CN107817385B - 电子元件装置的电气特性测定方法、筛选方法及测定装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供校正了由基准温度和测定温度的差异引起的测定误差的电子元件的电气特性测定方法。分别对温度区域(3S、3T)进行温度控制，并且通过第1温度传感器(6)、第2温度传感器(8)、第3温度传感器(9)测定温度，算出测定电气特性时被测定电子元件装置X的测定时推定温度，使用该测定时推定温度，校正由基准温度和测定温度的差异引起的测定误差。校正后的电气特性在规定的范围内时，判断被测定电子元件装置(X)为合格品。

Description

电子元件装置的电气特性测定方法、筛选方法及测定装置

技术领域

本发明涉及电子元件装置的电气特性测定方法，更详细地说，涉及具备高测定精度的电子元件装置的电气特性测定方法。

另外，本发明涉及应用上述电子元件装置的电气特性测定方法的电子元件装置的筛选方法，更详细地说，涉及具备高筛选精度的电子元件装置的筛选方法。

另外，本发明涉及适用于上述电子元件装置的电气特性测定方法的电气特性测定装置，更详细地说，涉及具备高测定精度的电气特性测定装置。

背景技术

随着电子设备的高功能化、高精度化，电子设备使用的电子元件装置也要求高特性精度。特别是从安全性的观点出发，医用、车载用的电子设备使用的电子元件装置也要求更高的特性精度。例如，在要求这样高的特性精度的用途中，也有要求特性精度的波动大小从一般的民用的1/2减小到1/10或者更低的情形。

为了应对这样的针对电子元件装置的高特性精度的要求，电子元件装置的电气特性测定方法、电气特性测定装置也要求高测定精度。即，必须以高测定精度测定电子元件装置的电气特性，将偏离目标电气特性值的电子元件装置设为不符合规格而不进行使用。

测定电子元件装置的电气特性时，作为发生测定误差的主要原因之一，是作为基准的温度(该电气特性的测定所要求的特定的温度；以下称为「基准温度」)和测定时的电子元件装置的实际温度(以下称为「测定温度」)存在偏差。即，例如，尽管必须在基准温度即25℃测定电气特性，但是若测定温度偏离25℃，则测定得到的测定电气特性实际上偏离了该电子元件装置具备的25℃的电气特性。但是，在实际测定电子元件装置的电气特性的工厂的制造生产线等上，由于受到气候、空调的状态、门的开闭、操作者的人数等的影响，测定温度和基准温度难以保持同一温度。

特别地，NTC热敏电阻、PTC热敏电阻等的热敏电阻是电阻值随温度显著变化的电子元件装置，因此在热敏电阻的电阻值测定中，因基准温度和测定温度的偏差而发生的测定误差成为大问题。

专利文献1(日本专利特开平7-218579号公报)公开了应对该问题的电气特性测定方法。

专利文献1公开的电阻值测定方法中，在将被测定电子元件装置向测定点传送的元件送料器(传送路径)设置温度传感器，根据温度传感器测定的温度，对元件送料器进行冷却控制，使被测定电子元件装置以稳定的温度向测定点传送。

即，专利文献1公开的电阻值测定方法考虑了由电气特性测定装置的马达、元件送料器的发热而发生测定误差的情形，通过用温度传感器测定元件送料器的温度并且对元件送料器进行冷却控制，来减小测定误差。

另外，专利文献2(日本专利特开2007-240158号公报)公开了通过其他方法应对该问题的电气特性测定方法。专利文献2公开的电气特性测定方法测定热敏电阻的电阻值。

专利文献2公开的电阻值测定方法通过如下步骤测定热敏电阻的电阻值。

首先，选定成为基准的基准热敏电阻(基准电子元件装置)。然后，在基准热敏电阻的基准温度测定电阻值。例如，基准温度为25℃时，将测定温度严格保持在25℃并且测定基准热敏电阻的25℃的电阻值。

接着，准备要测定电阻值的被测定热敏电阻(被测定电子元件装置)，将测定端子与被测定热敏电阻的外部电极抵接，测定被测定热敏电阻的电阻值，获得测定电阻值R₁。此时，同时在测定被测定热敏电阻的电阻值的场所的附近，测定基准热敏电阻的电阻值，获得测定电阻值R₀。

接着，通过以下的(式3)，求出被测定热敏电阻的测定电阻值R₁相对于基准热敏电阻的测定电阻值R₀的偏差(测定值偏差率)。

偏差(％)＝(R₁-R₀)/R₀×100…(式3)

接着，根据求出的偏差，进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。具体地说，求出的偏差在预定的容许范围内时判断被测定热敏电阻为合格品，在预定的容许范围外时判断被测定热敏电阻为不合格品。另外，偏差的容许范围考虑上述基准热敏电阻的基准温度的电阻值而定。

该情况下，被测定热敏电阻和基准热敏电阻接近配置，因此，在测定电阻值的时刻，假定被测定热敏电阻和基准热敏电阻为同一温度，求出偏差，进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。

即，例如，基准温度为25℃时，理想的是将被测定热敏电阻的测定温度严格设为25℃，来测定电阻值。但是，如上所述，在实际测定电子元件装置的电气特性时，由于各种要因，被测定热敏电阻的测定温度难以与基准温度保持同一温度。

因而，专利文献2公开的电阻值测定方法通过将被测定热敏电阻和基准热敏电阻接近配置，假定被测定热敏电阻和基准热敏电阻为同一温度，而且，求出被测定热敏电阻的测定电阻值R₁相对于基准热敏电阻的测定电阻值R₀的偏差，进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断，从而，能够在被测定热敏电阻的测定温度和基准温度的差异引起的测定误差极小的状态下，进行被测定热敏电阻的合格品/不合格品的判断。即，专利文献2公开的电阻值测定方法中，即使被测定热敏电阻的测定温度从基准温度偏离，基准热敏电阻的测定温度也同样从基准温度偏离，因此，能够校正由测定温度和基准温度的差异导致的测定误差。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平7-218579号公报

[专利文献2]日本专利特开2007-240158号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

专利文献1及专利文献2公开的电气特性测定方法分别存在以下问题。

首先，专利文献1公开的电气特性测定方法是粗略的元件送料器的温度控制，电气特性的测定精度有限。例如，由温度传感器测定元件送料器的温度后到控制元件送料器的温度为止存在时间差，期间可能发生大的测定误差。另外，元件送料器被过度温度控制(过度冷却)，可能导致电气特性的测定精度降低。

专利文献2公开的电气特性测定方法与专利文献1公开的电气特性测定方法相比，电气特性的测定精度更高。但是，专利文献2公开的电气特性测定方法也存在以下问题。

首先，专利文献2公开的电气特性测定方法以被测定热敏电阻和基准热敏电阻为同一温度作为前提，若无法维持该前提，则可能在被测定电子元件装置的电气特性的测定中发生测定误差。即，被测定电子元件装置通过传送路径向测定点传送后测定电气特性，而在被测定电子元件装置传送到测定点的时刻，必须与传送路径及测定点附近的温度融合，成为与基准电子元件装置相同的温度。但是，被测定电子元件装置与周围温度的融合因被测定电子元件装置的热容量、基准温度、电气特性测定装置的运转速度等而异，因此并不一样。若在被测定电子元件装置与周围温度融合而成为与基准电子元件装置相同的温度前测定被测定电子元件装置的电气特性，则可能发生测定误差。

为了防止该测定误差的发生，专利文献2公开的电气特性测定方法必须抑制电气特性测定装置的运转速度。即，必须等待被测定热敏电阻与周围温度融合，使被测定热敏电阻的温度与基准热敏电阻的温度相同，无法高速运转电气特性测定装置，例如，在电子元件装置的制造生产线中测定电子元件装置的电气特性时，可能降低电子元件装置的生产率。

[用于解决问题的技术手段]

本发明为了解决上述传统技术的课题而提出。作为其技术手段，本发明的电子元件装置的电气特性测定方法是测定被测定电子元件装置的电气特性的电子元件装置的电气特性测定方法，被测定电子元件装置经由初始温度确定位置向测定点传送，在测定点测定电气特性，取得测定电气特性，分别明确以下关系：第1温度的被测定电子元件装置置于不同于第1温度的第2温度的第2温度区域的情况下推定经过时间t后的被测定电子元件装置的温度的第1相关关系；根据测定电气特性时被测定电子元件装置应为的温度即基准温度和测定电气特性时的被测定电子元件装置的实际温度即测定温度来校正测定电气特性所包含的由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的第2相关关系，在初始温度确定位置确定被测定电子元件装置的初始温度，确定作为测定点的温度的测定点温度，确定经由初始温度确定位置的被测定电子元件装置进入测定点的温度区域后到测定电气特性为止所需的经过时间，通过在第1相关关系中，将初始温度设为第1温度、测定点温度设为第2温度、经过时间设为时间t，来推定测定电气特性时的被测定电子元件装置的测定时推定温度，通过在第2相关关系中，将测定时推定温度设为测定温度，取得校正了基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性。

第1温度的被测定电子元件装置置于不同于第1温度的第2温度的第2温度区域的情况下推定经过时间t后的被测定电子元件装置的温度的第1相关关系例如以公式或者表格等的形式进行准备。第1相关关系可以通过热学方式计算而导出，也可以预先实测而导出。另外，不管第1温度和第2温度的高低，可以是第1温度>第2温度，也可以是第1温度<第2温度。

另外，根据测定电气特性时被测定电子元件装置应为的温度即基准温度和测定电气特性时的被测定电子元件装置的实际温度即测定温度来校正测定电气特性所包含的由基准温度和测定温度的差异所引起的测定误差的第2相关关系例如也以公式或者表格等的形式来准备。第2相关关系可以通过电学方式计算而导出，也可以预先实测而导出。

优选的是，设置测定初始温度确定位置的温度的第1温度传感器，在初始温度确定位置确定被测定电子元件装置的初始温度可以是将被测定电子元件装置经过初始温度确定位置时由第1温度传感器测定的初始温度确定位置的温度设为被测定电子元件装置的初始温度。该情况下，以被测定电子元件装置在初始温度确定位置停留一定程度的时间，使被测定电子元件装置的温度与初始温度确定位置的温度融合(实质成为相同)作为前提。另外，在初始温度确定位置确定被测定电子元件装置的初始温度不限于第1温度传感器的方法，例如，也可以是将初始温度确定位置维持在规定的管理温度，使被测定电子元件装置在该初始温度确定位置停留一定程度的时间，使被测定电子元件装置的温度与初始温度确定位置的温度融合，以此为前提来将初始温度确定位置的管理温度设为被测定电子元件装置的初始温度。

优选的是，电子元件装置经过传送路径向测定点传送，初始温度确定位置设于传送路径内。该情况下，在被测定电子元件装置经过传送路径的期间内与传送路径的温度融合(实质成为相同)，因此，被测定电子元件装置经过初始温度确定位置时，能够将初始温度确定位置的温度设为被测定电子元件装置的初始温度。

优选的是，在初始温度确定位置和测定点之间设置一个中间温度传感器，取代在第1相关关系中通过将初始温度设为第1温度、将测定点温度设为第2温度、将经过时间设为时间t来推定测定电气特性时的被测定电子元件装置的测定时推定温度，而是在第1相关关系中通过将初始温度设为第1温度、将被测定电子元件装置经过中间温度传感器的温度区域时由中间温度传感器测定的传送路径的温度设为第2温度、将被测定电子元件装置进入中间温度传感器的温度区域到从中间温度传感器的温度区域出来为止所需时间设为t来推定从中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件装置的推定温度，然后在第1相关关系中通过将从中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件装置的推定温度设为所述第1温度、将测定点温度设为第2温度、将从中间温度传感器的温度区域出来的被测定电子元件装置进入测定点的温度区域到测定电气特性为止所需经过时间设为t来算出测定电气特性时的被测定电子元件的测定时推定温度。该情况下，首先算出从中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件的推定温度，接着算出测定电气特性时的被测定电子元件的测定时推定温度，因此，能够以更高精度算出被测定电子元件的测定时推定温度，以更高测定精度测定被测定电子元件的电气特性。另外，在被测定电子元件装置经过中间温度传感器的温度区域时由中间温度传感器来测定传送路径的温度，但是进行该测定的定时是任意的，可以在被测定电子元件装置经过中间温度传感器时，可以在被测定电子元件装置从中间温度传感器的温度区域出来时，也可以在被测定电子元件装置进入中间温度传感器的温度区域时等。

另外，优选的是，在所述初始温度确定位置和测定点之间设有多个中间温度传感器，取代在第1相关关系中通过将初始温度设为第1温度、将测定点温度设为第2温度、将经过时间设为时间t来推定测定电气特性时的被测定电子元件装置的测定时推定温度，而是在第1相关关系中通过将初始温度设为第1温度、将被测定电子元件装置经过第一个中间温度传感器的温度区域时由第一个中间温度传感器测定的传送路径的温度设为第2温度、将被测定电子元件装置进入第一个中间温度传感器的温度区域到从第一个中间温度传感器的温度区域出来所需的时间设为t，来推定从第一个中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件装置的推定温度，然后在第1相关关系中通过将从第一个中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件装置的推定温度设为所述第1温度、将被测定电子元件装置经过第二个中间温度传感器的温度区域时由第二个中间温度传感器测定的传送路径的温度设为所述第2温度、将从第一个中间温度传感器的温度区域出来的被测定电子元件装置进入第二个中间温度传感器的温度区域到从第二个中间温度传感器的温度区域出来为止所需时间设为t，来推定从第二个中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件装置的推定温度，中间温度传感器设为3个以上时，通过同样的方法，算出从该中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件装置的推定温度，然后在第1相关关系中通过将从最后一个中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件装置的推定温度设为第1温度、将测定点温度设为第2温度、将从最后一个中间温度传感器的温度区域出来的被测定电子元件装置进入测定点的温度区域到测定电气特性为止所需的经过时间设为所述t，来算出测定电气特性时的被测定电子元件装置的测定时推定温度。该情况下，首先算出从第一个中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件的推定温度，接着算出从第二个中间温度传感器的温度区域出来时的被测定电子元件的推定温度，根据中间温度传感器的数目，反复进行该推定温度的计算，最后算出测定电气特性时的被测定电子元件的测定时推定温度，因此，能够以更高精度算出被测定电子元件的测定时推定温度，以更高测定精度测定被测定电子元件的电气特性。

作为测定的电气特性，例如可以是电阻值。

另外，也可以进行温度调节，使被测定电子元件的测定点接近预定的目标温度。

另外，也可以将预定的目标温度设为基准温度，测定点温度视为等于基准温度。

另外，本发明也适用于电子元件装置的筛选方法。本发明的电子元件装置的筛选方法采用上述本发明的电子元件装置的电气特性测定方法。具体地说，本发明的电子元件装置的筛选方法是测定被测定电子元件装置的电气特性，根据其测定结果来筛选被测定电子元件装置的电子元件装置的筛选方法，被测定电子元件装置经过初始温度确定位置向测定点传送，在测定点测定电气特性，取得测定电气特性，分别明确以下关系：第1温度的被测定电子元件装置置于不同于第1温度的第2温度的第2温度区域的情况下推定经过时间t后的所述被测定电子元件装置的温度的第1相关关系；根据测定电气特性时被测定电子元件装置应为的温度即基准温度和测定电气特性时的被测定电子元件装置的实际温度即测定温度来校正测定电气特性所包含的由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的第2相关关系，针对电子元件装置的基准温度下的电气特性设定筛选基准，在初始温度确定位置确定被测定电子元件装置的初始温度，确定测定点的温度即测定点温度，并确定经过初始温度确定位置的被测定电子元件装置进入测定点的温度区域后到测定电气特性为止所需的经过时间，在第1相关关系中，将初始温度设为第1温度、将测定点温度设为第2温度、将经过时间设为时间t，来推定测定电气特性时的被测定电子元件装置的测定时推定温度，在第2相关关系中，将测定时推定温度设为测定温度，取得校正了由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性，将已校正电气特性与筛选基准比较，来筛选电子元件装置。

另外，电子元件装置的筛选可以是将电子元件装置分类为合格品/不合格品的情况，也可以是将电子元件装置分级(分等级)的情况。另外，电子元件装置的分级例如有分为电气特性波动不大的等级和虽在容许范围内但是电气特性存在波动的等级的情况等。电子元件装置的合格品/不合格品的分类和电子元件装置的分级也可以同时进行。

另外，上述电子元件装置的筛选方法优选的是，取代第2相关关系中将测定时推定温度设为测定温度，来取得校正了由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性，将已校正电气特性与筛选基准比较来筛选电子元件装置，而是与测定时推定温度对应地对筛选基准进行对应校正，取得对应校正筛选基准，将测定电气特性与对应校正筛选基准比较来筛选电子元件装置。即，由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的校正不是通过校正测定电气特性来取得已校正电气特性进行，而是通过校正筛选基准来取得对应校正筛选基准进行。

另外，优选的是，本发明的电子元件装置的筛选方法，预先选定确定了必要范围的测定温度和电气特性的关系的基准电子元件装置，对于必要范围内的测定温度，用与基准电子元件装置的电气特性的相对值来设定筛选基准，将基准电子元件装置配置在测定点的附近，在测定被测定电子元件装置的电气特性的同时或前后，测定基准电子元件装置的电气特性，取得基准电子元件装置的测定电气特性，根据基准电子元件装置的测定电气特性，确定基准电子元件装置的测定温度及其对应的筛选基准，通过将测定点温度视为等于基准电子元件装置的测定温度，而且将基准温度用基准电子元件装置的测定温度替换，来取得基准电子元件装置的测定温度下电子元件装置的已校正电气特性。该方法还在本发明的电子元件装置的筛选方法的基础上结合了专利文献2所述的电子元件装置的电气特性测定方法(筛选方法)，能够高精度进行被测定电子元件装置的合格品/不合格品判断。

本发明的电气特性测定装置适于采用上述本发明的电子元件装置的电气特性测定方法。具体地说，本发明的电气特性测定装置具备：将被测定电子元件装置从初始温度确定位置传送到测定点为止的传送机构；和在测定点测定被测定电子元件装置的电气特性的测定器，在初始温度确定位置或初始温度确定位置的附近，设有确定被测定电子元件装置的初始温度的初始温度确定单元，在测定点或测定点的附近，设有确定测定点的温度即测定点温度的测定点温度确定单元。

优选的是，作为初始温度确定单元，设有测定初始温度确定位置的温度的第1温度传感器。

另外，优选的是，设有用于向测定点传送电子元件装置的传送路径，初始温度确定位置设于传送路径内。

优选的是，在初始温度确定位置和测定点之间还设有一个或多个中间温度传感器。该情况下，能够以更高测定精度测定电气特性。

优选的是，还设有进行温度调节的温度调节单元，至少使测定点接近预定的目标温度。

优选的是，在被测定电子元件装置的测定点附近，还设有基准电子元件的测定点。该情况下，也能够以更高测定精度测定电气特性。

[发明的效果]

根据本发明的电子元件装置的电气特性测定方法，能够获得校正了由测定温度和基准温度的差异引起的测定误差的高精度测定结果。

另外，根据本发明的电子元件装置的筛选方法，能够根据高精度的电气特性的测定结果，准确进行电子元件装置的合格品/不合格品判断、电子元件装置的分级(分等级)。

另外，根据本发明的电气特性测定装置，能够获得校正了由测定温度和基准温度的差异引起的测定误差的高精度测定结果。

附图说明

图1是表示第1实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置100的平面图。

图2是电气特性测定装置100的要部平面图。

图3(A)、(B)是电气特性测定装置100的要部截面图。

图4是被测定电子元件装置X的底面图。

图5是表示根据25℃及50℃下的电阻值推定的被测定电子元件装置X的电阻温度特性的曲线图。

图6是表示第2实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置200的要部平面图。

图7是表示第4实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置400的要部平面图。

图8是表示第5实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置500的平面图。

图9是表示第6实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置600的平面图。

图10是表示第7实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置700的正面图(部分截面图)。

图11是表示第8实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置800的要部立体图，仅仅表示了传送体84。

图12是表示第9实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置900的要部立体图，仅仅表示了传送体94。

图13是表示第10实施方式中用于测定电子元件装置的电气特性的电气特性测定装置1000的要部正面图，仅仅表示了传送体98。

具体实施方式

以下，参照附图说明用于实施本发明的形态。

另外，各实施方式例示地说明了本发明的实施方式，本发明不限于实施方式的内容。另外，不同实施方式所述的内容也可以组合实施，该情况下的实施内容也包含在本发明内。

[第1实施方式]

图1～图3(A)、(B)表示本实施方式中使用的电气特性测定装置100。其中，图1是电气特性测定装置100的平面图。图2是电气特性测定装置100的要部平面图。图3(A)、(B)分别是电气特性测定装置100的要部截面图，图3(A)表示图1、图2的Y-Y部分，图3(B)表示图1、图2的Z-Z部分。

本实施方式中，将被测定电子元件装置X设为NTC热敏电阻，测定电阻值作为电气特性。但是，被测定电子元件装置的种类是任意的，不限于NTC热敏电阻，也可以是PTC热敏电阻、固定电阻、电容器、电感器、铂测温电阻体、其他随温度改变电气特性的电子元件装置等。另外，被测定电子元件装置的形状也是任意的，包含芯片状电子元件装置、板状电子元件装置、带引线电子元件装置、模块型电子元件装置等任何形状的电子元件装置。另外，被测定电子元件装置不必是成品，也可以是半成品(制造中途的产品)。

另外，测定的电气特性的种类也是任意的，不限于电阻值，也可以是电容值、电感值等。另外，本实施方式中，测定被测定电子元件装置(NTC热敏电阻)X在25℃下的电阻值和50℃下的电阻值，求出被测定电子元件装置X的电阻温度特性。

电气特性测定装置100具备依次提供多个被测定电子元件装置X的元件送料器1。

元件送料器1与线性送料器2连接。线性送料器2利用超声波振动等将元件送料器1提供的被测定电子元件装置X直线状地传送。

线性送料器2与测定基座3连接。即，被测定电子元件装置X通过线性送料器2依次向测定基座3传送。测定基座3是长方形的工作台。

在测定基座3设有传送机构即传送体4。传送体4通过驱动单元(未图示)驱动，在测定基座3上移动。传送体4为长方形状，在一条长边以梳齿状形成收容被测定电子元件装置X的大量的凹部4a。传送体4将凹部4a收容的多个被测定电子元件装置X沿着图1、图2的从上往下的方向直线状且间歇地移动。另外，传送体4达到测定基座3的下端后，通过驱动单元返回测定基座3的上端，如虚线箭头所示。另外，此时，传送体4将未被后述的不合格品排除区域U、被测定电子元件回收区域V、W所排除或回收的被测定电子元件装置X以留在测定基座3上的现存位置的状态返回到测定基座3的上端为止。

在测定基座3上设置局部2个区域即温度区域3S和温度区域3T。通过在测定基座3的本体部分和温度区域3S以及温度区域3T之间形成沟槽等方法，使其相互热分离。

在温度区域3S的底面，如图3(A)所示，设置珀尔帖元件5a作为温度调节单元。温度区域3S通过珀尔帖元件5a控制在目标温度即25℃。珀尔帖元件5a对温度区域3S的全域大致均匀地进行温度控制。通常，温度区域3S的目标温度与为了测定被测定电子元件装置X的电气特性的第1基准温度(25℃)一致。但是，温度区域3S的目标温度不必与第1基准温度一致。

在温度区域3T的底面，如图3(B)所示，设置珀尔帖元件5b。温度区域3T通过珀尔帖元件5b控制在目标温度即50℃。珀尔帖元件5b对温度区域3T的全域大致均匀地进行温度控制。通常，温度区域3T的目标温度与为了测定被测定电子元件装置X的电气特性的第2基准温度(50℃)一致。但是，温度区域3T的目标温度不必与第2基准温度一致。例如，为了快速加热被测定电子元件装置X，也可以将温度区域3T的目标温度设定成比第2基准温度更高。

控制温度区域3S、3T的温度的发热体的种类不限于珀尔帖元件5a、5b，也可以是加热器、冷却器等。

电气特性测定装置100中，线性送料器2是被测定电子元件装置X的传送路径，在其中途设置初始温度确定位置。在传送路径的附近，尤其是初始温度确定位置的附近，设置第1温度传感器6作为初始温度确定单元。第1温度传感器6用于监视线性送料器2的传送路径的温度。另外，也可以不通过第1温度传感器6测定传送路径的温度，而通过其他方法直接测定在初始温度确定位置配置的被测定电子元件装置X本身的温度。第1温度传感器6使用例如铂测温电阻体。但是，第1温度传感器6的种类是任意的，也可以是热电偶、热敏电阻、放射温度计等。

另外，电气特性测定装置100具有测定点7P和测定点7Q。测定点7P设于温度区域3S。测定点7Q设于温度区域3T。

如上所述，图3(A)表示测定点7P部分的要部截面图。另外，图3(B)表示测定点7P部分的要部截面图。

在温度区域3S的测定点7P的附近，设置第2温度传感器8作为测定点温度确定单元。第2温度传感器8用于监视温度区域3S的温度。同样，在温度区域3T的测定点7Q的附近，设置第3温度传感器9。第3温度传感器9用于监视温度区域3T的温度。第2温度传感器8及第3温度传感器9例如使用铂测温电阻体。但是，第2温度传感器8及第3温度传感器9的种类是任意的，也可以是热电偶、热敏电阻、放射温度计等。

如图3(A)所示，在测定点7P设有与被测定电子元件装置X的顶面抵接的抵接部件10。另外，抵接部件10在图1、图2中省略了图示。

在测定点7P的测定基座3(温度区域3S)，例如设置4个孔，在这4个孔配置2对测定端子11a、11b、12a、12b。测定端子11a、11b、12a、12b用于与被测定电子元件装置X的外部电极Xa、Xb抵接。测定端子11a、11b、12a、12b安装于测定端子驱动机构13，通过由测定端子驱动机构13驱动，间歇地与被测定电子元件装置X的外部电极Xa、Xb抵接。

如图3(B)所示，在测定点7Q设有与被测定电子元件装置X的顶面抵接的抵接部件14。另外，抵接部件14在图1、图2中省略了图示。

在测定点7Q的测定基座3(温度区域3T)，例如设置4个孔，在这4个孔配置2对测定端子15a、15b、16a、16b。测定端子15a、15b、16a、16b用于与被测定电子元件装置X的外部电极Xa、Xb抵接。测定端子15a、15b、16a、16b安装于测定端子驱动机构17，通过由测定端子驱动机构17驱动，间歇地与被测定电子元件装置X的外部电极Xa、Xb抵接。

如图1所示，电气特性测定装置100具备测定器18。测定器18与测定端子11a、11b、12a、12b连接。另外，测定器18还与测定端子15a、15b、16a、16b连接。测定器18用于在测定点7P及测定点7Q测定被测定电子元件装置X的电气特性。

图4表示被测定电子元件装置X的底面。另外，图4用虚线表示了被测定电子元件装置X的外部电极Xa、Xb在测定点7P与测定端子11a、11b、12a、12b抵接的部分、以及在测定点7Q与测定端子15a、15b、16a、16b抵接的部分。

例如，测定器18在测定点7P，使测定端子11a、11b间流过规定值的电流，通过测定测定端子12a、12b间的电压，能够测定被测定电子元件装置X的电阻值。

同样，例如，测定器18在测定点7Q，使测定端子15a、15b间流过规定值的电流，通过测定测定端子16a、16b间的电压，能够测定被测定电子元件装置X的电阻值。

电气特性测定装置100如图1所示，具备个人计算机(以下称为PC)19。PC19至少具备存储装置、运算装置、输入接口、输出接口等。

PC19与元件送料器1、线性送料器2、传送体4、测定端子驱动机构13、测定端子驱动机构17及各自的驱动系统连接。PC19的存储装置存储分别控制元件送料器1、线性送料器2、传送体4、测定端子驱动机构13、测定端子驱动机构17的规定的计算机程序，PC19分别控制元件送料器1、线性送料器2、传送体4、测定端子驱动机构13、测定端子驱动机构17。

PC19与测定器18连接。

另外，PC19分别与第1温度传感器6、第2温度传感器8、第3温度传感器9连接。

电气特性测定装置100的测定基座3具备在电气特性测定后排除判断为不合格品的被测定电子元件装置X的不合格品排除区域U。在不合格品排除区域U设有从传送体4的凹部4a排除判断为不合格品的被测定电子元件装置X的排除机构(未图示)。排除机构与PC19连接，将通过PC19的运算装置判断为不合格品的被测定电子元件装置X从传送体4的凹部4a排除。

而且，电气特性测定装置100的测定基座3还具备被测定电子元件回收区域V，其在将判断为不合格品的被测定电子元件装置X排除后，回收判断为合格品的被测定电子元件装置X中电气特性波动少的等级1的被测定电子元件装置X。等级1的被测定电子元件装置X的回收也由PC19控制。

而且，电气特性测定装置100的测定基座3还具备被测定电子元件回收区域W，在等级1的被测定电子元件装置X回收后，回收虽然在容许范围内但是电气特性存在波动的等级2的被测定电子元件装置X。等级2的被测定电子元件装置X的回收也由PC19控制。

接着，说明使用电气特性测定装置100的电子元件装置的电气特性测定方法。本实施方式中，如上所述，使用NTC热敏电阻作为被测定电子元件装置X，测定被测定电子元件装置X的电阻值作为电气特性。本实施方式的电子元件装置的电气特性测定方法中，利用以下的(式1)。根据(式1)，确定温度Ta下的该NTC热敏电阻置于不同于确定温度Ta的温度Tb的异温度区域上时，能够算出经过时间t后的NTC热敏电阻的推定温度Tx。

T_X＝T_a+(T_b-T_a)e×p(-t/τ)...(式1)

Tx：经过时间t后的NTC热敏电阻的推定温度

Ta：NTC热敏电阻的确定温度

Tb：异温度区域的温度

t：经过时间

τ：NTC热敏电阻的热时间常数

热时间常数τ是能够从该NTC热敏电阻的热容量求出的系数。

(式1)存储在PC19的存储装置。

另外，本实施方式的电子元件的电气特性测定方法中，利用根据基准温度Tw和测定温度To来校正由测定电阻值R₀所包含的基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的(式2)。

Rw：校正了由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的NTC热敏电阻的电阻值

R₀：NTC热敏电阻的测定电阻值

B：NTC热敏电阻的温度变化系数

Tw：基准温度

To：测定温度

温度变化系数B是该NTC热敏电阻固有的系数。温度变化系数B能够通过使该NTC热敏电阻的温度强制地从基准温度向正方向或负方向稍微偏移的同时多次测定电阻值而算出。

(式2)存储在PC19的存储装置。

另外，由PC19控制的设于温度区域3S的珀尔帖元件5a的目标温度设定成25℃。即，本实施方式中，在测定点7P测定被测定电子元件装置(NTC热敏电阻)X在25℃的电阻值。

另外，由PC19控制的设于温度区域3T的珀尔帖元件5b的目标温度设定成50℃。即，本实施方式中，在测定点7Q测定被测定电子元件装置(NTC热敏电阻)X在50℃的电阻值。

进行以上准备后，开始测定。

首先，将多个被测定电子元件装置X投入元件送料器1。

接着，根据PC19的控制，元件送料器1、线性送料器2、传送体4分别开始驱动。

结果，被测定电子元件装置X从元件送料器1依次向线性送料器2传送。

接着，第1个(首个)被测定电子元件装置X经过设于传送路径的初始温度确定位置的附近时，由初始温度确定单元即第1温度传感器6测定传送路径(线性送料器2)的温度。

元件送料器1和线性送料器2保持室温(常温)，且被测定电子元件装置X经过充分时间到达初始温度确定位置即第1温度传感器6，因此，被测定电子元件装置X充分与传送路径(线性送料器2)的温度融合。从而，第1个被测定电子元件装置X经过初始温度确定位置即第1温度传感器6时，由第1温度传感器6测定的传送路径(线性送料器2)的温度能够视为第1个被测定电子元件装置X的初始温度。另外，第1温度传感器6能够直接测定被测定电子元件装置X的温度时，不必特别地与传送路径的温度融合，能够将第1温度传感器6的测定值直接作为第1个被测定电子元件装置X的初始温度。第1个被测定电子元件装置X的初始温度传达至PC19，并存储在PC19的存储装置。

另外，也可以取代由第1温度传感器6测定传送路径(线性送料器2)的温度，而是严格管理室温，将第1个被测定电子元件装置X经过初始温度确定位置时另外测定的室温作为第1个被测定电子元件装置X的初始温度。

被测定电子元件装置X的初始温度若比之后传送至的测定基座3的温度区域3S的目标温度即25℃低，则也存在比25℃高的情况，还存在为25℃的情况。

接着，第1个被测定电子元件装置X通过线性送料器2向测定基座3传送。具体地说，第1个被测定电子元件装置X通过线性送料器2，向控制在目标温度25℃的测定基座3的温度区域3S传送。另外，第1个被测定电子元件装置X的初始温度只要不是25℃，到达温度区域3S的第1个被测定电子元件装置X的温度就需要花费时间来达到25℃。第1个被测定电子元件装置X向测定基座3传送的时间传达至PC19，并存储在PC19的存储装置。

接着，第1个被测定电子元件装置X的传送方向变更90°，通过传送体4，向图1及图2中的下方传送。另外，传送体4如上所述间歇移动。

接着，第1个被测定电子元件装置X到达测定点7P。

第1个被测定电子元件装置X到达测定点7P后，根据PC19的控制，测定端子驱动机构13进行驱动。然后，第1个被测定电子元件装置X的电阻值经由测定端子11a、11b、12a、12b，由测定器18测定，获得第1个被测定电子元件装置X的测定电阻值。第1个被测定电子元件装置X的测定电阻值从测定器18传达至PC19，并存储在PC19的存储装置。另外，测定第1个被测定电子元件装置X的电阻值的时间也在PC19的存储装置存储。

与此同时，通过第2温度传感器8测定温度区域3S的温度。然后，由该第2温度传感器8测定的温度作为在测定点7P测定第1个被测定电子元件装置X的电阻值时的温度区域3S的温度，传达至PC19并在PC19的存储装置存储。另外，温度区域3S控制在目标温度25℃，但是，由第2温度传感器8测定的温度由于各种各样的要因(室温的变化、装置的发热等)，可能从25℃偏离。

接着，PC19的运算装置中，进行以下的运算。

首先，向上述(式1)代入已求出的热时间常数τ以外的具体的数值，求出第1个被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx。

具体的数值如下。

Tx：第1个被测定电子元件装置X的测定时推定温度

Ta：经过第1温度传感器6时的第1个被测定电子元件装置X的推定温度(初始温度)

Tb：测定第1个被测定电子元件装置X的电阻值时的第2温度传感器8的测定温度(温度区域3S的温度)

t：被测定电子元件装置X到达温度区域3S后到测定电阻值为止的时间

τ：该NTC热敏电阻的热时间常数

接着，向上述(式2)代入已求出的温度变化系数B以外的具体的数值，算出校正了由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的第1个被测定电子元件装置X的电阻值Rw。

具体的数值如下。

Rw：校正了由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的第1个被测定电子元件装置X的电阻值

R₀：第1个被测定电子元件装置X的测定电阻值

B：该NTC热敏电阻的温度变化系数

Tw：基准温度(温度区域3S的目标温度即25℃)

To：第1个被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx(测定温度)

接着，测定点7P的测定结束后的第1个被测定电子元件装置X通过传送体4向温度区域3T传送。而且，第1个被测定电子元件装置X通过传送体4向测定点7Q传送。

第1个被测定电子元件装置X到达测定点7Q后，根据PC19的控制，测定端子驱动机构17进行驱动。然后，第1个被测定电子元件装置X的电阻值经由测定端子15a、15b、16a、16b，由测定器18测定，获得第1个被测定电子元件装置X的测定电阻值。第1个被测定电子元件装置X的测定电阻值从测定器18传达至PC19，并存储在PC19的存储装置。另外，测定第1个被测定电子元件装置X的电阻值的时间也存储在PC19的存储装置。

与此同时，通过第3温度传感器9测定温度区域3T的温度。然后，通过该第3温度传感器9测定的温度作为在测定点7Q测定第1个被测定电子元件装置X的电阻值时的温度区域3T的温度而传达至PC19，并存储在PC19的存储装置。另外，温度区域3T控制在目标温度50℃，但是由第3温度传感器9测定的温度由于各种各样的要因，可能从50℃偏离。

接着，PC19的运算装置中，与在测定点7P进行测定的情况同样，测定点7Q的测定中，也用上述(式1)求出第1个被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx，而且用上述(式2)校正由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差。另外，在测定点7P进行了测定后要较快地将被测定电子元件装置X传送到温度区域3T时，在(式1)代入的第1个被测定电子元件装置X的初始温度Ta能够采用在测定点7P的第1个被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx。但是，向温度区域3T的传送花费时间时，最好考虑经过的时间来求出初始温度Ta。

通过以上方式，非常准确地测定第1个被测定电子元件装置X在25℃及50℃的电阻值。图5表示第1个被测定电子元件装置X在25℃及50℃的电阻值(校正了测定误差的电阻值)和由此推定的第1个被测定电子元件装置X的电阻温度特性。

接着，根据校正了由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的第1个被测定电子元件装置X在25℃及50℃的电阻值，在PC19中进行第1个被测定电子元件装置X的合格品/不合格品的筛选。而且，第1个被测定电子元件装置X为合格品时，在PC19中进行等级1和等级2的筛选。然后，不合格品的被测定电子元件装置X由不合格品排除区域U排除，等级1的被测定电子元件装置X由被测定电子元件回收区域V回收，等级2的被测定电子元件装置X由被测定电子元件回收区域W回收。

通过以上的方法，测定第1个被测定电子元件装置X的电阻值再进行筛选。以下，通过同样的方法进行第2个及之后的被测定电子元件装置X的电阻值的测定及筛选。

[第2实施方式]

图6表示本实施方式中使用的电气特性测定装置200。其中，图6是电气特性测定装置200的要部平面图。

电气特性测定装置200将第1实施方式中使用的电气特性测定装置100进行了简化。即，电气特性测定装置100具有测定点7P和测定点7Q这2个测定点，而电气特性测定装置200省略了测定点7Q，仅仅具有测定点7P。

电气特性测定装置200省略了电气特性测定装置100具备的温度区域3T、珀尔帖元件5b、测定端子15a、15b、16a、16b、抵接部件14、测定端子驱动机构17、第3温度传感器9。

使用电气特性测定装置200，按照第1实施方式实施的方法，测定被测定电子元件装置X在25℃的电阻值。然后根据结果，进行被测定电子元件装置X的筛选。

[第3实施方式]

第3实施方式中，使用第2实施方式使用的电气特性测定装置200。但是，第3实施方式中，通过不同于第2实施方式的方法，求出被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx，并且校正由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差。另外，第3实施方式援用图6进行说明。

上述第1实施方式及第2实施方式中，用(式1)求出第1个被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx，而且用(式2)校正了基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差。第3实施方式中，不使用(式1)、(式2)，而是分别使用以下所示(表1)作为第1相关关系，使用(表2)作为第2相关关系。这些表格在进行电阻值的测定前，预先通过实测制作。

(表1)表示被测定电子元件装置X在测定点7P的测定时推定温度Tx。测定时推定温度Tx由被测定电子元件装置X的初始温度和在测定点7P测定被测定电子元件装置X时的第2温度传感器8的测定温度来确定。其中，以被测定电子元件装置X到达温度区域3S后到测定电阻值为止的时间t固定为规定值作为前提。

(表2)表示了被测定电子元件装置X的校正了由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的电阻值Rw。校正后的电阻值Rw由测定时推定温度Tx和测定电阻值R₀来确定。

另外，第3实施方式中，将校正后的电阻值Rw为9.98kΩ以上、10.02kΩ以下的产品设为合格品G，除此以外的产品设为不合格品NG。作为参考，合格品G/不合格品NG的区分如(表3)所示。

这样，导出测定时推定温度Tx、校正了测定误差的电阻值Rw的相关关系也能够不以公式的方式准备，而是以表格的方式来准备。

[第4实施方式]

图7表示本实施方式中使用的电气特性测定装置400。其中，图7是电气特性测定装置400的平面图。

本实施方式中使用的电气特性测定装置400相对于上述的第1实施方式中使用的电气特性测定装置100、第2实施方式中使用的电气特性测定装置200进行了显著变更。

电气特性测定装置400与电气特性测定装置100、200同样地具备元件送料器1、线性送料器2。另外，在线性送料器2设有第1温度传感器6。这些部分不变。

电气特性测定装置400具备测定基座43。

在测定基座43上设置圆板状的传送体44来取代电气特性测定装置100、200的长方形的传送体4。在传送体44的外周，形成收容被测定电子元件装置X的大量的凹部44a。传送体44以在凹部44a收容被测定电子元件装置X的状态，由马达间歇地旋转。

在电气特性测定装置400的测定基座43，设置测定被测定电子元件装置X的电气特性(电阻值)的测定点57P。

在电气特性测定装置400的测定基座43，在包含测定点57P的区域埋设例如珀尔帖元件(未图示)，设置温度控制区域H。温度控制区域H以应测定被测定电子元件装置X的电气特性的基准温度(例如25℃)作为目标温度，进行温度控制。另外，温度控制区域H控制整个测定基座43的温度。

电气特性测定装置400中，被测定电子元件装置X通过线性送料器2和传送体44从元件送料器1向测定点57P传送的路径为被测定电子元件装置X的传送路径。

在电气特性测定装置400的测定基座43，在测定点57P的附近设有第2温度传感器47。另外，在电气特性测定装置400的测定基座43，在被测定电子元件装置X的传送路径上设有7个中间温度传感器48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g。另外，邻接的2个中间温度传感器的温度区域的边界可以考虑处于2个中间温度传感器的中间点。

本实施方式中，被测定电子元件装置X经过第1温度传感器时，将第1温度传感器测定的线性送料器2的温度确定为被测定电子元件装置X的初始温度。

另外，通过将被测定电子元件装置X的初始温度、被测定电子元件装置X到达测定基座43后到从第一个中间温度传感器48a的温度区域出来为止的时间、被测定电子元件装置X经过第一个中间温度传感器48a的温度区域时测定的第一个中间温度传感器48a的测定温度代入上述(式1)，求出被测定电子元件装置X从第一个中间温度传感器48a的温度区域出来时的推定温度。

接着，将被测定电子元件装置X从第一个中间温度传感器48a的温度区域出来时的推定温度设为初始温度，将被测定电子元件装置X的初始温度、被测定电子元件装置X从第一个中间温度传感器48a的温度区域出来后到从第二个中间温度传感器48b的温度区域出来为止的时间、被测定电子元件装置X经过第二个中间温度传感器48b的温度区域时测定的第二个中间温度传感器48b的测定温度代入上述(式1)，求出被测定电子元件装置X从第二个中间温度传感器48b的温度区域出来时的推定温度。以下，通过同样的方法，求出被测定电子元件装置X从第三个～第七个中间温度传感器48c、48d、48e、48f、48g的温度区域出来时的推定温度。

而且通过同样的方法，求出在测定点57P测定被测定电子元件装置X的电气特性时的被测定电子元件装置X的推定温度。具体地说，将被测定电子元件装置X的初始温度(从第七个中间温度传感器48g的温度区域出来时的推定温度)Ta、被测定电子元件装置X从第七个中间温度传感器48g的温度区域出来后(进入测定点57P的温度区域后)到在测定点57P进行测定为止的时间t、在测定点57P测定被测定电子元件装置X的电气特性时的第2温度传感器47的测定温度Tb代入上述(式1)，求出被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx。

本实施方式中，将通过上述的方法求出的被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx作为测定温度To，代入上述(式2)，求出校正了由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的被测定电子元件装置X的电阻值Rw。

使用电气特性测定装置400的本实施方式所涉及的测定方法也能够以高测定精度测定被测定电子元件装置X的电气特性(电阻值)。

[第5实施方式]

图8表示本实施方式中使用的电气特性测定装置500。其中，图8是电气特性测定装置500的平面图。

本实施方式中使用的电气特性测定装置500在上述第4实施方式中使用的电气特性测定装置400中追加了新的构成。

电气特性测定装置500具备新的基准电子元件Y，在测定点57P的附近设置基准电子元件Y的测定点57Q。另外，测定点57P和测定点57Q距离极近，因此两者的温度能够视为相等。

上述(式1)、(式2)存储在PC19的存储装置。

而且，本实施方式中，预先将如下所示的表示被测定电子元件装置(NTC热敏电阻)X的测定电阻值R₁相对于基准电子元件Y的测定电阻值R₀的偏差(测定值偏差率)的(式3)存储在PC19的存储装置。

偏差(％)＝(R₁-R₀)/R₀*100…(式3)

而且，本实施方式中，在PC19的存储装置存储判断为合格品的被测定电子元件装置(NTC热敏电阻)X的测定电阻值R₁的偏差的容许范围。

进行以上的准备后，开始测定。

首先，将多个被测定电子元件装置X投入元件送料器1。

接着，根据PC19的控制，元件送料器1、线性送料器2、传送体44分别开始驱动。结果，被测定电子元件装置X依次向测定基座43的测定点57P传送。

然后在测定点57P测定被测定电子元件装置X的电气特性，同时，在测定点57Q测定基准电子元件Y的电气特性。另外，若测定点57Q的温度相对于时间经过而言比较稳定，则基准电子元件Y的电气特性的测定也可以在被测定电子元件装置X的电气特性的测定的稍许前后进行。

本实施方式中，与上述第4实施方式同样，伴随被测定电子元件装置X在传送路径上的传送，在必要的定时通过第1温度传感器6、中间温度传感器48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g、第2温度传感器47来测定温度。

然后通过上述(式1)，求出被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx。另外，使用求出的被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx，通过上述(式2)，求出校正了由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的被测定电子元件装置X的电阻值Rw。

另外，基准电子元件Y的温度与第2温度传感器47的测定温度Tb相同，因此，通过上述(式2)求出校正后的被测定电子元件装置X的电阻值Rw时，最好使用第2温度传感器47的测定温度Tb来取代基准温度Tw。

接着，本实施方式中，通过上述(式3)，求出被测定电子元件装置X的测定电阻值R₁(校正了测定误差的被测定电子元件装置X的电阻值Rw)相对于基准电子元件Y的测定电阻值R₀的偏差。

然后，求出的被测定电子元件装置X的已校正测定电阻值R₁相对于基准电子元件Y的测定电阻值R₀的偏差在预定的范围内时判断被测定电子元件装置X为合格品，在预定范围外时判断被测定电子元件装置X为不合格品。另外，容许偏差的范围考虑上述基准电子元件Y的基准温度下的电阻值而定。

本实施方式中，根据被测定电子元件装置X的测定电阻值，不仅校正由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差，还求出被测定电子元件装置X的已校正测定电阻值R₁相对于基准电子元件Y的测定电阻值R₀的偏差，进行被测定电子元件装置X的合格品/不合格品的判断，因此，能够进行更准确的合格品/不合格品的判断。

[第6实施方式]

图9表示第6实施方式中使用的电气特性测定装置600。其中，图9是电气特性测定装置600的平面图。

本实施方式中使用的电气特性测定装置600对上述第1实施方式中使用的电气特性测定装置100进行了变更。

电气特性测定装置100具备元件送料器1、线性送料器2。电气特性测定装置600省略了电气特性测定装置100的元件送料器1和线性送料器2，取而代之的是分别设置了元件托盘61和吸嘴65，作为初始温度确定位置及传送单元。另外，电气特性测定装置100中，在线性送料器2设置第1温度传感器6，而电气特性测定装置600中，在元件托盘61设置第1温度传感器66。而且，电气特性测定装置600中，省略了传送体4。电气特性测定装置600的其他构成与电气特性测定装置100相同。

本实施方式中，首先，将多个被测定电子元件装置X投入元件托盘61。然后，放置一段时间，使被测定电子元件装置X的温度与元件托盘61的温度融合(成为相同温度)。

接着，通过吸嘴65吸附一个被测定电子元件装置X，将吸附的被测定电子元件装置X向测定基座3的温度区域3S的测定点7P移动。本实施方式中，吸嘴65吸附被测定电子元件装置X时，将第1温度传感器66测定的元件托盘61的温度视为被测定电子元件装置X的初始温度。

接着，在测定点7P测定被测定电子元件装置X的电气特性。电气特性的测定结果通过与第1实施方式同样的方法进行校正。

接着，通过吸嘴65吸附被测定电子元件装置X，将吸附的被测定电子元件装置X向温度区域3T的测定点7Q移动。另外，这里使用的吸嘴也可以准备不同于上述吸嘴65的吸嘴。

接着，在测定点7Q测定被测定电子元件装置X的电气特性。电气特性的测定结果通过与第1实施方式同样的方法进行校正。

接着，根据测定点7P及测定点7Q的电气特性的测定结果，将被测定电子元件装置X分类为不合格品、电气特性波动少的等级1、虽然在容许范围内但是电气特性存在波动的等级2。然后，吸嘴65吸附被测定电子元件装置X，根据上述的分类结果，将吸附的被测定电子元件装置X向不合格品排除区域U、被测定电子元件回收区域V、被测定电子元件回收区域W之一移动，进行排除或回收。

本实施方式中，也能够高精度筛选被测定电子元件装置X。

[第7实施方式]

图10表示第7实施方式中使用的电气特性测定装置700。其中，图10是电气特性测定装置700的正面图(部分截面图)。

本实施方式中使用的电气特性测定装置700具备恒温槽71。在恒温槽71中收容有液体72。液体72控制在一定的温度，且始终测定温度。

电气特性测定装置700具备环状的电子元件固定夹具73。电子元件固定夹具73安装在马达74上，由马达74驱动旋转。

电气特性测定装置700具备测定器78。

本实施方式中，首先，将多个径向引线型NTC热敏电阻作为被测定电子元件装置X安装到电子元件固定夹具73。

接着，通过马达74使电子元件固定夹具73旋转，使被测定电子元件装置X的本体部分按照顺序浸渍到液体72中。然后通过测定器78测定本体部分浸渍在液体72中的被测定电子元件装置X的电气特性(电阻值)。

本实施方式中，将室温设为被测定电子元件装置X的初始温度Ta。另外，将液体72的温度设为测定温度Tb。然后，将初始温度Ta、测定温度Tb、被测定电子元件装置X的本体部分浸渍到液体72中到测定电气特性为止的时间t以及被测定电子元件装置X的热时间常数τ代入上述(式1)，求出被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx。另外，将求出的被测定电子元件装置X的测定时推定温度Tx作为测定温度To，通过上述(式2)，求出校正了由基准温度Tw和测定温度To的偏差所引起的测定误差的被测定电子元件装置X的电阻值Rw。

[第8实施方式]

图11表示第8实施方式中使用的电气特性测定装置800。其中，图11是电气特性测定装置800的要部立体图，仅仅表示了后述的传送体84。

第1实施方式中使用的电气特性测定装置100等中，作为传送被测定电子元件装置X的单元，使用长方形的传送体4。另外，第4实施方式中使用的电气特性测定装置400等中，作为传送被测定电子元件装置X的单元，使用圆形的传送体44。电气特性测定装置800具备滚筒状的传送体84来取代这些。

传送体84具备圆筒状的滚筒85。在滚筒85上设有多个贯通的腔85a。电气特性测定装置800中，被测定电子元件装置X保持在腔85a的内部进行传送。

若使用电气特性测定装置800，则能够高精度进行电子元件装置的电气特性的测定、筛选。

[第9实施方式]

图12表示第9实施方式中使用的电气特性测定装置900。其中，图11是电气特性测定装置900的要部立体图，仅仅表示了后述的传送体94。

第1实施方式中使用的电气特性测定装置100等中，作为传送被测定电子元件装置X的单元，使用长方形的传送体4。另外，第4实施方式中使用的电气特性测定装置400等中，作为传送被测定电子元件装置X的单元，使用圆形的传送体44。电气特性测定装置900具备传送带状的传送体94来取代这些。

传送体94具备传送带95。传送带95上设有多个贯通的腔95a。电气特性测定装置900中，将被测定电子元件装置X保持在腔95a的内部进行传送。

若使用电气特性测定装置900，则能够高精度进行电子元件装置的电气特性的测定、筛选。

[第10实施方式]

图13表示第10实施方式中使用的电气特性测定装置1000。其中，图13是电气特性测定装置1000的要部正面图，仅仅表示了后述传送体98。

第4实施方式中使用的电气特性测定装置400等中，作为传送被测定电子元件装置X的单元，使用圆形的传送体44。传送体44的外周形成有多个凹部44a。

电气特性测定装置1000也具备圆形的传送体98。但是，传送体98不是在外周，而是在面内形成了多个贯通的腔98a。本实施方式中，在传送体98上多个腔98a配置成3列的同心状来形成。

电气特性测定装置1000中，被测定电子元件装置X保持在腔98a的内部进行传送。另外，传送体98能够以直立状态、即设置为与地平面垂直的方式来使用。

若使用电气特性测定装置1000，则能够高精度进行电子元件装置的电气特性的测定、筛选。

以上，说明了第1实施方式～第7实施方式。但是，本发明不限于上述内容，能够根据发明的精神进行各种变更。

例如，第1实施方式～第7实施方式中，测定了NTC热敏电阻的电阻值，但是，电子元件的种类不限于NTC热敏电阻，测定的电气特性也不限于电阻值。例如，可以测定PTC热敏电阻、固定电阻的电阻值，也可以测定电容器的电容值、电感器的电感值。

另外，第1实施方式、第2实施方式、第4实施方式～第7实施方式中，作为第1温度的被测定电子元件装置置于不同于第1温度的第2温度的第2温度区域时推定经过时间t后的上述被测定电子元件装置的温度的第1相关关系，使用上述(式1)。但是，(式1)为一例，也可以使用其他相关关系式。另外，如第3实施方式，也可以使用表示第1相关关系的表格。

另外，第1实施方式、第2实施方式、第4实施方式～第7实施方式中，作为根据测定电气特性时被测定电子元件装置应为的温度即基准温度和测定电气特性时的被测定电子元件装置的实际温度即测定温度来校正测定电气特性所包含的由基准温度和上述测定温度的偏差所引起的测定误差的第2相关关系，使用上述(式2)。但是，(式2)为一例，也可以使用其他相关关系式。例如，也可以使用NTC热敏电阻的温度电阻特性的近似式即Steinhrt-Hart式。另外，如第3实施方式，也可以使用表示第2相关关系的表格。

另外，本发明的电子元件装置的筛选方法中，取得校正了由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性，将已校正电气特性与筛选基准比较，来筛选电子元件装置，也可以取而代之，与测定时推定温度对应地对筛选基准进行对应校正，取得对应校正筛选基准，将测定电气特性与对应校正筛选基准比较，来筛选上述电子元件装置。

为了确认本发明的有效性，进行以下的实验。

[实验例1]

进行比较例1、比较例2、实施例1、实施例2的实验，比较测定精度。本实验中，被测定电子元件采用NTC热敏电阻，测定电阻值作为电气特性。另外，基准温度设为25℃，室温控制为24℃。

比较例1采用专利文献1公开的方法。即，通过温度传感器(铂传感器)测定传送路径的温度，测定的温度若偏离基准温度，则控制传送路径使其接近基准温度后，测定被测定电子元件的电阻值。

比较例2采用专利文献2公开的方法。即，与被测定电子元件的电阻值测定同时地测定基准电子元件的电阻值，算出被测定电子元件的测定电阻值相对于基准电子元件的测定电阻值的偏差。然后，根据该偏差，求出被测定电子元件的电阻值(实数)。

实施例1采用上述第4实施方式的方法。即，通过第1温度传感器6、中间温度传感器48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g、第2温度传感器47，测定传送路径的温度，算出被测定电子元件的测定时的测定时推定温度，获得校正了由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电阻值。

实施例2采用上述第5实施方式的方法。即，通过第1温度传感器6、中间温度传感器48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g、第2温度传感器47，测定传送路径的温度，算出被测定电子元件的测定时的测定时推定温度，获得校正了由基准温度和测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电阻值，并且，与被测定电子元件的电阻值测定同时地测定基准电子元件的电阻值，算出被测定电子元件的已校正电阻值相对于基准电子元件的测定电阻值的偏差。根据该偏差，求出被测定电子元件的电阻值(实数)。

通过改变电气特性测定装置的运转速度，对比较例1、比较例2、实施例1、实施例2分别获得3种测定结果。具体地说，对低速(100个/分)、中速(1000个/分)、高速(3000个/分)分别取得测定结果。

测定精度通过在比较例1、比较例2、实施例1、实施例2中分别向电气特性测定装置投入10次同一试料而从以下的(式4)求出。另外，最大电阻值是指10次投入中最大的电阻值，最小电阻值是指10次投入中最小的电阻值。另外，基准电阻值是指该被测定电子元件的供应商向该被测定电子元件的使用者保证的电阻值。

[公式5]

测定精度(％)＝(最大电阻值-最小电阻值)/基准电阻值…(式4)

(表4)表示比较例1、比较例2、实施例1、实施例2的测定结果。

[表4]

表4

(基准温度25℃、室温24℃)

对比较例1、比较例2、实施例1、实施例2的测定结果进行比较时，从(表4)可知，电气特性测定装置的运转速度相同时，不管运转速度为低速(100个/分)、中速(1000个/分)、还是高速(3000个/分)，比较例1的测定精度最差，实施例2的测定精度最佳。

对比较例2和实施例1进行比较时，在低速、中速时，比较例2优于实施例1，而高速时，实施方例1优于比较例2。

根据以上可知，如第5实施方式那样，若采用与被测定电子元件的电阻值测定同时地测定基准电子元件的电阻值，算出被测定电子元件的已校正电阻值相对于基准电子元件的测定电阻值的偏差的方法来实施本发明，则能够高精度测定电阻值。

另外可知，如第4实施方式那样，即使是不算出上述偏差的方法，在电气特性测定装置高速运转时，也能够以比传统的方法高得多的精度测定电阻值。

[实验例2]

实验例2中，进行比较例3、比较例4、实施例3、实施例4的实验，比较测定精度。本实验中，被测定电子元件也采用NTC热敏电阻，测定电阻值作为电气特性。

上述实验例1中，基准温度设为25℃，而实验例2中，基准温度设为50℃。实验例2的其他事项与实验例1同样。

比较例3采用与实验例1的比较例1相同的方法。

比较例4采用与实验例1的比较例2相同的方法。

实施例3采用与实验例1的实施例1相同的方法。

实施例4采用与实验例1的实施例2相同的方法。

(表5)表示比较例3、比较例4、实施例3、实施例4的测定结果。

[表5]

表5

(基准温度50℃、室温24℃)

从(表5)可知，实验例2也得出与实验例1同样的结果。根据其结果可知，本发明无论基准温度多大都是有效的。

以上，通过实验例1、实验例2可知，根据本发明，能够高精度测定电子元件的电气特性。

[标号说明]

1…元件送料器

2…线性送料器

3…测定基座

3S…温度区域(25℃)

3T…温度区域(50℃)

4…传送体(长方形)

4a…凹部

44…传送体(圆形)

44a…凹部

5a，5b…珀尔帖元件

7P，7Q，57P，57Q…测定点

6，66…第1温度传感器

8，47…第2温度传感器

9…第3温度传感器

10，14…抵接部件

11a、11b、12a、12b，15a、15b、16a、16b…测定端子

13，17…测定端子驱动机构

18，78…测定器

19…个人计算机(PC)

48a，48b，48c，48d，48e，48f，48g…中间温度传感器

61…元件托盘

65…吸嘴

71…恒温槽

72…液体

73…电子元件固定夹具

H…温度控制单元

U…不合格品排除区域

V，W…被测定电子元件回收区域

X…被测定电子元件(NTC热敏电阻)

Y…基准电子元件(NTC热敏电阻)

100，200，400，500，600，700…电气特性测定装置

Claims (26)

1.一种电子元件装置的电气特性测定方法，测定被测定电子元件装置的电气特性，其特征在于，

所述被测定电子元件装置经由初始温度确定位置向测定点传送，在所述测定点测定所述电气特性，取得测定电气特性，

分别明确第1相关关系和第2相关关系，

其中，所述第1相关关系是指在第1温度的所述被测定电子元件装置置于不同于所述第1温度的第2温度的第2温度区域的情况下，推定经过时间t后的所述被测定电子元件装置的温度，

所述第2相关关系是指根据测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置应为的温度即基准温度、和测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的实际温度即测定温度，来校正所述测定电气特性所包含的由所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差，

在所述初始温度确定位置，确定所述被测定电子元件装置的初始温度，

确定所述测定点的温度即测定点温度，

确定经由所述初始温度确定位置的所述被测定电子元件装置进入所述测定点的温度区域后到测定所述电气特性为止所需的经过时间，

在所述第1相关关系中，将所述初始温度设为所述第1温度、将所述测定点温度设为所述第2温度、将所述经过时间设为时间t，来推定测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的测定时推定温度，

在所述第2相关关系中，将所述测定时推定温度设为所述测定温度，取得校正了由所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性。

2.如权利要求1所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

设置测定所述初始温度确定位置的温度的第1温度传感器，

在所述初始温度确定位置确定所述被测定电子元件装置的初始温度是指在所述被测定电子元件装置经由所述初始温度确定位置时，将由所述第1温度传感器测定的所述初始温度确定位置的温度设为所述被测定电子元件装置的所述初始温度。

3.如权利要求1或2所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

所述电子元件装置通过传送路径向所述测定点传送，所述初始温度确定位置设于所述传送路径内。

4.如权利要求3所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

在所述初始温度确定位置和所述测定点之间设置一个中间温度传感器，

取代在所述第1相关关系中，将所述初始温度设为所述第1温度、将所述测定点温度设为所述第2温度、将所述经过时间设为时间t，来推定测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的测定时推定温度，

而是在所述第1相关关系中，将所述初始温度设为所述第1温度、将所述被测定电子元件装置经过所述中间温度传感器的温度区域时由所述中间温度传感器测定的所述传送路径的温度设为所述第2温度、将所述被测定电子元件装置进入所述中间温度传感器的温度区域到从所述中间温度传感器的温度区域出来为止所需时间设为所述t，来推定从所述中间温度传感器的温度区域出来时所述被测定电子元件装置的推定温度，

而且，在所述第1相关关系中，将从所述中间温度传感器的温度区域出来时所述被测定电子元件装置的所述推定温度设为所述第1温度、将所述测定点温度设为所述第2温度、将从所述中间温度传感器的温度区域出来的所述被测定电子元件装置进入所述测定点的温度区域到测定所述电气特性为止所需的经过时间设为所述t，来算出测定所述电气特性时所述被测定电子元件的测定时推定温度。

5.如权利要求3所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

在所述初始温度确定位置和所述测定点之间，设有多个中间温度传感器，

取代在所述第1相关关系中，将所述初始温度设为所述第1温度、将所述测定点温度设为所述第2温度、将所述经过时间设为时间t，来推定测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的测定时推定温度，

而是在所述第1相关关系中，将所述初始温度设为所述第1温度、将所述被测定电子元件装置经过第一个所述中间温度传感器的温度区域时由第一个所述中间温度传感器测定的所述传送路径的温度设为所述第2温度、将所述被测定电子元件装置进入第一个所述中间温度传感器的温度区域到从第一个所述中间温度传感器的温度区域出来所需的时间设为所述t，来推定从第一个所述中间温度传感器的温度区域出来时所述被测定电子元件装置的推定温度，

而且，在所述第1相关关系中，将从第一个所述中间温度传感器的温度区域出来时所述被测定电子元件装置的所述推定温度设为所述第1温度、将所述被测定电子元件装置经过第二个所述中间温度传感器的温度区域时由第二个所述中间温度传感器测定的所述传送路径的温度设为所述第2温度、将从第一个所述中间温度传感器的温度区域出来的所述被测定电子元件装置进入第二个所述中间温度传感器的温度区域到从第二个所述中间温度传感器的温度区域出来为止所需的时间设为所述t，来推定从第二个所述中间温度传感器的温度区域出来时所述被测定电子元件装置的推定温度，

所述中间温度传感器设为3个以上时，通过同样的方法，算出从该中间温度传感器的温度区域出来时所述被测定电子元件装置的推定温度，

而且，在所述第1相关关系中，将从最后的所述中间温度传感器的温度区域出来时所述被测定电子元件装置的所述推定温度设为所述第1温度、将所述测定点温度设为所述第2温度、将从最后的所述中间温度传感器的温度区域出来的所述被测定电子元件装置进入所述测定点的温度区域到测定所述电气特性为止所需的经过时间设为所述t，来算出测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的测定时推定温度。

6.如权利要求1、2、4、5中的任一项所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

所述电气特性是电阻值。

7.如权利要求3所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

所述电气特性是电阻值。

8.如权利要求1、2、4、5、7中的任一项所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

进行温度调节，至少使得所述测定点接近预定的目标温度。

9.如权利要求3所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

进行温度调节，至少使得所述测定点接近预定的目标温度。

10.如权利要求6所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

进行温度调节，至少使得所述测定点接近预定的目标温度。

11.如权利要求8所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

将所述预定的目标温度设为所述基准温度，

所述测定点温度视为等于所述基准温度。

12.如权利要求9或10所述的电子元件装置的电气特性测定方法，其特征在于，

将所述预定的目标温度设为所述基准温度，

所述测定点温度视为等于所述基准温度。

13.一种电子元件装置的筛选方法，测定被测定电子元件装置的电气特性，根据测定结果来筛选所述被测定电子元件装置，其特征在于，

所述被测定电子元件装置经由初始温度确定位置向测定点传送，在所述测定点测定所述电气特性，取得测定电气特性，

分别明确第1相关关系和第2相关关系，

其中，所述第1相关关系是指在第1温度的所述被测定电子元件装置置于不同于所述第1温度的第2温度的第2温度区域的情况下，推定经过时间t后的所述被测定电子元件装置的温度，

所述第2相关关系是指根据测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置应为的温度即基准温度、和测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的实际温度即测定温度，来校正所述测定电气特性所包含的由所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差，

针对所述电子元件装置在所述基准温度下的电气特性设定筛选基准，

在所述初始温度确定位置确定所述被测定电子元件装置的初始温度，

确定所述测定点的温度即测定点温度，

确定经由所述初始温度确定位置的所述被测定电子元件装置进入所述测定点的温度区域后到测定所述电气特性为止所需的经过时间，

在所述第1相关关系中，将所述初始温度设为所述第1温度、将所述测定点温度设为所述第2温度、将所述经过时间设为时间t，来推定测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的测定时推定温度，

在所述第2相关关系中，将所述测定时推定温度设为所述测定温度，取得校正了所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性，将所述已校正电气特性与所述筛选基准比较，来筛选所述电子元件装置。

14.如权利要求13所述的电子元件装置的筛选方法，其特征在于，

取代在所述第2相关关系中，将所述测定时推定温度设为所述测定温度，来取得校正了由所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性，将所述已校正电气特性与所述筛选基准比较，来筛选所述电子元件装置，

而是与所述测定时推定温度对应地对所述筛选基准进行对应校正，取得对应校正筛选基准，将所述测定电气特性与所述对应校正筛选基准比较，筛选所述电子元件装置。

15.如权利要求13或14所述的电子元件装置的筛选方法，其特征在于，

选定预先确定了必要范围的测定温度和电气特性的关系的基准电子元件装置，在所述必要范围的测定温度下，用与所述基准电子元件装置的电气特性的相对值来设定所述筛选基准，

将所述基准电子元件装置配置在所述测定点的附近，在测定所述被测定电子元件装置的所述电气特性的同时或前后，测定所述基准电子元件装置的电气特性，取得所述基准电子元件装置的测定电气特性，

根据所述基准电子元件装置的所述测定电气特性，确定所述基准电子元件装置的测定温度及其对应的所述筛选基准，

通过将所述测定点温度视为等于所述基准电子元件装置的所述测定温度，而且将所述基准温度用所述基准电子元件装置的所述测定温度替换，来取得所述基准电子元件装置的所述测定温度下的所述电子元件装置的已校正电气特性。

16.一种电气特性测定装置，其特征在于，具备：

将被测定电子元件装置从初始温度确定位置传送到测定点为止的传送机构；和

在所述测定点测定所述被测定电子元件装置的电气特性的测定器，

在所述初始温度确定位置或所述初始温度确定位置的附近，设有确定所述被测定电子元件装置的初始温度的初始温度确定单元，

在所述测定点或所述测定点的附近，设有确定所述测定点的温度即测定点温度的测定点温度确定单元，

还包括：

存储装置，该存储装置存储有第1相关关系，所述第1相关关系是指在第1温度的所述被测定电子元件装置置于不同于所述第1温度的第2温度的第2温度区域的情况下，推定经过时间t后的所述被测定电子元件装置的温度；以及

运算装置，该运算装置在所述第1相关关系中，将所述初始温度设为所述第1温度、将所述测定点温度设为所述第2温度、将经由所述初始温度确定位置的所述被测定电子元件装置进入所述测定点的温度区域后到测定所述电气特性为止所需的经过时间设为时间t，来进行推定测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的测定时推定温度的运算。

17.如权利要求16所述的电气特性测定装置，其特征在于，

所述存储装置存储有第2相关关系，所述第2相关关系是指根据测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置应为的温度即基准温度、和测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的实际温度即测定温度，来校正所述测定电气特性所包含的由所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差，

所述运算装置在所述第2相关关系中，将所述测定时推定温度设为所述测定温度，来进行取得校正了由所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差的已校正电气特性的运算。

18.如权利要求16所述的电气特性测定装置，其特征在于，

所述存储装置存储有第2相关关系，所述第2相关关系是指根据测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置应为的温度即基准温度、和测定所述电气特性时所述被测定电子元件装置的实际温度即测定温度，来校正所述测定电气特性所包含的由所述基准温度和所述测定温度的偏差所引起的测定误差，

所述运算装置进行如下运算：针对所述电子元件装置在所述基准温度下的电气特性设定筛选基准，使用所述第2相关关系，与所述测定时推定温度对应地对所述筛选基准进行对应校正，取得对应校正筛选基准，并将所述测定电气特性与所述对应校正筛选基准比较，筛选所述电子元件装置。

19.如权利要求16所述的电气特性测定装置，其特征在于，

作为所述初始温度确定单元，设有测定所述初始温度确定位置的温度的第1温度传感器。

20.如权利要求16至19中任一项所述的电气特性测定装置，其特征在于，

设有用于向所述测定点传送所述电子元件装置的传送路径，所述初始温度确定位置设于所述传送路径内。

21.如权利要求20所述的电气特性测定装置，其特征在于，

在所述初始温度确定位置和所述测定点之间还设有一个或多个中间温度传感器。

22.如权利要求16至19、21中的任一项所述的电气特性测定装置，其特征在于，

还设有进行温度调节的温度调节单元，至少使所述测定点接近预定的目标温度。

23.如权利要求20所述的电气特性测定装置，其特征在于，

还设有进行温度调节的温度调节单元，至少使所述测定点接近预定的目标温度。

24.如权利要求16至19、21、23中的任一项所述的电气特性测定装置，其特征在于，

在所述被测定电子元件装置的所述测定点附近还设有基准电子元件的测定点。

25.如权利要求20所述的电气特性测定装置，其特征在于，

在所述被测定电子元件装置的所述测定点附近还设有基准电子元件的测定点。

26.如权利要求22所述的电气特性测定装置，其特征在于，

在所述被测定电子元件装置的所述测定点附近还设有基准电子元件的测定点。

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