JP2009032807A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁膜1bに配線溝及び配線孔を形成し、バリアメタル2bを成膜した後、銅層3bを配線溝及び配線孔に埋め込むように形成する。次に、CMP法により表面を平坦化して銅配線層を形成する。この際、CMP用のスラリーに異種金属を有する水溶性金属化合物を添加してCMPを行う。次に、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、銅配線層の表面に、異種金属が添加された銅層9bを形成する。その後、異種金属が添加された銅層9bを覆うようにバリア絶縁膜5bを形成する。
【選択図】図1
Description
2a、2b;バリアメタル
3a、3b;銅層
4a、4b;バリア絶縁膜
5a、5b;バリア絶縁膜
7a、7b;メタルキャップ膜
9a、9b;異種金属が添加された銅層
11b;金属化合物
12b;金属化合物を含む水溶液
13b;金属化合物が付着した銅層
21;絶縁膜
22;エッチストップ膜
23;配線間絶縁膜
24;ハードマスク(リジットSiOCH膜)
25;ハードマスク(SiO2膜)
26;バリアメタル
27;Cu
28;Ti膜
29;バリア絶縁膜
30;ビア配線層間絶縁膜
31;配線間絶縁膜
32;ハードマスク(リジットSiOCH膜)
33;ハードマスク(SiO2膜)
34;バリアメタル
35;Cu
36;Ti膜
37;バリア絶縁膜
38;カバー絶縁膜
51、52;ペルオキソ酸チタン化合物
61、62;チタン化合物が付着したCu
71、72;チタンが添加されたCu
Claims (9)
- 基板上に形成された絶縁膜に埋め込まれた銅含有金属配線層の表面を水溶性金属化合物を含む研磨液を使用して化学機械研磨することにより、前記銅含有金属配線層の表面に前記水溶性金属化合物を付着させる工程と、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記銅含有金属配線層の表面に前記水溶性金属化合物を構成する金属元素を含むメタルキャップ層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板上に形成された絶縁膜に埋め込まれた銅含有金属配線層の表面を、水溶性金属化合物を含む水溶液で処理することにより、前記銅含有金属配線層の表面に前記水溶性金属化合物を付着させる工程と、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記銅含有金属配線層の表面に前記水溶性金属化合物を構成する金属元素を含むメタルキャップ層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板上に形成された絶縁膜に埋め込まれた銅含有金属配線層の表面を第1の水溶性金属化合物を含む研磨液を使用して化学機械研磨することにより、前記銅含有金属配線層の表面に前記第1の水溶性金属化合物を付着させる工程と、その後、前記銅含有金属配線層の表面を第2の水溶性金属化合物を含む水溶液で処理することにより、前記第1の水溶性金属化合物を付着させた銅含有金属配線層の表面に前記第2の水溶性金属化合物を付着させる工程と、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記銅含有金属配線層の表面に前記第1の水溶性金属化合物を構成する第1の金属元素及び前記第2の水溶性金属化合物を構成する第2の金属元素を含むメタルキャップ層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記水溶性金属化合物を構成する前記金属元素は、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、錫(Sn)、ニッケル(Ni)、アルミ(Al)及びコバルト(Co)からなる群から選択された少なくとも1種の金属元素であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記水溶性金属化合物は、ペルオキソ酸チタン、ペルオキソグリコール酸チタン、りんご酸チタン、トリエタノールアミンチタン、酢酸ジルコニル、炭酸ジルコニウムアンモニウム及びジルコニウムアミノカルボン酸からなる群から選択された少なくとも1種の金属化合物であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記銅含有金属配線層の表面を前記水溶液で処理する前に、カルボン酸系洗浄液にて前記水溶液処理が行われる表面を洗浄する工程を有することを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、炭素(C)濃度が10原子%以上の疎水性有機シリカ(SiOCH)であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記銅含有金属配線層を形成する工程は、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、この開口部を含む前記絶縁膜の表面に銅の拡散を防止するバリアメタル膜を成膜する工程と、前記バリアメタルの上に銅含有金属層を前記開口部内に埋め込むように成膜する工程と、化学機械研磨法によって前記絶縁膜の表面が露出するように研磨して前記開口部以外の余剰な前記銅含有金属層及び前記バリアメタル膜を除去することにより表面を平坦化する工程と、を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
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---|---|---|---|---|
JP2005015885A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Ebara Corp | 基板処理方法及び装置 |
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2007
- 2007-07-25 JP JP2007193594A patent/JP2009032807A/ja active Pending
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