KR101130134B1 - 패드 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

기판 상에 배치된 구리 회로 패턴, 적어도 상기 구리 회로 패턴 상에 적층된 골드층 및 상기 골드층 상에 적층된 나노 도금막을 포함하는 패드 구조가 개시된다.
패드, 나노, 니켈금속층, 골드층, 증착, 도금

Description

패드 구조 및 그 제조방법{Pad structure and manufacturing method thereof}
본 발명은 새로운 패드 구조에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 회로 판(circuit board) 또는 실장 기판(package substrate) 상의 외부로 노출된 전기적 접점 또는 패드 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 저원가, 내마모성, 긁힘방지 및 부식방지 등의 장점을 동시에 갖는다.
회로판(circuit board) 또는 실장 기판(package substrate)의 제작 과정에서, 세밀한 구리도선 패턴을 형성하는 것 이외에도, 최종적으로 외부로 노출된 전기적 접점 상에, 예를 들어, 와이어본딩 핑거(wire-bond finger), 솔더본딩 패드(solder bond pad) 등 본딩패드 또는 접촉패드의 표면 상에, 별도로 니켈골드(Ni/Au)층을 도금하여, 회로판 또는 기판 및 칩 간에 안정적이고 신뢰할 수 있는 전기적 연결을 더욱 확보할 수 있다. 동시에, 이러한 니켈골드층은 또한 구리 도선의 산화를 방지하는 기능을 갖는다.
당업자에게 알려진 바와 같이, 현재 니켈골드층을 형성하는 방식은 주로 전기도금법 및 화학도금법(chemical plating)의 두 가지를 포함하는데, 여기서, 와이 어본딩 핑거 상의 니켈골드층은 통상적으로 전기도금 방식으로 형성되므로, 전기도금법으로 형성된 골드층은 구조가 비교적 치밀하고, 하방의 니켈층이 부식되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 전기도금 골드층은 와이어 접합력이 비교적 우수하다. 그러나, 전기도금법으로 형성된 골드층은 두께가 비교적 두꺼워, 대략 0.4㎛ 내지 0.9㎛ 사이이므로, 그 제조 원가가 높다. SMD 상의 니켈골드층은 통상적으로 주로 화학도금법을 채용하는데, 그 골드층의 두께가 대략 0.1㎛ 내지 0.2㎛ 사이이므로, 제조 원가가 상대적으로 비교적 낮지만, 화학도금법을 채용하는 것은 블랙패드(black pad)의 문제가 있을 수 있다.
화학도금 니켈골드층도 와이어 본딩 영역에서 광범위하게 응용할 수 있게 하기 위해서, 업계에서는 소위 화학도금 니켈/ 화학도금 팔라듐/도금 골드층 기술을 발전시키고, 화학도금 니켈층 표면에 별도로 팔라듐 금속층(palladium)을 도금하여, 이로써 화학도금 니켈층의 부식방지 기능을 제고시켜야 한다. 그러나, 이러한 방법의 단점은 팔라듐 금속의 사용으로 부식방지 효과를 증가시키는 것은 한계가 있고, 팔라듐 금속의 가격 또한 저렴하지 않으므로, 그 원가를 더 낮출 수가 없다는 것이다.
나아가, 많은 응용에서, 부식방지 외에도, 상기 회로판 또는 실장 기판 상에서 외부로 노출된 와이어본딩 핑거 또는 솔더본딩 패드 등 본딩패드는 비교적 높은 내마모성 특성을 구비해야 할 수 있다. 그러나, 선행기술에 따라 형성한 니켈골드층 표면의 내마모성 특성은 모두 현저히 부족하므로, 진일보한 개선 및 개량이 기대되고 있다.
본 발명은 개량된 패드 구조 및 그 제조 방법을 제공하여, 상술한 선행기술의 단점 및 결점을 해결하고자 한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라, 본 발명은 기판 상에 배치된 구리 회로패턴; 상기 구리 회로패턴 상에 적층된 니켈금속층; 상기 니켈금속층 상에 적층된 골드층 및 상기 골드층 상에 적층된 나노 도금막을 구비하는 패드 구조를 제공한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따라, 본 발명은 기판 상에 배치된 구리 회로패턴; 구리 회로패턴 상에 적층된 골드층; 및 상기 골드층 상에 적층된 나노 도금막을 구비하는 패드 구조를 제공한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따라, 본 발명은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 구리 회로패턴을 형성하는 단계; 상기 구리 회로패턴 상에 니켈금속층을 형성하는 단계; 상기 니켈금속층 상에 골드층을 형성하는 단계; 및 상기 골드층 상에 나노 도금막을 선택적으로 증착하는 단계를 구비하는 패드 구조의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따라, 본 발명은 기판 상에 배치된 구리 회로패턴; 상기 구리 회로패턴 상에 적층된 니켈금속층; 상기 니켈금속층 상에 적층된 실버층; 및 상기 실버층 상에 적층된 나노 도금막을 구비하는 패드 구조를 제 공한다. 여기서, 상기 기판은 발광 다이오드(LED) 실장 기판일 수 있다.
본 발명의 패드 구조 및 그 제조 방법은 저원가, 내마모성, 오염방지, 긁힘방지 및 부식방지 등의 장점을 갖는다. 본 발명의 패드 구조는 와이어 본딩, 플립칩 실장, LED 실장 등등의 기술영역에 동시에 응용될 수 있다.
본 발명의 상술한 목적, 특징 및 장점을 더욱 확실하게 이해할 수 있도록 하기 위해, 이하에서 바람직한 실시 방식을 통해, 첨부된 도면을 참조하여, 다음과 같이 상세히 설명한다. 그러나, 이하의 바람직한 실시 방식 및 도면은 참고 및 설명을 위한 것일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이하의 명세서에서, 「패드」 또는 「패드 구조」는 본딩패드 또는 접촉패드 구조를 가리키고, 여기서, 본딩패드는 와이어본딩 핑거(wire-bond finger) 또는 솔더본딩 패드(solder bond pad) 등일 수 있고, 접촉패드는 기판 상의 전기적 접촉 골드핑거, 예를 들어, DRAM의 외접 콘택 핑거, 또는 집적회로 칩 상의 입/출력 패드(input/output pad) 등등을 포함할 수 있다. 이하의 바람직한 실시예에서, 회로판 또는 실장 기판 상의 외부로 노출된 전기적 접점 또는 패드 구조를 예로 들어 설명하더라도, 본 발명은 이러한 응용영역에 한정되지 않고, 본 발명의 범주는 첨부된 특허출원의 범위에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 패드 구조(20)는 기판(10)의 표면(10a) 상에 형성되는데, 여기서, 기판(10)은 인쇄 회로판, IC 기판 또는 다양한 실장 기판일 수 있다. 본 발명의 패드 구조(20)는 본딩패드 또는 접촉패드 구조일 수 있고, 여기서, 본딩패드는 와이어본딩 핑거 또는 솔더본딩 패드 등일 수 있고, 접촉패드는 기판 상의 접촉 골드핑거, 예를 들어, DRAM의 외접 콘택 핑거, 또는 집적회로 칩 상의 입/출력 패드(I/O pad) 등등을 포함할 수 있다. 간단명료한 설명을 위해, 기판(10)의 내부 연결구조는 도시하지 않는다. 나아가, 당업자는 상기 기판(10)이 단면 회로판, 양면 회로판 또는 다층 회로판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니라는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판(10)의 표면(10a) 상에는 솔더 마스크층(solder mask)(11)이 덮여 있는데, 솔더 마스크층(11)은 주로 기판(10)의 표면(10a) 상에 형성된 구리 회로패턴(12)을 보호하는데 사용된다. 또한, 솔더 마스크층(11)에는 솔더 마스크 개구(11a)가 형성되어 있어, 구리 회로패턴(12)을 부분적으로 노출하며, 와이어 본딩 또는 솔더볼의 전기적 접점의 위치, 예를 들어, 와이어본딩 핑거 또는 솔더본딩 패드를 한정하고, 회로판 또는 기판은 상기 전기적 접점을 통하여 칩과 전기적으로 연결된다. 상기 솔더 마스크 개구(11a)는 노광, 현상 등의 공정을 이용하여 형성하거나, 또는 레이저 박리를 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 솔더 마스크 개구(11a)가 노출하는 구리 회로패턴(12) 상에는 화학도금법으로 형성된 니켈금속층 (또는 화학도금 니켈층)(13), 골드층(14) 및 나노 도금막(nano-structured coating film)(15)이 순 서대로 구비되어 있다. 상기 골드층(14)은 전기도금 골드 또는 화학도금 골드일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 골드층(14)이 화학도금 골드일 때, 그 두께는 0.15 ㎛ 미만이고, 예를 들어, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이지만, 상기 골드층(14)이 전기도금 골드일 때, 골드층(14)의 두께는 0.3 ㎛ 미만이고, 바람직하게는 0.2 ㎛이다.
상기 골드층(14)은 화학도금법을 이용하여 형성된 것일 수 있고, 또는 다른 도금법으로 형성된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 주요특징은 골드층(14)의 두께가 매우 얇아질 수 있어 (대략 0.1 ㎛ 또는 그 이하), 선행기술에 따른 골드층의 최저 두께보다 더 얇다는 것이므로, 상대적으로 기존 전기도금법 또는 화학도금법으로 형성된 것보다, 모두 현저히 생산원가를 낮출 수 있음은 말할 것도 없다. 나아가, 다른 실시예에서, 상기 골드층(14)은 또한 다른 금속층, 예를 들어, 실버층일 수 있고, 상기 나노 도금막(15)은 골드층 또는 실버층과 모두 양호한 접합력을 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(15)은 도전막이고, 선택적으로 골드층(14)과 양호한 접합력을 가지며, 또한 골드층(14) 표면 결정입자(14a)의 간극(grain boundary)(14b)으로 침투할 수 있고, 치밀하고 평활한 나노 도금막 표면(15a)을 형성할 수 있는데, 도 1에서 부재 번호 "30"이 가리키는 원형구역을 확대한 것에 도시된 바와 같이, 이는 외부의 부식성을 갖는 물질이 하방의 화학도금 니켈층(13)에 접촉할 수 없도록 하여, 이로써, 패드 구조(20)의 산화방지, 부식방지 기능을 대폭 증가시키므로, 화학도금법을 사용하여 니켈골드층을 형성한다 하더라도, 본 발명의 패드 구조(20)는 와이어 본딩 및 플립칩 실장 영역에 동시에 응용될 수 있다. 또한, 상기 나노 도금막(15)의 치밀하고 평활한 나노 도금막 표면(15a)이 항상 깨끗하게 유지할 수 있고, 오염물 또는 미립자가 점착 또는 흡착되기 어려우므로, 본 발명의 패드 구조(20)는 후속되는 플라즈마 세정 단계를 다시 거치지 않아도 되어, 와이어 본딩 등의 접합 공정을 바로 실행할 수 있다.
나아가, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(15)은 높은 경도를 갖는데, 예를 들어, 일본규정 경도가 3H-6H에 도달할 수 있고 (미쯔비시 연필경도로 테스트하고, 750g 무게의 조건 하에서), 바람직하게는 4H-5H이므로, 본 발명은 패드 구조(20)의 표면 내마모성 특성을 확실하게 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(15)은 도전성 고분자 재료로 형성된 것일 수 있는데, 여기서 상기 도전성 고분자 재료는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리파라페닐린(polyparaphenylene ), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 상술한 그룹에서 적어도 택일된 조합물 또는 그 파생물일 수 있다. 물론, 상기 나노 도금막(15)은 상기에 열거된 고분자 재료의 종류에 한정되지 않고, 높은 경도 및 도전성 표면을 갖는 다른 나노 도금막, 예를 들어, 나노 탄소, 나노 금속, 나노 도전성 플라스틱 등등도 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(15)의 두께는 2 nm 내지 20 nm 사이이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패드 구조의 제조 방법을 도시하는 도면이다. 먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 제공하는데, 기판(10)은 인쇄 회로판, IC 기판 또는 다양한 실장 기판일 수 있다. 간단명료한 설명을 위해, 기판(10)의 내부 연결구조는 도시하지 않는다. 나아가, 당업자는 상기 기판(10)이 단면 회로판, 양면 회로판 또는 다층 회로판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 기판(10)에 구리 회로패턴(12)을 형성한다. 이어서, 기판(10)의 표면(10a) 상에는 솔더 마스크층(11)이 덮여 있는데, 솔더 마스크층(11)은 주로 구리 회로패턴(12)을 보호하는데 사용된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 이어서, 솔더 마스크층(11)에 솔더 마스크 개구(11a)를 형성하여, 구리 회로패턴(12)을 부분적으로 노출하고, 와이어 본딩 또는 솔더볼의 전기적 접점의 위치, 예를 들어, 와이어본딩 핑거 또는 솔더본딩 패드를 한정하며, 회로판 또는 기판은 상기 전기적 접점을 통하여 칩과 전기적으로 연결된다. 상기 솔더 마스크 개구(11a)는 노광, 현상 등의 공정을 이용하여 형성하거나, 또는 레이저 박리를 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4에 도시된 바와 같이, 솔더 마스크 개구(11a)를 형성한 후에는, 뒤이어 솔더 마스크 개구(11a)가 노출한 구리 회로패턴(12) 상에 니켈금속층(13) 및 골드층(14)을 순서대로 형성한다. 상기 골드층(14)은 전기도금 골드 또는 화학도금 골드일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 골드층(14)이 화학도금 골드일 때, 그 두께는 0.15 ㎛ 미만이고, 예를 들어, 바람직하게는 0.1 ㎛이지만, 상기 골드층(14)이 전기도금 골드일 때, 골드층(14)의 두께는 0.3 ㎛ 미만이고, 바 람직하게는 0.2 ㎛이다.
마지막으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 화학적 증착 공정을 실행하여, 골드층(14) 상에 나노 도금막(15)을 선택적으로 형성한다. 여기서, 나노 도금막(15)은 골드층(14) 상에만 선택적으로 증착될 수 있고, 솔더 마스크층(11) 상에는 증착될 수 없다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 나노 도금막(15)은 도전막이고, 골드층(14)과 양호한 접합력을 가지며, 또한 골드층(14) 표면 결정입자 간극으로 침투할 수 있고, 외부의 부식성을 갖는 물질이 하방의 화학도금 니켈층(13)에 접촉할 수 없도록 하여, 패드 구조(20)의 산화방지, 부식방지 기능을 대폭 증가시킨다. 나아가, 나노 도금막(15)은 높은 경도를 갖는데, 예를 들어, 일본규정 경도가 3H-6H에 도달할 수 있고 (미쯔비시 연필경도로 테스트하고, 750g 무게의 조건 하에서), 바람직하게는 4H-5H이며, 패드 구조(20)의 표면 내마모성 특성을 확실하게 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(15)은 도전성 고분자 재료로 형성된 것일 수 있는데, 여기서 상기 도전성 고분자 재료는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리파라페닐린(polyparaphenylene ), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 상술한 그룹에서 적어도 택일된 조합물 또는 그 파생물일 수 있다. 물론, 상기 나노 도금막(15)은 상기에 열거된 고분자 재료의 종류에 한정되지 않고, 높은 경도 및 도전성 표면을 갖는 다른 나노 도금막, 예를 들어, 나노 탄소, 나노 금속, 나노 도전성 플라스틱 등등도 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(15) 의 두께는 2 nm 내지 20 nm 사이이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 패드 구조(120)는 기판(10)의 표면(10a) 상에 형성되는데, 여기서, 기판(10)은 인쇄 회로판, IC 기판 또는 다양한 실장 기판일 수 있다. 간단명료한 설명을 위해, 기판(10)의 내부 연결구조는 도시하지 않는다. 나아가, 당업자는 상기 기판(10)이 단면 회로판, 양면 회로판 또는 다층 회로판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니라는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판(10)의 표면(10a) 상에는 솔더 마스크층(11)이 덮여 있는데, 솔더 마스크층(11)은 주로 기판(10)의 표면(10a) 상에 형성된 구리 회로패턴(12)을 보호하는데 사용된다. 또한, 솔더 마스크층(11)에는 솔더 마스크 개구(11a)가 형성되어 있어, 구리 회로패턴(12)을 부분적으로 노출하며, 와이어 본딩 또는 솔더볼의 전기적 접점의 위치, 예를 들어, 와이어본딩 핑거 또는 솔더본딩 패드를 한정하고, 회로판 또는 기판은 상기 전기적 접점을 통하여 칩과 전기적으로 연결된다. 상기 솔더 마스크 개구(11a)는 노광, 현상 등의 공정을 이용하여 형성하거나, 또는 레이저 박리를 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 솔더 마스크 개구(11a)가 노출하는 구리 회로패턴(12) 상에는 골드층(114) 및 나노 도금막(115)이 형성되어 있다. 상기 골드층(114)은 전기도금 골드 또는 화학도금 골드일 수 있다. 본 발명의 바 람직한 실시예에 따르면, 상기 골드층(114)이 화학도금 골드일 때, 그 두께는 0.15 ㎛ 미만이고, 예를 들어, 바람직하게는 0.1 ㎛이지만, 상기 골드층(114)이 전기도금 골드일 때, 골드층(114)의 두께는 0.3 ㎛ 미만이고, 바람직하게는 0.2 ㎛이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 골드층(114)은 전기도금법 또는 무전해 전기도금법을 이용하여 형성된 것일 수 있고, 또한 다른 도금법을 이용하여 형성된 것일 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 주요특징은 골드층(114)의 두께가 매우 얇아질 수 있어 (대략 0.1 ㎛ 또는 그 이하), 선행기술에 따른 골드층의 최저 두께보다 더 얇다는 것이므로, 확실하게 생산원가를 낮출 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(115)은 도전막이고, 골드층(114)과 양호한 접합력을 가진다. 나아가, 나노 도금막(115)은 높은 경도를 갖는데, 예를 들어, 일본규정 경도가 3H-6H에 도달할 수 있고 (미쯔비시 연필경도로 테스트하고, 750g 무게의 조건 하에서), 바람직하게는 4H-5H이므로, 패드 구조(120)의 표면 내마모성 특성을 확실하게 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(115)은 도전성 고분자 재료로 형성된 것일 수 있는데, 여기서 상기 도전성 고분자 재료는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리파라페닐린(polyparaphenylene ), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 상술한 그룹에서 적어도 택일된 조합물 또는 그 파생물일 수 있다. 물론, 상기 나노 도금막(115)은 상기에 열거된 고분자 재료의 종류에 한정되지 않고, 높은 경도 및 도전성 표면을 갖 는 다른 나노 도금막, 예를 들어, 나노 탄소, 나노 금속, 나노 도전성 플라스틱 등등도 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(115)의 두께는 2 nm 내지 20 nm 사이이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 패드 구조(120a)는 기판(10)의 표면(10a) 상에 형성되는데, 여기서, 기판(10)은 인쇄 회로판, IC 기판 또는 다양한 실장 기판일 수 있다. 간단명료한 설명을 위해, 기판(10)의 내부 연결구조는 도시하지 않는다. 나아가, 당업자는 상기 기판(10)이 단면 회로판, 양면 회로판 또는 다층 회로판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니라는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판(10)의 표면(10a) 상에는 솔더 마스크층(11)이 덮여 있는데, 솔더 마스크층(11)은 주로 기판(10)의 표면(10a) 상에 형성된 구리 회로패턴(112)을 보호하는데 사용된다. 또한, 솔더 마스크층(11)에는 솔더 마스크 개구(11a)가 형성되어 있어, 구리 회로패턴(112)을 부분적으로 노출하며, 와이어 본딩 또는 솔더볼의 전기적 접점의 위치, 예를 들어, 와이어본딩 핑거 또는 솔더본딩 패드를 한정하고, 회로판 또는 기판은 상기 전기적 접점을 통하여 칩과 전기적으로 연결된다. 상기 솔더 마스크 개구(11a)는 노광, 현상 등의 공정을 이용하여 형성하거나, 또는 레이저 박리를 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 솔더 마스크 개구(11a)가 노출하 는 구리 회로패턴(112) 상에는 니켈금속층(113), 팔라듐 금속층(118), 골드층(114) 및 나노 도금막(115)이 순서대로 형성되어 있다. 상기 골드층(114)은 전기도금 골드 또는 화학도금 골드일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 골드층(114)이 화학도금 골드일 때, 그 두께는 0.15 ㎛ 미만이고, 예를 들어, 바람직하게는 0.1 ㎛이지만, 상기 골드층(114)이 전기도금 골드일 때, 골드층(114)의 두께는 0.3 ㎛ 미만이고, 바람직하게는 0.2 ㎛이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 니켈금속층(113), 팔라듐 금속층(118)은 화학도금법을 이용하여 형성된 것일 수 있고, 상기 골드층(114)은 전기도금법 또는 화학도금법을 이용하여 형성된 것일 수 있고, 또한 다른 도금법을 이용하여 형성된 것일 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 주요특징은 골드층(114)의 두께가 매우 얇아질 수 있어 (대략 0.1 ㎛ 또는 그 이하), 선행기술에 따른 골드층의 최저 두께보다 더 얇다는 것이므로, 확실하게 생산원가를 낮출 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(115)은 도전막이고, 골드층(114)과 양호한 접합력을 가진다. 나아가, 나노 도금막(115)은 높은 경도를 갖는데, 예를 들어, 일본규정 경도가 3H에 도달할 수 있고 (미쯔비시 연필경도로 테스트하고, 750g 무게의 조건 하에서), 바람직하게는 6H에 도달할 수 있으므로, 패드 구조(120a)의 표면 내마모성 특성을 확실하게 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(115)은 도전성 고분자 재료로 형성된 것일 수 있는데, 여기서 상기 도전성 고분자 재료는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리파라페닐린(polyparaphenylene ), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 상술한 그룹에서 적어도 택일된 조합물 또는 그 파생물일 수 있다. 물론, 상기 나노 도금막(115)은 상기에 열거된 고분자 재료의 종류에 한정되지 않고, 높은 경도 및 도전성 표면을 갖는 다른 나노 도금막, 예를 들어, 나노 탄소, 나노 금속, 나노 도전성 플라스틱 등등도 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(115)의 두께는 2 nm 내지 20 nm 사이이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 패드 구조(220)는 기판(200)의 표면(200a) 상에 형성되는데, 여기서, 기판(200)은 발광 다이오드(LED) 실장 기판일 수 있다. 패드 구조(220)는 구리 회로패턴(212) 상에 니켈금속층(213), 실버층(214) 및 나노 도금막(15)을 구비하고 있다. 상기 실버층(214)은 전기도금 실버 또는 화학도금 실버일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 실버층(214)의 두께는 2 ㎛ 미만이고, 바람직하게는 1 ㎛ 이하 이거나 그보다 얇다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(215)은 도전막이고, 선택적으로 실버층(214)과 양호한 접합력을 가지며, 또한 실버층(214) 표면 결정입자 간극(grain boundary)으로 침투할 수 있고, 치밀하고 평활한 나노 도금막 표면을 형성할 수 있는데, 이는 외부의 부식성을 갖는 물질이 하방의 화학도금 니켈금속층(213)에 접촉할 수 없도록 하여, 이로써, 패드 구조(220)의 산화방지, 부식방 지 기능을 대폭 증가시킨다. 나아가, 본 발명의 나노 도금막(215)은 LED 실장 기판의 광 반사율을 확실하게 제고시켜, 이로써 광 이용율을 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 나노 도금막(215)은 실버층(214)의 보존시효를 대폭 연장하여, 실버층(214)이 쉽게 까맣게 변하지 못하도록 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(215)은 높은 경도를 갖는데, 예를 들어, 일본규정 경도가 3H-6H에 도달할 수 있고 (미쯔비시 연필경도로 테스트하고, 750g 무게의 조건 하에서), 바람직하게는 4H-5H이므로, 패드 구조(220)의 표면 내마모성 특성을 확실하게 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(215)은 도전성 고분자 재료로 형성된 것일 수 있는데, 여기서 상기 도전성 고분자 재료는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리파라페닐린(polyparaphenylene ), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 상술한 그룹에서 적어도 택일된 조합물 또는 그 파생물일 수 있다. 물론, 상기 나노 도금막(215)은 상기에 열거된 고분자 재료의 종류에 한정되지 않고, 높은 경도 및 도전성 표면을 갖는 다른 나노 도금막, 예를 들어, 나노 탄소, 나노 금속, 나노 도전성 플라스틱 등등도 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(215)의 두께는 2 nm 내지 20 nm 사이이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 패드 구조(320)는 집적회로 칩(300) 상에 형성된다. 패드 구조(320)는 하층 회로패 턴(312) 상에 표면 금속층(314) 및 나노 도금막(315)으로 구성된 적층구조를 구비한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 표면 금속층(314)은 하부 금속층(under bump metallurgy: UBM), 예를 들어, 골드층, 니켈골드층 등등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 나노 도금막(315)은 표면 금속층(314)의 골드층과 양호한 접합을 이루고, 긁힘방지, 오염방지, 내마모성, 부식방지 기능의 나노 도금막 표면을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(315)은 높은 경도를 갖는데, 예를 들어, 일본규정 경도가 3H-6H에 도달할 수 있고 (미쯔비시 연필경도로 테스트하고, 750g 무게의 조건 하에서), 바람직하게는 4H-5H에 도달할 수 있으므로, 패드 구조(320)의 표면 내마모성 특성을 확실하게 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(315)은 도전성 고분자 재료로 형성된 것일 수 있는데, 여기서 상기 도전성 고분자 재료는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리파라페닐린(polyparaphenylene ), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아닐린(polyaniline) 또는 상술한 그룹에서 적어도 택일된 조합물 또는 그 파생물일 수 있다. 물론, 상기 나노 도금막(315)은 상기에 열거된 고분자 재료의 종류에 한정되지 않고, 높은 경도 및 도전성 표면을 갖는 다른 나노 도금막, 예를 들어, 나노 탄소, 나노 금속, 나노 도전성 플라스틱 등등도 사용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 나노 도금막(315)의 두께는 2 nm 내지 20 nm 사이이다.
이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서만 설명하였으나, 본 발명의 특허 청구 범위에 근거한 모든 변경 및 수정은 모두 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패드 구조의 제조 방법을 도시하는 도면들이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 패드 구조를 도시하는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10; 기판 10a; 표면
11; 솔더 마스크층 11a; 솔더 마스크 개구
12; 구리 회로패턴 13; 니켈금속층
14; 골드층 14a; 결정입자
14b; 간극 15; 나노 도금막
15a; 나노 도금막 표면 20 패드 구조
30; 원형구역 112; 구리 회로패턴
113; 니켈금속층 114; 골드층
115; 나노 도금막 118; 팔라듐 금속층
120; 패드 구조 120a; 패드 구조
200; 기판 200a; 표면
220; 패드 구조 212; 구리 회로패턴
213; 니켈금속층 214; 골드층
215; 나노 도금막 220; 패드 구조
300; 집적회로 칩 312; 하층 회로패턴
314; 표면 금속층 315; 나노 도금막
320; 패드 구조

Claims (16)

  1. 패드 구조에 있어서,
    기판 상에 배치된 구리 회로패턴;
    상기 기판 상에 위치하고, 상기 구리 회로패턴의 일부를 노출하는 솔더 마스크 개구를 제공하는 솔더 마스크층;
    노출된 상기 구리 회로패턴 상에 적층된 골드층; 및
    상기 골드층 상에 적층된 나노 도금막을 구비하는 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 골드층의 하방에 위치한 니켈금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 나노 도금막은 도전막인 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  4. 제1항에 있어서, 상기 나노 도금막은 상기 골드층의 표면 결정입자 간극으로 침투하는 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  5. 제1항에 있어서, 상기 골드층은 화학도금 골드이고, 그 두께는0.15 ㎛ 미만 인 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  6. 제1항에 있어서, 상기 골드층은 전기도금 골드이고, 그 두께는 0.3 ㎛ 미만 인 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  7. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 구리 회로패턴을 형성하는 단계;
    상기 기판 상에 위치하고, 상기 구리 회로패턴의 일부를 노출하는 솔더 마스크 개구를 제공하는 솔더 마스크층을 형성하는 단계;
    노출된 상기 구리 회로패턴 상에 니켈금속층을 형성하는 단계;
    상기 니켈금속층 상에 골드층을 형성하는 단계; 및
    상기 골드층 상에 나노 도금막을 선택적으로 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 패드 구조의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 나노 도금막은 화학적 증착법으로 형성된 것임을 특징으로 하는 패드 구조의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 나노 도금막은 도전막인 것을 특징으로 하는 패드 구조의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 골드층은 화학도금 골드이고, 그 두께는 0.15 ㎛ 미만 인 것을 특징으로 하는 패드 구조의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 골드층은 전기도금 골드이고, 그 두께는 0.3 ㎛ 미만 인 것을 특징으로 하는 패드 구조의 제조 방법.
  12. 기판 상에 배치된 구리 회로패턴;
    상기 기판 상에 위치하고, 상기 구리 회로패턴의 일부를 노출하는 솔더 마스크 개구를 제공하는 솔더 마스크층;
    노출된 상기 구리 회로패턴 상에 적층된 실버층; 및
    상기 실버층 상에 적층된 나노 도금막을 구비하는 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  13. 제12항에 있어서, 상기 나노 도금막은 도전막인 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  14. 제12항에 있어서, 상기 기판은 발광 다이오드(LED) 실장 기판인 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  15. 제12항에 있어서, 상기 나노 도금막은 폴리피롤, 폴리파라페닐린, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 나노 탄소, 나노 금속, 나노 도전성 플라스틱을 포함하는 것을 특징으로 하는 패드 구조.
  16. 제12항에 있어서, 상기 실버층의 두께는 2 ㎛ 미만 인 것을 특징으로 하는 패드 구조.
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