KR101062586B1 - 성막 방법 및 성막 장치 - Google Patents

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Abstract

피처리 기판 표면에 금속 카보닐 원료의 기상 분자를 공급하여 상기 피처리 기판 표면 근방에서 분해시킴으로써 상기 피처리 기판 표면에 금속막을 퇴적하는 성막 방법에 있어서, 상기 피처리 기판 표면에 금속층을 퇴적할 때에, 상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역에서 상기 금속 카보닐 원료를 우선적으로 분해시키는 공정을 마련하여, 상기 피처리 기판 외주부 근방에서 분위기 중의 CO 농도를 국소적으로 증대시켜, 상기 외주부로의 금속막의 퇴적을 억제한다.

Description

성막 방법 및 성막 장치{METHOD OF FORMING FILM AND FILM FORMING APPARATUS}
본 발명은 일반적으로 성막 기술에 관한 것으로, 특히 CVD법(화학 기상 성장법)에 의한 도체막의 성막 방법 및 성막 장치에 관한 것이다.
성막 기술은 반도체 장치의 제조에 있어서 기본적이고도 중요한 기술이다.
반도체 장치의 제조에 있어서는, 반도체막이나 절연막을 CVD법(화학 기상 퇴적법)에 의해 형성하는 것이 널리 행해지고 있지만, 배선층을 형성하는 도체막은 스퍼터링 등의 프로세스에 의해 형성되는 것이 일반적이었다.
한편, 오늘날의 초미세화 반도체 집적 회로 장치에서는, 기판 상에 형성된 막대한 수의 반도체 소자를 상호 접속하기 위해, 저저항 금속을 배선 패턴으로 한 다층 배선 구조가 사용되고 있다. 특히 Cu를 배선 패턴으로 한 다층 배선 구조에서는, 실리콘 산화막, 또는 보다 비유전율이 낮은, 이른바 저유전율(low-K) 재료로 이루어지는 층간 절연막 중에 배선 홈 또는 비아 홀을 미리 형성하여 두고, 이것을 Cu층으로 충전하고, 잉여의 Cu막 부분을 화학 기계 연마(CMP)에 의해 제거하는 다 마신법 또는 듀얼 다마신법이 일반적으로 사용되고 있다.
다마신법 또는 듀얼 다마신법에서는, 층간 절연막 중에 형성된 배선 홈 또는 비아 홀의 표면을, 전형적으로는 Ta 등의 고융점 금속으로 이루어지는 배리어 메탈막으로 덮고, 그 위에 얇은 Cu 시드막을 PVD법 또는 CVD법에 의해 형성하고, 이러한 Cu 시드막을 전극으로 하여 전해 도금을 행함으로써 상기 배선 홈 또는 비아 홀을 Cu층에 의해 충전하고 있다.
오늘날의 반도체 집적 회로 장치에서는, 미세화와 아울러, 층간 절연막 중에 형성되는 Cu 비아 플러그의 직경이 65㎚로부터 45㎚로 축소되어지고 있어, 가까운 장래에 비아 플러그 직경은 32㎚로부터 22㎚로 더 축소될 것으로 예측된다.
이러한 반도체 집적 회로 장치의 미세화에 따라, 이러한 미세한 비아 홀 또는 배선 홈에 있어서는 배리어 메탈막 또는 Cu 시드막의 성막이, 종래의 PVD법에서는 스텝 커버리지의 관점에서 곤란해지고 있어, low-K 재료로 이루어지는 층간 절연막에 데미지를 주지 않는 저온에서 우수한 스텝 커버리지를 실현할 수 있는 MOCVD법 또는 ALD법에 의한 성막 기술이 연구되고 있다.
그런데, 상기 다마신법 또는 듀얼 다마신법에서는, 배리어 메탈막 및 Cu 시드막의 퇴적 후에 전해 도금법에 의해 기판 전면에 Cu막을 퇴적한다. 이 다음, CMP 공정에서 전해 도금에 의해 상기 배선 홈 또는 비아 홀에 충전된 Cu층을 남기고, 기판 상의 다른 부분에 퇴적된 Cu막 및 Cu 시드막을 제거하지만, CMP법에서는 기판 단측면(베벨부)에 퇴적된 상기 Cu막이나 Cu 시드막을 제거할 수 없다. 이와 같이 기판 베벨부에 잔류한 금속막은 기판의 핸들링시의 접촉이나 충격에 의해 용 이하게 박리하여 주요한 파티클원이 된다.
이 때문에, Cu 시드층이나 Cu막을 PVD법 또는 전해 도금법에 의해 형성할 때는, 클램프 기구를 이용하여 기판단을 덮어, 기판단 및 이면으로의 Cu막의 퇴적을 억제하고 있었다.
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
그런데, 상기와 같이 Cu 시드막을 MOCVD법이나 ALD법으로 형성하면, 스텝 커버리지가 PVD법에 비하여 현저히 향상되므로, 상기 클램프 기구를 이용하더라도 상기 기판 단측면으로의 Cu 시드막의 퇴적 억제는 곤란해진다.
본 발명은 기상 원료를 사용한 금속막의 성막 기술로서, 반도체 기판 외주부로의 금속막의 퇴적을 확실히 억제하는 기술을 제공한다.
과제를 해결하기 위한 수단
하나의 특징에 의하면 본 발명은, 피처리 기판 표면에 금속 카보닐 원료의 기상 분자를 공급하여 상기 피처리 기판 표면 근방에서 분해시킴으로써 상기 피처리 기판 표면에 금속막을 퇴적하는 성막 방법으로서, 상기 피처리 기판 표면에 금속층을 퇴적할 때에, 상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역에서 상기 금속 카보닐 원료를 우선적으로 분해시키는 공정을 포함하고, 상기 피처리 기판 외주부 근방에서 분위기 중의 CO 농도를 국소적으로 증대시켜, 상기 외주부로의 금속막의 퇴적을 억제하는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공한다.
다른 특징에 의하면 본 발명은, 피처리 기판을 유지하는 유지대를 구비한 처리 용기와, 상기 처리 용기를 배기하는 배기계와, 상기 처리 용기에 금속 카보닐 원료의 가스를 공급하는 제 1 가스 공급계와, 상기 처리 용기에, 상기 금속 카보닐 원료의 분해를 억제하는 가스를 공급하는 제 2 가스 공급계를 구비한 금속막의 성막 장치로서, 상기 기판 유지대는, 상기 피처리 기판의 외경에 대응한 치수를 갖고 상기 피처리 기판을 지지하는 지지부와, 상기 지지부를 상기 지지부에 접하여 둘러싸는 온도 제어부를 포함하고, 상기 온도 제어부는, 상기 피처리 기판 상으로의 상기 금속 카보닐 원료의 분해에 의한 금속막의 성막시에, 상기 지지부보다도 높은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 성막 장치를 제공한다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 금속 카보닐 원료를 사용하여 피처리 기판 표면에 금속막을 퇴적할 때에, 상기 피처리 기판의 외주부 근방 영역에서 금속 카보닐 원료의 분해를 촉진함으로써, 이러한 외주부 근방 영역에서의 분위기 중의 CO 농도를 국소적으로 증가시킬 수 있고, 이에 따라 상기 금속막의, 상기 피처리 기판 외주부로의 퇴적을 확실하고도 효과적으로 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명에서 사용되는 성막 장치의 개요를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 원리를 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 원리를 설명하는 다른 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 성막 장치에서 사용되는 기판 유지대의 개요를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 성막 장치에서 사용되는 기판 유지대의 개요를 나타내는 도면이다.
도 6은 상기 도 1의 성막 장치에서 금속막이 성막된 웨이퍼의 개요를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 성막 장치에서 사용되는 기판 유지대의 개요를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 성막 장치에서 사용되는 기판 유지대의 개요를 나타내는 도면이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
도 1은 본 발명에서 사용되는 성막 장치(10)의 구성을 나타낸다.
도 1을 참조하건데, 성막 장치(10)는 배기계(11)에 의해 배기되고, 피처리 기판(W)을 유지하는 기판 유지대(13)를 구비한 처리 용기(12)를 갖고, 상기 처리 용기(12)에는, 피처리 기판(W)을 출납하는 게이트 밸브(12G)가 더 형성되어 있다.
상기 기판 처리대(13)는 도시하지 않은 히터를 내장하고 있고, 구동 라인(13A)을 통하여 이러한 히터를 구동함으로써 상기 피처리 기판(W)을 원하는 처리 온도로 유지한다.
상기 배기계(11)는, 터보 분자 펌프(11A)와 드라이 펌프(11B)를 직렬 접속한 구성을 갖고, 상기 터보 분자 펌프(11A)에는 밸브(11b)를 통하여 질소 가스가 공급된다.
상기 처리 용기(12)와 터보 분자 펌프(11A) 사이에는, 가변 컨덕턴스 밸브(11a)가 마련되어, 상기 처리 용기(12) 내의 전압을 일정하게 유지한다. 또한 도 1의 성막 장치(10)에서는, 상기 처리 용기(12)를 드라이 펌프(11B)에 의해 러핑하기 위해, 상기 터보 분자 펌프(11A)를 바이패스하는 배기 경로(11C)가 마련되어 있고, 배기 경로(11C)에는 밸브(11c)가, 터보 분자 펌프(11A)의 하류측에는 다른 밸브(11d)가 마련되어 있다.
상기 처리 용기(12)에는, 버블러(14A)를 포함하는 원료 공급계(14)로부터 성막 원료가 기체의 형태로 가스 도입 라인(14B)을 통하여 공급된다.
도시의 예에서는, 상기 버블러(14A) 중에는 Ru의 카보닐 화합물인 Ru3(CO)12가 유지되고, MFC(질량 유량 제어 장치)(14b)를 포함하는 버블링 가스 라인(14a)으로부터 CO 가스를 버블링 가스로서 공급함으로써, 기화한 Ru3(CO)12가 상기 가스 도입 라인(14B)을 통하여, 라인 MFC(14c)를 포함하는 라인(14d)으로부터의 CO 캐리어 가스와 함께 상기 처리 용기(12)에 공급된다.
또한 도 1의 구성에서는 상기 원료 공급계(14)에, 밸브(14g, 14h) 및 MFC(14e)를 포함하여 Ar 등의 불활성 가스를 공급하는 라인(14f)이 마련되어 있고, 상기 라인(14B)을 통하여 상기 처리 용기(12)에 공급되는 Ru3(CO)12 원료 가스에, 불활성 가스가 첨가된다.
또한, 상기 성막 장치(10)는, 상기 처리 용기(12), 배기계(11), 원료 공급계(14)를 제어하는 제어 장치(10A)가 마련되어 있다.
도 2는 상기 기판 유지대(13) 상에 유지되어 있는 웨이퍼(W) 상으로의 Ru막의 퇴적의 모습을, 특히 상기 웨이퍼(W)의 단부 부근에 대하여 상세히 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하건데, 상기 웨이퍼(W)는 상기 도 1에 나타내는 기판 유지대(13)의 표면에 형성된 오목부에, 상기 웨이퍼(W)의 둥그스름해진 단부가 상기 오목부의 측벽면에, 근소한 거리, 예컨대 0.5~1㎜의 거리만큼 이간하여 대향한 상태로 유지되어 있다.
도 1의 성막 장치(10)에서는, 상기 버블러(14A)에서 라인(14a)으로부터의 CO 가스로 버블링된 Ru3(CO)12 기상 원료가, 라인(14d)의 고농도의 CO 캐리어 가스와 함께 상기 처리 용기(12)에 공급되고 있고, 상기 Ru3(CO)12 원료는, 상기 피처리 기판(W)의 표면에서 반응식
Ru3(CO)12→3Ru+12CO (1)
에 따라서 CO를 방출하여 분해되어, 상기 웨이퍼(W) 상에서 금속 Ru막(21)의 퇴적이 발생한다. 또한 상기 금속 Ru막(21)의, 상기 반응식에 의한 퇴적은, 상기 기판 유지대(13)의 표면에서도 발생하고 있는 것을 알 수 있다.
식 (1)의 반응은, 분위기 중의 CO 분압이 낮으면, 우측으로 진행하여 Ru의 석출이 촉진되지만, 분위기 중의 CO 분압이 높으면, 우측으로의 진행이 방해된다. 같은 반응은, W나 Ni, Mo, Co, Rh, Re, Cr 등의 금속 카보닐 원료를 사용한 금속막의 성막에 있어서도 발생한다.
즉, 이러한 금속 카보닐 원료를 사용한 금속막의 퇴적에서는, 분위기 중의 CO 분압을 제어함으로써 금속막의 퇴적 반응을 제어할 수 있다. 그래서 도 1의 성막 장치(10)에서는, 캐리어 가스로 CO 가스를 사용하여 금속 카보닐 원료의 수송 중의 CO 분압을 증대시켜, 수송 경로 중에 있어서의 금속 카보닐 원료의 분해 및 금속막의 퇴적을 억제하고 있다.
상기 식 (1)의 반응에 의한 상기 Ru3(CO)12 원료의 퇴적 및 분해는, 상기 처리 용기(12) 중, 예컨대 도 2에 나타낸 바와 같이 상기 웨이퍼(W)의 주변부도 포함하는 상기 기판 유지대(13)에 있어서도 발생하지만, 본 발명의 발명자는 본 발명의 기초가 되는 연구에서, 상기 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 기판 유지대(13)의 표면에 형성된 오목부 중, 상기 웨이퍼의 주변부를 따른 영역에서는, 상기 웨이퍼 주변부와 상기 오목부 내벽 사이의 거리가 적당한 경우, 상기 Ru3(CO)12의 분해에 의해 방출된 CO 가스가 축적되어 국소적으로 CO 농도가 증가함으로써, Ru막의 성막이, 특히 화살표 A로 나타낸 피처리 기판 외주부의 하측 경사면에서 억제되는 것을 발견했다.
본 발명은 이 발견에 근거하여, 금속 카보닐 원료의 분해에 의해 웨이퍼 상에 금속막을 성막할 때에, 상기 웨이퍼의 주변부로의 금속막의 퇴적을 확실히 억제할 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공한다.
도 3은 본 발명의 발명자가 본 발명의 기초가 되는 연구에서, 이러한 Ru3(CO)12 원료의 분해에 의해 발생하는 Ru막의 퇴적 속도와, 분위기 중의 CO 분압의 관계를, 160℃, 180℃, 200℃ 및 250℃의 기판 온도에 대하여 조사한 결과를 나타낸다.
도 3을 참조하건데, 어느 기판 온도에 있어서도 CO 분압이 낮으면 Ru의 퇴적이 시작되고, CO 분압이 저하하면 할수록 Ru막의 퇴적 속도도 증대하는 것을 알 수 있다.
예컨대, 기판 온도가 180℃인 경우, 분위기 중의 CO 분압이 130㎩ 이상이면 Ru막의 퇴적은 발생하지 않는(퇴적 속도가 0인)데 대하여, CO 분압이 상기 130㎩를 밑돌면, Ru막의 퇴적이 유한한 퇴적 속도로 개시되는 것을 알 수 있다.
한편, 상기 도 3의 관계로부터, 예컨대 CO 분압이 50mTorr인 경우, 200℃의 온도에서는 Ru막이 약 3.9㎚/분의 제 1 퇴적 속도 DR1로 퇴적하는 것을 알 수 있지만, 이 반응에 의해 방출된 CO 가스의 자유로운 도산이 방해된 경우, 굵은 화살표로 나타내는 바와 같이 CO 분압이, 상기 Ru막의 성막이 발생한 부분의 근방에서 국소적으로 증대한다. 예컨대 상기 CO 분압이 국소적으로 약 130mTorr까지 증대한 경우, 상기 반응식 (1)에 의한 금속 Ru막의 퇴적 속도는, 같은 200℃ 온도에 있어서 약 2.4㎚/분의 제 2 퇴적 속도 DR2까지 저하하는 것을 알 수 있다.
한편, 이 국소적으로 CO 농도가 약 130mTorr까지 증대한 분위기 중에, 보다 낮은, 예컨대 180℃의 온도에서 웨이퍼가 유지되어 있는 경우, 도 3으로부터 알 수 있듯이 상기 반응식 (1)에 의한 금속 Ru막의 퇴적 속도 R3은 0이 되어, 상기 웨이퍼 상으로의 금속 Ru막의 퇴적을 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
그래서 본 발명은, 피처리 기판, 즉 웨이퍼의 외주부를 따라, 상기 반응식 (1)에 따라서 금속 Ru막이 퇴적된 경우에 반응 생성물로서 방출되는 CO 가스의 자유로운 도산을 억제하는 구조를 형성하고, 또한 이러한 구조의 온도를 상기 웨이퍼의 온도보다도 높게 설정함으로써, 상기 웨이퍼 외주부로의 금속막의 퇴적을 억제한다.
[제 1 실시형태]
도 4는 상기 도 1의 성막 장치(10)에 있어서 사용되는, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 기판 유지대(23)의 개략적 구성을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하건데, 상기 기판 유지대(23)는, 매설된 제 1 저항 히터(도시하지 않음)에 의해 온도 T1로 가열되고, 상기 웨이퍼(W)의 외경과 대략 같은 크기를 갖고 상기 웨이퍼(W)를 지지하는 지지부(23A)를 포함하며, 상기 지지부(23A)의 외측에는, 상기 지지부(23A)에 접하여 마련되고, 제 2 저항 히터(도시하지 않음)에 의해 상기 온도 T1보다도 높은 온도 T3(T1<T3)으로 가열되는 링 형상의 온도 제어부(23B)가 마련되어 있다.
또한 상기 온도 제어부(23B)의 외측에는, 상기 기판 유지대(23)의 외주부를 구성하는 외주 부재(23C)가 형성되고, 또한 상기 외주 부재(23C)의 외측에는, 상기 외주 부재(23C)의 측벽면 및 상면, 또한 상기 온도 제어부(23B)의 상면의 대부분을 덮어 커버링(23D)이 마련되어 있다.
상기 커버링(23D)은, 그 내측 선단부에, 상기 지지부(23A) 상에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 측벽면과 대면하는 내벽면(23d)을, 상기 웨이퍼(W)의 외주면으로부터 0.5㎜의 거리 D만큼 이간하여, 예컨대 1㎜의 높이로 갖고 있다. 그 결과, 상기 웨이퍼(W)의 외주면과 상기 커버링(23D) 사이에는, 종횡비(어스펙트비)가 약 2인 작은 공간(23S)이, 상기 웨이퍼(W) 상면의 프로세스 공간에 연통하여 형성된다.
또한 상기 커버링(23D)은 부재(23e)에 의해 상기 외주 부재(23C)의 상면에 걸어 맞춰지고, 상기 외주부(23C)의 상면과 상기 커버링(23D)의 하면 사이에는, 크기가 0.05~0.5㎜인 갭 d가 형성되어 있다.
이러한 구성에서는, 온도 T1의 지지부(23A) 상에 유지된 상기 웨이퍼(W)는 상기 프로세스 공간으로의 방열을 위해, 상기 온도 T1보다도 낮은 온도 T2로 유지되지만, 상기 온도 제어부는 앞서도 설명했듯이, 상기 온도 T1보다도 높은 온도 T3으로 유지되고, 그 결과 상기 온도 T1, T2, T3 사이에는 부등식 T3>T1>T2가 성립한다.
또, 상기 외주 부재(23C)에는 제 3 저항 히터(도시하지 않음)가 매설되고, 상기 제 3 히터는 상기 외주 부재(23C)의 온도를 상기 온도 T1보다도 낮은 온도 T4(T4≤T2)로 유지함으로써, 상기 제 2 히터가 상기 온도 제어부(23B)의 온도 T3을 원하는 고온으로 유지하는 것을 어시스트한다.
예컨대, 상기 지지부(23A)의 온도 T1은 225℃로 설정되고, 그 경우, 상기 웨이퍼(W)의 온도 T2는 198℃로 유지된다.
그래서, 앞서 설명한 도 3의 관계를 참조하면, 상기 온도 제어부(23B)의 온도를 상기 온도 T1보다도 높은, 예컨대 250℃로 설정함으로써, 상기 웨이퍼(W) 외주부를 따른 상기 공간(23S)에서의 상기 Ru3(CO)12 원료의 분해가 촉진되고, 또한 분해의 결과, 반응 생성물로서 발생한 CO의 도산이 방해되므로 상기 공간(23S)에서 CO 분압이 국소적으로 증대하여, 보다 낮은 온도 T1로 유지되어 있는 웨이퍼(W)의 측벽면으로의 금속 Ru막의 퇴적이 억제된다.
[제 2 실시형태]
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 기판 유지대(33)의 개략적 구성을 나타내는 도면이다. 단 도면 중, 앞서 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 5를 참조하건데, 상기 기판 유지대(33)에서는 상기 지지부(23A)와 외주 부재(23C) 사이의 온도 제어부(23B)가 생략되고, 상기 외주 부재(23C)가 상기 지지부(23A)의 외측을, 인접하여 덮고 있다.
한편, 도 5의 구성에서는, 상기 커버링(23D) 중에 도시하지 않은 저항 히터가 매설되고, 이에 따라, 상기 커버링(23D)의 온도가 상기 지지부(23A)의 온도 T1보다도 높은 온도 T3으로 승온된다.
상기 커버링(23D)은, 그 선단부가 상기 웨이퍼(W)의 상면을, 외주부에서 링 형상으로 덮고, 상기 웨이퍼(W)의 상면과의 사이에, 폭이 d인 공간을, 상기 웨이퍼(W)가 노출되어 있는 프로세스 공간과 연통하여 구획한다.
그래서, 이러한 구성에 있어서도 상기 커버링(23D)이 덮는 상기 웨이퍼 주변부 Wa에서는, 웨이퍼 표면에 대향하는 커버링(23D)의 표면의 온도를 상기 웨이퍼 주요부의 온도 T1보다 승온시킴으로써, 커버링(23D) 표면에서 상기 Ru3(CO)12 원료의 분해를 촉진하여 상기 공간에서의 CO 농도를 국소적으로 증대할 수 있다. 이에 따라, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 피처리 기판(W) 중 상기 외주부 Wa로의 Ru막의 퇴적을 억제하는 것이 가능해진다.
[제 3 실시형태]
도 7은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 기판 유지대(43)의 구성을 나타낸다. 단 도면 중, 앞서 설명한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 7을 참조하건데, 본 실시형태에서는 상기 웨이퍼(W)의 상면이 상하 이동 가능한 클램프 링(23E)에 의해 유지되어 있고, 상기 클램프 링(23E)은, 도시한 하강 위치에서 상기 웨이퍼(W)에 걸어 맞춰지고, 한편 도시를 생략하는 상승 위치에서 상기 웨이퍼(W)를 해방한다.
상기 클램프 링(23E)은, 도시한 하강 위치에서, 상기 지지부(23A)의 외측에 링 형상으로 형성되어 저항 히터(RA)에 의해 온도 T5로 유지된 열원(23F)에 접촉하고, 이에 따라 상기 온도 T3(T3<T5)으로 가열된다.
또한 도 7의 구성에서는, 상기 지지부(23A)가 히터(RA)에 의해 상기 온도 T1(T2<T1<T3)로 가열된다.
이러한 구성에 의하면, 상기 열원(23F)을 고정할 수 있어 상기 클램프 링(23E)의 구성이 간소화된다.
또 도 7의 구성에 있어서, 상기 클램프 링(23E)을 그 하강 위치에서 상기 웨이퍼(W)의 표면으로부터 이간하도록 구성함으로써, 도 5와 실질적으로 동일한 구성으로 하는 것도 가능하다.
[제 4 실시형태]
도 8은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 기판 유지대(53)의 구성을 나타낸다.
도 8을 참조하건데, 기판 유지대(53)는 실제로는, 앞서 도 2에서 설명한 구성과 같고, 상기 웨이퍼(W)가, 상기 기판 유지대(13) 상에 형성된 오목부에, 상기 오목부를 구획하는 내벽면으로부터 0.5㎜의 거리 D만큼 이간하여 유지되고, 그 결과, 상기 웨이퍼(W)의 외주부에는, 폭 대 깊이비가 약 2인 링 형상 공간(13D)이, 상기 웨이퍼(W) 상의 프로세스 공간에 연통하여 형성된다.
도 8의 구성에서는, 특별히 기판 유지대(13)에 고온부는 마련하지 않지만, 이와 같이 링 형상 공간(13D)을 형성하여, 이 부분에 있어서 금속 카보닐 원료의 분해로 발생한 CO의 도산을 억제함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 외주부로의 금속 Ru막의 퇴적을 억제할 수 있다.
또, 상기 각 실시형태는 Ru3(CO)12 원료로부터의 금속 Ru막의 성막을 예로 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정한 예에 한정되는 것이 아니라, 다른 금속 카보닐 원료, 예컨대 W(CO)6, Ni(CO)4, Mo(CO)6, Co2(CO)8, Rh4(CO)12, Re2(CO)10, 및 Cr(CO)6로부터의, 각각 W막, Ni막, Mo막, Co막, Rh막, Re막, Cr막의 성막에 대해서도 적용 가능하다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 특허청구의 범위에 기재한 요지 내에서 다양한 변형ㆍ변경이 가능하다.
본 발명은 2007년 3월 28일 출원된 일본 특허 출원 제 2007-085022 호를 우선권 주장하는 것이며, 그 전 내용을 포함하는 것이다.

Claims (14)

  1. 피처리 기판 표면에 금속 카보닐 원료의 기상 분자를 공급하여 상기 피처리 기판 표면 근방에서 분해시킴으로써 상기 피처리 기판 표면에 금속막을 퇴적하는 성막 방법으로서,
    상기 피처리 기판 표면에 금속층을 퇴적할 때에, 상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역에서 상기 금속 카보닐 원료를 우선적으로 분해시키는 공정을 포함하고,
    상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역에 퇴적한 상기 금속 카보닐 원료를 우선적으로 분해시키는 공정은, 상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역의 온도를 상기 피처리 기판 표면의 온도보다도 승온시키는 공정, 및 상기 외주부 근방에서, 상기 피처리 기판의 주요부가 면하는 제 1 프로세스 공간에 연통하고, 또한 상기 제 1 프로세스 공간보다도 체적이 작은 제 2 프로세스 공간을 형성하는 공정 중 하나 이상을 포함하고,
    이로써 상기 피처리 기판 외주부 근방에서 프로세스 공간 중의 CO 농도를 국소적으로 증대시켜, 상기 외주부로의 금속막의 퇴적을 억제하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 프로세스 공간을 형성하는 공정은, 상기 피처리 기판을, 상기 피처리 기판에 대응한 오목부가 형성된 기판 유지대 상에, 상기 피처리 기판의 외주면이 상기 오목부의 내주면과 대향하도록 설치하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 프로세스 공간을 형성하는 공정은, 상기 피처리 기판의 외주부를 덮어 커버 부재를 배치하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 피처리 기판의 외주부에 인접하는 영역의 온도를 상기 피처리 기판 표면의 온도보다도 승온시키는 공정은, 상기 피처리 기판의 외주부를 덮어 커버 부재를 배치하고, 상기 커버 부재의 온도를 상기 피처리 기판 표면의 온도보다도 승온시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  7. 피처리 기판을 유지하는 기판 유지대를 구비한 처리 용기와,
    상기 처리 용기를 배기하는 배기계와,
    상기 처리 용기에 금속 카보닐 원료의 가스를 공급하는 제 1 가스 공급계와,
    상기 처리 용기에, 상기 금속 카보닐 원료의 분해를 억제하는 가스로서, CO 캐리어 가스를 공급하는 제 2 가스 공급계
    를 구비한 금속막의 성막 장치로서,
    상기 기판 유지대는, 상기 피처리 기판의 외경에 대응한 치수를 갖고 상기 피처리 기판을 지지하는 지지부와, 상기 지지부를 상기 지지부에 접하여 둘러싸는 온도 제어부를 포함하고,
    상기 온도 제어부는, 상기 피처리 기판 상으로의 상기 금속 카보닐 원료의 분해에 의한 금속막의 성막시에, 상기 지지부보다도 높은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 온도 제어부는, 상기 지지부와 동일면 상에 형성된, 상기 지지부와는 별도의 가열 존인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 온도 제어부는, 상기 지지부 상의 상기 피처리 기판의 외주면에 대향하는 대향면을 더 구비하고, 상기 대향면은 상기 외주면과의 사이에, 상기 처리 용기 내의 프로세스 공간에 연통한, 단 상기 프로세스 공간보다도 용적이 작은 공간을 구획하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 대향면은, 상기 외주면에 대하여 0.5~1㎜의 거리만큼 이간하여 형성되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 온도 제어부는, 상기 피처리 기판의 외주면을 상기 외주면으로부터 이간하여 덮는 커버 부재를 포함하고, 상기 커버 부재는, 상기 금속막의 성막시에, 상기 지지부보다도 높은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 커버 부재는, 상기 금속막의 성막시에, 상기 외주면에 대하여 0.5~1㎜의 거리만큼 이간하여 설치되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 온도 제어부는, 상기 피처리 기판의 외주면을 상기 외주면에 접하여 덮는 클램프 링으로 이루어지고, 상기 클램프 링은, 상기 금속막의 성막시에, 상기 지지부보다도 높은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 클램프 링은, 상기 피처리 기판의 외주면에 접하는 제 1 위치와 상기 외주면으로부터 이간한 제 2 위치 사이에서 상하 이동 가능하고, 상기 제 1 위치에서 열원과 접촉하여 상기 지지부보다도 높은 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014055342A (ja) * 2012-09-14 2014-03-27 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置
WO2014178160A1 (ja) * 2013-04-30 2014-11-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TWI491758B (zh) * 2013-05-14 2015-07-11 Global Material Science Co Ltd 用於光電半導體製程的沉積設備及其遮覆框
KR102181233B1 (ko) * 2013-07-19 2020-11-23 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
JP2015160963A (ja) * 2014-02-26 2015-09-07 東京エレクトロン株式会社 ルテニウム膜の成膜方法および成膜装置、ならびに半導体装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004156104A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Tokyo Electron Ltd 成膜方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2375944A (en) * 1939-01-24 1945-05-15 Quentin Alberto Method of tempering glass articles
US2309290A (en) * 1939-11-25 1943-01-26 Hartford Empire Co Cooling nozzle for tempering hollow glassware
US2338071A (en) * 1941-05-22 1943-12-28 Hartford Empire Co Apparatus for tempering glass bottles and like articles
US2561529A (en) * 1942-08-10 1951-07-24 Emhart Mfg Co Apparatus for handling and tempering glassware
US2539159A (en) * 1944-02-26 1951-01-23 Hartford Empire Co Method of treating annealed glassware before complete colling thereof
US2484925A (en) * 1947-06-04 1949-10-18 Corning Glass Works Tempering apparatus
US2982052A (en) * 1955-07-28 1961-05-02 British Hartford Fairmont Ltd Lehrs for glassware
US3150949A (en) * 1958-05-20 1964-09-29 Owens Illinois Glass Co Method and apparatus for direct loading of machine-made articles into a lehr
US3107086A (en) * 1958-05-20 1963-10-15 Owens Illinois Glass Co Direct loading lehr for machine-made glass articles
US3259481A (en) * 1963-02-28 1966-07-05 Emhart Corp Glassware annealing lehr
US3378243A (en) * 1965-10-24 1968-04-16 Sunbeam Corp Lehr with transverse temperature control
BE788045A (fr) * 1971-11-10 1973-02-26 Bowman E W Procede et appareil pour recuire des articles de verrerie ou des objetsanalogues
US3855966A (en) * 1973-11-30 1974-12-24 Wheaton Industries Universal chucking mechanism
US3994711A (en) * 1975-09-15 1976-11-30 Mcmaster Harold Glass tempering system including oscillating roller furnace
US4162907A (en) * 1978-04-07 1979-07-31 Frank Anderson Glass sheet manufacturing method and apparatus
US4481025A (en) * 1981-12-15 1984-11-06 Vitro Tec Fideicomiso Glass annealing lehr
FR2634274B1 (fr) * 1988-07-13 1990-10-19 Sleever Int Procede pour controler la temperature dans un four-tunnel ouvert a ses deux extremites, et dispositif pour la mise en oeuvre du procede
DE3913571C1 (ko) * 1989-04-25 1990-07-26 Vegla Vereinigte Glaswerke Gmbh, 5100 Aachen, De
JPH043926A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US5855687A (en) * 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
US5337537A (en) * 1992-12-28 1994-08-16 Soughan John J Granulable container means and method
JPH0885875A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPH08302474A (ja) * 1995-04-28 1996-11-19 Anelva Corp Ｃｖｄ装置の加熱装置
US6221166B1 (en) * 2000-06-07 2001-04-24 Simplus Systems Corporation Multi-thermal zone shielding apparatus
US7694532B1 (en) * 2002-09-19 2010-04-13 Boaz Premakaran T System and method for tempering glass containers
US7427426B2 (en) 2002-11-06 2008-09-23 Tokyo Electron Limited CVD method for forming metal film by using metal carbonyl gas
US7270848B2 (en) * 2004-11-23 2007-09-18 Tokyo Electron Limited Method for increasing deposition rates of metal layers from metal-carbonyl precursors
US8435351B2 (en) * 2004-11-29 2013-05-07 Tokyo Electron Limited Method and system for measuring a flow rate in a solid precursor delivery system
JP2006274316A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2007085022A (ja) 2005-09-20 2007-04-05 Ebata Kk インバート部材、及び、マンホール
US20070231489A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Method for introducing a precursor gas to a vapor deposition system
US7892358B2 (en) * 2006-03-29 2011-02-22 Tokyo Electron Limited System for introducing a precursor gas to a vapor deposition system
US7858522B2 (en) * 2006-03-29 2010-12-28 Tokyo Electron Limited Method for reducing carbon monoxide poisoning in a thin film deposition system
US20070234955A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing carbon monoxide poisoning at the peripheral edge of a substrate in a thin film deposition system
US7794788B2 (en) * 2007-03-28 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Method for pre-conditioning a precursor vaporization system for a vapor deposition process
US7867560B2 (en) * 2007-03-28 2011-01-11 Tokyo Electron Limited Method for performing a vapor deposition process
US7763311B2 (en) * 2007-03-28 2010-07-27 Tokyo Electron Limited Method for heating a substrate prior to a vapor deposition process
US8650908B2 (en) * 2010-05-25 2014-02-18 Emhart Glass S.A. Post-manufacture glass container thermal strengthening on a conveyor
US8839644B2 (en) * 2010-05-25 2014-09-23 Emhart Glass S.A. Post-manufacture glass container thermal strengthening method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004156104A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Tokyo Electron Ltd 成膜方法

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