KR20100002154A

KR20100002154A - 어레이 기판 및 어레이 기판의 단선 복구 방법

Info

Publication number: KR20100002154A
Application number: KR1020090056257A
Authority: KR
Inventors: 즈롱 펑
Original assignee: 베이징 보에 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2008-06-25
Filing date: 2009-06-24
Publication date: 2010-01-06
Also published as: US8355091B2; US20090322978A1; JP2010009047A; CN101614916B; JP5535530B2; CN101614916A; KR101214437B1

Abstract

어레이 기판과 어레이 기판의 단선 복구 방법에 관한 것이다.

어레이 기판은 게이트 라인과 데이터 라인에 형성된 몇 개의 화소 영역을 구비하고, 각 화소 영역은 박막 트랜지스터와 화소 전극을 가지며, 인접하는 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 크로스 스틱이 형성된다. 상기 크로스 스틱은 일단이 하나의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 타단이 다른 하나의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치며, 중간 부분이 게이트 라인과 또는 데이터 라인과 겹친다. 액정 디스플레이 단선 복구 방법은, 상기 게이트 라인 단점 양측의 게이트 라인 또는 데이터 라인 단점 양측의 데이터 라인을 크로스 스틱과 화소 전극을 개재하여 연결하는 단계, 레이저 절단 방법에 의해 상기 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계를 구비한다.

TFT-LCD, 액정 디스플레이, 단선, 복구

Description

어레이 기판 및 어레이 기판의 단선 복구 방법{Array substrate and method for repairing broken line of array substrate}

본 발명은 액정 디스플레이에 관한 것이다.

액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)는 부피가 작고 에너지 소비가 적으며 복사가 없는 등의 장점을 가지고, 점차 평면 디스플레이에 있어서 주도적 지위를 차지하여 왔다. 액정 디스플레이의 본체 구조는 조합되어 있고, 액정층을 그 사이에 두고 배치하는 어레이 기판과 컬러 필름 기판을 구비한다. 어레이 기판에 주사 신호를 제공하는 게이트 라인, 데이터 신호를 제공하는 데이터 라인, 화소 유닛에서의 화소 전극이 형성되어 있다.

액정 디스플레이의 제조공정은 주로 어레이 기판 및 컬러 필름 기판을 제조하는 어레이 공정, 어레이 기판 및 컬러 필름 기판을 조합하여 액정을 주입하는 셀화 공정, 후속의 다이세트 공정을 구비한다. 상기 제조공정에서 단선은 흔한 불량이고, 화소 불량에 비해 단선 불량의 발생률은 매우 높다. 단선 불량이 셀화 공정 전에 발견된 경우, 종래기술에는 통상 화학 기상 증착 복구법(CVD Repair)으로 브리징 복구를 하지만, 셀화 공정 후에 발견된 단선 불량에 대해 종래기술에는 정확 하게 실시할 수 있는 해결안은 제공되어 있지 않다.

발생한 단선의 구조가 통상 복잡하고, 예를 들어 단선은 데이터 라인과 게이트 라인의 교차부에 위치하거나(데이터 라인 또는 게이트 라인이 절단) 또는 데이터 라인과 공통 전극 라인의 교차부에 위치한다(데이터 라인 또는 공통 전극 라인이 절단). 그 때문에, 셀화 공정 전에 화학 기상 증착법에 의한 브리징 복구를 한다고 해도 복구의 난이도가 높고 복구의 성공률도 높지 않다. 현재의 화소 구조에 기초하여 셀화 공정 후에 나타난 단선 불량에 대해 종래기술은 불합격(NG) 처리밖에 할 수 없어 폐기 비용이 높다.

종래기술에 의해 화소 구조의 외주 영역에 복구 라인을 배치한다는 기술이 제안되었다. 그러나, 실제의 사용중 소량이고 긴 복구 라인을 외주 영역에 배치함으로써 데이터 라인 단선을 1~2개밖에 복구할 수 없을 뿐만 아니라, 복구 효과도 나쁘고 복구의 성공률도 낮다.

본 발명의 하나의 실시예에 있어서, 어레이 기판이 제출되었다. 해당 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정한다. 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결된 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결된 제2 단, 상기 화소 전극과 연결된 제3 단을 가진다. 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹친다. 상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹친다. 본 발 명의 실시예에 있어서, 상기 어레이 기판의 제조방법도 더 제출되었다.

상기 어레이 기판의 단선 복구 방법은 이하의 단계를 구비한다. 즉, 단선이 발생하는 제1 신호 라인 또는 제2 신호 라인에서의 단점의 위치를 확정하는 단계, 제1 신호 라인에 단선이 발생한 경우, 레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱을 각각 단선이 발생한 제1 신호 라인의 같은 측에서의 대응하는 2개의 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제1 신호 라인에 연결하며, 또 대응하는 2개의 화소 전극을 그 사이의 제2 크로스 스틱을 개재하여 연결하고, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 대응하는 2개의 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계, 또는 제2 신호 라인에 단선이 발생한 경우, 레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제2 크로스 스틱을 각각 단선이 발생한 제2 신호 라인의 같은 측에서의 대응하는 2개의 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제2 신호 라인에 연결하며, 또 대응하는 2개의 화소 전극을 그 사이의 제1 크로스 스틱으로 연결하고, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 대응하는 2개의 화소 전극이 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계이다.

본 발명의 실시예에 있어서, 그 밖의 어레이 기판이 제출되었다. 해당 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정한다. 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연 결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가진다. 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹친다. 본 발명의 실시예에 있어서, 상기 어레이 기판의 제조방법도 더 제출되었다.

상기 어레이 기판의 단선 복구 방법은 이하의 단계를 구비한다. 즉, 단선이 발생하는 제1 신호 라인에서의 단점이 동일한 화소 영역의 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱의 사이에 위치하는 것을 확정하는 단계, 레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱을 각각 단선이 발생한 제1 신호 라인의 같은 측에서의 대응하는 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제1 신호 라인에 연결하며, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 상기 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계이다.

이제 도면과 실시예에 의해 본 발명의 실시형태에 대해 더욱 상세한 설명을 한다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법은 종래의 화학 기상 증착 브리징 기술과 달리, 크로스 스틱과 화소 전극을 도전층으로서 레이저 용접과 레이저 절단을 조합하여 게이트 라인 단선 또는 데이터 라인 단선을 복구하는 기술안이 제공되었다. 도전층으로 하는 크로스 스틱에 의해 게이트 라인 또는 데이터 라인과 화소 전극의 연결을 마련하고, 도전층으로 하는 화소 전극에 의해 크로스 스틱 간의 연결을 마련하며, 게이트 라인의 단선 불량을 화소점 불량으로 복구하고, 즉 휘선 결함을 브라이트 스폿 또는 덕 스폿 결함으로 복구한다. 본 발명의 단선 복구는 어레이 공정의 마지막에 행해도 되고, 종래의 화학 기상 증착 복구법에서의 브리징 복구가 실패한 후에 행해도 되며, 또 셀화 공정 후에 행해도 된다. 단선 불량을 화소점 불량으로 복구함으로써 결함이 있는 액정 디스플레이의 레벨을 향상시키고, 액정 디스플레이 제조공정에서 단선 불량에 의한 폐기 비용을 최대한 저감하였다. 본 발명의 상기 실시예에서 알 수 있는 바와 같이, 종래의 화학 기상 증착 브리징 복구에서 레이저 용접 공정과 필름 코팅 공정을 행하는 것에 비해 본 발명의 단선 복구에서 레이저 용접만 행하기 때문에, 단선 복구 방법은 간단하고 복구의 성공률은 높으며 복잡한 단선 상황의 복구에 적용할 수 있어 적용의 잠재력이 크다.

도 1은 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제1 실시예의 구조 개략도이다. 도 2는 도 1의 A-A방향의 단면도이고, 도 3은 도 1의 B-B방향의 단면도이다.

도 1, 2, 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 TFT-LCD 화소 구조는 게이트 라인(1), 데이터 라인(2), 화소 전극(3), 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다. 서로 교차하는 게이트 라인(1)과 데이터 라인(2)은 몇 개의 화소 영역을 한정하고, TFT는 양자의 교차부에 형성된다. 이 화소 구조는 화소 전극(3)이 화소 영역에 형성되고, 게이트 라인(1)과 함께 메모리 콘덴서에 형성하기 때문에, 메모리 콘덴서가 게 이트 라인(Cst On Gate)에 위치하는 화소 구조이다. 본 실시예의 TFT구조는, 예를 들어 적어도 기판에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극의 상방에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 게이트 전극은 게이트 라인(1)에 연결하며, 소스 전극은 데이터 라인(2)에 연결하고, 드레인 전극은 패시베이션층의 비아홀을 개재하여 화소 전극(3)에 연결한다.

본 실시예에 있어서, 하나의 화소의 행에서 2개의 인접하는 화소 전극(3)의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱(4)이 형성되어 있고, 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 전극(3)의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱(5)이 형성되어 있다. 제1 크로스 스틱(4)은 일단이 데이터 라인(2)의 좌측의 화소 전극(3)과 겹치고, 타단이 데이터 라인(2)의 우측의 화소 전극(3)과 겹치며, 중간 부분이 데이터 라인(2)과 겹친다. 제2 크로스 스틱(5)은 일단이 게이트 라인(1)의 상측의 화소 전극(3)과 겹치고, 타단이 게이트 라인(1)의 하측의 화소 전극(3)과 겹치며, 중간 부분이 게이트 라인(1)과 겹친다.

본 실시예에 있어서, 2개의 인접하는 화소 영역 사이의 제1 크로스 스틱(4)은 1개, 2개 또는 복수이어도 되고, 제1 크로스 스틱(4)과 게이트 라인(1)은 같은 층에 있으며, 또한 양자는 동일한 패터닝 공정으로 형성할 수 있다. 제1 크로스 스틱(4)은 게이트 라인(1)과 평행한 수평 크로스 스틱이고, 그 폭은 5㎛보다도 크며, 좌우 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 배치되고, 또한 데이터 라인(3)을 걸쳐 설치하는 다리형상 구성과 같이 형성되는 것이 바람직하다. 구체적으로는 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 있어서 제1 크로스 스틱(4)은 기판(S)에 형성되 고, 게이트 절연층(11)은 제1 크로스 스틱(4)에 형성되어 기판 전체를 피복하며, 데이터 라인(2)은 게이트 절연층(11)에 형성되고, 패시베이션층(12)은 데이터 라인(2)에 형성되어 기판 전체를 피복하며, 2개의 화소 전극(3)은 패시베이션층(12)에 형성되어 데이터 라인(2)의 양측에 위치한다.

유사적으로 본 실시예에 있어서, 2개의 인접하는 화소 영역 사이의 제2 크로스 스틱(5)은 1개, 2개 또는 복수이어도 되고, 제2 크로스 스틱(5)과 데이터 라인(2)은 같은 층에 있으며, 또한 양자는 동일한 패터닝 공정으로 형성할 수 있다. 제2 크로스 스틱(5)은 데이터 라인(2)과 평행한 수직 크로스 스틱이고, 그 폭은 5㎛보다도 크며, 상하 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 배치되고, 또한 게이트 라인(1)을 걸쳐 설치하는 다리형상 구성과 같이 형성되는 것이 바람직하다. 구체적으로는 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 있어서 게이트 라인(1)은 기판(S)에 형성되고, 게이트 절연층(11)은 게이트 라인(1)에 형성되어 기판 전체를 피복하며, 제2 크로스 스틱(5)은 게이트 절연층(11)에 형성되어 게이트 라인(1)의 상방에 위치하고, 패시베이션층(12)은 제2 크로스 스틱(5)에 형성되어 기판 전체를 피복하며, 2개의 화소 전극(3)은 패시베이션층(12)에 형성되고, 그 하나의 화소 전극(3)은 게이트 라인(1)의 한 쪽에 위치하며, 다른 하나의 화소 전극(3)은 게이트 라인(1)의 다른 쪽에 위치하여 게이트 라인(1)과 부분적으로 겹친다.

예를 들면, 액정 디스플레이의 제조공정에서 데이터 라인의 단선 불량이 발생한 경우, 우선 데이터 라인의 단점을 확정하고, 다음에 레이저 용접 공정에 의해 데이터 라인 단점의 상측에 있는 제1 크로스 스틱과 데이터 라인의 좌측(또는 우 측)에 있는 화소 전극을 용접하며, 데이터 라인 단점의 하측에 있는 제1 크로스 스틱과 데이터 라인의 좌측(또는 우측)에 있는 화소 전극을 용접하고, 데이터 라인의 좌측(또는 우측)에 있는 2개의 화소 전극을 그 사이에 배치된 제2 크로스 스틱을 개재하여 용접하며, 데이터 라인 단점의 양측의 데이터 라인을 상측에 있는 제1 크로스 스틱, 화소 전극, 제2 크로스 스틱, 화소 전극, 하측에 있는 제1 크로스 스틱을 개재하여 재연결시킨다. 또한, 예를 들면, 액정 디스플레이의 제조공정에 있어서 게이트 라인의 단선 불량이 발생한 경우, 우선 게이트 라인의 단점을 확정하고, 다음에 레이저 용접 공정에 의해 게이트 라인 단점의 좌측에 있는 제2 크로스 스틱과 게이트 라인의 하측(또는 상측)에 있는 화소 전극을 용접하며, 단점의 우측에 있는 제2 크로스 스틱과 게이트 라인의 하측(또는 상측)에 있는 화소 전극을 용접하고, 게이트 라인의 하측(또는 상측)에 있는 2개의 화소 전극을 그 사이에 배치된 제1 크로스 스틱을 개재하여 용접하며, 게이트 라인 단점의 양측의 게이트 라인을 좌측에 있는 제2 크로스 스틱, 화소 전극, 제1 크로스 스틱, 화소 전극, 우측에 있는 제2 크로스 스틱을 개재하여 재연결시킨다.

본 실시예에서는, 메모리 콘덴서가 게이트 라인(Cst On Gate)에서의 화소 구조에 대해서만 설명하였지만, 실제의 사용중 본 실시예의 상기 기술안은 이에 한정되지 않고, 메모리 콘덴서가 공통 전극 라인(Cst On Common)에서의 화소 구조에도 동일하게 적용할 수 있다.

도 4는 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제2 실시예의 구조 개략도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 TFT-LCD 화소 구조의 본체 구조는 제1 실 시예와 거의 같고, 본 실시예에 있어서 하나의 화소의 행에서 2개의 인접하는 화소 전극(3)의 사이에 적어도 2개의 제1 크로스 스틱(4)이 형성되는 점에서 제1 실시예와 다르다. 각 제1 크로스 스틱(4)의 구조 형식은 제1 실시예와 같기 때문에, 설명을 생략한다.

액정 디스플레이의 제조공정에서 데이터 라인의 단선 불량이 발생한 경우, 우선 데이터 라인의 단점을 확정하고, 다음에 레이저 용접에 의해 데이터 라인 단선의 상측에 있는 제1 크로스 스틱과 데이터 라인의 좌측(또는 우측)에 있는 화소 전극을 용접하며, 데이터 라인 단점의 하측에 있는 다른 하나의 제1 크로스 스틱과 데이터 라인의 좌측(또는 우측)에 있는 화소 전극을 용접하고, 데이터 라인 단점의 양측의 데이터 라인을 상측에 있는 제1 크로스 스틱, 화소 전극, 하측에 있는 제1 크로스 스틱을 개재하여 재연결시킨다.

또한, 제2 실시예를 제1 실시예와 조합하여 새로운 기술안을 형성하는 것도 가능하다. 예를 들면, 하나의 화소의 행에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 2개의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있고, 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 하나의 제2 크로스 스틱이 형성되어 있다. 액정 디스플레이의 제조공정에서 데이터 라인의 단선 불량이 발생한 경우, 우선 단점의 위치를 확정한다. 데이터 라인 단점이 동일한 화소 전극의 2개의 제1 크로스 스틱의 사이에 위치하는 경우, 상기 제2 실시예의 복구 방법에 의해 2개의 제1 크로스 스틱과 하나의 화소 전극을 개재하여 데이터 라인을 재연결시킨다. 한편, 데이터 라인 단점이 인접하는 화소 전극의 2개의 제1 크로스 스틱의 사이에 위치하는 경우, 상기 제1 실 시예의 복구 방법에 의해 하나의 화소 전극의 제1 크로스 스틱, 2개의 화소 전극 사이의 제2 크로스 스틱, 다른 하나의 화소 전극의 제1 크로스 스틱을 개재하여 데이터 라인을 재연결시킨다.

도 5는 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제3 실시예의 구조 개략도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 TFT-LCD 화소 구조의 본체 구조는 제1 실시예와 거의 같고, 본 실시예에는 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 전극(3)의 사이에 적어도 2개의 제2 크로스 스틱(5)이 형성되는 점에서 제1 실시예와 다르다. 각 제2 크로스 스틱(5)의 구조 형식은 제1 실시예와 같기 때문에, 설명을 생략한다.

액정 디스플레이의 제조공정에서 게이트 라인의 단선 불량이 발생한 경우, 우선 게이트 라인의 단점을 확정하고, 다음에 레이저 용접에 의해 게이트 라인 단점의 좌측에 있는 제2 크로스 스틱과 게이트 라인의 하측(또는 상측)에 있는 화소 전극을 용접하며, 단점의 우측에 있는 제2 크로스 스틱과 게이트 라인의 하측(또는 상측)에 있는 화소 전극을 용접하고, 게이트 라인 단점의 양측의 게이트 라인을 좌측에 있는 제2 크로스 스틱, 화소 전극, 우측에 있는 제2 크로스 스틱을 개재하여 재연결시킨다.

또한, 제3 실시예를 제1 실시예와 조합하여 새로운 기술안을 형성하는 것도 가능하다. 예를 들면, 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 2개의 제2 크로스 스틱이 형성되어 있고, 하나의 화소의 행에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 하나의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있다. 액정 디스플레이의 제 조공정에서 게이트 라인의 단선 불량이 발생한 경우, 우선 게이트 라인 단점의 위치를 확정한다. 게이트 라인 단점이 동일한 화소 전극의 2개의 제2 크로스 스틱의 사이에 위치하는 경우, 상기 제3 실시예의 복구 방법에 의해 2개의 제2 크로스 스틱과 하나의 화소 전극을 개재하여 게이트 라인을 재연결시킨다. 한편, 게이트 라인 단점이 인접하는 화소 전극의 2개의 제2 크로스 스틱의 사이에 위치하는 경우, 상기 제1 실시예의 복구 방법에 의해 하나의 화소 전극의 제2 크로스 스틱, 2개의 화소 전극 사이의 제1 크로스 스틱, 다른 하나의 화소 전극의 제2 크로스 스틱을 개재하여 게이트 라인을 재연결시킨다.

여기서 이하를 설명한다. 즉, 상기 실시예에서 게이트 라인의 단선 또는 데이터 라인의 단선을 복구할 때, 화소 전극이 도전층으로서 이용되기 때문에, 복구 공정에는 대응하는 화소 영역의 TFT를 실효시키는 단계를 더 구비한다. 본 발명에서 크로스 스틱이 배치됨으로써 개구율이 어느 정도 저감하지만, 크기가 큰 액정 디스플레이에서는 개구율의 저감 정도는 얼마 안 되기 때문에, 표시의 질에 부여하는 영향은 작다. 따라서, 본 발명은 특히 크기가 크고, 개구율에 대한 요구가 엄격하지 않은 액정 디스플레이에 적용한다. 예를 들면, 크기가 150㎛×300㎛인 화소 전극에 대해 하나의 화소 영역에 4개의 크로스 스틱이 배치되고, 각 크로스 스틱과 화소 전극이 겹치는 면적이 5㎛×5㎛임을 기초로 하여 계산하면, 유효한 화소 전극의 면적은 150㎛×300㎛-4×5㎛×5㎛=44900μ㎡이고, 화소 전극의 면적은 0.22%밖에 감소하지 않는다.

본 발명의 상기 실시예에서 TFT-LCD 화소 구조가 제공되었다. 인접하는 화소 영역의 사이에 연결을 복구하기 위한 크로스 스틱이 배치되고, 액정 디스플레이의 제조공정에서 단선 불량이 발생하는 경우에 게이트 라인의 단선 불량과 데이터 라인의 단선 불량의 어느 하나에 대해서도 본 발명의 크로스 스틱에서 단선 복구를 행할 수 있다. 단선 복구는 어레이 공정의 마지막에 행해도 되고, 종래의 화학 기상 증착 복구법에 의한 브리징 복구가 실패한 후에 행해도 되며, 또 셀화 공정 후에 행해도 된다. 단선 불량을 화소점 불량으로 복구함으로써, 본 발명은 액정 디스플레이 제조공정에서 단선 불량에 의한 폐기 비용을 최대한 저감하였다.

다음에, 구체적인 실시예에 의해 화소 구조의 제조방법을 더 설명한다. 이하의 설명에서, 본 발명의 패터닝 공정은 포토레지스트의 도포, 마스킹, 노광, 에칭, 박리 등의 공정을 구비한다.

본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제조방법의 제1 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 11: 기판에 게이트 금속층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 게이트 금속층에 대해 패터닝을 행하여 기판에 게이트 라인과 게이트 전극 패턴을 형성함과 동시에, 하나의 화소의 행에서 2개의 인접하는 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱 패턴을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 일단이 좌측의 형성하는 화소 전극과 겹치고, 타단이 우측의 형성하는 화소 전극과 겹치며, 중간 부분이 형성하는 데이터 라인과 겹친다.

단계 12: 단계 11을 거친 기판에 게이트 절연층, 반도체층, 도프 반도체층을 연속적으로 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 반도체층과 도프 반도체층에 대해 패터 닝를 행하여 게이트 전극에 활성층 패턴을 형성한다.

단계 13: 단계 12를 거친 기판에 소스·드레인 금속층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 소스·드레인 금속층에 대해 패터닝을 행하여 데이터 라인, 소스 전극, 드레인 전극, TFT 채널 영역 패턴을 형성함과 동시에, 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱 패턴을 형성하며, 상기 제2 크로스 스틱은 일단이 상측의 형성하는 화소 전극과 겹치고, 타단이 하측의 형성하는 화소 전극과 겹치며, 중간 부분이 게이트 라인과 겹친다.

단계 14: 단계 13을 거친 기판에 패시베이션층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 패시베이션층에 대해 패터닝을 행하여 드레인 전극의 위치에 패시베이션층의 비아홀을 형성한다.

단계 15: 단계 14를 거친 기판에 투명 도전층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 투명 도전층에 대해 패터닝을 행하여 화소 전극을 형성하며, 화소 전극은 패시베이션층의 비아홀을 개재하여 드레인 전극과 연결한다.

본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제조방법의 제2 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 21: 기판에 게이트 금속층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 게이트 금속층에 대해 패터닝을 행하여 기판에 게이트 라인과 게이트 전극 패턴을 형성함과 동시에, 하나의 화소의 행에서 2개의 인접하는 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 제1 크로스 스틱 패턴을 형성하며, 상기 제1 크로스 스틱은 일단이 좌측의 형성하는 화소 전극과 겹치고, 타단이 우측의 형성하는 화소 전극과 겹치며, 중간 부분이 형성하는 데이터 라인과 겹친다.

단계 22: 단계 21을 거친 기판에 게이트 절연층, 반도체층, 도프 반도체층을 연속적으로 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 반도체층과 도프 반도체층에 대해 패터닝를 행하여 게이트 전극에 활성층 패턴을 형성한다.

단계 23: 단계 22를 거친 기판에 소스·드레인 금속층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 소스·드레인 금속층에 대해 패터닝을 행하여 데이터 라인, 소스 전극, 드레인 전극, TFT 채널 영역 패턴을 형성한다.

단계 24: 단계 23을 거친 기판에 패시베이션층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 패시베이션층에 대해 패터닝을 행하여 드레인 전극의 위치에 패시베이션층의 비아홀을 형성한다.

단계 25: 단계 24를 거친 기판에 투명 도전층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 투명 도전층에 대해 패터닝을 행하여 화소 전극을 형성하며, 화소 전극은 패시베이션층의 비아홀을 개재하여 드레인 전극과 연결한다.

본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제조방법의 제3 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 31: 기판에 게이트 금속층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 게이트 금속층에 대해 패터닝을 행하여 기판에 게이트 라인과 게이트 전극 패턴을 형성한다.

단계 32: 단계 31을 거친 기판에 게이트 절연층, 반도체층, 도프 반도체층을 연속적으로 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 반도체층과 도프 반도체층에 대해 패터닝을 행하여 게이트 전극에 활성층 패턴을 형성한다.

단계 33: 단계 32를 거친 기판에 소스·드레인 금속층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 소스·드레인 금속층에 대해 패터닝을 행하여 데이터 라인, 소스 전극, 드레인 전극, TFT 채널 영역 패턴을 형성함과 동시에, 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 제2 크로스 스틱 패턴을 형성하며, 상기 제2 크로스 스틱은 일단이 상측의 형성하는 화소 전극과 겹치고, 타단이 하측의 형성하는 화소 전극과 겹치며, 중간 부분이 게이트 라인과 겹친다.

단계 34: 단계 33을 거친 기판에 패시베이션층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 패시베이션층에 대해 패터닝을 행하여 드레인 전극의 위치에 패시베이션층의 비아홀을 형성한다.

단계 35: 단계 34를 거친 기판에 투명 도전층을 퇴적하고, 패터닝 공정에 의해 투명 도전층에 대해 패터닝을 행하여 화소 전극을 형성하며, 화소 전극은 패시베이션층의 비아홀을 개재하여 드레인 전극과 연결한다.

본 발명의 상기 실시예에서 단지 5회의 패터닝 공정을 예로서 설명하였지만, 본 실시예의 제1 크로스 스틱 패턴과 게이트 라인 패턴은 동시에 형성되고, 제2 크로스 스틱 패턴과 데이터 라인 패턴은 동시에 형성되기 때문에, 실제의 사용중 본 발명의 기술안은 4회 내지 3회의 패터닝 공정에도 완전히 적용할 수 있다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법에 대응하는 TFT-LCD 화소 구조는, 예를 들면 도 1, 4, 5에 나타난 실시예 또는 그들의 조합이다. 본 발명의 실시예에 채용된 상기 레이저 용접 방법은, 레이저에 의한 고온을 이용하여 상층과 하층의 금속 박막을 용해함과 동시에, 해당 상하 2층의 금속 박막 사이의 절연층에 비아홀을 형성하고, 용해된 2층의 금속 박막을 해당 비아홀을 개재하여 연결시키는 방법이다.

다음에는 단선 복구의 구체적인 실시예에 의해 본 발명의 기술안을 더 설명한다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제1 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 111: 데이터 라인 단점의 위치를 확정한다.

단계 112: 상기 데이터 라인 단점의 위치에 기초하여 하나의 화소의 열에서 제1 화소 영역, 제2 화소 영역이라는 2개의 인접하는 화소 영역을 선택하고, 상기 2개의 화소 영역은 모두 상기 데이터 라인의 동일 측에 위치한다.

단계 113: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 제1 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 제1 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제1 크로스 스틱을 상기 데이터 라인 단점의 한쪽의 데이터 라인과 용접하고, 데이터 라인 단점의 한쪽의 데이터 라인과 제1 화소 영역 내의 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 114: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 제2 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 제1 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제1 크로스 스틱을 상기 데이터 라인 단점의 다른 쪽의 데이터 라인과 용접하고, 데이터 라인 단점의 다른 쪽의 데이터 라인과 제2 화소 영역 내의 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 115: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 제1 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 제2 크로스 스틱과 용접하고, 상기 제2 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 동일한 제2 크로스 스틱과 용접하며, 2개의 화소 영역 내의 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 116: 레이저 절단 방법에 의해, 상기 제1 화소 영역과 제2 화소 영역 내의 TFT를 실효시킨다.

도 6은 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제1 실시예의 개략도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에서의 화소 구조는 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제1 실시예(도 1)와 같다. 셀화 공정 전 또는 셀화 공정 후의 검출공정에서 데이터 라인의 단선 불량이 발견되었을 때, 데이터 라인의 단선 불량에 의해 데이터 라인에 휘선이 나타난다. 우선 데이터 라인 단점(6)의 위치를 측정하고, 다음에 데이터 라인 단점(6)의 위치에 기초하여 하나의 화소의 열에서 상측의 화소 영역(제1 화소 영역이라고 함)과 하측의 화소 영역(제2 화소 영역이라고 함)이라는 2개의 인접하는 화소 영역을 선택하며, 상기 2개의 화소 영역은 모두 데이터 라인의 동일측(예를 들면, 좌측)에 위치한다. 레이저 용접 방법에 의해, 상측의 화소 영역에 위치하는 제1 크로스 스틱(41)을 데이터 라인 단점(6)의 상측의 데이터 라인과 용접하여 용접점(a)을 형성하고, 제1 크로스 스틱(41)을 상측의 화소 영역에 위치하는 화소 전극(31)과 용접하여 용접점(b)을 형성하며, 데이터 라인 단점(6)의 상측의 데이터 라인을 용접점(a), 제1 크로스 스틱(41), 용접점(b)을 개재하여 화소 전극(31)에 연결시킨다. 레이저 용접 방법에 의해, 하측의 화소 영역에 위치하는 제1 크로스 스틱(42)을 데이터 라인 단점(6)의 하측의 데이터 라인과 용접하여 용접점(c)을 형성하고, 제1 크로스 스틱(42)을 하측의 화소 영역에 위치 하는 화소 전극(32)과 용접하여 용접점(d)을 형성하며, 데이터 라인 단점(6)의 하측의 데이터 라인을 용접점(c), 제1 크로스 스틱(42), 용접점(d)을 개재하여 화소 전극(32)에 연결시킨다. 레이저 용접 방법에 의해, 상측의 화소 영역에 위치하는 화소 전극(31)을 제2 크로스 스틱(5)의 일단과 용접하여 용접점(e)을 형성하고, 하측의 화소 영역에 위치하는 화소 전극(32)을 제2 크로스 스틱(5)의 타단과 용접하여 용접점(f)을 형성하며, 화소 전극(31)과 화소 전극(32)을 용접점(e), 제2 크로스 스틱(5), 용접점(f)을 개재하여 연결시킨다. 이렇게 하여 데이터 라인 단점(6) 양측의 데이터 라인은 용접점(a), 제1 크로스 스틱(41), 용접점(b), 화소 전극(31), 용접점(e), 제2 크로스 스틱(5), 용접점(f), 화소 전극(32), 용접점(d), 제1 크로스 스틱(42), 용접점(c)을 개재하여 재연결하고, 데이터 라인 단선의 복구가 실현되었다. 마지막으로, 레이저 절단 방법에 의해 상측의 화소 영역과 하측의 화소 영역 내의 TFT를 실효시키고 휘선 불량을 화소점 불량으로 복구한다. 명백히 본 실시예에서의 단계 113~116은 단지 일종의 실시형태에 대한 설명이고, 실제의 사용중 임의의 순서로 실시해도 된다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제2 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 121: 게이트 라인 단점의 위치를 확정한다.

단계 122: 상기 게이트 라인 단점의 위치에 기초하여 하나의 화소의 행에서 제1 화소 영역, 제2 화소 영역이라는 2개의 인접하는 화소 영역을 선택하고, 상기 2개의 화소 영역은 모두 상기 게이트 라인의 동일 측에 위치한다.

단계 123: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 제1 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 제2 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제2 크로스 스틱을 상기 게이트 라인 단점의 한쪽의 게이트 라인과 용접하고, 게이트 라인 단점의 한쪽의 게이트 라인과 제1 화소 영역 내의 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 124: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 제2 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 제2 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제2 크로스 스틱을 상기 게이트 라인 단점의 다른 쪽의 게이트 라인과 용접하고, 게이트 라인 단점의 다른 쪽의 게이트 라인과 제2 화소 영역 내의 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 125: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 제1 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 제1 크로스 스틱과 용접하고, 상기 제2 화소 영역에 위치하는 화소 전극을 동일한 제1 크로스 스틱과 용접하며, 2개의 화소 영역 내의 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 126: 레이저 절단 방법에 의해 상기 제1 화소 영역과 제2 화소 영역 내의 TFT를 실효시킨다.

도 7은 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제2 실시예의 개략도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에서의 화소 구조는 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제1 실시예(도 1)와 같다. 셀화 공정 전 또는 셀화 공정 후의 검출공정에서 게이트 라인의 단선 불량이 발견되었을 때, 게이트 라인의 단선 불량에 의해 게이트 라인에 휘선이 나타난다. 우선 게이트 라인 단점(7)의 위치를 측정하고, 다음에 게이트 라인 단점(7)의 위치에 기초하여 하나의 화소의 행에서 좌측의 화소 영역(제1 화소 영역이라고 함)과 우측의 화소 영역(제2 화소 영역이라고 함)이라는 2개의 인접하는 화소 영역을 선택하며, 상기 2개의 화소 영역은 모두 게이트 라인의 동일 측(예를 들면, 하측)에 위치한다. 레이저 용접 방법에 의해, 좌측의 화소 영역에 위치하는 제2 크로스 스틱(51)을 게이트 라인 단점(7)의 좌측의 게이트 라인과 용접하여 용접점(a)을 형성하고, 제2 크로스 스틱(51)을 좌측의 화소 영역에 위치하는 화소 전극(31)과 용접하여 용접점(b)을 형성하며, 게이트 라인 단점(7)의 좌측의 게이트 라인을 용접점(a), 제2 크로스 스틱(51), 용접점(b)을 개재하여 화소 전극(31)에 연결시킨다. 레이저 용접 방법에 의해, 우측의 화소 영역에 위치하는 제2 크로스 스틱(52)을 게이트 라인 단점(7)의 우측의 게이트 라인과 용접하여 용접점(c)을 형성하고, 제2 크로스 스틱(52)을 우측의 화소 영역에 위치하는 화소 전극(32)과 용접하여 용접점(d)을 형성하며, 게이트 라인 단점(7)의 우측의 게이트 라인을 용접점(c), 제2 크로스 스틱(52), 용접점(d)을 개재하여 화소 전극(32)에 연결시킨다. 레이저 용접 방법에 의해, 좌측의 화소 영역에 위치하는 화소 전극(31)을 제1 크로스 스틱(4)의 일단과 용접하여 용접점(e)을 형성하고, 우측의 화소 영역에 위치하는 화소 전극(32)을 제1 크로스 스틱(4)의 타단과 용접하여 용접점(f)을 형성하며, 화소 전극(31)과 화소 전극(32)을 용접점(e), 제1 크로스 스틱(4), 용접점(f)을 개재하여 연결시킨다. 이렇게 하여 게이트 라인 단점(7) 양측의 데이터 라인은 용접점(a), 제2 크로스 스틱(51), 용접점(b), 화소 전극(31), 용접점(e), 제1 크로스 스틱(4), 용접점(f), 화소 전극(32), 용접점(d), 제2 크로스 스틱(52), 용접점(c)을 개재하여 재연결하고, 게이트 라인 단선의 복구 가 실현되었다. 마지막으로, 레이저 절단 방법에 의해 좌측의 화소 영역과 우측의 화소 영역 내의 TFT를 실효시키고 휘선 불량을 화소점 불량으로 복구한다. 명백히 본 실시예에서의 단계 123~126은 일종의 실시형태에 대한 설명일 뿐이고, 실제의 사용중 임의의 순서로 실시해도 된다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제3 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 131: 데이터 라인 단점의 위치를 확정한다.

단계 132: 상기 데이터 라인 단점의 위치에 기초하여 데이터 라인 단점이 위치하는 단점 화소 영역을 선택한다.

단계 133: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 데이터 라인 단점의 한쪽의 데이터 라인을 해당 측에 위치하는 제1 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제1 크로스 스틱을 상기 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극과 용접한다. 레이저 용접 방법에 의해, 상기 데이터 라인 단점의 다른 쪽의 데이터 라인을 해당 측에 위치하는 제1 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제1 크로스 스틱을 상기 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극과 용접한다. 데이터 라인 단점의 양측의 데이터 라인과 동일한 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 134: 레이저 절단 방법에 의해, 상기 단점 화소 영역 내의 TFT를 실효시킨다.

도 8은 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제3 실시예의 개략도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에서의 화소 구조는 본 발명에 관 한 TFT-LCD 화소 구조의 제2 실시예(도 4)와 같다. 우선 데이터 라인 단점(6)의 위치를 측정하고, 다음에 데이터 라인 단점(6)의 위치에 기초하여 단점 화소 영역을 확정하며, 해당 단점 화소 영역은 데이터 라인의 한쪽(예를 들면, 좌측)에 위치한다. 레이저 용접 방법에 의해, 단점 화소 영역에 위치하는 제1 크로스 스틱(41)을 데이터 라인 단점(6)의 상측의 데이터 라인과 용접하여 용접점(a)을 형성하고, 제1 크로스 스틱(41)을 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극(3)과 용접하여 용접점(b)을 형성하며, 데이터 라인 단점(6)의 상측의 데이터 라인을 용접점(a), 제1 크로스 스틱(41), 용접점(b)을 개재하여 화소 전극(3)에 연결시킨다. 레이저 용접 방법에 의해, 단점 화소 영역에 위치하는 제1 크로스 스틱(42)을 데이터 라인 단점(6)의 하측의 데이터 라인과 용접하여 용접점(c)을 형성하고, 제1 크로스 스틱(42)을 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극(3)과 용접하여 용접점(d)을 형성하며, 데이터 라인 단점(6)의 하측의 데이터 라인을 용접점(c), 제1 크로스 스틱(42), 용접점(d)을 개재하여 화소 전극(32)에 연결시킨다. 이렇게 하여 데이터 라인 단점(6) 양측의 데이터 라인은 용접점(a), 제1 크로스 스틱(41), 용접점(b), 화소 전극(3), 용접점(d), 제1 크로스 스틱(42), 용접점(c)을 개재하여 재연결하고, 데이터 라인 단선의 복구가 실현되었다. 마지막으로, 레이저 절단 방법에 의해 단점 화소 영역 내의 TFT를 실효시키고 휘선 불량을 화소점 불량으로 복구한다. 명백히 본 실시예에서의 단계 133, 134는 단지 일종의 실시법에 대한 설명이고, 실제의 사용중 임의의 순서로 실시해도 된다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제4 실시예는 하기의 단 계를 구비한다. 즉,

단계 141: 게이트 라인 단점의 위치를 확정한다.

단계 142: 상기 게이트 라인 단점의 위치에 기초하여 게이트 라인 단점이 위치하는 단점 화소 영역을 선택한다.

단계 143: 레이저 용접 방법에 의해, 상기 게이트 라인 단점의 한쪽의 게이트 라인을 해당 측에 위치하는 제2 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제2 크로스 스틱을 상기 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극과 용접한다. 레이저 용접 방법에 의해, 상기 게이트 라인 단점의 다른 쪽의 게이트 라인을 해당 측에 위치하는 제2 크로스 스틱과 용접하면서, 상기 제2 크로스 스틱을 상기 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극과 용접한다. 게이트 라인 단점의 양측의 게이트 라인과 동일한 화소 전극의 연결을 마련한다.

단계 144: 레이저 절단 방법에 의해 상기 단점 화소 영역 내의 TFT를 실효시킨다.

도 9는 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제4 실시예의 개략도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에서의 화소 구조는 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제3 실시예(도 5)와 같다. 우선 게이트 라인 단점(7)의 위치를 측정하고, 다음에 게이트 라인 단점(7)의 위치에 기초하여 단점 화소 영역을 확정하며, 해당 단점 화소 영역은 게이트 라인의 한쪽(예를 들면, 하측)에 위치한다. 레이저 용접 방법에 의해, 단점 화소 영역에 위치하는 제2 크로스 스틱(51)을 게이트 라인 단점(7)의 좌측의 게이트 라인과 용접하여 용접점(a)을 형성하고, 제2 크로스 스틱(51)을 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극(3)과 용접하여 용접점(b)을 형성하며, 게이트 라인 단점(7)의 좌측의 데이터 라인을 용접점(a), 제2 크로스 스틱(51), 용접점(b)을 개재하여 화소 전극(3)에 연결시킨다. 레이저 용접 방법에 의해, 단점 화소 영역에 위치하는 제2 크로스 스틱(52)을 게이트 라인 단점(7)의 우측의 게이트 라인과 용접하여 용접점(c)을 형성하고, 제2 크로스 스틱(52)을 단점 화소 영역에 위치하는 화소 전극(3)과 용접하여 용접점(d)을 형성하며, 게이트 라인 단점(7)의 우측의 게이트 라인을 용접점(c), 제2 크로스 스틱(52), 용접점(d)을 개재하여 화소 전극(32)에 연결시킨다. 이렇게 하여 게이트 라인 단점(7) 양측의 게이트 라인은 용접점(a), 제2 크로스 스틱(51), 용접점(b), 화소 전극(3), 용접점(d), 제2 크로스 스틱(52), 용접점(c)을 개재하여 재연결하고, 게이트 라인 단선의 복구가 실현되었다. 마지막으로, 레이저 절단 방법에 의해 단점 화소 영역 내의 TFT를 실효시키고 휘선 불량을 화소점 불량으로 복구한다. 명백히 본 실시예에서의 단계 143, 144는 일종의 실시형태에 대한 설명일 뿐이고, 실제의 사용중 임의의 순서로 실시해도 된다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제5 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 151: 데이터 라인 단점의 위치를 확정한다.

단계 152: 데이터 라인 단점은 동일한 화소 전극의 2개의 제1 크로스 스틱의 사이에 위치하는지 여부를 판단하여, 그 사이에 위치하는 경우는 단계 153을 행하고, 위치하지 않는 경우는 단계 154를 행한다.

단계 153: 단선 복구 방법의 제3 실시예에서의 단계 132~134를 행한다.

단계 154: 단선 복구 방법의 제1 실시예에서의 단계 112~116을 행한다.

본 실시예는 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제1 실시예와 제3 실시예의 조합에 의해 형성된 기술안으로서, 그 화소 구조의 특징은 하나의 화소의 행에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 2개의 제1 크로스 스틱이 형성되고, 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 하나의 제2 크로스 스틱이 형성되는 것이다.

본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제6 실시예는 하기의 단계를 구비한다. 즉,

단계 161: 게이트 라인 단점의 위치를 확정한다.

단계 162: 데이터 라인 단점은 동일한 화소 전극의 2개의 제2 크로스 스틱의 사이에 위치하는지 여부를 판단하여, 그 사이에 위치하는 경우는 단계 163을 행하고, 위치하지 않는 경우는 단계 164를 행한다.

단계 163: 단선 복구 방법의 제4 실시예에서의 단계 142~144를 행한다.

단계 164: 단선 복구 방법의 제2 실시예에서의 단계 122~126을 행한다.

본 실시예는 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제2 실시예와 제4 실시예의 조합에 의해 형성된 것으로서, 그 화소 구조의 특징은 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 2개의 제2 크로스 스틱이 형성되고, 하나의 화소의 열에서 2개의 인접하는 화소 전극의 사이에 하나의 제1 크로스 스틱이 형성되는 것이다.

본 발명의 상기 실시예에서 레이저 절단 방법에 의해 TFT를 실효시키는 데에, 게이트 전극을 절단하여 게이트 전극 절단점을 형성하는 방법을 이용하여 게이트 전극과 게이트 라인의 연결을 절단해도 되고(도 6에 나타난 게이트 전극 절단점(K1)), 소스 전극을 절단하여 소스 전극 절단점을 형성하는 방법을 이용하여 소스 전극과 데이터 라인의 연결을 절단해도 되며(도 12에 나타난 소스 전극 절단점(K2)), 드레인 전극을 절단하여 드레인 전극 절단점을 형성하는 방법을 이용하여 드레인 전극과 화소 전극의 연결을 절단해도 되고(도 7에 나타난 드레인 전극 절단점(K3)), 상기 방법의 어느 것에 의해서도 해당 화소점의 TFT는 작동할 수 없게 된다. 본 발명에 있어서 게이트 전극, 소스 전극 또는 드레인 전극을 절단하는 것은 화소 전극을 도전층으로서 절단점의 재연결을 실현하고, 해당 화소 전극은 다시 표시에 관여할 수 없기 때문이다. 따라서, 대응하는 전극을 절단하는 방법에 의해 해당 화소점을 노멀리 화이트 모드로 라이트 스폿을 나타내고, 노멀리 블랙 모드로 덕 스폿을 나타낸다.

상기 실시예는 본 발명의 기술안을 설명하는 것이며, 한정하는 것이 아니다. 가장 좋은 실시형태를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하였지만, 당업자라면 필요에 따라 다른 재료나 설비 등으로 본 발명을 실현할 수 있다. 즉, 그 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 형태로 실시할 수 있는 것이다.

도 1은 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제1 실시예의 구조 개략도이다.

도 2는 도 1의 A-A방향의 단면도이다.

도 3은 도 1의 B-B방향의 단면도이다.

도 4는 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제2 실시예의 구조 개략도이다.

도 5는 본 발명에 관한 TFT-LCD 화소 구조의 제3 실시예의 구조 개략도이다.

도 6은 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제1 실시예의 개략도이다.

도 7은 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제2 실시예의 개략도이다.

도 8은 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제3 실시예의 개략도이다.

도 9는 본 발명에 관한 액정 디스플레이 단선 복구 방법의 제4 실시예의 개략도이다.

<부호의 설명>

1: 게이트 라인

2: 데이터 라인

3: 화소 전극

4: 제1 크로스 스틱

5: 제2 크로스 스틱

6: 데이터 라인 단점

7: 게이트 라인 단점

Claims

서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하는 어레이 기판으로서,

상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하고, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되며, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지고,

상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치며,

상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판.
제1항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제1항에 있어서,

상기 제2 크로스 스틱은 상기 제1 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제1항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱과 상기 제2 크로스 스틱의 폭은 5㎛보다도 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
어레이 기판의 제조방법으로서,

상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,

상기 방법은, 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2 개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치도록 형성하는 단계;

상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치도록 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
제5항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
제5항에 있어서,

상기 제2 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
어레이 기판에서의 단선을 복구하는 방법으로서,

상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,

상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치며,

상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치며,

상기 방법은, 단선이 발생하는 제1 신호 라인 또는 제2 신호 라인에서의 단점(斷點)의 위치를 확정하는 단계;

제1 신호 라인에 단선이 발생한 경우, 레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱을 각각 단선이 발생한 제1 신호 라인의 같은 측에서의 대응하는 2개의 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제1 신호 라인에 연결하며, 또 대응하는 2개의 화소 전극을 그 사이의 제2 크로스 스틱을 개재하여 연결하고, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 대응하는 2개의 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계; 또는

제2 신호 라인에 단선이 발생한 경우, 레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제2 크로스 스틱을 각각 단선이 발생한 제2 신 호 라인의 같은 측에서의 대응하는 2개의 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제2 신호 라인에 연결하며, 또 대응하는 2개의 화소 전극을 그 사이의 제1 크로스 스틱을 개재하여 연결하고, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 대응하는 2개의 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.
제8항에 있어서,

대응하는 2개의 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 공정은, 상기 박막 트랜지스터의 단부와 대응하는 1개의 제1 신호 라인, 1개의 제2 신호 라인 또는 화소 전극의 연결을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.
서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하는 어레이 기판으로서,

상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하고, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되며, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지고,

상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적 어도 2개의 제1 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판.
제10항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제10항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱의 폭은 5㎛보다도 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제10항에 있어서,

상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱이 형성되어 있고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제13항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제13항에 있어서,

상기 제2 크로스 스틱은 상기 제1 신호 라인과 동일한 층에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
제13항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱과 상기 제2 크로스 스틱의 폭은 5㎛보다도 큰 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
어레이 기판의 제조방법으로서,

상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,

상기 방법은, 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2 개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
제17항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
제17항에 있어서,

상기 제1 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 하나의 제2 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제2 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제2 신호 라인과 겹치도록 형성하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
제19항에 있어서,

상기 제1 크로스 스틱은 상기 제2 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
제19항에 있어서,

상기 제2 크로스 스틱은 상기 제1 신호 라인과 동일한 층에 동일한 도전 재 료층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법.
어레이 기판에서의 단선을 복구하는 방법으로서,

상기 어레이 기판은 서로 평행한 복수의 제1 신호 라인과 서로 평행한 복수의 제2 신호 라인을 구비하고, 상기 복수의 제1 신호 라인과 복수의 제2 신호 라인은 교차하여 몇 개의 화소 영역을 한정하며, 각 화소 영역에 스위치 디바이스라고 하는 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되고, 각 박막 트랜지스터는 1개의 제1 신호 라인과 연결한 제1 단, 1개의 제2 신호 라인과 연결한 제2 단, 상기 화소 전극과 연결한 제3 단을 가지며,

상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 화소 영역의 사이에 적어도 2개의 제1 크로스 스틱을 형성하고, 상기 제1 크로스 스틱은 양단이 각각 상기 2개의 화소 영역에서의 화소 전극과 겹치고, 중간 부분이 상기 2개의 화소 영역 사이의 제1 신호 라인과 겹치며,

상기 방법은, 단선이 발생하는 제1 신호 라인에서의 단점이 동일한 화소 영역의 상기 제2 신호 라인의 연장 방향으로 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱의 사이에 위치하는 것을 확정하는 단계;

레이저 용접 방법에 의해 상기 단점의 양측의 상기 단점에 인접하는 2개의 제1 크로스 스틱을 단선이 발생한 제1 신호 라인의 같은 측에서의 대응하는 화소 전극에 연결하고, 단선이 발생한 제1 신호 라인에 연결하며, 그 후, 레이저 절단 방법에 의해 상기 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 단계;를 포 함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.
제22항에 있어서,

상기 화소 전극에 대응하는 박막 트랜지스터를 실효시키는 공정은, 박막 트랜지스터의 단부와 대응하는 1개의 제1 신호 라인, 1개의 제2 신호 라인 또는 화소 전극의 연결을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단선 복구 방법.