KR101270417B1 - 금속의 화학 기계적 연마를 위한 신규한 슬러리 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 통상적으로 집적 회로의 제조에서 유용한 금속을 제거하고 특히 귀금속의 화학 기계 연마를 위한 슬러리는 과요오드화산, 연마제, 및 버퍼 시스템을 조합함으로써 형성될 수 있고, 슬러리의 pH가 약 4 내지 약 8 사이이다.

Description

금속의 화학 기계적 연마를 위한 신규한 슬러리{NOVEL SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF METALS}
본 발명은 마이크로전자 공정 분야, 및 더욱 구체적으로 금속의 화학-기계 연마를 위한 슬러리 및 방법에 관한 것이다.
마이크로전자 디바이스의 제조는 규소 또는 다른 반도체 웨이퍼 내 및 상의 트랜지스터, 다이오드 및 캐패시터와 같은 다중 전자 디바이스의 제조, 및 상기 디바이스와 금속 라인, 플러그 및 바이어(via)와의 상호연결을 수반한다.
마이크로전자 디바이스의 제조 동안, 수많은 상이한 물질의 층이 서로 교대로 침착되고, 이어서 부분적으로 제거된다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼 같은 기판 상의 층의 제거를 위한 하나의 기법은 당분야에 화학-기계적인 연마(CMP)로서 공지되어 있다. CMP 조작에서는, 금속층과 같은 층 위에 CMP 슬러리가 적용되며, 이 슬러리는 화학적 기능 및 기계적 기능을 모두 수행한다.
화학적으로, 상기 슬러리는 통상적으로 금속층으로부터 전자를 제거함으로써 상기 금속층을 산화시킬 수 있는 산화제를 포함한다. 이어서, 형성된 산화된 필름 은 CMP 공정에 의해 제거될 수 있다.
기계적으로, 상기 종류의 슬러리는 또한 실리카(SiO2) 또는 세리아(CeO2) 같은 연마제를 포함한다. 연마제의 목적은, 연마 패드가 상기 산화된 필름에 압착되어 필름 상에서 움직이는 경우 산화된 필름을 마모시켜 상기 필름을 제거하는 것이다.
산화된 필름이 제거되고 나면, 새롭게 노출된 금속은 다시 산화되어 또 다른 산화된 필름을 형성하고, 상기 필름은 다시 연마제를 사용하여 제거될 것이다. 금속층이 필요한 두께(depth)로 제거될 때까지 상기 공정을 계속한다. 그러나, 귀금속 같은 화학적으로 안정적이고 기계적으로 경질인 물질의 경우, 이러한 필름을 산화시키는 것은 더욱 어려울 수 있다. 따라서, 귀금속의 경우, CMP 공정에서 사용된 전형적인 슬러리로 디바이스로부터 이러한 층을 제거할 수 없다.
CMP 슬러리의 사용에 관련된 또 다른 난점은 상기 슬러리는 통상적으로 약 3 미만인 pH 값을 갖는다는 것이다. 약 3 미만의 pH 값을 갖는 슬러리는 부식성인 경향이 있고, 화학-기계 연마 작동에서 사용되는 연마 설비에 손상을 야기할 수 있다.
또한, 2 미만의 pH 값을 갖는 슬러리는 유해 물질로 간주되고, 따라서 실질적으로 제조 원가를 증가시키는 특별 취급 과정이 필요하다. 예를 들어, 약 pH 2에서 산화되는 경우 루테늄은 독성이며 폭발성일 수 있는 RuO4를 형성할 수 있다. 추가적으로, pH가 낮은 슬러리는 연마 장치와 쉽게 반응하고, 연마 장치의 부식을 야기한다. 따라서, 이러한 pH가 낮은 슬러리는 집적 회로 공정에서 필름을 제조과 정에서 화학 기계적으로 연마하기에 부적합한 것으로 밝혀졌다.
따라서, 귀금속 같은 금속의 화학 기계 연마를 위해 개선된 슬러리에 대한 필요성이 존재한다. 본 발명은 이러한 슬러리 및 이와 연관된 방법 및 구조체를 제공한다.
본 명세서는 본 발명으로 간주되는 것을 구체적으로 지목하고 명백하게 주장하는 청구의 범위로 결론짓지만, 본 발명의 이점은 하기의 본 발명의 설명을 첨부된 도면과 관련하여 해석하는 경우 보다 쉽게 확인될 수 있을 것이다:
도 1a 내지 1f는 본 발명의 방법 중의 하나의 실시양태를 수행하는 경우 형성될 수 있는 구조체의 단면도를 나타낸다.
도 2a 내지 2f는 본 발명의 방법 중의 또 다른 실시양태를 수행하는 경우 형성될 수 있는 구조체의 단면도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 하나의 실시양태에 따른 방법의 흐름도를 나타낸다.
하기의 상세한 설명에서, 본 발명을 수행할 수 있는 특정 실시양태는 예시적으로 개시된 첨부된 도면을 참조한다. 이러한 실시양태는, 당분야의 숙련자들이 본 발명을 수행할 수 있게 하기 위해 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시양태는 상이함에도 불구하고, 필수적으로 상호 배타적이지 않는 것으로 이해된다. 예를 들어, 실시양태와 연관되어 본원에서 설명된 특정 특징부, 구조체, 또는 특징은 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어남 없는 다른 실시양태들 내에서 구현될 수 있다. 또한, 개시된 각각의 실시양태 내에서 개별적인 요소의 위치 또는 배열은 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어남 없이 변경될 수 있음을 이해하여야 한다. 따라서, 하기의 상세한 설명은 제한하는 의미로 간주되지 않으며, 본 발명의 범위는 오직 청구의 범위에 청구된 모든 범위의 등가물과 함께 적합하게 해석된 오직 첨부된 청구의 범위에 의해 정의된다. 도면에서, 동일한 숫자는 여러 개의 도면에서 동일하거나 유사한 상관관계를 나타낸다.
금속을 제거하기 위한 슬러리 및 방법을 기술한다. 상기 슬러리는 과요오드화산(HIO4), 연마제, 및 버퍼(buffer) 시스템을 조합함으로써 형성되되, 상기 슬러리의 pH는 약 4 내지 약 8 사이에서 유지될 수 있다. 본 발명의 슬러리 및 방법은 마이크로전자 디바이스의 제조에서 통상적으로 사용되는 금속 상호연결 구조체 또는 금속 게이트 전극을 형성하기 위해 사용될 수 있지만, 본 발명의 슬러리 및 방법은 또한 마이크로전자 디바이스의 제조에서의 다른 공정뿐만 아니라 마이크로전자 디바이스 공정 이외의 다른 분야에서도 사용될 수 있다.
본 발명과 관련된 화학 기계 연마를 위한 예시적인 슬러리는, 약 4 내지 약 8의 pH를 가지며, 바람직하게 약 6.7 내지 약 7.1이다. 본 실시양태의 슬러리는 연마제, 예를 들어 실리카, 세리아, 지르코니아 또는 알루미나, 또는 임의의 다른 적합한 연마제를 포함할 수 있다. 상기 슬러리는 연마제를 약 1 내지 30중량% 포함할 수 있고, 바람직하게 연마제를 약 1 내지 약 5중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 슬러리는 약 4 내지 약 8의 pH로 유지될 수 있으며, 가장 바람직하게 중성인 약 6.7 내지 약 7.1의 pH로 유지된다. 상기 슬러리는 pH를 안정화시키는 역할을 하는 버퍼 시스템의 사용으로 이러한 pH 범위로 유지될 수 있다. 상기 버퍼 시스템은 유기산 및 유기산의 염을 포함할 수 있다. 이러한 버퍼 시스템의 예는 아세트산/칼륨 아세테이트, 사이트르산/칼륨 사이트레이트, 카본산/칼륨 바이카보네이트, 및 인산/칼륨 포스페이트를 포함한다.
상기 슬러리는 산화제, 바람직하게 과요오드화산(HIO4)을 약 0.005M 내지 약 0.05M의 범위의 몰농도로 포함할 수 있다. 과요오드화산은, 예를 들어 루테늄과 같은 귀금속을 포함한 금속을 산화시킬 수 있는 아이오데이트 이온(IO- 4)을 공급한다. 루테늄의 경우, 슬러리의 아이오데이트 이온이 하기의 반응식에 따라 루테늄 층을 산화할 수 있다:
7Ru(s) + 4IO- 4 + 4H+ →7RuO2 + 2I2 + 2H2O
루테늄 산화물은 RuO2처럼 +4가의 산화 상태로 형성될 수 있다. 본 발명의 슬러리의 장점은, 슬러리가 중성 pH 근처로 유지되기 때문에 루테늄 층이 +4가의 산화 상태로 산화되는 반면에 종래 기술의 슬러리에서와 같이 낮은 pH로 유지되는 경우 형성된 루테늄 산화물은 RuO4와 같이 +8가의 산화 상태일 수 있다는 점에 있다. RuO4는 매우 폭발성이며 독성이어서, 마이크로전자 디바이스의 제조에서 부적합한 것으로 당분야의 숙련자들에게 공지되어 있다.
따라서, 본 실시양태의 슬러리는 대략 pH 4 내지 약 8이고, 연마제, 산화제로서 과요오드화산, 및 버퍼 시스템을 포함한다. 본 발명의 슬러리는 추가로 당분야에 공지된 바와 같이 부식 억제제로서 벤조트라이아졸을 포함할 수 있다. 이들 성분은 전형적으로 물과 함께 조합되어, 슬러리를 형성한다. 도 3은 단계 310에서 버퍼 시스템 및 연마제가 물에서 조합될 수 있는 흐름도를 보여준다. 단계 320에서 과요오드화산이 추가로 슬러리로 조합될 수 있고, 단계 330에서 부식 억제제가 추가로 슬러리로 조합될 수 있다. 단계 340에서, 예를 들어 세틸 트라이메틸, 암모늄 하이드록사이드(CTAOH), 또는 예를 들어 글루콜산, 에톡실레이트, 및 라우렐 에터와 같은 에톡실레이트 에터를 포함할 수 있는 4급 염과 같은 계면활성제가 추가로 조합되어 본 발명의 슬러리를 형성할 수 있다.
도 1a 내지 1f는 본 발명의 슬러리를 사용하여 화학 기계 연마 물질층에 의해 마이크로전자 구조체를 형성하는 방법의 실시양태를 예시한다. 도 1a는 당분야에 공지된 바와 같이, 층간 유전체층(ILD) 같은 유전체(101)를 포함할 수 있는 기판(100)의 일부를 예시한다. 기판(100)은 오목부(recess)(106)를 추가로 포함할 수 있다. 오목부(106)의 바닥부(109) 및 벽면(107) 상에 뿐만 아니라 기판(100)의 제 1 표면(108) 상에 접착층(102)이 형성될 수 있다. 접착층(102)으로서, 티타늄, 티타늄 질화물, 탄탈, 탄탈 질화물 및 그들의 조합 같이 다양한 물질이 사용될 수 있다. 접착층은 당분야에 공지된 다양한 침착 기법으로 형성될 수 있으므로, 본원에서 추가로 논의하지 않는다.
접착층(102)상에 배리어(barrier)층(104)이 위치될 수 있다. 상기 배리어층(104)은 귀금속 또는 귀금속 산화물을 포함할 수 있고, 루테늄 산화물, 루테늄, 레늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금, 및 금 및 그들의 조합을 포함할 수 있다. 배리어층(104)은, 당분야에 공지된 수많은 임의의 침착 공정, 예를 들면 당분야의 숙련가들에게 공지된 다양한 스퍼터 침착 기법을 사용하여 접착층(102) 상에 침착될 수 있다. 하나의 바람직한 실시양태에서, 배리어층(104)은 루테늄 산화물층을 포함하고, 따라서 심지어 보이드가 상호연결 구조체에서 형성되는 경우에도 상호연결 구조체 같은 마이크로전자 구조체를 작용성으로 유지케하는 전도 경로를 제공함으로써 분로(shunt)로서 역할을 할 수 있다.
배리어층(104)은 또한 배리어층(104) 상에 형성될 수 있는 금속층(110)에 대한 시드층(seed layer)으로서 역할할 수 있다(도 1b). 금속층(110)은 당분야에 잘 공지된 다양한 전기도금 기법을 사용하여 전기도금될 수 있거나, 증기침착 방법을 사용하여 형성될 수 있다. 배리어층(104)은 금속층(110)으로부터 외부확산에 대한 배리어로서 추가로 작용할 수 있다. 금속층(110)은 바람직하게 구리를 포함할 수 있거나, 다른 금속(예를 들어, 텅스텐)으로 구성될 수 있다.
도 1c에서 개시된 바와 같이, 이어서 금속층(110) 상에 상술한 종류의 슬러리(114)가 적용된다. 하나의 실시양태에서, 슬러리(114)는 약 0.01 내지 약 0.06의 몰농도의 과요오드화산, 및 사이트르산 버퍼 시스템을 포함할 수 있다. 슬러리의 pH는 약 4 내지 약 8로 유지될 수 있고, 바람직하게 약 6.8 내지 약 7.1 사이이다. 잘 알려진 바와 같이, 전형적인 화학 기계 연마 공정 동안, 본 발명의 슬러리(114)와 같은 슬러리로 코팅된 연마 패드로 덮힌 회전 테이블 상에 면하게 웨이퍼가 위치될 수 있다. 회전가능한 샤프트에 부착될 수 있는 캐리어를 사용하여 웨이퍼의 배면에 대해 아래쪽으로 힘을 적용한다. 아래쪽으로 힘을 적용하고 웨이퍼를 회전시킴과 동시에 상부 슬러리를 갖는 패드를 회전시킴으로써, 본 발명의 금속층(110)과 같은 얇은 필름의 표면에서 목적량의 물질을 제거할 수 있다.
화학 기계 연마 공정 동안 형성된 금속층(110)의 산화된 부분(112)은 전술된 방식으로 화학 기계 연마 동안 제거될 수 있다. 당분야의 숙련가들은, 상기 슬러리가 실리카, 지르코니아, 알루미나 및/또는 세리아와 같은 연마제를 산화된 부분(112)의 제거를 돕기에 충분한 양으로 추가로 포함할 수 있다는 것을 인식할 것이다.
본 실시양태에서, 약 1.5psi의 가압력(down force), 약 150rpm의 웨이퍼 회전 속도, 및 약 60ccm의 슬러리 유동 속도가 화학 기계 연마 공정 동안 적용될 수 있다. 화학 기계 연마 공정의 다양한 파라미터는 구체적인 용도에 따라서 변화될 수 있다. 구리 금속을 포함한 금속층(110)의 제거 속도는 현 실시양태에서 약 250 내지 약 800Å/분일 수 있다. 도 1d에서 개시된 바와 같이, 화학 기계 연마 공정이 계속되어, 금속층(110)이 실질적으로 제거되고 그 밑의 배리어층(104)이 노출된다(도 1d).
도 1e에서 개시된 바와 같이, 노출된 배리어층(104)에 슬러리(114)가 적용될 수 있다. 상기 단계에서 슬러리(114)는 약 0.004 내지 약 0.006 몰농도의 과요오드화산, 사이트르산 버퍼 시스템, 약 1.5psi의 가압력, 약 150rpm의 웨이퍼 회전 속도, 및 약 60ccm의 슬러리 유동 속도로 이루어질 수 있다. 슬러리의 pH는 약 4 내지 약 8로 유지될 수 있고, 바람직하게 약 6.8 내지 약 7.1이다. 루테늄, 또는 루테늄 산화물 물질을 포함하는 배리어층(104)의 제거 속도는 이 실시양태에서 약 900 내지 약 1500Å/분일 수 있다. 당분야의 숙련자들은 슬러리(114)의 pH가 감소됨에 따라 루테늄 물질을 포함하는 배리어층(104)의 제거 속도가 증가되는 경향이 있다는 것을 이해할 것이다. 도 1f에서 개시된 바와 같이 배리어층(104)이 제거될 때까지 화학 기계 연마 공정을 반복한다.
또 다른 실시양태에서, 슬러리는 약 0.01 내지 약 0.06 몰농도의 과요오드화산을 포함할 수 있다. 슬러리의 pH는 약 4 내지 약 8에서 유지될 수 있고, 바람직하게 약 6.8 내지 약 7.1이다. 상기 경우, 루테늄 물질을 포함하는 배리어층의 에칭 속도는 약 1,000Å/분 이상일 수 있다.
따라서, 당분야에 잘 공지된 전도성 상호연결 구조체 같은 마이크로전자 구조체(도 1f)는 본 발명의 슬러리 및 방법을 사용하여 형성될 수 있다.
도 2a 내지 2f는 본 발명의 슬러리를 이용하여 화학 기계 연마 물질층에 의해 마이크로전자 구조체를 형성하는 방법의 또 다른 실시양태를 예시한다. 도 2a는 기판(200)의 일부를 예시한 것으로, 상기 기판은 당분야에 잘 공지된 바와 같이 층간 유전체층(ILD) 같은 유전체(201)를 포함할 수 있다. 기판(200)은 오목부(206)를 추가로 포함할 수 있다.
오목부(206)의 바닥부(207)상에 유전층(203)이 위치될 수 있다. 유전층(203)은 당분야에 잘 공지된 바와 같이 게이트 유전층일 수 있다. 유전층(203)은 또한 높은 k 유전층을 포함할 수 있고, 하프늄 산화물, 하프늄 규소 산화물, 란탄 산화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 규소 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈 산화물, 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 바륨 티타늄 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈 산화물, 및 납 아연 니오베이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 구성될 수 있다.
오목부(206)의 유전층(203) 상뿐만 아니라 벽면(207) 상 및 기판(200)의 제 1 표면(208) 상에 일 함수층(work function layer)(204)이 위치될 수 있다. 일 함수층(204)은 루테늄, 루테늄 산화물, 티타늄 질화물, 티타늄, 알루미늄, 티타늄 탄화물, 알루미늄 질화물, 및 그들의 조합을 포함할 수 있다.
일 함수층(204)은 당분야에 잘 알려진 바와 같이 다양한 침착 기법을 사용하여 형성될 수 있다. 일 함수층(204)은 바람직하게 일 함수층(204)에 첨가될 수 있는 불순물을 포함할 수 있되, 이는 일 함수층(204)의 일 함수을 높이거나 낮출 수 있다. 상기 불순물은 이온 주입법 또는 원위치(in situ) 도핑 기법 같은 당분야에 잘 공지된 다양한 도핑 기법을 사용하여 일 함수층(204)에 첨가될 수 있다. 이러한 불순물은 란탄족 금속, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 스칸듐, 지르코늄, 하프늄, 알루미늄, 티타늄, 탄탈, 니오븀, 텅스텐, 질소, 염소, 산소, 불소, 및 브롬을 포함할 수 있다. 일 함수층(204)에 포함될 수 있는 불순물의 양은 용도에 따라 변할 수 있지만, 바람직하게는 약 0.1 eV 이상으로 일 함수층의 일 함수를 변환시키기에 충분한 양이다.
일 함수층(204) 상에 충전 금속층(210)이 위치될 수 있다(도 2b). 충전 금속층(210)은 구리, 티타늄, 티타늄 질화물, 텅스텐 및 그들의 조합을 포함할 수 있지만, 또한 다른 전도성 물질을 포함할 수도 있다. 하나의 실시양태에서, 충전 금속층은 구리 물질을 포함할 수 있다.
슬러리(214)가 충전 금속층(210)에 적용되어 충전 금속층(210)의 산화된 부분(212)을 제거할 수 있다(도 2c). 하나의 실시양태에서, 슬러리는 약 0.01 내지 약 0.06 몰농도의 과요오드화산, 및 사이트르산 버퍼 시스템을 포함할 수 있다. 슬러리의 pH는 약 4 내지 약 8에서 유지될 수 있고, 바람직하게 약 6.8 내지 약 7.1 사이이다. 이 실시양태에서 구리 금속을 포함한 충전 금속층(210)의 제거 속도는 약 250 내지 약 800Å/분일 수 있다.
충전 금속층(210)의 제거 시, 그 밑의 일 함수층(204)이 노출된다(도 2d). 일 함수층(210)에 슬러리(214)가 적용되어 일 함수층(204)의 산화된 부분(210)을 제거할 수 있다(도 2e). 하나의 실시양태에서, 슬러리는 약 0.004 내지 약 0.006 몰농도의 과요오드화산, 및 사이트르산 버퍼 시스템을 포함할 수 있다. 슬러리의 pH는 약 4 내지 약 8에서 유지될 수 있고, 바람직하게 약 6.8 내지 약 7.1 사이이다. 이 실시양태에서 루테늄 또는 루테늄 산화물 물질을 포함하는 일 함수층(210)의 제거 속도는 약 900 내지 약 1500Å/분일 수 있다.
전술한 슬러리를 이용하는 또 다른 실시양태에서는, 티타늄 질화물 및 알루미늄 질화물 물질을 포함하는 일 함수층이 약 500 내지 약 700Å/분의 제거 속도로 제거될 수 있다.
전술한 슬러리를 이용하는 또 다른 실시양태에서는, 티타늄 알루미늄 물질을 포함하는 일 함수층이 약 150 내지 약 350Å/분의 제거 속도로 제거될 수 있다.
또 다른 실시양태에서, 슬러리는 약 0.01 내지 약 0.06 몰농도의 과요오드화산, 및 사이트르산 버퍼 시스템을 포함할 수 있다. 슬러리의 pH는 약 4 내지 약 8에서 유지될 수 있고, 바람직하게 약 6.8 내지 약 7.1 사이이다. 이 실시양태에서 루테늄 또는 루테늄 산화물 물질을 포함한 일 함수층(210)의 제거 속도는 약 1000Å/분 이상일 수 있다.
따라서, 유전층(203) 상에 위치된 일 함수층(104) 상에 위치된 충전 금속층(210)을 포함하는 금속 게이트 구조체가 형성될 수 있다(도 2f). 상술한 바와 같이, 본 발명은 슬러리, 및 본 발명의 슬러리를 이용하여 마이크로전자 디바이스를 형성하는 방법 및 관련된 구조체를 제공한다. 본 발명의 슬러리, 방법 및 구조체는 마이크로전자 디바이스에서 루테늄 같은 귀금속을 제거할 수 있다.
상술한 설명이 본 발명의 방법에서 사용될 수 있는 특정 단계 및 물질을 언급하고 있지만, 당분야의 숙련가들은 많은 변형 및 치환이 이루어질 수 있음을 인식할 것이다. 따라서, 이러한 모든 변형, 변경, 치환 및 부가는 첨부된 청구의 범위에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 정신 및 범위에 해당하는 것으로 간주되는 것으로 의도된다. 또한, 마이크로전자 디바이스를 제조하기 위한 규소 기판 같은 기판 상에 다층 구조체의 제조는 당분야에 잘 공지된 것으로 인식된다. 따라서, 본원에서 제공된 도면은 단지 본 발명의 수행과 관련된 예시적인 마이크로전자 디바이스의 일부만을 예시하는 것으로 인식된다. 따라서, 본 발명은 본원에 개시된 구조체로 한정되지 않는다.

Claims (35)

  1. 연마제 및 과요오드화산을 포함하는 슬러리로서, pH가 7.1 내지 8인 슬러리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    부식 억제제를 추가로 포함하는 슬러리.
  3. 제 2 항에 있어서,
    부식 억제제가 1-벤조트라이아졸(BTA)인 슬러리.
  4. 제 1 항에 있어서,
    유기산 및 유기산의 염을 포함하는 버퍼 시스템을 추가로 포함하는 슬러리.
  5. 제 4 항에 있어서,
    유기산이 사이트르산, 아세트산, 카본산, 옥살산 및 아스코르브산을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 슬러리.
  6. 제 4 항에 있어서,
    유기산의 염이 칼륨 사이트레이트, 칼륨 아세테이트, 칼륨 바이카보네이트, 칼륨 옥살레이트 및 칼륨 아스코르베이트를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 슬러리.
  7. 제 1 항에 있어서,
    과요오드화산을 0.005 내지 0.05M 몰농도로 포함하는 슬러리.
  8. 제 1 항에 있어서,
    연마제가 실리카, 알루미나, 지르코니아 및 세리아를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 슬러리.
  9. 제 1 항에 있어서,
    계면활성제를 추가로 포함하는 슬러리.
  10. 제 9 항에 있어서,
    계면활성제가 세틸 트라이메틸 암모늄 하이드록사이드(CTAOH)를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 슬러리.
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