JPH0885875A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0885875A JPH0885875A JP22297594A JP22297594A JPH0885875A JP H0885875 A JPH0885875 A JP H0885875A JP 22297594 A JP22297594 A JP 22297594A JP 22297594 A JP22297594 A JP 22297594A JP H0885875 A JPH0885875 A JP H0885875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ions
- substrate
- foreign matter
- generation
- irradiated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ウエイト（４）やサセプタ（３）といった基板
周辺部材の端面をイオンの入射方向に対して傾け、その
端面にイオンが照射されるようにした。これにより、端
面に入射して堆積していた反応生成物などの方向性の無
い粒子がイオンで除去され、堆積膜の増加速度が抑制さ
れる。これにより異物の発生も抑制される。 【効果】異物の発生が抑制されるので、プラズマ処理装
置の清掃までの期間が長くなり、稼働率、歩留まり向上
などの効果が得られる。
周辺部材の端面をイオンの入射方向に対して傾け、その
端面にイオンが照射されるようにした。これにより、端
面に入射して堆積していた反応生成物などの方向性の無
い粒子がイオンで除去され、堆積膜の増加速度が抑制さ
れる。これにより異物の発生も抑制される。 【効果】異物の発生が抑制されるので、プラズマ処理装
置の清掃までの期間が長くなり、稼働率、歩留まり向上
などの効果が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置にお
いて、被処理物（基板）に高周波バイアスなどを印加し
てプラズマからイオンを引き込み基板面の法線方向から
イオンを入射させる方式のプラズマ処理装置の異物低減
に関するもので、特に基板載置ホルダー回りから発生す
る異物を低減したプラズマ処理装置に関する。
いて、被処理物（基板）に高周波バイアスなどを印加し
てプラズマからイオンを引き込み基板面の法線方向から
イオンを入射させる方式のプラズマ処理装置の異物低減
に関するもので、特に基板載置ホルダー回りから発生す
る異物を低減したプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置においては、例
えば、特開平２−１３５７５３号公報に記載の基板ホル
ダーのように、基板に照射されるイオンの軌道は基板の
被処理面の法線方向であるが、基板の外周部を覆う部材
の外周面（端面）はイオン軌道と略平行となっている。
また、基板を抑えて固定する部材の端面も同様な方向と
なっている。
えば、特開平２−１３５７５３号公報に記載の基板ホル
ダーのように、基板に照射されるイオンの軌道は基板の
被処理面の法線方向であるが、基板の外周部を覆う部材
の外周面（端面）はイオン軌道と略平行となっている。
また、基板を抑えて固定する部材の端面も同様な方向と
なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、イオ
ンの軌道が各部材の帯電現象などによって曲げられるこ
となどがあるのを除くと、イオンは前記端面には照射さ
れにくい。すなわち、これらの端面にプラズマ処理によ
る重合物や反応生成物などが付着した場合、イオンで除
去されにくいことを意味し、これらの端面に次第に堆積
して、ついには異物発生の原因となる。
ンの軌道が各部材の帯電現象などによって曲げられるこ
となどがあるのを除くと、イオンは前記端面には照射さ
れにくい。すなわち、これらの端面にプラズマ処理によ
る重合物や反応生成物などが付着した場合、イオンで除
去されにくいことを意味し、これらの端面に次第に堆積
して、ついには異物発生の原因となる。
【０００４】本発明の目的は、前記端面に付着して異物
発生の原因となる堆積膜を減少させ、異物の少ないプラ
ズマ処理装置を提供することにある。
発生の原因となる堆積膜を減少させ、異物の少ないプラ
ズマ処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、異物の発生
原因となる堆積膜発生箇所にイオンが照射されやすいよ
うに、堆積膜発生箇所の部材の面方向をイオンの入射軌
道に向けることにより、達成される。
原因となる堆積膜発生箇所にイオンが照射されやすいよ
うに、堆積膜発生箇所の部材の面方向をイオンの入射軌
道に向けることにより、達成される。
【０００６】
【作用】堆積膜がごく薄い場合は異物になりにくく、あ
る厚さ以上になると急激に発生する傾向がある。異物の
原因となる厚さまで堆積膜厚は急激に増加するのではな
く、前記端面では反応生成物などの付着とそれを除去す
るイオンなどの２種類の現象が競合し、付着側の粒子が
除去側のイオンより多いため、次第に堆積膜厚が増すも
のである。したがって、イオンの比率が増加すれば堆積
現象は発生しない。イオンは、主として基板に印加され
るバイアス電圧により引き込まれるため、基板面の法線
方向から飛来する。そこで、基板の法線方向と略平行な
面をイオンが照射されやすいように傾斜させると、その
部分にもバイアスで加速されたイオンが照射されて堆積
現象を抑制し、異物の発生原因となるほど厚く堆積する
ことがない。
る厚さ以上になると急激に発生する傾向がある。異物の
原因となる厚さまで堆積膜厚は急激に増加するのではな
く、前記端面では反応生成物などの付着とそれを除去す
るイオンなどの２種類の現象が競合し、付着側の粒子が
除去側のイオンより多いため、次第に堆積膜厚が増すも
のである。したがって、イオンの比率が増加すれば堆積
現象は発生しない。イオンは、主として基板に印加され
るバイアス電圧により引き込まれるため、基板面の法線
方向から飛来する。そこで、基板の法線方向と略平行な
面をイオンが照射されやすいように傾斜させると、その
部分にもバイアスで加速されたイオンが照射されて堆積
現象を抑制し、異物の発生原因となるほど厚く堆積する
ことがない。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
図２は、従来の基板記載ホルダーの一例である。基板１
が電極２に載置されている。基板１の外周は、絶縁材料
からなるサセプタ３に囲まれており、さらに基板１の外
周部の点数はウエイト４の爪で押しつけられている。電
極２はその下に絶縁部材５、アース部材６とを有し、支
柱７にて図には示していない基板載置ホルダーの固定フ
ランジに接続されている。また、支柱７に中央には、基
板１の温度制御のために流すガス流路８が設けられてい
る。イオンは図の矢印方向から基板１に照射される。し
たがって、例えば、ウエイト４の端面４ａ、４ｂには、
直接イオンが照射されない。そのため、基板１の表面に
おける反応生成物や気相中の重合反応などによる生成
物、付着性の強いラジカルなどの方向性を持たない粒子
がウエイト４の端面４ａ、４ｂに飛来し、付着堆積して
ゆく。この堆積膜が厚くなると、堆積膜の割れや剥離な
どが発生して異物となり、基板１の表面に付着するよう
になる。
図２は、従来の基板記載ホルダーの一例である。基板１
が電極２に載置されている。基板１の外周は、絶縁材料
からなるサセプタ３に囲まれており、さらに基板１の外
周部の点数はウエイト４の爪で押しつけられている。電
極２はその下に絶縁部材５、アース部材６とを有し、支
柱７にて図には示していない基板載置ホルダーの固定フ
ランジに接続されている。また、支柱７に中央には、基
板１の温度制御のために流すガス流路８が設けられてい
る。イオンは図の矢印方向から基板１に照射される。し
たがって、例えば、ウエイト４の端面４ａ、４ｂには、
直接イオンが照射されない。そのため、基板１の表面に
おける反応生成物や気相中の重合反応などによる生成
物、付着性の強いラジカルなどの方向性を持たない粒子
がウエイト４の端面４ａ、４ｂに飛来し、付着堆積して
ゆく。この堆積膜が厚くなると、堆積膜の割れや剥離な
どが発生して異物となり、基板１の表面に付着するよう
になる。
【０００８】これらの原因による異物発生を防ぐために
は、図１に示した本発明のウエイト４とするのが有効で
ある。ウエイト４の端面４ａ、４ｂがイオン入射方向に
傾いたため、イオンが端面４ａ、４ｂに直接入射して付
着物の堆積を抑制する。そのため、堆積物の厚さが増加
する速度が現象したり、あるいは堆積膜が消失したりす
る。
は、図１に示した本発明のウエイト４とするのが有効で
ある。ウエイト４の端面４ａ、４ｂがイオン入射方向に
傾いたため、イオンが端面４ａ、４ｂに直接入射して付
着物の堆積を抑制する。そのため、堆積物の厚さが増加
する速度が現象したり、あるいは堆積膜が消失したりす
る。
【０００９】これにより、ウエハ１の表面に付着する異
物が減少し、プラズマ処理装置の清掃までの期間が長く
できることになる。
物が減少し、プラズマ処理装置の清掃までの期間が長く
できることになる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理装置に異
物発生が抑制されるので、異物発生のために装置を停止
して清掃しなければならなくなるまでの期間が長くでき
る。すなわち、装置の稼働率が向上し、スループットの
向上、歩留まり向上などの効果が期待できる。
物発生が抑制されるので、異物発生のために装置を停止
して清掃しなければならなくなるまでの期間が長くでき
る。すなわち、装置の稼働率が向上し、スループットの
向上、歩留まり向上などの効果が期待できる。
【図１】本発明の一実施例の基板載置ホルダーの詳細図
である。
である。
【図２】従来の基板載置ホルダーの説明図である。
１…基板、２…電極、３…サセプタ、４…ウエイト、５
…絶縁部材、６…アース部材、７…支柱、８…ガス流
路。
…絶縁部材、６…アース部材、７…支柱、８…ガス流
路。
Claims (1)
- 【請求項１】プラズマを用いて被処理物を処理するプラ
ズマ処理装置において、被処理物を載置した基板ホルダ
とそれに付属するカバーや被処理物を保持する部材、ガ
ス均一化部材などプラズマ中のイオンが照射される部材
の形状の内、イオンの入射方向と略平行な面をイオンが
照射されるように傾けたことを特徴とするプラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22297594A JPH0885875A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22297594A JPH0885875A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0885875A true JPH0885875A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16790831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22297594A Pending JPH0885875A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0885875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008117590A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法および成膜装置 |
| CN107546146A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种加工治具及晶圆制造方法 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP22297594A patent/JPH0885875A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008117590A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2008240108A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
| US8277889B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-10-02 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and film formation apparatus |
| CN107546146A (zh) * | 2016-06-23 | 2018-01-05 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种加工治具及晶圆制造方法 |
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