JP5477976B2 - 厚さ測定装置 - Google Patents
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Description
さらに、本発明の別の目的は、TSVウェハとサポートウェハとが接着剤層を介して結合された貼合わせウェハ全体について種々の部位の厚さを測定できる厚さ測定装置を提供することにある。
前記測定光学系は、第1の波長域の測定光を発生する測定光源と、測定光を試料に向けて投射し、試料に光スポットを形成する対物レンズと、試料からの反射光を受光する光検出手段とを有し、
前記観察光学系は、前記第1の波長域とは異なる第2の波長域の試料観察用の照明光を放出する照明光源と、照明光を試料に向けて投射する対物レンズと、試料からの反射光を受光して試料の2次元画像を撮像する撮像装置とを有し、
前記対物レンズと測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子が配置され、
前記測定光学系の対物レンズと観察光学系の対物レンズは共通に用いられ、
前記波長選択性を有するカップリング素子は、測定光の一部を透過し一部を反射すると共に前記照明光のほぼ全体を反射するダイクロイックミラーにより構成され、
前記測定光が試料上に形成する光スポットからの反射光の一部は前記対物レンズ及びカップリング素子を経て観察光学系の撮像装置に入射し、
前記撮像装置は、前記測定光により形成される光スポットの像が重畳された試料像を撮像することを特徴とする。
測定されるべき貼合わせウェハを支持するステージと、
ステージ上のTSV基板の第2の表面と対向するように配置した第1の変位センサと、
サポート基板と対向するように配置した第2の変位センサと、
TSV基板のシリコン層の厚さを測定するための測定光学系、TSV基板の2次元画像を撮像する観察光学系、及び、測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子を具えるTSV基板用の厚さ測定装置と、
前記第1及び第2の変位センサからの出力信号、及び前記測定光学系からの出力信号を受け取り、貼合わせウェハの種々の部位の厚さ情報を出力する信号処理装置とを具え、
前記信号処理装置は、第1の及び第2の変位センサからの出力信号を用いて貼合わせウェハの全体の厚さd1を算出する第1の演算手段と、前記測定光学系からの出力信号を用いて貼り合わせ基板の第1の表面と第2の表面との間のシリコン層ないしシリコン基板の厚さd2を算出する第2の演算手段と、前記測定光学系からの出力信号を用いてTSV基板の第2の表面からTSV電極の底面までの厚さないし距離d3を算出する第3の演算手段と、前記サポート基板の厚さd4を算出する第4の演算手段とを含み、
前記測定光学系は、赤外域又は近赤外域の第1の波長域の測定光を発生する測定光源と、測定光をTSV基板の第2の表面に向けて投射し、TSV基板に光スポットを形成する対物レンズと、前記光スポットからの反射光を受光する光検出手段とを有し、
前記観察光学系は、赤外域又は近赤外域の前記第1の波長域とは異なる第2の波長域の照明光を放出する照明光源と、照明光をTSV基板の第2の表面に向けて投射する対物レンズと、TSV基板からの反射光を受光して試料の2次元画像を撮像する撮像装置とを有し、
前記測定光学系の対物レンズと観察光学系の対物レンズは共通に用いられ、
前記カップリング素子は、前記対物レンズと測定光源及び観察光源との間の光路中に配置され、測定光の一部を透過し一部を反射すると共に前記照明光のほぼ全体を反射するダイクロイックミラーにより構成され、前記測定光が試料上に形成する光スポットからの反射光の一部は前記対物レンズ及びカップリング素子を経て観察光学系の撮像装置に入射し、
前記撮像装置は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳されたTSV基板の2次元画像を撮像することを特徴とする。
2 TSVウェハ
3 サポートウェハ
4 接着剤層
5 貫通電極
6 配線層
10 ステージ
11 ステージドライバ
12 信号処理装置
13 第1の変位センサ
14 第2の変位センサ
15 変位センサコントローラ
16 光学ヘッド
17 対物レンズ
18 モータ
19 光学ヘッドドライバ
20 第1の光ファイバ
21 測定コントローラ
22 第2の光ファイバ
23 ランプハウス
24 I/Oボード
30 光源
31 光ファイバ
32 サーキュレータ
33 レンズ
34 カップリング素子
35 光ファイバ
36 スリット
37 コリメータレンズ
38 回折格子
39 結像レンズ
40 光検出手段
41 ハロゲンランプ
42 シャッタ
43 IRフィルタ
44 集光レンズ
45,46 レンズ
47 ビームスプリッタ
48 撮像装置
Claims (9)
- 試料の厚さを測定するための測定光学系と、試料の2次元画像を撮像する観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いて試料の厚さを算出する信号処理装置とを具え、
前記測定光学系は、第1の波長域の測定光を発生する測定光源と、測定光を試料に向けて投射し、試料に光スポットを形成する対物レンズと、試料からの反射光を受光する光検出手段とを有し、
前記観察光学系は、前記第1の波長域とは異なる第2の波長域の試料観察用の照明光を放出する照明光源と、照明光を試料に向けて投射する対物レンズと、試料からの反射光を受光して試料の2次元画像を撮像する撮像装置とを有し、
前記対物レンズと測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子が配置され、
前記測定光学系の対物レンズと観察光学系の対物レンズは共通に用いられ、
前記波長選択性を有するカップリング素子は、測定光の一部を透過し一部を反射すると共に前記照明光のほぼ全体を反射するダイクロイックミラーにより構成され、
前記測定光が試料上に形成する光スポットからの反射光の一部は前記対物レンズ及びカップリング素子を経て観察光学系の撮像装置に入射し、
前記撮像装置は、前記測定光により形成される光スポットの像が重畳された試料像を撮像することを特徴とする厚さ測定装置。 - 複数のTSV電極及び素子形成領域が形成されている第1の表面及び第1の表面と対向する第2の表面を有し、シリコン基板により構成されるTSV基板の種々の部位の厚さを測定する厚さ測定装置であって、
厚さ測定されるTSV基板を支持するステージと、TSV基板の厚さを測定するための測定光学系と、TSV基板の2次元画像を撮像する観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いてTSV基板の厚さを算出する信号処理装置と、測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子とを具え、
前記測定光学系は、赤外域又は近赤外域の第1の波長域の測定光を発生する測定光源と、測定光をTSV基板の第2の表面に向けて投射し、TSV基板に光スポットを形成する対物レンズと、前記光スポットからの反射光を受光する光検出手段とを有し、
前記観察光学系は、赤外域又は近赤外域の前記第1の波長域とは異なる第2の波長域の照明光を放出する照明光源と、照明光をTSV基板の第2の表面に向けて投射する対物レンズと、TSV基板からの反射光を受光して試料の2次元画像を撮像する撮像装置とを有し、
前記測定光学系の対物レンズと観察光学系の対物レンズは共通に用いられ、
前記カップリング素子は、前記対物レンズと測定光源及び観察光源との間の光路中に配置され、測定光の一部を透過し一部を反射すると共に前記照明光のほぼ全体を反射するダイクロイックミラーにより構成され、前記測定光が試料上に形成する光スポットからの反射光の一部は前記対物レンズ及びカップリング素子を経て観察光学系の撮像装置に入射し、
前記撮像装置は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳されたTSV基板の2次元画像を撮像することを特徴とする厚さ測定装置。 - 請求項2に記載の厚さ測定装置において、前記TSV基板の第1の表面は、接着剤層を介してサポート基板と貼り合わされ、
前記測定光及び照明光は、TSV基板の第2の表面に向けて投射されることを特徴とする厚さ測定装置。 - 請求項3に記載の厚さ測定装置において、前記測定光により形成される光スポットは、TSV電極の底部上に位置決めされ、TSV基板の第2の表面からTSV電極の底部までの厚さないし距離が測定されることを特徴とする厚さ測定装置。
- 請求項3に記載の厚さ測定装置において、前記測定光により形成される光スポットは、TSV基板の第1の表面側に形成された素子形成領域に位置決めされ、TSV基板の第2の表面から素子形成領域までの厚さないし距離が測定されることを特徴とする厚さ測定装置。
- 複数のTSV電極及び素子形成領域が形成されている第1の表面及び第1の表面と対向する第2の表面を有し、シリコン基板により構成されるTSV基板の第1の表面と、サポート基板とが接着剤層を介して貼り合わされている貼合わせウェハの種々の部位の厚さを測定する厚さ測定装置であって、
測定されるべき貼合わせウェハを支持するステージと、
ステージ上のTSV基板の第2の表面と対向するように配置した第1の変位センサと、
サポート基板と対向するように配置した第2の変位センサと、
TSV基板のシリコン層の厚さを測定するための測定光学系、TSV基板の2次元画像を撮像する観察光学系、及び、測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子を具えるTSV基板用の厚さ測定装置と、
前記第1及び第2の変位センサからの出力信号、及び前記測定光学系からの出力信号を受け取り、貼合わせウェハの種々の部位の厚さ情報を出力する信号処理装置とを具え、
前記信号処理装置は、第1の及び第2の変位センサからの出力信号を用いて貼合わせウェハの全体の厚さd1を算出する第1の演算手段と、前記測定光学系からの出力信号を用いて貼り合わせ基板の第1の表面と第2の表面との間のシリコン層ないしシリコン基板の厚さd2を算出する第2の演算手段と、前記測定光学系からの出力信号を用いてTSV基板の第2の表面からTSV電極の底面までの厚さないし距離d3を算出する第3の演算手段と、前記サポート基板の厚さd4を算出する第4の演算手段とを含み、
前記測定光学系は、赤外域又は近赤外域の第1の波長域の測定光を発生する測定光源と、測定光をTSV基板の第2の表面に向けて投射し、TSV基板に光スポットを形成する対物レンズと、前記光スポットからの反射光を受光する光検出手段とを有し、
前記観察光学系は、赤外域又は近赤外域の前記第1の波長域とは異なる第2の波長域の照明光を放出する照明光源と、照明光をTSV基板の第2の表面に向けて投射する対物レンズと、TSV基板からの反射光を受光して試料の2次元画像を撮像する撮像装置とを有し、
前記測定光学系の対物レンズと観察光学系の対物レンズは共通に用いられ、
前記カップリング素子は、前記対物レンズと測定光源及び観察光源との間の光路中に配置され、測定光の一部を透過し一部を反射すると共に前記照明光のほぼ全体を反射するダイクロイックミラーにより構成され、前記測定光が試料上に形成する光スポットからの反射光の一部は前記対物レンズ及びカップリング素子を経て観察光学系の撮像装置に入射し、
前記撮像装置は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳されたTSV基板の2次元画像を撮像することを特徴とする厚さ測定装置。 - 請求項6に記載の厚さ測定装置において、前記測定光及び照明光は、TSV基板の第2の表面に向けて投射され、前記測定光により形成される光スポットは、TSV電極の底部上に位置決めされて、TSV基板の第2の表面からTSV電極の底部までの厚さないし距離が測定され、或いは、TSV基板の第1の表面側に形成された素子形成領域に位置決めされて、TSV基板の第2の表面から素子形成領域までの厚さないし距離が測定されることを特徴とする厚さ測定装置。
- 請求項7に記載の厚さ測定装置において、前記信号処理装置の第1の演算手段は、前記第1及び第2の変位センサからの出力信号と、これら変位センサ間の間隔情報とを用いて、貼り合わせ基板の全体の厚さd1を算出することを特徴とする厚さ測定装置。
- 請求項8に記載の厚さ測定装置において、前記第4の演算手段は、第1の演算手段から出力される貼合わせウェハ全体の厚さd1と、第2の演算手段から出力される貼合わせウェハの厚さd2との差分を求め、得られた差分をサポート基板と接着剤層の厚さd4として出力することを特徴とする厚さ測定装置。
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