KR101164926B1 - Led 모듈 제조방법 - Google Patents
Led 모듈 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101164926B1 KR101164926B1 KR20100078799A KR20100078799A KR101164926B1 KR 101164926 B1 KR101164926 B1 KR 101164926B1 KR 20100078799 A KR20100078799 A KR 20100078799A KR 20100078799 A KR20100078799 A KR 20100078799A KR 101164926 B1 KR101164926 B1 KR 101164926B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- package
- phosphor
- color
- led module
- color temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 30
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 LED 모듈 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 LED모듈 제조방법은, 하우징 내부에 LED칩이 실장되고, 상기 LED 칩이 실장된 하우징 내부에 제1형광체가 도포되며, 청색 또는 백색계열의 색좌표를 가지고, 10000~16000°K(캘빈온도)의 색온도를 가지는 제1패키지를 준비하는 단계와; 상기 제1패키지의 상기 제1형광체 상부면의 수분, 산화막 및 이물질 제거를 위해 플라즈마 클리닝(cleaning) 공정을 수행하는 단계와; 상기 플라즈마 클리닝 공정이 수행된 상기 제1패키지의 상기 제1형광체의 상부면에 제2형광체를 도포하여, 상기 제1패키지의 색온도 및 색좌표를 변화시킨 제2패키지를 형성하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 형광체를 이용한 색온도 및 색좌표 변경을 통해 LED 패키지의 재활용이 가능하며, 조명용 또는 광고용 LED 모듈의 제조비용을 절감할 수 있다.
Description
본 발명은 LED 모듈 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 1차적으로 제조된 LED 패키지를 이용해, 색좌표 및 색온도를 변화시켜 다른 용도로 사용하기 위한 LED 모듈 제조방법에 관한 것이다.
LED는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 변환시키는 반도체 소자의 일종이다. LED는 현재 조명이나 디스플레이용으로 사용되고 있으며, 그 활용영역은 넓어지고 있는 추세에 있으며, 그 용도에 따라 사용되는 색좌표나 색온도가 정해져 있다.
특히 LCD 등의 디스플레이 장치에 백라이트 유닛(back light unit)에 사용되는 LED 모듈(또는 패키지)은 색온도가 10000~16000°K(캘빈온도)의 범위를 가지도록 규격이 정해져 있다. 이는 자연색과 가장 근접한 색을 구현하기 위한 것이다.
백라이트 유닛에 사용되기 위한 LED 모듈(또는 패키지)의 제조방법을 도 1을 통해 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 백라이트 유닛을 위한 LED 모듈 또는 패키지는 리드프레임(20,30)이 삽입된 사출물의 하우징(10)의 다이패드(20)에 LED칩(50)을 실장한다. 또는 하우징(10) 내부에 구비되는 인쇄회로기판 상에 LED 칩(50)을 실장한다. 상기 LED칩(50)은 리드프레임의 전극용 리드(30)나 인쇄회로기판 상의 전극과 와이어(40)를 통한 와이어 본딩 등의 다양한 방법으로 전기적으로 연결된다. 여기서 LED 칩(50)은 와이어 본딩(Wire bonding) 타입 및 플립칩(flip chip) 타입을 포함한다.
상기 하우징(10) 내부에 LED 칩(50)이 실장되면, 형광체를 투과특성이 우수한 실리콘류 에폭시와 적당하게 배합하고 미세기포를 제거하는 탈포 공정을 거쳐, 상기 LED 칩(50)이 실장된 상기 하우징(10) 내부에 도포한다. 이후에 큐어(cure) 공정(또는 건조공정)을 수행하여 LED 패키지를 완성하게 된다.
상술한 제조공정을 통해 제조된 LED 패키지는 백라이트 유닛용 LED 모듈로 사용되는데, 사용전에 최종검사과정을 거친다. 최종검사과정은 LED 패키지의 색온도, 휘도(밝기), 색좌표, 동작전압 등에 대한 검사를 거쳐 규격에 맞는 LED 모듈(또는 패키지) 만을 선별하고, 나머지는 불량처리하게 된다.
즉 백 라이트유닛(back light unit)에 사용되는 LED 패키지는 휘도, 색온도, 동작전압 및 색좌표 등 중 어느 하나가 규격에서 벗어나는 경우 불량으로 취급된다.
불량으로 처리되는 LED 패키지는 색온도가 높아 다른 용도로 사용이 불가능하여 대부분 폐기처분되는 실정에 있다. 통상적으로 백라이트용으로 제조되는 LED 패키지의 10% 정도가 불량으로 폐기처분되는 상태에 있다. 또한, 이와 같은 불량의 대부분은 LED 칩 자체의 문제가 아니라 형광체 등의 도포 후 등 최종제품 직전에 발생되는 것이 대부분이어서, LED칩의 특성이 우수함에도 형광체 등의 도포 불량 등에 의해 불량으로 폐기처분되고 있어 공정상 손실이 크다.
따라서, 백라이트 유닛용 LED 패키지를 위해 제조되었으나 불량으로 처리된 LED 패키지에 대하여 재활용의 필요성이 제기되고 있으나, 광이 청색에 가까운 백색을 가지고 있어 사람이 보기에는 피로감이 높고, 조명용이나 광고용으로 사용시 제품의 색이 왜곡되어 보이는 문제점을 가지고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 LED 모듈 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 백라이트 용 LED 패키지를 재활용할 수 있는 LED 모듈 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 일정범위의 색온도 및 색좌표를 가지는 LED 패키지의 색온도 및 색좌표를 변화시켜 조명용 또는 광고용으로 재활용할 수 있는 LED 모듈 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 구체화에 따라, 본 발명에 따른 LED모듈 제조방법은, 하우징 내부에 LED칩이 실장되고, 상기 LED 칩이 실장된 하우징 내부에 제1형광체가 도포되며, 청색 또는 백색계열의 색좌표를 가지고, 10000~16000°K(캘빈온도)의 색온도를 가지는 제1패키지를 준비하는 단계와; 상기 제1패키지의 상기 제1형광체 상부면의 수분, 산화막 및 이물질 제거를 위해 플라즈마 클리닝(cleaning) 공정을 수행하는 단계와; 상기 플라즈마 클리닝 공정이 수행된 상기 제1패키지의 상기 제1형광체의 상부면에 제2형광체를 도포하여, 상기 제1패키지의 색온도 및 색좌표를 변화시킨 제2패키지를 형성하는 단계를 구비한다.
상기 제1패키지는 X=0.2650~0.2840 및 Y=0.2190~0.2745의 색좌표를 가질 수 있다.
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~20중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 7000~8000°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 15~25중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 6000~7000°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 25~30중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 4700~5700°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 형광체와 X=0.545및 Y=0.455의 색좌표를 가지는 형광체를 특정비율로 혼합한 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~25중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 4700~5700°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 제2패키지는, X=0.545 및 Y=0.455의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~20중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 2300~3300°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 제2형광체는, 상기 제1패키지의 정격전압의 레벨에 대응하여 도포량 또는 상기 투광성 에폭시 수지와의 혼합비율을 달리할 수 있다.
상기 플라즈마 클리닝 공정은, 진공 또는 대기압 상태에서 플라즈마를 사용하여, 일정시간동안 상기 제1패키지의 상기 제1형광체 상부면에 대한 세정 또는 에칭을 수행하는 공정일 수 있다.
본 발명에 따르면, 일정범위의 색온도 및 색좌표를 가지는 백라이트 용 LED 패키지 또는 다른 용도로 제조된 LED패키지의 색온도 및 색좌표를 변화시켜 조명용 또는 광고용으로 재활용할 수 있는 효과가 있다. 또한, 조명용 광고용 패키지 또는 모듈의 제조비용을 절감할 수 있고, 자원절약의 효과가 있다.
도 1은 종래의 백라이트 용 LED 패키지의 제조공정 및 구조를 설명하기 위한 단면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 나타낸 공정 순서 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈의 제조방법을 나타낸 공정 순서 단면도이다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 모듈 제조방법을 나타낸 공정 순서 단면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 하우징(110) 내부에 LED칩(150)이 실장되고, 상기 LED 칩(150)이 실장된 하우징(110) 내부에 제1형광체(160)가 도포된 제1패키지를 준비한다.
상기 제1패키지는 다음과 같이 제조된다.
우선 리드프레임(120,130)이 삽입된 사출물의 하우징(110)의 다이패드(120)에 LED칩(150)을 실장한다. 또는 하우징(110) 내부에 구비되는 인쇄회로기판 상에 LED 칩(150)을 실장한다. 상기 LED칩(150)은 리드프레임의 전극용 리드(130)나 인쇄회로기판 상의 전극과 와이어(140)를 통한 전기적 연결방법인 와이어 본딩 등의 다양한 방법으로 전기적으로 연결된다. 여기서 LED 칩(150)은 와이어 본딩(wire bonding) 타입 및 플립칩(flip chip) 타입을 포함한다. 상기 LED 칩(150)의 실장방법은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려진 다양한 방법이 이용될 수 있다. 그리고 상기 LED칩(150)의 실장방법은 상기 LED 칩(150)의 구조에 따라 다양하게 변경가능하다.
상기 하우징(110) 내부에 LED 칩(150)이 실장되면, 제1형광체를 투과특성이 우수한 실리콘류 에폭시와 적당하게 배합하고 미세기포를 제거하는 탈포 공정을 거쳐, 상기 LED 칩(150)이 실장된 상기 하우징(110) 내부에 도포한다. 이후에 큐어(cure) 공정(또는 건조공정)을 수행하여 제1패키지를 완성하게 된다.
상술한 바와 같은 제1패키지는 청색 또는 백색계열의 색좌표(예를들면, X=0.2650~0.2840 및 Y=0.2190~0.2745의 색좌표)를 가지고, 10000~16000°K(캘빈온도)의 색온도를 가질 수 있다.
상기 제1패키지는 상술한 바와 같은 공정을 통하여 제조하여 사용될 수 있다. 그리나, 상기 제1패키지의 대부분은 백라이트 유닛용 LED 모듈로 제조되었으나, 색온도, 휘도(밝기), 색좌표, 동작전압 등에 대한 검사를 통해 불량으로 처리된 LED 패키지 중 LED 칩 자체의 특성은 우수한 LED 패키지가 이용될 수 있다.
또한, 상기 제1패키지는 일반적으로 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 백라이트 유닛용 LED 패키지 규격으로 잘 알려진 규격의 범위에 속하거나 유사한 범위를 가지는 LED 패키지 모두를 포함할 수 있다. 또한, 백라이트 유닛용 LED 패키지 뿐아니라, 다른 용도로 제조된 LED패키지 모두를 포함할 수 있다.
다음으로 이러한 제1패키지를 조명용이나 광고용으로 재활용하기 위한 공정이 진행된다.
우선 상기 제1패키지의 상기 제1형광체(160) 상부면의 수분, 산화막 및 이물질 제거를 위해 플라즈마 클리닝(cleaning) 공정을 수행한다.
일반적으로 제1패키지는 표면에 수분, 산화막, 및 이물질 등을 포함하고 있다. 따라서 이러한 수분, 산화막, 및 이물질 등을 제거하지 않으면, 후속 공정에서 제2형광체 도포시 접착특성이 나쁘고 기포가 발생되어 LED 모듈의 제품 신뢰성에 문제가 발생될 수 있다. 따라서, 플라즈마 클리닝 공정을 통해 제1패키지 표면의 수분, 산화막, 및 이물질 등을 제거하게 된다.
또한 상기 제1형광체(160)와 함께 배합되어 도포되는 투광성 에폭시(예를 들면, 실리콘류 에폭시)는 약간의 끈적임이 있어서 끈적이는 에폭시가 불량을 유발하거나 복수의 제1패키지들이 존재하는 경우 서로 달라붙은 현상이 발생할 수 있다. 따라서 플라즈마 클리닝 공정을 수행하게 되면, 제1패키지들 간 서로 붙는 현상이나 끈적이는 에폭시로 인한 여러가지 불량문제의 해결이 가능하다.
상기 플라즈마 클리닝 공정은 제1패키지의 표면에 진공 또는 대기압 상태에서 플라즈마(예를 들면, 아르곤(Ar),네온(Ne), 질소(N2) 및 산소(O2)로 구성된 플라즈마)를 사용하여 상기 제1패키지의 표면을 세정하거나 에칭하여 클리닝 공정을 수행한다. 플라즈마 조건은 제1패키지의 표면특성에 따라 다르게 적용되어나 하나, 일반적으로 진공상태에서 플라즈마를 이용한 클리닝 공정을 10초 내외로 수행하는 방법이 이용될 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 클리닝 공정이 수행된 상기 제1패키지의 상기 제1형광체(160)의 상부면에 제2형광체(170)를 도포하여, 상기 제1패키지의 색온도 및 색좌표를 변화시킨 제2패키지를 형성한다.
여기서, 상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~20중량%로 혼합하고, 이를 상기 제1형광체(160)의 상부면에 도포 및 건조(또는 큐어링(curing))하여 7000~8000°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 에폭시 수지는 실리콘 에폭시 수지가 이용될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2패키지는 상기 제1패키지 상에 상기 제2형광체를 형성함에 의해 X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표, 7000~8000°K의 색온도를 가지는 LED 모듈로 제조되게 된다. 따라서 조명용이나 광고용으로 사용이 가능하게 된다.
다른 실시예에 따르면, 상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체(170)를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 15~25중량%로 혼합하여 상기 제1형광체(160) 상부면에 도포 및 건조함에 의해 6000~7000°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 에폭시 수지는 실리콘 에폭시 수지가 이용될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2패키지는 상기 제1패키지 상에 상기 제2형광체(170)를 형성함에 의해 X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표, 6000~7000°K의 색온도를 가지는 LED 모듈로 제조되게 된다. 따라서 조명용이나 광고용으로 사용이 가능하게 된다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체(170)를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 25~30중량%로 혼합하여 상기 제1형광체(160) 상부면에 도포 및 건조함에 의해 4700~5700°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 에폭시 수지는 실리콘 에폭시 수지가 이용될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2패키지는 상기 제1패키지 상에 상기 제2형광체(170)를 형성함에 의해 X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표, 4700~5700°K의 색온도를 가지는 LED 모듈로 제조되게 된다. 따라서 조명용이나 광고용으로 사용이 가능하게 된다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 형광체와 X=0.545및 Y=0.455의 색좌표를 가지는 형광체를 특정비율(예를 들면, 8:2 또는 7:3의 비율)로 혼합한 상기 제2형광체(170)를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~25중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 4700~5700°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다.
상기 에폭시 수지는 실리콘 에폭시 수지가 이용될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2패키지는 상기 제1패키지 상에 상기 제2형광체(170)를 형성함에 의해 X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표와 X=0.545및 Y=0.455의 색좌표 사이의 특정범위의 색좌표를 가지며, 4700~5700°K의 색온도를 가지는 LED 모듈로 제조되게 된다. 따라서 조명용이나 광고용으로 사용이 가능하게 된다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 제2패키지는, X=0.545 및 Y=0.455의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체(170)를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~20중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 2300~3300°K의 색온도를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 에폭시 수지는 실리콘 에폭시 수지가 이용될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2패키지는 상기 제1패키지 상에 상기 제2형광체(170)를 형성함에 의해 X=0.545 및 Y=0.455의 색좌표, 2300~3300°K의 색온도를 가지는 LED 모듈로 제조되게 된다. 따라서 조명용이나 광고용으로 사용이 가능하게 된다.
상술한 실시예들에서 제1형광체(160) 및 상기 제2형광체(170)는 형광체 자체만을 의미할 수도 있고, 투광성 에폭시 수지와 형광체가 혼합된 형광체 혼합물을 의미할 수도 있다.
상술한 실시예들에서, 상기 제2형광체(170)의 도포량(도포두께)이나 상기 투광성 에폭시수지와의 혼합비율은 상기 제1패키지의 정격전압의 레벨에 대응하여 약간씩 달라질 수 있다. 여기서 정격전압은 정상적인 동작을 유지시키기 위해 공급해 주어야 하는 기준전압으로 LED 칩의 동작전압이나 사용전압을 포함하는 개념일 수 있다.
즉 상기 제1패키지의 정격전압이 서로 다른 경우에, 동일한 범위의 색좌표 또는 동일한 범위의 색온도를 가지도록 하기 위하여, 제2형광체(170)를 도포하는 경우에 도포량(도포두께)을 달리할 수 있다. 또한 투광성 에폭시 수지와의 혼합비율을 달리 적용할 수 있다.
구체적으로, X=0.545 및 Y=0.455의 색좌표, 2300~3300°K의 색온도를 가지는 제2패키지를 구성하고자 하는 경우에, 준비된 제1패키지들의 정격전압이 3.0V,3.1V,3.2V,3.3V 등으로 구분된다고 가정하자. 이때 제1패키지의 정격전압이 서로 다름에도 불구하고 제2형광체(170)를 모두 동일하게 도포하게 되면, 제조된 제2패키지들의 색좌표 또는 색온도의 범위가 서로 달라질 수 있다.
따라서, 이러한 문제점을 개선하기 위하여, 제1패키지의 정격전압의 레벨에 대응하여, 상기 제2형광체(170)의 도포량을 약간씩 달리하거나, 투광성 에폭시 수지와의 혼합비율을 서로 달리함에 의해서 동일한 범위의 색좌표 및 색온도를 가지도록 제2패키지를 구성하는 것이 가능하다. 즉 정격전압의 레벨이 서로 다르더라도, 상기 제2형광체(170)를 이용해 동일한 범위의 색좌표 및 색온도를 가지는 제2패키지를 구성하는 것이 가능하다.
한편 상기 제2패키지는 상기 제2형광체(170) 도포 이후에 플라즈마 클리닝 공정이 수행될 수 있다. 상기 제2형광체(170)와 함께 배합되어 도포되는 투광성 에폭시(예를 들면, 실리콘류 에폭시)는 약간의 끈적임이 있어서 후속공정인 테스트를 위한 검사시 검사하는 노즐(nozzle)에 끈적이는 에폭시가 소량 달라붙어 불량을 유발하거나 복수의 제2패키지들이 존재하는 경우 서로 달라붙은 현상이 발생할 수 있다.
따라서 이와같은 문제점을 해결하기 위하여 상기 제2형광체(170)의 도포 및 건조(curing) 공정 진행후에 플라즈마 클리닝 공정을 수행하게 된다. 상기 플라즈마 클리닝 공정을 수행하게 되면, 패키지들 간 서로 붙는 현상이나 테스트시 노즐에 에폭시가 달라붙어 발생되는 여러가지 불량문제의 해결이 가능하다.
상기 플라즈마 클리닝 공정은 제2형광체(170)가 도포된 상기 제2패키지의 표면에 진공 또는 대기압 상태에서 플라즈마(예를 들면, 아르곤(Ar),네온(Ne),질소(N2) 및 산소(O2)로 구성된 플라즈마)를 사용하여 상기 제2패키지의 표면을 세정하거나 에칭하여 클리닝 공정을 수행한다. 플라즈마 조건은 제2패키지의 표면특성에 따라 다르게 적용되어나 하나, 일반적으로 진공상태에서 플라즈마를 이용한 클리닝 공정을 10초 내외로 수행하는 방법이 이용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 백라이트 유닛용 또는 다른 용도로 제조된 LED패키지를 조명용이나 광고용으로 재활용할 수 있으며, 조명용 광고용 패키지 또는 모듈의 제조비용을 절감할 수 있고, 자원절약의 효과가 있다.
상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다.
110 : 하우징 120 : 다이
130 : 전극용 리드 140 : 와이어
150 : LED칩 160 : 제1형광체
170 : 제2형광체
130 : 전극용 리드 140 : 와이어
150 : LED칩 160 : 제1형광체
170 : 제2형광체
Claims (9)
- LED모듈 제조방법에 있어서:
하우징 내부에 LED칩이 실장되고, 상기 LED 칩이 실장된 하우징 내부에 제1형광체가 도포되며, 청색 또는 백색계열의 색좌표를 가지고, 10000~16000°K(캘빈온도)의 색온도를 가지는 제1패키지를 준비하는 단계와;
상기 제1패키지의 상기 제1형광체 상부면의 수분, 산화막 및 이물질 제거를 위해 플라즈마 클리닝(cleaning) 공정을 수행하는 단계와;
상기 플라즈마 클리닝 공정이 수행된 상기 제1패키지의 상기 제1형광체의 상부면에 제2형광체를 도포하여, 상기 제1패키지의 색온도 및 색좌표를 변화시킨 제2패키지를 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 LED모듈 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제1패키지는 X=0.2650~0.2840 및 Y=0.2190~0.2745의 색좌표를 가짐을 특징으로 하는 LED모듈 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~20중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 7000~8000°K의 색온도를 가지도록 형성됨을 특징으로 하는 LED모듈 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 15~25중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 6000~7000°K의 색온도를 가지도록 형성됨을 특징으로 하는 LED모듈 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 25~30중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 4700~5700°K의 색온도를 가지도록 형성됨을 특징으로 하는 LED모듈 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제2패키지는, X=0.456 및 Y=0.535의 색좌표를 가지는 형광체와 X=0.545및 Y=0.455의 색좌표를 가지는 형광체를 8:2 또는 7:3의 비율로 혼합한 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~25중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 4700~5700°K의 색온도를 가지도록 형성됨을 특징으로 하는 LED모듈 제조방법.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제2패키지는, X=0.545 및 Y=0.455의 색좌표를 가지는 상기 제2형광체를 투광성 에폭시수지 중량에 대하여 10~20중량%로 혼합하여 도포 및 건조함에 의해 2300~3300°K의 색온도를 가지도록 형성됨을 특징으로 하는 LED모듈 제조방법.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마 클리닝 공정은, 진공 또는 대기압 상태에서 플라즈마를 사용하여, 일정시간동안 상기 제1패키지의 상기 제1형광체 상부면에 대한 세정 또는 에칭을 수행하는 공정임을 특징으로 하는 LED 모듈 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20100078799A KR101164926B1 (ko) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Led 모듈 제조방법 |
PCT/KR2011/005944 WO2012023764A2 (ko) | 2010-08-16 | 2011-08-12 | Led 모듈 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20100078799A KR101164926B1 (ko) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Led 모듈 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120016438A KR20120016438A (ko) | 2012-02-24 |
KR101164926B1 true KR101164926B1 (ko) | 2012-07-12 |
Family
ID=45605534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20100078799A KR101164926B1 (ko) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Led 모듈 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101164926B1 (ko) |
WO (1) | WO2012023764A2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101607400B1 (ko) | 2014-10-29 | 2016-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013104776A1 (de) | 2013-05-08 | 2014-11-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements, Wellenlängenkonversionselement und Bauelement aufweisend das Wellenlängenkonversionselement |
CN107256912A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-10-17 | 江苏鸿利国泽光电科技有限公司 | 提高led光效的分层封装方法及分层封装led灯 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003107441A2 (en) | 2002-06-13 | 2003-12-24 | Cree, Inc. | Saturated phosphor solid emitter |
JP2006286896A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオード装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3546650B2 (ja) * | 1997-07-28 | 2004-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの形成方法 |
KR100820538B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2008-04-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광장치 및 이를 구비하는 영상표시장치 |
KR101562022B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2015-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법 |
-
2010
- 2010-08-16 KR KR20100078799A patent/KR101164926B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-08-12 WO PCT/KR2011/005944 patent/WO2012023764A2/ko active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003107441A2 (en) | 2002-06-13 | 2003-12-24 | Cree, Inc. | Saturated phosphor solid emitter |
JP2006286896A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオード装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101607400B1 (ko) | 2014-10-29 | 2016-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광 장치 |
US9518719B2 (en) | 2014-10-29 | 2016-12-13 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012023764A2 (ko) | 2012-02-23 |
KR20120016438A (ko) | 2012-02-24 |
WO2012023764A3 (ko) | 2012-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108732816A (zh) | 面光源背光模组及液晶显示面板 | |
KR101164926B1 (ko) | Led 모듈 제조방법 | |
CN112018226A (zh) | 一种led显示模块及其制作方法 | |
CN113130466A (zh) | Led显示模组及其制作方法 | |
CN110596951A (zh) | 一种Mini LED灯板、制备方法及显示装置 | |
JP2012104594A (ja) | 電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージの製造方法、及びそれらを備えた電子機器 | |
CN109212831A (zh) | 一种背光模组及显示装置 | |
CN115000055A (zh) | Mini-LED显示模组及其制备方法与应用 | |
CN111682094A (zh) | 一种led发光背板及其生产方法 | |
CN215067626U (zh) | 一种灯板以及拼接显示屏 | |
JPH08264840A (ja) | 発光ダイオード表示器 | |
JPWO2010023992A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
CN220064565U (zh) | 灯板、背光模组及液晶显示器 | |
CN112582514A (zh) | 一种led芯片、多合一芯片、显示模块及显示屏 | |
US11387431B2 (en) | Method of manufacturing encapsulation layer and display substrate | |
US20230335691A1 (en) | Light emitting module and display apparatus having the same | |
WO2023160057A1 (zh) | 柔性灯条的制备方法、柔性灯条以及显示装置 | |
CN213026124U (zh) | Led显示模组、led显示屏 | |
TW202030892A (zh) | 半導體發光單元及其封裝方法 | |
CN114566495A (zh) | 显示背板及移动终端 | |
CN102544261B (zh) | 一种led芯片的制作方法 | |
CN111640847A (zh) | Led显示器件及其制备方法、显示设备 | |
CN113192433A (zh) | 一种基于薄膜夹胶的led显示屏及制作工艺 | |
US20220262775A1 (en) | Light-emitting diode light-emitting backplane and manufacturing method thereof | |
KR20090102121A (ko) | 발광 장치 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |