KR101097945B1 - 온도 제어 방법, 온도 보정치 취득 방법, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법, 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 열처리로 내에서 목표 온도가 주어지고, 상기 목표 온도에 따라 복수의 히터를 제어하는 온도 제어 방법으로서,상기 히터로의 전력 공급량과 상기 열처리로 내에 구비된 복수의 프로파일 온도 센서의 검출 온도와의 상관 관계를 나타내는 열 간섭 행렬을 구하고, 상기 프로파일 온도 센서 각각의 상기 검출 온도와 상기 열 간섭 행렬로부터 산출되는 가중 계수를 토대로 가상(假想) 온도를 산출하고,상기 가상 온도를 상기 목표 온도에 일치시키도록 상기 히터를 제어하는 온도 제어 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가상 온도는, 복수의 프로파일 온도 센서로부터 선택된 프로파일 온도 센서의 검출 온도의 평균치인 온도 제어 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 가상 온도는, 복수의 존(zone)으로 분할된 히터에 대향하는 복수의 프로파일 온도 센서의 검출 온도의 평균치인 온도 제어 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가상 온도는, 복수의 프로파일 온도 센서의 검출 온도와 미리 설정된 가중 계수와의 곱을 구하고, 구해진 곱의 총합인 온도 제어 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 가중 계수는, 상기 상관 관계와 적산(積算)하여 산출되는 행렬이 대각(對角) 행렬이 되도록 설정되는 온도 제어 방법.
- 제4항 또는 5항에 있어서, 상기 가중 계수는, 작업자가 임의로 설정 가능한 온도 제어 방법.
- 열처리로 내에서 목표 온도가 주어지고, 상기 열처리로의 열처리 영역 내의 온도를 상기 목표 온도와 일치시키기 위한 보정치를 취득하는 온도 보정치 취득 방법으로서,히터와 상기 열처리로 내에 구비된 복수의 프로파일 온도 센서와의 상관 관계를 나타내는 열 간섭 행렬을 구하고, 상기 프로파일 온도 센서의 각각의 검출 온도와 상기 열 간섭 행렬로부터 산출되는 가중 계수를 토대로 가상 온도를 산출하고,상기 가상 온도를 상기 목표 온도에 일치시키고, 일치했을 때의 상기 열처리로의 열처리 영역 외의 영역에 구비된 노내 온도 센서의 검출 온도와 상기 목표 온도와의 차이를 상기 보정치로서 취득하는 온도 보정치 취득 방법.
- 열처리로 내에서 목표 온도가 주어지고, 상기 목표 온도에 따라 복수의 히터를 제어함으로써 반도체를 제조하는 반도체 제조 방법으로서,상기 히터로의 전력 공급량과 상기 열처리로 내에 설치된 복수의 프로파일 온도 센서의 검출온도와의 상관 관계를 나타내는 열 간섭 행렬을 구하고, 상기 프로파일 온도 센서의 각각의 상기 검출 온도와 상기 열 간섭 행렬로부터 산출되는 가중 계수를 토대로 가상 온도를 산출하고,상기 가상 온도를 상기 목표 온도에 일치시키도록 상기 히터를 제어함으로써 상기 반도체를 제조하는 반도체 제조 방법.
- 열처리로 내에서 목표 온도가 주어지고, 상기 목표 온도에 따라 복수의 히터를 제어함으로써 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,상기 히터로의 전력 공급량과 상기 열처리로 내에 설치된 복수의 프로파일 온도 센서의 검출 온도와의 상관 관계를 나타내는 열 간섭 행렬을 구하고, 상기 프로파일 온도 센서의 각각의 검출 온도와 상기 열 간섭 행렬로부터 산출되는 가중 계수를 토대로 가상 온도를 산출하는 온도 컨트롤러와,상기 가상 온도를 상기 목표 온도에 일치시키도록 상기 히터를 제어하는 전력 공급 수단을 구비하는 것인 기판 처리 장치.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007272029 | 2007-10-19 | ||
JPJP-P-2007-00272029 | 2007-10-19 | ||
JPJP-P-2008-00187631 | 2008-07-18 | ||
JP2008187631A JP5028352B2 (ja) | 2007-10-19 | 2008-07-18 | 温度制御方法、温度補正値取得方法、半導体製造方法、基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110072790A Division KR101140169B1 (ko) | 2007-10-19 | 2011-07-22 | 온도 제어 방법, 온도 보정치 취득 방법, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법, 기판 처리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090040210A KR20090040210A (ko) | 2009-04-23 |
KR101097945B1 true KR101097945B1 (ko) | 2011-12-22 |
Family
ID=40564295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080088798A KR101097945B1 (ko) | 2007-10-19 | 2008-09-09 | 온도 제어 방법, 온도 보정치 취득 방법, 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법, 기판 처리 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8380360B2 (ko) |
KR (1) | KR101097945B1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI402644B (zh) * | 2010-01-15 | 2013-07-21 | Moxa Inc | 溫度增益控制裝置及其方法 |
CN103545232B (zh) * | 2012-07-09 | 2017-10-17 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 用于半导体热处理设备的温控系统及方法、应用该系统的设备 |
JP6080451B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2017-02-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び熱電対支持体 |
US9435692B2 (en) * | 2014-02-05 | 2016-09-06 | Lam Research Corporation | Calculating power input to an array of thermal control elements to achieve a two-dimensional temperature output |
JP6219227B2 (ja) | 2014-05-12 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構及びステージの温度制御方法 |
KR101640836B1 (ko) * | 2014-06-09 | 2016-07-20 | (주)지오엘리먼트 | 기화량을 안정적으로 제어할 수 있는 캐니스터와 기화 시스템 |
US10157761B2 (en) * | 2016-08-17 | 2018-12-18 | Kelk Ltd. | Temperature controller of semiconductor wafer |
US11371736B2 (en) * | 2016-10-11 | 2022-06-28 | Drexel University | Optimal real-time outcome-based ventilation rate control for buildings |
JP2018170468A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
CN108717306B (zh) * | 2018-04-11 | 2021-10-08 | 河南城建学院 | 一种dsg槽式太阳能集热器蒸汽温度自抗扰控制方法 |
CN110430625A (zh) * | 2019-06-10 | 2019-11-08 | 深圳桐源科技有限公司 | 气溶胶产生系统、加热模组、温度检测方法及装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0855810A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-02-27 | Nec Kyushu Ltd | 拡散炉 |
JP4551515B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2010-09-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置およびその温度制御方法 |
WO2001079943A1 (fr) * | 2000-04-14 | 2001-10-25 | Omron Corporation | Unite de commande, regulateur de temperature et appareil de traitement thermique |
JP3834216B2 (ja) | 2000-09-29 | 2006-10-18 | 株式会社日立国際電気 | 温度制御方法 |
JP4285759B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2009-06-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
2008
- 2008-09-09 US US12/232,007 patent/US8380360B2/en active Active
- 2008-09-09 KR KR1020080088798A patent/KR101097945B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090040210A (ko) | 2009-04-23 |
US20090105867A1 (en) | 2009-04-23 |
US8380360B2 (en) | 2013-02-19 |
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E902 | Notification of reason for refusal | ||
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