KR101139318B1 - 반도체장치의 제조방법과 장치 - Google Patents

반도체장치의 제조방법과 장치 Download PDF

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Abstract

수직단일벽 반응튜브형인 배치공정의 가열로가 입자의 발생을 줄일 수 있다. 불화물 가스에 의한 자연산화막의 제거방법은 가스의 이용효율을 높여준다. 고온에서 촉매에 의하여 반응가스를 여기시키는 방법이 배치공정에 적용될 수 있다. 촉매에 의하여 반응가스를 여기시키는 방법은 산화제와 산화제 이외의 가스를 이용한다. 가스주입파이프에서 유동하는 가스의 유속과 가스배출파이프에서 유동하는 가스의 유속이 실질적으로 동일하다. 두 인접한 웨이퍼 사이의 간극은 가스의 평균자유행정 보다 크다. 산화제는 Ir, V 또는 칸탈의 촉매에 의하여 해리되는 반면에 산화제 이외의 가스는 W의 촉매에 의하여 해리된다.
반도체장치, 웨이퍼, 가열로, 반응가스, 해리, 자연산화막.

Description

반도체장치의 제조방법과 장치 {METHOD OF AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
도 1은 본 발명에 따른 방법과 종래의 방법의 가스유속을 보인 설명도.
도 2(a)(b)는 한쌍의 기판 사이에서 운동하는 가스분자를 보인 설명도.
도 3은 본 발명에 따른 제1방법에 사용되는 형태의 단일벽 튜브의 배치프로세스형 수직로의 단면도.
도 4는 도 3의 A-A선 단면도.
도 5(a)(b)(c)는 본 발명의 목적을 위하여 사용될 수 있는 반응가스주입파이프의 단면도와 정면도.
도 6은 제2~제4 발명을 위하여 사용될 수 있는 가열촉매수단의 단면도.
도 7은 다른 가열촉매수단을 보인 단면도.
도 8은 또 다른 가열촉매수단을 보인 단면도.
도 9는 본 발명의 목적을 위하여 사용될 수 있는 램프 히터를 보인 도 10의 E-E선 단면도.
도 10은 도 9에서 보인 램프 히터의 종단면도.
도 11은 본 발명의 제2목적을 달성하기 위하여 실현되는 반도체장치의 제조장치의 다른 실시형태를 보인 단면도.
도 12는 도 11에서 보인 실시형태의 고온가스해리시스템을 보인 단면도.
도 13은 도 11의 A-A선 단면도.
도 14는 본 발명의 제4목적을 달성하기 위하여 실현된 다른 시스템을 보인 단면도.
도 15는 본 발명의 제3 및 제4목적을 달성하기 위하여 실현된 시스템의 평단면도.
도 16은 도 15에서 보인 시스템의 종단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호설명
3... 웨이퍼 10... 기부
13... 반응튜브 20... 반응가스주입파이프
26... 히터 30... 반응가스배출파이프
본 발명은 반도체장치의 제조방법과 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명에 따른 반도체장치의 제조방법은 예를 들어 SiN, SiO2, 아모포스 Si, 폴리-Si 등의 감압 CVD(chemical vapor deposition), 에칭, 레지스터의 애싱 및 반응튜브의 클리닝에 적용할 수 있다. 본문에서 "에칭"이라 함은 폴리-Si, 도프드 폴리-Si, SiO2, SiN, SiON, TiSi2, WSi2 또는 TiN과 같은 전극물질을 매입하기 위한 콘택트 홀에 노 출된 실리콘에 형성된 자연산화막 또는 레지스트와 실리콘이 반응하여 생성된 스컴(scum)을 제거하기 위한 드라이 클리닝을 일컫는다.
수직배치(vertical batch)형 가열로는 핫월(hot wall)형과 콜드월(cold wall)형을 포함한다. 핫월형 가열로는 가즈오 마에다가 저술한 "Beginner's Book 3: The Semiconductor Manufacturing System for Beginner"(Industrial Research Society, July 5, 1999, 1st ed., 3rd plate, p. 125)에 기술되어 있다. 콜드월형 노는 동 문헌의 143쪽에 기술되어 있다.
초기에, 수직형 가열로는 단일벽 반응튜브를 사용하는 것으로 설계되었다. 그러나, 입자의 제거가 엄격히 요구됨으로서 환상간극으로부터 배기구로 반응가스를 흡인하기 위하여 이중벽 반응튜브가 사용하게 되었다("Vertical type CVD System ERECTUS"; 'Electronic Materials', March, 1986, SC-6, pp. 98-102).
본원 출원인에게 양도된 미국특허 제6,204,194호(2001년 3월 20일)에서 종래기술에 대하여 설명된 바와 같이, 핫월 이중튜브형 수직로에서 성장조건은 웨이퍼의 수가 100~150이고, 웨이퍼의 간격이 5~9mm이며, 균일가열영역의 길이가 700~900mm이고, 노내압력이 0.3~1 torr(40~133 Pa)이며, 노에 주입되는 반응가스의 유속은 3~7m/sec이다(상기 특허문헌의 1 컬럼 34~43 라인 참조). 종래기술의 이러한 CVD 조건에서, 반응튜브에서 수직으로 유동하는 반응가스의 일부가 웨이퍼의 주연으로부터 표면내로 소용돌이를 일으킴으로서 성장속도가 이러한 가스의 소용돌이에 의하여 제한되어 성장속도가 떨어지는 결과를 가져온다. 따라서, 상기 언급된 미국특허에서는 고속성장 CVD가 단일벽 반응튜브를 이용하는 수직배치형 가열로에 수직으로 배열된 웨이퍼의 표면에 평행하게 반응가스를 주입함으로서 달성된다. 반응속도론적인 면에서는, 확산율을 결정짓는 고온의 조건하에서 모든 반응가스가 확산을 촉진하기 위하여 웨이퍼 면에 평행하게 고속으로 주입된다.
본원 출원인에 의하여 출원된 WO 01/173832의 공보에서는 마이크로웨이브에 의하여 여기되는 에칭가스에 의하여 콘택트 홀의 자연산화막을 제거하는 방법에 대한 개선안을 제안하고 있다.
상기 특허문헌에 기술된 방법에 있어서는 콘택트 홀의 SiO2 자연산화막이 전형적으로 5~20 옹스트롬의 에칭으로 제거된다. SiO2는 저온에서 용이하게 분해되고 증발되는 Si6(NH4)4 착체로 전환된다. 이러한 착체생성반응은 10~25℃의 온도에서는 높은 반응속도를 보이나 60℃의 온도에서는 반응이 정지하는 것으로 알려져 있다.
미국특허 제4,237,150호에 있어서는 텅스텐 또는 카본 포일로 10-6~10-4 torr의 진공에서 1,400~1,600℃의 온도로 실란을 가열함으로서 실란을 원자상 수소와 탄소로 해리하고 수소화 아모포스 실란막을 형성하는 방법을 제안하고 있다.
상기 언급된 미국특허 제4,237,150호에 기술된 것과 유사하게 고온가열매체를 이용하는 방법(이후 "고온가스해리방법"이라 함)이 "The Bulletin of the Japan Society of Applied Physics"(Aut., 2001, 13P-P11)에서 Japan Advanced Institute of Science and Technology의 Nishimura 에 의하여 보고되었다. 이 보고서에 따라면, 이러한 가열매체가 촉매효과를 가지므로 반응가스의 해리 및 이용화 효율이 높은 것으로 나타났다. 또한 이러한 방법은 2002년 1월 16일자 아사히신문(석간)에서 "Light for Reestablishing the Country by Electronics"라는 제하에 소개된 바 있다. 이 기사에서 이 방법은 "촉매화학기상성장방법"이라 하였다.
고온가스해리방법에 있어서는 가스분자가 어떠한 확율로 해리되고 어떠한 형태이든 간에 종(種)이 촉매표면에 화학적으로 흡착되어 해리흡착종이 고온촉매에 의하여 열적으로 분리되고 반응공간으로 방출된다(Semiconductor Device Manufacturing Processes Using Cat-CVD Methods에 대한 성과보고회 자료, 2001.6.4. p. 15). 예를 들어 SiH4와 W 촉매의 경우, "고온"이라 함은 1,600℃ 이상을 일컫는다. 일반적으로, 고체표면에 대한 가스분자의 충돌빈도는 가스분자의 밀도(ng)의 함수이다. 그러나, 해리흡착종의 화학식이 알려져 있지 않으므로 반응공간에서 SiH4 분자의 충돌빈도는 SiH4의 분자밀도를 이용하여 계산되고 CVD의 실제결과는 상기 문헌에서 알 수 있다.
상기 언급된 미국특허 제6,204,194호에 기술된 방법에 있어서는 반응가스가 주입파이프에서 상측으로 유동할 수 있게 되어 있고 주입파이프의 측벽에 배열된 다수의 주입공에 의하여 웨이퍼의 대향면 사이의 간극으로 고속주입된다. 반응가스의 유속은 반응가스가 주입공을 지날 때 최대가 된다. 첨부도면의 도 1은 이 방법의 가스유속을 보인 것이다. 특히, 도 1은 수직반응튜브의 수평위치(수평축선)에 대한 유속을 보인 것이다. 반응가스가 주입공으로부터 고속으로 주입되는 동안(도 1의 점선 참조), 이는 히터에 의하여 가열되어 입자가 발생되며 반응가스가 비교적 낮은 유속으로 주입파이프에서 유동되므로 이들 입자는 반응공간으로 취입되어 웨이퍼의 결함원인이 되도록 한다.
따라서, 본 발명의 제1목적은 수직배치형 가열로를 이용하여 입자의 발생이 적은 감압CVD방법을 제공하는데 있다.
마이크로웨이브여기 드라이 에칭방법에 있어서는 마이크로웨이브발생기가 Al2O3, SiO2 등으로 만들어진 파이프 둘레에 배치되고, H2, N2, NF3 또는 NF3+NH3가 파이프를 통하여 강제유동되고 마이크로웨이브에 의하여 여기됨으로서 반응에 사용되는 활성종의 에칭가스를 생성한다. 이러한 방법에 있어서 입자대책의 관점으로부터 마이크로웨이브가 NF3에 조사되지 않는다. 따라서, 이는 자연산화막을 제거하기 위하여 강력한 에칭효과를 보이는 활성종으로 전환되도록 마이크로웨이브로 여기된 H2와 반응한다. 그러나, 이는 부차적으로 Al2O3 및 SiO2와 반응한다. 부차적인 반응의 결과로서 입자발생의 원인이 되는 Al과 Si가 발생된다. 아울러, 활성화되어야 하는 NF3가 마이크로웨이브에 의하여 직접 여기되지 않으므로 이 방법에 있어서는 다량의 NF3가 요구된다.
따라서, 본 발명의 제2목적은 할로겐원자를 함유하는 가스의 사용량을 줄일 수 있는 착체생성에 의한 자연산화막의 제거를 위한 방법을 재공하는데 있다.
고온가스해리방법이 대면적의 웨이퍼에 적용될 수 있고 저온프로세스이어서 잇점이 있는 반면에, 이는 기본적으로 단일웨이퍼시스템에 이용되며 현재까지 이를 위한 배치시스템이 실현되지 않았다. 따라서, 본 발명의 제3목적은 배치형의 고온 가스해기시스템을 제공하는데 있다.
더욱이, 고온가스해리방법에 의하여 산화제를 해리할 때에, 촉매에서 격렬한 반응이 일어나 촉매가 열화되는 문제를 야기시킨다. 따라서, 본 발명의 제4목적은 산화막을 생성할 수 있는 배치형 고온가스해리시스템을 제공하는데 있다.
본 발명에 따라서, 제1목적은 입자문제를 해결토록 감압CVD를 이용하는 반도체장치제조방법을 제공함으로서 달성될 수 있는 바, 이 방법이 기판고정지그의 측부를 둘러싸고 있으며 지그로부터 기판을 옮길 수 있도록 하는 상부가 폐쇄된 이중벽 반응튜브내에 상하로 일정한 간격을 두고 더미 웨이퍼를 포함하거나 포함하지 않는 둘 이상의 반도체 기판을 횡방향으로 배치하는 단계, 반도체 기판을 가열수단이 구비된 수직형 가열로에 배치하는 단계와, 반도체 기판을 공정가스에 접촉시키는 단계로 구성되고, 단일벽 반응튜브와 기판고정지그사이에 수직으로 연장된 가스주입파이프를 통하여 유동하는 가스의 유속과 단일벽 반응튜브와 기판고정지그사이에 수직으로 연장된 가스배출파이프를 통하여 유동하는 가스의 유속이 서로 실질적으로 동일함을 특징으로 한다.
도 1에서 보인 바와 같이, 각 튜브를 통하여 유동하는 가스의 가스유속은 종래의 방법에서는 V2'>>V1'의 관계를 보이나 본 발명에 있어서는 V2≒V 1의 관계를 보인다. 비록 이러한 관계는 배출펌프의 영향하에 V2>V1이 되려는 경향을 보이나, 그 차이는 5배 이하인 것이 좋다. 이러한 가스유속은 웨이퍼 사이의 간극이 좁을 수록 증가한다(점선 (1)과 (2) 참조).
반응속도는 상기 언급된 미국특허 제6,204,194호에서 기술된 원리의 이유로 상승되므로 V2≒V1의 관계가 성립될 때 입자가 웨이퍼를 통하여 유동하는 가스의 유속을 증가시킴으로서 감소될 수 있다.
본 발명의 제2 및 제3목적은 고온가스해리시스템을 제공함으로서 달성될 수 있는 바, 이 시스템은 반응튜브에서 가스의 평균자유행정 보다 큰 일정한 간격을 두고 더미 웨이퍼를 포함하거나 포함하지 않는 둘 이상의 반도체 기판을 분리가능하게 배치할 수 있게 된 기판고정지그, 필요한 경우 반도체 기판을 가열하기 위하여 반응튜브에 부착된 가열수단, 반응튜브내에 가스를 주입하기 위한 가스주입수단, 반응튜브의 외부로 가스를 배출하기 위한 배출수단과, 주입수단으로부터 가스의 주입전후에 가스를 해리하기 위한 가열촉매수단으로 구성된다.
특히, 제1목적을 달성하기 위하여 고온가스해리시스템에 사용되어야 하는 가스는 자연산화막을 제거하기 위하여 할로겐함유가스를 포함한다.
본 발명의 제4목적은 고온가스해리시스템을 제공함으로서 달성될 수 있는 바, 이 시스템이 반응튜브에서 가스의 평균자유행정 보다 큰 일정한 간격을 두고 더미 웨이퍼를 포함하거나 포함하지 않는 둘 이상의 반도체 기판을 분리가능하게 배치할 수 있게 된 기판고정지그, 필요한 경우 반도체 기판을 가열하기 위하여 반응튜브에 부착된 가열수단, 반응튜브로 산화제 이외의 제1가스를 주입하기 위한 제1가스주입수단, 가스주입수단으로부터 가스의 주입전후에 제1가스를 해리하기 위한 제1가열촉매수단, 반응튜브로 산화제의 제2가스를 주입하기 위한 제2가스주입수단, 제1가스주입수단으로부터 가스의 주입전후에 제2가스를 해리하기 위한 이리듐 또는 바나듐 또는 Fe-Cr-Al계의 전기저항체합금으로 된 제2가열촉매수단과, 반응튜브의 외부로 제1 및 제2가스를 배출하기 위한 배출수단으로 구성되고, 제1가스주입수단과 제2가스주입수단이 각 촉매에 의한 해리후에 제1 및 제2가스가 서로 혼합되도록 배향된다.
본 발명에 따른 감압CVD방법을 위하여 이용되는 가스주입수단과 배출수단은 여러가지 상이한 방식으로 구현된다.
예를 들어,가스주입수단은 반응튜브에 수직으로 연장되고 그 측벽에 주입공이 구비된 파이프일 수 있으며 배출수단은 반응튜브에 수직으로 연장되고 그 측벽에 흡기공이 구비된 파이프일 수 있다. 이 경우에 있어서, 기판고정지그는 노내에 횡방향으로 적층되는 반도체 기판을 고정한다.
다른 실현방식에 있어서, 가스주입수단은 반응튜브의 하측부에 개방부를 가지며 배출수단은 반응튜브와 이 반응튜브를 동심원상으로 둘러싸고 있는 외측튜브 사이에 형성된 환상간극이다. 이러한 실현방식에서, 환상간극을 이용하여 형성되는 배출가스유로는 큰 가스 컨덕턴스를 보인다.
다른 실현방식에 있어서, 가스주입수단은 반응튜브의 측벽에 개방부를 갖는 파이프이고 가스배출수단은 반응튜브의 측벽에 개방부를 갖는 배출파이프이다. 이 실현방식에 있어서, 가스주입파이프와 가스배출파이프의 수직위치는 실질적으로 서로 일치하는 것이 좋다.
아울러, 본 발명의 제2~제4목적을 달성하기 위하여 이용되는 가열촉매수단을 실현하기 위한 방식도 여러 가지가 있다. 예를 들어, 가열촉매수단은 반응튜브에서 주입공을 향하도록 배열될 수 있다. 이러한 실현방식에서, 가열촉매수단과 반도체 기판 사이에 열차폐판이 배열되는 것이 좋다. 다른 실현방식에서, 가열촉매수단은 가스주입파이프에 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 고온가스해리시스템에 있어서는 해리가스가 웨이퍼를 200~300℃로 가열하므로 이 시스템이 레지스터의 에칭 또는 애싱에 적용되는 경우 히터 또는 램프와 같은 가열수단이 요구되지 않는다. 그러나, 다른 경우에 있어서는 이후 상세히 설명되는 바와 같이 가열온도를 참조하여 히터 또는 램프와 같은 가열수단이 제공될 수도 있다.
본 발명의 제1 및 제3목적을 달성하기 위하여서 무시할 수 없는 가스의 평균자유행정(λ)은 다음의 식으로 표현된다.
λ∝ T /d species2?Pg
여기에서, T는 온도(K)를 나타내고 d species는 가스의 직경(m)을 나타내며 Pg는 가스압력(Pa)를 나타낸다.
수소(d species = 2.75 x 10-10)와 실란(d species = m)의 평균자유행정(cm)은 다음 표와 같다.
[표 1]
Tg Pg = 0.1 Torr (13.3 Pa)
H2 SiH4
0℃
(cm)
0.084
0.0106
2000℃
(cm)
0.70
0.0878
플라즈마 CVD방법과 비교하였을 때 고온가스해리방법은 높은 가스이용효율을 보인다. 이는 기판에 대한 가스분자의 충돌빈도(ncol)가 높음을 의미한다. 다수의 웨이퍼에 대한 가스분자의 충돌빈도(ncol)는 웨이퍼상에 균일한 막의 형성을 위하여 균일한 것이 요구된다.
도 2(a)(b)는 한쌍의 기판에 대하여 가스분자가 충돌하는 것을 보인 것이다. 도 2(a)는 웨이퍼 간극(d1)<평균자유행정(λ)인 경우를 보인 반면에 도 2(b)는 웨이퍼 간극(d1)>평균자유행정(λ)인 경우를 보이고 있다. 가스분자가 양측 기판에 충돌하기 전에 서로 충돌할 확률은 도 2(b)의 경우 보다는 도 2(a)의 경우가 높다. 도 2(a)의 경우는 기판에 대한 가스분자의 충돌빈도가 일정치 않고 분자가 활성상태로부터 기저상태로 용이하게 되돌아가므로 바람직하지 않다. 비록 도 2(a) 및 도 2(b)의 현상이 플라즈마 CVD에서도 일어나지만 이는 고온가스해리방법에서 보다 현저하게 나타난다. 상기 언급된 이유에서, 본 발명에 따른 고온가스해리시스템에 있어서는 웨이퍼 간극이 가스의 평균자유행정(λ) 보다 작다(d>λ). 그러나, (d>>λ)는 상당히 큰 반응공간을 요구하므로 의미가 없다. 따라서, d = 1~3 λ가 바람직하다.
가열촉매수단에 의하여 해리될 가스는 산화제 이외의 물질로부터 선택된다. 이러한 물질의 예로서는 SiH4, Si2H6, SiH2Cl2, TEOS, TMOP, NH3, PH3, B2H6, H2, N2, Cl2, F, SiCl4, BBr, AsH3, PCl3, BCl3, WF6, TiCl3, SiCl4, GeCl4, NF3, SF6 및 CF3가 있다. 이들은 또한 화합물에 산소를 함유하는 TEOS를 포함한다. NO2, O2, CO2와 O3와 같은 산화제와 예를 들어 2.5㎓의 고주파에 의하여 여기되는 O2 및 O3 가스(리모트 플라즈마 가스라 함)는 해리되지 않으며 청구범위 제9항에 한정된 바와 같이 본 발명을 수행하는 제3방식은 이러한 산화제를 주입하기 위한 별도의 주입수단을 구비한다.
청구범위 제9항의 구성과는 달리, 본 발명의 제4목적을 성취하기 위한 반도체장치의 제조장치에 있어서는 칸탈(Kanthal)로서 자 알려진 이리듐, 바나듐 또는 Fe-Cr-Al계 전기저항체합금이 히터가 열화되는 것을 방지하기 위하여 산화제 가열촉매수단으로서 사용된다.
본 발명의 목적을 위하여 사용될 수 있는 가스에 대하여서는 이후 상세히 설명될 것이다.
본 발명의 제1목적을 달성하기 위하여 사용될 수 있는 가스는 CVD 및 확산분야에서 잘 알려져 있는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 제3목적을 달성하기 위하여 사용될 수 있는 가스와 이들의 반응온도는 다음과 같다.
(a) Si3H4 막:SiH4 및 NH3의 조합(반응온도: 750~800℃), SiH 2Cl2 및 NH3의 조합(반응온도: 750~800℃).
(b) 폴리-Si 막:SiH4(580~625℃), Si2H6(500~550℃).
(c) p-도프드 폴리-Si 막:SiH4 및 PH3의 조합(550~600℃).
본 발명의 제3목적을 달성하기 위한 산화막을 형성하기 위하여, 산화제가 W 히터에 의하여 해리되지 아니하며 SiH4와 같은 해리가스와 반응한다. 그러나, 화합물에 산소를 함유하는 TEOS는 W 히터에 의하여 해리된다. 본 발명의 제4목적을 달성하기 위하여, 산화제가 이리듐 히터에 의하여 해리된다. 산화제는 NO2, O2, CO2 와 O3를 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히 다음에 열거된 조합이 좋다.
(d) SiO2 막:SiH4와 NO2(약 800℃), SiH4와 O2(300~400℃), SiH4와 CO2(900~1,000℃), TEOS와 O2(650~670℃), TEOS(300~400℃), TEOS와 O3(350~400℃).
(e) SiON 막:SiH2Cl2, NH3와 O2의 조합(700~800℃).
이제, 본 발명은 그 우선실시형태를 보인 도면을 참조하여 보다 상세히 설명될 것이다.
도 3과 도 4는 본 발명의 제1방법을 수행하기 위한 시스템을 보이고 있다. 도 3과 도 4에서, 부호 1은 수직형 가열로의 노체를 나타낸다. 이는 내화 및 내열재로 만들어지며 상부는 폐쇄되고 하부는 개방된 포트형의 가열로 형태로 되어 있다. 부호 2는 적당한 지그에 의하여 노체(1)의 내벽에 견고히 고정되는 가열수단, 즉 히터를 나타낸다. 히터(2)는 다수의 영역으로 나누어져 있고, 각 영역에 인가되는 전류는 독립적으로 제어된다. 비록 상세히 도시하지는 않았으나 전류계 V20과 V30이 노체(1)와 히터(2)의 하측위치에 배치되어 있다.
부호 5는 노공간에서 수직으로 이동가능하고 회전될 수 있도록 전체가 하부 중심축(11)에 의하여 지지된 타워형 기판고정지그를 나타낸다. 기판고정지그(5)는 처리온도가 150℃ 이하일 때에 회전되어야 한다. 처리온도가 350~450℃일 때에 지그(5)의 회전없이 5~10%의 면내두께분포를 얻을 수 있다. 부호 3은 웨이퍼를 나타낸다. 하나 이상의 상부 웨이퍼와 하나 이상의 하부 웨이퍼는 더미 웨이퍼일 수 있다. 8-인치 웨이퍼의 경우 두 인접한 웨이퍼 사이의 간극은 5~15mm, 좋기로는 약 10mm이다. 웨이퍼(3)를 수직으로 배치하고 지지하기 위하여 다수의 환상체(6)가 일정한 간격을 두고 적층되어 지지컬럼(7)에 견고히 고정된다. 각 환상체(6)에는 웨이퍼(3)의 주연변부를 고정하기 위하여 90°간격을 두고 배치되고 노의 중심축을 향하여 수평방향으로 돌출된 4개의 받침고리(8)가 구비되어 있다.
부호 10은 지지컬럼(7)의 하단부를 견고하게 고정하기 위한 기부를 나타낸다. 이 기부(10)는 내부가 진공인 중공동체일 수 있다. 기부(10)의 저면에 견고히 결합된 하부 중심축(11)은 저면판(12)의 분리용 중심공을 통하여 인상회전기구(도시하지 않았음)에 결합된다.
부호 13은 석영으로 만들어진 단일벽형의 반응튜브(이후 간단히 "반응튜브"라 함)를 나타낸다. 내부에는 반응공간이 형성되어 있다. 부호 20은 반응가스주입파이프를 나타내고 부호 30은 반응가스배출파이프를 나타낸다. 반응가스주입파이프(20)에는 한쌍의 파이프동체가 구비되어 있으며 반응가스배출파이프(30)에도 한쌍의 파이프동체가 구비되어 있다.
반응가스주입동체(20)는 10mm이하의 내경을 갖는 것이 좋다. 반응가스주입파이프(20)의 각 파이프동체는 순서대로 연속배열되는 도입부(20a), 감압부(20b) 및 주입부(20c)를 갖는다. 도입부(20a)에는 반응의 종료후 반응가스의 유입을 차단하기 위한 밸브(21)가 구비되어 있다. CVD 성장시간중에, 반응가스주입파이프(20)의 밸브(21)는 반응가스배출파이프(30)에 배치된 펌프의 용량에 일치하는 노의 컨덕턴스를 한정하기 위하여 개방 및 폐쇄토록 작동된다. 다음의 감압부(20b)는 고온영역을 벗어나 배치되고 이 감압부의 영역에서 튜브의 내경이 급격히 증가함으로서 V2 ≒ V1의 조건을 얻을 수 있도록 내부압력을 떨어뜨리고 가스유속을 증가시킬 수 있도록 되어 있다.
끝으로, 주입부(20c)는 주입공(23)을 통하여 노내에 적층된 웨이퍼(3)에 반응가스를 균일하게 공급할 수 있도록 노내에 수직으로 연장되어 있다. 주입공(23)의 다른 배열형태에 대하여서는 이후에 설명될 것이다.
예를 들어, 반응가스주입파이프(20)의 선단부가 폐쇄되고 반응가스가 파이프의 측벽에 배열된 주입공을 통하여 주입될 수 있다. 이러한 구성에 있어서, 단일벽형 반응튜브(13)가 반응가스주입파이프(20)의 내부 보다는 배출펌프에 접근하여 배치되고 반응가스의 유속이 단일벽형 반응튜브(13)에서 증가되는 경향이 있으므로 압축된 가스에 의한 가스유속의 증가를 방지하기 위하여 주입공(23)의 전체 단면적(S1)은 반응가스주입파이프(20)의 단면적(S2) 보다 크게되어 있다(S1 > S2).
다른 구성형태에서, 반응가스주입파이프(20)의 선단부가 폐쇄되지 않고 개방단부(32)를 갖는다(도 3). 개방단부(32)의 단면적(S1')이 주입공의 단면적(S1)과 동일한 효과를 제공하므로 S1 + S1' > S2일 때에 압축된 가스에 의한 가스유속의 증가 가 방지될 수 있다. 상기 식의 좌변의 값은 반응가스주입파이프의 선단부가 확장되는 경우 증가될 수 있다.
또 다른 형태에서, 반응가스주입파이프(20)의 선단부가 개방단부(32)로 구성되고 모든 주입공(23)이 폐쇄된다. 따라서, 이 형태에서는 반응가스가 개방단부(32)로부터 주입된다.
반응가스배출파이프(30)는 L-형의 파이프이고 그 출구측에 밸브(31)가 구비되어 있고 그 선단측에 흡기공(32)이 구비되어 있다. 또한 이는 그 측벽에는 흡기공(33)이 구비되어 있으며 배출펌프(도시하지 않았음)에 연결된다.
전류계 V20, V30가 반응가스주입파이프(20)와 반응가스배출파이프(30)에 배치되어 각 가스유속을 측정한다.
도 4에서 보인 바와 같이, 반응가스주입파이프(20)에는 나란히 한쌍의 파이프동체(20(1))(20(2))가 배열되어 있다. 이들 파이프동체(20(1))(20(2) )는 길이가 동일하거나 다를 수 있다. 그리고, 상이한 형태의 가스가 동일한 길이를 갖는 각 파이프동체(20(1))(20(2))를 통하여 유동될 수 있다. 반응가스는 각각 길이가 상이한 파이프동체(20(1))(20(2))에 의하여 상부 웨이퍼 또는 하부 웨이퍼에만 유동할 수 있다.
마찬가지로, 한쌍의 파이프동체(30(1))(30(2))가 반응가스배출파이프(30)에 나란히 배열된다.
도 5(a)(b)(c)는 선단이 폐쇄된 반응가스주입파이프(20)를 보이고 있다.
도 5(a)는 단면도이고 도 5(b)와 도 5(c)는 상이한 반응가스주입파이프(20) 의 정면도이다. 도 5(b)에서 보인 바와 같이, 3개의 주입공(23)은 상이한 단면적을 갖는 바, 선단부에 근접하여 배치된 주입공(상부)은 커다란 삼각형의 단면을 가지고 후단부에 근접하여 배치된 주입공(하부)은 작은 삼각형의 단면을 갖는다. 각 주입공(23)은 역삼각형의 형태이어서 상측이 넓고 하측은 좁다. 이와 같이 주입공의 차별화된 형태로 반응가스주입공은 이들의 수직방향 위치에 관계없이 동일한 유속으로 반응가스를 주입할 수 있게 된다. 도 5(c)에서 보인 바와 같이 동일한 형태와 동일한 크기를 갖는 주입공(23)을 배열하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도 6은 도 3에서 보인 것과 유사한 수직배치형 가열로의 단면을 도시하였으나 다만 반응가스주입파이프(20)와 반응가스배출파이프(30)만을 보인 것이다. 동일한 구성부분에 대하여서는 동일한 부호로 표시하였다. 도 6의 구성에 이용되는 고온가스해리방법에 있어서는 반응가스가 "종래기술의 설명"에서 언급된 바와 같이 반응가스해리현상이 이루어질 수 있도록 하고 배치처리공정을 위하여 주입공(23)을 통하여 반응가스를 주입할 수 있도록 Al2O3로 코팅되었거나 코팅되지 않은 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈륨, 칸탈(상표명: Gadelius AB로부터 입수할 수 있음) 또는 이리듐의 와이어로 이루어진 히터(가열촉매수단)(26)(이후 "텅스텐 히터 26"이라 함)와 접촉할 수 있게 된다. 감압부(20b)의 내부압력은 1~20Pa인 것이 좋다.
이와 같이, 본 발명의 제2-제4목적을 달성할 수 있도록 하는 시스템은 도 3에서 보인 시스템의 구조를 이용하고 이를 도 6에서 설명된 바와 같은 방법으로 수정함으로서 실현될 수 있다. 그러나, 다음과 같은 점이 고려되어야 한다.
(a) 텅스텐 히터(26)와 웨이퍼(3)사이가 짧은 거리를 두고 분리되어 있고 반응온도가 낮을 때, 웨이퍼(3)가 텅스텐 히터(26)에 의하여 반응온도까지 가열되므로 히터(2)(가열촉매수단)가 필요치 않다.
(b) 본 발명의 제3목적을 달성하기 위하여 산화제와 산화제 이외의 가스가 각 파이프동체(20(1))(20(2))로부터 분리되어 주입되어야 한다.
(c) 본 발명의 제2목적을 달성하기 위하여 하나 또는 둘 이상의 웨이퍼가 자연산화막을 제거하도록 열해리에칭가스로 처리된다.
W와 같은 고온가열매체가 사용될 때 만족되어야 하는 반응조건은 다음과 같다.
(1) NF3, SF6, CHF3를 이용한 Si, SiO2, SiN의 에칭:
희석매체: He, 전기가열온도: 2,400℃, 압력: 67Pa, NF3 유속: 70 sccm (상기 언급된 Japan Society of Applied Physics에서 보고된 바와 같음).
(2) 도프되지 않은 수소화미결정 Si의 CVD:
SiH4 유속: 2~15, 히터면적: 3~50㎠, 가스압력: 0.1~13㎩, 기판온도: 200~300℃, 필라멘트온도: 1,500℃, W 필라멘트면적: 4㎠ (Extended Abstract of the International Pre-workshop on Cat-CVD(Hot-Wide CVD) Process, 1999, 9, 29, Ishikawa Hitech Center, p. 55).
(3) 아모포스 Si:
히터온도: 1,500~1,900℃, SiH4 유속: 10~20sccm, H2 유속: 10~40sccm, 히터전력: 100~600W, 히터면적: 5~30㎠, 가스압력: 0.1~13Pa, 기판온도: 150~300℃ (Extended Abstract, 1st International Conference on Cat-CVD(Hot-Wide CVD) Process, 2000, 11, 14-17, Kanazawa City).
(4) 폴리-Si:
히터온도: 1,500~1,900℃, SiH4 유속: 0.5~10sccm, H2 유속: 0~200sccm, 히터전력: 800~1,500W, 히터면적: 10~60㎠, 가스압력: 0.1~40Pa, 기판온도: 300~450℃ (상기 (3)과 동일함).
(5) SiNx:
히터온도: 1,500~1,900℃, SiH4 유속: 0.5~5sccm, NH3 유속: 50~200sccm, 히터전력: 300~800W, 히터면적: 5~30㎠, 가스압력: 0.1~13Pa, 기판온도: 300~450℃ (상기 (3)과 동일함).
(6) 레지스터의 애싱:
H2O, O2가스 (상기 언급된 Japan Society of Applied Physics에서 보고된 바와 같음).
도 7은 본 발명의 목적을 위하여 사용될 수 있는 텅스텐 히터의 단면을 보인 것으로, 그 형태와 구성이 도 6과는 상이하다. 텅스텐 히터(26)는 반응가스주입파이프(20)와 웨이퍼고정지그 사이에 배치된다. 텅스텐 히터(26)는 석영튜브와 같은 슬리이브(27)내에서 안내되고 슬리이브(27)의 외측으로 연장되어 반응에 필요한 고온영역(26a)에서 U-형을 형태를 이룬다. 주입공(23)으로부터 주입된 반응가스는 텅스텐 히터(26)와 접촉하여 웨이퍼에 막을 형성한다. 슬리이브(27)에서, 텅스텐 히 터(26)와 슬리이브(27) 사이에 간극이 형성되어 있다. N2 또는 NH3와 같은 가스가 텅스텐 히터(26)를 보호하기 위하여 간극을 통하여 유동되도록 한다. 텅스텐 히터(26)는 슬리이브(27)의 외측에서 보다 슬리이브(27) 내의 직경이 큰 것이 좋다.
도 8은 수직형 가열로의 단면을 보인 것으로, 그 형태와 구조는 도 6 및 도 7에서 보인 것과 상이하다. 도 8에서는 기판고정지그를 도시하지 않았다. 텅스텐 히터(26)는 반응가스주입파이프(20)의 한쌍의 평행한 파이프동체(20(1))(20(2)) 사이에 배치되고전형적으로 실란인 가스(28)를 가열하고 해리할 수 있게 되어 있다. 그리고 이는 해리하여 얻은 반응가스를 웨이퍼(3)측으로 공급한다. 이와 같이 해리되어 얻은 반응가스가 텅스텐 히터(26)와 웨이퍼(3)측으로 집중될 수 있도록 하는 블록판(29)이 배치된다.
평행한 파이프동체(20(1))(20(2)) 이외에, SiO2 막이 성장될 수 있도록 노의 적당한 위치에 별도의 산화제주입파이프가 배치될 수 있다.
도 9와 도 10은 본 발명의 제1목적을 달성하기 위하여 350~450℃ 이하, 좋기로는 150~300℃ 이하의 온도에서 이루어지는 반응에 적합한 램프가열구성을 보인 것이다. 전류계 V20, V30의 위치도 도시되어 있다.
도 9 및 도 10에서 도 3 및 도 4와 동일한 구성요소에 대하여서는 동일한 부호로 표시하였다. 도 9 및 도 10에서, 부호 40a는 원형으로 배열된 롯드형 가열램프를 나타내고 부호 41은 금(Au) 포일로 코팅된 반사판을 나타내며 부호 42는 자켓 을 나타낸다. 냉각수가 반사판(41)과 자켓(42)사이로 유동할 수 있게 되어 있다. 부호 40b는 천정부분의 권선형 램프히터를 나타낸다. 아울러, 처리후에 노내의 가스를 몰아내기 위한 퍼지가스주입파이프(50)와 노내의 열에 대하여 하측부를 보호하기 위한 분리기(51)가 배치되어 있다.
반사판(52)이 노내의 열을 반사하여 반응공간에서 균일한 온도분포가 이루어질 수 있도록 기부(10)에 배치되어 있다. 아울러, 상단면석영판(53)이 최상측 웨이퍼(3)의 상부에 배치되어 반응공간의 균일한 열특성을 높인다.
도 11-도 13은 자연산화막의 에칭에 적합하고 본 발명의 제2목적을 달성할 수 있도록 하는 반도체장치의 제조장치의 다른 실시형태를 보인 것이다. 도 11-도 13에서, 도 3 및 도 4와 동일한 구성요소에 대하여서는 동일한 부호로 표시하였다. 그러나, 반응가스주입파이프(20)와 반응가스배출파이프(30)가 횡방향으로 서로 평행하게 배치되어 있으며 이들 파이프(20)(30)는 알루미늄으로 되어 있다. 알루미늄은 N2, H2 및 NF3와 반응하여 안정되고 비활성막을 생성하며 입자의 생성을 최소화할 수 있도록 한다. 아울러, NF3가 텅스텐 히터(26)에 의하여 해리되고 활성화되므로 그 사용량이 적다.
텅스텐 히터(26)는 가스의 유동방향에서 보았을 때 치밀하게 배열되는 다수의 W-형 패턴을 보인다. 이미 언급된 바와 같이 여기된 NF3에 의하여 자연산화막을 제거하는 반응속도는 60℃ 현저히 떨어지므로 웨이퍼(3)가 텅스텐 히터(26)에 의하여 이러한 온도레벨로 가열되는 것을 방지할 필요가 있다. 웨이퍼(3)를 복사가열로부터 보호하기 위하여 텅스텐 히터(26)와 기판고정지그(6) 사이에 광차단판(35)이 배치된다. 다른 한편으로, 광차단판(35)의 상측부와 반응튜브(13)의 내벽사이에는 간극이 형성되어 이 간극에 의하여 여기된 NF3가 웨이퍼에 도달하도록 한다. 광차단판(35)은 내부에 수냉구조를 가지므로서 냉각자켓으로서 이용될 수 있도록 하는 것이 좋다. 모터(36)의 회전력이 기어(37)를 통하여 하부의 중심축(11)에 전달될 때 모든 웨이퍼(3)가 회전구동된다.
도 14는 본 발명의 제4목적을 달성할 수 있도록 하는 다른 시스템을 보인 것이다. 이는 도 8과 유사한 단면을 갖는다.
도 14에서, 부호 20(1)은 산화제, 예를 들어 SiH4 이외의 가스를 주입하기 위한 주입파이프이고 부호 20(2)는 예를 들어 O2와 같은 산화제를 주입하기 위한 주입파이프이며 부호 26(1)은 텅스텐 히터를 나타내고 부호 26(2)는 이리듐 히터를 나타내며 부호 45는 SiH4와 O2가 해리전에 서로 혼합되지 않도록 하는 블록판을 나타낸다.
도 15와 도 16은 본 발명의 제4목적을 달성하기 위한 또 다른 실시형태를 보인 것이다. 도 11-도 14와 동일한 구성요소에 대하여서는 동일한 부호로 표시하였다. 이 시스템은 웨이퍼(3)가 요구형 컬럼에 의하여 고정되지 않고 적층되어 회전축(38)에 견고히 고정된 서셉터(39)에 의하여 고정된다. 산화제 이외의 가스를 주입하기 위한 가스주입파이프(41)와 산화제주입파이프(42)가 반응튜브(13)로부터 분기되어 있다.
제2실시형태의 이리듐 히터26(2)는 2.45GHz 마이크로웨이브를 이용하는 리모트 플라즈마 발생기로 대체될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 입자발생을 줄일 수 있는 수직배치형 가열로를 이용한 반도체장치의 제조방법과 장치를 제공한다.

Claims (33)

  1. 반도체장치의 제조방법에 있어서, 이 방법이 기판고정지그의 측부를 둘러싸고 있으며 지그로부터 기판을 옮길 수 있도록 하는 상부가 폐쇄된 이중벽 반응튜브내에 상하로 일정한 간격을 두고 둘 이상의 반도체 기판을 횡방향으로 배치하는 단계, 반도체 기판을 가열수단이 구비된 수직형 가열로에 배치하는 단계와, 반도체 기판을 공정가스에 접촉시키는 단계로 구성되고, 단일벽 반응튜브와 기판고정지그사이에 수직으로 연장된 가스주입파이프를 통하여 유동하는 가스의 유속과 단일벽 반응튜브와 기판고정지그사이에 수직으로 연장된 가스배출파이프를 통하여 유동하는 가스의 유속이 서로 동일함을 특징으로 반도체장치의 제조방법.
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  17. 제1항에 있어서, 상기 기판이 더미 웨이퍼를 포함함을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  18. 반도체장치의 제조장치에 있어서, 이 장치가 반응튜브에서 가스의 평균자유행정 보다 큰 일정한 간격을 두고 둘 이상의 반도체 기판을 분리가능하게 배치할 수 있게 된 기판고정지그, 반도체 기판을 가열하기 위하여 반응튜브에 부착된 가열수단, 반응튜브내에 가스를 주입하기 위한 가스주입수단, 반응튜브의 외부로 가스를 배출하기 위한 배출수단과, 주입수단으로부터 가스의 주입전후에 가스를 해리하기 위한 가열촉매수단으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 기판이 더미 웨이퍼를 포함함을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 가스주입수단이 반응튜브에 수직으로 연장되고 그 측벽에 가스주입공이 구비된 파이프이고, 상기 배출수단이 반응튜브에 수직으로 연장되고 그 측벽에 배출공이 구비된 파이프이며, 상기 기판고정지그가 상기 반도체기판을 상하로 배치할 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  21. 제18항에 있어서, 상기 가스주입수단이 반응튜브의 하측부에 개방부를 가지며, 배출수단이 반응튜브와 이 반응튜브를 동심원상으로 둘러싸고 있는 외측튜브 사이에 형성된 환상간극임을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 가스주입공의 수직위치와 상기 배출공의 수직위치가 서로 일치함을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  23. 제20항 내지 제22항의 어느 한 항에 있어서, 상기 가열촉매수단이 상기 반응튜브의 주입공을 향하도록 배열됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  24. 제18항에 있어서, 상기 가열촉매수단과 상기 반도체 기판 사이에 열차폐판이 배열됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  25. 제18항에 있어서, 상기 가열촉매수단이 상기 가스주입수단에 배치됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  26. 제18항에 있어서, 상기 가열촉매수단에 의하여 해리된 가스가 산화제 이외의 가스이고 산화제를 주입하기 위한 별도의 주입수단이 제공됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 별도의 주입수단에 마이크로웨이브로 상기 산화제를 여기시키기 위한 수단이 제공됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  28. 반도체장치의 제조장치에 있어서, 이 장치가 반응튜브에서 가스의 평균자유행정 보다 큰 일정한 간격을 두고 더미 웨이퍼를 포함하거나 포함하지 않는 둘 이상의 반도체 기판을 분리가능하게 배치할 수 있게 된 기판고정지그, 반도체 기판을 가열하기 위하여 반응튜브에 부착된 가열수단, 반응튜브로 산화제 이외의 제1가스를 주입하기 위한 제1가스주입수단, 가스주입수단으로부터 가스의 주입전후에 제1가스를 해리하기 위한 제1가열촉매수단, 반응튜브로 산화제의 제2가스를 주입하기 위한 제2가스주입수단, 제1가스주입수단으로부터 가스의 주입전후에 제2가스를 해리하기 위한 이리듐 또는 바나듐 또는 Fe-Cr-Al계의 전기저항체합금으로 된 제2가열촉매수단과, 반응튜브의 외부로 제1 및 제2가스를 배출하기 위한 배출수단으로 구성되고, 제1가스주입수단과 제2가스주입수단이 각 촉매에 의한 해리후에 제1 및 제2가스가 서로 혼합되도록 배향됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 제1 및 제2가스주입수단이 반응튜브에 수직으로 연장되고 그 측벽에 주입공이 구비된 파이프이고, 상기 배출수단이 반응튜브에 수직으로 연장되고 그 측벽에 흡기공이 구비된 파이프이며, 상기 기판고정지그가 둘 이상의 상기 반도체기판을 상하로 배치할 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 제1 및 제2가스주입수단이 서로 평행하게 배치됨을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 제1 및 제2가열촉매수단에 각각 도달하기 전에 상기 제1 및 제2가스가 서로 혼합됨을 방지하기 위한 블록판을 더 포함함을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
  32. 청구항 제18항에 따른 반도체장치의 제조장치를 이용하여 반도체장치를 제조하기 위한 반도체장치의 제조방법.
  33. 제20항 또는 제29항에 있어서, 상기 가스주입수단에서 유동하는 가스의 유속과 상기 배출수단에서 유동하는 가스의 유속이 동일함을 특징으로 하는 반도체장치의 제조장치.
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1540258A1 (en) * 2002-07-15 2005-06-15 Aviza Technology, Inc. Variable heater element for low to high temperature ranges
US7622007B2 (en) 2003-08-07 2009-11-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method
WO2005038080A1 (ja) * 2003-10-22 2005-04-28 Juridical Foundation Osaka Industrial Promotion Organization ナノサイズヒータ付きノズルおよびその製造方法ならびに微小薄膜の製造方法
JP4493379B2 (ja) * 2003-11-26 2010-06-30 京セラ株式会社 発熱体ｃｖｄ装置
JP2005209668A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20080118856A1 (en) * 2004-12-20 2008-05-22 Olga Ivanova Marking Liquid
KR100761576B1 (ko) * 2004-12-24 2007-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판 처리장치
JP4535499B2 (ja) * 2005-04-19 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
JP5117856B2 (ja) * 2005-08-05 2013-01-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、冷却ガス供給ノズルおよび半導体装置の製造方法
DE602006021108D1 (de) 2005-09-05 2011-05-19 Japan Pionics Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung
US7387968B2 (en) * 2005-11-08 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
JP2007214538A (ja) 2006-01-11 2007-08-23 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
US7700054B2 (en) 2006-12-12 2010-04-20 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet
WO2008100917A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Caracal, Inc. Epitaxial growth system for fast heating and cooling
JP5222652B2 (ja) * 2008-07-30 2013-06-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5184329B2 (ja) * 2008-12-22 2013-04-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
TW201038764A (en) * 2009-03-16 2010-11-01 Alta Devices Inc Reactor lid assembly for vapor deposition
JP2010258265A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Koyo Thermo System Kk 熱処理装置
CN102844883B (zh) * 2010-02-12 2016-01-20 速力斯公司 用于制造光电池和微电子器件的半导体衬底的双面可重复使用的模板
US20120276746A1 (en) * 2011-04-27 2012-11-01 Denso Corporation Manufacturing method of semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP5447473B2 (ja) * 2011-09-26 2014-03-19 住友電気工業株式会社 グローブボックス
KR101886740B1 (ko) * 2011-11-01 2018-09-11 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101364701B1 (ko) * 2011-11-17 2014-02-20 주식회사 유진테크 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치
KR101308111B1 (ko) * 2011-11-17 2013-09-26 주식회사 유진테크 복수의 배기포트를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법
JP5887962B2 (ja) * 2012-01-31 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2013163841A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Jtekt Corp 炭素膜成膜装置および炭素膜成膜方法
JP6043346B2 (ja) * 2012-05-09 2016-12-14 麒麟麦酒株式会社 複合発熱体並びにそれを用いた薄膜を備える成形体の製造方法及び発熱体ｃｖｄ装置
JP5958231B2 (ja) * 2012-09-24 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US9512519B2 (en) * 2012-12-03 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Atomic layer deposition apparatus and method
JP6128969B2 (ja) * 2013-06-03 2017-05-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN105723496B (zh) * 2013-11-18 2019-01-11 佳能安内华股份有限公司 基板处理装置和基板处理方法
CN103646902A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 上海华力微电子有限公司 一种用于优化半导体工艺条件的气体注入管
EP3129522B1 (de) * 2014-04-09 2018-02-28 Bühler Alzenau GmbH Gasverteilvorrichtung einer vakuumkammer mit einer gasführungseinrichtung
US20170207078A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus and semiconductor process
JP6700150B2 (ja) * 2016-10-03 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 パーティクル捕集装置、パーティクル捕集方法、およびパーティクル捕集システム
WO2018154823A1 (ja) 2017-02-23 2018-08-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
WO2019038974A1 (ja) * 2017-08-25 2019-02-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、基板処理方法、および、半導体装置の製造方法
JP6856478B2 (ja) * 2017-09-07 2021-04-07 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US11532459B2 (en) * 2017-11-09 2022-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus with cleaning gas flow guiding member
CN108690972A (zh) * 2018-08-06 2018-10-23 长江存储科技有限责任公司 用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置
KR102139296B1 (ko) * 2019-05-02 2020-07-30 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치
CN112575312B (zh) * 2019-09-30 2023-08-29 长鑫存储技术有限公司 薄膜制备设备以及薄膜制备方法
US20220122856A1 (en) * 2020-10-15 2022-04-21 Changxin Memory Technologies, Inc. Diffusion furnace

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148254A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Nec Yamagata Ltd 縦型ｃｖｄ装置
KR0140086Y1 (ko) * 1995-01-07 1999-04-15 문정환 저압화학기상증착 장치
JP2001358080A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Hitachi Ltd 縦型ｃｖｄ装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0308946B1 (en) * 1987-09-22 1993-11-24 Nec Corporation Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness
FI97731C (fi) * 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JPH08186081A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP3062589B2 (ja) * 1995-08-24 2000-07-10 名古屋大学長 ラジカル制御による薄膜形成方法
US6040010A (en) * 1996-09-10 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Catalytic breakdown of reactant gases in chemical vapor deposition
US6204194B1 (en) * 1998-01-16 2001-03-20 F.T.L. Co., Ltd. Method and apparatus for producing a semiconductor device
JP3132489B2 (ja) * 1998-11-05 2001-02-05 日本電気株式会社 化学的気相成長装置及び薄膜成膜方法
JP2000216156A (ja) * 1999-01-21 2000-08-04 Sony Corp シリコン窒化酸化膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法
US6746240B2 (en) * 2002-03-15 2004-06-08 Asm International N.V. Process tube support sleeve with circumferential channels
KR100515052B1 (ko) * 2002-07-18 2005-09-14 삼성전자주식회사 반도체 기판상에 소정의 물질을 증착하는 반도체 제조 장비

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0140086Y1 (ko) * 1995-01-07 1999-04-15 문정환 저압화학기상증착 장치
JPH09148254A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Nec Yamagata Ltd 縦型ｃｖｄ装置
JP2001358080A (ja) 2000-06-12 2001-12-26 Hitachi Ltd 縦型ｃｖｄ装置

Also Published As

Publication number Publication date
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US20120202352A1 (en) 2012-08-09
KR20030079720A (ko) 2003-10-10

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