KR101217505B1 - 다이 본딩 장비 및 이를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 다이 본딩 장비는, 기판을 공급하는 기판 공급부; 복수 개의 반도체 칩들로 이루어진 웨이퍼를 공급하는 웨이퍼 공급부; 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 테이블, 반도체 칩들을 낱개로 분리하면서 분리된 반도체 칩의 패턴이 형성된 면을 회전시키는 다이 픽커, 적어도 2개 이상의 분리된 반도체 칩을 흡착시켜 고정하는 다이 버퍼, 다이 픽커로부터 분리된 반도체 칩을 이송 받아 다이 버퍼로 이동시키는 다이 트랜스퍼 및 다이 버퍼에서 흡착된 반도체 칩들을 픽업하여 기판으로 이송하고 본딩시키는 적어도 2개 이상의 스핀들 본드 헤드를 포함하는 반도체 칩 본딩부; 본딩된 반도체 칩을 포함하는 기판을 수납하는 기판 수납부; 및 기판 공급부와 기판 수납부 사이에 배치되어 기판을 기판 공급부에서 반도체 칩 본딩부로 이동시키고 반도체 칩 본딩부에서 기판 수납부로 이동시키는 기판 이송부를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 장비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 다이 본딩 장비 및 이를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법에 관한 것이다.
다이 본딩(die-bonding) 장비는 반도체 칩(또는 다이)과 인쇄회로기판 또는 반도체 칩과 리드프레임(lead frame)을 부착하여 이후 진행하는 와이어 본딩(wire bonding)이 이루어지게 하는 장비이다. 다이본딩 공정은 웨이퍼 내에서 전기적으로 양호한 반도체 칩을 선별하여 웨이퍼로부터 분리하고, 분리된 반도체 칩을 접착제를 이용하여 인쇄회로기판 또는 리드프레임(이하 기판이라고 함)에 접착시키는 단계로 진행되고 있다. 반도체 패키지는 반도체 칩이 기판의 상면에 배치되는 페이스 업(face up) 패키지, 기판의 하면에 반도체 칩이 배치되는 페이스 다운(face down) 패키지 또는 와이어 본딩 공정이 불필요한 플립칩 패키지로 구분될 수 있다. 여기서 페이스 업 패키지는 복수 개의 반도체 칩들이 기판의 상면 방향으로 적층되는 스택 패키지(stack package)를 포함하고, 페이스 다운 패키지는 기판의 하면 방향으로 칩이 부착되는 리드 온 칩(LOC; Lead on chip) 패키지 또는 보드 온 칩(BOC; Board on chip) 패키지를 포함한다. 또한 플립칩 패키지는 와이어 본딩 공정 없이 반도체 칩 표면에 솔더 볼(solder ball)을 직접 부착하여 기판과 반도체 칩을 직접적으로 연결함으로써 전기적인 특성과 칩의 처리 속도를 향상시킨다. 그런데 페이스 업 패키지, 페이스 다운 패키지 또는 플립칩 패키지를 제조하기 위해서는 반도체 칩이 기판의 상면 또는 후면에 부착되는 방법에 따라 서로 다른 종류의 다이 본딩 장치를 필요로 하는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 칩이 기판에 부착되는 위치를 구분하지 않고 부착할 수 있는 다이 본딩 장비를 제공하는 데 있다. 다이 픽커 및 다이 트랜스퍼를 회전 가능한 구조로 도입하여 반도체 칩의 패턴이 형성된 면을 작업자가 원하는 방향으로 회전시킨 상태에서 다이 본딩 공정을 진행할 수 있다.
이에 따라 하나의 다이 본딩 장비를 이용하여 페이스 업 패키지, 페이스 다운 패키지 또는 플립칩 패키지를 제조할 수 있는 다이 본딩 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 관점에 따른 다이 본딩 장비는, 기판을 공급하는 기판 공급부; 복수 개의 반도체 칩들로 이루어진 웨이퍼를 공급하는 웨이퍼 공급부; 상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 테이블, 상기 반도체 칩들을 낱개로 분리하면서 분리된 반도체 칩의 패턴이 형성된 면을 회전시키는 다이 픽커, 적어도 2개 이상의 상기 분리된 반도체 칩을 흡착시켜 고정하는 다이 버퍼, 상기 다이 픽커로부터 상기 분리된 반도체 칩을 이송 받아 상기 다이 버퍼로 이동시키는 다이 트랜스퍼 및 상기 다이 버퍼에서 상기 흡착된 반도체 칩들을 픽업하여 상기 기판으로 이송하고 본딩시키는 적어도 2개 이상의 스핀들 본드 헤드를 포함하는 반도체 칩 본딩부; 상기 본딩된 반도체 칩을 포함하는 상기 기판을 수납하는 기판 수납부; 및 상기 기판 공급부와 기판 수납부 사이에 배치되어 상기 기판을 상기 기판 공급부에서 상기 반도체 칩 본딩부로 이동시키고 상기 반도체 칩 본딩부에서 상기 기판 수납부로 이동시키는 기판 이송부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 웨이퍼 테이블, 다이 픽커, 다이 트랜스퍼, 다이 버퍼 및 스핀들 본드 헤드는 상기 기판 이송부를 기준으로 대칭하여 좌, 우에 각각 배치된다.
상기 기판 공급부는 복수 개의 기판들이 수납되어 있는 로더부 및 기판에 열을 가하는 프리베이크 오븐을 포함한다.
상기 반도체 칩은 전극 패드가 하부에 배치된 페이스 다운용 반도체 칩, 전극 패드가 상부에 배치된 페이스 업용 반도체 칩 또는 플립칩용 반도체 칩이다.
상기 기판 이송부는 상기 기판 공급부로부터 기판 수납부까지 일 방향으로 이동 가능하게 가이드 레일(guide rail)로 구성된다.
상기 웨이퍼 공급부는 복수 개의 웨이퍼들이 장착된 카세트(cassette) 공급부 및 상기 카세트 공급부로부터 적어도 1장 이상의 웨이퍼를 상기 웨이퍼 테이블로 공급하는 웨이퍼 투입부를 포함하고, 상기 카세트 공급부는 상기 웨이퍼 투입부에 웨이퍼를 공급하게 좌우로 이동 가능하다.
상기 다이 픽커, 다이 트랜스퍼, 다이 버퍼 및 스핀들 본드 헤드는 상기 웨이퍼 테이블 상부에 배치된 본딩 스테이지 상에 배치된다.
상기 다이 픽커는, 상기 웨이퍼 상의 반도체 칩을 진공 흡착하여 낱개로 분리하는 픽커; 상기 픽커에 흡착된 반도체 칩을 회전시키는 제1 회전축; 상기 픽커와 제1 회전축을 연결하면서 픽커에 연결되는 진공 호스 및 상기 픽커로 흡착된 반도체 칩을 웨이퍼 테이블 상부의 본딩 스테이지로 이동시키게 상하 이동 가능한 제2 회전축을 포함하여 구성된다.
상기 제1 회전축은 상기 픽커에 흡착된 반도체 칩을 이동하게 180도 내지 270도의 각도로 회전 가능하다.
상기 다이 트랜스퍼는 적어도 하나 이상의 반도체 칩을 진공 흡착하고, 상기 다이 버퍼는 상기 다이 트랜스퍼에 흡착된 반도체 칩의 개수와 동일한 개수를 고정하고, 상기 다이 트랜스퍼는 상기 다이 픽커로부터 이송된 반도체 칩을 이동하게 180도 내지 280도의 각도로 회전 가능하다.
상기 스핀들 본드 헤드는 상기 스핀들 본드 헤드의 위치를 상기 반도체 본딩부의 x축,y축 또는 z축으로 이동시키게 상기 스핀들 본드 헤드와 연결된 본드 헤드 테이블을 더 포함한다.
상기 스핀들 본드 헤드는, 상기 다이 버퍼에 흡착된 반도체 칩을 흡착하여 상기 다이 버퍼로부터 반도체 칩을 분리하는 흡착부, 상기 흡착부에 공기압력을 인가하는 가압력 조절부 및 상기 가압력 조절부와 흡착부를 연결하는 샤프트를 포함하여 구성된 본더 헤드가 적어도 2개 이상 구비된다.
상기 적어도 2개 이상 구비된 본더 헤드는 각각의 본더 헤드가 개별적으로 공기압력 및 상기 흡착부에 흡착된 반도체 칩의 각도를 제어하고, 상기 본더 헤드는 상기 다이 버퍼에 흡착된 반도체 칩들을 동시에 픽업하거나 또는 순차적으로 픽업하게 이동 가능하다.
상기 기판 수납부는 상기 반도체 칩 본딩부에서 기판에 부착된 반도체 칩에 추가 압착을 수행하는 다이 마운트를 포함한다.
본 발명의 다른 관점에 따른 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법은, 기판을 다이 본딩 장비의 본딩 스테이지로 이동하는 단계; 웨이퍼의 반도체 칩을 다이 픽커로 진공 흡착하여 낱개의 페이스 다운용 반도체 칩으로 분리하는 단계; 상기 페이스 다운용 반도체 칩을 낱개로 분리하면서 상기 다이 픽커를 회전시켜 상기 페이스 다운용 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 하부로 향하게 변경시키는 단계; 하나 이상의 상기 페이스 다운용 반도체 칩들을 다이 버퍼로 이송하는 단계; 및 상기 다이 버퍼로 이송된 반도체 칩들을 적어도 2개 이상의 본더 헤드들을 포함하는 스핀들 본드 헤드로 픽업하여 상기 기판과 대응하는 위치로 이송하고 상기 반도체 칩을 기판에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 관점에 따른 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법은, 기판을 다이 본딩 장비의 본딩 스테이지로 이동하는 단계; 웨이퍼의 반도체 칩을 다이 픽커로 진공 흡착하여 낱개의 페이스 업용 반도체 칩으로 분리하는 단계; 상기 페이스 업용 반도체 칩을 낱개로 분리하면서 상기 페이스 업용 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 하부로 향하게 상기 다이 픽커를 1차 회전시키는 단계; 하나 이상의 상기 페이스 업용 반도체 칩들을 다이 버퍼로 이송하면서 상기 페이스 업용 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 상부로 향하게 2차 회전시키는 단계; 및 상기 다이 버퍼로 이송된 반도체 칩들을 적어도 2개 이상의 본더 헤드들을 포함하는 스핀들 본드 헤드로 픽업하여 상기 기판과 대응하는 위치로 이송하고 상기 반도체 칩을 기판에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 다이 픽커 및 다이 트랜스퍼를 회전 가능한 구조로 도입하여 반도체 칩의 패턴이 형성된 면을 작업자가 원하는 방향으로 회전시킨 상태에서 다이 본딩 공정을 진행할 수 있다. 이에 따라 하나의 다이 본딩 장비에서 서로 다른 패키지인 페이스 다운 패키지, 페이스 업 패키지 또는 플립칩 패키지를 제조할 수 있다. 또한 하나의 다이 본딩 장비에서 복수 개의 반도체 칩을 처리함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 다이 본딩 장비를 나타내보인 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 다이 본딩 장비를 나타내보인 평면도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 다이 본딩 장비의 각 부분을 확대하여 나타내보인 도면들이다.
도 2는 본 발명에 따른 다이 본딩 장비를 나타내보인 평면도이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 다이 본딩 장비의 각 부분을 확대하여 나타내보인 도면들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 다이 본딩 장비를 나타내보인 사시도이다. 그리고 도 2는 본 발명에 따른 다이 본딩 장비를 나타내보인 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 다이 본딩 장비는 크게 기판 공급부(A), 웨이퍼 공급부(B), 웨이퍼로부터 반도체 칩을 낱개로 분리하고 이송하여 반도체 칩을 기판에 부착하는 반도체 칩 본딩부(C) 및 반도체 칩이 본딩된 기판을 언로딩(unloading)하여 수납하는 기판 수납부(D)로 구성된다. 기판 공급부(A)와 기판 수납부(D)는 다이 본딩 장비의 중심부를 가로지르는 기판 이송부(120)로 연결되며, 웨이퍼 공급부, 반도체 칩 분리/이송부 및 웨이퍼 테이블은 기판 이송부를 기준으로 대칭하여 좌우에 각각 배치된다.
기판 공급부(A)는 로더부(loader, 100, 도 2 참조) 및 프리베이크 오븐(prebake oven, 110, 도 2 참조)을 포함한다. 로더부(100)에는 복수 개의 기판(S)들이 수납되어 있다. 기판(S)은 페이스 다운 패키지용 기판 또는 페이스 업 패키지용 기판인 경우에는 접착제가 도포된 상태로 수납되어 있으며, 플립칩 패키지용 기판인 경우에는 접착제는 도포되어 있지 않다. 여기서 접착제는 반도체 칩과 기판을 부착하기 위해 기판상에 도포되어 있다. 프리베이크 오븐(110)은 기판 이송부(120)과 인접한 위치에 배치되어 있으며, 로더부(100)에서 기판 이송부(120)로 공급되는 기판의 습기를 제거하기 위해 기판에 열을 가한다. 프리베이크 오븐(100)은 일정한 온도를 유지할 수 있도록 열선이 포함된 전기히터(미도시함)를 포함한다. 로더부(100)에는 기판을 기판 이송부(120)로 공급하기 위한 공급 장비(미도시함)를 더 포함할 수 있다. 기판 이송부(120)는 기판(S)이 안착되는 스테이지(125)를 포함한다. 기판 이송부(120)는 다이 본딩 장비의 중심부에 배치되면서, 기판 공급부(A)로부터 반도체 칩 본딩부(C)를 지나 기판 수납부(D)까지 일 방향으로 이동 가능하게 가이드 레일(guide rail)로 이루어진다. 여기서 기판은 볼 랜드(ball land)가 배열된 면이 상부를 위치한 상태에서 이동시킬 수 있다. 이 경우 기판 이송부(120)는 비록 도면에 도시하지는 않았지만, 프리베이크 오븐(110)으로 기판을 공급하고, 수납할 수 있도록 프리베이크 오븐(110)과 인접한 위치에 별도의 공급 및 수납부를 더 포함한다.
웨이퍼 공급부(B)는 카세트(cassette) 공급부(200) 및 웨이퍼 투입부(210a, 210b)를 포함한다. 카세트 공급부(200)는 복수 개의 웨이퍼(W)들이 장착된 카세트로 구성되며, 좌우로 이동 가능하다. 웨이퍼 투입부(210a, 210b)는 카세트 공급부(200)로부터 공급된 낱장의 웨이퍼(W)를 반도체 칩 분리/이송부(C)의 웨이퍼 테이블(300a, 300b)로 공급한다.
반도체 칩 본딩부(C)는 웨이퍼 테이블(wafer table, 300a, 300b), 다이 픽커(die picker, 310a, 310b), 다이 트랜스퍼(die transfer, 320a, 320b), 다이 버퍼(die buffer, 330a, 330b), 스핀들 본드 헤드(spindle bond head, 340a, 340b), 본드 헤드 테이블(bond head table, 350a, 350b), 접착제 도포부(fluxer dotting, 360a, 360b) 및 본딩 스테이지(370)을 포함하여 구성된다. 웨이퍼 테이블(300a, 300b)은 본딩 공정이 이루어지는 본딩 스테이지(370) 아래에 위치하고, 반도체 칩을 정밀하게 픽업(pick up)하도록 픽업 위치를 자동으로 정렬할 수 있게 이동 가능하다. 도 3을 참조하면, 웨이퍼 테이블(300a, 300b)은 웨이퍼가 안착되는 스테이지(305a, 305b) 및 반도체 칩의 흡착이 용이하게 이루어질 수 있도록 개별 반도체 칩을 다이 픽커(310a, 310b) 방향으로 밀어 올리는 다이 이젝터(die ejector, 미도시함)을 더 포함하여 구성된다.
도 1의 다이 픽커(310a, 310b)를 확대하여 나타내보인 도 4를 참조하면, 다이 픽커(310a, 310b)는 다이 이젝터(317)로 밀어 올려진 반도체 칩을 진공 흡착하여 낱개로 분리하는 픽커(picker, 311), 픽커(311)에 흡착된 반도체 칩을 회전시키는 제1 회전축(314), 픽커(311)와 제1 회전축(314)을 연결하면서 픽커에 연결되는 연결 부재(312) 및 픽커(311)로 흡착된 반도체 칩을 웨이퍼 테이블(300a, 300b) 상부로 이동시키게 상하 이동 가능한 제2 회전축(315)을 포함한다. 여기서 다이 픽커(310a, 310b)는 암(arm) 형태로 이루어지며, 제1 회전축(314)은 180도 내지 270도의 각도로 회전 가능하다. 여기서 반도체 칩은 전극 패드가 하부에 배치된 페이스 다운용 반도체 칩, 전극 패드가 상부에 배치된 페이스 업용 기판 또는 플립칩 반도체 칩 가운데 선택한다.
도 1의 다이 트랜스퍼(320a, 320b)를 확대하여 나타내보인 도 5를 참조하면, 다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 본딩 스테이지(370) 위에 배치되며, 다이 픽커(310a, 310b)로부터 반도체 칩을 이송 받아 진공 흡착할 수 있다. 여기서 다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 복수 개의 반도체 칩을 진공 흡착 할 수 있게 복수개의 진공흡착장치(미도시함)를 포함할 수 있다. 또한 다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 페이스 업 패키지를 형성하기 위해 다이 픽커(310a, 310b)로부터 이송된 반도체 칩을 회전시킬 수 있게 180도 내지 270도의 각도로 회전 가능하다. 다이 픽커(310a,310b)는 낱개로 분리된 반도체 칩을 다이 트랜스퍼(320a,320a)의 진공흡착장치의 개수만큼 제2 및 제3의 흡착 위치로 반도체 칩을 반복하여 이송한다. 다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 복수 개수만큼 반도체 칩을 진공 흡착하여, 다이 버퍼(330a, 330b)로 반도체 칩을 이송한다. 다이 버퍼(330a, 330b)는 다이 트랜스퍼(320a, 320b)와 인접한 위치에 배치되며, 복수 개의 반도체 칩을 진공흡착 할 수 있으나, 다이 트랜스퍼(320a, 320b)의 진공흡착장치의 개수와 동일한 개수로 구성된다. 여기서 다이 버퍼(330a, 330b)는 반도체 칩의 흡착 유무를 판단할 수 있게 센서(미도시함)를 더 포함할 수 있다.
스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 본드 헤드 테이블(350a, 350b)에 부착되어 있다. 본드 헤드 테이블(350a, 350b)은 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)를 x축, y축 또는 z축으로 위치 이동할 수 있게 이동 가능하다. 본드 헤드 테이블(350a, 350b)은 x축, y축 또는 z축으로 이동시켜 다이 버퍼(330a, 330b)의 반도체 칩을 기판(S)의 정확한 부착 위치로 이송하는 역할을 한다. 본드 헤드 테이블(350a, 350b)은 반도체 칩이 부착될 기판의 정확한 위치를 결정하기 위해 위치인식 카메라(미도시함)를 더 포함할 수 있다. 이 경우 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 기판 이송부(120)를 기준으로 대칭하여 좌측에 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)가 배치되고, 우측에 두 번째 스핀들 본드 헤드(340b)가 배치된다.
도 1의 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)를 확대하여 나타내보인 도 6을 참조하면, 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 다이 버퍼에 진공 흡착된 반도체 칩을 흡착하는 흡착부(341), 흡착부에 공기압력을 인가하는 가압력 조절부(342) 및 가압력 조절부(342)와 흡착부(341)를 연결하는 샤프트(shaft, 343)를 포함하여 구성된다. 이러한 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 다이 버퍼에 진공 흡착되어 있는 개개의 반도체 칩을 순차적으로 픽업할 수 있다. 또한 도 6에 도시한 바와 같이, 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)가 복수개의 본더 헤드들로 구성되어 복수개의 반도체 칩을 동시에 픽업할 수 있다. 예를 들어 본더 헤드는 적어도 2개 이상 구비되며, 바람직하게는 6개 이상의 본더 헤드들을 포함하여 구성된다.
이 경우 각각의 스핀들 본더 헤드는 제1 본더 헤드(340-1), 제2 본더 헤드(340-2),제3 본더 헤드(340-3),제4 본더 헤드(340-4),제5 본더 헤드(340-5) 및 제6 본더 헤드(340-6)들은 각각 개별로 칩 압착 하중과 반도체 칩의 각도를 제어할 수 있다. 여기서 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 적어도 6개 이상의 본더 헤드를 포함하여 구성하는 것이 바람직하다. 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)에 픽업된 반도체 칩은 본드 헤드 테이블(350a, 350b)을 이동하여 기판과 다이를 부착할 위치로 이동된다. 이러한 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 기판에 반도체 칩을 부착할 위치를 결정하고, 흡착부(341)로 진공 흡착하고 있는 반도체 칩을 일정한 압착 하중으로 기판에 부착시킨다. 이 경우 제1 본더 헤드(340-1), 제2 본더 헤드(340-2),제3 본더 헤드(340-3),제4 본더 헤드(340-4),제5 본더 헤드(340-5) 및 제6 본더 헤드(340-6)의 순서대로 순차적으로 기판에 반도체 칩을 부착시킨다.
기판 수납부(D)는 다이 마운트(die mount, 500) 및 언로더부(510)를 포함하여 구성된다. 다이 마운트(die mount, 500)는 반도체 칩 분리/이송부(C)에서 기판에 부착된 칩의 압착력을 향상시키기 위해 2차 압착을 수행한다. 그리고 언로더부(510)는 반도체 칩이 실장된 복수 개의 기판들이 수납된다.
본 발명에 따른 다이 본딩 장비는 웨이퍼 투입부(210a, 210b), 반도체 칩 분리/이송부(C)의 웨이퍼 테이블(wafer table, 300a, 300b), 다이 픽커(die picker, 310a, 310b), 다이 트랜스퍼(die transfer, 320a, 320b), 다이 버퍼(die buffer, 330a, 330b), 스핀들 본드 헤드(spindle bond head, 340a, 340b), 본드 헤드 테이블(bond head table, 350a, 350b) 및 접착제 도포부(fluxer dotting, 360a, 360b)가 다이 본딩 장비의 중심부를 가로지르게 배치된 기판 이송부(120)를 기준으로 대칭하여 좌우에 각각 배치된다. 이에 따라 반도체 칩을 기판에 부착하는 본딩 공정의 생산량을 향상시킬 수 있다. 또한 적어도 6개 이상의 본더 헤드를 포함하는 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)를 도입함으로써 반도체 칩을 기판에 부착하는 본딩 공정의 생산량을 향상시킬 수 있다. 아울러 본 발명의 다이 본딩 장비는 180도 내지 270도의 각도로 회전 가능한 다이 픽커(310a, 310b)를 도입하여 반도체 칩의 패턴이 형성된 면을 회전시킬 수 있어 반도체 칩의 동일한 설비 내에서 기판에 부착되는 반도체 칩의 패턴이 형성된 면이 서로 다른 패키지인 페이스 다운 패키지, 페이스 업 패키지 및 플립칩 패키지를 제조할 수 있다.
이하 본 발명의 다이 본딩 장비를 이용하여 페이스 다운 반도체 칩, 페이스 업 반도체 칩 및 플립칩을 기판에 부착하는 본딩 방법을 설명하고자 한다.
<제1 실시예>
본 발명의 다이 본딩 장비를 이용한 페이스 다운용 반도체 칩의 본딩 방법은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 공급부(100)에 수납된 기판(S, 이하 기판이라고 함)을 기판 이송부(120)로 공급한다. 기판 공급부(100)는 복수 개의 기판을 수납할 수 있다. 페이스 다운 패키지용 기판(S)은 접착제가 도포되어 있다. 기판 이송부(120)의 스테이지(125)에 안착된 기판(S)은 프리베이크 오븐(110)으로 기판(S)을 이송한다. 프리베이크 오븐(110)에서 1분 내지 2분 동안 기판(S)에 열을 가하여 기판의 습기를 제거한다. 프리베이크 오븐(110)에서 습기를 제거하고 배출된 기판(S)은 기판 이송부(120)의 가이드 레일을 따라 반도체 칩을 부착할 위치, 즉, 본딩 스테이지(370)로 이송된다.
다음에 웨이퍼 공급부(B)의 카세트 공급부(200)로부터 웨이퍼 투입부(201a, 201b)로 공급된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 테이블(300a, 300b)의 스테이지(305a, 305b) 상에 안착된다. 여기서 웨이퍼(W)는 복수 개의 반도체 칩이 배치된 구조로 이루어진다. 여기서 반도체 칩은 전극 패드가 하부에 배치된 페이스 다운용 반도체 칩이다. 또한 카세트 공급부(200)는 복수 개의 웨이퍼(W)들이 장착되어 있고, 제1 웨이퍼 투입부(210a) 및 제2 웨이퍼 투입부(210b)에 웨이퍼를 공급하기 위해 좌우로 이동이 가능하다. 웨이퍼를 공급받은 웨이퍼 테이블(300a, 300b)은 반도체 칩을 정밀하게 픽업하기 위해 픽업 위치를 자동으로 정렬할 수 있다. 정렬된 웨이퍼는 다이 이젝터(317, 도 3 참조)로 개별 반도체 칩을 다이 픽커(310a, 310b) 방향으로 밀어 올린다. 그러면 다이 픽커(310a, 310b)의 픽커(311, 도 3 참조)가 밀어 올려진 반도체 칩(316)을 진공 흡착하여 도 7에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(316)을 웨이퍼로부터 낱개로 분리한다. 계속해서 제1 회전축(314)이 180도 내지 270도의 각도로 회전하여, 픽커(311)에 흡착된 반도체 칩(316)의 전극 패드가 형성된 면이 하부로 향하도록 반도체 칩(316)의 방향을 변경한다. 다음에 제2 회전축(315)로 웨이퍼 테이블(300a, 300b)의 상부의 본딩 스테이지(370) 위에 배치된 다이 트랜스퍼(320a, 320b)로 이동한다.
다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 다이 픽커(310a, 310b)로부터 반도체 칩을 이송 받아 진공 흡착하여 다이 버퍼(330a, 330b)로 반도체 칩을 이송한다. 여기서 다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 복수 개의 반도체 칩을 진공 흡착 할 수 있게 복수개의 진공흡착장치(미도시함)를 포함할 수 있다. 여기서 다이 픽커(310a,310b)는 낱개로 분리된 반도체 칩을 다이 트랜스퍼(320a,320a)의 진공흡착장치의 개수만큼 제2 및 제3의 흡착 위치로 반도체 칩을 반복하여 이송한다. 다이 버퍼(330a, 330b)는 다이 트랜스퍼(320a, 320b)와 인접한 위치에 배치되며, 복수 개의 반도체 칩을 진공흡착 할 수 있다. 이 경우 다이 버퍼(330a, 330b)는 센서(미도시함)로 반도체 칩의 흡착 유무를 판단할 수 있다.
다음에 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)로 기판에 반도체 칩을 부착할 위치를 결정하고, 흡착부(341)로 진공 흡착하고 있는 반도체 칩을 일정한 압착 하중을 가하여 기판에 부착시킨다. 이 경우 도 6에 도시된 제1 본더 헤드(340-1), 제2 본더 헤드(340-2),제3 본더 헤드(340-3),제4 본더 헤드(340-4),제5 본더 헤드(340-5) 및 제6 본더 헤드(340-6)의 순서대로 순차적으로 기판에 반도체 칩을 부착시킨다. 여기서 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 상술한 바와 같이, 기판 이송부(120)를 기준으로 대칭하여 좌측에 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)가 배치되고, 우측에 두 번째 스핀들 본드 헤드(340b)가 배치된다. 이에 따라 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)가 순차적으로 반도체 칩을 기판에 부착하고 나면, 두 번째 스핀들 본드 헤드(340b)가 순차적으로 반도체 칩을 기판에 부착한다. 예를 들어, 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)는 도 6에 도시된 제1 본더 헤드(340-1), 제2 본더 헤드(340-2),제3 본더 헤드(340-3),제4 본더 헤드(340-4),제5 본더 헤드(340-5) 및 제6 본더 헤드(340-6)의 순서대로 순차적으로 접착제가 도포된 기판에 반도체 칩을 부착시킨다. 다음에 두 번째 스핀들 본드 헤더(340b)가 제1 본더 헤드(340-1), 제2 본더 헤드(340-2),제3 본더 헤드(340-3),제4 본더 헤드(340-4),제5 본더 헤드(340-5) 및 제6 본더 헤드(340-6)의 순서대로 순차적으로 기판에 반도체 칩을 부착시킨다. 각각 복수 개의 본더 헤드들로 구성된 두 개의 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)를 도입하여 기판에 반도체 칩을 부착함에 따라 한 개의 스핀들 본드 헤드를 적용하는 경우보다 생산량을 2배 이상 향상시킬 수 있다. 스핀들 본드 헤더(340a, 340b)로 반도체 칩이 부착된 기판은 다이 마운트(500)에서 칩의 압착력을 향상시키기 위해 2차 압착을 추가로 수행하여 다이 본딩 공정을 완료한 다음, 반도체 칩이 실장된 기판을 언로더부(510)로 이송하여 수납한다.
<제2 실시예>
본 발명의 다이 본딩 장비를 이용한 페이스 업용 반도체 칩의 본딩 방법은, 상술한 페이스 다운용 반도체 칩의 본딩 방법과 반도체 칩을 기판으로 이송하는 과정에서 차이가 있다. 구체적으로, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 공급부(100)에 수납된 기판(S)을 기판 이송부(120)로 공급한 다음, 프리베이크 오븐(110)으로 이송되어 기판의 습기를 제거하게 열을 가한다. 다음에 기판(S)은 기판 이송부(120)의 가이드 레일을 따라 본딩 스테이지(370)로 이송된다. 페이스 업 패키지용 기판(S)에는 접착제가 도포되어 있다.
다음에 웨이퍼 공급부(B)로 공급된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 테이블(300a, 300b)의 스테이지(305a, 305b) 상에 안착되고, 웨이퍼 테이블(300a, 300b)은 반도체 칩을 정밀하게 픽업하기 위해 픽업 위치를 자동으로 정렬한다. 정렬된 웨이퍼는 개별 반도체 칩을 다이 픽커(310a, 310b) 방향으로 밀어 올린다. 그러면 다이 픽커(310a, 310b)의 픽커(311, 도 3 참조)가 밀어 올려진 반도체 칩을 진공 흡착하여 낱개로 분리한다. 여기서 반도체 칩은 전극 패드가 상부에 배치된 페이스 업용 반도체 칩이다. 이 경우 픽커(311)와 연결된 제1 회전축(314)이 180도 내지 270도의 각도로 회전하여 낱개로 분리된 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 하부로 향하도록 반도체 칩의 방향을 1차 변경한다. 다음에 제2 회전축(315)로 웨이퍼 테이블(300a, 300b)의 상부의 본딩 스테이지(370) 위에 배치된 다이 트랜스퍼(320a, 320b)로 반도체 칩을 이동시킨다.
다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 다이 픽커(310a, 310b)로부터 반도체 칩을 이송 받아 다이 버퍼(330a, 330b)로 이송한다. 여기서 다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 반도체 칩을 진공 흡착하고 180도 내지 270도로 회전하여 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 상부를 향하도록 반도체 칩의 방향을 2차 변경한 다음, 다이 버퍼(330a, 330b)로 반도체 칩을 이송한다. 여기서 다이 픽커(310a,310b)는 낱개로 분리된 반도체 칩을 다이 트랜스퍼(320a,320a)의 진공흡착장치의 개수만큼 제2 및 제3의 흡착 위치로 반도체 칩을 반복하여 이송한다. 다이 버퍼(330a, 330b)는 다이 트랜스퍼(320a, 320b)와 인접한 위치에 배치되며, 복수 개의 반도체 칩을 진공흡착 할 수 있다. 이 경우, 다이 버퍼(330a, 330b)는 센서(미도시함)로 반도체 칩의 흡착 유무를 판단할 수 있다.
다음에 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)로 기판에 반도체 칩을 부착할 위치를 결정하고, 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 상부를 향하고 있는 상태에서 흡착부(341)로 진공 흡착하고 있는 반도체 칩을 일정한 압착 하중을 가하여 접착제가 도포된 기판에 부착한다. 이 경우 스핀들 본드 헤드(304a, 304b)는 도 6에 도시된 제1 본더 헤드(340-1), 제2 본더 헤드(340-2),제3 본더 헤드(340-3),제4 본더 헤드(340-4),제5 본더 헤드(340-5) 및 제6 본더 헤드(340-6)의 순서대로 순차적으로 기판에 반도체 칩을 부착시킨다. 여기서 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 기판 이송부(120)를 기준으로 대칭하여 좌측에 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)가 배치되고, 우측에 두 번째 스핀들 본드 헤드(340b)가 배치됨에 따라, 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)가 순차적으로 반도체 칩을 기판에 부착하고 나서, 두 번째 스핀들 본드 헤드(340b)가 순차적으로 반도체 칩을 기판에 부착한다. 이에 따라 각각 복수 개의 본더 헤드들로 구성된 두 개의 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)를 도입하여 기판에 반도체 칩을 부착하여 한 개의 스핀들 본드 헤드를 적용하는 경우보다 생산량을 2배 이상 향상시킬 수 있다. 그리고 반도체 칩이 부착된 기판은 다이 마운트(500)에서 칩의 압착력을 향상시키기 위해 2차 압착을 추가로 수행하여 다이 본딩 공정을 완료한 다음, 반도체 칩이 실장된 기판을 언로더부(510)로 이송하여 수납한다.
<제3 실시예>
본 발명의 다이 본딩 장비를 이용한 플립칩의 본딩 방법은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기판 공급부(100)에 수납된 기판(S)을 기판 이송부(120)로 공급한 다음, 프리베이크 오븐(110)으로 이송되어 기판의 습기를 제거하게 열을 가한다. 다음에 기판(S)은 기판 이송부(120)의 가이드 레일을 따라 본딩 스테이지(370)로 이송된다. 여기서 플립칩용 패키지를 형성하기 위한 기판(S)은 접착제가 도포되지 않은 상태로 공급된다. 다음에 웨이퍼 공급부(B)로 공급된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 테이블(300a, 300b)의 스테이지(305a, 305b) 상에 안착되고, 웨이퍼 테이블(300a, 300b)은 플립칩을 정밀하게 픽업하기 위해 픽업 위치를 자동으로 정렬한다. 정렬된 웨이퍼는 개별 반도체 칩을 다이 픽커(310a, 310b) 방향으로 밀어 올린다. 그러면 다이 픽커(310a, 310b)의 픽커(311, 도 3 참조)가 밀어 올려진 반도체 칩을 진공 흡착하여 낱개로 분리한다. 픽커(311)와 연결된 제1 회전축(314)이 180도 내지 270도의 각도로 회전하여 낱개로 분리된 반도체 칩의 전극 패턴이 형성된 면이 하부로 향하도록 반도체 칩의 방향을 변경한다. 다음에 제2 회전축(315)로 웨이퍼 테이블(300a, 300b)의 상부의 본딩 스테이지(370) 위에 배치된 다이 트랜스퍼(320a, 320b)로 반도체 칩을 이동시킨다. 다이 트랜스퍼(320a, 320b)는 다이 픽커(310a, 310b)로부터 반도체 칩을 이송 받아 다이 버퍼(330a, 330b)로 이송한다. 다이 픽커(310a,310b)는 낱개로 분리된 반도체 칩을 다이 트랜스퍼(320a,320a)의 진공흡착장치의 개수만큼 제2 및 제3의 흡착 위치로 반도체 칩을 반복하여 이송한다. 다이 버퍼(330a, 330b)는 다이 트랜스퍼(320a, 320b)와 인접한 위치에 배치되며, 복수 개의 반도체 칩을 진공흡착 할 수 있다. 이 경우 다이 버퍼(330a, 330b)는 센서(미도시함)로 반도체 칩의 흡착 유무를 판단할 수 있다.
다음에 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)로 반도체 칩의 패턴이 형성된 면이 하부를 향하고 있는 상태에서 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)의 흡착부(341)로 반도체 칩을 진공 흡착한다. 다음에, 본드 헤드 테이블(350a, 350b)이 x축, y축 또는 z축으로 움직여 접착제 도포부(360a, 360b)로 이동하여 접착제를 반도체 칩의 표면에 도포한다. 그리고 진공 흡착된 접착제가 도포된 반도체 칩에 일정한 압착 하중을 가하여 기판에 부착한다. 이 경우 스핀들 본드 헤드(304a, 304b)는 도 6에 도시된 제1 본더 헤드(340-1), 제2 본더 헤드(340-2),제3 본더 헤드(340-3),제4 본더 헤드(340-4),제5 본더 헤드(340-5) 및 제6 본더 헤드(340-6)의 순서대로 순차적으로 기판에 반도체 칩을 부착시킨다. 여기서 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)는 기판 이송부(120)를 기준으로 대칭하여 좌측에 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)가 배치되고, 우측에 두 번째 스핀들 본드 헤드(340b)가 배치됨에 따라, 첫 번째 스핀들 본드 헤드(340a)가 순차적으로 반도체 칩을 기판에 부착하고 나서, 두 번째 스핀들 본드 헤드(340b)가 순차적으로 반도체 칩을 기판에 부착한다. 이에 따라 각각 복수 개의 본더 헤드들로 구성된 두 개의 스핀들 본드 헤드(340a, 340b)를 도입하여 기판에 반도체 칩을 부착하여 한 개의 스핀들 본드 헤드를 적용하는 경우보다 생산량을 2배 이상 향상시킬 수 있다. 그리고 반도체 칩이 부착된 기판은 다이 마운트(500)에서 칩의 압착력을 향상시키기 위해 2차 압착을 추가로 수행하여 다이 본딩 공정을 완료한 다음, 반도체 칩이 실장된 기판을 언로더부(510)로 이송하여 수납한다.
100: 로더부 110: 프리베이크 오븐
120: 기판 이송부 125: 스테이지
200: 카세트 공급부 210a, 210b: 웨이퍼 투입부
300a, 300b : 웨이퍼 테이블 310a, 310b: 다이 픽커
320a, 320b : 다이 트랜스퍼 330a, 330b : 다이 버퍼
340a, 340b : 스핀들 본드 헤드 350a, 350b : 본드 헤드 테이블
360a, 360b : 접착제 도포부
120: 기판 이송부 125: 스테이지
200: 카세트 공급부 210a, 210b: 웨이퍼 투입부
300a, 300b : 웨이퍼 테이블 310a, 310b: 다이 픽커
320a, 320b : 다이 트랜스퍼 330a, 330b : 다이 버퍼
340a, 340b : 스핀들 본드 헤드 350a, 350b : 본드 헤드 테이블
360a, 360b : 접착제 도포부
Claims (23)
- 기판을 공급하는 기판 공급부;
복수 개의 반도체 칩들로 이루어진 웨이퍼를 공급하는 웨이퍼 공급부;
상기 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 테이블, 상기 반도체 칩들을 낱개로 분리하면서 분리된 반도체 칩의 패턴이 형성된 면을 회전시키는 다이 픽커, 적어도 2개 이상의 상기 분리된 반도체 칩을 흡착시켜 고정하는 다이 버퍼, 상기 다이 픽커로부터 상기 분리된 반도체 칩을 이송 받아 상기 다이 버퍼로 이동시키는 다이 트랜스퍼 및 상기 다이 버퍼에서 상기 흡착된 반도체 칩들을 픽업하여 상기 기판으로 이송하고 본딩시키는 적어도 2개 이상의 스핀들 본드 헤드를 포함하는 반도체 칩 본딩부;
상기 본딩된 반도체 칩을 포함하는 상기 기판을 수납하는 기판 수납부; 및
상기 기판 공급부와 기판 수납부 사이에 배치되어 상기 기판을 상기 기판 공급부에서 상기 반도체 칩 본딩부로 이동시키고 상기 반도체 칩 본딩부에서 상기 기판 수납부로 이동시키는 기판 이송부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 테이블, 다이 픽커, 다이 트랜스퍼, 다이 버퍼 및 스핀들 본드 헤드는 상기 기판 이송부를 기준으로 대칭하여 좌, 우에 각각 배치되어 있는 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 기판 공급부는 복수 개의 기판들이 수납되어 있는 로더부 및 기판에 열을 가하는 프리베이크 오븐을 포함하는 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 반도체 칩은 전극 패드가 하부에 배치된 페이스 다운용 반도체 칩, 전극 패드가 상부에 배치된 페이스 업용 반도체 칩 또는 플립칩용 반도체 칩인 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 기판 이송부는 상기 기판 공급부로부터 기판 수납부까지 일 방향으로 이동 가능하게 가이드 레일(guide rail)로 구성된 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 공급부는 복수 개의 웨이퍼들이 장착된 카세트(cassette) 공급부 및 상기 카세트 공급부로부터 적어도 1장 이상의 웨이퍼를 상기 웨이퍼 테이블로 공급하는 웨이퍼 투입부를 포함하는 다이 본딩 장비. - 제6항에 있어서,
상기 카세트 공급부는 상기 웨이퍼 투입부에 웨이퍼를 공급하게 좌우로 이동 가능한 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 다이 픽커, 다이 트랜스퍼, 다이 버퍼 및 스핀들 본드 헤드는 상기 웨이퍼 테이블 상부에 배치된 본딩 스테이지 상에 배치되는 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서, 상기 다이 픽커는,
상기 웨이퍼 상의 반도체 칩을 진공 흡착하여 낱개로 분리하는 픽커;
상기 픽커에 흡착된 반도체 칩을 회전시키는 제1 회전축;
상기 픽커와 제1 회전축을 연결하면서 픽커에 연결되는 진공 호스 및
상기 픽커로 흡착된 반도체 칩을 웨이퍼 테이블 상부의 본딩 스테이지로 이동시키게 상하 이동 가능한 제2 회전축을 포함하여 구성되는 다이 본딩 장비. - 제9항에 있어서,
상기 제1 회전축은 상기 픽커에 흡착된 반도체 칩을 이동하게 180도 내지 270도의 각도로 회전 가능한 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 다이 트랜스퍼는 적어도 하나 이상의 반도체 칩을 진공 흡착하고, 상기 다이 버퍼는 상기 다이 트랜스퍼에 흡착된 반도체 칩의 개수와 동일한 개수를 고정하는 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 다이 트랜스퍼는 상기 다이 픽커로부터 이송된 반도체 칩을 이동하게 180도 내지 280도의 각도로 회전 가능한 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 스핀들 본드 헤드는 상기 스핀들 본드 헤드의 위치를 상기 반도체 본딩부의 x축,y축 또는 z축으로 이동시키게 상기 스핀들 본드 헤드와 연결된 본드 헤드 테이블을 더 포함하는 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서, 상기 스핀들 본드 헤드는,
상기 다이 버퍼에 흡착된 반도체 칩을 흡착하여 상기 다이 버퍼로부터 반도체 칩을 분리하는 흡착부, 상기 흡착부에 공기압력을 인가하는 가압력 조절부 및 상기 가압력 조절부와 흡착부를 연결하는 샤프트를 포함하여 구성된 본더 헤드가 적어도 2개 이상 구비되어 있는 다이 본딩 장비. - 제14항에 있어서,
상기 적어도 2개 이상 구비된 본더 헤드는 각각의 본더 헤드가 개별적으로 공기압력 및 상기 흡착부에 흡착된 반도체 칩의 각도를 제어할 수 있는 다이 본딩 장비. - 제14항에 있어서,
상기 본더 헤드는 상기 다이 버퍼에 흡착된 반도체 칩들을 동시에 픽업하거나 또는 순차적으로 픽업하게 이동 가능한 다이 본딩 장비. - 제1항에 있어서,
상기 기판 수납부는 상기 반도체 칩 본딩부에서 기판에 부착된 반도체 칩에 추가 압착을 수행하는 다이 마운트를 포함하는 다이 본딩 장비. - 기판을 다이 본딩 장비의 본딩 스테이지로 이동하는 단계;
웨이퍼의 반도체 칩을 다이 픽커로 진공 흡착하여 낱개의 페이스 다운용 반도체 칩으로 분리하는 단계;
상기 페이스 다운용 반도체 칩을 낱개로 분리하면서 상기 다이 픽커를 회전시켜 상기 분리된 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 하부로 향하게 변경시키는 단계;
하나 이상의 상기 페이스 다운용 반도체 칩들을 다이 버퍼로 이송하는 단계; 및
상기 다이 버퍼로 이송된 반도체 칩들을 적어도 2개 이상의 본더 헤드들을 포함하는 스핀들 본드 헤드로 픽업하여 상기 기판과 대응하는 위치로 이송하고 상기 반도체 칩을 기판에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법. - 기판을 다이 본딩 장비의 본딩 스테이지로 이동하는 단계;
웨이퍼의 반도체 칩을 다이 픽커로 진공 흡착하여 낱개의 페이스 업용 반도체 칩으로 분리하는 단계;
상기 페이스 업용 반도체 칩을 낱개로 분리하면서 상기 페이스 업용 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 하부로 향하게 상기 다이 픽커를 1차 회전시키는 단계;
하나 이상의 상기 페이스 업용 반도체 칩들을 다이 버퍼로 이송하면서 상기 페이스 업용 반도체 칩의 전극 패드가 형성된 면이 상부로 향하게 2차 회전시키는 단계; 및
상기 다이 버퍼로 이송된 반도체 칩들을 적어도 2개 이상의 본더 헤드들을 포함하는 스핀들 본드 헤드로 픽업하여 상기 기판과 대응하는 위치로 이송하고 상기 반도체 칩을 기판에 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법. - 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 1차 회전 또는 2차 회전시키는 단계는 180도 내지 270도의 각도 범위에서 회전시키는 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법. - 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 본더 헤드들은 각각의 본더 헤드가 개별적으로 공기압력 및 상기 반도체 칩의 각도를 제어할 수 있는 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법. - 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 본더 헤드들은 상기 다이 버퍼로 이송된 반도체 칩들을 동시에 픽업하거나 또는 순차적으로 픽업하여 상기 기판에 부착하는 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법. - 제18항 또는 제19항에 있어서,
상기 다이 픽커, 다이 트랜스퍼, 다이 버퍼 및 스핀들 본드 헤드는 상기 다이 본딩 장비의 중심부에서 대칭하여 좌, 우에 각각 배치되어 있는 다이 본딩 장비를 이용하는 다이 본딩 장비를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법.
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