KR101258007B1 - 발열량 산출식 작성 시스템, 발열량 산출식 작성 방법, 발열량 측정 시스템, 발열량 측정 방법, 저항 계측 시스템 및 저항 계측 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스의 발열량을 용이하게 산출할 수 있는 발열량 산출식 작성 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도 및 발열 소자의 저항의 관계를 미리 취득하고, 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출한 온도의 계측값 및 발열 소자의 저항의 계측값을 취득하며, 상기 관계 및 온도의 계측값에 기초하여, 발열 소자의 저항의 산출값을 산출하여, 발열 소자의 저항의 계측값 및 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부(322)와, 복수의 혼합 가스에 접하는 측온 소자의 저항의 계측값 및 발열 소자의 저항의 계측값을 취득하고, 발열 소자의 저항의 계측값을 보정 계수를 이용하여 보정하며, 측온 소자의 저항 및 발열 소자의 저항을 독립 변수로 하고, 발열량을 종속 변수로 하는 발열량 산출식을 작성하는 발열량 산출식 작성부(302)를 구비하는 발열량 산출식 작성 시스템을 제공한다.

Description

발열량 산출식 작성 시스템, 발열량 산출식 작성 방법, 발열량 측정 시스템, 발열량 측정 방법, 저항 계측 시스템 및 저항 계측 방법{CALORIFIC VALUE CALCULATION FORMULA GENERATING SYSTEM, CALORIFIC VALUE CALCULATION FORMULA GENERATING METHOD, CALORIFIC VALUE CALCULATING SYSTEM, CALORIFIC VALUE CALCULATING METHOD, RESISTANCE MEASURING SYSTEM AND RESISTANCE MEASURING METHOD}

본 발명은 가스 검사 기술에 관한 것이며, 발열량 산출식 작성 시스템, 발열량 산출식 작성 방법, 발열량 측정 시스템, 및 발열량 측정 방법에 관한 것이다.

종래, 혼합 가스의 발열량을 구할 때는, 고가의 가스크로마토그래피 장치 등을 이용하여 혼합 가스의 성분을 분석해야 한다. 또한 혼합 가스의 열전도율 및 혼합 가스에서의 음속을 측정함으로써, 혼합 가스에 포함되는 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 탄산 가스(CO₂)의 성분 비율을 산출하여, 혼합 가스의 발열량을 구하는 방법도 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).

특허문헌 1: 일본 특허 공표 제2004-514138호 공보

그러나, 특허문헌 1에 개시된 방법은, 열전도율을 측정하기 위한 센서 외에, 음속을 측정하기 위한 고가의 음속 센서가 필요하다. 그래서, 본 발명은 가스의 발열량을 용이하게 측정할 수 있는 발열량 산출식 작성 시스템, 발열량 산출식 작성 방법, 발열량 측정 시스템, 및 발열량 측정 방법을 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.

본 발명의 양태에 의하면, (a) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 보존하는 저항 산출식 기억부와, (b) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 계수 산출용 계측부와, (c) 저항 산출식에 있어서 온도를 나타내는 독립 변수에 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부와, (d) 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 식 작성용 계측부와, (e) 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 보정 계수를 이용하여 보정하는 계측값 보정부와, (f) 복수의 혼합 가스 각각의 발열량의 값, 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값에 기초하여, 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 작성하는 발열량 산출식 작성부를 포함하는 발열량 산출식 작성 시스템이 제공된다.

본 발명의 양태에 의하면, (a) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 준비하는 단계와, (b) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와, (c) 저항 산출식에 있어서 온도를 나타내는 독립 변수에 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 단계와, (d) 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와, (e) 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와, (f) 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 보정 계수를 이용하여 보정하는 단계와, (g) 복수의 혼합 가스 각각의 발열량의 값, 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값에 기초하여, 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 작성하는 단계를 포함하는 발열량 산출식 작성 방법이 제공된다.

본 발명의 양태에 의하면, (a) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 보존하는 저항 산출식 기억부와, (b) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 계수 산출용 계측부와, (c) 저항 산출식에 있어서 온도를 나타내는 독립 변수에 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부와, (d) 계측 대상 혼합 가스에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 발열량 산출용 계측부와, (e) 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 보정 계수를 이용하여 보정하는 계측값 보정부와, (f) 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 보존하는 발열량 산출식 기억 장치와, (g) 발열량 산출식에 있어서 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수 및 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값 및 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값을 대입하여, 계측 대상 혼합 가스의 발열량의 값을 산출하는 발열량 산출부를 포함하는 발열량 측정 시스템이 제공된다.

본 발명의 양태에 의하면, (a) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 준비하는 단계와, (b) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와, (c) 저항 산출식에 있어서 온도를 나타내는 독립 변수에 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 단계와, (d) 계측 대상 혼합 가스에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와, (e) 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 보정 계수를 이용하여 보정하는 단계와, (f) 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 준비하는 단계와, (g) 발열량 산출식에 있어서 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수 및 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값 및 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값을 대입하여, 계측 대상 혼합 가스의 발열량의 값을 산출하는 단계를 포함하는 발열량 측정 방법이 제공된다.

본 발명의 양태에 의하면, (a) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 보존하는 저항 산출식 기억부와, (b) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 계수 산출용 계측부와, (c) 저항 산출식에 있어서 온도를 나타내는 독립 변수에 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부와, (d) 보정 계수에 기초하여, 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 보정하는 계측값 보정부를 포함하는 저항 계측 시스템이 제공된다.

본 발명의 양태에 의하면, (a) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 준비하는 단계와, (b) 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와, (c) 저항 산출식에 있어서 온도를 나타내는 독립 변수에 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 단계와, (d) 보정 계수에 기초하여, 발열 소자의 저항의 계측값을 보정하는 단계를 포함하는 저항 계측 방법이 제공된다.

본 발명에 의하면, 가스의 발열량을 용이하게 측정할 수 있는 발열량 산출식 작성 시스템, 발열량 산출식 작성 방법, 발열량 측정 시스템, 및 발열량 측정 방법을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 마이크로칩의 사시도.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 마이크로칩의 도 1의 II-II 방향에서 본 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발열 소자에 관한 회로도.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 보온 소자에 관한 회로도.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발열 소자의 온도와, 가스의 방열 계수의 관계를 도시하는 그래프.
도 6은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템의 제1 모식도.
도 7은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템의 제2 모식도.
도 8은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 방법을 도시하는 흐름도.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템의 모식도.
도 10은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템의 모식도.
도 11은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템을 도시하는 모식도.
도 12는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 발열량 측정 방법을 도시하는 흐름도.
도 13은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템을 도시하는 모식도.
도 14는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템을 도시하는 모식도.
도 15는 본 발명의 실시형태의 실시예 2에 따른 샘플 혼합 가스의 산출된 발열량의 실제값으로부터의 오차를 도시하는 그래프.

이하에 본 발명의 실시형태를 설명한다. 이하의 도면의 기재에서, 동일하거나 또는 유사한 부분에는 동일하거나 또는 유사한 부호로 나타내고 있다. 단, 도면은 모식적인 것이다. 따라서, 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 대조하여 판단해야 하는 것이다. 또한 도면 상호간에서도 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.

(제1 실시형태)

우선, 사시도인 도 1과, II-II 방향에서 본 단면도인 도 2를 참조하여, 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템에 이용되는 마이크로칩(8)에 대해서 설명한다. 마이크로칩(8)은 캐비티(66)가 설치된 기판(60), 및 기판(60) 위에 캐비티(66)를 덮도록 배치된 절연막(65)을 구비한다. 기판(60)의 두께는, 예컨대 0.5 ㎜이다. 또한, 기판(60)의 종횡의 치수는, 예컨대 각각 1.5 ㎜ 정도이다. 절연막(65)에 있어서 캐비티(66)를 덮는 부분은, 단열성의 다이어프램을 이루고 있다. 또한 마이크로칩(8)은, 절연막(65)의 다이어프램 부분에 설치된 발열 소자(61)와, 발열 소자(61)를 사이에 두도록 절연막(65)의 다이어프램 부분에 설치된 제1 측온 소자(62) 및 제2 측온 소자(63)와, 기판(60) 위에 설치된 보온 소자(64)를 구비한다.

발열 소자(61)는, 캐비티(66)를 덮는 절연막(65)의 다이어프램 부분의 중심에 배치되어 있다. 발열 소자(61)는, 예컨대 저항기이며, 전력이 인가되면 발열하여, 발열 소자(61)에 접하는 분위기 가스를 가열한다. 제1 측온 소자(62) 및 제2 측온 소자(63)는, 예컨대 저항기 등의 수동 소자 등의 전자 소자이고, 자기 발열하지 않는 정도의 약한 전압이 가해져 분위기 가스의 가스 온도에 의존한 전기 신호를 출력한다. 또한 자기 발열하지 않는다는 말은, 제1 측온 소자(62) 및 제2 측온 소자(63)의 온도가, 분위기 온도에 근사하고 있는 것을 말한다. 이하에서는, 제1 측온 소자(62)의 출력 신호를 이용하는 예를 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 제1 측온 소자(62)의 출력 신호 및 제2 측온 소자(63)의 출력 신호의 평균값을, 측온 소자의 출력 신호로서 이용하여도 좋다.

보온 소자(64)는, 예컨대 저항기이며, 전력이 인가되면 발열하여, 기판(60)의 온도를 예컨대 60℃로 일정하게 유지한다. 기판(60)의 재료로서는, 실리콘(S_i) 등을 사용할 수 있다. 절연막(65)의 재료로서는, 산화규소(SiO₂) 등을 사용할 수 있다. 캐비티(66)는 이방성 에칭 등에 의해 형성된다. 또한 발열 소자(61), 제1 측온 소자(62), 제2 측온 소자(63), 및 보온 소자(64)의 각각의 재료에는 백금(Pt) 등을 사용할 수 있고, 리소그래피법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한 발열 소자(61), 제1 측온 소자(62), 및 제2 측온 소자(63)는 동일한 부재로 이루어져 있어도 좋다.

마이크로칩(8)은, 마이크로칩(8)의 바닥면에 배치된 단열 부재(18)를 통해 분위기 가스가 충전되는 챔버 등의 용기에 고정된다. 단열 부재(18)를 통해 마이크로칩(8)을 챔버 등에 고정함으로써, 마이크로칩(8)의 온도가, 챔버 등의 내벽의 온도 변동의 영향을 잘 받지 않게 된다. 유리 등으로 이루어지는 단열 부재(18)의 열전도율은, 예컨대 1.0 W/(m·K) 이하이다.

도 3에 도시하는 바와 같이, 발열 소자(61)의 일단에는, 예컨대 연산 증폭기(170)의 +입력 단자가 전기적으로 접속되고, 타단은 접지된다. 또한 연산 증폭기(170)의 +입력 단자 및 출력 단자와 병렬로, 저항 소자(161)가 접속된다. 연산 증폭기(170)의 -입력 단자는, 직렬로 접속된 저항 소자(162)와 저항 소자(163) 사이, 직렬로 접속된 저항 소자(163)와 저항 소자(164) 사이, 직렬로 접속된 저항 소자(164)와 저항 소자(165) 사이, 또는 저항 소자(165)의 접지 단자에 전기적으로 접속된다. 각 저항 소자(162-165)의 저항값을 적당히 정하는 것에 의해, 예컨대 5.0 V의 전압(Vin)을 저항 소자(162)의 일단에 인가하면, 저항 소자(163)와 저항 소자(162) 사이에는, 예컨대 2.4 V의 전압(V_L3)이 생긴다. 또한 저항 소자(164)와 저항 소자(163) 사이에는, 예컨대 1.9 V의 전압(V_L2)이 생기고, 저항 소자(165)와 저항 소자(164) 사이에는, 예컨대 1.4 V의 전압(V_L1)이 생긴다.

저항 소자(162) 및 저항 소자(163) 사이와, 연산 증폭기의 -입력 단자의 사이에는, 스위치(SW1)가 설치되어 있고, 저항 소자(163) 및 저항 소자(164) 사이와, 연산 증폭기의 -입력 단자의 사이에는, 스위치(SW2)가 설치되어 있다. 또한 저항 소자(164) 및 저항 소자(165)의 사이와, 연산 증폭기의 -입력 단자의 사이에는, 스위치(SW3)가 설치되어 있고, 저항 소자(165)의 접지 단자와, 연산 증폭기의 -입력 단자의 사이에는, 스위치(SW4)가 설치되어 있다.

연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 2.4 V의 전압(V_L3)을 인가하는 경우, 스위치(SW1)만이 통전되고, 스위치(SW2, SW3, SW4)는 절단된다. 연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 1.9 V의 전압(V_L2)을 인가하는 경우, 스위치(SW2)만이 통전되고, 스위치(SW1, SW3, SW4)는 절단된다. 연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 1.4 V의 전압(V_L1)을 인가하는 경우, 스위치(SW3)만이 통전되고, 스위치(SW1, SW2, SW4)는 절단된다. 연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 0 V의 전압(V_L0)을 인가하는 경우, 스위치(SW4)만이 통전되고, 스위치(SW1, SW2, SW3)는 절단된다. 따라서, 스위치(SW1, SW2, SW3, SW4)의 개폐에 의해, 연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 0 V 또는 3단계의 전압 중 어느 하나를 인가할 수 있다. 이 때문에 스위치(SW1, SW2, SW3, SW4)의 개폐에 의해, 발열 소자(61)의 발열 온도를 정하는 인가 전압을 3단계로 설정할 수 있다.

여기서, 연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 1.4 V의 전압(V_L1)을 인가한 경우의 발열 소자(61)의 온도를 TH₁로 한다. 또한 연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 1.9 V의 전압(V_L2)을 인가한 경우의 발열 소자(61)의 온도를 TH₂, 연산 증폭기(170)의 -입력 단자에 2.4 V의 전압(V_L3)을 인가한 경우의 발열 소자(61)의 온도를 TH₃로 한다.

도 4에 도시하는 바와 같이, 보온 소자(64)는, 저항 브리지 회로의 일부를 이루고 있다. 저항 브리지 회로는, 보온 소자(64)와 직렬로 접속된 저항 소자(181)와, 보온 소자(64) 및 저항 소자(181)와 병렬로 접속된 저항 소자(182, 183)를 구비한다. 여기서, 보온 소자(64)의 저항값을 Rr, 저항 소자(181, 182, 183)의 고정된 저항값을 각각 R₁₈₁, R₁₈₂, R₁₈₃으로 한다. 저항 브리지 회로에는 연산 증폭기(171)가 접속되어 있다. 저항 소자(181)와 보온 소자(64) 사이의 브리지 전압(V_2a)은, 저항 소자(182)와 저항 소자(183) 사이의 브리지 전압(V_2b)과 같아지도록, 브리지 구동 전압(V₁)이 피드백 제어된다. 이것에 의해, 보온 소자(64)의 저항값(Rr)이 일정해져, 보온 소자(64)가 일정한 온도로 발열한다.

도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)의 저항값은, 발열 소자(61)의 온도에 의해 변화된다. 발열 소자(61)의 온도(T_H)와, 발열 소자(61)의 저항(R_H)의 관계는, 하기 식 (1)로 주어진다.

R_H=R_{H_STD}×[1+α_H(T_H-T_{H_STD})+β_H(T_H-T_{H_STD})²]…(1)

여기서, T_{H_STD}는 발열 소자(61)의 표준 온도를 나타내고, 예컨대 20℃이다. R_{H_STD}는 표준 온도(T_{H_STD})에서의 미리 계측된 발열 소자(61)의 저항값을 나타낸다. α_H는 1차 저항 온도 계수를 나타낸다. β_H는 2차 저항 온도 계수를 나타낸다.

발열 소자(61)의 저항(R_H)은, 발열 소자(61)의 구동 전력(P_H)과, 발열 소자(61)의 통전 전류(I_H)로부터, 하기 식 (2)로 주어진다.

R_H=P_H/I_H ²…(2)

또는 발열 소자(61)의 저항(R_H)은, 발열 소자(61)에 걸리는 전압(V_H)과, 발열 소자(61)의 통전 전류(I_H)로부터, 하기 식 (3)으로 주어진다.

R_H=V_H/I_H…(3)

여기서, 발열 소자(61)의 온도(T_H)는, 발열 소자(61)와 분위기 가스 사이가 열적으로 평형이 되었을 때에 안정된다. 또한 열적으로 평형인 상태란, 발열 소자(61)의 발열과, 발열 소자(61)로부터 분위기 가스로의 방열이 균형잡혀 있는 상태를 말한다. 하기 식 (4)에 나타내는 바와 같이, 평형 상태에서의 발열 소자(61)의 구동 전력(P_H)을, 발열 소자(61)의 온도(T_H)와 분위기 가스의 온도(T_I)의 차(ΔT_H)로 나누는 것에 의해, 분위기 가스의 방열 계수(M_I)를 얻을 수 있다. 또한 방열 계수(M_I)의 단위는, 예컨대 W/℃이다.

M_I=P_H/(T_H-T_I)

=PH/ΔT_H…(4)

상기 식 (1)로부터, 발열 소자(61)의 온도(T_H)는 하기 식 (5)로 주어진다.

T_H=(1/2β_H)×[-α_H+[α_H ² _-4β_H(1-R_H/R_{H_STD})]^1/2]+T_{H_STD…}(5)

따라서, 발열 소자(61)의 온도(T_H)와 분위기 가스의 온도(T_I)의 차(ΔT_H)는, 하기 식 (6)으로 주어진다.

ΔT_H=(1/2β_H)×[-α_H+[α_H ² _-4β_H (1-R_H/R_{H_STD})]^1/2]+T_{H_STD}-T_I…(6)

분위기 가스의 온도(T_I)는, 자기 발열하지 않는 정도의 전력이 인가되는 제1 측온 소자(62)의 온도(T_I)에 근사한다. 제1 측온 소자(62)의 온도(T_I)와, 제1 측온 소자(62)의 저항값(R_I)의 관계는, 하기 식 (7)로 주어진다.

R_I=R_{I_STD}×[1+α_I(T_I-T_{I_STD})+β_I(T_I-T_{I_STD})²]…(7)

T_{I_STD}는 제1 측온 소자(62)의 표준 온도를 나타내고, 예컨대 20℃이다. R_{I_STD}는 표준 온도(T_{I_STD})에서의 미리 계측된 제1 측온 소자(62)의 저항값을 나타낸다. α_I는 1차 저항 온도 계수를 나타낸다. β_I는 2차 저항 온도 계수를 나타낸다. 상기 식 (7)로부터, 제1 측온 소자(62)의 온도(T_I)는 하기 식 (8)로 주어진다.

T_I=(1/2β_I)×[-α_I+[α_I ²-4β_I(1-R_I/R_{I_STD})]^1/2]+T_{I_STD}…(8)

따라서, 분위기 가스의 방열 계수(M_I)는, 하기 식 (9)로 주어진다.

M_I=P_H/ΔT_H

=P_H/[(1/2β_H)[-α_H+[α_H ²-4β_H(1-R_H/R_{H_STD})]^1/2]+T_{H_STD}-(1/2β_I)[-α_I+[α_I ²-4β_I(1-R_I/R_{I_STD})]^1/2]-T_{I_STD}]…(9)

발열 소자(61)의 통전 전류(I_H)의 값과, 구동 전력(P_H) 또는 전압(V_H)의 값은 계측할 수 있기 때문에, 상기 식 (2) 또는 식 (3)으로부터 발열 소자(61)의 저항값(R_H)을 산출할 수 있다. 마찬가지로, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값도 산출할 수 있다. 따라서, 마이크로칩(8)을 이용하여, 상기 식 (9)로부터 분위기 가스의 방열 계수(M_I)를 산출할 수 있다.

또한, 보온 소자(64)로 기판(60)의 온도를 일정하게 유지하는 것에 의해, 발열 소자(61)가 발열하기 전의 마이크로칩(8) 근방의 분위기 가스의 온도가, 기판(60)의 일정한 온도와 근사한다. 이 때문에, 발열 소자(61)가 발열하기 전의 분위기 가스의 온도의 변동이 억제된다. 온도 변동이 한번 억제된 분위기 가스를 발열 소자(61)로 더 가열함으로써, 보다 높은 정밀도로 방열 계수(M_I)를 산출할 수 있게 된다.

여기서, 분위기 가스가 혼합 가스이고, 혼합 가스가 가스 A, 가스 B, 가스 C, 및 가스 D의 4종류의 가스 성분으로 이루어져 있는 것으로 가정한다. 가스 A의 체적률(V_A), 가스 B의 체적률(V_B), 가스 C의 체적률(V_C), 및 가스 D의 체적률(V_D)의 총합은, 하기 식 (10)으로 주어지는 바와 같이, 1이다.

V_A+V_B+V_C+V_D=1…(10)

또한, 가스 A의 단위 체적당의 발열량을 K_A, 가스 B의 단위 체적당의 발열량을 K_B, 가스 C의 단위 체적당의 발열량을 K_C, 가스 D의 단위 체적당의 발열량을 K_D라고 하면, 혼합 가스의 단위 체적당의 발열량(Q)은, 각 가스 성분의 체적률에, 각 가스 성분의 단위 체적당의 발열량을 곱한 것의 총합으로 주어진다. 따라서, 혼합 가스의 단위 체적당의 발열량(Q)은, 하기 식 (11)로 주어진다. 또한, 단위 체적당의 발열량의 단위는, 예컨대 MJ/m³이다.

Q=K_A×V_A+K_B×V_B+K_C×V_C+K_D×V_D…(11)

또한, 가스 A의 방열 계수를 M_A, 가스 B의 방열 계수를 M_B, 가스 C의 방열 계수를 M_C, 가스 D의 방열 계수를 M_D라고 하면, 혼합 가스의 방열 계수(M_I)는, 각 가스 성분의 체적률에, 각 가스 성분의 방열 계수를 곱한 것의 총합으로 주어진다. 따라서, 혼합 가스의 방열 계수(M_I)는, 하기 식 (12)로 주어진다.

M_I=M_A×V_A+M_B×V_B+M_C×V_C+M_D×V_D…(12)

또한, 가스의 방열 계수는 발열 소자(61)의 발열 온도(T_H)에 의존하기 때문에, 혼합 가스의 방열 계수(M_I)는, 발열 소자(61)의 온도(T_H)의 함수로서, 하기 식 (13)으로 주어진다.

M_I(T_H)=M_A(T_H)×V_A+M_B(T_H)×V_B+M_C(T_H)×V_C+M_D(T_H)×V_D…(13)

따라서, 발열 소자(61)의 온도가 T_H1일 때의 혼합 가스의 방열 계수[M_I(T_H1)]는 하기 식 (14)로 주어진다. 또한, 발열 소자(61)의 온도가 T_H2일 때의 혼합 가스의 방열 계수[M_I(T_H2)]는 하기 식 (15)로 주어지고, 발열 소자(61)의 온도가 T_H3일 때의 혼합 가스의 방열 계수[M_I(T_H3)]는 하기 식 (16)으로 주어진다.

M_I(T_H1)=M_A(T_H1)×V_A+M_B(T_H1)×V_B+M_C(T_H1)×V_C+M_D(T_H1)×V_D…(14)

M_I(T_H2)=M_A(T_H2)×V_A+M_B(T_H2)×V_B+M_C(T_H2)×V_C+M_D(T_H2)×V_D…(15)

M_I(T_H3)=M_A(T_H3)×V_A+M_B(T_H3)×V_B+M_C(T_H3)×V_C+M_D(T_H3)×V_D…(16)

여기서, 발열 소자(61)의 온도(T_H)에 대하여 각 가스 성분의 방열 계수[M_A(T_H), M_B(T_H), M_C(T_H), M_D(T_H)]가 비선형성을 갖는 경우, 상기 식 (14) 내지 (16)은, 선형 독립인 관계를 갖는다. 또한, 발열 소자(61)의 온도(T_H)에 대하여 각 가스 성분의 방열 계수[M_A(T_H), M_B(T_H), M_C(T_H), M_D(T_H)]가 선형성을 갖는 경우라도, 발열 소자(61)의 온도(T_H)에 대한 각 가스 성분의 방열 계수[M_A(T_H), M_B(T_H), M_C(T_H), M_D(T_H)]의 변화율이 상이한 경우는, 상기 식 (14) 내지 (16)은, 선형 독립인 관계를 갖는다. 또한 식 (14) 내지 (16)이 선형 독립인 관계를 갖는 경우, 식 (10) 및 (14) 내지 (16)은 선형 독립인 관계를 갖는다.

도 5는, 천연 가스에 포함되는 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂)의 방열 계수와, 발열 저항체인 발열 소자(61)의 온도의 관계를 도시하는 그래프이다. 발열 소자(61)의 온도에 대하여, 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂) 각각의 가스 성분의 방열 계수는 선형성을 갖는다. 그러나 발열 소자(61)의 온도에 대한 방열 계수의 변화율은, 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂)의 각각에서 상이하다. 따라서, 혼합 가스를 구성하는 가스 성분이 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂)인 경우, 상기 식 (14) 내지 (16)은 선형 독립인 관계를 갖는다.

식 (14) 내지 (16) 중 각 가스 성분의 방열 계수[M_A(T_H1), M_B(T_H1), M_C(T_H1), M_D(T_H1), M_A(T_H2), M_B(T_H2), M_C(T_H2), M_D(T_H2), M_A(T_H3), M_B(T_H3), M_C(T_H3), M_D(T_H3)]의 값은, 계측 등에 의해 미리 얻을 수 있다. 따라서, 식 (10) 및 (14) 내지 (16)의 연립 방정식을 풀면, 가스 A의 체적률(V_A), 가스 B의 체적률(V_B), 가스 C의 체적률(V_C), 및 가스 D의 체적률(V_D)의 각각이, 하기 식 (17) 내지 (20)에 나타내는 바와 같이, 혼합 가스의 방열 계수[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]의 함수로서 주어진다. 또한 하기 식 (17) 내지 (20)식에 있어서, n은 자연수로 하고, f_n은 함수를 나타내는 기호이다.

V_A=f₁[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]…(17)

V_B=f₂[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]…(18)

V_C=f₃[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]…(19)

V_D=f₄[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]…(20)

여기서, 상기 식 (11)에 식 (17) 내지 (20)을 대입하는 것에 의해, 하기 식 (21)을 얻을 수 있다.

Q=K_A×V_A+K_B×V_B+K_C×V_C+K_D×V_D

=K_A×f₁[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]

+K_B×f₂[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]

+K_C×f₃[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]

+K_D×f₄[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]…(21)

상기 식 (21)에 나타내는 바와 같이, 혼합 가스의 단위 체적당의 발열량(Q)은, 발열 소자(61)의 온도가 T_H1, T_H2, T_H3인 경우의 혼합 가스의 방열 계수[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]를 변수로 하는 방정식으로 주어진다. 따라서, 혼합 가스의 발열량(Q)은, g를 함수를 나타내는 기호로서, 하기 식 (22)로 주어진다.

Q=g[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]…(22)

따라서, 가스 A, 가스 B, 가스 C, 및 가스 D로 이루어지는 혼합 가스에 대해서, 미리 상기 식 (22)를 얻으면, 가스 A의 체적률(V_A), 가스 B의 체적률(V_B), 가스 C의 체적률(V_C), 및 가스 D의 체적률(V_D)이 미지인 검사 대상 혼합 가스의 단위 체적당의 발열량(Q)을 용이하게 산출할 수 있는 것을, 발명자들은 발견하였다. 구체적으로는, 발열 소자(61)의 발열 온도가 T_H1, T_H2, T_H3인 경우의 검사 대상 혼합 가스의 방열 계수[M_I(T_H1), M_I(T_H2), M_I(T_H3)]를 계측하여, 식 (22)에 대입하는 것에 의해, 검사 대상 혼합 가스의 발열량(Q)을 일률적으로 구할 수 있게 된다.

또한, 혼합 가스의 방열 계수(M_I)는, 상기 식 (9)에 나타내는 바와 같이, 발열 소자(61)의 저항(R_H)과, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)에 의존한다. 그래서, 본 발명자들은, 혼합 가스의 단위 체적당의 발열량(Q)은, 하기 식 (23)에 나타내는 바와 같이, 발열 온도가 T_H1, T_H2, T_H3인 경우의 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항[R_H(T_H1), R_H(T_H2), R_H(T_H3)]과, 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 변수로 하는 방정식으로도 주어지는 것을 발견하였다.

Q=g[R_H(T_H1), R_H(T_H2), R_H(T_H3), R_I]…(23)

또한, 발열 소자(61)의 발열 온도(T_H)는, 발열 소자(61)에 가해진 전압(V_L)에 의존한다. 따라서, 혼합 가스의 단위 체적당의 발열량(Q)은, 하기 식 (24)에 나타내는 바와 같이, 가해진 전압이 V_L1, V_L2, V_L3인 경우의 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]과, 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 변수로 하는 방정식으로 주어진다.

Q=g[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3), R_I]…(24)

따라서, 검사 대상 혼합 가스에 접하여, 가해진 전압이 V_L1, V_L2, V_L3인 경우의 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값과, 검사 대상 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값을 계측하여, 식 (24)에 대입하는 것에 의해서도, 검사 대상 혼합 가스의 발열량(Q)을 일률적으로 구할 수 있게 된다.

또한, 혼합 가스의 가스 성분은, 4종류에 한정되지 않는다. 예컨대 혼합 가스가 n 종류의 가스 성분으로 이루어지는 경우, 우선, 하기 식 (25)로 주어지는, 적어도 n-1 종류의 전압(V_L1, V_L2, V_L3, …, V_Ln-1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3), …, R_H(V_Ln-1)]과, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 변수로 하는 방정식을 미리 취득한다. 그리고, n-1 종류의 전압(V_L1, V_L2, V_L3, …, V_Ln-1)이 가해진 n 종류의 가스 성분의 각각의 체적률이 미지인 검사 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3), …, R_H(V_Ln-1)]의 값과, 검사 대상 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값을 계측하여, 식 (25)에 대입하는 것에 의해, 검사 대상 혼합 가스의 단위 체적당의 발열량(Q)을 일률적으로 구할 수 있게 된다.

Q=g[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3), …, R_H(V_Ln-1), R_I]…(25)

단, 혼합 가스가, 가스 성분으로서 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈)에 추가로, j를 자연수로 할때, 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈) 이외의 알칸(C_jH_2j+2)을 포함하는 경우, 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈) 이외의 알칸(CjH_2j+2)을, 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈)의 혼합물로 간주하여도, 식 (25)의 산출에는 영향을 미치지 않는다. 예컨대 에탄(C₂H₆), 부탄(C₄H₁₀), 펜탄(C₅H₁₂), 헥산(C₆H₁₄)을, 하기 식 (26) 내지 (29)에 나타내는 바와 같이, 각각 정해진 계수를 곱한 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈)의 혼합물로 간주하여 식 (25)를 산출하여도 상관없다.

C₂H₆=0.5 CH₄+0.5 C₃H₈…(26)

C₄H₁₀=-0.5 CH₄+1.5 C₃H₈…(27)

C₅H₁₂=-1.0 CH₄+2.0 C₃H₈…(28)

C₆H₁₄=-1.5 CH₄+2.5 C₃H₈…(29)

따라서, z를 자연수로 하면, n 종류의 가스 성분으로 이루어지는 혼합 가스가, 가스 성분으로서 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈)에 추가로, 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈) 이외의 z 종류의 알칸(C_jH_2j+2)을 포함하는 경우, 적어도 n-z-1 종류의 전압이 가해진 발열 소자(61)의 저항(R_H)과, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 변수로 하는 방정식을 구하여도 좋다.

또한, 식 (25)의 산출에 이용된 혼합 가스의 가스 성분의 종류와, 단위 체적당의 발열량(Q)이 미지인 검사 대상 혼합 가스의 가스 성분의 종류가 동일한 경우에, 검사 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 산출에 식 (25)를 이용할 수 있는 것은 물론이다. 또한 검사 대상 혼합 가스가 n 종류보다 적은 종류의 가스 성분으로 이루어지고, n 종류보다 적은 종류의 가스 성분이, 식 (25)의 산출에 이용된 혼합 가스에 포함되어 있는 경우도, 식 (25)를 이용할 수 있다. 예컨대 식 (25)의 산출에 이용된 혼합 가스가 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂)의 4종류의 가스 성분을 포함하는 경우, 검사 대상 혼합 가스가 질소(N₂)를 포함하지 않고, 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 및 이산화탄소(CO₂)의 3 종류의 가스 성분만을 포함하는 경우도, 검사 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 산출에 식 (25)를 이용할 수 있다.

또한, 식 (25)의 산출에 이용된 혼합 가스가, 가스 성분으로서 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈)을 포함하는 경우, 검사 대상 혼합 가스가, 식 (25)의 산출에 이용된 혼합 가스에 포함되지 않는 알칸(C_jH_2j+2)을 포함하고 있어도, 식 (25)를 이용할 수 있다. 이것은, 전술한 바와 같이, 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈) 이외의 알칸(C_jH_2j+2)을, 메탄(CH₄)과 프로판(C₃H₈)의 혼합물로 간주하여도, 식 (25)를 이용한 단위 체적당의 발열량(Q)의 산출에 영향을 미치지 않기 때문이다.

여기서, 도 6에 도시하는 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)은, 복수의 샘플 혼합 가스의 각각이 주입되는 용기인 챔버(101)와, 챔버(101)에 배치되어, 도 1에 도시하는 제1 측온 소자(62) 및 복수의 전압(V_L)이 가해져 복수의 발열 온도(T_H)로 발열하는 발열 소자(61)를 포함하는 마이크로칩(8)을 구비한다. 또한 도 6에 도시하는 발열량 산출식 작성 시스템(20)은, 복수의 샘플 혼합 가스의 각각의 온도(T_I)에 의존하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 계측값과, 복수의 전압(V_L)의 각각이 가해진 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 계측값을 취득하는 식 작성용 계측부(301)와, 복수의 혼합 가스의 기지의 발열량(Q)의 값, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 계측값, 및 복수의 전압(V_L)이 가해진 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 계측값에 기초하여, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 독립 변수, 복수의 전압(V_L) 각각이 가해진 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 독립 변수, 및 발열량(Q)을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 작성하는 발열량 산출식 작성부를 구비한다. 또한, 샘플 혼합 가스는, 복수 종류의 가스 성분을 포함한다.

마이크로칩(8)은, 단열 부재(18)를 통해 챔버(101) 안에 배치되어 있다. 챔버(101)에는, 샘플 혼합 가스를 챔버(101)에 보내기 위한 유로(102)와, 샘플 혼합 가스를 챔버(101)로부터 외부에 배출하기 위한 유로(103)가 접속되어 있다.

각각 발열량(Q)이 상이한 4종류의 샘플 혼합 가스가 사용되는 경우, 도 7에 도시하는 바와 같이, 제1 샘플 혼합 가스를 저장하는 제1 가스 봄베(50A), 제2 샘플 혼합 가스를 저장하는 제2 가스 봄베(50B), 제3 샘플 혼합 가스를 저장하는 제3 가스 봄베(50C), 및 제4 샘플 혼합 가스를 저장하는 제4 가스 봄베(50D)가 준비된다. 제1 가스 봄베(50A)에는, 유로(91A)를 통해 제1 가스 봄베(50A)로부터 예컨대 0.2 MPa 등의 저압으로 조절된 제1 샘플 혼합 가스를 얻기 위한 제1 가스압 조절기(31A)가 접속되어 있다. 또한, 제1 가스압 조절기(31A)에는, 유로(92A)를 통해 제1 유량 제어 장치(32A)가 접속되어 있다. 제1 유량 제어 장치(32A)는, 유로(92A) 및 유로(102)를 통해 발열량 산출식 작성 시스템(20)에 보내지는 제1 샘플 혼합 가스의 유량을 제어한다.

제2 가스 봄베(50B)에는, 유로(91B)를 통해 제2 가스압 조절기(31B)가 접속되어 있다. 또한, 제2 가스압 조절기(31B)에는, 유로(92B)를 통해 제2 유량 제어 장치(32B)가 접속되어 있다. 제2 유량 제어 장치(32B)는 유로(92B, 93, 102)를 통해 발열량 산출식 작성 시스템(20)에 보내지는 제2 샘플 혼합 가스의 유량을 제어한다.

제3 가스 봄베(50C)에는, 유로(91C)를 통해 제3 가스압 조절기(31C)가 접속되어 있다. 또한 제3 가스압 조절기(31C)에는, 유로(92C)를 통해 제3 유량 제어 장치(32C)가 접속되어 있다. 제3 유량 제어 장치(32C)는, 유로(92C, 93, 102)를 통해 발열량 산출식 작성 시스템(20)에 보내지는 제3 샘플 혼합 가스의 유량을 제어한다.

제4 가스 봄베(50D)에는, 유로(91D)를 통해 제4 가스압 조절기(31D)가 접속되어 있다. 또한, 제4 가스압 조절기(31D)에는, 유로(92D)를 통해 제4 유량 제어 장치(32D)가 접속되어 있다. 제4 유량 제어 장치(32D)는, 유로(92D, 93,102)를 통해 발열량 산출식 작성 시스템(20)에 보내지는 제4 샘플 혼합 가스의 유량을 제어한다.

제1 내지 제4 샘플 혼합 가스의 각각은, 예컨대 천연 가스이다. 제1 내지 제4 샘플 혼합 가스의 각각은, 예컨대 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂)의 4종류의 가스 성분을 포함한다.

도 6에 도시하는 챔버(101)에 제1 샘플 혼합 가스가 충전된 후, 도 1 및 도 2에 도시하는 마이크로칩(8)의 제1 측온 소자(62)에는, 자기 발열하지 않는 정도의 약한 전압이 가해진다. 다음에, 발열 소자(61)는, 도 6에 도시하는 구동 회로(303)로부터 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 순차적으로 가해진다. 챔버(101)로부터 제1 샘플 혼합 가스가 제거된 후, 제2 내지 제4 샘플 혼합 가스가 챔버(101)에 순차 충전된다. 제2 샘플 혼합 가스가 챔버(101)에 충전된 후, 도 1 및 도 2에 도시하는 마이크로칩(8)의 제1 측온 소자(62)에는, 자기 발열하지 않는 정도의 약한 전압이 가해진다. 다음에, 제2 샘플 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)는, 도 6에 도시하는 구동 회로(303)로부터 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 순차적으로 가해진다.

제3 샘플 혼합 가스가 도 6에 도시하는 챔버(101)에 충전된 후, 도 1 및 도 2에 도시하는 마이크로칩(8)의 제1 측온 소자(62)에는, 자기 발열하지 않는 정도의 약한 전압이 가해진다. 다음에, 제3 샘플 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)에는, 도 6에 도시하는 구동 회로(303)로부터 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 순차적으로 가해진다. 제4 샘플 혼합 가스가 도 6에 도시하는 챔버(101)에 충전된 후, 도 1 및 도 2에 도시하는 마이크로칩(8)의 제1 측온 소자(62)는, 자기 발열하지 않는 정도의 약한 전압이 가해진다. 다음에, 제4 샘플 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)는, 도 6에 도시하는 구동 회로(303)로부터 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 순차적으로 가해진다.

또한, 각각의 샘플 혼합 가스가 n 종류의 가스 성분을 포함하는 경우, 마이크로칩(8)의 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에는, 적어도 n-1 종류의 상이한 전압이 가해진다. 단, 전술한 바와 같이, 메탄(CH₄) 및 프로판(C₃H₈) 이외의 알칸(C_jH_2j+2)은, 메탄(CH₄) 및 프로판(C₃H₈)의 혼합물로 간주할 수 있다. 따라서, z를 자연수로 하면, n 종류의 가스 성분으로 이루어지는 샘플 혼합 가스가, 가스 성분으로서 메탄(CH₄) 및 프로판(C₃H₈)에 추가로, z 종류의 알칸(C_jH_2j+2)을 포함하는 경우에, 발열 소자(61)는, 적어도 n-z-1 종류의 상이한 전압이 가해진다.

도 6에 도시하는 바와 같이, 마이크로칩(8)은, 식 작성용 계측부(301)를 포함하는 중앙 연산 처리 장치(CPU)(300)에 접속되어 있다. CPU(300)에는, 전기 신호 기억 장치(401)가 접속되어 있다. 식 작성용 계측부(301)는, 자기 발열하지 않는 정도의 약한 전압이 가해진 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값과, 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값을 계측하여, 계측값을 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

CPU(300)에 포함되는 발열량 산출식 작성부(302)는, 예컨대 제1 내지 제4 샘플 혼합 가스 각각의 기지의 발열량(Q)의 값과, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 복수의 계측값과, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 복수의 계측값을 수집한다. 또한 발열량 산출식 작성부(302)는, 수집한 발열량(Q)의 값, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값, 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값에 기초하여, 다변량 해석에 의해, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I) 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 독립 변수로 하고, 발열량(Q)을 종속 변수로 하는 발열량 산출식을 산출한다.

또한, 「다변량 해석」이란, A. J Smola 및 B. Scholkopf저의 「A Tutorial on Support Vector Regression」(NeuroCOLT Technical Report(NC-TR-98-030), 1998년)에 개시되어 있는 서포트 벡터 회귀, 중회귀 분석, 및 일본 특허 공개 평5-141999호 공보에 개시되어 있는 퍼지 수량화 이론 II류 등을 포함한다.

발열량 산출식 시스템(20)은, CPU(300)에 접속된 발열량 산출식 기억 장치(402)를 더 구비한다. 발열량 산출식 기억 장치(402)는 발열량 산출식 작성부(302)가 작성한 발열량 산출식을 보존한다. CPU(300)에는, 입력 장치(312) 및 출력 장치(313)가 더 접속된다. 입력 장치(312)로서는, 예컨대 키보드, 및 마우스 등의 포인팅 디바이스 등을 사용할 수 있다. 출력 장치(313)로는, 액정 디스플레이, 모니터 등의 화상 표시 장치, 및 프린터 등을 사용할 수 있다.

다음에, 도 8에 도시하는 흐름도를 이용하여 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 방법에 대해서 설명한다.

(a) 단계 S100에서, 도 1 및 도 2에 도시하는 보온 소자(64)를 발열시켜, 기판(60)의 온도를 예컨대 60℃로 일정하게 유지한다. 다음에 도 7에 도시하는 제2 내지 제4 유량 제어 장치(32B-32D)의 밸브를 폐쇄한 채, 제1 유량 제어 장치(32A)의 밸브를 개방하여, 도 6에 도시하는 챔버(101) 안에 제1 샘플 혼합 가스를 도입한다. 단계 S101에서, 식 작성용 계측부(301)는, 제1 샘플 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값을 계측하여, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다. 다음에, 구동 회로(303)는 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 전압(V_L1)을 가하여, 발열 소자(61)를 발열시킨다. 도 6에 도시하는 식 작성용 계측부(301)는, 제1 샘플 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1)]의 값을, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

(b) 단계 S102에서, 구동 회로(303)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 가하는 전압(V_L)의 전환이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 전압(V_L2, V_L3)으로의 전환이 완료되어 있지 않는 경우에는, 단계 S101로 되돌아가, 도 6에 도시하는 구동 회로(303)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 전압(V_L2)을 가하여, 발열 소자(61)를 발열시킨다. 도 6에 도시하는 식 작성용 계측부(301)는, 제1 샘플 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L2)]의 값을, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

(c) 다시 단계 S102에서, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 가하는 전압(V_L)의 전환이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 전압(V_L3)으로의 전환이 완료되어 있지 않는 경우에는, 단계 S101로 되돌아가, 도 6에 도시하는 구동 회로(303)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 전압(V_L3)을 가하여, 발열 소자(61)를 발열시킨다. 도 6에 도시하는 식 작성용 계측부(301)는, 제1 샘플 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L3)]의 값을, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

(d) 발열 소자(61)에 가하는 전압(V_L)의 전환이 완료된 경우에는, 단계 S102로부터 단계 S103으로 진행한다. 단계 S103에서, 샘플 혼합 가스의 전환이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 제2 내지 제4 샘플 혼합 가스로의 전환이 완료되어 있지 않는 경우에는, 단계 S100로 되돌아간다. 단계 S100에서, 도 7에 도시하는 제1 유량 제어 장치(32A)를 폐쇄하고, 제3 내지 제4 유량 제어 장치(32C-32D)의 밸브를 폐쇄한 채 제2 유량 제어 장치(32B)의 밸브를 개방하여, 도 6에 도시하는 챔버(101) 안에 제2 샘플 혼합 가스를 도입한다.

(e) 제1 샘플 혼합 가스와 마찬가지로, 단계 S101 내지 단계 S102의 루프가 반복된다. 식 작성용 계측부(301)는, 제2 샘플 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값을 계측하여, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다. 또한, 식 작성용 계측부(301)는, 제2 샘플 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값을, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다. 그 후, 단계 S100 내지 단계 S103의 루프가 반복된다. 이것에 의해, 제3 샘플 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값과, 제3 샘플 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값과, 제4 샘플 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값과, 제4 샘플 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값이, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존된다.

(f) 단계 S104에서, 입력 장치(312)로부터 발열량 산출식 작성부(302)에, 제1 샘플 혼합 가스의 기지의 발열량(Q)의 값, 제2 샘플 혼합 가스의 기지의 발열량(Q)의 값, 제3 샘플 혼합 가스의 기지의 발열량(Q)의 값, 및 제4 샘플 혼합 가스의 기지의 발열량(Q)의 값을 입력한다. 또한, 발열량 산출식 작성부(302)는, 전기 신호 기억 장치(401)로부터, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 복수의 계측값과, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 복수의 계측값을 독출한다.

(g) 단계 S105에서, 제1 내지 제4 샘플 혼합 가스의 발열량(Q)의 값과, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 복수의 계측값과, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 복수의 계측값에 기초하여, 발열량 산출식 작성부(302)는 중회귀 분석을 한다. 중회귀 분석에 의해, 발열량 산출식 작성부(302)는, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I) 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 독립 변수로 하고, 발열량(Q)을 종속 변수로 하는 발열량 산출식을 산출한다. 그 후, 단계 S106에서, 발열량 산출식 작성부(302)는 작성한 발열량 산출식을 발열량 산출식 기억 장치(402)에 보존하여, 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 방법이 종료한다.

이상 나타낸 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 방법에 의하면, 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 일률적으로 산출할 수 있는 발열량 산출식을 작성할 수 있게 된다.

(제2 실시형태)

도 9에 도시하는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)은, 교정 가스에 접하는 도 1 및 도 2에 도시하는 제1 측온 소자(62)가 검출하는 온도(T_I)를 나타내는 독립 변수, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 보존하는 저항 산출식 기억 장치(421)와, 교정 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)가 검출한 온도(T_I)를 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 계측값을 얻는 계수 산출용 계측부(321)와, 저항 산출식에 있어서 온도(T_I)를 나타내는 독립 변수에 온도(T_I)를 나타내는 계측값을 대입하여 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 산출값을 산출하여, 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 계측값과, 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부(322)를 구비한다.

여기서, 저항 산출식의 취득 방법에 대해서 설명한다. 우선, 보온 소자(64)를 발열시켜, 기판(60)의 온도를 예컨대 60℃ 등과 같이, 일정한 온도로 유지한다. 이하, 기판(60)의 온도를 T_S로 나타낸다. 다음에, 도 9에 도시하는 챔버(101)에 -10℃의 메탄 가스를 교정 가스로서 주입한다. 이 때 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I1)를 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 분위기 온도(T_I1)는, 예컨대 58℃이다. 다음에, 발열 소자(61)에 전압(V_L1, V_L2, V_L3)을 순차적으로 가하여, 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI1}(V_L1), R_{H_Ch_TI1}(V_L2), R_{H_Ch_TI1}(V_L3)]의 값을 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 그 후, 메탄 가스를 배출한다.

다음에, 챔버(101)에 5℃의 메탄 가스를 주입한다. 이 때 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I2)를 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 분위기 온도(T_I2)는, 예컨대 59℃이다. 다음에, 발열 소자(61)에 전압(V_L1, V_L2, V_L3)을 순차적으로 가하여, 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI2}(V_L1), R_{H_Ch_TI2}(V_L2), R_{H_Ch_TI2}(V_L3)]의 값을 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 그 후, 메탄 가스를 배출한다.

다음에, 챔버(101)에 23℃의 메탄 가스를 주입한다. 이 때 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I3)를 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 분위기 온도(T_I3)는, 예컨대 60℃이고, 기판(60)의 온도(T_S)와 같다. 다음에, 발열 소자(61)에 전압(V_L1, V_L2, V_L3)을 순차적으로 가하여, 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI3}(V_L1), R_{H_Ch_TI3}(V_L2), R_{H_Ch_TI3}(V_L3)]의 값을 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 그 후, 메탄 가스를 배출한다.

다음에, 챔버(101)에 40℃의 메탄 가스를 주입한다. 이 때 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I4)를 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 분위기 온도(T_I4)는, 예컨대 61℃이다. 다음에, 발열 소자(61)에 전압(V_L1, V_L2, V_L3)을 순차적으로 가하여, 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI4}(V_L1), R_{H_Ch_TI4}(V_L2), R_{H_Ch_TI4}(V_L3)]의 값을 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 그 후, 메탄 가스를 배출한다.

다음에, 챔버(101)에 50℃의 메탄 가스를 주입한다. 이 때 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I5)를 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 분위기 온도(T_I5)는, 예컨대 62℃이다. 다음에, 발열 소자(61)에 전압(V_L1, V_L2, V_L3)을 순차적으로 가하여, 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI5}(V_L1), R_{H_Ch_TI5}(V_L2), R_{H_Ch_TI5}(V_L3)]의 값을 식 작성용 계측부(301)로 계측한다. 그 후, 메탄 가스를 배출한다.

CPU(300)는, 저항 산출식 작성부(324)를 더 포함한다. 저항 산출식 작성부(324)는, 분위기 온도(T_I1, T_I2, T_I3, T_I4, T_I5)의 값과, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI1}(V_L1), R_{H_Ch_TI2}(V_L1), R_{H_Ch_TI3}(V_L1), R_{H_Ch_TI4}(V_L1), R_{H_Ch_TI5}(V_L1)]의 값을 수집한다. 여기서, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I3)가 기판(60)의 온도(T_S)와 같아졌을 때의 저항[R_{H_Ch_TI3}(V_L1)]의 값을 R_{H_Ch_Ts}(V_L1)로 하면, 저항 산출식 작성부(324)는, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I)를 독립 변수로 하며, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch}(V_L1)]을 종속 변수로 하는 저항 산출식을 작성한다.

R_{H_Ch}(V_L1)=R_{H_Ch_Ts}(V_L1)[1+a_L1(T_I-T_S)]…(30)

a_L1은 상수를 나타낸다. 기판(60)의 온도가 60℃로 유지되고 있는 경우, 상기 식 (30)으로부터 하기 식 (31)이 유도된다.

R_{H_Ch}(V_L1)=R_{H_Ch_Ts}(V_L1)[1+a_L1(T_I-60)]…(31)

또한, 저항 산출식 작성부(324)는, 분위기 온도(T_I1, T_I2, T_I3, T_I4, T_I5)의 값과, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI1}(V_L2), R_{H_Ch_TI2}(V_L2), R_{H_Ch_TI3}(V_L2), R_{H_Ch_TI4}(V_L2), R_{H_Ch_TI5}(V_L2)]의 값을 수집한다. 여기서, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I3)가 기판(60)의 온도(T_S)와 같아졌을 때의 저항[R_{H_Ch_TI3}(V_L2)]의 값을 R_{H_Ch_Ts}(V_L2)로 하면, 저항 산출식 작성부(324)는, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I)를 독립 변수로 하며, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch}(V_L2)]을 종속 변수로 하는 저항 산출식을 작성한다.

R_{H_Ch}(V_L2)=R_{H_Ch_Ts}(V_L2)[1+a_L2(T_I-T_S)]…(32)

a_L2는 상수를 나타낸다. 기판(60)의 온도가 60℃로 유지되고 있는 경우, 상기 식 (32)로부터 하기 식 (33)이 유도된다.

R_{H_Ch}(V_L2)=R_{H_Ch_Ts}(V_L2)[1+a_L2(T_I-60)]…(33)

또한, 저항 산출식 작성부(324)는, 분위기 온도(T_I1, T_I2, T_I3, T_I4, T_I5)의 값과, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch_TI1}(V_L3), R_{H_Ch_TI2}(V_L3), R_{H_Ch_TI3}(V_L3), R_{H_Ch_TI4}(V_L3), R_{H_Ch_TI5}(V_L3)]의 값을 수집한다. 여기서, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I3)가 기판(60)의 온도(T_S)와 같아졌을 때의 저항[R_{H_Ch_TI3}(V_L3)]의 값을 R_{H_Ch_Ts}(V_L3)으로 하면, 저항 산출식 작성부(324)는, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I)를 독립 변수로 하며, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch}(V_L3)]을 종속 변수로 하는 저항 산출식을 작성한다.

R_{H_Ch}(V_L3)=R_{H_Ch_Ts}(V_L3)[1+a_L3(T_I-T_S)]…(34)

a_L3은 상수를 나타낸다. 기판(60)의 온도가 60℃로 유지되고 있는 경우, 상기 식 (34)로부터 하기 식 (35)가 유도된다.

R_{H_Ch}(V_L3)=R_{H_Ch_Ts}(V_L3)[1+a_L3(T_I-60)]…(35)

저항 산출식 작성부(324)는, 산출한 상기 식 (31), (33), 및 (35)를, 저항 산출식으로서, 저항 산출식 기억 장치(421)에 보존한다. 여기서, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)는 고온으로 발열하도록 고전압이 걸리기 때문에, 일렉트로마이그레이션이 생길 수 있다. 이 때문에 정해진 분위기 온도하에서 정해진 전압(V_L)이 걸린 발열 소자(61)의 저항(R_H)의 값이, 시간의 경과에 따른 변화 등에 의해 초기값으로부터 드리프트하는 경우가 있다. 저항 산출식은, 예컨대 도 9에 도시하는 발열량 산출식 작성 시스템(20)의 제조시 등과 같이, 발열 소자(61)에 일렉트로마이그레이션이 생기기 전에 작성되어, 저항 산출식 기억 장치(421)에 보존된다. 단, 저항 산출식을 작성하는 시기는 이것에 한정되지 않는다.

다음에, 예컨대 발열 소자(61)에 일렉트로마이그레이션이 생길 수 있는 일정 기간, 도 9에 도시하는 발열량 산출식 작성 시스템(20)을 가동시킨 후, 도 1 및 도 2에 도시하는 보온 소자(64)를 발열시켜, 기판(60)의 온도를 예컨대 60℃로 일정하게 유지한다. 또한 도 9에 도시하는 챔버(101)에 임의의 온도의 메탄 가스를 주입한다. 이 때 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I)의 값을 계수 산출용 계측부(321)로 계측한다. 또한, 발열 소자(61)에 전압(V_L1, V_L2, V_L3)을 순차적으로 가하여, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값을 계수 산출용 계측부(321)로 계측한다. 그 후, 메탄 가스를 배출한다.

보정 계수 산출부(322)는, 상기 식 (31), (33), (35)에 포함되는 제1 측온 소자(62)가 검출하는 분위기 온도(T_I)의 변수에 계측값을 대입하여, 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_{H_Ch}(V_L1), R_{H_Ch}(V_L2), R_{H_Ch}(V_L3)]의 값을 산출한다. 또한 보정 계수 산출부(322)는, 하기 식 (36)에 나타내는 바와 같이, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항의 산출값[R_{H_Ch}(V_L1)]을, 측정값[R_H(V_L1)]으로 나눠, 보정 계수[cf(V_L1)]를 산출한다.

cf(V_L1)=R_{H_Ch}(V_L1)/R_H(V_L1)…(36)

여기서, 보정 계수[cf(V_L1)]는, 식 (31)을 작성한 시점으로부터, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1)]의 값을 계수 산출용 계측부(321)로 계측한 시점까지에 생긴, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항 드리프트의 정도를 나타내고 있다. 예컨대 드리프트가 생기지 않은 경우는, 보정 계수[cf(V_L1)]의 값은 1이 된다.

또한, 보정 계수 산출부(322)는, 하기 식 (37)에 도시하는 바와 같이, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항의 산출값[R_{H_Ch}(V_L2)]을, 측정값[R_H(V_L2)]으로 나눠, 보정 계수[cf(V_L2)]를 산출한다.

cf(V_L2)=R_{H_Ch}(V_L2)/R_H(V_L2)…(37)

여기서, 보정 계수[cf(V_L2)]는, 식 (33)을 작성한 시점으로부터, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L2)]의 값을 계수 산출용 계측부(321)로 계측한 시점까지에 생긴, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항의 드리프트 정도를 나타내고 있다.

또한, 보정 계수 산출부(322)는, 하기 식 (38)에 나타내는 바와 같이, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항의 산출값[R_{H_Ch}(V_L3)]을, 측정값[R_H(V_L3)]으로 나눠, 보정 계수[cf(V_L3)]를 산출한다.

cf(V_L3)=R_{H_Ch}(V_L3)/R_H(V_L3)…(38)

여기서, 보정 계수[cf(V_L3)]는, 식 (35)를 작성한 시점으로부터, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L3)]의 값을 계수 산출용 계측부(321)로 계측한 시점까지에 생긴, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항의 드리프트 정도를 나타내고 있다.

보정 계수 산출부(322)는, 산출한 보정 계수[cf(V_L1), cf(V_L2), cf(V_L3)]를, CPU(300)에 접속된 보정 계수 기억 장치(422)에 보존한다.

제2 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)은, 식 작성용 계측부(301)가 계측한 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 나타내는 계측값을, 보정 계수[cf(V_L1), cf(V_L2), cf(V_L3)]를 이용하여 보정하는 계측값 보정부(323)를 더 구비한다.

구체적으로는, 계측값 보정부(323)는, 하기 식 (39)에 나타내는 바와 같이, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1)]의 계측값에 보정 계수[cf(V_L1)]를 곱하여, 발열 소자(61)의 저항의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L1)]을 산출한다. 또한, 계측값 보정부(323)는, 하기 식 (40)에 나타내는 바와 같이, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L2)]의 계측값에 보정 계수[cf(V_L2)]를 곱하여, 발열 소자(61)의 저항의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L2)]을 산출한다. 또한 계측값 보정부(323)는, 하기 식 (41)에 나타내는 바와 같이, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L3)]의 계측값에 보정 계수[cf(V_L3)]를 곱하여, 발열 소자(61)의 저항의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L3)]을 산출한다.

R_{H_CR}(V_L1)=cf(V_L1)×R_H(V_L1)…(39)

R_{H_CR}(V_L2)=cf(V_L2)×R_H(V_L2)…(40)

R_{H_CR}(V_L3)=cf(V_L3)×R_H(V_L3)…(41)

제2 실시형태에 있어서, 발열량 산출식 작성부(302)는, 예컨대 제1 내지 제4 샘플 혼합 가스 각각의 기지의 발열량(Q)의 값과, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 복수의 계측값과, 발열 소자(61)의 저항의 복수의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L1), R_{H_CR}(V_L2), R_{H_CR}(V_L3)]을 수집한다. 또한 발열량 산출식 작성부(302)는, 수집한 발열량(Q)의 값, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값, 및 발열 소자(61)의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L1), R_{H_CR}(V_L2), R_{H_CR}(V_L3)]에 기초하여, 다변량 해석에 의해, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I) 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 독립 변수로 하고, 발열량(Q)을 종속 변수로 하는 발열량 산출식을 산출한다.

제2 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)의 그 외의 구성 요소는, 제1 실시형태와 같기 때문에, 설명은 생략한다. 제2 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)에 의하면, 발열 소자(61)에 생길 수 있는 일렉트로마이그레이션에 의한 저항값의 변이를 보정할 수 있다. 이 때문에, 높은 정밀도로, 발열량 산출식을 작성할 수 있게 된다. 또한 상기 식 (31), (33), 및 (35)의 각각은, 온도(T_I)를 나타내는 독립 변수 대신에, 온도(T_I)에 의존하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)를 나타내는 독립 변수를 포함하고 있어도 좋다. 따라서, 본 개시에서, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 온도(T_I)를 나타내는 독립 변수란, 제1 측온 소자(62)가 검출하는 온도(T_I) 그 자체의 독립 변수와, 온도(T_I)를 반영하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 독립 변수, 양쪽 모두를 의미한다.

(제3 실시형태)

도 10에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)은, 교정 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 계측값, 및 교정 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 계측값을 얻는 식 보정용 계측부(325)와, 발열량 산출식에 있어서 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 독립 변수, 및 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 독립 변수에, 교정 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 계측값, 및 보정 계수(cf)로 보정된 교정 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항을 나타내는 계측값(R_{H_CR})을 대입하여, 교정 가스의 발열량의 산출값을 얻는 발열량 산출부(326)와, 교정 가스의 발열량의 미리 취득된 정해진 값과, 교정 가스의 발열량의 산출값과의 차가 없어지도록, 발열량 산출식을 보정하는 발열량 산출식 보정부(327)를 구비한다.

식 보정용 계측부(325)는, 발열량 산출식 작성부(302)가 발열량 산출식을 작성한 후, 교정 가스로서 예컨대 메탄에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 계측값과, 메탄에 접하여, 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 순차적으로 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 계측값을 취득한다. 계측값 보정부(323)는, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 계측값에, 보정 계수[cf(V_L1), cf(V_L2), cf(V_L3)]를 각각 곱하여, 발열 소자(61)의 저항의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L1), R_{H_CR}(V_L2), R_{H_CR}(V_L3)]을 산출한다.

발열량 산출부(305)는, 발열량 산출식에 있어서 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 독립 변수에, 메탄에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 계측값을 대입한다. 또한 발열량 산출부(305)는, 발열량 산출식에 있어서 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 나타내는 독립 변수에, 메탄에 접하는 발열 소자(61)의 저항의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L1), R_{H_CR}(V_L2), R_{H_CR}(V_L3)]을 대입하여, 메탄 가스의 발열량(Q)의 값을 산출한다.

발열량 산출식 보정부(327)는, 메탄 가스의 발열량(Q)의 미리 취득된 정해진 값으로서의 이론값 37.78 MJ/m³와, 발열량 산출부(305)에서 산출된 메탄 가스의 발열량(Q)의 산출값을 비교한다. 메탄 가스의 발열량(Q)의 이론값과, 산출값 사이에 차가 있는 경우, 예컨대 발열량 산출식 보정부(327)는, 메탄 가스의 발열량(Q)의 이론값을 산출값으로 나눠 얻어지는 계수를 발열량 산출식에 적용하여, 발열량 산출식을 보정한다. 발열량 산출식 보정부(327)는, 보정한 발열량 산출식을, 발열량 산출식 기억 장치(402)에 보존한다.

제3 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)의 그 외의 구성 요소는, 제2 실시형태와 같기 때문에, 설명은 생략한다. 제3 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)에서 작성 및 보정된 발열량 산출식을 이용하는 것에 의해, 보다 높은 정밀도로 발열량을 산출할 수 있게 된다.

(제4 실시형태)

도 11에 도시하는 바와 같이, 제4 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)은, 발열량(Q)이 미지인 계측 대상 혼합 가스가 주입되는 챔버(101)와, 챔버(101)에 배치되어, 도 1 및 도 2에 도시하는 제1 측온 소자(62) 및 복수의 전압(V_L)이 가해지는 발열 소자(61)를 포함하는 마이크로칩(8)을 구비한다. 도 11에 도시하는 발열량 측정 시스템(21)은, 또한 계측 대상 혼합 가스의 온도(T_I)에 의존하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 계측값과, 복수의 전압(VL)의 각각이 가해진 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 계측값을 취득하는 발열량 산출용 계측부(331)와, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 독립 변수, 복수의 전압(V_L)의 각각이 가해진 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 독립 변수, 및 발열량(Q)의 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 보존하는 발열량 산출식 기억 장치(402)와, 발열량 산출식에 있어서 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 독립 변수, 및 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 독립 변수에, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 계측값, 및 발열 소자(61)의 저항(R_H)을 나타내는 계측값을 대입하여, 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 산출하는 발열량 산출부를 구비한다.

발열량 산출식 기억 장치(402)는, 제1 내지 제3 실시형태에서 설명한 발열량 산출식을 보존한다. 여기서는, 예로서, 발열량 산출식의 작성을 위해, 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂)를 포함하는 천연 가스가 샘플 혼합 가스로서 사용된 경우를 설명한다. 또한, 발열량 산출식은 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)과, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1)]과, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L2)]과, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L3)]을 독립 변수로 하고 있는 것으로 한다.

제4 실시형태에서는, 예컨대 미지의 체적률로 메탄(CH₄), 프로판(C₃H₈), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂)를 포함하는, 발열량(Q)이 미지인 천연 가스가, 계측 대상 혼합 가스로서, 챔버(101)에 도입된다. 도 1 및 도 2에 도시하는 마이크로칩(8)의 제1 측온 소자(62)에는, 자기 발열하지 않는 정도의 약한 전압이 가해진다. 다음에, 발열 소자(61)에는, 도 6에 도시하는 구동 회로(303)로부터 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 순차적으로 가해진다. 전압(V_L1, V_L2, V_L3)이 가해진 경우, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)는, 예컨대 100℃ 부근의 온도(T_H1), 150℃ 부근의 온도(T_H2), 및 200℃ 부근의 온도(T_H3)로 발열한다.

도 11에 도시하는 발열량 산출용 계측부(331)는, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값과, 계측 대상 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1)]의 값과, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L2)]의 값과, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L3)]의 값을 계측하여, 계측값을 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

발열량 산출부(305)는, 발열량 산출식에 있어서 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I) 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 나타내는 독립 변수에, 계측값을 각각 대입하여, 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 산출한다. CPU(300)에는, 발열량 기억 장치(403)가 더 접속되어 있다. 발열량 기억 장치(403)는, 발열량 산출부(305)가 산출한 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 보존한다. 제4 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)의 그 외의 구성 요건은, 도 6에서 설명한 제1 실시형태에 따른 발열량 산출식 작성 시스템(20)과 같기 때문에, 설명은 생략한다.

다음에, 도 12에 도시하는 흐름도를 이용하여, 제4 실시형태에 따른 발열량 측정 방법에 대해서 설명한다.

(a) 단계 S200에서, 도 1 및 도 2에 도시하는 보온 소자(64)를 발열시켜, 기판(60)의 온도를 예컨대 60℃로 일정하게 유지한다. 다음에, 도 11에 도시하는 챔버(101) 안에 계측 대상 혼합 가스를 도입한다. 단계 S201에서, 발열량 산출용 계측부(331)는, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값을 계측하여, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다. 그 후, 구동 회로(303)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 전압(V_L1)을 가한다. 도 11에 도시하는 발열량 산출용 계측부(331)는, 계측 대상 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L1)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1)]의 값을, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

(b) 단계 S202에서, 도 11에 도시하는 구동 회로(303)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 가하는 전압(V_L)의 전환이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 전압(V_L2, V_L3)으로의 전환이 완료되어 있지 않는 경우에는, 단계 S201로 되돌아가, 구동 회로(303)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 전압(V_L2)을 가한다. 도 11에 도시하는 발열량 산출용 계측부(331)는, 계측 대상 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L2)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L2)]의 값을, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

(c) 다시 단계 S202에서, 구동 회로(303)는 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 가하는 전압(V_L)의 전환이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 전압(V_L3)으로의 전환이 완료되어 있지 않는 경우에는, 단계 S201로 되돌아가, 도 11에 도시하는 구동 회로(303)는, 도 1 및 도 2에 도시하는 발열 소자(61)에 전압(V_L3)을 가한다. 도 11에 도시하는 발열량 산출용 계측부(331)는, 계측 대상 혼합 가스에 접하여, 전압(V_L3)이 가해진 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L3)]의 값을, 전기 신호 기억 장치(401)에 보존한다.

(d) 발열 소자(61)에 가하는 전압(V_L)의 전환이 완료된 경우에는, 단계 S202로부터 단계 S203으로 진행한다. 단계 S203에서, 도 11에 도시하는 발열량 산출부(305)는, 발열량 산출식 기억 장치(402)로부터, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I) 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 독립 변수로 하고, 발열량(Q)을 종속 변수로 하는 발열량 산출식을 독출한다. 또한, 발열량 산출부(305)는, 전기 신호 기억 장치(401)로부터, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 계측값, 및 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 계측값을 독출한다.

(e) 단계 S204에서, 발열량 산출부(305)는, 발열량 산출식에 있어서 저항(R_I) 및 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 나타내는 독립 변수에, 각각 계측값을 대입하여, 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 산출한다. 그 후, 발열량 산출부(305)는, 산출한 발열량(Q)의 값을 발열량 기억 장치(403)에 보존하여, 제4 실시형태에 따른 발열량 측정 방법을 종료한다.

이상 설명한 제4 실시형태에 따른 발열량 산출 방법에 의하면, 고가의 가스크로마토그래피 장치나 음속 센서를 이용하지 않고, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 값과, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 값으로부터, 계측 대상 혼합 가스의 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 측정할 수 있게 된다.

천연 가스는, 산출 가스전에 따라 탄화수소의 성분 비율이 상이하다. 또한 천연 가스에는, 탄화수소 외에, 질소(N₂)나 탄산 가스(CO₂) 등이 포함된다. 이 때문에 산출 가스전에 따라, 천연 가스에 포함되는 가스 성분의 체적률은 상이하고, 가스 성분의 종류가 기지여도, 천연 가스의 발열량(Q)은 미지인 경우도 많다. 또한, 동일한 가스전 유래의 천연 가스라도, 발열량(Q)이 항상 일정한 것으로 한정되지 않고, 채취 시기에 따라 변화하는 경우도 있다.

종래, 천연 가스의 사용 요금을 징수할 때는, 천연 가스의 사용 발열량(Q)이 아니라, 사용 체적에 따라 과금하는 방법이 취해지고 있다. 그러나, 천연 가스는 유래하는 산출 가스전에 따라 발열량(Q)이 상이하기 때문에, 사용 체적에 따라 과금하는 것은 공평하지 않다. 이것에 대하여, 제4 실시형태에 따른 발열량 산출 방법을 이용하면, 가스 성분의 종류가 기지이지만, 가스 성분의 체적률이 미지이기 때문에 발열량(Q)이 미지인 천연 가스 등의 혼합 가스의 발열량(Q)을, 간이하게 산출할 수 있게 된다. 이 때문에 공평한 사용 요금을 징수할 수 있게 된다.

또한, 유리 가공품의 제조업에서는, 유리를 가열 가공할 때, 가공 정밀도를 일정하게 유지하기 위해, 일정한 발열량(Q)을 갖는 천연 가스가 공급되는 것이 요구되고 있다. 이를 위해서는, 복수의 가스전 유래의 천연 가스 각각의 발열량(Q)을 정확히 파악하고, 모든 천연 가스의 발열량(Q)이 동일해지도록 조정한 후에, 유리의 가열 가공 공정에 천연 가스를 공급하는 것이 검토되고 있다. 이것에 대하여, 제4 실시형태에 따른 발열량 산출 방법을 이용하면, 복수의 가스전 유래의 천연 가스의 각각의 발열량(Q)을 정확하게 파악할 수 있게 되기 때문에, 유리의 가열 가공 정밀도를 일정하게 유지할 수 있게 된다.

또한, 제4 실시형태에 따른 발열량 산출 방법에 의하면, 천연 가스 등의 혼합 가스의 정확한 발열량(Q)을 용이하게 알 수 있게 되기 때문에, 혼합 가스를 연소시키는 경우에 필요한 공기량을 적절히 설정할 수 있게 된다. 이 때문에 쓸데없는 이산화탄소(CO₂)의 배출량을 삭감할 수도 있게 된다.

(제5 실시형태)

도 13에 도시하는 바와 같이, 제5 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)은, 도 11에 도시하는 제4 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)의 구성 요소에 추가로, 저항 산출식 작성부(324), 저항 산출식 기억 장치(421), 계수 산출용 계측부(321), 보정 계수 산출부(322), 보정 계수 기억 장치(422), 및 계측값 보정부(323)를 더 구비한다. 도 13에 도시하는 저항 산출식 작성부(324), 저항 산출식 기억 장치(421), 계수 산출용 계측부(321), 보정 계수 산출부(322), 및 보정 계수 기억 장치(422)는, 제2 실시형태와 같기 때문에, 설명은 생략한다.

계측값 보정부(323)는, 발열량 산출용 계측부(331)가 계측한 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 나타내는 계측값을, 보정 계수[cf(V_L1), cf(V_L2), cf(V_L3)]를 이용하여 보정한다. 제5 실시형태에서, 발열량 산출부(305)는, 발열량 산출식에 있어서 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)을 나타내는 독립 변수에, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 계측값을 대입한다. 또한 발열량 산출부(305)는, 발열량 산출식에 있어서 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 나타내는 독립 변수에, 계측 대상 혼합 가스에 접하는 발열 소자(61)의 저항의 보정된 계측값[R_{H_CR}(V_L1), R_{H_CR}(V_L2), R_{H_CR}(V_L3)]을 대입하여, 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 산출한다.

제5 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)에 의하면, 보다 높은 정밀도로, 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 산출할 수 있게 된다.

(제6 실시형태)

도 14에 도시하는 바와 같이, 제6 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)은, 도 13에 도시하는 제5 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)의 구성 요소에 추가로, 식 보정용 계측부(325), 및 발열량 산출식 보정부(327)를 구비한다. 식 보정용 계측부(325), 및 발열량 산출식 보정부(327)는, 제3 실시형태와 같기 때문에, 설명은 생략한다. 제6 실시형태에 따른 발열량 측정 시스템(21)에 의하면, 발열량 산출식을 보정함으로써, 보다 높은 정밀도로, 계측 대상 혼합 가스의 발열량(Q)의 값을 산출할 수 있게 된다.

(실시예 1)

우선, 발열량(Q)의 값이 기지인 23 종류의 샘플 혼합 가스를 준비하였다. 23 종류의 샘플 혼합 가스의 각각은, 가스 성분으로서 메탄(CH₄), 에탄(C₂H₆), 프로판(C₃H₈), 부탄(C₄H₁₀), 질소(N₂), 및 이산화탄소(CO₂) 중 어느 하나 또는 전부를 포함하고 있었다. 예컨대 어떤 샘플 혼합 가스는 90 vol%의 메탄, 3 vol%의 에탄, 1 vol%의 프로판, 1 vol%의 부탄, 4 vol%의 질소, 및 1 vol%의 이산화탄소를 포함하고 있었다. 또한, 어떤 샘플 혼합 가스는 85 vol%의 메탄, 10 vol%의 에탄, 3 vol%의 프로판, 및 2 vol%의 부탄을 포함하고, 질소 및 이산화탄소를 포함하지 않았다. 또한 어떤 샘플 혼합 가스는 85 vol%의 메탄, 8 vol%의 에탄, 2 vol%의 프로판, 1 vol%의 부탄, 2 vol%의 질소, 및 2 vol%의 이산화탄소를 포함하고 있었다.

다음에, 23 종류의 샘플 혼합 가스 각각을 이용하여, 도 6에 도시하는 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 복수의 계측값과, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 복수의 계측값을 취득하였다. 그 후, 23 종류의 샘플 혼합 가스의 기지의 발열량(Q)의 값과, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I)의 복수의 계측값과, 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]의 복수의 계측값에 기초하여, 서포트 벡터 회귀에 의해, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I) 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 독립 변수로 하고, 발열량(Q)을 종속 변수로 하는, 발열량(Q)을 산출하기 위한 1차 방정식, 2차 방정식, 및 3차 방정식을 작성하였다.

발열량(Q)을 산출하기 위한 1차 방정식을 작성할 때는, 캘리브레이션·포인트는 3개 내지 5개를 기준으로 하고, 적절하게 결정할 수 있다. 작성된 1차 방정식은 하기 식 (42)로 주어졌다. 23 종류의 샘플 혼합 가스의 발열량(Q)을 식 (42)로 산출하여, 실제 발열량(Q)과 비교한 바, 최대 오차는 2.1%였다.

Q=40.1+23.8×R_H(V_L1)+6.07×R_H(V_L2)-22.8×R_H(V_L3)-11.4×R_I…(42)

발열량(Q)을 산출하기 위한 2차 방정식을 작성할 때는, 캘리브레이션·포인트는 8개 내지 9개를 기준으로 하고, 적절하게 결정할 수 있다. 23 종류의 샘플 혼합 가스의 발열량(Q)을 작성된 2차 방정식으로 산출하여, 실제 발열량(Q)과 비교한 바, 최대 오차는 1.2% 내지 1.4%였다.

발열량(Q)을 산출하기 위한 3차 방정식을 작성할 때는, 캘리브레이션·포인트는 10개 내지 14개를 기준으로 하고, 적절하게 결정할 수 있다. 23 종류의 샘플 혼합 가스의 발열량(Q)을 작성된 3차 방정식으로 산출하여, 실제 발열량(Q)과 비교한 바, 최대 오차는 1.2% 미만이었다.

(실시예 2)

실시예 1에서 사용한 샘플 혼합 가스와 마찬가지로, 발열량(Q)의 값이 기지인 23 종류의 샘플 혼합 가스를 준비하였다. 여기서, 발열 소자(61)로 가열되기 전의 샘플 혼합 가스의 온도를, -10℃, 5℃, 23℃, 40℃, 및 50℃로 설정하였다. 다음에, 서포트 벡터 회귀에 의해, 제1 측온 소자(62)의 저항(R_I) 및 발열 소자(61)의 저항[R_H(V_L1), R_H(V_L2), R_H(V_L3)]을 독립 변수로 하고, 발열량(Q)을 종속 변수로 하는, 발열량(Q)을 산출하기 위한 3차 방정식을 작성하였다. 그러면, 도 15에 도시하는 바와 같이, 발열 소자(61)로 가열되기 전의 샘플 혼합 가스의 온도에 관계없이, 산출되는 발열량(Q)의 오차에 변동이 생기지 않았다.

8: 마이크로칩, 18: 단열 부재, 20: 발열량 산출식 작성 시스템, 21: 발열량 측정 시스템, 31A, 31B, 31C, 31D: 가스압 조절기, 32A, 32B, 32C, 32D: 유량 제어 장치, 50A, 50B, 50C, 50D: 가스 봄베, 60: 기판, 61: 발열 소자, 62: 제1 측온 소자, 63: 제2 측온 소자, 64: 보온 소자, 65: 절연막, 66: 캐비티, 91A, 91B, 91C, 91D, 92A, 92B, 92C, 92D, 93, 102, 103: 유로, 101: 챔버, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 181, 182, 183: 저항 소자, 170, 171: 연산 증폭기, 301: 식 작성용 계측부, 302: 발열량 산출식 작성부, 303: 구동 회로, 305: 발열량 산출부, 312: 입력 장치, 313: 출력 장치, 321: 계수 산출용 계측부, 322: 보정 계수 산출부, 323: 계측값 보정부, 324: 저항 산출식 작성부, 325: 식 보정용 계측부, 326: 발열량 산출부, 327: 발열량 산출식 보정부, 331: 발열량 산출용 계측부, 401: 전기 신호 기억 장치, 402: 발열량 산출식 기억 장치, 403: 발열량 기억 장치, 421: 저항 산출식 기억 장치, 422: 보정 계수 기억 장치

Claims (26)

1. 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 상기 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 보존하는 저항 산출식 기억부와,
   상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 계수 산출용 계측부와,
   상기 저항 산출식에 있어서 상기 온도를 나타내는 독립 변수에 상기 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부와,
   복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 식 작성용 계측부와,
   상기 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 상기 보정 계수를 이용하여 보정하는 계측값 보정부와,
   상기 복수의 혼합 가스 각각의 발열량의 값, 상기 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값에 기초하여, 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 작성하는 발열량 산출식 작성부와,
   상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 식 보정용 계측부와,
   상기 발열량 산출식에 있어서 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 보정 계수로 보정된 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 대입하여, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값을 얻는 발열량 산출부와,
   상기 교정 가스의 발열량의 미리 취득된 정해진 값과, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값과의 차가 없어지도록, 상기 발열량 산출식을 보정하는 발열량 산출식 보정부
   를 포함하는 발열량 산출식 작성 시스템.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서, 상기 교정 가스가 메탄 가스인 것인 발열량 산출식 작성 시스템.
4. 제1항에 있어서, 상기 발열 소자에 복수의 전압이 가해지고, 상기 복수의 전압의 수가, 적어도 상기 복수의 혼합 가스의 각각이 포함하는 가스 성분의 수로부터 1을 뺀 수인 것인 발열량 산출식 작성 시스템.
5. 제1항에 있어서, 상기 발열량 산출식 작성부가, 서포트 벡터 회귀를 이용하여 상기 발열량 산출식을 작성하는 것인 발열량 산출식 작성 시스템.
6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 혼합 가스의 각각이 천연 가스인 것인 발열량 산출식 작성 시스템.
7. 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 상기 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 준비하는 단계와,
   상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
   상기 저항 산출식에 있어서 상기 온도를 나타내는 독립 변수에 상기 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 단계와,
   복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
   상기 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
   상기 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 상기 보정 계수를 이용하여 보정하는 단계와,
   상기 복수의 혼합 가스 각각의 발열량의 값, 상기 복수의 혼합 가스의 각각에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값에 기초하여, 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 작성하는 단계와,
   상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
   상기 발열량 산출식에 있어서 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 보정 계수로 보정된 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 대입하여, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값을 얻는 단계와,
   상기 교정 가스의 발열량의 미리 취득된 정해진 값과, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값과의 차가 없어지도록, 상기 발열량 산출식을 보정하는 단계
   를 포함하는 것인 발열량 산출식 작성 방법.
8. 삭제
9. 제7항에 있어서, 상기 교정 가스가 메탄 가스인 것인 발열량 산출식 작성 방법.
10. 제7항에 있어서, 상기 발열 소자에 복수의 전압이 가해지고, 상기 복수의 전압의 수가, 적어도 상기 복수의 혼합 가스의 각각이 포함하는 가스 성분의 수로부터 1을 뺀 수인 것인 발열량 산출식 작성 방법.
11. 제7항에 있어서, 상기 발열량 산출식을 작성하는 단계에서, 서포트 벡터 회귀가 이용되는 것인 발열량 산출식 작성 방법.
12. 제7항에 있어서, 상기 복수의 혼합 가스의 각각이 천연 가스인 것인 발열량 산출식 작성 방법.
13. 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 상기 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 보존하는 저항 산출식 기억부와,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 계수 산출용 계측부와,
    상기 저항 산출식에 있어서 상기 온도를 나타내는 독립 변수에 상기 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부와,
    계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 발열량 산출용 계측부와,
    상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 상기 보정 계수를 이용하여 보정하는 계측값 보정부와,
    상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 보존하는 발열량 산출식 기억 장치와,
    상기 발열량 산출식에 있어서 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값 및 상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값을 대입하여, 상기 계측 대상 혼합 가스의 발열량의 값을 산출하는 발열량 산출부를 포함하고,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 식 보정용 계측부를 더 포함하고,
    상기 발열량 산출부가, 상기 발열량 산출식에 있어서 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 보정 계수로 보정된 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 대입하여, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값을 취득하며,
    상기 교정 가스의 발열량의 미리 취득된 정해진 값과, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값과의 차가 없어지도록, 상기 발열량 산출식을 보정하는 발열량 산출식 보정부를 더 포함하는 것인 발열량 측정 시스템.
14. 삭제
15. 제13항에 있어서, 상기 교정 가스가 메탄 가스인 것인 발열량 측정 시스템.
16. 제13항에 있어서, 상기 발열 소자에 복수의 전압이 가해지고, 상기 복수의 전압의 수가, 적어도 상기 계측 대상 혼합 가스의 각각이 포함하는 가스 성분의 수로부터 1을 뺀 수인 것인 발열량 측정 시스템.
17. 제13항에 있어서, 상기 계측 대상 혼합 가스가 천연 가스인 것인 발열량 측정 시스템.
18. 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 상기 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 준비하는 단계와,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
    상기 저항 산출식에 있어서 상기 온도를 나타내는 독립 변수에 상기 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 단계와,
    계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
    상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을, 상기 보정 계수를 이용하여 보정하는 단계와,
    상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식을 준비하는 단계와,
    상기 발열량 산출식에 있어서 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값 및 상기 계측 대상 혼합 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 보정된 계측값을 대입하여, 상기 계측 대상 혼합 가스의 발열량의 값을 산출하는 단계와,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
    상기 발열량 산출식에 있어서 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 보정 계수로 보정된 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 대입하여, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값을 얻는 단계와,
    상기 교정 가스의 발열량의 미리 취득된 정해진 값과, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값의 차가 없어지도록, 상기 발열량 산출식을 보정하는 단계
    를 포함하는 것인 발열량 측정 방법.
19. 삭제
20. 제18항에 있어서, 상기 교정 가스가 메탄 가스인 것인 발열량 측정 방법.
21. 제18항에 있어서, 상기 발열 소자에 복수의 전압이 가해지고, 상기 복수의 전압의 수가, 적어도 상기 계측 대상 혼합 가스의 각각이 포함하는 가스 성분의 수로부터 1을 뺀 수인 것인 발열량 측정 방법.
22. 제18항에 있어서, 상기 계측 대상 혼합 가스가 천연 가스인 것인 발열량 측정 방법.
23. 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 상기 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 보존하는 저항 산출식 기억부와,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 계수 산출용 계측부와,
    상기 저항 산출식에 있어서 상기 온도를 나타내는 독립 변수에 상기 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 보정 계수 산출부와,
    상기 보정 계수에 기초하여, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 보정하는 계측값 보정부와,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 식 보정용 계측부와,
    상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식에 있어서, 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 보정 계수로 보정된 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 대입하여, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값을 얻는 발열량 산출부와,
    상기 교정 가스의 발열량의 미리 취득된 정해진 값과, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값과의 차가 없어지도록, 상기 발열량 산출식을 보정하는 발열량 산출식 보정부
    를 포함하는 것인 저항 계측 시스템.
24. 제23항에 있어서, 상기 교정 가스가 메탄 가스인 것인 저항 계측 시스템.
25. 교정 가스에 접하는 측온 소자가 검출하는 온도를 나타내는 독립 변수, 및 상기 교정 가스에 접하는 발열 소자의 저항을 나타내는 종속 변수를 포함하는 저항 산출식을 준비하는 단계와,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자가 검출한 온도를 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
    상기 저항 산출식에 있어서 상기 온도를 나타내는 독립 변수에 상기 온도를 나타내는 계측값을 대입하여 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값을 산출하여, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값과, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 산출값의 비인 보정 계수를 산출하는 단계와,
    상기 보정 계수에 기초하여, 상기 발열 소자의 저항의 계측값을 보정하는 단계와,
    상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 얻는 단계와,
    상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 발열량을 나타내는 종속 변수를 포함하는 발열량 산출식에 있어서 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 독립 변수, 및 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 독립 변수에, 상기 교정 가스에 접하는 상기 측온 소자의 저항을 나타내는 계측값, 및 상기 보정 계수로 보정된 상기 교정 가스에 접하는 상기 발열 소자의 저항을 나타내는 계측값을 대입하여, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값을 얻는 단계와,
    상기 교정 가스의 발열량의 미리 취득된 정해진 값과, 상기 교정 가스의 발열량의 산출값과의 차가 없어지도록, 상기 발열량 산출식을 보정하는 단계를 포함하는 저항 계측 방법.
26. 제25항에 있어서, 상기 교정 가스가 메탄 가스인 것인 저항 계측 방법.

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