TW202030892A - 半導體發光單元及其封裝方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種半導體發光單元及其封裝方法,該方法包括下列步驟:(a).提供透明基板;(b).形成透明薄膜線路層於透明基板的一表面上;(c).以覆晶製程將半導體發光晶片安裝於透明薄膜線路層之上;(d).形成封裝膠體於半導體發光晶片的安裝位置;以及(e).烘乾封裝膠體。
Description
本發明係有關於一種封裝技術,尤指一種半導體發光單元及其封裝方法。
發光二極體(light emitting diode,LED)是一種小型、發光效率高的固態光源,目前已被廣泛地應用於各類型電子產品的顯示模組或是發光模組之中。而隨著技術的進步與發展,電子產品除了在功能上追求高效能之外,如何使其兼具視覺上的美感亦漸漸為現代人所重視。一般電子裝置的顯示模組或是發光模組在設計上需考量其導線或信號線的佈置,尤其是以透明或高光線穿透率的外觀作為主要訴求的電子產品,而如何隱藏或是佈置導線或信號線為影響電子產品之美觀效果的因素之一。
於現有技術中,透明的顯示模組或發光模組多以金屬材質作為導線或信號線,但如此的設置可能會影響顯示模組或發光模組的視覺效果。由於現有顯示模組或發光模組多以打線接合的方式連接半導體發光晶片與導線,若於打線過程中,線材斷裂或線材無法正確地釬焊(brazing),便會影響整體顯示模組或發光模組製作的良率。而打線接合工具(wire bonding tool)亦有可能於釬焊過程中損壞半導體發光晶片。另一方面,由於現有的半導體
發光晶片的封裝多會於封裝膠體中加入螢光粉,一旦螢光粉吸濕受熱,便會影響顯示模組或發光模組的發光效率。
有鑑於此,如何提供一種半導體發光單元的封裝方法,以藉此提升半導體發光單元製作的良率,並同時提升其整體的透明度,為本發明欲解決的技術課題。
本發明之主要目的,在於提供一種高製作良率及高透明度之半導體發光單元及其封裝方法。
為達前述之目的,本發明提供一種半導體發光單元的封裝方法,包括下列步驟:(a).提供透明基板;(b).形成透明薄膜線路層於透明基板的一表面上;(c).以覆晶製程將半導體發光晶片安裝於透明薄膜線路層之上,使半導體發光晶片與透明薄膜線路層電性連接;(d).形成封裝膠體於半導體發光晶片的安裝位置,使封裝膠體覆蓋半導體發光晶片及部分的透明薄膜線路層;以及(e).烘乾封裝膠體。
於上述較佳實施方式中,其中於步驟(a)中,透明基板的材質為:玻璃、陶瓷、矽氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、氧化鋁或氮化鋁。
於上述較佳實施方式中,其中於步驟(b)中,透明薄膜線路層的材質為高分子氧化物,高分子氧化物為:二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物或鎘鋅氧化物。
於上述較佳實施方式中,其中於步驟(c)中,半導體發光晶片具有上表面、相對於上表面的下表面及介於上表面與下
表面之間的複數個側表面,上表面及側表面用以出射光線。
於上述較佳實施方式中,其中導電結構形成於下表面及透明薄膜線路層之間,導電結構用以結合半導體發光晶片與透明薄膜線路層,導電結構的材質為:透明高分子導電材料、銀膠、異方性導電薄膜、異方性導電膠或其組合。
於上述較佳實施方式中,其中於步驟(d)中,封裝膠體的材質為:矽膠、環氧樹脂、環氧矽膠混合樹脂、聚氨酯膠或其組合。
本發明另一較佳作法,係關於一種半導體發光單元,包括:透明基板;透明薄膜線路層,設置於透明基板的一表面上;半導體發光晶片,半導體發光晶片係以覆晶製程安裝於透明薄膜線路層之上,使半導體發光晶片與透明薄膜線路層電性連接;以及封裝膠體,形成於半導體發光晶片的安裝位置,封裝膠體用以覆蓋半導體發光晶片及部分的透明薄膜線路層。
於上述較佳實施方式中,其中半導體發光晶片具有上表面、相對於上表面的下表面及介於上表面與下表面之間的複數個側表面,上表面及側表面用以出射光線。
於上述較佳實施方式中,其中導電結構形成於下表面及透明薄膜線路層之間,導電結構用以結合半導體發光晶片與透明薄膜線路層,導電結構的材質為:透明高分子導電材料、銀膠、異方性導電薄膜、異方性導電膠或其組合。
於上述較佳實施方式中,其中透明基板的材質為:玻璃、陶瓷、矽氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、氧化鋁或氮化鋁。
於上述較佳實施方式中,其中透明薄膜線路層的材質為高分子氧化物,高分子氧化物為:二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺
酸、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物或其組合。
於上述較佳實施方式中,其中封裝膠體用以形成透明聚光結構。
於上述較佳實施方式中,其中封裝膠體用以形成透明保護結構,保護結構的表面平行於半導體發光晶片的表面及透明薄膜線路層的表面。
於上述較佳實施方式中,其中封裝膠體的材質為:矽膠、環氧樹脂、環氧矽膠混合樹脂、聚氨酯膠或其組合。
S101~S105‧‧‧步驟
1‧‧‧半導體發光單元
10‧‧‧透明基板
11‧‧‧透明薄膜線路層
12‧‧‧半導體發光晶片
121‧‧‧上表面
122‧‧‧下表面
123‧‧‧側表面
13‧‧‧導電結構
14、15‧‧‧封裝膠體
圖1:係為本發明所提供之半導體發光單元的封裝方法的流程圖;圖2:係為本發明第一實施例之半導體發光單元的封裝流程示意圖;以及圖3:係為本發明第二實施例之半導體發光單元的封裝流程示意圖。
本發明的優點及特徵以及達到其方法將參照例示性實施例及附圖進行更詳細的描述而更容易理解。然而,本發明可以不同形式來實現且不應被理解僅限於此處所陳述的實施例。相反地,對所屬技術領域具有通常知識者而言,所提供的此些實施例將使本揭露更加透徹與全面且完整地傳達本發明的範疇。
首先,請參閱圖1及圖2所示,圖1係為本發明所提供之半導體發光單元的封裝方法的流程圖;圖2係為本發明第
一實施例之半導體發光單元的封裝流程示意圖。本發明所提供之半導體發光單元可應用於電子產品的顯示模組或發光模組,例如:可撓式之電子產品的發光模組;亦可應用於號誌燈、廣告燈、汽機車光源、室外或家用照明裝置等互動式智能光源、指示或情境光源的發光模組。此外,本發明所提供之半導體發光單元亦可依據封裝膠體之外型尺寸的聚光特性進行排列組合,作出相關點光學、線光學及面光學之設計,而可達到超透明之發光顯示效果。
於本發明所提供的封裝方法的流程圖中,首先,提供透明基板10(步驟S101),於步驟S101中,透明基板10的材質為:玻璃、陶瓷、矽氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、氧化鋁或氮化鋁,且透明基板的透光率大於80%。接著,形成透明薄膜線路層11於透明基板10的一表面上(步驟S102),於步驟S102中,係以電鍍製程、濕式塗佈、網版印刷後以UV或烘烤固化的方式將高分子氧化物佈置於透明基板10的一表面上,以於透明基板10的一表面上形成薄膜狀的透明薄膜線路層11。其中,所述高分子氧化物可為:二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物或鎘鋅氧化物,或前述高分子氧化物的混合物。
再接著,以覆晶製程將半導體發光晶片12安裝於透明薄膜線路層11之上,使半導體發光晶片12與透明薄膜線路層11電性連接(步驟S103),於步驟S103中,半導體發光晶片12具有上表面121、相對於上表面121的下表面122,及介於上表面121與下表面122之間的複數個側表面123。本發明係利用覆晶製程技術,於半導體發光晶片12的下表面122與透明薄膜線路層11之間形成導電結構13。所述導電結構13用以結合半導體發光晶片12與透明薄膜線路層11,使半導體發光晶片12可透過導電結構13與透明薄膜線路層11電性連接。於本實施例中,所述導電結構的材質為:透明高分子導電材料、銀膠或奈米銀膠、異方性導電
薄膜、異方性導電膠或其組合。另一方面,所述上表面121及側表面123則用以出射光線。
再接著,形成封裝膠體14於半導體發光晶片12的安裝位置,使封裝膠體14覆蓋半導體發光晶片12及部分的透明薄膜線路層11(步驟S104),於步驟S104中,係以接觸式點膠或噴射式點膠方式將封裝膠體14佈置於半導體發光晶片12的安裝位置。於本實施例中,封裝膠體14的材質可為:矽膠、環氧樹脂(Epoxy)、環氧矽膠混合樹脂、聚氨酯膠(PU)或其組合,且封裝膠體14的黏度介於3500cps至12000cps之間;其搖變係數介於2.5至4.0之間。另一方面,由於本發明所使用的封裝膠體14不含有螢光粉,因此並不會有螢光粉吸濕受熱而影響發光效率的情況發生。
最後,烘乾封裝膠體14(步驟S105),於步驟S105中,係將封裝完成之透明基板10置入具有微電腦溫度控制器的烘箱之中,並藉由一溫度控制程序烘乾佈置於半導體發光晶片12之上封裝膠體14,以藉此讓封裝膠體14固化。其中,所述溫度控制程序先於15mins內將溫度由25℃升溫至60℃,隨後,以溫度60℃、時間5mins及真空狀態的作用條件下烘乾封裝膠體14,以藉此去除封裝膠體14中的氣泡。再接著,於25mins內將溫度由60℃升溫至160℃,再以溫度160℃、時間90mins的作用條件下烘乾封裝膠體14,最後,再降溫至25℃便可完成封裝膠體14固化的步驟,而形成一半導體發光單元1。於本實施例中,固化後的封裝膠體14形成具有保護及聚光功能的透明聚光結構。
請參閱圖1及圖3所示。圖3係為本發明第二實施例之半導體發光單元的封裝流程示意圖。圖3之封裝方法中的步驟S101至步驟S103與圖2相同,在此就不在進行贅述。唯,差異之處在於,於步驟S104中,其封裝膠體14的黏度介於1500cps至5000cps之間;其搖變係數介於1.2至2.0之間,並以接觸式點膠、噴射式點膠或印刷塗佈方式,於半導體發光晶片12的安裝位
置形成表面平行於半導體發光晶片12及透明薄膜線路層11表面的封裝膠體15。最後,於步驟S105中,用以烘乾封裝膠體15的溫度控制程序為:先於15mins內將溫度由25℃升溫至40℃,隨後,以溫度40℃、時間3mins及真空狀態的作用條件下烘乾封裝膠體15,以藉此去除封裝膠體15中的氣泡。再接著,於20mins內將溫度由40℃升溫至80℃;再於20mins內將溫度由80℃升溫至160℃。隨後,再以溫度160℃、時間60mins的作用條件下烘乾封裝膠體15。最後,再降溫至25℃便可完成封裝膠體15固化的步驟,而形成一半導體發光單元1。於本實施例中,固化後的封裝膠體15形成表面平行於半導體發光晶片12表面及透明薄膜線路層11表面的透明保護結構,所述透明保護結構雖不具有聚光的功能,但可保護半導體發光單元1的內部元件,而可避免後續的加工製程對半導體發光單元1造成的損壞。
相較於習知技術,本發明所提供的半導體發光單元及其封裝方法係以透明薄膜線路層取代傳統的金屬線路,因此不會阻擋半導體發光單元的出光,而可提高顯示模組或發光模組透明度,使其發光效果更佳。另一方面,以覆晶封裝製程的方式取代傳統的打線封裝製程,除了可避免線材斷裂或未正確釬焊等情況發生外,亦可免除於打線接合過程中,打線接合工具損壞半導體發光晶片,而可提升半導體發光單元封裝的良率。此外,由於出光面已無P極、N極之電極面或金屬線材的遮蔽,使得出光面極大化,而讓其發光效果更好;故,本發明實為一極具產業價值之創作。
本發明得由熟悉本技藝之人士任施匠思而為諸般修飾,然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護。
S101~S105‧‧‧步驟
Claims (14)
- 一種半導體發光單元的封裝方法,包括下列步驟:(a).提供一透明基板;(b).形成一透明薄膜線路層於該透明基板的一表面上;(c).以覆晶製程將一半導體發光晶片安裝於該透明薄膜線路層之上,使該半導體發光晶片與該透明薄膜線路層電性連接;(d).形成一封裝膠體於該半導體發光晶片的安裝位置,使該封裝膠體覆蓋該半導體發光晶片及部分的該透明薄膜線路層;以及(e).烘乾該封裝膠體。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光單元的封裝方法,其中於步驟(a)中,該透明基板的材質為:玻璃、陶瓷、矽氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、氧化鋁或氮化鋁。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光單元的封裝方法,其中於步驟(b)中,該透明薄膜線路層的材質為一高分子氧化物,該高分子氧化物為:二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物或鎘鋅氧化物。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光單元的封裝方法,其中於步驟(c)中,該半導體發光晶片具有一上表面、相對於該上表面的一下表面及介於該上表面與該下表面之間的複數個側表面,該上表面及該些側表面用以出射光線。
- 如申請專利範圍第4項所述之半導體發光單元的封裝方法,其中至少一導電結構形成於該下表面及該透明薄膜線路層之間,該至少一導電結構用以結合該半導體發光晶片與該透明薄膜線路層,該至少一導電結構的材質為:透明高分子導電材料、銀膠、異方性導電薄膜、異方性導電膠或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光單元的封裝方法,其 中於步驟(d)中,該封裝膠體的材質為:矽膠、環氧樹脂、環氧矽膠混合樹脂、聚氨酯膠或其組合。
- 一種半導體發光單元,包括:一透明基板;一透明薄膜線路層,設置於該透明基板的一表面上;一半導體發光晶片,該半導體發光晶片係以覆晶製程安裝於該透明薄膜線路層之上,使該半導體發光晶片與該透明薄膜線路層電性連接;以及一封裝膠體,形成於該半導體發光晶片的安裝位置,該封裝膠體用以覆蓋該半導體發光晶片及部分的該透明薄膜線路層。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光單元,其中該半導體發光晶片具有一上表面、相對於該上表面的一下表面及介於該上表面與該下表面之間的複數個側表面,該上表面及該些側表面用以出射光線。
- 如申請專利範圍第8項所述之半導體發光單元,其中至少一導電結構形成於該下表面及該透明薄膜線路層之間,該至少一導電結構用以結合該半導體發光晶片與該透明薄膜線路層,該至少一導電結構的材質為:透明高分子導電材料、銀膠、異方性導電薄膜、異方性導電膠或其組合。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光單元,其中該透明基板的材質為:玻璃、陶瓷、矽氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、氧化鋁或氮化鋁。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光單元,其中該透明薄膜線路層的材質為一高分子氧化物,該高分子氧化物為:二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、鎘鋅氧化物或其組合。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光單元,其中該封裝膠體用以形成一透明聚光結構。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光單元,其中該封裝 膠體用以形成一透明保護結構,該透明保護結構的表面平行於該半導體發光晶片的表面及該透明薄膜線路層的表面。
- 如申請專利範圍第7項所述之半導體發光單元,其中該封裝膠體的材質為:矽膠、環氧樹脂、環氧矽膠混合樹脂、聚氨酯膠或其組合。
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WO2013112435A1 (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Cooledge Lighting Inc. | Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods |
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JP2017157724A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | デクセリアルズ株式会社 | 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI747585B (zh) * | 2020-10-30 | 2021-11-21 | 昱凱科技股份有限公司 | 顯示裝置的製造方法 |
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