KR101062673B1 - 액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브형포토레지스트 조성물 - Google Patents

액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브형포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 바인더 수지 10 내지 20중량%, 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기를 포함하는 감광제 2 내지 5중량%, 멜라민계 경화제 3 내지 8중량%, 및 잔량의 용매를 포함하는 액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다. 본 발명의 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기를 포함하는 감광제는 멜라민 경화제와 바인더 수지 사이의 축합중합 반응을 촉진시켜 내열성, 내화학성을 개선시킬 수 있으며, 별도의 촉매를 첨가하지 않고도 산촉매의 역할을 수행할 수 있다.
유기절연막*LCD*감광제*내열성*산촉매*내화학성

Description

액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브형 포토레지스트 조성물{Positive photoresist composition for insulating film of liquid crystal display}
본 발명은 액정표시소자의 유기절연막에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기를 포함하는 화합물을 감광제로 사용함으로써 내열성이 우수할 뿐만 아니라 UV 투과율, 잔막율, 패턴 안정성 및 내화학성 등 기본 물성이 양호하므로, 액정표시소자의 유기 절연막을 위한 패턴 형성시 유용하게 사용될 수 있다.
액정표시소자의 유기 절연막, 반도체 집적 회로, EL 디스플레이 등에 사용되는 패턴을 형성하기 위해서 고 해상성을 가지는 포지티브형 감광성 재료가 사용되고 있다. 이러한 패턴 제조공정에 사용되는 감광성 수지는 평탄성과 투과성 등의 기본적인 물성 외에, 특히 내열성, 내화학석 등이 우수한 재료가 요구된다.
통상 이러한 포지티브형 포토레지스트 조성물은 알칼리 가용성 수지로 대표되는 바인더 수지, 다양한 구조를 가지는 감광제, 및 용제를 포함한다.
특별히 액정표시소자에서 하부기판의 전면 상에 저유전 상수를 갖는 유기절연막이 도포되며, 이러한 유기절연막에는 소오스 전극을 노출시키는 콘택홀이 구비되고, 상기 유기절연막 상에는 화소 영역에 해당하는 부분에 콘택홀을 통해 소오스 전극과 콘택됨과 동시에 게이트 전극 및 데이터 라인의 일부분과 오버랩되게 화소 전극이 형성된다. 여기서, 상기 유기절연막은 화소 전극과 데이터 라인간을 절연시키기 위함이며, 아울러, 하부층의 평탄화를 얻기 위함이다.
상기 포지티브형 포토레지스트 조성물의 감광제로는 2,1-디아조나프토퀴논-5-설포닉 에스터기가 치환된 화합물을 주로 사용하여 왔다. 또한, 상기 구조를 포함하는 발라스트의 구조를 다양화 하려는 노력들이 있어 왔다.
그러나, 상기 2,1-디아조나프토퀴논-5-설포닉 에스터기가 치환된 화합물을 감광제로 사용할 경우, 산촉매 하에서 바인더 수지의 경화시 내열성이나 내화학성 등이 떨어지는 단점이 있었다.
이에 본 발명에서는 종래 액정표시소자의 유기절연막에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물이 가진 내열성과 내화학성이 떨어지는 단점을 해결하고자 안출된 것이다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 노볼락 계열의 바인더 수지와 멜라민 계열의 경화제의 축합중합 반응시 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기가 치환된 화합물을 감광제로 사용함으로써, 별도의 산촉매를 첨가하지 않고도 노볼락 수지와 멜라민 경화제의 축합중합 반응을 촉진시켜 감도가 우수하고, 내열성 및 내화학성이 우수한 유기절연막을 제공할 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 내열성, 및 내화학성이 특히 개선된 액정표시소자의 유기절연막에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따라 제조된 액정표시소자의 유기절연막 형성에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물은 내화학성, 내열성이 개선되고, 별도의 산촉매 첨가없이도 용이하게 제조할 수 있다.
본 명세서에 기재된 실시예에 기재된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실 시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자의 유기절연막에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물은 바인더 수지 10 내지 20중량%, 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기를 포함하는 감광제 2 내지 5중량%, 멜라민계 경화제 3 내지 8중량%, 및 잔량의 용매를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 액정표시소자의 유기절연막에 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 구체 조성을 이하에서 상세히 설명한다.
본 발명의 감광제는 다음 화학식 1로 표시되는 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기를 포함하는 화합물이 바람직하다.
Figure 112008026366184-pat00001
상기와 같은 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기를 포함하는 감광제의 발라스트로는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논, 4, 4'-(1-(4-(1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸)페닐)에틸리덴)비스페놀, 비스페놀-A, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 피로갈롤-아세톤 반응축합물, 페놀노볼락 수지, m-크레졸노볼락 수지, p-크레졸노볼락 수지, 폴리비닐페놀 수지 등을 사용한다.
본 발명에 따른 감광제는 바인더 수지로 사용하는 노볼락 수지와 경화제인 멜라민 수지 사이의 축합 중합반응을 촉진시켜 내열성과 내화학성을 확보할 수 있다. 또한, 종래 2,1-디아조나프토퀴논-5-설포닉 에스터기를 포함하는 감광제를 사용할 경우, 별도의 산촉매를 첨가해야 하므로 전기적 특성을 저하시키거나 감도를 현저히 떨어뜨리는 문제가 있었으나, 본 발명에 따른 감광제는 별도의 산촉매를 첨가하지 않고도 산촉매의 역할을 수행할 수 있는 잇점이 있다.
상기 본 발명의 감광제는 내열성과 내화학성의 확보 및 산촉매로의 작용을 고려하여 전체 포토레지스트 조성물 중 2 내지 5중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 바인더 수지는 폴리스티렌 환산 기준으로 중량 평균 분자량 2500 내지 15000, 분산도(Mw/Mn) 값이 4 내지 10 범위인 노볼락 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 노볼락 수지는 페놀과 알데히드 화합물을 산 촉매 하에서 중축합시킴으로써 얻어질 수 있으며, 이때 사용되는 페놀의 예를 들면, o-크레졸, m-크레졸, p- 크레졸, 2,3-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 및 3,4,5-트리메틸페놀을 포함한다. 이들 중, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 및 2,3,5-트리메틸페놀이 특히 바람직하다. 이들 페놀은 단독으로 또는 두가지 이상의 종의 조합으로 사용될 수도 있다.
상기 페놀과 중축합되는 알데히드의 예를 들면, 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, α-페닐프로필알데히드, β-페닐프로필알데히드, o-히드록시벤즈알데히드, m-히드록시벤즈알데히드, p-히드록시벤즈알데히드, o-메틸벤즈알데히드, m-메틸벤즈알데히드, p-메틸벤즈알데히드, p-에틸벤즈알데히드, p-n-부틸벤즈알데히드 및 퍼푸랄을 포함한다.
상기 노볼락 수지 제조시 첨가되는 산 촉매로는, 염산, 질산, 황산, 포름산, 옥살산, 아세트산, 및 톨루엔술폰산을 포함한다.
상기 바인더 수지는 전체 포토레지스트 조성물 중 10 내지 20중량%로 포함되는 것이 필름 형성에 있어서 바람직하다. 본 발명에서는 상기 바인더 수지의 경화제로서 멜라민 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 멜라민 수지는 다음 화학식 2로 표시되는 화합물이 바람직하다.
Figure 112008026366184-pat00002
상기 멜라민 수지는 특별히 6개의 메톡시메틸기가 치환된 구조를 가짐으로써, 바인더 수지로 사용된 상기 노볼락 수지의 가교제로 작용한다.
본 발명의 경화제인 상기 멜라민 수지는 상기 바인더 수지의 경화도 조절을 위하여 전체 포토레지스트 조성물 중 3 내지 8중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 바인더 수지, 감광제 및 기타 첨가물을 첨가 및 혼합하여 용해하고, 우수한 코팅성과 투명한 박막을 얻기 위해 상기 조성을 제외한 잔량의 용매를 사용한다. 그 함량은 바인더 수지, 감광제 및 기타 화합물과의 상용성을 고려할 때 전체 포토레지스트 조성물 중 80 내지 85중량%인 것이 바람직하며, 통상적으로 점도를 1 내지 50 cps 범위가 되도록 용매를 첨가한다.
상기 용매의 구체적인 예를 들면, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르 아세테이트, 디에 틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포룸아미드 (DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 다이글라임(Diglyme), 테트라하이드로퓨란(THF), 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소-프로판올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄 및 옥탄 중에서 선택된 용매를 단독으로 또는 1종 이상을 혼합한 용매를 사용할 수 있다.
이들 용매에 더하여, 고비점 용매도 또한 첨가될 수 있다. 예들은 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알콜, 벤질아세테이트. 에틸벤조에이트, 디에틸 옥살레이트, 디에틸 말레에이트, γ-부티로락톤, 에틸렌카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 페닐셀로솔브 아세테이트를 포함한다. 이들 용매는 단독으로 또는 두가지 이상의 종류의 조합으로 사용될 수도 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 막질개선제, 계면활성제, 증감제, 염료 등의 첨가제를 추가적으로 포함시킬 수 있다. 막질개선제로는 포토레지스트막의 열적, 기계적 특성을 개선하기 위해 첨가하며, 가소제, 아크릴수지, 폴리스 티렌 유도체, 폴리비닐메틸에테르 등을 사용한다. 계면활성제는 포토레지스트막의 코팅균일성, 얼룩 제거를 위해 첨가하며, 비이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제 등을 사용한다. 증감제는 포토레지스트의 감도를 향상시키기 위해 사용하며, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 4,4'-(1-(4-(1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸)페닐)에틸리덴)비스페놀 등이 있다. 염료는 빅토리아퓨어블루, 크리스탈바이올렛, 메틸바이올렛 등이 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용한 유기절연막의 레지스트 패턴의 형성은 다음의 방법으로 수행된다.
먼저, 상기와 같은 조성을 가지는 포토레지스트 조성물을 적당한 코팅 방법(예를 들면, 스핀 코팅, 캐스팅, 또는 롤러 코팅)에 의해 기판(예를 들면, 실리콘 웨이퍼, 알루미늄 코팅된 웨이퍼, 유리 기판, 또는 플라스틱 기판)에 도포하여, 이로써 레지스트 피막을 형성한다. 피막은 필요에 따라 예비 가열하고("프리-베이킹", 115℃, 3분), 이어서 소정의 마스크를 통해 g-선, h-선, i-선의 넓은 밴드 영역에서 노광시킨다. 이와 같이 노광된 레지스트 피막을 알칼리 현상액(2.38중량%의 TMAH 용액)으로 현상시켜 소정의 레지스트 패턴을 형성한다. 그 다음, 상기 g-선, h-선, i-선의 넓은 밴드 영역에서 탈색 공정을 수행한 다음, 170 내지 200℃에서 1시간 동안 경화시킨다.
이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 이하의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
중량평균분자량인 7000, 분산도가 4인 노볼락 수지 100중량부에 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르 20 중량부와, 상기 화학식 2로 표시되는 멜라민 수지 25 중량부를 혼합하였다. 상기 혼합물의 고형분 함량이 25중량부가 되도록 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트로 용해시킨 후, 0.2㎛의 밀리포아 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 감광제로 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르를 대신하여 2,3,4-트리하이드록시벤조페논 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에서 감광제로 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르를 대신하여 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 4
상기 실시예 1에서 감광제로 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르를 대신하여 비스페놀-A 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1의 조성에서, 화학식 1로 표시되는 화합물이 치환된 감광제 대신에 2,1-디아조나프토퀴논-5-설포닉 에스터기를 포함하는 감광제를 사용하여 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 이 경우, 산촉매로서 설퓨릭 엑시드를 0.1중량%로 첨가하였다.
비교예 2
상기 실시예 1의 조성에서, 경화제로서 메톡시메틸기가 치환된 멜라민 수지 대신에 메틸기가 치환된 멜라민 수지를 첨가한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 레지스트 조성물의 평가는 실리콘 웨이퍼 또는 유리판 등의 기판 위에서 실시하였으며, 레지스트 조성물의 내열특성, 투과율, 평탄성, 내화학성, 접착력 등을 평가하였으며, 그 결과를 다음 표 1에 나타내었다.
(1)감도
포지티브형 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀 코터를 이용하여 800rpm의 속도로 8초간 도포한 후, 115℃에서 3분간 프리베이크(prebake)하고 이어서 소정의 마스크를 통해 365 ㎚에서의 강도가 500 ㎽/㎠인 자외선을 노광한다. 이와 같이 노광된 레지스트 피막을 TMAH 2.38%용액에 60초간 스프레이(spray) 현상 후 순수(DI Water)로 60초간 린스 후, 압축공기로 불어내고 소정의 레지스트 패턴을 형성한다.
(2)내열특성
감도 측정시 형성된 패턴 막의 상,하 및 좌,우의 폭을 측정하였다. 이때, 각의 변화율이 경화 전 기준, 0∼20%인 경우를 ○, 20∼40%인 경우를 △, 40%를 넘는 경우를 ×로 나타내었다.
(3)접착성
포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판위에 스핀 코터를 이용하여 800rpm의 속도로 8초간 도포한 후, 115℃에서 3분간 프리베이크(prebake)하고, 436nm에서 15초간 노광시킨 후, 240℃에서 30분간 포스트베이크(postbake)를 실시하여 포토레지스트 막을 형성시키고, 이를 오토클레이브(Autoclave)에 넣어 100℃에서 1시간동안 숙성시켰다. 오토클레이브에서 숙성된 시편을 크로스 헤찌 커터(Cross Hatch Cutter)로 기판이 드러나도록 스크레치(Scratch)한 후 접착 테잎으로 부착한 후 탈착하였다. 100 셀 중 80셀이 테잎에 붙어 기판으로부터 탈착되지 않으면 '양호' 그렇지 않은 경우를 '불량'으로 판단하였다.
(4) UV투과율
포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 위에 스핀 코터를 이용하여 800rpm의 속도로 8초간 도포한 후, 115℃에서 3분간 프리베이크(prebake)하고, TMAH 2.38%용액에 60초간 스프레이(spray)현상후 순수(DI Water)로 60초간 린스 후, 압축공기로 불어내고, 436nm용 노광기에서 5분간 포토브리징(Photo bleaching)한 후 240℃에서 30분간 포스트베이크(postbake)를 실시하여 약 3.5 내지 4.0 마이크로미터(um)의 포토레지스트 막을 형성하였다. UV는 UV-vis 측정장비를 이용하여 400nm영역의 투과율을 측정하였다.
(5) 평탄성
포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 위에 스핀 코터를 이용하여 도포한 후, 프리베이크(prebake) 공정을 거쳐 막의 코팅 평탄도(uniformity)를 측정하기 위하여 Nano spec을 이용하여 측정하였다. 이때, 전체 기판 기준으로 평탄도가 95 %를 넘는 경우를 '양호', 95 % 미만인 경우를 '불량'으로 표시하였다.
(6) 내화학성
포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 위에 스핀 코터를 이용하여 도포한 후, 프리베이크(prebake) 및 포스트베이크(postbake) 등의 공정을 거쳐 형성된 포 토레지스트 막을 스트리퍼(Stripper), 에천트(Etchant) 용액에 40℃에서 10분 동안 담근 후 포토레지스트 막의 투과율 및 두께의 변화가 있는지 살펴보았다. 투과율 및 두께의 변화가 없을 때 '양호'로 하고, 투과율 및 두께의 변화가 있으면 '불량'으로 판정하였다.
물성 실시예1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예1 비교예2
감도 500 400 500 500 1000 500
내열성 양호 양호 양호 양호 양호 불량
접착성 양호 양호 양호 양호 양호 불량
UV 투과율 양호 불량 불량 불량 불량 양호
평탄성 양호 양호 양호 양호 불량 양호
내화학성 양호 양호 양호 양호 양호 불량
상기 표 1의 결과에서와 같이, 본 발명의 조성에 따라 제조된 감광성 수지 조성물은 2,1-디아조나프토퀴논-4-설포닉 에스터기를 포함하는 감광제를 사용함으로써 멜라민 경화제와 바인더 수지 사이의 축합중합 반응을 촉진시켜 내열성, 내화학성을 개선시킬 수 있으며, 별도의 촉매를 첨가하지 않고도 산촉매의 역할을 수행할 수 있음을 확인할 수 있다.

Claims (6)

  1. 바인더 수지 10 내지 20중량%, 4,4'-(1-(4-(1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸)페닐)에틸리덴)비스페놀 1,2,-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르 2 내지 5중량%, 멜라민계 경화제 3 내지 8중량%, 및 잔량의 용매를 포함하는 액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 바인더 수지는 분산도(Mw/Mn) 값이 4 내지 10인 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브 포토레지스트 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 바인더 수지는 중량평균분자량이 2500 내지 15000인 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브 포 토레지스트 조성물.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서, 상기 멜라민계 경화제는 다음 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브 포토레지스트 조성물.
    화학식 2
    Figure 112008026366184-pat00004
  6. 제 1항에 있어서, 상기 용매는 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포룸아미드 (DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 다이글라임(Diglyme), 테트라하이드로퓨란(THF), 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소-프로판올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄 및 옥탄 중에서 선택된 용매를 단독으로 또는 1종 이상을 혼합한 용매인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 유기절연막 형성용 포지티브 포토레지스트 조성물.
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