KR101266883B1 - 레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치 - Google Patents

레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101266883B1
KR101266883B1 KR1020060020517A KR20060020517A KR101266883B1 KR 101266883 B1 KR101266883 B1 KR 101266883B1 KR 1020060020517 A KR1020060020517 A KR 1020060020517A KR 20060020517 A KR20060020517 A KR 20060020517A KR 101266883 B1 KR101266883 B1 KR 101266883B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
organic solvent
resist
stripping waste
amine
Prior art date
Application number
KR1020060020517A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070090602A (ko
Inventor
이기범
김병욱
박미선
홍진섭
임윤길
윤석일
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to KR1020060020517A priority Critical patent/KR101266883B1/ko
Priority to JP2007051322A priority patent/JP4874835B2/ja
Priority to TW096107176A priority patent/TWI418957B/zh
Priority to CN2007100861621A priority patent/CN101030047B/zh
Publication of KR20070090602A publication Critical patent/KR20070090602A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101266883B1 publication Critical patent/KR101266883B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3071—Process control means, e.g. for replenishing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Heat Treatment Of Water, Waste Water Or Sewage (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Extraction Or Liquid Replacement (AREA)

Abstract

본 발명은 레지스트 박리폐액 재생방법 및 재생장치에 관한 것으로, 특히 물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 레지스트 박리폐액을 재생하는 방법에 있어서, (a) 레지스트 박리폐액의 아민화합물과 반응하여 아민화합물을 유기용매 증류시 증류되지 않는 아민-산 화합물로 형성시키는 산을 첨가하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계의 반응물을 분별 증류시켜 유기용매만을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액의 재생방법 및 이에 적합한 재생장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 여러 특화된 아민화합물을 포함한 박리액을 사용하는 박리공정과 여러 종류의 레지스트와 박리액이 사용되는 경우 발생한 레지스트 박리폐액을 경제성 있게 재생하는데 특히 적합하다.
레지스트 박리액, 재생, 유기아민, 유기용매, 레지스트

Description

레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치{A RECYCLING METHOD FOR RESIST STRIPPER SCRAPPED AND A RECYCLING DEVICE FOR SAME}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 레지스트 박리폐액 재생장치의 모식도이다.
본 발명은 레지스트 박리폐액 재생방법 및 재생장치에 관한 것으로, 특히 물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 레지스트 박리폐액을 재생하는 방법에 있어서, 여러 특화된 아민화합물을 포함한 박리액을 사용하는 박리공정과 여러 종류의 레지스트와 박리액이 사용되는 경우 발생한 레지스트 박리폐액을 경제성 있게 재생하는데 특히 적합한 레지스트 박리폐액 재생방법 및 재생장치에 관한 것이다.
직접회로(IC), 고집적회로(LSI), 초고집적회로(VLSI) 등의 반도체소자와 액정표시소자 등 디스플레이 장치를 제조하기 위해서는 많은 단계의 포토에칭공정 및 레지스트 박리공정이 반복적으로 실시되며, 이에 따라 다량의 레지스트 박리폐액이 발생된다. 특히, 액정표시소자 등 디스플레이 기판면적의 급속한 대형화에 의하여 박리액의 사용량이 대폭적으로 증가되고 있어 박리폐액의 재활용에 따른 요청이 더욱 부각되고 있다.
레지스트 박리공정에 사용된 박리액 폐액에는 레지스트, 수분, 여러 종류의 유기아민화합물 및 유기용매를 포함하고 있다. 종래 이러한 박리액 폐액을 폐기 처리하는 방법으로는 소각처리를 하는 방법이 일반적이었으나 이러한 방법은 소각가스를 대기 중에 방출함으로써 환경에 나쁜 영향을 미칠 뿐 아니라 박리액 폐액 중의 재활용이 가능한 성분까지 폐기하여 버리는 것이 되기 때문에 경제성의 면으로도 바람직하지 않아 박리폐액의 재생에 대한 많은 연구가 시도되고 있다.
또한 최근 반도체 및 디스플레이 제조공정에서 정밀도 및 특성화를 더욱 요구됨에 따라 각각의 공정에 최적인 포토레지스트의 세분화가 많이 이루어지고 있으며, 각각의 박리공정에서 사용되는 레지스트 박리액의 성분도 여러 종류의 유기아민과 유기용매의 종류 및 함량이 세분화되어 사용되고 있다.
레지스트 박리폐액의 재생에 대한 시도의 일예로 대한민국 특허출원 제10-2002-0075235호에는 알카놀아민, 유기용매 및 레지스트를 함유하는 레지스트 박리폐액을 재생하는 레지스트 박리폐액의 재생 장치로서, 분획 분자량 100 내지 1500인 막을 가지며, 상기 레지스트 박리폐액을 상기 막을 사용하여 농축액과 투과액으로 분리하는 막 분리장치와, 상기 투과액을 저유하고, 상기 투과액 중의 알카놀아민 및 유기 용매의 농도를 조정하기 위한 농도 조정조와, 상기 농도 조정조에 알카놀아민을 공급하는 알카놀아민 공급 수단과, 상기 농도 조정조에 유기용매를 공급하는 유기용매 공급수단을 구비하는 레지스트 박리폐액의 재생 장치를 개시하고 있 다. 상기 방법은 레지스트 박리폐액에 포함된 알칸올아민과 유기용매는 나노막을 통과하고 레지스트는 통과하지 못하는 성질을 이용하여 박리액을 재생하는 방법이다.
또한 이와는 별도로 레지스트 박리폐액의 재생에 관한 여러 시도가 진행되고 있으나 유기용매와 여러 종류의 아민화합물을 한꺼번에 분리해내기 때문에 특화된 아민화합물을 사용하는 각각 세분화된 포토에칭과 박리공정에서 발생한 박리폐액을 재생하는 데는 적합하지 못하며, 또한 반도체 및 디스플레이 제조공정에서 여러 종류의 레지스트와 박리액이 사용되는 경우 유기용매와 여러 종류의 아민화합물을 한꺼번에 분리해 내기 때문에 기존의 레지스트 박리액 재생방법으로는 한계가 있었으며, 레지스트 박리폐액 중에서 레지스트, 수분 및 유기아민화합물을 제거하여 유기용매만을 경제적으로 재생할 수 있는 재생방법이 할 수 있는 방법이 더욱 요청되고 있다.
상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 레지스트 박리액에 포함된 아민 화합물의 종류에 관계없이 고가의 유기용매를 재생하여 레지스트 박리액으로 재사용함으로써 레지스트 박리폐액으로 인한 환경오염을 더욱 줄일 수 있으며, 고가의 유기용매를 재사용함으로써 더욱 비용의 절감을 이룰 수 있는 레지스트 박리폐액 재생방법 및 재생장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 여러 특화된 아민화합물을 포함한 박리액을 사용하는 박리공정과 여러 종류의 레지스트와 박리액이 사용되는 경우 레지스트 박리폐액을 경제성 있게 동시에 재생하는데 적합한 레지스트 박리폐액 재생방법 및 재생장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 레지스트 박리폐액을 재생하는 방법에 있어서,
(a) 레지스트 박리폐액의 아민화합물과 반응하여 아민화합물을 유기용매 증류시 증류되지 않는 아민-산 화합물로 형성시키는 산을 첨가하는 단계; 및
(b) 상기 (a) 단계의 반응물을 분별 증류시켜 유기용매만을 수득하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액의 재생방법을 제공한다.
또한 본 발명은
(a) 물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 피처리 레지스트 박리폐액 저장조;
(b) 산저장조;
(c) 상기 피처리 레지스트 박리폐액 저장조로부터 이송된 박리폐액에 상기 산저장조로부터 이송된 산을 첨가하여 박리폐액의 아민화합물을 산과 반응시키는 반응조;
(d) 상기 반응조로부터 이송된 박리폐액을 분별 증류하는 증류조; 및
(e) 상기 분별 증류조에서 분별증류된 유기용매를 포집하여 저장하는 유기용매 저장조
를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액 재생장치를 제공한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명자들은 기존의 레지스트 박리폐액 재생방법들이 유기아민화합물과 유기용매를 같이 수득됨으로 인하여 여러 특화된 아민화합물을 포함한 박리액을 사용하는 박리공정과 여러 종류의 레지스트와 박리액이 사용되는 경우 레지스트 박리폐액을 재생하여도 실제 사용되는 유기아민화합물이 달라 박리액으로 사용될 수 없음을 발견하고, 이에 적합한 경제적인 재생방법을 연구하던 중 레지스트 박리폐액 중에 경제적인 방법으로 레지스트, 수분 및 유기아민화합물을 제거한 후 유기용매만을 포집한 후 다시 각각의 특화된 박리액에 적합한 유기아민화합물을 재생된 유기용매에 첨가하여 레지스트 박리액을 제조할 경우 모든 문제점이 해결될 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명은 물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 레지스트 박리폐액을 재생하는 방법에 있어서, (a) 레지스트 박리폐액에 아민화합물과 반응하여 아민화합물을 유기용매 증류시 증류되지 않는 아민-산 화합물로 형성시키는 산을 첨가하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계의 반응물을 분별 증류시켜 유기용매만을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징한다.
상기 레지스트 박리폐액은 박리액이 사용되는 각각의 공정에 따라 여러 종류의 유기아민화합물 또는 여러 종류의 유기용매를 포함할 수 있다. 상기 유기아민 화합물은 1차, 2차 또는 3차 아민일 수 있으며, 지방족 아민, 지환족 아민, 방향족 아민, 헤테로사이클릭 아민, 하이드록실 아민일 수 있다. 또한 상기 유기용매는 글리콜류인 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노페닐 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 또는 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르를 포함할 수 있으며, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 디메틸이미다졸리디논, 술폴란, 또는 N-메틸 피롤리돈과 같은 알킬 피롤리돈을 포함할 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리폐액 재생방법의 상기 (a)단계에서 사용되는 산은 박리폐액 중의 아민화합물과 반응하여 박리폐액의 아민화합물을 유기용매 증류시 증류되지 않는 아민-산 화합물로 형성시키는 산이면 특별히 한정되지 않으며, 벤조산, 시트르산, 개미산, 말레익산, 사과산, 살리실산, 타르타르산, 아세트산, 옥살산, 인산, 질산, 염산, 황산, 과염소산 등이 단독 또는 혼용하여 사용될 수 있다. 사용량은 적어도 박리폐액에 포함된 아민화합물의 당량과 같은 당량 이상의 산을 첨가하며, 잔류하는 아민화합물을 없도록 과량의 산을 첨가하는 것이 좋다. 더욱 바람직하게는 유기용매 분별증류 시에 산과 아민의 반응물이나 잔존하는 산이 혼합되지 않는 산을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 (a)단계를 통하여 피처리 레지스트 박리폐액의 성분은 레지스트, 수분, 아민과 산의 반응물, 잔존하는 산 및 유기용매를 포함하게 된다.
본 발명의 레지스트 박리폐액의 재생방법은 (b)단계로 상기 (a)단계의 반응물을 분별 증류하여 유기용매만을 포집하는 단계를 포함한다. 본 단계에서 분별증류를 통하여 수분과 산 및 유기용매가 분별 증류되어 유기용매만을 포집할 수 있으며, 증류되지 않은 레지스트와 산과 아민의 반응물은 별도로 분리된다.
상기 분별 포집된 유기용매는 응축기를 통하여 다시 액체화할 수 있으며, 상기 유기용매에 특별히 요청되는 아민화합물을 첨가하여 다시 박리액으로 재사용할 수 있게 된다.
본 발명의 박리폐액 재생방법은 아민 화합물의 종류에 관계없이 고가의 유기용매를 재생하여 레지스트 박리액으로 재사용함으로써 레지스트 박리폐액으로 인한 환경오염을 더욱 줄일 수 있으며, 고가의 유기용매를 재사용함으로써 더욱 비용의 절감을 이룰 수 있다.
본 발명의 구체적인 일실시예로 산성분으로 아세트산을 사용하여 여러 레지스트 박리공정에서 발생한 MEA(모노에탄올 아민), MIPA(모노이소프로판올아민), nMEA(n-메틸에탄올아민)를 포함하는 아민화합물, 글리콜 및 알킬피롤리돈을 포함하는 유기용매, 수분 및 레지스트로 구성된 박리폐액을 재생하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
MEA, MIPA, n-MEA를 포함하는 아민화합물, 글리콜 및 알킬피롤리돈을 포함하는 유기용매, 수분 및 레지스트로 구성된 박리폐액에 상기 아민화합물의 총 당량보다 과량의 아세트산을 첨가한다. 아세트산이 첨가되면 아세트산은 아민화합물과 반응하여 아민-아세트산 반응물을 생성시키며, 반응에 참여하지 못한 아세트산은 박리폐액에 액체상태로 잔류하게 된다. 이후 레지스트, 아민-아세트산 반응물, 수분, 반응에 참여하지 못한 잔존하는 아세트산, 유기용매의 혼합물은 분별증류를 통하여 수분이 제일 먼저 증류되고, 그 다음 아세트산이 증류되며, 그 다음 유기용매인 글리콜과 알킬피롤리돈이 증류되지 않고 잔류하는 레지스트 및 아민-아세트산 반응물과 분리되어 증류됨으로써 목적하는 유기용매만을 포집할 수 있게 된다. 이후 포집된 유기용매에 특별히 요청되는 아민화합물인 MEA, MIPA 또는 n-MEA 등을 선택적으로 첨가하여 박리액으로 재사용 할 수 있다.
또한 본 발명의 구체적인 일실시예로 산성분으로 옥살산(C2H2O4)을 사용하여 여러 레지스트 박리공정에서 발생한 MEA, MIPA, n-MEA를 포함하는 아민화합물, 글리콜 및 알킬피롤리돈을 포함하는 유기용매, 수분 및 레지스트로 구성된 박리폐액을 재생하는 방법을 설명하면 다음과 같다. 상기 옥살산은 상온에서 2수화물로 존재하므로 옥살산·2수화물(C2H2O4·H2O)를 사용한다.
MEA, MIPA, n-MEA를 포함하는 아민화합물, 글리콜 및 알킬피롤리돈을 포함하는 유기용매, 수분 및 레지스트로 구성된 박리폐액에 상기 아민화합물의 총 당량보다 과량의 옥살산·2수화물을 첨가한다. 옥살산·2수화물이 첨가되면 옥살산·2수화물은 아민화합물과 반응하여 아민-옥살산 반응물을 생성시키며, 반응에 참여하지 못한 옥살산·2수화물은 박리폐액에 잔류하게 된다. 이후 레지스트, 아민-옥살산 반응물, 수분, 반응에 참여하지 못한 잔존하는 옥살산·2수화물, 유기용매의 혼합 물은 분별증류를 통하여 수분이 옥살산·2수화물이 분해된 포름산, 이산화탄소, 일산화탄소가 먼저 증류되고, 그 다음 유기용매인 글리콜과 알킬피롤리돈이 잔류하는 레지스트 및 아민-옥살산 반응물 및 분해되지 않은 옥살산·2수화물과 분리되어 증류됨으로써 목적하는 유기용매만을 포집할 수 있게 된다. 이후 포집된 유기용매에 특별히 요청되는 아민화합물인 MEA, MIPA 또는 n-MEA 등을 선택적으로 첨가하여 박리액으로 재사용 할 수 있다.
또한 본 발명은 (a) 물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 피처리 레지스트 박리폐액 저장조; (b) 산저장조; (c) 상기 피처리 레지스트 박리폐액 저장조로부터 이송된 박리폐액에 상기 산저장조로부터 이송된 산을 첨가하여 박리폐액의 아민화합물을 산과 반응시키는 반응조; (d) 상기 반응조로부터 이송된 박리폐액을 분별 증류하는 증류조; 및 (e) 상기 분별 증류조에서 분별증류된 유기용매를 포집하여 저장하는 유기용매 저장조를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액 재생장치를 제공한다.
이하 본 발명의 레지스트 박리폐액 재생장치의 일실시예인 도 1에 표시된 모식도를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 각각의 레지스트 박리공정에서 수거된 피처리 레지스트 박리액은 피처리 레지스트 박리폐액 저장조(10)에 저장된다. 상기 피처리 레지스트 박리폐액은 레지스트, MEA, MIPA, n-MEA 등의 여러 종의 아민화합물, 수분 및 유기용매를 포함한다. 상기 피처리 레지스트 박리폐액 저장조(10)에 저장된 피처리 레지스트 박리폐액은 펌프(11)를 통하여 배관을 따라 반응조(30)로 이송된다. 상기 박리폐액의 이송시 박리폐액의 양을 조절하기 위하여 배관 의 소정 부분에 자동조절밸브(12)를 구비할 수 있다. 또한 레지스트 박리폐액에 포함된 아민화합물과 반응하는 산을 저장하는 산저장조(20)가 별도로 구비된다. 상기 산은 아세트산이거나 옥살산이수화물이 바람직하다. 상기 산저장조(20)로부터 산은 펌프(21)를 통하여 배관을 따라 반응조(30)로 이송된다. 상기 박리폐액의 이송시 산의 양을 조절하기 위하여 배관의 소정 부분에 자동조절밸브(22)를 구비할 수 있다. 이송된 산의 양은 박리폐액에 포함된 아민화합물의 총당량 보다 적어도 같거나 과량으로 이송하는 것이 바람직하다. 피처리 레지스트 박리폐액 저장조(10)로부터 이송된 박리폐액과 산저장조(20)로부터 이송된 산은 반응조(30)에서 반응하여 아민-산 반응물(일예로 아민-아세트산 반응물 또는 아민-옥살산 반응물)을 형성하며, 반응에 참여하지 않은 산은 박리폐액에 그대로 존재하며, 이때 박리폐액에는 레지스트, 산-염기 반응물, 수분, 반응에 참여하지 않은 산, 유기용매를 포함하게 된다. 상기 반응이 완결된 박리폐액은 반응조(30)으로부터 펌프(31)를 통하여 배관을 따라 증류조(40)로 이송된다. 상기 박리폐액의 이송시 박리폐액의 양을 조절하기 위하여 배관의 소정 부분에 자동조절밸브(32)를 구비할 수 있다. 증류조(40)에서는 온도 상승에 따라 박리폐액에 포함된 성분들이 분별 증류되어 포집된다. 바람직하기로는 상기 증류조(40)는 수분을 포집하기 위한 1차 증류조(43), 산을 포집하기 위한 2차 증류조(44), 유기용매를 포집하기 위한 3차 증류조(45), 잔류성분 배출조(46)로 나뉘어서 설치될 수 있다. 산으로서 아세트산을 사용하는 경우 박리폐액 내에 포함된 수분은 1차 증류조(43) 통하여 포집되고, 반응에 참여하지 않은 아세트산은 2차 증류조(44)를 통하여 포집되고, 유기용매는 3차 증류조 (45)를 통하여 포집되며, 레지스트와 아민-아세트산의 반응물은 증류되지 않고 잔류성분 배출조(46)로 배출될 수 있다. 바람직하기로는 상기 증류조(40)는 감압장치(47)를 별도로 구비할 수 있으며, 이 경우 증류온도를 낮출 수 있어 좋다. 상기 3차 증류조(45)를 통하여 포집된 유기용매는 유기용매 저장조(50)으로 이송된다. 상기 유기용매 저장조(50)는 응축기(53)를 구비하여 포집된 유기용매를 액체상태로 만들 수 있다. 상기 유기용매 저장조(50)에는 소정의 아민화합물을 첨가할 수 있는 아민화합물조(60)가 연결되어 있는 것이 바람직하며, 소정의 아민화합물의 첨가에 의하여 개별 레지스트 박리공정에 적합한 아민화합물만을 첨가하여 재생박리액을 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
여러 레지스트 박리공정에서 수거된 레지스트 3 중량부, 아민화합물 MEA 5 중량부, MIPA 5 중량부, n-MEA 5 중량부, 수분 10 중량부, 유기용매 72 중량부(글리콜 50 중량부 및 알킬피롤리돈 22 중량부)가 포함하는 박리폐액에 아세트산 10 중량부를 첨가하여 아민-아세트산 화합물을 형성시켰다. 상기 아민-아세트산 화합물이 형선된 박리폐액을 분별 증류하여 수분과 잔류하는 아세트산 및 유기용매를 순차적으로 포집하고 잔류하는 레지스트와 아민-아세트산을 분리배출 하였다. 상 기 포집된 유기용매를 냉각하여 액체화하였으며, 액체화된 유기용매의 성분을 분석한 결과 유기용매 100 중량부 중에 글리콜이 61.4 중량부, 알킬피롤리돈이 38.6 중량부 이었으며, 수분은 0.1 중량부 미만, 총 아민화합물 0.1 중량부 미만, 수지는 검출되지 않았다.
실시예 2
여러 레지스트 박리공정에서 수거된 레지스트 3 중량부, 아민화합물 MEA 4 중량부, MIPA 4 중량부, n-MEA 4 중량부, 수분 20 중량부, 유기용매 65 중량부(글리콜 45 중량부 및 알킬피롤리돈 20 중량부)가 포함하는 박리폐액에 아세트산 8 중량부를 첨가하여 아민-아세트산 화합물을 형성시켰다. 상기 아민-아세트산 화합물이 형성된 박리폐액을 분별 증류하여 수분과 잔류하는 아세트산 및 유기용매를 순차적으로 포집하고 잔류하는 레지스트와 아민-아세트산을 분리배출하였다. 상기 포집된 유기용매를 냉각하여 액체화하였으며, 액체화된 유기용매의 성분을 분석한 결과 유기용매 100 중량부 중에 글리콜이 61.8 중량부, 알킬피롤리돈이 38.2 중량부 이었으며, 수분은 0.1 중량부 미만, 총 아민화합물 0.1 중량부 미만, 수지는 검출되지 않았다.
실시예 3
여러 레지스트 박리공정에서 수거된 레지스트 2 중량부, 아민화합물 MEA 2 중량부, MIPA 2 중량부, n-MEA 2 중량부, 수분 40 중량부, 유기용매 52 중량부(글리콜 36 중량부 및 알킬피롤리돈 16 중량부)가 포함하는 박리폐액에 아세트산 4 중량부를 첨가하여 아민-아세트산 화합물을 형성시켰다. 상기 아민-아세트산 화합물 이 형성된 박리폐액을 분별 증류하여 수분과 잔류하는 아세트산 및 유기용매를 순차적으로 포집하고 잔류하는 레지스트와 아민-아세트산을 분리배출 하였다. 상기 포집된 유기용매를 냉각하여 액체화하였으며, 액체화된 유기용매의 성분을 분석한 결과 유기용매 100 중량부 중에 글리콜이 58.9 중량부, 알킬피롤리돈이 41.1 중량부 이었으며, 수분은 0.1 중량부 미만, 총 아민화합물 0.1 중량부 미만, 수지는 검출되지 않았다.
실시예 4
여러 레지스트 박리공정에서 수거된 레지스트 3 중량부, 아민화합물 MEA 5 중량부, MIPA 5 중량부, n-MEA 5 중량부, 수분 10 중량부, 유기용매 72 중량부(글리콜 50 중량부 및 알킬피롤리돈 22 중량부)가 포함하는 박리폐액에 옥살산·2수화물 10.6 중량부를 첨가하여 아민-옥살산 화합물을 형성시켰다. 반응에 참여하지 않은 옥살산·2수화물은 박리폐액에 고형분으로 남아있었다. 상기 아민-옥살산 화합물이 형성된 박리폐액을 분별 증류하여 수분과 포름산, 일산화탄소, 이산화탄소 등의 옥살산의 분해된 물질과 유기용매를 포집하고 잔류하는 레지스트와 아민-옥살산 및 분해되지 않은 옥살산·2수화물을 분리배출하였다. 상기 포집된 유기용매를 냉각하여 액체화하였으며, 액체화된 유기용매의 성분을 분석한 결과 유기용매 100 중량부 중에 글리콜이 62.2 중량부, 알킬피롤리돈이 37.8 중량부 이었으며, 수분은 0.1 중량부 미만, 총 아민화합물 0.1 중량부 미만, 수지는 검출되지 않았다.
실시예 5
여러 레지스트 박리공정에서 수거된 레지스트 3 중량부, 아민화합물 MEA 4 중량부, MIPA 4 중량부, n-MEA 4 중량부, 수분 20 중량부, 유기용매 65 중량부(글리콜 45 중량부 및 알킬피롤리돈 20 중량부)가 포함하는 박리폐액에 옥살산·2수화물 8.5 중량부를 첨가하여 아민-옥살산 화합물을 형성시켰다. 반응에 참여하지 않은 옥살산·2수화물은 박리폐액에 고형분으로 남아있었다. 상기 아민-옥살산 화합물이 형성된 박리폐액을 분별 증류하여 수분과 포름산, 일산화탄소, 이산화탄소 등의 옥살산의 분해된 물질과 유기용매를 포집하고 잔류하는 레지스트와 아민-옥살산 및 분해되지 않은 옥살산·2수화물을 분리배출하였다. 상기 포집된 유기용매를 냉각하여 액체화하였으며, 액체화된 유기용매의 성분을 분석한 결과 유기용매 100 중량부 중에 글리콜이 58.3 중량부, 알킬피롤리돈이 41.7 중량부 이었으며, 수분은 0.1 중량부 미만, 총 아민화합물 0.1 중량부 미만, 수지는 검출되지 않았다.
실시예 6
여러 레지스트 박리공정에서 수거된 레지스트 2 중량부, 아민화합물 MEA 2 중량부, MIPA 2 중량부, n-MEA 2 중량부, 수분 40 중량부, 유기용매 52 중량부(글리콜 36 중량부 및 알킬피롤리돈 16 중량부)가 포함하는 박리폐액에 옥살산·2수화물 4.3 중량부를 첨가하여 아민-옥살산 화합물을 형성시켰다. 반응에 참여하지 않은 옥살산·2수화물은 박리폐액에 고형분으로 남아있었다. 상기 아민-옥살산 화합물이 형성된 박리폐액을 분별 증류하여 수분과 포름산, 일산화탄소, 이산화탄소 등의 옥살산의 분해된 물질과 유기용매를 포집하고 잔류하는 레지스트와 아민-옥살산 및 분해되지 않은 옥살산·2수화물을 분리배출 하였다. 상기 포집된 유기용매를 냉각하여 액체화하였으며, 액체화된 유기용매의 성분을 분석한 결과 유기용매 100 중량부 중에 글리콜이 62.8 중량부, 알킬피롤리돈이 37.2 중량부 이었으며, 수분은 0.1 중량부 미만, 총 아민화합물 0.1 중량부 미만, 수지는 검출되지 않았다.
본 발명에 따른 레지스트 박리액 재생방법 및 재생장치는 레지스트 박리액에 포함된 아민 화합물의 종류에 관계없이 고가의 유기용매를 재생하여 레지스트 박리액으로 재사용함으로써 레지스트 박리폐액으로 인한 환경오염을 더욱 줄일 수 있으며, 고가의 유기용매를 재사용함으로써 더욱 비용의 절감을 이룰 수 있으며, 특히 여러 특화된 아민화합물을 포함한 박리액을 사용하는 박리공정과 여러 종류의 레지스트와 박리액이 사용되는 경우 레지스트 박리폐액을 경제성 있게 동시에 재생하는데 적합한 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 레지스트 박리폐액을 재생하는 방법에 있어서,
    (a) 레지스트 박리폐액의 아민화합물과 반응하여 아민화합물을 유기용매 증류시 증류되지 않는 아민-산 화합물로 형성시키는 산을 첨가하는 단계; 및
    (b) 상기 (a) 단계의 반응물을 분별 증류시켜 유기용매만을 수득하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액의 재생방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산의 첨가량은 박리폐액에 포함된 아민화합물의 당량보다 적어도 같거나 과량의 당량을 사용하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액의 재생방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산은 벤조산, 시트르산, 개미산, 말레익산, 사과산, 살리실산, 타르타르산, 아세트산, 옥살산, 인산, 질산, 염산, 황산 및 과염소산으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액의 재생방법.
  4. (a) 물, 레지스트, 아민화합물, 유기용매를 포함하는 피처리 레지스트 박리폐액 저장조;
    (b) 산저장조;
    (c) 상기 피처리 레지스트 박리폐액 저장조로부터 이송된 박리폐액에 상기 산저장조로부터 이송된 산을 첨가하여 박리폐액의 아민화합물을 산과 반응시키는 반응조;
    (d) 상기 반응조로부터 이송된 박리폐액을 분별 증류하는 증류조; 및
    (e) 상기 분별 증류조에서 분별증류된 유기용매를 포집하여 저장하는 유기용매 저장조
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액 재생장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 증류조는 수분을 포집하기 위한 1차 증류조, 산을 포집하기 위한 2차 증류조, 유기용매를 포집하기 위한 3차 증류조를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액 재생장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 증류조는 감압장치를 구비한 것을 특징으로 하는 레지스트 박리폐액 재생장치.
KR1020060020517A 2006-03-03 2006-03-03 레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치 KR101266883B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060020517A KR101266883B1 (ko) 2006-03-03 2006-03-03 레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치
JP2007051322A JP4874835B2 (ja) 2006-03-03 2007-03-01 レジスト剥離廃液の再生方法および再生装置
TW096107176A TWI418957B (zh) 2006-03-03 2007-03-02 光阻剝離廢液再製方法及再製裝置
CN2007100861621A CN101030047B (zh) 2006-03-03 2007-03-05 抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060020517A KR101266883B1 (ko) 2006-03-03 2006-03-03 레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070090602A KR20070090602A (ko) 2007-09-06
KR101266883B1 true KR101266883B1 (ko) 2013-05-23

Family

ID=38586820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060020517A KR101266883B1 (ko) 2006-03-03 2006-03-03 레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4874835B2 (ko)
KR (1) KR101266883B1 (ko)
CN (1) CN101030047B (ko)
TW (1) TWI418957B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101266897B1 (ko) * 2006-03-03 2013-05-23 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 박리폐액 재생방법 및 재생장치
KR101007418B1 (ko) 2008-05-28 2011-01-12 순천향대학교 산학협력단 아민 포함 폐수로부터의 아민 회수 방법
JP6045283B2 (ja) * 2012-10-11 2016-12-14 日本リファイン株式会社 レジスト剥離液の再生方法および再生装置
CN104707549B (zh) * 2015-03-19 2016-09-14 张汉文 一种从有机试剂废液中回收色谱级有机试剂的装置及方法
CN111018219A (zh) * 2019-12-23 2020-04-17 上海天汉环境资源有限公司 一种废剥离液的再生处理工艺和装置
CN116003228A (zh) * 2022-12-26 2023-04-25 南京长江江宇环保科技股份有限公司 一种光刻去胶废液综合利用的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001194807A (ja) 1999-01-29 2001-07-19 Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd 剥離液の再生方法及び装置
JP2002131932A (ja) 2000-10-24 2002-05-09 Kimura Chem Plants Co Ltd レジスト剥離液の再生回収方法及び再生回収装置
JP2003057852A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Asahi Kasei Corp レジスト剥離片の処理方法及び装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW256929B (ko) * 1993-12-29 1995-09-11 Hirama Rika Kenkyusho Kk
US6106722A (en) * 1997-08-12 2000-08-22 Kinetico Incorporated Filtering photoresist-containing liquid
CN1196032C (zh) * 1998-08-11 2005-04-06 东进世美肯株式会社 剥离剂和使用该剥离剂的剥离方法
KR100390567B1 (ko) * 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 근적외선 분광기를 이용한 포토레지스트 박리공정제어방법 및 포토레지스트 박리액 조성물의 재생방법
JP2003167358A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Nagase & Co Ltd レジスト剥離廃液の再生装置及び再生方法
JP2004066085A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Kimura Chem Plants Co Ltd 溶剤回収装置
JP4080449B2 (ja) * 2004-03-31 2008-04-23 日本リファイン株式会社 溶剤の回収装置および溶剤の回収方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001194807A (ja) 1999-01-29 2001-07-19 Matsushita Environment Airconditioning Eng Co Ltd 剥離液の再生方法及び装置
JP2002131932A (ja) 2000-10-24 2002-05-09 Kimura Chem Plants Co Ltd レジスト剥離液の再生回収方法及び再生回収装置
JP2003057852A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Asahi Kasei Corp レジスト剥離片の処理方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101030047B (zh) 2011-08-24
CN101030047A (zh) 2007-09-05
JP4874835B2 (ja) 2012-02-15
JP2007241278A (ja) 2007-09-20
TWI418957B (zh) 2013-12-11
TW200745784A (en) 2007-12-16
KR20070090602A (ko) 2007-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101266897B1 (ko) 레지스트 박리폐액 재생방법 및 재생장치
KR101266883B1 (ko) 레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치
CN108926860B (zh) 一种废剥离液再生装置及其应用
CN1085656C (zh) 从硝化步骤中回收硝酸
KR100997743B1 (ko) 포토레지스트 제거용 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법
KR101819278B1 (ko) 증류 장치
JP2010501124A (ja) フォトレジストストリッパー廃液の再生方法及び再生装置
KR101710170B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 폐액의 재생 방법
US20150129409A1 (en) System and method for recycling high-boiling-point waste photoresist stripper
KR20150115457A (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물의 회수 방법
KR101078871B1 (ko) 포토레지스트 폐액으로부터 유기용제의 회수 방법
KR100992437B1 (ko) 레지스트 박리폐액의 정제장치 및 정제방법
CN111620398A (zh) 含nmp的废剥离液回收方法、回收的剥离液及应用
CN212623575U (zh) 环保高效再生装置
KR102134855B1 (ko) 스트리퍼 폐액을 이용한 포토레지스트 제거용 스트리퍼 제조 방법
JPH09278743A (ja) Ｄｍｓｏまたはｄｍｓｏ混合物の回収方法および回収品
KR101285136B1 (ko) 유기용제의 정제방법
KR101354523B1 (ko) 포토레지스트 고비점 박리폐액으로부터 1-피페라진에탄올을 회수하는 장치
KR101232334B1 (ko) 유기용제의 정제 방법
JP2003053328A (ja) 廃水処理設備
JP2011215355A (ja) レジスト剥離液の再生方法及び装置
KR102209389B1 (ko) 포토레지스트 제거용 스트리퍼 폐액의 정제 방법
KR101202739B1 (ko) 유기용제의 정제방법
KR101199963B1 (ko) 불량 ｌｃｄ 패널 처리용 수계 재처리 화학약품의 폐액을 정제 및 재생하는 방법
JP6156678B2 (ja) レジスト剥離液の再生方法および再生装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160308

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170308

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180319

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200309

Year of fee payment: 8