JPH02283042A - ダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング装置Info
- Publication number
- JPH02283042A JPH02283042A JP10498389A JP10498389A JPH02283042A JP H02283042 A JPH02283042 A JP H02283042A JP 10498389 A JP10498389 A JP 10498389A JP 10498389 A JP10498389 A JP 10498389A JP H02283042 A JPH02283042 A JP H02283042A
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- Pending
Links
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 4
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 6
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子をリードフレームの半導体素子取り
付は部に取り付けるダイボンディング装置に関する。
付は部に取り付けるダイボンディング装置に関する。
従来のダイボンディング装置としては、大別して以下の
2種類がある。すなわち、第1のダイボンディング装置
はウェハシート上の半導体素子(以下チップと呼ぶ)を
、ボンディングアーム先端のコレットで吸着し、ウェハ
シート上からill した後、そのままリードフレーム
のチップ取付部(以下アイランドと呼ぶ)に移送し、取
り付ける構造のものであり、第2のダイボンディング装
置はウェハシート上のチップをピックアップアーム先端
のコレットで吸着し、ウェハシート上から剥した後、中
間位置決めステージへ移送し、該ステージの上面に置い
た後に、位置決め爪にて4方向から押えて位置決めし、
その後ボンディングアーム先端のコレットで吸着1移送
して、リードフレームのアイランドに収り付ける構造の
ものである。
2種類がある。すなわち、第1のダイボンディング装置
はウェハシート上の半導体素子(以下チップと呼ぶ)を
、ボンディングアーム先端のコレットで吸着し、ウェハ
シート上からill した後、そのままリードフレーム
のチップ取付部(以下アイランドと呼ぶ)に移送し、取
り付ける構造のものであり、第2のダイボンディング装
置はウェハシート上のチップをピックアップアーム先端
のコレットで吸着し、ウェハシート上から剥した後、中
間位置決めステージへ移送し、該ステージの上面に置い
た後に、位置決め爪にて4方向から押えて位置決めし、
その後ボンディングアーム先端のコレットで吸着1移送
して、リードフレームのアイランドに収り付ける構造の
ものである。
最近、チップのサイズが多様化し、最大15m+X15
關程度の正方形タイプや、5 mg+ X 15+++
m程度の長方形タイプなど、さまざまなサイズのチップ
が作られるようになってきたが、そのチップを取り付け
るリードフレームをチップに合わせて作っていたのでは
、コスト高になってしまう、そこで、リードフレームの
共用性を高めるため、アイランドサイズは((チップサ
イズ)+0.2nm)以上、ボンディングワイヤー長さ
は1市〜3 +n+と限定させて、その範囲内であれば
共用可能としている。
關程度の正方形タイプや、5 mg+ X 15+++
m程度の長方形タイプなど、さまざまなサイズのチップ
が作られるようになってきたが、そのチップを取り付け
るリードフレームをチップに合わせて作っていたのでは
、コスト高になってしまう、そこで、リードフレームの
共用性を高めるため、アイランドサイズは((チップサ
イズ)+0.2nm)以上、ボンディングワイヤー長さ
は1市〜3 +n+と限定させて、その範囲内であれば
共用可能としている。
ところで、現状のダイボンディング装置は、チップの取
り付は位置精度がチップサイズ8 me X 3市で±
0.1市、15止X15市で±0.15市トナっティる
ため、実際のボンディングワイヤーの長さは0.9+n
+〜3.1++mや0.85市〜3.15市となり、1
關以下や3市以上の場合が発生してしまい、ワイヤー流
れ、エツジタッチ1ワイヤーシヨートなど不良が発生し
やすくなってしまったり、アイランドからチップがはみ
出てしまうと、樹脂封止後に、そこから樹脂にクラック
が入りやすいなど不良の原因となってしまう、そこで、
あらかじめ取り付は位置精度を考えてアイランドサイズ
を((チップサイズ) +0.3 nun 1以上、或
いはボンディングワイヤーの長さを1.15m11〜2
.85IIIlと限定してしまえば不良発生は押えられ
るが、リードフレームの共用性が落ち、コスト高になっ
てしまう、そのため、ダイボンディング装置のチップ収
り付は位置精度を向上させる必要があるが、現状のダイ
ボンディング装置では (1)、チップとウェハシートの接着力及び接着具合が
チップ個々に異なるため、ウェハシートからチップをピ
ックアップする際、同一条件でピックアップしても、前
後左右にチップが傾き、あるいはウェハシートに引っ張
られて位置が微妙にズしてしまう0例えば、チップサイ
ズ8 ram X 8 ++mの場合で±50μl程度
のズレが生じてしまう。
り付は位置精度がチップサイズ8 me X 3市で±
0.1市、15止X15市で±0.15市トナっティる
ため、実際のボンディングワイヤーの長さは0.9+n
+〜3.1++mや0.85市〜3.15市となり、1
關以下や3市以上の場合が発生してしまい、ワイヤー流
れ、エツジタッチ1ワイヤーシヨートなど不良が発生し
やすくなってしまったり、アイランドからチップがはみ
出てしまうと、樹脂封止後に、そこから樹脂にクラック
が入りやすいなど不良の原因となってしまう、そこで、
あらかじめ取り付は位置精度を考えてアイランドサイズ
を((チップサイズ) +0.3 nun 1以上、或
いはボンディングワイヤーの長さを1.15m11〜2
.85IIIlと限定してしまえば不良発生は押えられ
るが、リードフレームの共用性が落ち、コスト高になっ
てしまう、そのため、ダイボンディング装置のチップ収
り付は位置精度を向上させる必要があるが、現状のダイ
ボンディング装置では (1)、チップとウェハシートの接着力及び接着具合が
チップ個々に異なるため、ウェハシートからチップをピ
ックアップする際、同一条件でピックアップしても、前
後左右にチップが傾き、あるいはウェハシートに引っ張
られて位置が微妙にズしてしまう0例えば、チップサイ
ズ8 ram X 8 ++mの場合で±50μl程度
のズレが生じてしまう。
(2)、(1)項のズレを押えるなめ、チップをウェハ
シートからピックアップした後に、中間位置決めステー
ジ上に置いて、4方自から位置決め爪で押える方法が取
られているが、チップの材質はシリコンであり、位置決
め爪の材質はステンレス又は超硬材であるため、位置決
め爪で押した際、チップが変形してしまい、シリコン屑
が発生し、ひどい時にはカケが発生してしまうこともあ
る。またシリコン屑は位置決め爪動作部に入りこんで、
位置決め爪の安定動作を妨げ、装置停止の原因となった
り、チップの位置決め精度を悪くしたりするほか、飛び
散ってチップの上やリードフレームの上に乗ってしまい
、チップにキズをつけたり、ワイヤーボンディングや樹
脂封止の際の不良の原因となってしまうこともある。
シートからピックアップした後に、中間位置決めステー
ジ上に置いて、4方自から位置決め爪で押える方法が取
られているが、チップの材質はシリコンであり、位置決
め爪の材質はステンレス又は超硬材であるため、位置決
め爪で押した際、チップが変形してしまい、シリコン屑
が発生し、ひどい時にはカケが発生してしまうこともあ
る。またシリコン屑は位置決め爪動作部に入りこんで、
位置決め爪の安定動作を妨げ、装置停止の原因となった
り、チップの位置決め精度を悪くしたりするほか、飛び
散ってチップの上やリードフレームの上に乗ってしまい
、チップにキズをつけたり、ワイヤーボンディングや樹
脂封止の際の不良の原因となってしまうこともある。
そこで、新たな位置決め方法を検討する必要がある。
本発明の目的は前記課題を解決したダイボンディング装
置を提供することにある。
置を提供することにある。
上述した従来のダイボンディング装置に対し、本発明は
中間ステージにおいてカメラでチップの位置を認識し、
ボンディングアーム先端のコレットがその位置へ移動し
てピックアップする非接触位置決めを用いるという相違
点を有する。
中間ステージにおいてカメラでチップの位置を認識し、
ボンディングアーム先端のコレットがその位置へ移動し
てピックアップする非接触位置決めを用いるという相違
点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係るダイボンディン
グ装置はウェハシート上の半導体素子を個々に位置決め
し供給する供給機槽と、半導体素子の位置決めに用いる
中間ステージと、前記供給機槽から前記中間ステージへ
半導体素子を移送するピックアップアームと、前記中間
ステージの上方で半導体素子の位置を認識する認識カメ
ラと、前記中間ステージからリードフレームの半導体素
子取付部へ半導体素子を移送し取り1寸けるボンディン
グアームと、前記認識カメラで認識した前記中間ステー
ジ上の半導体素子の位置データに合わせて前記ボンディ
ングアームの先端に収り付けられたコレットの移動位置
を変化させる機構とを有するものである。
グ装置はウェハシート上の半導体素子を個々に位置決め
し供給する供給機槽と、半導体素子の位置決めに用いる
中間ステージと、前記供給機槽から前記中間ステージへ
半導体素子を移送するピックアップアームと、前記中間
ステージの上方で半導体素子の位置を認識する認識カメ
ラと、前記中間ステージからリードフレームの半導体素
子取付部へ半導体素子を移送し取り1寸けるボンディン
グアームと、前記認識カメラで認識した前記中間ステー
ジ上の半導体素子の位置データに合わせて前記ボンディ
ングアームの先端に収り付けられたコレットの移動位置
を変化させる機構とを有するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
(実線例1)
第1図は本発明の実施例1を示す概略図である。
図において、チップ3はウェハシート2に貼られ、チッ
プ供給機槽1に収り付けられている。チップ供給機槽1
は、チップ3の位置決めをするため、認識カメラ5aか
ら取り込んだチップ3の位置データを認識部6aで判断
し、モーターコントロール部7aでコントロールされる
x−y−〇駆動部4によって、x、y、θ各方向に移動
する。
プ供給機槽1に収り付けられている。チップ供給機槽1
は、チップ3の位置決めをするため、認識カメラ5aか
ら取り込んだチップ3の位置データを認識部6aで判断
し、モーターコントロール部7aでコントロールされる
x−y−〇駆動部4によって、x、y、θ各方向に移動
する。
ピックアップコレット8はピックアップアーム8aの先
端に収り付けられており、位置決めされたチップ3を吸
着して中間ステージ9に移送する。
端に収り付けられており、位置決めされたチップ3を吸
着して中間ステージ9に移送する。
中間ステージ9に置かれたチップ3は認識カメラ5bに
より位置データを取り込まれ、認識部6bによって現在
の位置が認識される。モーターコントロール部7bは認
識部6bからチップ3の認識データを受けとり、X−y
−z−θ駆動部10をコントロールして、ボンディング
アーム11aの先端に取り付けられたボンディングコレ
ット11をチップ3の位置に移動させる。ボンディング
コレット11はチップ3を吸着して、リードフレーム搬
送機4’i14によって搬送1位置決めされたリードフ
レーム12のアイランド13へ移送し取り付ける。
より位置データを取り込まれ、認識部6bによって現在
の位置が認識される。モーターコントロール部7bは認
識部6bからチップ3の認識データを受けとり、X−y
−z−θ駆動部10をコントロールして、ボンディング
アーム11aの先端に取り付けられたボンディングコレ
ット11をチップ3の位置に移動させる。ボンディング
コレット11はチップ3を吸着して、リードフレーム搬
送機4’i14によって搬送1位置決めされたリードフ
レーム12のアイランド13へ移送し取り付ける。
ここで、チップ3がウェハシート2から剥がされる際に
位置ズレをおこしたとしても、中間ステージ9で再び位
置決めされアイランド13に供給されるので、チップ3
のリードフレーム12への取り付は位置精度は向上する
0例えば、8 mm X 811111サイズで土0.
0511m程度が見込まれる。また、非接触で位置決め
するため、シリコン屑が出たり、カケが発生することは
なく、装置の稼動率が向上し、歩留りも向上するや (実施例2) 第2図は本発明の実施例2を示す概略図である。
位置ズレをおこしたとしても、中間ステージ9で再び位
置決めされアイランド13に供給されるので、チップ3
のリードフレーム12への取り付は位置精度は向上する
0例えば、8 mm X 811111サイズで土0.
0511m程度が見込まれる。また、非接触で位置決め
するため、シリコン屑が出たり、カケが発生することは
なく、装置の稼動率が向上し、歩留りも向上するや (実施例2) 第2図は本発明の実施例2を示す概略図である。
認識部6cは認識カメラ5Cによって、リードフレーム
搬送機構14で搬送1位置決めされたリードフレーム1
2のアイランド13の位置を認識し、チップ3を吸着し
たボンディングコレット11の移動位置を、モーターコ
ントロール部7Cを通してX−y−z−θ駆動部10に
よってコンロールする。
搬送機構14で搬送1位置決めされたリードフレーム1
2のアイランド13の位置を認識し、チップ3を吸着し
たボンディングコレット11の移動位置を、モーターコ
ントロール部7Cを通してX−y−z−θ駆動部10に
よってコンロールする。
この場合は、リードフレーム搬送部14での搬送ズレ、
位置決めズレをカメラ5Cで認識して、チップ3の取付
位置を変えるので、実施例1よりも位置精度が向上し、
8fflIIX 8rswrサイズのチップの場合、±
0.025 rsa程度の精度が見込まれるという利点
がある。
位置決めズレをカメラ5Cで認識して、チップ3の取付
位置を変えるので、実施例1よりも位置精度が向上し、
8fflIIX 8rswrサイズのチップの場合、±
0.025 rsa程度の精度が見込まれるという利点
がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、チップをウェハシート上
からピックアップした後に、中間ステージ上で再び認識
して、ボンディングヘッドが吸着移送し、アイランドに
取り付けるので、チップのリードフレームへの取付精度
が向上できる効果がある。
からピックアップした後に、中間ステージ上で再び認識
して、ボンディングヘッドが吸着移送し、アイランドに
取り付けるので、チップのリードフレームへの取付精度
が向上できる効果がある。
第1図は本発明の実施例1を示す概略図、第2図は本発
明の実施例2を示す概略図である。 1・・・チップ供給am 2・・・ウェハシート3
・・・チップ 4・・・x−y−θ駆動部5
a、5b、5c・・・認識カメラ 6a、6b、6c=−・認識部 7a、7b、7c・・・モーターコントロール部8・・
・ピックアップコレット 9・・・中間ステージ 10・・・x−y−z−θ駆動部 11・・・ボンディングコレット
明の実施例2を示す概略図である。 1・・・チップ供給am 2・・・ウェハシート3
・・・チップ 4・・・x−y−θ駆動部5
a、5b、5c・・・認識カメラ 6a、6b、6c=−・認識部 7a、7b、7c・・・モーターコントロール部8・・
・ピックアップコレット 9・・・中間ステージ 10・・・x−y−z−θ駆動部 11・・・ボンディングコレット
Claims (1)
- (1)ウェハシート上の半導体素子を個々に位置決めし
供給する供給機構と、半導体素子の位置決めに用いる中
間ステージと、前記供給機槽から前記中間ステージへ半
導体素子を移送するピックアップアームと、前記中間ス
テージの上方で半導体素子の位置を認識する認識カメラ
と、前記中間ステージからリードフレームの半導体素子
取付部へ半導体素子を移送し取り付けるボンディングア
ームと、前記認識カメラで認識した前記中間ステージ上
の半導体素子の位置データに合わせて前記ボンディング
アームの先端に取り付けられたコレットの移動位置を変
化させる機構とを有することを特徴とするダイボンディ
ング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10498389A JPH02283042A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | ダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10498389A JPH02283042A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | ダイボンディング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02283042A true JPH02283042A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=14395327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10498389A Pending JPH02283042A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | ダイボンディング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02283042A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0531227U (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-23 | 関西日本電気株式会社 | マウンタ |
KR101217505B1 (ko) * | 2011-02-14 | 2013-01-02 | 주식회사 프로텍 | 다이 본딩 장비 및 이를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법 |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP10498389A patent/JPH02283042A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0531227U (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-23 | 関西日本電気株式会社 | マウンタ |
KR101217505B1 (ko) * | 2011-02-14 | 2013-01-02 | 주식회사 프로텍 | 다이 본딩 장비 및 이를 이용한 반도체 칩의 본딩 방법 |
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