KR100347429B1 - 반도체 펠릿의 위치 결정 방법 및 그 장치 - Google Patents

반도체 펠릿의 위치 결정 방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

위치결정된 반도체 펠릿의 위치 어긋남이 방지된다.
반도체 펠릿(10)의 위치결정시에는, 위치결정 클릭(16)에 의해 반도체 펠릿(10)을 움직이게할 수 있는 약한 흡인력으로 위치결정 스테이지(15)에 흡착 유지하고, 위치결정 종료후에 상기 약한 흡인력보다 강한 흡인력으로 반도체 펠릿(10)을 위치결정 스테이지(15)에 흡착유지시키는 흡인 전환용 전자 밸브(20), 흡인력 조정용 전자밸브(31), 진공원(21), 압축공기원(22), 스로틀밸브(32) 등을 갖는다.

Description

반도체 펠릿의 위치결정방법 및 그 장치{METHOD AND APPARATUS FOR POSITIONING A SEMICONDUCTOR PELLET}
본 발명은, 다이 본딩장치, 테이프 본딩장치, 범프 본딩장치 등에 있어서의 반도체 펠릿의 위치결정방법 및 그 장치에 관한 것이다.
다이 본딩장치, 테이프 본딩장치, 범프 본딩장치 등에 있어서는, 도시하지 않은 기구에 의해 반도체 펠릿을 수납한 트레이 또는 웨이퍼로부터 반도체 펠릿을 위치결정 스테이지에 얹어 놓고, 이 위치결정 스테이지에 얹어 놓인 반도체 펠릿을 위치결정 클릭에 의해 위치결정한다. 그 후, 아래에 설명하는 동작에 의해, 다이 본딩장치에 있어서는, 리드프레임에 반도체 펠릿을 본딩한다. 테이프 본딩장치에 있어서는, 캐리어테이프에 반도체 펠릿을 본딩한다. 범프 본딩장치에 있어서는, 반도체 펠릿의 전극상에 범프를 형성한다. 즉, 본딩을 행하기 이전에 또는 범프를 형성하기 이전에 반도체 펠릿의 위치결정을 행하고 있다.
다이 본딩장치는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 흡착구멍(51a)에 의해 반도체 펠릿(50)을 흡착유지하는 위치결정 스테이지(51)와, 위치결정 스테이지(51) 상의 반도체 펠릿(50)을 위치결정하는 위치결정 클릭(52)과, 리드프레임(53)을 반송 및 위치결정하는 프레임 피더(54)와, 반도체 펠릿(50)을 리드프레임(53)에 본딩하는 본딩장치(60)를 가지고 있다. 여기서, 위치결정 클릭(52)은 X Y 축방향으로 구동되는 X Y 테이블(55)에 설치되어 있다. 본딩장치(60)는, X Y 축방향으로 구동되는 XY 테이블(61)에 본딩 헤드(62)가 탑재되어, 본딩 헤드(62)에는 본딩 암(63)이 상하 구동되도록 설치되어 있다. 본딩 암(63)의 선단에는 툴(64)이 설치되어 있으며, 툴(64)은 반도체 펠릿(50)을 흡착유지하는 흡착노즐로 되어 있다. 또한, 이 종류의 다이 본딩장치로서, 예컨대 일본 특개평 4 - 61241호 공보, 특개평 4 - 312935호 공보를 들을 수 있다.
그래서, 반도체 펠릿(50)이 위치결정 스테이지(51)에 얹어 놓이면, 위치결정 스테이지(51)에 의해 반도체 펠릿(50)이 흡착유지되고, X Y 테이블(55)이 구동하여 위치결정 클릭(52)이 반도체 펠릿(50)의 방향으로 이동하고, 위치결정 클릭(52)에 의해 반도체 펠릿(50)을 위치결정한다. 다음에 본딩장치(60)의 X Y 테이블(61)이 Y축 방향으로 이동하여 툴(64)이 위치결정 스테이지(51) 상의 반도체 펠릿(50)의 상방으로 이동하고, 연속하여 툴(64)이 하강하여 반도체 펠릿(50)을 흡착유지한다. 그후, 툴(64)은 상승 및 리드프레임(53)의 본딩위치의 상방으로 이동하고, 연속해서 하강하여 리드프레임(53) 상에 반도체 펠릿(50)을 본딩한다.
테이프 본딩장치, 특히 이너 리드 본딩장치는, 도 6에 도시하는 바와 같이,주된 구성은 도 5에 도시하는 다이 본딩장치와 거의 동일구성으로 이루어져 있다. 그러나, 본 장치에 있어서는, 위치결정 클릭(52)은 이동하지 않고, 위치결정 스테이지(51)가 X Y 테이블(55)에 탑재되고, 위치결정 스테이지(51)는 X Y 테이블(55)에 의해 캐리어 테이프(65)의 하방에 이동되도록 되어 있다. 또 툴(64)은 흡착노즐은 아니고, 캐리어 테이프(65)에 설치된 리드를 반도체 펠릿(50)에 눌러 붙이는 형상으로 되어 있다. 또한 이 종류의 테이프 본딩장치로서, 예컨대 일본 특개평 2-244735호 공보를 들을 수 있다.
그래서, 반도체 펠릿(50)이 위치결정 스테이지(51)에 얹어 놓이면, 위치결정 스테이지(51)에 의해 반도체 펠릿(50)이 흡착유지되고, X Y 테이블(55)이 구동하여 위치결정 스테이지(51)가 반도체 펠릿(50)의 방향으로 이동하고, 위치결정 클릭(52)에 의해 반도체 펠릿(50)을 위치결정한다. 다음에 X Y 테이블(55)이 구동하여 위치결정 스테이지(51)가 캐리어 테이프(65)의 하방으로 이동한 후, 본딩장치 (60)의 툴(64)에 의해 캐리어 테이프(65)의 리드를 반도체 펠릿(50)에 눌러 붙여서 본딩한다.
범프 본딩장치는, 도 7에 도시하는 바와 같이, 주된 구성은 도 5에 도시하는 다이 본딩장치와 거의 동일한 구성으로 이루어져 있다. 그러나, 본 장치에 있어서는, 위치결정 스테이지(51)가 본딩 스테이지를 겸하고 있고, 또 본딩장치(60)로서 와이어 본딩장치를 사용한다. 따라서, 툴(64)에는 도시하지 않은 A u 또는 땜납의 극히 미세(20∼30㎛)한 와이어가 끼워 통하여 있다.
그래서, 반도체 펠릿(50)이 위치결정 스테이지(51)에 얹어 놓이면, 위치결정 스테이지(51)에 의해 반도체 펠릿(50)이 흡착유지되어, X Y 테이블(55)을 구동하여 위치결정 클릭(52)이 반도체 펠릿(50)의 방향으로 이동하고, 위치결정 클릭(52)에 의해 반도체 펠릿(50)을 위치결정한다. 다음에 본딩장치 (60)에 의해 반도체 펠릿(50)의 전극상에 범프를 형성한다. 이 범프 형성방법은, 툴(64)에 끼워 통한 와이어의 선단에 형성된 볼을 반도체 펠릿의 전극상에 눌러 붙인 후에, 볼의 부착부분으로부터 와이어를 절단하고, 반도체 펠릿의 전극상에 범프를 형성한다. 또한,이 종류의 범프 본딩장치로서, 예컨대 일본 특개평 7-86286호 공보를 들을 수 있다.
위치결정 클릭(52)으로 반도체 펠릿(50)을 위치결정할 때에는, 위치결정 클릭(52)에 의해 반도체 펠릿(50)을 움직이게 하므로, 위치결정 스테이지(51)는 반도체 펠릿(50)이 움직일 수 있는 약한 흡인력으로 반도체 펠릿(50)을 흡착유지할 필요가 있다. 그러나, 상기 종래기술은, 이 약한 흡인력으로 반도체 펠릿(50)을 흡착유지한 상태를 유지하므로, 아래에 설명하는 바와 같이, 진동 등에 의해 반도체 펠릿(50)의 위치어긋남이 생기는 염려가 있었다.
도 5에 도시하는 다이 본딩장치의 경우에는, 위치결정 클릭(52)으로 위치결정된 반도체 펠릿(50)은 재차 툴(64)로 흡착유지되어 리드프레임(53) 상으로 이송되므로 그다지 문제가 되지 않는다. 그러나, 도 6에 도시하는 테이프 본딩장치의 경우에는, 반도체 펠릿(50)을 흡착유지한 위치결정 스테이지(51)가 캐리어 테이프(65)의 하방으로 이동하므로, 이 이동시에 반도체 펠릿(50)의 위치어긋남이 생기기 쉽다. 또 도 7에 도시하는 범프 본딩장치의 경우에는, 위치결정 스테이지(51)에서 흡착유지한 반도체 펠릿(50)에 본딩장치(60)에 의해 범프를 형성하는 작업이 행해지므로, 이 범프 형성시에 반도체 펠릿(50)의 위치어긋남이 생기기 쉽다.
본 발명의 과제는, 위치결정된 반도체 펠릿의 위치어긋남이 방지되는 반도체 펠릿의 위치결정 방법 및 그 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 펠릿의 위치결정장치에 있어서의 흡인력 제어수단의 일 실시형태의 구성을 도시하며, 반도체 펠릿의 위치결정시의 제어 설명도,
도 2는 위치결정 종료후의 제어 설명도,
도 3은 반도체 펠릿의 픽업시의 제어 설명도,
도 4는 본 발명의 일 실시형태를 적용한 범프 본딩장치의 일예를 도시하는 사시도,
도 5는 다이 본딩장치의 개략 평면 설명도,
도 6은 테이프 본딩장치의 개략 평면 설명도,
도 7은 범프 본딩장치의 개략 평면 설명도.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
5 : 본딩 헤드 7 : X Y 테이블
10 : 반도체 펠릿 15 : 위치결정 스테이지
16 : 위치결정 클릭 16a : 위치결정부
20 : 흡인 전환용 전자밸브 21 : 진공원
22 : 압축공기원 31 : 흡인력 조정용 전자밸브
32 : 스로틀 밸브 33 : 대기 취입구
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 방법은, 반도체 펠릿을 흡착유지하는 위치결정 스테이지와 위치결정 클릭을 상대적으로 이동시켜, 상기 위치결정 클릭으로 반도체 펠릿을 위치결정하는 반도체 펠릿의 위치결정 방법에 있어서, 반도체 펠릿의 위치결정시에는, 상기 위치결정 클릭에 의해 반도체 펠릿을 움직일 수가 있는 약한 흡인력으로 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지하고, 위치결정 종료후에 상기 약한 흡인력보다 강한 흡인력으로 반도체 펠릿을 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지시키는 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 장치는, 반도체 펠릿을 흡착유지하는 위치결정 스테이지와, 이 위치결정 스테이지와 상대적으로 이동하여 반도체 펠릿을 위치결정하는 위치결정 클릭을 구비한 반도체 펠릿의 위치결정장치에 있어서, 반도체 펠릿의 위치결정시에는, 상기 위치결정 클릭에 의해 반도체 펠릿을 움직이도록 할 수 있는 약한 흡인력으로 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지하고, 위치결정 종료후에 상기 약한 흡인력보다 강한 흡인력으로 반도체 펠릿을 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지시키는 흡인력 제어수단을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시형태를 도 1 내지 도4에 의해 설명한다. 먼저, 본 발명의 한 실시형태를 적용한 범프 본딩장치를 도 4에 의해 설명한다. 와이어(1)가 끼워 통한 캐필러리(2)는, 본딩 혼(3)의 일단에 부착되고, 본딩 혼(3)은 리프터 암(4)에 부착되어 있다. 리프터 암(4)은, 본딩 헤드(5)에 요동 또는 상하 이동 가능하게 부착되고, 본딩 헤드(5)에 고정된 Z축 모터(6)로 요동 또는 상하 이동시키게 된다.여기서, 본딩 헤드(5)는 X Y 테이블(7)에 탑재되어 있다.
와이어(1)의 선단에 형성된 볼(1a)을 반도체 펠릿(10)의 전극에 가압하는 본딩 하중을 부여하는 본드 하중용 리니어 모터(11)는, 코일측이 리프터 암(4)에 고정되고, 마그네트측이 본딩 헤드(5)의 저면에 고정되어 있다. 반도체 펠릿(10)의 화상을 촬상하기 위한 검출카메라(12)는 본딩 헤드(5)에 고정되어 있으며, 이 카메라(12)는 수평으로 배열설치된 경통(13)의 일단부에 접속되고, 경통의 타단에는 반도체 펠릿(10)의 화상을 받는 검지부(14)가 설치되어 있다. 반도체 펠릿(10)은, 본딩 스테이지을 겸한 위치결정 스테이지(15)에 설치된 흡착구멍(15a)에 의해 위치결정 스테이지(15) 상에 진공 흡착유지되도록 되어 있다. 이상은 주지의 구조이므로, 이 이상의 설명은 생략한다.
본 실시형태를 적용한 범프 본딩장치에 있어서는, X Y 테이블(7)에 위치결정 클릭(16)이 고정되어 있다. 위치결정 클릭(16)의 위치결정부(16a)는, 본딩 혼(3)의 하방에서, 또한 캐필러리(2)에서 후방까지 뻗어 있다. 또 위치결정부(16a)의 하면은, 위치결정 스테이지(15)의 상면보다 약간 상방으로 위치하고, 위치결정 스테이지(15)에 얹어 놓인 반도체 펠릿(10)의 코너부에 대응한 형상으로 되어 있다.
다음에 본 발명의 한 실시형태의 흡인력 제어수단을 도 1 내지 도 3에 의해 설명한다. 반도체 펠릿(10)을 흡착유지하는 위치결정 스테이지(15)는, 흡인 전환용 전자밸브(20)를 통하여 진공원(21)과 압축공기원(22)에 전환가능하게 접속되어 있다. 본 실시형태에 있어서는, 흡인 전환용 전자밸브(20)로서 3포트 전자밸브를 사용한 경우를 도시한다. 흡인 전환용 전자 밸브(20)는, 입구측에 포트(P1, P1')와포트(P2, P2')를 가지며, 출구측에 포트(P3, P3')를 갖는다. 여기서, 포트(P1과 P3), 포트(P2'와 P3')는 연통하고, 포트(P2, P1')는 폐쇄되어 있다.
그래서, 흡인 전환용 전자밸브(20)가 온(ON)의 경우에는, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 포트(P3)는 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)에 배관된 파이프(23)에 접속되고, 포트(P1, P2)는 각각 진공원(21), 압축공기원(22)에 배관된 파이프(24, 25)에 접속되어 있다. 따라서, 흡인 전환용 전자밸브(20)가 오프(OFF)의 경우에는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 포트(P3')가 파이프(23)에 접속되고, 포트(P1', P2')가 각각 파이프(24, 25)에 접속된다.
상기 파이프(24)에는 파이프(30)가 접속되고, 파이프(30)는 흡인력 조정용 전자밸브(31), 스로틀밸브(32)를 통하여 대기 취입구(33)에 접속돠어 있다. 본 실시형태에 있어서는, 흡인력 조정용 전자밸브(31)로서 2 포트 전자밸브를 사용한 경우를 도시한다. 흡인력 조정용 전자밸브(31)는, 입구측에 포트(P4, P4')를 가지며, 출구측에 포트(P5, P5')를 갖는다. 여기서, 포트(P4)와 포트(P5)는 연통하고, 포트(P4'), 포트(P5')는 폐쇄되어 있다.
그래서, 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 온의 경우에는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 포트(P4)가 파이프(30)에 접속되고, 포트(P5)가 스로틀밸브(32)에 접속되도록, 배관되어 있다. 따라서, 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 오프의 경우에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 포트(P4')가 파이프(30)에 접속되고, 포트(P5')가 스로틀밸브(32)에 접속된다.
먼저, 반도체 펠릿(10)의 위치결정동작의 설명에 앞서, 흡인 전환용 전자밸브(20) 및 흡인력 조정용 전자밸브(31)의 작용에 관해 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 흡인 전환용 전자밸브(20) 및 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 동시에 온의 경우에는, 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)의 흡인력은 다음과 같이 된다. 흡인 전환용 전자밸브(20)가 온의 경우에는, 포트(P1)가 파이프(24)에 접속되고, 포트(P3)가 파이프(23)에 접속된다. 따라서, 진공원(21)의 진공압으로 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)을 흡인한다. 그러나, 흡인력 조정용 전자밸브(31)는 온이므로, 포트(P4)가 파이프(30)에 접속되고, 포트(P5)가 스로틀밸브(32)에 접속되며, 대기 취입구(33)의 대기는 스로틀밸브(32), 흡인력 조정용 전자밸브(31)를 통하여 파이프(30)로부터 파이프(24)에 공급된다. 이것에 의해, 진공원(21)에 의한 파이프(24)의 진공압은, 스로틀밸브(32)에 의해 조정된 대기에 의해 감압되고, 이 감압된 흡인력에 의해 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)으로부터 흡인된다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 흡인 전환용 전자밸브(20)가 온이고, 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 오프의 경우에는, 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)의 흡인력은 다음과 같이 된다. 흡인 전환용 전자밸브(20)가 온의 경우에는, 도 1의 경우에서 설명한 바와 같이, 진공원(21)의 진공압으로 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)에서 흡인한다. 흡인력 조정용 전자밸브(31)는 오프이므로, 포트(P4')가 파이프(30)에 접속되고, 포트(P5')가 스로틀밸브(32)에 접속된다. 즉, 대기 취입구(33)의 대기는 파이프(30)에 공급되지 않으므로, 진공원(21)의 진공압이 그대로 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)에서 흡인된다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 흡인 전환용 전자밸브(20) 및 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 동시에 오프인 경우에는, 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)의 흡인력은 다음과 같이 된다. 흡인 전환용 전자밸브(20)가 오프인 겅우에는, 포트(P2')가 파이프(25)에 접속되고, 포트(P3')가 파이프(23)에 접속된다. 띠라서, 압축공기원(22)의 압축공기가 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)에 공급된다. 이 경우, 파이프(24)는 파이프(23)에 접속되어 있지 않으므로, 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 오프 또는 온이라도 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)에 압축공기원(22)으로부터 공급되는 압축공기에는 하등 영향을 미치지 않는다. 도 3의 경우는 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 오프이므로, 도 2에 설명한 바와 같이, 대기취입구(33)의 대기는 파이프(30)에 공급되지 않는다.
그래서, 예컨대, 진공원(21)의 진공압을 약 500∼650 ㎜Hg로 설정하고, 도 1과 같이 대기취입구(33)의 대기가 공급되어서 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)이 감압된 때의 진공압을 약 200 ∼ 350 mmHg 정도로 되도록 스로틀밸브(32)를 미리 조정해 놓는다. 이 감압된 약한 진공압은, 후에 기재하는 바와 같이, 위치결정 클릭(16)에 의해서 반도체 펠릿(10)을 움직이게할 수 있으며, 또한 이 때에 이 반도체 펠릿(10)이 손상하지 않는 흡인력으로 되어 있다.
다음에 반도체 펠릿(10)의 위치결정 동작에 관해서 설명한다. 먼저, 펠릿(10)이 도시하지 않은 트레이 또는 웨이퍼로부터 도시하지 않은 픽업 이송수단으로 픽업된 위치결정 스테이지(15) 상으로 이송되어 얹어 놓인다. 위치결정 스테이지(15) 상으로의 반도체 팰릿(10)의 이송이 시작되면, 도 1에 도시하는 바와 같이 흡인 전환용 전자밸브(20) 및 흡인력 조정용 전자밸브(31)는 동시에 온으로 된다. 흡인 전환용 전자밸브(20) 및 흡인력 조정용 전자밸브(31)가 동시에 온으로 되면, 상술한 바와 같이 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)의 약한 진공압에 의한 흡인상태로 된다.
다음에 위치결정 클릭(16)의 위치결정부(16a)가 반도체 펠릿(10)의 코너부를 누르도록 X Y 테이블(7)이 구동된다. 그리고, 위치결정 클릭(16)의 위치결정부(16 a)가 반도체 펠릿(10)을 미리 결정된 위치결정위치까지 누르면, 도 2에 도시하는 바와 같이 흡인 전환용 전자밸브(20)는 온상태에서, 흡인력 조정용 전자밸브(31)는 오프로 된다. 이것에 의해, 상술한 바와 같이 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)은 진공원(21)의 진공압으로 흡인된다. 즉, 상기 약한 진공은 강한 진공으로 전환되며, 반도체 펠릿(10)은 위치결정 스테이지(15)에 견고히 흡착유지된다. 다음에 경통(13)의 검지부(14)가 반도체 펠릿(10)의 상방에 위치하도록 X Y 테이블(7)이 구동된다. 이것에 의해, 위치결정 클릭(16)은 위치결정 스테이지(15) 상으로부터 퇴거한다.
그 후는, 본딩위치로 되는 반도체 펠릿(10) 상의 전극의 화상이 검지부(14) , 경통(13)을 경유하여 검출카메라(12)에 의해 촬상되고, 반도체 펠릿(10)의 전극상에 와이어(1)의 선단에 형성된 볼(1a)이 본딩위치에 본딩되고, 본딩후에 볼(1a)의 부착부분으로부터 와이어(1)는 절단된다. 이것에 의해, 반도체 펠릿(10)의 전극 상에 범프가 형성된다.
반도체 펠릿(10)의 범프형성이 종료되면, 이 반도체 펠릿(10)을 위치결정 스테이지(15)로부터 배출하는 동작이 행해진다. 이 동작은, 도시하지 않은 흡착노즐이 위치결정 스테이지(15)의 상방으로 이동하고, 그 후 하강하여 반도체 펠릿(10)으로부터 약 0.03 ∼ 0.1mm 정도의 간극을 가진 위치로 이동한다. 그리고, 도 3에 도시하는 바와 같이, 흡인력 조정용 전자밸브(31)는 오프상태에서, 흡인 전환용 전자밸브(20)가 오프로 된다. 흡인 전환용 전자밸브(20)가 오프로 되면, 상술한 바와 같이 약간의 압축공기원(22)의 압축공기가 위치결정 스테이지(15)의 흡착구멍(15a)으로 공급되고, 흡착노즐은 반도체 펠릿(10)을 픽업해서 흡착유지한다. 그 후, 흡착노즐은 반도체 펠릿(10)을 소정의 장소에 이송한다.
본 실시형태는, 범프 본딩장치에 적용하고, 또한 위치결정 클릭(16)을 X Y 테이블(7)에 설치하였으나, 도 7에 도시하는 범프 본딩장치에 있어서, 본딩헤드(62)와 독립한 X Y 테이블(55)에 위치결정 클릭(52)을 설치한 것에도, 본 실시형태의 흡인력 제어수단을 위치결정 스테이지(51)에 적용할 수 있다. 또 도 5에 도시하는 다이 본딩장치 및 도 6에 도시하는 테이프 본딩장치의 위치결정 스테이지(51)에도 본 실시형태의 흡인력 제어수단을 적용할 수 있는 것은 말할 것도 없다.
이와 같이, 반도체 펠릿(10)의 위치결정시에는, 위치결정 클릭(16)에 의해 반도체 펠릿(10)을 움직일 수 있는 약한 흡인력으로 위치결정 스테이지(15)에 흡착유지하고, 위치결정 종료후에 상기 약한 흡인력보다 강한 흡인력으로 반도체 펠릿(10)을 위치결정 스테이지(15)에 흡착유지 시키므로, 위치결정된 반도체 펠릿(10)의 위치 어긋남이 방지된다.
또, X Y 테이블(7)에 위치결정 클릭(16)을 설치하면, 대규모 구조의 위치결정 스테이지가 불필요하게 된다. 또 위치결정 클릭(16)의 구동은, 본딩장치 자체가 갖는 X Y 테이블(7)에 의해 행하므로, 위치결정 클릭(16)의 대규모 구조의 구동수단도 불필요하게 된다. 이 때문에, 장치의 간소화가 도모되며, 장치원가의 저감이 도모된다. 또한, 위치결정 클릭(16)은 X Y 테이블(7)에 설치되었으나, X Y 테이블(7)에 탑재된 본딩 헤드(5)에 설치해도, 또 본딩헤드(5)에 고정된 부재에 설치해도 된다.
본 발명에 의하면, 반도체 펠릿의 위치결정시에는, 상기 위치결정 클릭에 의해 반도체 펠릿을 움직일 수 있는 약한 흡인력으로 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지하고, 위치결정 종료후에 상기 약한 흡인력보다 강한 흡인력으로 반도체 펠릿을 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지시키므로, 위치결정된 반도체 펠릿의 위치 어긋남이 방지된다.
또 위치결정 스테이지에 얹어 놓인 반도체 펠릿을 위치결정하기 위한 위치결정 클릭을, 본딩 헤드 또는 이 본딩 헤드를 탑재하는 X Y 테이블에 고정한 구성으로 하므로써, 반도체 펠릿의 위치결정 스테이지 및 위치결정 클릭 또는 위치결정 스테이지의 위치결정 구동수단 등의 대규모의 구조가 불필요하고, 장치원가의 저감이 도모된다.

Claims (2)

  1. 반도체 펠릿을 흡착유지하는 위치결정 스테이지, 이 위치결정 스테이지와 상대적으로 이동하여 반도체 펠릿을 위치결정하는 위치결정 클릭, 상기 스테이지 상면과 반도체 펠릿 하면을 흡착·이간하는 흡착구멍, 반도체 펠릿을 상기 흡착구멍을 통해 제1 흡인력으로 흡착유지하는 진공원, 상기 흡착구멍에 이간용의 공기압을 발생시켜 반도체 펠릿을 이간하는 압축공기원, 상기 흡착구멍을 상기 진공원과 상기 압축공기원에 전환가능하게 접속시키는 제1 제어수단, 및 상기 진공원이 제2 흡인력으로 반도체 펠릿을 흡착유지하도록 하는 제2 제어수단을 구비한 반도체 위치결정 장치를 사용하여, 상기 위치결정 스테이지와 위치결정 클릭을 상대적으로 이동시켜 상기 위치결정 클릭으로 반도체 펠릭을 위치결정하는 반도체 펠릿의 위치결정방법에 있어서,
    반도체 펠릿의 위치결정시에는, 상기 제2 제어수단에 의해 상기 제1 제어수단과 상기 진공원 사이에 대기를 공급함으로써, 상기 진공원이 제1 흡인력보다 약하고 상기 위치결정 클릭에 의해 반도체 펠릿을 움직일 수 있는 제2 흡인력으로 상기 반도체 펠릿을 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지시키고,
    위치결정 종료후에는, 상기 제2 제어수단에 의해 대기 공급을 중단하고 상기 진공원에 의한 제1 흡인력으로 반도체 펠릿을 상기 위치결정 스테이지에 흡착유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 펠릿의 위치결정 방법.
  2. 반도체 펠릿을 흡착유지하는 위치결정 스테이지와, 이 위치결정 스테이지와 상대적으로 이동하여 반도체 펠릿을 위치결정하는 위치결정 클릭을 구비한 반도체 펠릿의 위치결정장치에 있어서,
    상기 스테이지 상면과 반도체 펠릿 하면을 흡착·이간하는 흡착구멍;
    반도체 펠릿을 상기 흡착구멍을 통해 제1 흡인력으로 흡착유지하는 진공원;
    상기 흡착구멍에 이간용의 공기압을 발생시켜 반도체 펠릿을 이간하는 압축공기원;
    상기 흡착구멍을 상기 진공원과 상기 압축공기원에 전환가능하게 접속시키는 제1 제어수단; 및
    상기 제1 제어수단과 상기 진공원 사이에 대기를 공급함으로써, 상기 진공원이 제1 흡인력보다 약하고 상기 위치결정 클릭에 의해 반도체 펠릿을 움직일 수 있는 제2 흡인력으로 반도체 펠릿을 흡착유지하도록 하는 제2 제어수단을 구비하고,
    반도체 펠릿의 위치결정시에는 상기 제2 제어수단에 의해 대기를 공급함으로써 제2 흡인력으로 반도체 펠릿을 흡착유지시키고, 위치결정 종료후에는 상기 대기 공급을 중단함으로써 제1 흡인력으로 반도체 펠릿을 흡착유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 펠릿의 위치결정장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101228199B1 (ko) * 2010-11-22 2013-01-30 세크론 주식회사 반도체 소자에 대한 픽 앤 플레이스 공정을 수행하기 위한 피커의 압력 제어 방법 및 이를 수행하기 위한 제어 변수들을 설정하는 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW587296B (en) * 1998-10-28 2004-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Working method and apparatus
KR100720483B1 (ko) * 2005-12-09 2007-05-22 동부일렉트로닉스 주식회사 수직 칼라 필터 검출기단 및 그 제조방법
US8145568B2 (en) * 2006-07-06 2012-03-27 Firethorn Mobile, Inc. Methods and systems for indicating a payment in a mobile environment
US7762449B2 (en) * 2008-11-21 2010-07-27 Asm Assembly Automation Ltd Bond head for heavy wire bonder
CN102097532A (zh) * 2010-11-29 2011-06-15 常州亿晶光电科技有限公司 吸气式太阳能电池层压件返修工作台
JP2013232466A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 基板吸着装置
US8919528B2 (en) * 2012-07-13 2014-12-30 Hewlett-Packard Industrial Printing Ltd. Nozzled device to align a substrate on a surface
CN103406278B (zh) * 2013-07-26 2015-09-09 潍坊永昱电控科技有限公司 一种led晶片自动分选机焊接焊嘴的气路

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62154751A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体チツプの位置決め装置
JPH065652A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Nec Corp ワイヤボンディング装置
JPH09298210A (ja) * 1996-05-07 1997-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置
KR19980015699A (ko) * 1996-08-23 1998-05-25 김광호 홈이 형성된 클램프를 갖는 반도체 와이어 본딩 장치
KR19980076564A (ko) * 1997-04-10 1998-11-16 윤종용 웨이퍼 타이틀러의 웨이퍼 정렬장치
KR19980067497U (ko) * 1997-05-27 1998-12-05 문정환 웨이퍼의 위치감지장치
KR19990074062A (ko) * 1998-03-06 1999-10-05 구자홍 미세칩 위치결정장치 및 그 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4682928A (en) * 1982-05-24 1987-07-28 Proconics International, Inc. Wafer transfer apparatus
US4892455A (en) * 1987-05-21 1990-01-09 Hine Derek L Wafer alignment and transport mechanism
US4892245A (en) * 1988-11-21 1990-01-09 Honeywell Inc. Controlled compression furnace bonding
JP2746989B2 (ja) 1989-03-17 1998-05-06 株式会社東芝 チップの位置決め方法およびその装置、インナリードボンディング装置およびインナリードボンディング方法
JP2862144B2 (ja) 1990-06-28 1999-02-24 ローム 株式会社 半導体チップの位置決め方法
JPH04312936A (ja) 1991-03-18 1992-11-04 Mitsubishi Electric Corp ダイボンド装置
US5513948A (en) * 1991-05-17 1996-05-07 Kensington Laboratories, Inc. Universal specimen prealigner
JP2890334B2 (ja) * 1991-07-15 1999-05-10 株式会社新川 テープ搬送装置
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JP3128717B2 (ja) 1993-06-30 2001-01-29 株式会社新川 バンプ形成方法
JP3198401B2 (ja) * 1995-08-18 2001-08-13 株式会社新川 ウェーハリングの供給・返送装置
JPH0964148A (ja) * 1995-08-18 1997-03-07 Shinkawa Ltd ウェーハリングの供給・返送装置
US6123502A (en) * 1997-07-08 2000-09-26 Brooks Automation, Inc. Substrate holder having vacuum holding and gravity holding
US6063440A (en) * 1997-07-11 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Method for aligning a wafer
FR2769913B1 (fr) * 1997-10-16 2000-03-10 Pf Medicament Nouveaux derives cyclohexaniques difonctionnalises en 1, 4, leur preparation et leur application therapeutique humaine
US6270582B1 (en) * 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system
JP3400337B2 (ja) * 1998-02-12 2003-04-28 株式会社新川 ボンディング装置
JP3400338B2 (ja) * 1998-02-12 2003-04-28 株式会社新川 バンプボンディング装置
WO2000005761A1 (fr) * 1998-07-24 2000-02-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Bras de saisie de tranche
US5961169A (en) * 1998-07-27 1999-10-05 Strasbaugh Apparatus for sensing the presence of a wafer
JP2000100895A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Nikon Corp 基板の搬送装置、基板の保持装置、及び基板処理装置
US6217272B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-17 Applied Science And Technology, Inc. In-line sputter deposition system
US6290274B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Tsk America, Inc. Vacuum system and method for securing a semiconductor wafer in a planar position

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62154751A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体チツプの位置決め装置
JPH065652A (ja) * 1992-06-18 1994-01-14 Nec Corp ワイヤボンディング装置
JPH09298210A (ja) * 1996-05-07 1997-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置
KR19980015699A (ko) * 1996-08-23 1998-05-25 김광호 홈이 형성된 클램프를 갖는 반도체 와이어 본딩 장치
KR19980076564A (ko) * 1997-04-10 1998-11-16 윤종용 웨이퍼 타이틀러의 웨이퍼 정렬장치
KR19980067497U (ko) * 1997-05-27 1998-12-05 문정환 웨이퍼의 위치감지장치
KR19990074062A (ko) * 1998-03-06 1999-10-05 구자홍 미세칩 위치결정장치 및 그 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101228199B1 (ko) * 2010-11-22 2013-01-30 세크론 주식회사 반도체 소자에 대한 픽 앤 플레이스 공정을 수행하기 위한 피커의 압력 제어 방법 및 이를 수행하기 위한 제어 변수들을 설정하는 방법

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Publication number Publication date
TW407331B (en) 2000-10-01
US6632703B2 (en) 2003-10-14
US20020175202A1 (en) 2002-11-28
KR19990082934A (ko) 1999-11-25
JPH11307553A (ja) 1999-11-05
US20010005640A1 (en) 2001-06-28
US6505823B2 (en) 2003-01-14

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