KR101267652B1 - 라미네이트형 전지의 가압 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 과제는 라미네이트형 전지의 하부에 위치하는 열 융착부에 발생하는 좌굴을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것이다.
그 평면이 연직 방향을 따라서 배치된 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 라미네이트형 전지(1)를 수납하고, 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 접촉시켜서 가압하는 라미네이트형 전지(1)의 가압 장치이며, 수납된 라미네이트형 전지(1)의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)의 하단부와 접촉함으로써 라미네이트형 전지(1)를 지지하는 지지 수단(17)과, 스페이서판 중 라미네이트형 전지와 대향하는 면의 하단부 부근에 설치되어 열 융착부(3a)를 향해 돌출하는 돌출부(18)를 갖는다.

Description

라미네이트형 전지의 가압 장치{PRESSURIZING APPARATUS OF LAMINATE TYPE BATTERY}

본 발명은 라미네이트형 전지의 가압 장치에 관한 것이다.

2매의 기판을 접합해서 구성되는 셀을 스페이서판 사이에서 가압하고, 셀에 설치된 액정 주입구로 액정을 주입하고, 주입구에 접착제를 도포해서 경화시키는 액정 패널의 제조 방법이며, 서로 연결된 스페이서판 사이에 셀을 삽입해서 복수의 셀을 동시에 가압하는 것이 있다(특허 문헌 1 참조).

일본 특허 출원 공개 평2-146520호 공보

그러나 이 액정 패널의 제조 방법을 라미네이트형 전지의 스크리닝에 그대로 적용할 수는 없다. 즉, 라미네이트형 전지의 외주에 형성되는 열 융착부는, 2매의 라미네이트 필름을 열 융착만시킨 것이므로, 유연하다. 이로 인해, 종래 기술을 이용하여 연직 방향에 위치시킨 인접하는 2개의 스페이서판 사이에 라미네이트형 전지를 연직 방향으로 수납하여 고정할 때, 라미네이트형 전지의 하부에 위치하는 열 융착부에 좌굴이 발생해서 연직 방향의 위치 어긋남이 일어날 우려가 있다. 연직 방향의 위치 어긋남이 일어나면, 가압한 상태에서의 라미네이트형 전지의 전압을 정확하게 계측할 수 없다.

그래서 본 발명은, 라미네이트형 전지의 하부에 위치하는 열 융착부에 발생하는 좌굴을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 라미네이트형 전지의 가압 장치는, 그 평면이 연직 방향을 따라서 배치된 인접하는 2개의 스페이서판 사이에 라미네이트형 전지를 수납하고, 스페이서판과 라미네이트형 전지의 발전 요소 부분을 접촉시켜 가압하는 라미네이트형 전지의 가압 장치이다. 또한, 라미네이트형 전지의 하부에 위치하는 열 융착부의 하단부와 접촉함으로써 라미네이트형 전지를 지지하는 지지 수단과, 스페이서판 중 라미네이트형 전지와 대향하는 면의 하단부 부근에 설치되어 열 융착부를 향해 돌출하는 돌출부를 갖고 있다.

본 발명에 따르면, 인접하는 2개의 스페이서판 사이에 라미네이트형 전지를 수납할 때에는, 라미네이트형 전지의 하부에 있는 열 융착부와 스페이서판 사이의 공간이 돌출부가 있는 만큼만 좁아져 있다. 게다가, 라미네이트형 전지의 수납 후에 스페이서판과 라미네이트형 전지의 발전 요소 부분을 접촉시키는 공정에서는, 라미네이트형 전지의 하부에 있는 열 융착부의 양측으로부터 한 쌍의 돌출부가 당해 열 융착부를 향해 밀어 올린다. 이에 의해, 라미네이트형 전지의 하부에 있는 열 융착부가 연직되지 않고 다소 구부러져 있었다고 해도, 이 구부러져 있는 열 융착부에 돌출부로부터의 힘이 가해지므로, 구부러지기 전의 상태로 복귀된다. 즉, 라미네이트형 전지의 하부에 있는 열 융착부가, 스페이서판의 하단부 부근에 마련한 돌출부에 의해 확실히 보유 지지되므로, 라미네이트형 전지의 하부에 있는 열 융착부의 좌굴을 효과적으로 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 가압 장치에 사용되는 라미네이트형 전지의 개략도이다.
도 2는 제1 실시 형태의 가압 장치의 개략 정면도이다.
도 3은 도 2의 (A)의 X-X선 단면도이다.
도 4는 도 3의 일부를 확대한 단면도이다.
도 5는 도 2의 (A)의 일부를 확대한 정면도이다.
도 6은 도 2의 (B)의 일부를 확대한 정면도이다.
도 7은 스페이서판의 슬라이드 기구를 설명하기 위한 개략 사시도이다.
도 8은 제2 실시 형태의 연결 기구의 일부를 확대한 단면도이다.
도 9는 제3 실시 형태의 가압 장치의 개략 정면도이다.
도 10은 도 9의 (A)의 X-X선 단면도이다.
도 11은 리테이닝 링의 개략 사시도이다.

이하, 도면 등을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 또, 도면의 치수 비율은, 설명의 사정상 과장하고 있는 부위가 있어, 그 부위에 있어서는 실제의 비율과 다르다.

(제1 실시 형태)

우선, 본 실시 형태의 가압 장치(11)에 사용되는 리튬 이온 2차 전지(1)에 대해서 설명한다. 도 1은 리튬 이온 2차 전지(1)의 개략도이다. 이 중, 도 1의 (A)는 리튬 이온 2차 전지(1)의 개략 사시도, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 B-B선 단면도이다.

도 1의 (A), (B)에 도시한 바와 같이, 리튬 이온 2차 전지(1)는 실제로 충방전 반응이 진행되는 대략 박판 형상의 발전 요소(2)가, 전지 외장재인 라미네이트 필름(3)의 내부에 밀봉된 구조를 갖는다. 상세하게는, 고분자-금속 복합 라미네이트 필름을 전지 외장재로서 사용하여, 그 주변부를 열 융착에 의해 접합함으로써, 발전 요소(2)를 수납하여 밀봉한 구성을 가지고 있다. 여기서 고분자-금속 복합 라미네이트 필름으로서는, 금속 필름을 고분자 필름(수지 필름)으로 샌드위치한 3층 구조의 것이 일반적이다.

이러한 적층형의 전지(1)는, 통형 전지와 구분하기 위해「라미네이트형 전지」라 일컬어진다. 통형 전지는 시판되고 있는 단1 전지나 단3 전지와 같이 단단한 원통 형상의 외측 프레임 안에 2개의 각 전극이 말려 들어가게 하여 수납되어 있는 것이다. 한편, 라미네이트형 전지라 함은, 대략 박판 형상의 발전 요소(2)의 주변부를 열 융착에 의해 접합함으로써, 발전 요소를 밀봉한 것을 말한다. 이하에서는, 리튬 이온 2차 전지(1)를,「라미네이트형 전지」라고도 한다.

발전 요소(2)는 박판 형상의 정극 집전체(4a)의 양면에 정극 활물질층(4b)을 배치한 정극(4)과, 전해질층(5)과, 박판 형상의 부극 집전체(6a)의 양면에 부극 활물질층(6b)을 배치한 부극(6)을 적층한 구성을 가지고 있다. 구체적으로는, 1개의 정극 활물질층(4b)과 이에 인접하는 부극 활물질층(6b)이, 전해질층(5)을 거쳐 대향하도록 하여 정극(4), 전해질층(5), 부극(6)을 이 순서대로 적층하고 있다.

이에 의해, 인접하는 정극(4), 전해질층(5) 및 부극(6)은, 하나의 단전지층(7)(단전지)을 구성한다. 따라서, 본 실시 형태의 라미네이트형 전지(1)는, 단전지층(7)을 적층함으로써, 전기적으로 병렬 접속된 구성을 갖는다고도 할 수 있다. 또한, 단전지층(7)의 외주에는, 인접하는 정극 집전체(4b)와 부극 집전체(6b) 사이를 절연하기 위한 시일부(절연층)를 마련해도 좋다. 발전 요소(2)의 양 최외층에 위치하는 최외층 정극 집전체(4a)에는, 모두 한쪽 면에만 정극 활물질층(4b)을 배치하고 있다. 또, 도 1의 (B)와는 정극 및 부극의 배치를 반대로 함으로써, 발전 요소(2)의 양 최외층에 최외층 부극 집전체가 위치하도록 하고, 상기 최외층 부극 집전체의 한쪽 편에만 부극 활물질층을 배치하도록 해도 좋다.

정극 집전체(4a) 및 부극 집전체(6a)에는, 각 전극(정극 및 부극)과 도통하는 강전(强電) 탭(8, 9)를 부착하고, 라미네이트 필름(3)의 단부에 협지되도록 라미네이트 필름(3)의 외부로 도출하게 되어 있다. 강전 탭(8, 9)는, 필요에 따라서 부극 단자 리드(도시하지 않음) 및 정극 단자 리드(도시하지 않음)를 거쳐, 각 전극의 정극 집전체(4a) 및 부극 집전체(6b)에 초음파 용접이나 저항 용접에 의해 부착해도 좋다.

또, 리튬 이온 2차 전지의 다른 형태로서는, 집전체의 한쪽 면에 정극 활물질층을, 다른 쪽 면에 부극 활물질층을 형성하고 있는 쌍극형 전극을, 전해질층을 사이에 두고 적층한 쌍극형 2차 전지를 들 수 있다. 상기 전지(1)와 이 쌍극형 2차 전지는, 양쪽 전지 내의 전기적인 접속 상태(전극 구조)가 다른 것을 제외하고는, 기본적으로는 같다.

이러한 구성의 라미네이트형 전지(1)를 제조한 다음의 공정은 충전 공정이다. 충전 공정에서, 복수의 라미네이트형 전지(1)는 한쪽의 강전 탭(8)에 플러스 단자가, 다른 쪽의 강전 탭(9)에 마이너스 단자가 접속되고, 충전기에 의해 원하는 전압이 될때까지 충전된다.

충전이 종료된 라미네이트형 전지(1)에 대해서는, 에이징의 행정을 행한다. 에이징의 공정은, 라미네이트측 전지(1)를 일정 온도로 일정 시간 방치함으로써 전지 성능을 안정시키는 공정과, 전지 내부에 금속 이물질(콘터미네이션 : 오염)이 있는지의 여부를 검출(진단)하는 스크리닝의 공정으로 나뉜다.

스크리닝의 공정이 필요해지는 이유는 다음과 같다. 정극 활물질층(4b)과 부극 활물질층(6b) 사이에는 양자를 절연하기 위한 세퍼레이터(도시하지 않음)를 설치하고 있다. 세퍼레이터는 다공질 형상이며, 이 세퍼레이터에 전해질을 포함시키고 있다. 이 경우에, 전지 제조 공정에 있어서 금속 이물질이 정극 활물질층(4b)에 섞여 드는 경우가 있다. 이 금속 이물질은 전지 충전 후에 플러스 전하를 갖는 금속 이온이 되어 부극 활물질층(6b) 측으로 천천히 이동하고, 상기 세퍼레이터를 찢어서 정극 활물질과 부극 활물질을 쇼트(short)시키는 사태가 발생한다. 이렇게 되면, 라미네이트형 전지(1)는 원하는 전압을 발생할 수 없다. 그래서, 라미네이트형 전지(1)의 내부에 금속 이물질이 섞여 들었는지의 여부를 검출(진단)하는 스크리닝이 필요해지는 것이다.

금속 이물질에 의해 정극 활물질과 부극 활물질이 쇼트(short)했는지의 여부는 한 쌍의 강전 탭(8, 9) 사이의 전압을 모니터하면 알 수 있다. 즉, 충전 종료 후에 일정 시간이 경과해도, 라미네이트형 전지(1)의 발생하는 전압의 저하 정도가, 예상되는 전압 저하의 정도보다 크게 변화되지 않으면, 금속 이물질은 혼입되고 않았다고 진단할 수 있다. 이 반대로, 충전 종료 후에 일정 시간이 경과되었을 때의 전압의 저하 정도가, 예상되는 전압 저하의 정도를 초과해서 크게 변화되어 있으면, 금속 이물질이 혼입되었다고 진단할 수 있다.

스크리닝은, 연직 방향에 위치시킨 인접하는 2개의 스페이서판 사이에 연직 방향에 라미네이트형 전지(1)를 수납하고, 전체를 수평 방향의 양측으로부터 가압함으로써 행하고 있다. 이 경우, 각 라미네이트형 전지(1)는, 그 발전 요소 부분에 좌우 방향의 양측으로부터 작용하는 면압이, 가능한 한 균일한 상태로 보유 지지될 필요가 있다. 발전 요소 부분에 좌우 방향의 양측으로부터 작용하는 면압이 균일하지 않으면, 충전 후의 전압을 정확하게 계측할 수 없기 때문이다. 요는, 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분에 있어서 면압이 상대적으로 낮은 부분에서는, 전극 간의 간극이 커져, 그것이 저항이 되어 원하는 전압을 발생할 수 없게 되기 때문이다. 여기서, 라미네이트형 전지(1)의「발전 요소 부분」이라 함은, 도 6에 도시한 바와 같이, 라미네이트형 전지(1) 중 좌우의 양면이 평행해지고 있는 부분인 것이다.

각 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분에 좌우 방향의 양측으로부터 작용하는 면압을 균일하게 하기 위해서는, 복수의 라미네이트형 전지(1)에 있어서의 발전 요소 부분의 위치가, 수평 방향으로 늘어서 있는 복수의 라미네이트형 전지(1) 사이에서 연직 방향으로 어긋나지 않도록 하는 것이다. 예를 들어, 수평 방향으로 인접하여 늘어서 있는 2매의 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분에 연직 방향의 위치 어긋남이 있으면, 2매의 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분이 서로 겹치는 부분에밖에, 면압은 가해지지 않는다. 따라서, 수평 방향으로 늘어서 있는 복수의 각 라미네이트형 전지(1) 사이의 정확한 연직 방향의 위치 결정이 중요하다.

여기서, 2매의 기판을 접합해서 구성되는 셀을 스페이서판 사이에서 가압하고, 셀에 마련된 액정 주입구로 액정을 주입하고, 주입구에 접착제를 도포해서 경화시키는 액정 패널의 제조 방법이며, 서로 연결된 스페이서판 사이에 셀을 삽입해서 복수의 셀을 동시에 가압하는 종래 방법이 있다.

그러나 이 액정 패널의 제조 방법을 라미네이트형 전지(1)의 스크리닝에 그대로 적용할 수는 없다. 라미네이트형 전지(1)의 주위에 형성되는 열 융착부(3a)는, 2매의 라미네이트 필름(3)을 열 융착만시킨 것이므로, 손으로 간단하게 구부려질만큼 유연하다. 이로 인해, 종래 기술을 이용하여 연직 방향에 위치시킨 인접하는 2개의 스페이서판 사이에 라미네이트형 전지(1)를 연직 방향으로 수납하여 고정할 때, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)에, 자중에 수반하는 좌굴이 발생하여 연직 방향의 위치 어긋남이 일어날 우려가 있다. 수평 방향으로 늘어서 있는 복수의 라미네이트형 전지(1) 사이에 연직 방향의 위치 어긋남이 일어나면, 상기와 같이 발전 요소 부분에 좌우 방향의 양측으로부터 작용하는 면압을 균일하게 할 수 없어, 라미네이트형 전지(1)의 발생하는 전압을 정확하게 계측할 수 없다.

그래서 본 발명은, 그 평면이 연직 방향을 따라서 배치된 인접하는 2개의 스페이서판 사이에 수납된 복수의 라미네이트형 전지를 동시에 가압할 때에, 라미네이트형 전지의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)의 하단부와 접촉함으로써 라미네이트형 전지(1)를 지지하는 지지 수단과, 스페이서판 중 라미네이트형 전지와 대향하는 면의 하단부 부근에 설치되어 열 융착부를 향해 돌출하는 돌출부와, 스페이서판의 모두를 연결하는 연결 기구를 갖도록 한다. 이하, 구체적으로 설명한다.

도 2는, 라미네이트형 전지(1)의 가압 장치(11)의 개략 정면도이다. 단, 하우징(12)의 전방 벽(12d)을 제거한 상태로 도시하고 있다. 이 중, 도 2의 (A)는 5매의 라미네이트형 전지(1)를 6매의 스페이서판(13) 사이에 수납한 상태를, 도 2의 (B)는 5매의 라미네이트형 전지(1)를 6매의 스페이서판(13) 사이에 두고, 수평 방향의 양측으로부터 가압하고 있는 상태를 도시하고 있다. 도 3은 도 2의 (A)의 X-X선 단면도이다. 도 5는 도 2의 (A)의 일부를 확대한 정면도, 도 6은 도 2의 (B)의 일부를 확대한 정면도이다.

또한, 도 2에서는, 간단하게 하기 위해 6매의 스페이서판(13) 사이에 5매의 라미네이트형 전지(1)를 끼우고 가압하는 경우를 도시하고 있지만, 스페이서판(13)이나 라미네이트형 전지(1)의 매수가 이들 매수에 한정되는 것은 아니다.

라미네이트형 전지(1)의 가압 장치(11)는, 두껑이 없는 상자 형상의 하우징(12), 스페이서판(13), 플레이트(17), 돌출부(18) 및 연결 기구(31)로 이루어진다.

도 2에는, 하우징(12)의 좌측 벽(12a), 우측 벽(12b), 저벽(12c)이 보이고 있다. 하우징(12) 안에는, 수평 방향(도 2에서 좌우 방향)으로 평판 형상의 스페이서판(13)을 세운 상태로 6매 배치하고 있다. 6매의 스페이서판(13)의 형상은 동일하다. 스페이서판(13)은 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 2 부분에 수평 방향의 양측으로부터 면압을 작용시키기 위한 것이다.

스페이서판(13) 중, 라미네이트형 전지(1)에 접촉하는 2개의 면을 정면(도 5에서 좌측 면)(13a), 이면(도 5에서 우측 면)(13b)으로 하면, 스페이서판(13)의 경량화를 위해, 스페이서판(13)의 2개의 측면[도 3에서 하측 면(13c)과 상측 면(13d)]에는 홈을 형성하고, 홈 주위의 돌출을 보강 리브로 하고 있다. 예를 들어, 스페이서판(13)의 한쪽 측면[도 3에서 하측의 면(13c)]에는, 도 2와 같이 연직 방향으로 3개의 홈(14a, 14b, 14c)을 형성하고, 3개의 홈(14a, 14b, 14c) 주위의 돌출을 보강 리브(15)로 하여 구성하고 있다. 또, 6매의 스페이서판(13)을 자동으로 개폐할 때에는 홈(14a, 14b, 14c)은 자동기의 핑거부가 들어가기 위한 부위도 된다. 스페이서판(13)의 2개의 측면(13c, 13d)에 마련하는 홈의 수는 3개의 경우에 한정되는 것은 아니다.

스페이서판(13)의 저면(13e)이 하우징(12)의 저벽(12c)을 끌고 가는 일이 없도록, 6매의 각 스페이서판(13)에는 수평 방향으로 미끄럼 이동 가능한 슬라이드 기구를 구비하고 있다. 슬라이드 기구는, 스페이서판(13)에 설치되는 가이드 구멍과, 이 가이드 구멍을 관통하는 가이드로 이루어진다. 즉, 도 7에 도시한 바와 같이 각 스페이서판(13)의 하부에 있어서 수평 방향으로 떨어진 위치에 2개의 가이드 구멍(13g, 13h)을 마련하고, 이 2개의 가이드 구멍(13g, 13h)에 각각 막대 형상의 가이드(21, 22)를 관통시키고 있다. 6매 모두 스페이서판(13)을 관통시킨 후에 2개의 막대 형상의 가이드(21, 22)의 양단부를 하우징(12)의 좌측 벽(12a)과 우측 벽(12b)에 고정함으로써, 6매의 스페이서판(13)은 수평 방향으로 미끄럼 이동 가능해진다. 이 결과, 스페이서판(13)의 저면(13e)은 하우징(12)의 저벽(12c)과 접촉되지 않는다. 경량화를 위해, 스페이서판(13)의 재질은 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 수지인 것이 바람직하다. 또, 도 7에는 1매의 스페이서판(13)만을 취출해서 도시하고 있다.

스페이서판(13)의 바로 아래에는, 박판 형상의 플레이트(17)(지지 수단)를 구비한다. 플레이트(17)는 스페이서판(13) 및 라미네이트형 전지(1)의 자중을 받아서 지지하기 위한 것이다. 또한, 플레이트(17)에 의해, 라미네이트형 전지(1)의 연직 방향의 위치가 정해진다. 플레이트(17)를, 스페이서판(13)의 저면(13e)에 지나치게 근접시키면, 스페이서판(13)의 수평 방향의 움직임이 나빠지므로, 스페이서판(13)의 수평 방향의 움직임이 나빠지지 않는 범위에서 가능한 한 스페이서판(13)의 저면(13e)에 근접시켜 위치시키도록 한다. 플레이트(17)의 재질도, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 수지이다.

인접하는 2개의 스페이서판(13) 중, 라미네이트형 전지(1)에 접촉하는 2개의면[정면(13a)과 이면(13b)]의 하단부 부근에는, 도 5, 도 6에도 도시한 바와 같이 평판 위의 돌출부(18)를 구비한다. 돌출부(18)는 라미네이트형 전지(1)의 최하부에 있는 열 융착부(3a)를 향해 돌출되어 있다.

라미네이트형 전지(1)를 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이의 공간에 연직 방향으로 삽입하고, 가압을 위해 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 접촉시켰을 때, 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)에 대하여, 한 쌍의 돌출부(18)가 수평 방향의 양측으로부터 압접하는 일은 없다. 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)에 한 쌍의 돌출부(18)를 압접시켜 버리면, 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분이 접촉하지 않아 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 가압할 수 없게 되기 때문이다. 이로 인해, 라미네이트형 전지(1)가 가압되어 있는 상태라도, 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)와 돌출부(18) 사이에는 소정의 간극이 발생하도록, 돌출부(18)의 수평 방향의 두께를 정하고 있다(도 6 참조).

돌출부(18)가 있으므로, 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 전지(1)를 연직 방향으로 수납한 단계에서는, 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)와 스페이서판(13) 사이의 공간이 돌출부(18)가 없을 때보다 좁아진다. 돌출부(18)가 없으면, 가압 전에 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)를 접촉시키는 공정에서, 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)에 수평 방향의 힘이 가해지는 경우가 있어, 이 힘에 의해 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)에 만곡이나 좌굴이 발생할 수 있다. 한편, 돌출부(18)를 마련함으로써 돌출부(18)를 마련하지 않은 경우보다도 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)와 스페이서판(13) 사이의 공간이 좁아진다. 공간이 좁아지면, 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)에 좌굴이 발생하기 어려워진다.

라미네이트형 전지(1)의 수납 후에 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 접촉시키는 공정에서는, 라미네이트형 전지(1)의 최하부에 있는 열 융착부(3a)의 양측으로부터 한 쌍의 돌출부(18)가 당해 열 융착부(13a)를 향해 밀어 올린다. 라미네이트형 전지(1)의 최하부에 있는 열 융착부(3a)가 연직되지 않고 다소 구부러져 있었다고 해도, 이 구부러져 있는 열 융착부(3a)에 돌출부(18)로부터의 힘이 가해지므로, 만곡된 최하단부에 위치하는 열 융착부(3a)를 만곡하기 전의 상태로 복귀시킬 수 있다.

도 5에 도시한 바와 같이 돌출부(18)의 상부에는, 라미네이트형 전지(1)의 삽입성을 향상시키기 위해, 스페이서판(13)을 향해 높아지는 테이퍼부(18b)를 가지고 있다. 라미네이트형 전지(1)의 최하부에 있는 열 융착부(3a)가 테이퍼부(18b)와 접촉했다고 해도, 당해 열 융착부(3a)는 테이퍼부(18b)를 미끄러져서 플레이트(17)로 낙하된다.

경량화를 위해, 돌출부(18)의 재질로서는, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 수지인 것이 바람직하다. 즉, 돌출부(18)의 재질은 스페이서판(13)과 동일해도 좋다. 스페이서판(13)과 돌출부(18)를 별도의 부재로 작성하고, 스페이서판(13)에 돌출부(18)를 접착제로 접착함으로써, 돌출부(18)를 스페이서판(13)에 고정해도 좋고, 사출 성형에 의해 스페이서판(13)과 돌출부(18)를 일체로 작성해도 좋다.

6매의 스페이서판(13)을 연결하기 위해 연결 기구(31)를 구비한다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이 스페이서판(13)의 한쪽 측면(13c) 측에 5개의 연결 기구(31)를, 스페이서판(13)의 다른 쪽 측면(13d) 측에 동일한 수의 5개의 연결 기구(31)를 구비하고 있다. 5개의 각 연결 기구(31)의 구성은 동일하다.

1개의 연결 기구(31)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 1개의 볼트(32), 2개의 너트(33), 2개의 와셔(34), 1개의 컬러(35)로 이루어져 있다. 여기서, 도 4는 도 3의 일부를 확대한 단면도이다.

인접하는 2개의 스페이서판(13)의 대향하는 보강용 리브(15)를 수평 방향에서 또한 가압하는 방향으로 구멍(19, 20)을 천공한다. 컬러(35)에 볼트(32)를 통과시킨 상태에서 이 2개의 구멍(19, 20)에 관통시킨다. 관통시킨 볼트(32)의 양단부에 와셔(34)를 끼우고, 너트(33)를 단단히 조임으로써 컬러(35)을 볼트(32)에 고정한다. 이에 의해, 인접하는 2개의 스페이서판(13)을 연결하는 1개의 연결 기구(31)가 구성된다.

인접하는 2개의 연결 기구(31)의 연직 방향의 위치를 어긋나게 하면서 차례로 연결 기구(31)를 설치해 가, 6매 모두 스페이서판(13)을 연결한다. 이와 같이 하여, 모든 스페이서판(13)을 동일한 구성의 연결 기구(31)를 이용하여 연결한다. 이에 의해, 라미네이트형 전지(1)를 수납하기 위해, 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이, 최좌단부에 있는 스페이서판(13)을 좌측 벽(12a)에 접촉한 채로 최우단부에 있는 스페이서판(13)을 우측 방향으로 이동시켰을 때, 6매의 스페이서판(13)은 등간격으로 개방하게 된다.

도 4에 도시한 바와 같이, 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 형성되는 최대의 공간은, 컬러(35)의 길이와 보강용 리브(15)의 수평 방향 두께에 의해 결정되며, 보강용 리브(15)의 수평 방향의 두께가 동일하면 컬러(35)의 길이가 길어질수록 공간은 넓어진다. 한편, 컬러(35)의 길이가 동일하면 보강용 리브(15)의 수평 방향의 두께가 얇을수록 공간은 넓어진다.

도 4에 있어서, 좌측에 위치하는 스페이서판(13)이 우측 방향으로 움직일 수 있는 범위는 볼트(32)의 좌단부(32a)와, 좌단부(32a)에 대향하는 보강용 리브(15)와의 사이의 간격에 의해 결정되어, 홈(13c)의 가압 방향 폭이 넓을수록 좌측에 위치하는 스페이서판(13)이 우측 방향으로 움직일 수 있는 범위가 넓어진다. 마찬가지로, 우측에 위치하는 스페이서판(13)이 좌측 방향으로 움직일 수 있는 범위는 볼트(32)의 우단부(32b)와, 우단부(32b)에 대향하는 보강용 리브(15)와의 사이의 간격에 의해 결정되어, 홈(13c)의 가압 방향 폭이 넓을수록 우측에 위치하는 스페이서판(13)이 좌측 방향으로 움직일 수 있는 범위가 넓어진다.

따라서, 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 접촉시켰을 때에[스페이서판(13)을 폐쇄했을 때에], 서로 연결 기구(31)가 간섭하지 않고, 또한 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 공간을 마련했을 때에[스페이서판(13)을 개방했을 때에], 모든 스페이서판(13)이 등간격으로 개방되도록, 하우징(12)의 가압 방향의 길이, 스페이서판(13)의 수, 스페이서판(13)의 두께, 스페이서판(13)의 측면(13c, 13d)에 마련하는 홈(14a, 14b, 14c)의 가압 방향 폭, 보강용 리브(15)의 가압 방향의 두께, 컬러(35)의 길이, 볼트(32)의 길이 등을 가장 적절하게 정한다.

도 2의 (A)에 있어서 최우단부의 스페이서판(13)에는, 이 최우단부의 스페이서판(13)의 이면(13b)의 면적과 거의 동일한지 그것보다도 조금 큰 면적을 갖는 가압용의 평판(41)을 연직 방향에 위치시키고 있다. 이 평판(41)에는 외주에 수형 나사를 자른 로드(42)의 일단부(도 2에서 좌단부)가 고정되어 있다. 하우징(12)의 우측 벽(12b)에는 로드(42) 외주의 수형 나사와 나사 결합하는 암형 나사가 설치되어 있다. 이로 인해, 로드(42)의 타단부(도 2에서 우단부)에 설치한 핸들(도시하지 않다)을 시계 방향으로 혹은 반시계 방향으로 돌리는 것으로, 평판(41)을 수평 방향(도 2에서 좌우 방향)으로 이동시킬 수 있도록 되어 있다. 또, 평판(41)은 수평 방향으로 직선 운동을 하는 것만으로, 로드(42)의 회전은 전달되지 않도록 되어 있다.

다음에, 이 라미네이트형 전지(1)의 가압 장치(11)를 이용한 라미네이트형 전지(1)의 스크리닝 방법에 대해서 설명한다.

5매의 라미네이트형 전지(1)를 가압 장치(11)에 세트하기 전에는, 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이, 너트(43)를 헐겁게 하여 최좌단부에 위치하는 스페이서판(13)을 하우징(12)의 좌측 벽(12a)에 접촉시킨 상태에서 로드(22)의 타단부(도 2에서 우단부)에 설치한 핸들을 일방향으로 돌린다. 이에 의해, 평판(21)을 도 2의 (A)에서 하우징(12)의 우측 벽(12b) 부근까지 이동시킨다. 또한, 최우단부에 위치하는 스페이서판(13)을 우측으로 이동시켜 평판(21)에 접촉시킨다. 그러면, 최좌단부에 위치하는 스페이서판, 최우단부에 위치하는 스페이서판을 제외한 나머지 스페이서판(13)이, 인접하는 스페이서판을 연결하고 있는 연결 기구(31)에 의해 수평 방향[도 2의 (A)에서 좌우]으로 인장된다. 이에 의해, 6매의 스페이서판(13)이 거의 등간격으로 개방된다. 바꾸어 말하면, 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 라미네이트형 전지(1)를 수용하는 공간이 확보된다. 또, 상기 너트(43)는 후술하는 바와 같이 면압을 보유 지지시키기 위한 것이다.

이와 같이 하여 공간을 확보한 상태의 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에, 상방으로부터 5매의 라미네이트형 전지(1)를 연직 방향으로 해서 차례로 수납해 간다. 이때, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)는, 그 하단부가 도 5와 같이 플레이트(17)에 의해 지지되고, 또한 인접하는 2개의 돌출부(18) 사이에 위치하게 된다. 이와 같이 하여, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)는 플레이트(17)와 접촉하여 지지되고, 연직 방향의 위치가 정해져, 도 2의 (A)에 도시한 상태가 된다.

이 경우, 라미네이트형 전지(1)에는, 도 1의 (A)에 도시한 바와 같이, 한 쌍의 강전 탭(8, 9)가 노출되어 있는 측과 노출되어 있지 않은 측이 있으므로, 한 쌍의 강전 탭(8, 9)가 노출되어 있는 측을 수평 방향으로 배치하여, 강전 탭(8, 9)가 노출되어 있지 않은 측을 하방 또는 상방으로 하여 수납한다. 이 경우, 한쪽의 강전 탭(8)가 도 2의 (A), (B)에 있어서 모두 지면 앞으로 돌출하도록 하는 것이 바람직하다. 이때, 다른 쪽의 강전 탭(9)는 모두 도 2의 (A), (B)에 있어서 지면 이면측으로 돌출한다.

인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이의 빈 공간에 5매의 라미네이트형 전지(1)를 수납하는 작업은 인력으로 행한다. 혹은 기계로 행하게 하도록 할 수도 있다.

로드(22)의 타단부(도 2에서 우단부)에 설치한 핸들을 이번에는 반대 방향으로 회전시켜, 평판(21)을 도 2의 (A), (B)에서 좌측으로 이동시킨다. 이 평판(21)의 좌측으로의 이동에 의해, 6매의 스페이서판(13) 및 5매의 라미네이트형 전지(1)는 플레이트(17) 위를 미끄러지면서 하우징의 좌측 벽(12a)에 모이게 된다. 라미네이트형 전지(1) 하부의 열 융착부(3a)의 좌우에 위치하는 한 쌍의 돌출부(18)는, 스페이서판(13d)으로부터의 힘을 받아, 최하부에 위치하는 열 융착부(3a)를 좌우 양측으로부터 누르면서, 돌출부(18)와 이에 대향하는 최하부의 열 융착부(3a)와의 사이의 공간을 없애 간다. 즉, 최하부의 열 융착부(3a)에 대하여 수평 방향의 양측의 대향하는 위치에 설치된 한 쌍의 돌출부(18)에 의해, 최하부의 열 융착부(3a) 그 자체는 사람의 손으로 구부려질 만큼 유연해도, 최하부의 열 융착부(3a)에 좌굴이 발생하는 것을 피할 수 있다.

즉, 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분과 스페이서판(13)과의 사이의 공간(간극)은 없어지고, 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분과 스페이서판(13)이 접촉하여, 도 6에 도시한 상태가 된다. 또한 너트(43)를 조여서 미리 정한 면압이 가해진 상태로 보유 지지된다. 이때, 최하부의 열 융착부(3a)와, 수평 방향의 양측에 위치하는 한 쌍의 돌출부(18)와의 사이에는 간극이 발생하고 있다. 또, 도 6에 있어서는, 보기 쉽게 하기 위해, 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분과의 사이를 조금 떨어져 도시하고 있다. 실제로도 떨어져 있는 것은 아니다.

최하부의 열 융착부(3a)에 좌굴이 발생하는 것을 피할 수 있으면, 수평 방향으로 늘어서 있는 5매의 라미네이트형 전지(1) 사이에서 발전 요소 부분을 연직 방향의 동일한 위치에 위치 결정하는 것이 가능해져, 각 라미네이트형 전지(1) 사이에서 좌우 방향의 양측으로부터 작용하는 면압을 균일하게 할 수 있다.

라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분에 미리 정한 면압을 가한 상태로 한 후에는, 각 라미네이트형 전지(1)가 발생하는 전압을 계측한다. 즉, 도 2의 (B)에 있어서 지면 앞으로 돌출하는 강전 탭(8) 모두에 플러스 단자를, 지면 이면측으로 돌출되는 강전 탭(9) 모두에 마이너스 단자를 접속하고, 5매의 각 라미네이트형 전지(1)의 전압을 개별로 계측한다. 전압은, 라미네이트형 전지(1)에 플러스, 마이너스의 단자를 접속한 시점에서 계측하고, 그 후, 소정의 방치 기간이 경과한 후에 다시 계측한다. 그리고 각 라미네이트형 전지(1)에 대해, 다시 계측한 전압과, 첫 회에 계측한 전압과의 차를 계산하고, 이 차가 임계치 이상인 라미네이트형 전지(1)에 대해서는 전압 저하의 정도가, 예상되는 전압 저하보다 큰, 즉 금속 이물질이 혼입되어 있었다고 판단한다. 차가 임계치 미만인 라미네이트형 전지(1)에 대해서는 전압 저하의 정도가, 예상되는 전압 저하인, 즉 금속 이물질은 혼입되어 있지 않다고 판단한다. 상기 발전 요소 부분에 가하는 면압은 전지(1) 내부의 가장 약한 부품에 의해 정해진다. 방치 기간은 실험에 의해 정한다.

이것으로 5매의 라미네이트형 전지(1)에 대해서 스크리닝의 공정이 종료된다. 다음에는, 너트(43)를 헐겁게 하여 로드(22)의 타단부(도 2에서 우단부)에 설치한 핸들을 다시 한번 일방향으로 회전시켜서, 평판(21)을 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이 하우징(12)의 우측 벽(12b) 부근까지 이동시킨다. 또한, 최우단부에 위치하는 스페이서판(13)을 우측으로 이동시켜 평판(21)에 접촉시킴으로써, 라미네이트형 전지(1)와 스페이서판(13) 사이에 공간(간극)을 발생시킨다. 스크리닝을 종료한 5매의 라미네이트형 전지(1)를 모두 가압 장치(11) 밖으로 취출한다. 상기와 같이, 금속 이물질이 혼입되어 있었다고 판단된 라미네이트형 전지(1)는 그 후의 공정(예를 들어 전기 특성 검사)에 넣지 않는다.

다음에는, 아직 스크리닝을 행하지 않는 다른 5매의 라미네이트형 전지(1)에 대해서 스크리닝을 행하기 위해, 상기를 반복한다.

여기서, 본 실시 형태의 작용 효과를 설명한다.

본 실시 형태에서는, 그 평면이 연직 방향을 따라 배치된 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 라미네이트형 전지(1)를 수납하고, 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 접촉시켜서 가압하는 라미네이트형 전지의 가압 장치이며, 수납된 라미네이트형 전지(1)의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)의 하단부와 접촉시킴으로써 라미네이트형 전지(1)를 지지하는 지지 수단[플레이트(17)]과, 스페이서판(13) 중 라미네이트형 전지(1)와 대향하는 면(13a, 13b)의 하단부 부근에 설치되어 열 융착부(3a)를 향해 돌출하는 돌출부(18)를 갖고 있다.

본 실시 형태에 따르면, 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 라미네이트형 전지(1)를 수납할 때에는, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 있는 열 융착부(3a)와 스페이서판(13) 사이의 공간이 돌출부(18)가 있는 만큼만 좁아져 있다. 게다가, 라미네이트형 전지(1)의 수납 후에 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 접촉시키는 공정에서는, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 있는 열 융착부(3a)의 양측으로부터 한 쌍의 돌출부(18)가 당해 열 융착부(3a)를 향해 밀어 올린다. 이에 의해, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 있는 열 융착부(3a)가 연직되지 않고 다소 구부러져 있었다고 해도, 이 구부러져 있는 열 융착부(3a)에 돌출부(18)로부터의 힘이 가해지므로, 구부러지기 전의 상태로 복귀된다. 즉, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 있는 열 융착부(3a)가, 스페이서판(13)의 하단부 부근에 설치한 돌출부(18)에 의해 확실히 보유 지지되므로, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 있는 열 융착부(3a)의 좌굴을 효과적으로 억제할 수 있다.

본 실시 형태에서는, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)가 지지 수단[플레이트(17)]과 접촉하는 부위에서 양측으로부터 돌출부(18)에 의해 협지하도록 하여 당해 열 융착부(3a)를 고정한다. 본 실시 형태에 따르면, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 있는 열 융착부(3a)가 다소 만곡해도, 당해 열 융착부(3a)를 향해 양측으로부터 밀어 올리는 돌출부(18)로부터의 힘에 의해 구부러지기 전의 상태로 복귀되므로, 라미네이트형 전지(1)의 연직 방향의 위치 결정을, 위치 어긋남을 발생시키는 일 없이 확실하게 행할 수 있다.

본 실시 형태에서는 돌출부(18)의 상단부에 테이퍼부(18b)를 마련하고 있다. 본 실시 형태에 따르면, 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 라미네이트형 전지(1)를 수납할 때에, 이 테이퍼부(18b)가 가이드의 역할을 감당하므로, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 있는 열 융착부(3a)를 확실하게 플레이트(17) 위로 삽입할 수 있다.

최 하단부에 위치하는 열 융착부(3a)에 한 쌍의 돌출부(18)를 압접시켜 버리면, 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 가압할 수 없게 되는 것이지만, 본 실시 형태에 따르면, 스페이서판(13) 중 라미네이트형 전지(1)와 대향하는 면(13a, 13b)과, 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분이 접촉할 때, 라미네이트형 전지(1)의 하부에 위치하는 열 융착부(3a)가 지지 수단[플레이트(17)]과 접촉하는 부위에서 당해 열 융착부(3a)와 돌출부(18) 사이에 소정의 간극을 가지고 있으므로, 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 가압할 수 있다.

본 실시 형태에 따르면, 스페이서판(13) 모두를 연결하는 연결 기구(31)를 가지므로, 양단부에 위치하는 한쪽 스페이서판(13)을 이동시키는 것만으로, 인접하는 2개의 스페이서판(13)의 값에 공간을 마련하거나 그 공간을 없애거나 할 수 있다.

(제2 실시 형태)

도 8은 제2 실시 형태의 1개의 연결 기구(41)를 도시한 일부 확대 단면도이다. 제1 실시 형태의 도 4와 치환하는 것이다. 제1 실시 형태의 도 4와 동일 부분에는 동일 번호를 붙이고 있다.

제2 실시 형태의 1개의 연결 기구(41)는, 1개의 둥근 막대(42)와, 2개의 와셔(43)로 이루어진다. 인접하는 2개의 스페이서판(13)의 대향하는 보강용 리브(15)에 수평 방향에서 또한 가압하는 방향으로 구멍(19, 20)을 천공한다. 이 2개의 구멍(19, 20)에 금속으로 된 둥근 막대(42)를 관통하고, 양단부에 와셔(43)를 끼운다. 그 후, 둥근 막대(42)의 단부에 가까운 부분을 찌부러뜨린다. 이 찌부러뜨린 부분(42a)이 와셔(43)의 빠짐 방지가 된다.

이와 같은 구성의 연결 기구(41)를, 스페이서판의 2개의 측면(13c, 13d)에 대하여 합계 10개를 사용하여 6매의 스페이서판(13)을 연결한다.

제2 실시 형태에 따르면, 1개의 연결 기구(41)는 1개의 둥근 막대(42)와, 2개의 와셔(43)로 이루어지므로, 제1 실시 형태보다도 연결 기구를 쉽게 구성할 수 있다.

(제3 실시 형태)

도 9는 제3 실시 형태의 라미네이트형 전지(1)의 가압 장치(11)의 개략 정면도이다. 단, 하우징(12)의 전방벽(12d)을 제거한 상태로 도시하고 있다. 이 중, 도 9의 (A)는 5매의 라미네이트형 전지(1)를 6매의 스페이서판(13) 사이에 수납한 상태를, 도 9의 (B)는 5매의 라미네이트형 전지(1)를 6매의 스페이서판(13) 사이에 끼우고, 수평 방향의 양측으로부터 가압하고 있는 상태를 도시하고 있다. 제1 실시 형태의 도 2와 동일 부분에는 동일 번호를 부여하고 있다.

제3 실시 형태의 연결 기구(51)는, 1개의 와이어(52)와 복수 개의 리테이닝 링(고정구)(53)으로, 6매의 스페이서판(13)을 연결하는 것이다. 이 연결 기구(51)는, 연직 방향으로 3개의 홈(14a, 14b, 14c) 중 예를 들어 최하방에 있는 홈(14c) 주위의 보강용 리브(15)에 부착한다. 즉, 제3 실시 형태에서는, 최좌단부에 있는 스페이서판(13)으로부터 최우단부에 있는 스페이서판(13)까지의 보강용 리브(15) 모두를 수평 방향으로 1개의 와이어(52)가 관통하도록 구멍(도시하지 않음)을 천공하고 있다. 또한, 1개의 와이어(52)가 평판(41)도 관통하도록 평판(41)의 측면 측에도 구멍(도시하지 않다)을 천공하고 있다. 단, 구멍을 형성하는 것은 최좌단부에 있는 스페이서판(13) 중 이면(13b) 측의 보강용 리브(15)까지로, 최좌단부에 있는 스페이서판(13) 중 정면(13a) 측의 보강용 리브(15)에는 구멍을 천공하는 것은 불필요하다.

이와 같이 하여 스페이서판(13)의 보강용 리브(15) 및 평판(41)에 구멍을 천공한 후에, 도 9의 (A)에 도시한 바와 같이 6매의 스페이서판(13)이 개방된 상태에서 모든 구멍에 대하여 수평 방향으로 1개의 와이어(52)를 관통하여 와이어(52)의 좌단부가 홈(14c) 내로 나오도록 한다. 또한, 와이어(52)의 우단부는 평판(41)의 우측으로 나오도록 한다. 그리고 와이어(52)의 좌단부에 조금 여유를 두고 6개의 리테이닝 링(53)을 등간격으로 와이어(52)에 고정한다. 최우단부의 스페이서판(13)과 평판(41)을 고정하기 위해, 와이어(52)의 우단부에 조금 여유를 남긴 위치에서 리테이닝 링(53)을 와이어(52)에 고정한다.

리테이닝 링(53)은, 당초는 U자 형상으로 되어 있는 것을, 도 11에 도시한 바와 같이, 개방된 입구를 폐쇄함으로써 와이어(52)의 외주에 권취 고정하는 것이다.

마찬가지로 하여, 도 10에 도시한 바와 같이, 스페이서판(13)의 다른 쪽 측면(13d) 측의 보강용 리브(15)에 마련한 모든 구멍에 대하여 수평 방향으로 1개의와이어(52)를 관통하여 와이어(52)의 양단부가 나오도록 한다. 그리고 와이어(52)의 좌단부에 조금 여유를 두고 6개의 리테이닝 링(53)을 등간격으로 와이어(52)에 고정한다. 최우단부의 스페이서판(13)과 평판(41)을 고정하기 위해, 와이어(52)의 우단부에 조금 여유를 남긴 위치에서 리테이닝 링(53)을 와이어(52)에 고정한다.

도 9의 (B)에 도시한 바와 같이 스페이서판(13)과 라미네이트형 전지(1)의 발전 요소 부분을 접촉시켰을 때에[스페이서판(13)을 폐쇄했을 때에], 와이어(52)가 홈(14c) 내의 공간에서 지장 없이 현수되도록, 또한 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이 인접하는 2개의 스페이서판(13) 사이에 공간을 마련했을 때에[스페이서판(13)을 개방했을 때에], 와이어(52)가 거의 곧게 연장되어 모든 스페이서판(13)이 등간격으로 개방되도록, 하우징(12)의 가압 방향의 길이, 스페이서판(13)의 수, 스페이서판(13)의 두께, 스페이서판(13)의 측면에 마련하는 홈(14a, 14b, 14c)의 가압 방향의 폭, 보강용 리브(15)의 가압 방향의 두께, 와이어(52)의 굵기와 경도, 리테이닝 링(53)의 종류를 가장 적절하게 정한다. 와이어의 재질로서는 금속 이외의 수지라도 상관 없다.

제3 실시 형태에 따르면, 연결 기구(51)는 1개의 와이어(52)와 복수 개의 리테이닝 링(고정구)(53)으로 이루어지므로, 제1, 제2 실시 형태보다도 연결 기구를 더욱 간단하게 구성할 수 있다.

1 : 라미네이트형 전지
11 : 가압 장치
12 : 하우징
13 : 스페이서판
17 : 플레이트(지지 수단)
18 : 돌출부
31 : 연결 기구
41 : 연결 기구
51 : 연결 기구

Claims (5)

1. 그 평면이 연직 방향을 따라서 배치된 인접하는 2개의 스페이서판 사이에 라미네이트형 전지를 수납하고, 스페이서판과 라미네이트형 전지의 발전 요소 부분을 접촉시켜서 가압하는 라미네이트형 전지의 가압 장치이며,
   상기 수납된 라미네이트형 전지의 하부에 위치하는 열 융착부의 하단부와 접촉함으로써 라미네이트형 전지를 지지하는 지지 수단과,
   상기 스페이서판 중 상기 라미네이트형 전지와 대향하는 면의 하단부 부근에 설치되어 상기 열 융착부를 향해 돌출하는 돌출부를 갖는 것을 특징으로 하는, 라미네이트형 전지의 가압 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 열 융착부가 상기 지지 수단과 접촉하는 부위에서 양측으로부터 상기 돌출부로 협지하도록 하여 당해 열 융착부를 고정하는 것을 특징으로 하는, 라미네이트형 전지의 가압 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 돌출부의 상단부에 테이퍼부를 마련하는 것을 특징으로 하는, 라미네이트형 전지의 가압 장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서판 중 상기 라미네이트형 전지와 대향하는 면과, 상기 라미네이트형 전지의 발전 요소 부분이 접촉할 때, 상기 열 융착부가 상기 지지 수단과 접촉하는 부위에서 당해 열 융착부와 상기 돌출부 사이에 소정의 간극을 갖는 것을 특징으로 하는, 라미네이트형 전지의 가압 장치.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서판 모두를 연결하는 연결 기구를 갖는 것을 특징으로 하는, 라미네이트형 전지의 가압 장치.
   

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