KR101225956B1 - 폴리에스테르 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품 - Google Patents

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Abstract

(A) (A-1) 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지 및 (A-2) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 포함하는 폴리에스테르 수지, (B) 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르 및 (C) 벤조페논계 화합물을 포함하는 폴리에스테르 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품이 제공된다.
폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 실란 관능기, 퍼플루오로폴리에테르, 벤조페논계 화합물, 증착 부착성, 내광성

Description

폴리에스테르 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품{POLYESTER RESIN COMPOSITION AND MOLDED PRODUCT USING THE SAME}
본 기재는 폴리에스테르 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품에 관한 것이다.
종래의 자동차용 헤드램프 베젤, 리플렉터, 조명기구 등과 같은 금속 증착 반사체의 형성 과정은 광반사면의 표면 평활성을 높이기 위해 프라이머 도포 후 금속을 증착하였다.  그러나 종래의 방법은 프라이머에 유기용제가 포함되어 있으므로 환경에 유해하고, 휘발 및 도막 형성에 시간이 많이 걸리기 때문에 비용과 생산성 면에서 문제가 많았다.
이러한 문제 때문에 최근에는 프라이머 도포없이 표면에 직접 금속 증착하는 직접 증착 방식이 늘고 있다.  직접 증착이 가능하기 위해서는 높은 표면 평활성이 요구되며, 특히 자동차용 헤드램프 베젤이나 조명기구 등에 적용하기 위해서는 고온 하에서 최소한의 가스 발생 및 열 분해 물질의 마이그레이션(migration) 발생이 요구된다.
한편, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지는 결정화 속도가 빨라서 성형성은  우수하나, 금형에서의 이형성이 부족하여 금형 표면에서의 이형 불량 현상이 두드러진다.  따라서 점착된 수지의 적절한 이형성을 위해서는 적절한 활제의 사용이 필요하다.  하지만 일반적으로 이러한 활제들은 수지가 고온 환경 하에 주어졌을 때, 가스 및 열 분해 물질의 마이그레이션 발생의 주된 원인이 된다.  따라서 이러한 영향을 최소화시키기 위해서는 결국 적절한 활제의 선택이 중요하다.
일례로, 한국공개특허 제2002-0062403호에는 폴리부틸렌테레프탈레이트와 폴리에틸렌테레프탈레이트와의 블렌드물에 무기 충진제 및 몬탄 왁스가 첨가된 열가소성 폴리에스테르 수지 조성물이 개시되어 있다.  그러나 상기 조성물은 표면 평활도 등은 우수하나, 몬탄 왁스의 특성으로 인해 고온에서 장기간 방치시 가스 및 열 분해 물질이 다량으로 발생되며, 내광성이 취약하다.  또한 한국공개특허 제2008-0137220호에서는 불소화 올레핀계 활제를 적용하여 가스 절감과 이형성을 만족시키나, 불소화 올레핀계 활제가 표면 극성(polarity)의 저하를 야기시켜 수지의 알루미늄 증착 부착성이 저하된다.
본 발명의 일 측면은 금속의 직접 증착에 의하여 평활한 금속 증착막을 형성할 수 있는 동시에 증착 부착성이 우수하고, 또한 고온에서의 내열성이 우수하여 고온 환경 하에서 장시간 방치 시 수지의 가스 발생 및 열 분해 물질의 마이그레이션 발생량을 저감할 수 있으며, 내광성이 우수한 폴리에스테르 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 폴리에스테르 수지 조성물로부터 제조된 성형품을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면은 (A) (A-1) 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지 50 내지 90 중량% 및 (A-2) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 10 내지 50 중량%를 포함하는 폴리에스테르 수지; 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여, (B) 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르 0.001 내지 10 중량부; 및 (C) 벤조페논계 화합물 0.001 내지 10 중량부를 포함하는 폴리에스테르 수지 조성물을 제공한다.
상기 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지(A-1)의 고유점도[η]는 약 0.36 dl/g 내지 약 1.60 dl/g 일 수 있고, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지(A-2)의 고유점도[η]는 약 0.5 dl/g 내지 약 1 dl/g 일 수 있다.
상기 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르(B)는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112009081747099-pat00001
(상기 화학식 1에서,
X는 실란 관능기이며, m은 1 내지 1,000,000의 정수이고, n은 1 내지 1,000,000의 정수이다.)
상기 실란 관능기는 하기 화학식 2로 표시될 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 총량에 대하여 약 0.1 중량% 내지 약 50 중량%로 포함될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112009081747099-pat00002
(상기 화학식 2에서,
R1 내지 R3은 서로 같거나 다른 것으로, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕시기이며,
R4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기, 치환 또는 비 치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕실렌기이다.)
상기 벤조페논계 화합물(C)은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있고, 구체적으로는 하기 화학식 4-1 내지 4-10으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112009081747099-pat00003
(상기 화학식 3에서,
R5 및 R6은 서로 같거나 다른 것으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 술폰산기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기이며,
n5 및 n6은 각각 0 내지 5의 정수이다.)
[화학식 4-1]
Figure 112009081747099-pat00004
[화학식 4-2]
Figure 112009081747099-pat00005
[화학식 4-3]
Figure 112009081747099-pat00006
[화학식 4-4]
Figure 112009081747099-pat00007
[화학식 4-5]
Figure 112009081747099-pat00008
[화학식 4-6]
Figure 112009081747099-pat00009
[화학식 4-7]
Figure 112009081747099-pat00010
[화학식 4-8]
Figure 112009081747099-pat00011
[화학식 4-9]
Figure 112009081747099-pat00012
[화학식 4-10]
Figure 112009081747099-pat00013
상기 폴리에스테르 수지 조성물은 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 (D) 무기 충진제 약 0.1 중량부 내지 약 10 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 무기 충진제(D)는 티타늄계의 휘스커(whisker), 활석(talc), 규회석(wollastonite), 벤토나이트(bentonite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 탄산칼슘, 클레이(clay), 카올린(kaolin) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 약 0.1 ㎛ 내지 약 2 ㎛의 평균입경을 가질 수 있다.
상기 폴리에스테르 수지 조성물은 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 (E) 안정제 약 0.005 중량부 내지 약 5 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 안정제(E)는 인산, 아인산, 아인산 에스테르류, 인 화합물, 산성 인산 에스테르류 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 폴리에스테르 수지 조성물은 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 (F) 활제 0.005 내지 5 중량부를 더 포함할 수 있고, 상기 활제(F)는 불소화 올레핀계 화합물, 몬탄계 왁스, 몬탄산의 금속염, 폴리에틸렌 왁스, 실리콘 오일, 스테아릴산의 금속염 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면은 상기 폴리에스테르 수지 조성물로부터 제조된 성형품을 제공한다.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 폴리에스테르 수지 조성물은 금속의 직접 증착에 의하여 평활한 금속 증착막을 형성할 수 있는 동시에 증착 부착성이 우수하고, 또한 고온에서의 내열성이 우수하여 고온 환경 하에서 장시간 방치 시 수지의 가스 발생 및 열 분해 물질의 마이그레이션 발생량을 저감할 수 있으며, 내광성이 우수함에 따라, 자동차용 램프 하우징, 리플렉터, 조명기구의 하우징 등의 금속 증착 외장용 부품 등 다양한 성형품 제조에 유용하다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, '폴리에틸렌테레프탈레이트 수지'란, 폴리에틸렌테레프탈레이트 단일 중합체 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 공중합체 둘 모두를 의미하며, 또한 '폴리부틸렌테레프탈레이트 수지'란, 폴리부틸렌테레프탈레이트 단일 중합체 및 폴리부틸렌테레프탈레이트 공중합체 둘 모두를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, '치환'이란 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20의 알킬기, C2 내지 C16의 알키닐기, C6 내지 C20의 아릴기, C7 내지 C13의 아릴알킬기, C1 내지 C4의 옥시알킬기, C1 내지 C20의 헤테로알킬기, C3 내지 C20의 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C20의 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15의 사이클로알키닐기, 헤테로사이클로알킬기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
일 구현예에 따른 폴리에스테르 수지 조성물은(A) (A-1) 폴리부틸렌테레프탈 레이트 수지 및 (A-2) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 포함하는 폴리에스테르 수지, (B) 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르 및 (C) 벤조페논계 화합물을 포함한다.
이하 일 구현예에 따른 폴리에스테르 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 구체적으로 살펴본다.
 
(A) 폴리에스테르 수지
(A-1) 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지
상기 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지는 1,4-부탄디올과, 테레프탈산 또는 디메틸테레프탈레이트를 직접 에스테르화 반응시키거나, 또는 에스테르 교환 반응시켜 축중합한 폴리부틸렌테레프탈레이트 중합체가 사용될 수 있다.
상기 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지의 충격 강도를 높이기 위해 상기 폴리부틸렌테레프탈레이트를 폴리테트라메틸렌글리콜(PTMG), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌글리콜(PPG), 지방족 폴리에스테르, 지방족 폴리아미드 등과 같은 충격 향상 성분과 공중합한 공중합체, 또는 이들 충격 향상 성분과 블렌딩한 블렌드물인 변성 폴리부틸렌테레프탈레이트가 사용될 수도 있다.  
상기 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지는 ASTM D2857에 따라 측정한 고유점도[η]가 약 0.36 dl/g 내지 약 1.60 dl/g 일 수 있으며, 구체적으로는 약 0.52 dl/g 내지 약 1.25 dl/g 일 수 있다.  상기 범위 내의 고유점도를 가질 경우 기계적 특성과 성형성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
상기 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지는 상기 폴리에스테르 수지(A) 총량에 대하여 약 50 중량% 내지 약 90 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 약 50 중량% 내지 약 70 중량%로 포함될 수 있다.  폴리부틸렌테레프탈레이트 수지가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에스테르 수지 조성물 표면의 평활성 및 내열성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
 
(A-2) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지
상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지는 테레프탈산과 에틸렌글리콜을 축중합하여 제조한 선형 폴리에틸렌테레프탈레이트 중합체가 사용될 수 있다.
상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지는 ASTM D2857에 따라 측정한 고유점도[η]가 약 0.5 dl/g 내지 약 1 dl/g 일 수 있으며, 구체적으로는 약 0.7 dl/g 내지 약 0.9 dl/g 일 수 있다.  상기 범위 내의 고유점도를 가질 경우 기계적 특성과 성형성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지로는 1,4-시클로헥산 디메탄올(1,4-cyclohexane dimethanol, CHDM)을 공중합 성분으로 하는 비결정성 폴리에틸렌테레프탈레이트 공중합체로서, 에틸렌 글리콜(ethylene glycol) 성분의 일부를 1,4-시클로헥산 디메탄올로 대체한 공중합체인 폴리에틸렌테레프탈레이트글리콜 수지를 사용할 수도 있다.  이때, 상기 1,4-시클로헥산 디메탄올은 상기 에틸렌 글리콜 성분에 대하여 약 3 몰% 내지 약 48 몰%, 구체적으로는 약 5 몰% 내지 약 20 몰%로 포함될 수 있다.  1,4-시클로헥산 디메탄올이 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에스테르 수지 조성물의 표면 평활성 및 내열성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지는 상기 폴리에스테르 수지(A) 총량에 대하여 약 10 중량% 내지 약 50 중량%로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 약 30 중량% 내지 약 50 중량%로 포함될 수 있다.  폴리에틸렌테레프탈레이트 수지가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에스테르 수지 조성물 표면의 평활성 및 내열성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
 
(B) 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르
상기 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112009081747099-pat00014
(상기 화학식 1에서,
X는 실란 관능기이며, m은 1 내지 1,000,000의 정수이고, n은 1 내지 1,000,000의 정수이다.)
상기 X의 실란 관능기는 실란 화합물로부터 유도되는 관능기로서, 구체적으로는 하기 화학식 2로 표시되는 관능기를 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112009081747099-pat00015
(상기 화학식 2에서,
R1 내지 R3은 서로 같거나 다른 것으로, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕시기이며,
R4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕실렌기이다.)
상기 실란 관능기는 상기 화학식 1로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르 총량에 대하여 약 0.1 중량% 내지 약 50 중량%로 포함될 수 있다.
상기 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르는 실란 관능기와 폴리에스테르 수지의 반응을 통하여 폴리에스테르 수지 조성물의 표면 평활성을 향상시킬 수 있다.  또한 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르는 퍼플루오로폴리에테르의 높은 표면 장력으로 인해 실란 관능기가 표면에 넓게 분산되어 있음에 따라, 폴리에스테르 수지 조성물 표면에 높은 극성(polarity)을 부여하여 알루미늄 입자의 증착 부착성이 향상될 수 있다. 또한 동시에 금형으로부터 높은 이형성을 부여할 수 있다.
상기 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르는 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 약 0.001 중량부 내지 약 10 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 약 0.005 중량부 내지 약 5 중량부로 포함될 수 있으며, 더 구체적으로는 약 0.1 중량부 내지 약 2 중량부로 포함될 수 있다.  실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에스테르 수지 조성물의 표면 평활성 및 증착 부착성이 우수하며, 고온에서의 내열성이 우수하여 고온 환경 하에서 장시간 방치 시 수지의 가스 발생 및 열 분해 물질의 마이그레이션 발생량을 저감시킬 수 있다.
 
(C) 벤조페논계 화합물
상기 벤조페논계 화합물은 폴리에스테르 수지 조성물에 내광 안정제로 사용되는 것으로서, UV로부터 폴리에스테르 수지의 광분해를 안정화하여 이들 수지가 분해, 예컨대, 열분해 또는 광분해되는 것을 방지할 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112009081747099-pat00016
(상기 화학식 3에서,
R5 및 R6은 서로 같거나 다른 것으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 술폰산기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기이며,
n5 및 n6은 각각 0 내지 5의 정수이다.)
상기 벤조페논계 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 4-1 내지 4-10으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 들 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure 112009081747099-pat00017
[화학식 4-2]
Figure 112009081747099-pat00018
[화학식 4-3]
Figure 112009081747099-pat00019
[화학식 4-4]
Figure 112009081747099-pat00020
[화학식 4-5]
Figure 112009081747099-pat00021
[화학식 4-6]
Figure 112009081747099-pat00022
[화학식 4-7]
Figure 112009081747099-pat00023
[화학식 4-8]
Figure 112009081747099-pat00024
[화학식 4-9]
Figure 112009081747099-pat00025
[화학식 4-10]
Figure 112009081747099-pat00026
상기 벤조페논계 화합물은 다른 종류의 내광 안정제와 혼합하여 사용할 수 있다.  상기 다른 종류의 내광 안정제는 벤조트리아졸계 화합물, 아릴에스테르계 화합물, 옥사닐라이드계 화합물, 포름아미딘계 화합물, 벤조트리아진계 화합물 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물 및 상기 다른 종류의 내광 안정제는 1:1 내지 1:100 의 중량비로 혼합하여 사용할 수 있다.  상기 비율 범위 내로 혼합하여 사용되는 경우 내광성이 더욱 향상될 수 있다.
상기 벤조페논계 화합물은 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 약 0.001 중량부 내지 약 10 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 약 0.01 중량부 내지 약 1 중량부로 포함될 수 있다.  벤조페논계 화합물이 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에스테르 수지 조성물 표면의 평활성 및 내광성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
 
(D) 무기 충진제
일 구현예에 따른 폴리에스테르 수지 조성물은 무기 충진제를 더 포함할 수 있으며, 상기 무기 충진제는 폴리에스테르 수지 조성물의 기계적 특성 및 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
 상기 무기 충진제는 특별한 제한 없이 사용될 수 있으나, 구체적으로는 티타늄계의 휘스커(whisker), 활석(talc), 규회석(wollastonite), 벤토나이트(bentonite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 탄산칼슘, 클레이(clay), 카올린(kaolin) 또는 이들의 조합을 사용할 수 있으며, 이들 중에서 좋게는 활석, 클레이 또는 카올린을 사용할 수 있다.
상기 무기 충진제는 평균입경이 약 0.1 ㎛ 내지 약 2 ㎛ 일 수 있으며, 구체적으로는 약 0.5 ㎛ 내지 약 1 ㎛ 일 수 있다.  상기 범위 내의 평균입경을 가지는 경우 폴리에스테르 수지 조성물의 표면 평활성 및 내열성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
상기 무기 충진제는 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 약 0.1 중량부 내지 약 10 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 약 0.3 중량부 내지 약 5 중량부로 포함될 수 있다.  무기 충진제가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에스테르 수지 조성물의 우수한 내열성을 얻을 수 있다.
 
(E) 안정제
일 구현예에 따른 폴리에스테르 수지 조성물은 안정제를 더 포함할 수 있으며, 상기 안정제는 상기 폴리에스테르 수지를 안정화하여 이들 수지가 분해(예를 들어, 열분해)되는 것을 방지하며, 또한 폴리에스테르 수지 조성물의 표면 평활성 및 내열성을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 안정제는 특별한 제한 없이 사용될 수 있으나, 구체적으로는 인산; 3,5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질포스포닉산 등의 아인산; 트리페닐포스파이트, 트리메틸포스파이트, 트리이소데실포스파이트, 트리-(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트 등의 아인산 에스테르류; 차아인산, 폴리인산 등의 인 화합물; 메틸엑시드포스페이트, 디부틸포스페이트, 모노부틸포스페이트 등의 산성 인산 에스테르류; 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 안정제는 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 약 0.005 중량부 내지 약 5 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 약 0.01 중량부 내지 약 2 중량부로 포함될 수 있다.  안정제가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에 스테르 수지 조성물의 표면 평활성 및 내열성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.
 
(F) 활제
상기 폴리에스테르 수지 조성물의 이형성을 더욱 향상시키기 위하여 여러 종류의 활제와 혼합하여 사용할 수 있다.  
상기 활제는 불소화 올레핀계 화합물, 몬탄계 왁스, 몬탄산의 금속염, 폴리에틸렌 왁스, 실리콘 오일, 스테아릴산의 금속염 또는 이들의 조합을 사용할 수 있고, 이들 중에서 좋게는 불소화 올레핀계 화합물 또는 몬탄계 왁스를 사용할 수 있다.
상기 활제는 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 약 0.005 중량부 내지 약 5 중량부로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 약 0.1 중량부 내지 약 2 중량부로 포함될 수 있다.  활제가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 폴리에스테르 수지 조성물의 이형성 및 내열성의 우수한 물성 밸런스를 얻을 수 있다.  
 
(G) 첨가제
상기 폴리에스테르 수지 조성물은 각 용도에 따라 항균제, 열안정제, 산화방지제, 계면활성제, 커플링제, 가소제, 혼화제, 착색제, 정전기방지제, 조색제, 방염제, 내후제, 자외선 흡수제, 자외선 차단제, 난연제, 핵 형성제, 접착 조제, 점착제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 산화방지제로는 페놀형, 포스파이트(phosphite)형, 티오에테르형 또는 아민형 산화방지제를 사용할 수 있으며, 상기 내후제로는 벤조페논형 또는 아민형 내후제를 사용할 수 있고, 상기 착색제로는 염료 또는 안료를 사용할 수 있다.  또한 상기 자외선 차단제로는 이산화티타늄(TiO2) 또는 카본블랙을 사용할 수 있고, 상기 핵 형성제로는 탈크 또는 클레이를 사용할 수 있다. 
상기 첨가제는 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.  첨가제가 상기 함량 범위 내로 포함되는 경우 각 용도에 따른 첨가제의 효과를 얻을 수 있으며 우수한 기계적 물성 및 향상된 표면의 외관을 얻을 수 있다.
 
일 구현예에 따른 폴리에스테르 수지 조성물은 수지 조성물을 제조하는 공지의 방법으로 제조될 수 있으며, 예를 들면 상기 구성 성분들을 혼합한 후, 압출기 내에서 용융 압출하는 등의 통상의 방법으로 펠렛 또는 칩 형태로 제조할 수 있다.
다른 일 구현예에 따르면, 전술한 폴리에스테르 수지 조성물을 성형하여 제조한 성형품을 제공한다.  특히 금속의 직접 증착에 의하여 평활한 금속 증착막을 형성할 수 있고, 고온에서의 우수한 내열성 및 내광성이 요구되는 자동차용 램프 하우징, 리플렉터, 조명기구의 하우징 등의 금속 증착 외장용 부품 등 다양한 성형품 제조에 유용하게 적용될 수 있다.
 
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다.  다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
일 구현예에 따른 폴리에스테르 수지 조성물의 제조에 사용되는 각 구성 성분은 다음과 같다.  
(A) 폴리에스테르 수지
(A-1) 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지
 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지로서, 신콩(SHINKONG)사의 PBT shinite K006? (고유점도[η]= 1.0 dl/g)를 사용하였다.
(A-2) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지
폴리에틸렌테레프탈레이트 수지로서, 에스케이케미칼(SK Chemical)사의 SKYPET BR8040? (고유점도[η]= 0.8 dl/g)을 사용하였다.
(B) 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르
Solvay Solexis사의 Fluorolink 7007을 사용하였다.
(C) 벤조페논계 화합물
Clariant사의 Hostavin 3041 DISP를 사용하였다.
(C') 벤조트리아졸계 화합물
LG화학의 Hisorb-P를 사용하였다.
(C'') 벤조트리아진계 화합물
Ciba사의 Tinuvin 1577을 사용하였다.
(D) 무기 충진제
평균입경이 1.0 ㎛인 카올린을 사용하였다.
(E) 안정제
아사히덴카(Asahi Denka)사의 ADK STAB PEP-36?을 사용하였다.
(F) 활제
몬탄계 활제로, 클라리언트(Clariant)사의 리코왁스(LICOWAX?) OP를 사용하였다.
 
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4
위의 각 성분을 하기 표 1에 나타낸 조성비에 따라 혼합한 후, 240 내지 280℃로 가열된 이축 용융압출기 내에서 용융 혼련시켜 칩으로 제조하였다.
상기 제조된 칩을 130℃에서 5 시간 이상 건조시킨 후, 240 내지 280℃로 가열된 스크류식 사출기를 이용하여, 물성측정 시편을 각각 제조하였다.  제조된 시편에 대하여 하기의 방법으로 물성을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
(1) 헤이즈: 고온 환경 하에서의 가스 발생 및 열 분해에 의한 마이그레이션 발생을 평가하였다.  이는 스크류식 사출기에서 제작한 시편을 가로 15mm × 세로 15mm로 절단한 후, 유리 덮개가 있는 지름 100mm의 유리 샤알레 용기에 담아 핫 플레이트 위에서 온도를 165℃로 설정한 후 5시간 체류시킨 후 샤알레 유리 덮개에 응축된 마이그레이션 물질의 양을 헤이즈 미터(Haze meter)를 사용하여 측정하였다.  사출 성형시의 조건은 사출온도 240-250-250-260(℃)로 설정하였다.
(2) 이형성: 성형시 육안 관찰과 이젝터핀 자국으로 측정하였다            (○: 우수, X: 불량).
(3) 증착 부착성: 부착성은 제작된 가로-세로-두께가 20cm-20cm-0.5cm인 사각 시편을 알루미늄 진공 증착기에서 증착한 후 크로스-컷으로 가로-세로가 2mm-2mm인 사각형을 100개 만들어 시중에 판매하는 OPP 테이프를 이용하여 전체 칸에 접합시켰다가 5초 후 테이프를 떼어 내었을 때 100개의 칸 중에서 테이프에서 떨어져 나온 칸의 개수 5회 평균치를 측정하였다.  이 때 떨어져 나온 칸의 개수가 적을수록 폴리에스테르 수지 조성물과 알루미늄 증착 부착성의 우수함을 나타내는 것이다.  그 수치가 10 이하이면 ○(우수), 10 내지 30이면 △(미흡), 30 이상이면 X(불량)로 나타내었다.
(4) 내광성: Atlas社의 CI-5000 Weather-O-Meter기를 이용하여 촉진 내후성 시험 규격 SAE J 2527 2004에 의해 평가하였다.  위 규격에 의해 2,500KJ 조사후 시편 간의 내광성 편차는 Minolta社 CCM-200 기기를 통해 △E ab를 측정하였으며, 이때의 규격은 ASTOM D1925를 기준으로 하였다.
 
[표 1]
  실시예 비교예
1 2 3 1 2 3 4
(A)
폴리에스테르 수지
(A-1) 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지(중량%) 52 52 52 52 52 52 52
(A-2) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지(중량%) 48 48 48 48 48 48 48
(B) 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르(중량부*) 0.1 0.2 2 0.1 12 0.1 0.1
(C) 벤조페논계 화합물(중량부*) 0.2 1.0 5 - 1.0 - -
(C') 벤조트리아졸계 화합물(중량부*) - - - - - 1.0 -
(C'') 벤조트리아진계 화합물(중량부*) - - - - - - 1.0
(D) 무기 충진제(중량부*) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
(E) 안정제(중량부*) 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
(F) 활제(중량부*) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
헤이즈(%) 4.0 4.2 5.4 4.8 19.5 3.8 4.8
이형성
증착 부착성
△E ab 9.4 8.2 7.7 22.4 18.6 18.9 24.0
* 중량부: 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부를 기준으로 나타낸 함량 단위이다.
 
상기 표 1을 통하여, 일 구현예에 따라 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르 및 벤조페논계 화합물을 모두 사용한 실시예 1 내지 3의 경우, 벤조페논계 화합물을 사용하지 않은 비교예 1, 3 및 4의 경우와 비교하여, 우수한 내광성을 확보함과 동시에 고온 환경 하에서의 가스 발생 및 열 분해에 의한 마이그레이션 발생량이 적고 이형성, 알루미늄의 증착 부착성 및 내광성이 모두 우수함을 확인할 수 있다.
또한 비교예 3 및 4를 통하여 벤조페논계 화합물 대신 다른 종류의 내광 안정제를 사용할 경우 내광성이 저하됨을 확인할 수 있다.  또한 비교예 2 에서는 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르를 일 구현예에 따른 범위를 벗어난 함량으로 사용한 경우 높은 헤이즈 수치를 보이고 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (16)

  1. (A) (A-1) 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지 50 내지 90 중량% 및 (A-2) 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 10 내지 50 중량%를 포함하는 폴리에스테르 수지;
    상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여,
    (B) 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르 0.001 내지 10 중량부; 및
    (C) 벤조페논계 화합물 0.001 내지 10 중량부
    를 포함하는 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  2. 제1항에 있어서,
    상기 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지(A-1)의 고유점도[η]는 0.36 내지 1.60 dl/g인 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  3. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지(A-2)의 고유점도[η]는 0.5 내지 1 dl/g인 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  4. 제1항에 있어서,
    상기 실란 관능기를 포함하는 퍼플루오로폴리에테르(B)는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112009081747099-pat00027
    (상기 화학식 1에서,
    X는 실란 관능기이며, m은 1 내지 1,000,000의 정수이고, n은 1 내지 1,000,000의 정수이다.)
     
  5. 제4항에 있어서,
    상기 실란 관능기는 하기 화학식 2로 표시되는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112009081747099-pat00028
    (상기 화학식 2에서,
    R1 내지 R3은 서로 같거나 다른 것으로, 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕시기이며,
    R4는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알콕실렌기이다.)
     
  6. 제4항에 있어서,
    상기 실란 관능기는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 총량에 대하여 0.1 내지 50 중량%로 포함되는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  7. 제1항에 있어서,
    상기 벤조페논계 화합물(C)은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
    [화학식 3]
    Figure 112009081747099-pat00029
    (상기 화학식 3에서,
    R5 및 R6은 서로 같거나 다른 것으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 술폰산기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기이며,
    n5 및 n6은 각각 0 내지 5의 정수이다.)
     
  8. 제1항에 있어서,
    상기 벤조페논계 화합물(C)은 하기 화학식 4-1 내지 4-10으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
    [화학식 4-1]
    Figure 112009081747099-pat00030
    [화학식 4-2]
    Figure 112009081747099-pat00031
    [화학식 4-3]
    Figure 112009081747099-pat00032
    [화학식 4-4]
    Figure 112009081747099-pat00033
    [화학식 4-5]
    Figure 112009081747099-pat00034
    [화학식 4-6]
    Figure 112009081747099-pat00035
    [화학식 4-7]
    Figure 112009081747099-pat00036
    [화학식 4-8]
    Figure 112009081747099-pat00037
    [화학식 4-9]
    Figure 112009081747099-pat00038
    [화학식 4-10]
    Figure 112009081747099-pat00039
     
  9. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지 조성물은 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 (D) 무기 충진제 0.1 내지 10 중량부를 더 포함하는 것인 폴리에스테르 수 지 조성물.
     
  10. 제9항에 있어서,
    상기 무기 충진제(D)는 티타늄계의 휘스커(whisker), 활석(talc), 규회석(wollastonite), 벤토나이트(bentonite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 탄산칼슘, 클레이(clay), 카올린(kaolin) 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  11. 제9항에 있어서,
    상기 무기 충진제(D)는 0.1 ㎛ 내지 2 ㎛의 평균 입경을 갖는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  12. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지 조성물은 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 (E) 안정제 0.005 내지 5 중량부를 더 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  13. 제12항에 있어서,
    상기 안정제(E)는 인산, 아인산, 아인산 에스테르류, 인화합물, 산성 인산 에스테르류 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  14. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 수지 조성물은 상기 폴리에스테르 수지(A) 100 중량부에 대하여 (F) 활제 0.005 내지 5 중량부를 더 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  15. 제14항에 있어서,
    상기 활제(F)는 불소화 올레핀계 화합물, 몬탄계 왁스, 몬탄산의 금속염, 폴리에틸렌 왁스, 실리콘 오일, 스테아릴산의 금속염 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 폴리에스테르 수지 조성물.
     
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항의 폴리에스테르 수지 조성물로부터 제조된 성형품.
KR1020090134331A 2009-12-30 2009-12-30 폴리에스테르 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품 KR101225956B1 (ko)

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