KR101214437B1 - 어레이 기판 및 어레이 기판의 단선 복구 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하는 어레이 기판으로서,상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하고, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되며, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지고,상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치며,상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판.
- 제1항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제1항에 있어서,상기 제2 크로스 스틱은 상기 제1 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제1항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱과 상기 제2 크로스 스틱의 폭은 5㎛보다도 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 어레이 기판의 제조방법으로서,상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,상기 방법은, 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2 개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치도록 형성하는 단계;상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치도록 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 제2 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 어레이 기판에서의 단선을 복구하는 방법으로서,상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치며,상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치며,상기 방법은, 단선이 발생하는 제1 신호 라인 또는 제2 신호 라인에서의 단점(斷點)의 위치를 확정하는 단계;제1 신호 라인에 단선이 발생한 경우, 레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱을 각각 단선이 발생한 제1 신호 라인의 같은 측에서의 대응하는 2개의 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제1 신호 라인에 연결하며, 또 대응하는 2개의 화소 전극을 그 사이의 제2 크로스 스틱을 개재하여 연결하고, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 대응하는 2개의 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계; 또는제2 신호 라인에 단선이 발생한 경우, 레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제2 크로스 스틱을 각각 단선이 발생한 제2 신 호 라인의 같은 측에서의 대응하는 2개의 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제2 신호 라인에 연결하며, 또 대응하는 2개의 화소 전극을 그 사이의 제1 크로스 스틱을 개재하여 연결하고, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 대응하는 2개의 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.
- 제8항에 있어서,대응하는 2개의 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 공정은, 상기 박막 트랜지스터의 단부와 대응하는 1개의 제1 신호 라인, 1개의 제2 신호 라인 또는 화소 전극의 연결을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.
- 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하는 어레이 기판으로서,상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하고, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되며, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지고,상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적 어도 2개의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판.
- 제10항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제10항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱의 폭은 5㎛보다도 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제10항에 있어서,상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제13항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제13항에 있어서,상기 제2 크로스 스틱은 상기 제1 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제13항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱과 상기 제2 크로스 스틱의 폭은 5㎛보다도 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 어레이 기판의 제조방법으로서,상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,상기 방법은, 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2 개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 제17항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 제17항에 있어서,상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 제19항에 있어서,상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 제19항에 있어서,상기 제2 크로스 스틱은 상기 제1 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재 료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
- 어레이 기판에서의 단선을 복구하는 방법으로서,상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치며,상기 방법은, 단선이 발생하는 제1 신호 라인에서의 단점이 동일한 화소 영역의 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱의 사이에 위치하는 것을 확정하는 단계;레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱을 단선이 발생한 제1 신호 라인의 같은 측에서의 대응하는 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제1 신호 라인에 연결하며, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 상기 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계;를 포 함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.
- 제22항에 있어서,상기 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 공정은, 박막 트랜지스터의 단부와 대응하는 1개의 제1 신호 라인, 1개의 제2 신호 라인 또는 화소 전극의 연결을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200810115594.5 | 2008-06-25 | ||
CN2008101155945A CN101614916B (zh) | 2008-06-25 | 2008-06-25 | Tft-lcd像素结构和液晶显示器修复断线的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100002154A KR20100002154A (ko) | 2010-01-06 |
KR101214437B1 true KR101214437B1 (ko) | 2012-12-21 |
Family
ID=41446957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090056257A KR101214437B1 (ko) | 2008-06-25 | 2009-06-24 | 어레이 기판 및 어레이 기판의 단선 복구 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8355091B2 (ko) |
JP (1) | JP5535530B2 (ko) |
KR (1) | KR101214437B1 (ko) |
CN (1) | CN101614916B (ko) |
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---|---|---|---|---|
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JPH08328035A (ja) | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Advanced Display:Kk | 液晶表示装置およびその製法ならびに点欠陥の修復方法 |
TW300341B (ko) * | 1995-05-30 | 1997-03-11 | Advanced Display Kk | |
JPH095786A (ja) | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Advanced Display:Kk | Tftアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびtftアレイ基板の製造方法 |
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-
2008
- 2008-06-25 CN CN2008101155945A patent/CN101614916B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-06-24 KR KR1020090056257A patent/KR101214437B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-24 US US12/490,438 patent/US8355091B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 JP JP2009150220A patent/JP5535530B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8355091B2 (en) | 2013-01-15 |
US20090322978A1 (en) | 2009-12-31 |
JP2010009047A (ja) | 2010-01-14 |
CN101614916B (zh) | 2012-05-30 |
KR20100002154A (ko) | 2010-01-06 |
JP5535530B2 (ja) | 2014-07-02 |
CN101614916A (zh) | 2009-12-30 |
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FPAY | Annual fee payment |
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