常低于微米范围内的特定周期性升高和降低来表征。相反地，粗糙性是微米或纳米范围内的相当非周期性现象。这种表面性质的确切定义是熟习表面物理学、摩擦学、机械工程设计或材料科学的技术者所已知的。为处理与理想表面的不同偏差，下文中粗糙性的概念同义地用于先前所提及效应和所有这种效应的迭加。粗糙性规定为平均粗糙性、平方粗糙性或经平均粗糙高度。平均粗糙性、平方粗糙性和经平均粗糙高度的所确定值对于相同所测量距离或测量区通常不同，但通常是为相同数量级。因此，以下粗糙性数值范围应理解为平均粗糙性的值、平方粗糙性的值或经平均粗糙高度的值。
根据本发明，底座的粗糙性尽可能小，尤其是小于100 µm、优选地小于10 µm、更优选地小于1 µm、最优选地小于100 nm、所有当中最优选地小于10 nm、再更优选地小于1 nm。底座优选地由具有低塑性变形性的机械刚性材料(尤其花岗岩)组成。底座的弹性模数是尤其大于0.01 GPa、优选地大于0.1 GPa、再更优选地大于1 GPa、最优选地大于100 GPa、所有当中最优选地大于1000 GPa。高表面平整性和(因此)低粗糙性是尤其是通过研磨、抛光和蚀刻方法达成。
试样夹持器沿着底座在气垫轴承上优选地移动。试样夹持器的表面优选地具有对应低粗糙性。试样夹持器表面的粗糙性尤其是小于100 µm、优选地小于10 µm、更优选地小于1 µm、最优选地小于100 nm、所有当中最优选地小于10 nm、再更优选地小于1 nm。试样夹持器 的弹性模数尤其大于0.01 GPa、优选地大于0.1 GPa、再更优选地大于1 GPa、最优选地大于100 GPa、所有当中最优选地大于1000 GPa。
在尤其优选实施方式中，在双步骤过程中确定位置相关厚度。在第一步骤中，通过衬底堆栈与传输器之间的相对移动(包含其X-Y位置)来确定衬底堆栈的厚度。此后，衬底堆栈围绕其表面法线的180°旋转和对该衬底堆栈的重复测量发生。然后可依据在旋转之前和之后的两个厚度分布的算术平均值来计算衬底堆栈的实际厚度分布。此平均过程的先决条件是在彼此翻转的两个坐标系统之间对衬底堆栈点和X-Y位置的明确指派。此实施方式的优点主要在于通过对所测量层厚度的统计平均，试样夹持器和/或安装板的不平整性对经平均最终结果具有较少影响。若根据本发明在不旋转的情况下实施对每一点的重复测量，则仅将获得更好计数统计。
施加设备
根据本发明尤其是独立的第二单元或装置是施加设备，衬底堆栈通过该施加设备曝露于局部影响(尤其是变形)至减小衬底堆栈的TTV所必须的程度。该影响可为机械、电、磁和/或热影响。根据本发明，机械和/或热影响是优选的。
预先准备且保存于尤其受软件控制的控制设备中的衬底堆栈的厚度分布现在用以辨识局部极端(因此峰和/或谷)。这种极端尤其是发生于已通过暂时接合生产的衬底堆栈中。至少主要地，衬底堆栈由于暂时胶合剂或连接层的厚度的不均匀性而指向局部不同厚度。此外，厚度(尤其是隔离的或附属的)受产品衬底的拓扑影响，受包含物、粒子或热负载的影响。
根据本发明的方面在于针对性地使用施加设备来减小局部极端。尤其是，该施加设备经设计以与测量单元类似地具有刚性、经相应确切地制造、可被负载，且递送重现性结果。在具体实施方式中，施加设备与测量单元组合，尤其位于且固定于相同底座上。因此，根据本发明设计根据本发明的装置的紧密实施方式。此外，衬底堆栈的在测量单元与施加设备之间的运输路径是最小的。测量单元与施加设备的组合的另一优点是对厚度的测量和局部改变的并行执行。
尤其是将可设想测量单元的传输器将位于第一位置处且施加设备的施加单元将位于根据本发明的该实施方式的第二位置处。只要衬底堆栈在底座上方移动，使得该衬底堆栈的局部峰的X-Y位置首先通过测量单元的传输器的位置且然后通过施加单元的位置，可在第一位置处进行厚度测量且可在第二位置处同时实施层厚度的改变。因此，达成对应较高生产能力。
在整个具体实施方式中，测量单元和施加设备彼此单独地优选地位于相同工厂(英语：Fab)的不同模块中或甚至不同工厂的模块中。以此方式，对厚度分布的测量与对衬底堆栈的均衡分离且根据本发明将不同制造商的测量单元与施加设备彼此组合变得可能。
施加设备可制作为点施加设备或面施加设备。面施加设备是根据本发明优选的实施方式，这是因对于均衡来说生产能力明显较高。尤其是，其由点施加设备的场组成，且点施加设备中的每一个尤其是可单独地操控并监视。通过对点施加设备的操作方式的说明，根据本发明的方法和根据本发明的装置的操作方式尤其是变得清晰且简单。
点施加设备
在根据本发明的第一实施方式中，施加设备确切地具有尤其是能够将机械压力施加至衬底堆栈的表面、尤其产品衬底的表面的施加单元。该施加单元优选地冲压为销形状。优选地，局部峰的凸出弓形面上的压缩应力导致载体衬底与产品衬底之间的连接层的流动和(因此)连接层和(因此)衬底堆栈的厚度的均化。销的尖端可具有不同形状。因此，可设想尖头形状、圆头、尤其球面或矩形形状。
在根据本发明的实施方式中可加热施加单元。尤其是，施加单元的温度可以优于5 ℃、优选地优于2 ℃、再更优选地优于1 ℃、最优选地优于0.1 ℃、所有当中最优选地优于0.01 ℃的精确度来调节。施加单元的可操控温度范围尤其介于室内温度与100 ℃之间、优选地介于室内温度与300 ℃之间、再更优选地介于室内温度与500 ℃之间、最优选地介于室内温度与700 ℃之间。可加热施加单元可与衬底堆栈的表面接触且经由热传导递送热，或可停留在距衬底堆栈的表面的特定距离处且可通过热辐射和/或热对流来加热较紧靠附近。热的递送主要致使(局部受限)加热和(因此)暂时胶合剂的黏度改变(尤其黏度降低)和(因此)优选地致使凸出弓形面通过松弛的降低，这尤其由于产品衬底和/或载体衬底的内部应力。
在根据本发明的第三实施方式中，施加单元具有尤其是可尽可能确切地聚焦的激光。相干激光光是通过光学器件优选地集中于位于产品衬底与载体衬底之间(因此在连接层中)的焦点处。以此方式，对连接层尽可能局部受限、强烈且快速的加热受影响。尤其是，通过连续优选地高频率接通和关断而使激光优选地施加脉冲。此施加脉冲在极大程度上完全防止附近的加热。激光尤其是是红外线激光、可见光激光或UV光激光。激光的波长优选地介于10-8与10-3 m之间、优选地介于10-8与10-4 m之间、最优选地介于10-8与10-5 m之间。可在连接层中导致化学反应的波长范围内的激光是尤其优选的。此化学反应尤其是导致共价键的断裂。化学键的断裂所必须的能量是优选地在UV波长范围内。此化学反应可能影响连接层的黏度行为和(因此)可进一步最佳化TTV的减小。
在尤其优选实施方式中，施加单元组合加热单元和/或压力单元和/或激光单元，使得热和/或机械和/或光化学应力是同时可能的。
然而并非优选的根据本发明的其它实施方式要求将施加单元切换为场电极，使得高强度电场可在尽可能尖头的尖端处产生。在如此做时，尤其是将试样夹持器设定至被相应地相反充电的电位。连接层可通过对应高电场的产生而受到物理上和/或化学上的影响。
在根据本发明的另一实施方式中，可设想将施加单元建立为磁极靴，使得可产生尽可能强的磁场。此场穿透衬底堆栈且导致连接层的改变，这允许均衡。
根据本发明，点施加设备和/或试样夹持器是经由对应软件和/或固件和/或硬件而受控制，使得将对其进行施加的凸出凸起或厚度峰被个别地靠近且通过施加单元在表面上的负载而尽可能广泛地平面化。这最小化衬底堆栈的TTV。
根据本发明的任何实施方式中的优选实施方式的施加单元可至少沿着Z轴移动。
面施加设备
面施加设备由可尤其是单独地操控和/或离散地布置的多个施加单元组成。如上文所阐述，每一个体施加单元因此可以机械方式和/或以热方式和/或以电方式和/或以磁方式操作，以便影响衬底堆栈的凸出弓形面或厚度峰和(因此)最小化TTV。与点施加设备相比，面施加设备可同时控制多个施加单元和(因此)可同时处理多个位置，尤其是多个凸出弓形面。这致使尤其对应于所提供的施加单元的数目的倍数地大量加速。
根据本发明的以下实施方式是由多个施加单元组成的装置。该施加单元彼此紧挨(尤其是)齐平地布置于静止位置中。施加单元的布置是优选地规则的，尤其是布置沿着矩形栅格发生。也将可设想具有可相应地增加的半径的彼此同心的多个圆中的施加单元的布置。根据本发明可设想的另一可能性将是沿着六边形或面心栅格的施加单元的布置。
根据根据本发明的面施加设备的第一实施方式，施加单元对产品衬底的表面直接施加。施加单元可以机械方式和/或以热方式和/或以电方式和/或以磁方式改变产品衬底的表面。如上文所阐述的点施加设备中的类似考虑适用于不同版本的影响。相应地，施加单元又可具有内建加热器和/或用于产生强电场和/或磁场的设备。也将可设想静态施加单元或以下那些静态施加单元的使用：该静态施加单元不施加机械负载且不改变其位置或在任何情形下改变位置以调整至产品衬底的表面的距离，因此总是具有至衬底堆栈的大于零的距离。此实施方式中的凸出弓形面受加热组件极大地尤其是排外地影响。此面施加设备尤其是将受限于与上文所阐述实施方式相比将不产生最佳结果的局部可调整加热器。
在根据本发明的第二实施方式中，可沿施加单元的施加方向伸展的柔性且灵活的隔膜伸展于施加单元前面。该隔膜通过施加单元至少局部地变形至一个施加位置中。与离散施加单元相比，该隔膜具有连续表面，尤其覆盖面施加设备的整个施加侧的连续表面。此实施方式产生产品衬底/衬底堆栈的表面的经改良平面负载。
该隔膜根本上可由任何材料组成，但优选地为耐磨耗、耐热、塑性和/或具有对应高强度。
关于硬度，存在不同技术特性。正确硬度测量方法取决于诸多影响因素。最重要因素是待测试的材料以及测试本体。金属和陶瓷、(因此)具有对应高强度和/或对应塑性能力的固体主要运用但不排外地运用洛克威尔(Rockwell)、勃氏(Brinell)和维克氏(Vickers)硬度方法来测试。个体硬度测量值是有条件地可能的。对应图表和格式存在且为本领域技术人员已知。但必须提及，确切转换并不总是可能的或是不确切的。以下硬度测量值与维克氏硬度有关。隔膜材料的维克氏硬度尤其是是大于100、优选地大于500、再更优选地大于1000、最优选地大于5000、所有当中最优选地大于10000。在根据本发明的特定实施方式中，也可优选地使用具有极低硬度且因此可尤其良好地适合于衬底的表面的隔膜材料。这种尤其优选隔膜材料主要由塑料组成，尤其由温度稳定高达摄氏数百度的塑料组成。用于塑料的优选硬度测量方法是萧耳(Shore)方法。塑料的萧耳硬度尤其是小于100、优选地小于75、再更优选地小于50、最优选地小于25、所有当中最优选地小于5。可在对应标准DIN ISO7619-1和DIN EN ISO 868中查找确切定义。
在此情境中，温度抵抗意指升高温度下的隔膜并不开始蠕变，因此在负载下不发生扩散过程引起的塑性变形。为避免必须解决蠕变的较详细物理和化学过程，根据本发明的耐蠕变材料特征在于对应材料不会随时间而经历塑性变形直至最大张力和最大温度为止。根据本发明的最大温度尤其是是大于0 ℃、优选地大于50 ℃、再更优选地大于100 ℃、最优选地大于250 ℃、所有当中最优选地大于500 ℃。根据本发明的最大张力尤其是大于10E6 Pa、优选地大于10E7 Pa、更优选地大于10E8 Pa、最优选地大于10E9 Pa。
通过弹性模数表示弹性。根据本发明的隔膜的弹性模数是尤其介于1 GPa与1000GPa之间、优选地介于10 GPa与1000 GPa之间、更优选地介于25 GPa与1000 GPa之间、最优选地介于50 GPa与1000 GPa之间、所有当中最优选地介于100 GPa与1000 GPa之间。例如，一些类型的钢的弹性模数大约是200 GPa。
屈服点规定本体并未塑性地变形的最大张力。根据本发明，具有高屈服点以便防止永久塑性变形的隔膜材料是优选的。根据本发明的隔膜材料的屈服点是尤其大于1 MPa、优选地大于10 MPa、再更优选地大于100 MPa、最优选地大于500 MPa、所有当中最优选地大于1000 MPa。
不污染产品衬底的表面的隔膜材料尤其是优选的。因此，隔膜材料应优选地不含对半导体应用关键的所有元素，尤其是类似铜、金、钼和钛的金属。优选地使用基于聚合物和/或碳材料的隔膜材料。
在根据本发明的第三实施方式中，施加单元是彼此分割开且可运用压力尤其单独地操控和/或供应的压力室。该压力室在将通过隔膜且横向上通过弹性可变形压力室壁对其进行施加的产品衬底的表面的方向上被环绕。该压力室可优选地个别地曝露于过压力和/或负压力且允许隔膜的变形，且(因此)在与产品衬底的表面接触之后，旋即允许根据本发明的对凸出弓形面的施加。
根据本发明的压力室尤其是具有介于10-8 mbar与10 bar之间、优选地介于10-8mbar与8 bar之间、再更优选地介于10-8 mbar与6 bar之间、最优选地介于10-8 mbar 与4bar之间、所有当中最优选地介于10-8 mbar与2 bar之间的压力。该压力室可用任何流体(因此用液体和/或气体)来供应。相应地，该压力室是液压和/或气压压力室。优选地不使用液体，使得气压压力室是优选的。
如上文所阐述，根据本发明可设想面施加设备与测量单元的组合。优选地首先测量整个衬底堆栈(尤其是，关于衬底堆栈的厚度和/或该衬底堆栈的个别层的厚度，诸如产品衬底、载体衬底和/或连接层的厚度)。此后根据本发明的厚度变化(TTV)的改良在根据本发明的面施加设备中发生。在另一选用步骤中，然后衬底堆栈的重复测量发生。若所确定TTV应小于给定边界值，则可进一步处理衬底堆栈。若所确定TTV较大，则借助于根据本发明的施加设备发生根据本发明的厚度变化(TTV)的重复改良。
在优选实施方式中，根据本发明的面施加设备和测量单元位于一个单元内或相同模块内，因此衬底堆栈的测量与TTV的改进之间的改变得以加速。
施加单元的布置和形状
施加单元的尤其是在施加侧和/或位于端上的护套表面上的形状根本上可为任选的，只要可以以此方式对表面进行施加即可。然而据展示，特定形状适合于具体使用范围。
施加单元的护套表面优选地经塑形为圆形、尤其环形或方柱形。
施加侧(或施加头部)尤其是经塑形为圆头的、扁平的、尖头的、椎体平坦化的或六边形扁平的。
扁平施加头部根据本发明更好地适合于减小凸出弓形面且适合于热转移。
尖头施加头部主要在将产生且局部化高电场和/或磁场时是重要的。
具有六边形形状的扁平施加头部尤其是是优选的，这是因为其一方面是扁平的，可完全覆盖表面，且由于其六边形对称性而与其对应相邻者具有最佳径向关系。
本发明的其它优点、特征和细节将自对优选例示性实施例的以下说明且使用该附图而变得显而易见。
附图说明
图1a展示不具有TTV的理想衬底堆栈的示意性剖面，
图1b展示具有厚度变化(TTV)的真实衬底堆栈的示意性剖面，
图1c展示真实衬底堆栈的处理过程(此处：背部薄化)的示意性剖面，
图2展示根据本发明的测量单元的实施方式的示意性剖面，
图3展示根据本发明的点施加设备的实施方式的示意性剖面，
图4展示已根据本发明而组合的测量单元和点施加设备的实施方式的示意性剖面，
图5a展示用于根据本发明的方法的实施方式的根据本发明的第一处理步骤的示意性剖面，
图5b展示用于根据图5a的实施方式的根据本发明的第二处理步骤的示意性剖面，
图5c展示用于根据图5a的实施方式的根据本发明的第三处理步骤的示意性剖面，
图5d展示用于根据图5a的实施方式的根据本发明的选用第四处理步骤的示意性剖面，
图6a展示根据第一实施方式的根据本发明的面施加设备的示意性剖面，
图6b展示根据第二实施方式的根据本发明的面施加设备的示意性剖面，
图7展示根据第三实施方式的根据本发明的面施加设备的示意性剖面，
图8展示根据本发明的施加头部的六个实施方式的剖面(各个左边)和俯视图(各个右边)的示意图，且
图9展示根据本发明的具有六边形扁平施加头部的场的面施加设备的第四实施方式的示意性俯视图。
在各图中运用相同组件符号识别相同组件或具有相同动作的组件。
具体实施方式
图1a展示理想衬底堆栈1的示意性剖面，该理想衬底堆栈由载体衬底2、制作为暂时胶合剂的连接层3和产品衬底4组成。在无法在技术上实施或可以不成比例的花费实施的此实施方式中，载体衬底2、连接层3和产品衬底4具有均匀厚度，因此厚度变化(TTV)为零。载体衬底2、连接层3和产品衬底4的均匀厚度因此产生均匀衬底堆栈厚度。
图1b展示真实衬底堆栈1的示意性剖面，该真实衬底堆栈由载体衬底2、具有厚度变化的连接层3和产品衬底4组成。厚度变化由连接层3至少极大地、基本排外地规定。产品衬底4比载体衬底2薄，出于此原因产品衬底4基本上遵循连接层3的厚度变化，而至少在执行根据本发明的方法时的载体衬底2容纳于(尤其是固定于)平的试样夹持器 8上。
不均匀衬底堆栈厚度t是可清晰辨识的。在对产品衬底4的表面4o的背部薄化(参见图1c)期间的衬底堆栈厚度t的不均匀性导致对应不均匀产品衬底4。表面4o的凸出弯曲区段(局部峰)被较强劲地移除，而表面4o的凹入弯曲区段(局部谷)被较小程度地移除。尽管整个产品衬底4预先具有均匀厚度，但该产品衬底在剥离过程之后将是不均匀的。
此过程仅可通过下列方式而防止：真实衬底堆栈1的不均匀厚度分布和(因此)TTV (其中将TTV考虑为尺寸)通过根据本发明的实施方式减小至获得理想衬底堆栈1的此程度。在根据本发明的实施方式已将真实衬底堆栈1转换成理想衬底堆栈1之后，也可相应地处理后者。理想衬底堆栈1定义为具有低于固定边界值的TTV值的衬底堆栈1。
图2展示由传感器7 (优选地干涉仪、甚至更优选地白光干涉仪)组成的测量单元5。传感器7经由支柱10紧密地连接至牢固底座。底座6用作机械振动阻尼器。此外，试样夹持器8在底座6上、优选地在气垫轴承上沿由该底座定义的X-Y方向移动。
试样夹持器8可经由各种固定组件(未展示)固定衬底堆栈1。固定组件可为真空固定件、静电固定件、机械夹具、黏合表面或类似固定机构。该固定组件可为本领域技术人员已知。
试样夹持器8可沿着X和Y方向平移移动且也可沿着Z方向(垂直于X和Y方向)优选地移动，使得该试样夹持器实现衬底堆栈1的升高。在尤其优选实施方式中，试样夹持器8可围绕局部Z轴翻转和/或可围绕局部X和/或Y轴倾斜。
根据本发明的第一步骤是通过测量单元5测量衬底堆栈1的厚度分布，因此确切地测量衬底堆栈1的每个X-Y位置的层厚度。该测量单元由控制设备(未展示)控制且所测量值经保存以供稍后在施加设备11 (参见图3至图9)的控制中使用。
图3展示此处制作为点施加设备的施加设备11，该施加设备由经由支柱10'连接至底座6的施加单元9组成。点施加设备11和试样夹持器8是借助于软件和/或固件和/或硬件(控制设备)来控制。凸出弓形面或峰12 (通过沿X和Y方向移动试样夹持器8和/或施加单元9)经个别地靠近且通过施加单元9在表面4o上进行施加而尽可能平面化。
沿着Z方向(参见图3中的箭头)使施加单元9升高和降低，以便通过使施加头部9k与表面4o接触、尤其通过均衡凸出弓形面12来均衡衬底堆栈厚度t。
施加单元9优选地是销。相应地，凸出弓形面12的负载尤其是定义为机械压缩负载。优选地，凸出弓形面12的机械压缩负载产生载体衬底2与产品衬底4之间的暂时胶合剂2的流动和(因此)较均匀分布。
图4展示尤其优选实施方式，其中具有传感器7的测量单元5和具有施加单元9的施加设备11已彼此组合于一个单元或一个模块中。以此方式可执行对应紧密测量和均衡。主要地，测量与均衡之间的改变可通常视需要且最重要的是对应有效地并且快速地实施。
图5a展示根据本发明的第一过程步骤的示意性剖面，其中特定凸出弓形面12定位于传感器7下方。传感器7测量真实衬底堆栈厚度tsr。在已知载体衬底厚度tt和产品衬底厚度tp的情况下，可确定凸出弓形面12。根据本发明的凸出弓形面12将沿朝向载体衬底2的负Z方向通过变形路径dz尽可能大地变形，以便在此X-Y位置处达成所要理想衬底堆栈厚度tsi。
图5b展示相同凸出弓形面12在施加单元9下方的定位的示意性剖面。凸出弓形面12的定位应以高精确度发生。该精确度尤其是优于1 mm (在X-Y方向上的最大偏差/容差)、优选地优于100 µm、更优选地优于10 µm、最优选地优于1 µm。
图5c展示通过降低且以此方式在施加头部9k与表面4o接触之后通过对凸出弓形面12进行机械压缩施加而使用施加单元9的示意性剖面。在如此做时，凸出弓形面12得以平面化。出于在对该弓形面进行施加时连接层3的更好变形性，将其优选地加热，使得变形尽可能塑性地发生。
图5d展示选用第四测量步骤的示意性剖面，该选用第四测量步骤对相同位置重复测量，以便验证凸出弓形面12的降低或甚至消失，或者必要时重新执行施加和/或校准施加设备11。
在真实情况下可展示：凸出弓形面12由于衬底堆栈的内部应力或连接层3的流动行为而通过变形路径dz沿负Z方向所致的变形并不总是确切地可能的，使得理想参数是借助于上文所阐述实施方式通过经验测量而确定。
针对衬底堆栈1的所测量峰的所有X-Y位置实施根据本发明的在图5a至图5d中展示的过程步骤。
图6a展示施加设备11'的优选实施方式，该施加设备制作为面施加设备，由多个施加单元9组成。施加单元9沿Z方向可移动地固定于支柱主体10''上，该支柱主体又固定于底座6上。
施加单元9可根据如图3中所展示的实施方式对产品衬底4的表面4o或衬底堆栈1以机械方式和/或以热方式和/或以电方式和/或以磁方式进行施加且因此可致使凸出弓形面12的减小。
根据本发明的关于面施加设备的理念首先在于在处理多个衬底时的快速生产能力和(因此)低成本，且其次在于实施产品衬底4的表面4o和下伏连接层3的平行变形的可能性。此主要在通过施加单元9在一个位置处对凸出弓形面12的移除导致材料流动和另一凸出弓形面12的产生的情况下是必须的。通过产品衬底的表面4o的多个点的针对性和受控制同时负载，可更好地控制暂时胶合剂3的材料流动且可甚至更有效地减小厚度变化。
施加单元9可个别地操控且可沿Z方向自静止位置移动至施加位置中。在静止位置中施加单元9齐平地位于平行于X-Y方向的平面中。施加单元9优选地彼此等距地布置且形成施加单元9的场。
图6b展示构成根据图6a的实施方式的扩充的施加设备11"。此处施加设备11"具有隔膜14。隔膜14附着至支柱主体10"且与施加单元9的施加头部9k重叠。在对表面4o进行施加时施加单元9使隔膜14变形，且与产品衬底4的表面4o的接触因此不再直接发生，而是经由隔膜14发生。以此方式，类似但较连续(由于隔膜13的连续性)和(因此)较均匀分布的压缩施加得以达成。
根据图7中所展示的另一实施方式，存在具有呈压力室的形式的施加单元9VI的施加设备11"'。压力室由弹性压力室壁13和隔膜14定界。该压力室可通过其施加以压力而被个别地控制。通过经由流体通道15路由进入或离开压力室的流体施加压力。流体可为气体、气体混合物、液体、液体混合物或在特定应用中为气体液体混合物。
隔膜14除其作为压力转移组件的功能的外也可具有尤其是可位置分散地（ortsaufgeloest）操控的加热组件，该加热组件用以加热衬底堆栈1，尤其是连接层3。
图8展示施加单元9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI的不同替代形式。施加单元9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI的护套表面优选地塑形为圆形、尤其是环形(左边三个版本9、9'、9")或方柱形(右边三个版本9"'、9IV、9V)。
施加侧(或施加头部)尤其是是圆头(施加单元9)、扁平的(施加单元9'、9"')、尖头的(施加单元9")、椎体平坦化的(施加单元9IV)或六角形扁平的(施加单元9V)。
在图9中展示施加设备11IV的实施方式，该施加设备制作为根据本发明的具有六边形平的施加单元9V的场的面施加设备。施加单元9V以蜂巢形式彼此邻接且因此因划分和稳定性而突出良好地适合于根据本发明的方法。
附图标记列表
1 衬底堆栈
2 第一衬底，尤其是载体衬底
3 连接层，尤其是暂时胶合剂
4 第二衬底，尤其是产品衬底
4o 产品衬底的表面
5 测量单元
6 底座
7 传输器-接收器单元
8 试样夹持器
9，9'，9"' 施加单元
9"'，9IV 施加单元
9V，9VI 施加单元
9k 施加头部
10，10'，10" 支柱，支柱主体
11，11'，11" 施加设备
11"'，11IV 施加设备
12 凸出弓形面，厚度峰
13 压力室壁
14 隔膜
15 流体通道
dz 变形路径
t 衬底堆栈厚度
tsi 理想衬底堆栈厚度
tsr 真实衬底堆栈厚度
tt 载体衬底厚度
tp 产品衬底厚度

Claims (14)

1.一种用于通过借助于具有至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)的施加设备(11、11'、11")对局部的厚度最大值(12)进行局部机械压力施加而均衡晶圆堆栈(1)的接合后过程中的厚度变化的方法，所述晶圆堆栈(1)由借助于连接层(3)连接的产品晶圆(4)和载体晶圆(2)组成，其中确定所述厚度最大值(12)的X-Y位置，其中所述厚度最大值(12)通过所述至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)而以受控方式均匀化，其中通过所述至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)对所述产品晶圆(4)进行局部变形处理，其中所述至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)直接施加在所述产品晶圆(4)的表面上以导致所述连接层(3)的材料流动，从而在没有移除材料的情况下均衡所述堆栈的厚度。
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述局部施加中，排外地使所述连接层(3)变形。
3.如权利要求1所述的方法，其中运用所述施加设备(11、11'、11")对所述厚度最大值(12)排外地施加。
4.如权利要求1所述的方法，其中在局部施加之前借助于光学和/或声学操作测量单元(5)确定所述厚度最大值(12)的X-Y位置。
5.如权利要求1-4之一所述的方法，其中所述施加设备(11、11'、11")具有能单独地操控和/或离散地布置的多个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)。
6.如权利要求1-4之一所述的方法，其中所述施加设备(11、11'、11")具有隔膜(14)以对所述厚度最大值(12)进行施加，所述隔膜(14)覆盖所述施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)。
7.如权利要求1-4之一所述的方法，其中将所述厚度变化至少减小一半。
8.如权利要求7所述的方法，其中将所述厚度变化减小至少75%。
9.如权利要求8所述的方法，其中将所述厚度变化减小至少90%。
10.如权利要求9所述的方法，其中将所述厚度变化减小至少95%。
11.一种用于运用施加设备(11、11'、11")均衡接合后过程中的衬底堆栈(1)的厚度变化的装置，所述衬底堆栈(1)由借助于连接层(3)连接的产品晶圆(4)和载体晶圆(2)组成，所述施加设备(11、11'、11")具有至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)以对局部的厚度最大值(12)进行局部机械压力施加，其中通过测量设备确定所述厚度最大值(12)的X-Y位置，其中所述厚度最大值(12)通过所述至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)而以受控方式均匀化，其中通过所述至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)对所述产品晶圆(4) 进行局部变形处理，其中至少一个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)直接施加在所述产品晶圆(4)的表面上以导致所述连接层(3)的材料流动，从而在没有移除材料的情况下均衡所述堆栈的厚度。
12.如权利要求11所述的装置，其具有光学和/或声学操作的测量单元(5)。
13.如权利要求11所述的装置，其中所述施加设备(11、11'、11")具有能单独地操控和/或离散地布置的多个施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)。
14.如权利要求11-13中任一项所述的装置，其中所述施加设备(11、11'、11")具有隔膜(14)以对所述厚度最大值(12)进行施加，所述隔膜(14)覆盖所述施加单元(9、9'、9"、9"'、9IV、9V、9VI)。
CN201580020432.1A 2014-04-30 2015-03-31 用于均衡衬底堆栈的方法和装置 Active CN106463343B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014106100.4A DE102014106100A1 (de) 2014-04-30 2014-04-30 Verfahren und Vorrichtung zum Vergleichmäßigen eines Substratstapels
DE102014106100.4 2014-04-30
PCT/EP2015/057054 WO2015165679A1 (de) 2014-04-30 2015-03-31 Verfahren und vorrichtung zum vergleichmässigen eines substratstapels

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106463343A CN106463343A (zh) 2017-02-22
CN106463343B true CN106463343B (zh) 2020-03-03

Family

ID=52774255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580020432.1A Active CN106463343B (zh) 2014-04-30 2015-03-31 用于均衡衬底堆栈的方法和装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9984942B2 (zh)
EP (1) EP3138122B1 (zh)
JP (1) JP2017516300A (zh)
KR (1) KR102443474B1 (zh)
CN (1) CN106463343B (zh)
DE (1) DE102014106100A1 (zh)
SG (1) SG11201608733YA (zh)
TW (1) TWI680549B (zh)
WO (1) WO2015165679A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI770110B (zh) * 2017-03-30 2022-07-11 日商日本碍子股份有限公司 暫時固定基板及電子元件的暫時固定方法
KR102361472B1 (ko) * 2019-09-20 2022-02-10 세메스 주식회사 본딩 헤드 및 본딩 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0511777A1 (en) * 1991-04-27 1992-11-04 Shin-Etsu Handotai Company Limited Method and apparatus for the production of an extremely thin film layer of single crystalline silicon in a SOI substrate by an etching method controlled by interferometry
US5733182A (en) * 1994-03-04 1998-03-31 Fujitsu Limited Ultra flat polishing
CN102347209A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 台湾积体电路制造股份有限公司 基板接合系统及接合系统设计的修改方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10052293A1 (de) 2000-10-20 2002-04-25 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren zum Aufbringen eines Substrats
US20040060514A1 (en) * 2002-01-25 2004-04-01 Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation Gas distribution showerhead
US7397596B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-08 Ler Technologies, Inc. Surface and subsurface detection sensor
EP2137757B1 (en) * 2007-04-17 2015-09-02 Imec Method for reducing the thickness of substrates
DE102009015878A1 (de) * 2009-04-01 2010-10-07 Peter Wolters Gmbh Verfahren zum materialabtragenden Bearbeiten von flachen Werkstücken
JP2010263124A (ja) * 2009-05-08 2010-11-18 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ−ｖ族半導体光デバイスの製造方法
US8852391B2 (en) 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
EP3514529B1 (de) * 2010-11-12 2023-03-15 EV Group E. Thallner GmbH Messeinrichtung zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP2656378B1 (de) * 2010-12-20 2015-03-18 Ev Group E. Thallner GmbH Aufnahmeeinrichtung zur halterung von wafern
JP5477976B2 (ja) * 2011-09-05 2014-04-23 レーザーテック株式会社 厚さ測定装置
EP2752871B1 (en) * 2013-01-08 2015-09-16 ams AG Method of application of a carrier to a device wafer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0511777A1 (en) * 1991-04-27 1992-11-04 Shin-Etsu Handotai Company Limited Method and apparatus for the production of an extremely thin film layer of single crystalline silicon in a SOI substrate by an etching method controlled by interferometry
US5733182A (en) * 1994-03-04 1998-03-31 Fujitsu Limited Ultra flat polishing
CN102347209A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 台湾积体电路制造股份有限公司 基板接合系统及接合系统设计的修改方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3138122B1 (de) 2021-09-29
DE102014106100A1 (de) 2015-11-05
TWI680549B (zh) 2019-12-21
JP2017516300A (ja) 2017-06-15
SG11201608733YA (en) 2016-11-29
TW201603210A (zh) 2016-01-16
US9984942B2 (en) 2018-05-29
KR20170002385A (ko) 2017-01-06
EP3138122A1 (de) 2017-03-08
US20170110377A1 (en) 2017-04-20
WO2015165679A1 (de) 2015-11-05
CN106463343A (zh) 2017-02-22
KR102443474B1 (ko) 2022-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220102146A1 (en) Device and method for bonding of substrates
CN110491756A (zh) 具有闭环夹持力控制的实时监测
JP4767251B2 (ja) 光学検査装置を平坦な対象物の接面に対して焦点合わせする方法
US20190217595A1 (en) Device and method for bonding substrates
KR102397577B1 (ko) 기판 결합 방법
US20220173068A1 (en) Apparatus and method for bonding substrates
JP3790995B2 (ja) 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置
KR102445979B1 (ko) 벨로즈로의 휘어진 웨이퍼 처킹
CN104377151B (zh) 加压装置及控制方法
US7659182B2 (en) Method of wafer-to-wafer bonding
EP3455388B1 (en) Electrostatic chucking of cover glass with irregular surface flatness
US8833418B2 (en) Method and system for bonding electrical devices using an electrically conductive adhesive
JP6874692B2 (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
KR101280566B1 (ko) 웨이퍼형 온도 검지 센서 및 그 제조 방법
JP2013070066A (ja) ウェハ接合装置
KR20230022259A (ko) 기판을 접합하기 위한 방법 및 장치
CN106463343B (zh) 用于均衡衬底堆栈的方法和装置
KR20170041267A (ko) 마이크로 전기기계 부품들을 특히 열에 의해 결합하는 장치
KR20150110335A (ko) 온도 조정 장치
KR20180111516A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템
CN101114603A (zh) 半导体集成电路检查用探头卡及其制造方法
JP6012017B2 (ja) 加圧装置および加圧方法
US20240153906A1 (en) Substrate bonding apparatus
KR102362669B1 (ko) 워크 전사 장치와 워크 전사 척 및 워크 전사 방법
JP2016189428A (ja) 静電チャック装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant