TWI440092B - Film forming method and film forming device - Google Patents

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TWI440092B TW097111065A TW97111065A TWI440092B TW I440092 B TWI440092 B TW I440092B TW 097111065 A TW097111065 A TW 097111065A TW 97111065 A TW97111065 A TW 97111065A TW I440092 B TWI440092 B TW I440092B
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Tatsuo Hatano
Masamichi Hara
Osamu Yokoyama
Satoshi Taga
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Description

成膜方法及成膜裝置
本發明一般係關於成膜技術，尤其係關於利用CVD法(化學氣相成長法)之導體膜的成膜方法及成膜裝置。
成膜技術係半導體裝置製造中之基本且重要的技術。
在半導體裝置的製造中，利用CVD法(化學氣相沉積法)形成半導體膜或絕緣膜之技術雖被廣泛應用，但形成配線層的導體膜一般是藉由濺鍍等製程所形成者。
另一方面，在現今的超微細化半導體積體電路裝置中，為了將形成於基板上之極大數量的半導體元件相互連接，乃使用以低電阻金屬作為配線圖案的多層配線構造。尤其，在以Cu作為配線圖案的多層配線構造中，一般係採用事先在由氧化矽膜或比介電常數較低之所謂低介電常數(low-K)材料所構成的層間絕緣膜中，形成配線溝或導孔，並用Cu來充填該配線溝或導孔，接著，利用化學機械研磨(CMP)去除剩餘的Cu膜部分之鑲嵌法(damascene method)或雙鑲嵌法(dual damascene method)。
鑲嵌法或雙鑲嵌法典型來說係利用由Ta等高融點金屬所構成的阻障金屬膜來覆蓋形成於層間絕緣膜中之配線溝或導孔的表面，再於其上利用PVD法或CVD法形成薄的Cu薄膜，並以該Cu薄膜作為電極進行電解電鍍，藉以 利用Cu層來充填上述配線溝或導孔。
現今的半導體積體電路裝置中，在朝微細化發展之同時，形成於層間絕緣膜中之Cu介層窗插塞(via plug)的直徑亦從65 nm逐漸縮小到45 nm，可預測在不久的將來介層窗插塞(via plug)的直徑將從32 nm進一步縮小到22 nm。
隨著此種半導體積體電路裝置的微細化，在該微細導孔或配線溝中，利用習知的PVD法來進行阻障金屬膜或Cu薄膜的成膜就階躍式覆蓋率(step coverage)的觀點而言有其困難性，因此，正在研究可以不會對low-K材料所構成之層間絕緣膜造成破壞的低溫，來實現優良的階躍式覆蓋率之MOCVD法或ALD法的成膜技術。
上述鑲嵌法或雙鑲嵌法係在阻障金屬膜及Cu薄膜的沉積後，利用電解電鍍法於基板整面沉積Cu膜。接著，在CMP步驟中，留下利用電解電鍍被充填於上述配線溝或導孔的Cu層，而去除沉積於基板上之其他部分的Cu膜及Cu薄膜，然而，利用CMP法無法將沉積於基板端側面(斜角部)的上述Cu膜或Cu薄膜去除。因此，殘留於基板斜角部的金屬膜容易因基板搬運裝卸時的接觸或衝擊而剝離，而成為主要的微粒源。
因此，利用PVD法或電解電鍍法形成Cu薄膜層或Cu膜時，會使用夾具機構來覆蓋基板端，以抑制Cu膜沉積在基板端及背面。
然而，利用MOCVD法或ALD法形成Cu薄膜時，階躍式覆蓋率會比利用PVD法更為提升，故即便使用上述夾具機構，也難以抑制Cu薄膜沉積於上述基板端側面。
本發明係提供一種使用氣相原料之金屬膜的成膜技術，且可確實地抑制金屬膜沉積於半導體基板外周部的技術。
根據一特徵，本發明提供一種成膜方法，係將金屬羰基原料的氣相分子供給至被處理基板表面，使之在上述被處理基板表面附近分解，藉以在上述被處理基板表面沉積金屬膜的成膜方法，其特徵為：包含在上述被處理基板表面沉積金屬層時，在鄰接於上述被處理基板外周部之區域使上述金屬羰基原料優先分解的步驟，並且在上述被處理基板外周部附近，使氛圍中的CO濃度局部性地增大，來抑制金屬膜沉積於上述外周部。
根據其他特徵，本發明提供一種成膜裝置，係具備：具有用來保持被處理基板之基板保持台的處理容器；將上述處理容器予以排氣的排氣系；將金屬羰基原料的氣體供給至上述處理容器的第1氣體供給系；和將抑制上述金屬羰基原料之分解的氣體供給至上述處理容器的第2氣體供給系之金屬膜的成膜裝置，其特徵為：上述基板保持台具 有對應於上述被處理基板之外徑的尺寸，且包括用來支持上述被處理基板的支持部和連接於上述支持部而包圍上述支持部的溫度控制部，並且在藉由上述金屬羰基原料的分解而在上述被處理基板上成膜金屬膜時，上述溫度控制部係保持在比上述支持部高的溫度。
根據本發明，使用金屬羰基原料在被處理基板表面沉積金屬膜時，藉由在上述被處理基板的外周部附近區域促進金屬羰基原料的分解，可使該外周部附近區域之氛圍中的CO濃度局部性地增加，依此，可確實且有效地抑制上述金屬膜沉積於上述被處理基板外周部。
第1圖係表示本發明所使用之成膜裝置10的構成。
參照第1圖，成膜裝置10具備處理容器12，該處理容器12可藉由排氣系11排氣且具有用來保持被處理基板W的基板保持台13，再者，在上述處理容器12中又形成有供被處理基板W進出用的閘閥12G。
上述基板處理台13中內設有沒有顯示圖的加熱器，經由驅動線13A驅動此加熱器，可將上述被處理基板W保持在所期望的處理溫度。
上述排氣系11具有將渦輪式分子泵11A和乾式泵11B串聯的構成，氮氣係經由閥11b被供給至上述渦輪式 分子泵11A。
在上述處理容器12和渦輪式分子泵11A之間，設有可變氣導式閥(variable conductance valve)11a，可將上述處理容器12內的總壓保持一定；更且，在第1圖的成膜裝置10中，為了利用乾式泵11B粗抽上述處理容器12，設有將上述渦輪式分子泵11A加以旁通的排氣路徑11C，且在排氣路徑11C上設有閥11c，在渦輪式分子泵11A的下游側則設有其他閥11d。
成膜原料係以氣體的形態從含有起泡器(bubbler)14A的原料供給系14經由氣體導入管線14B被供給到上述處理容器12。
圖例中，在上述起泡器14A中保持有作為Ru之羰基化合物的Rus (CO)12 ，藉由從包含MFC(質流控制裝置)14b的起泡氣體管線14a供給CO氣體作為起泡氣體，可將已氣化的Rus (CO)12 經由上述氣體導入管線14B與來自含有管線MFC14c之管線14d的CO載體氣體一起供給至上述處理容器12。
此外，第1圖的構成中，上述原料供給系14包含閥14g、14h及MFC14e且設有供給Ar等惰性氣體的管線14f，可在經由上述管線14B被供給至上述處理容器12的Rus (CO)12 原料氣體中添加惰性氣體。
再者，上述成膜裝置10設有用來控制上述處理容器12、排氣系11、原料供給系14的控制裝置10A。
第2圖係將保持於上述基板保持台13之晶圓W上之 Ru膜的沉積樣態，特別就上述晶圓W的端部附近詳細加以顯示之圖。
參照第2圖，上述晶圓W在上述第1圖所示之基板保持台13表面所形成的凹部，係以上述晶圓W帶有圓弧狀的端部相對於上述凹部的側壁面，僅分離微小的距離(例如0.5~1 mm的距離)而對向的狀態保持。
第1圖的成膜裝置10中，在上述起泡器14A中藉由來自管線14a的CO氣體而起泡的Rus (CO)12 氣相原料，係與管線14d的高濃度CO載體氣體一起供給到上述處理容器12中，且上述Rus (CO)12 原料在上述被處理基板W的表面，會依據反應式
Rus (CO)12 →3Ru+12CO…(1)
，釋放出CO而分解，並在上述晶圓W上產生金屬Ru膜21的沉積。又，得知上述金屬Ru膜21之依據上述反應式的沉積也會產生於上述基板保持台13的表面。
式(1)的反應，在氛圍中的CO分壓較低時，會朝右側進行，而促進Ru的析出，但是當氛圍中的CO分壓較高時，則會阻礙反應朝右側進行。同樣的反應也會發生在使用W或Ni、Mo、Co、Rh、Re、Cr等金屬羰基原料之金屬膜的成膜中。
亦即，在使用此種金屬羰基原料之金屬膜的沉積中，藉由控制氛圍中的CO分壓，可控制金屬膜的沉積反應。於是，在第1圖的成膜裝置10中，使用CO氣體作為載體氣體，在金屬羰基原料的輸送中使CO分壓增大，以抑制 輸送路徑中之金屬羰基原料的分解及金屬膜的沉積。
如第2圖所示，根據上述式(1)的反應之上述Rus (CO)12 原料的沉積及分解也會發生在上述處理容器12中包含上述晶圓W之周邊部的上述基板保持台13中。本案之發明人在本發明之基礎的研究中發現，如上述第2圖所示那樣在上述基板保持台13表面所形成的凹部中，沿著上述晶圓周邊部的區域，於上述晶圓周邊部與上述凹部內壁之間的距離適當的情況下，會蓄積藉由上述Rus (CO)12 之分解所釋放出的CO氣體，造成CO濃度局部性地增加，因此，Ru膜在箭頭A所示之被處理基板外周部之下側斜面進行的成膜會特別受到抑制。
本發明依據此見識，提供一種藉由金屬羰基原料的分解而在晶圓上成膜金屬膜時，可確實地抑制金屬膜沉積在上述晶圓周邊部的成膜裝置及成膜方法。
第3圖係表示本發明的發明人在作為本發明之基礎的研究中，將藉由此種Rus (CO)12 的分解所產生之Ru膜的沉積速度與氛圍中之CO分壓的關係，就160℃、180℃、200℃及250℃的基板溫度進行檢測的結果。
參照第3圖得知，在任一個基板溫度中，均顯示當CO分壓較低時，Ru會開始沉積，CO分壓愈低，則Ru膜的沉積速度愈快。
例如在基板溫度為180℃的情況下，當氛圍中的CO分壓為130 Pa以上時，並不會產生Ru膜的沉積(沉積速度為零)，相對於此，當CO分壓低於上述130 Pa時，Ru 膜的沉積則會以有限的沉積速度開始進行。
另一方面，依據上述第3圖的關係，得知例如在CO分壓為50 mTorr的情況下，於200℃的溫度下Ru膜係以約3.9 nm/分的第1沉積速度DR1進行沉積，然而當藉由該反應被釋放出之CO氣體的自由擴散受到阻礙時，則如粗箭頭所示那樣CO分壓在上述Ru膜之成膜產生的部分附近會局部性地增大。例如當上述CO分壓局部性地增大至約130 mTorr時，依據上述反應式(1)之金屬Ru膜的沉積速度在相同之200℃的溫度下會降低到約2.4 nm/分的第2沉積速度DR2。
另一方面，在CO濃度局部性地增大到約130 mTorr的氛圍中，若以更低的溫度例如180℃的溫度保持晶圓時，則由第3圖得知，依據上述反應式(1)之金屬Ru膜的沉積速度DR3變成零，可抑制金屬Ru膜在上述晶圓上的沉積。
因此，本發明乃形成在沿著被處理基板(即晶圓)的外周部，依據上述反應式(1)沉積金屬Ru膜時，可抑制作為反應生成物被釋放出之CO氣體的自由散逸之構造，更且，藉由將此構造的溫度設定成高於上述晶圓的溫度，可抑制金屬膜沉積於上述晶圓外周部。
[第1實施型態]
第4圖係表示上述第1圖之成膜裝置10中所使用之本發明之第1實施型態之基板保持台23的概略構成圖。
參照第4圖，上述基板保持台23藉由所埋設的第1電阻加熱器(沒有顯示圖)加熱至溫度T1，其具有與上述晶圓的外徑大至相等的大小，且包含用來支持上述晶圓W的支持部23A，並且在上述支持部23A的外側，設有連接於上述支持部23A而設置且可藉由第2電阻加熱器(沒有顯示圖)加熱至高於上述溫度T1的溫度T3(T1<T3)之環狀溫度控制部23B。
又，在上述溫度控制部23B的外側，形成有構成上述基板保持台23之外周部的外周構件23C，又，在上述外周構件23C的外側，覆蓋上述外周構件23C的側壁面及上面以及上述溫度控制部23B上面的大部分而設有保護罩(covering)23D。
上述保護罩23D在其內側前端部，具有與支持於上述支持部23A上之晶圓W的側壁面相對的內壁面23d，且該內壁面23d相對於上述晶圓W的外周面僅分離例如0.5 mm的距離D且具有例如1 mm的高度。因此，在上述晶圓W的外周面與上述保護罩23D之間，縱橫比(aspect ratio)約2的小空間23S係與上述晶圓W上面的製程空間連通而形成。
再者，上述保護罩23D係藉由構件23e扣合於上述外周構件23C的上面，且在上述外周部23C的上面與上述保護罩23D的下面之間，形成有大小為0.05~0.5 mm的間隙d。
在此構成中，由於被保持在溫度T1之支持部23A上 的上述晶圓W可朝上述製程空間放熱，故可被保持在比上述溫度T1更低的溫度T2，但是上述溫度控制部係如先前說明那樣被保持在比上述溫度T1高的溫度T3，因此在上述溫度T1、T2、T3之間，不等式T3>T1>T2可成立。
此外，上述外周構件23C中埋設有第3電阻加熱器(沒有顯示圖)，上述第3加熱器係將上述外周構件23C的溫度維持在低於上述溫度T1的溫度T4(T4≦T2)，藉此，可幫助上述第2加熱器將上述溫度控制部23B的溫度T3維持在所期望的高溫。
例如，將上述支持部23A的溫度T1設定為225℃，此時，上述晶圓W的溫度T2係維持在198℃。
因此，參照先前說明之第3圖的關係時，藉由將上述溫度控制部23B的溫度設定成高於上述溫度T1之例如250℃，可促進沿著上述晶圓W外周部之上述空間23S中之上述Rus (CO)12的分解，分解後，由於作為反應生成物產生之CO的散逸受到阻礙，故上述空間23S中CO分壓局部性地增大，可抑制金屬Ru沉積於被維持在較低溫度T2之晶圓W側壁面。
[第2實施型態]
第5圖係表示本發明之第2實施型態之基板保持台33的概略構成圖。然而，圖中，與先前說明的部分對應的部分係附註相同的參照符號，並省略說明。
參照第5圖，在上述基板保持台33中省略了上述支持部23A與外周構件23C之間的溫度控制部23B，且上述外周構件23C係與上述支持部23A的外側鄰接並加以覆蓋。
另一方面，第5圖的構成中，在上述保護罩23D中有埋設沒有顯示圖的電阻加熱器，依此構成，可使上述保護罩23D的溫度上昇至高於上述支持部23A之溫度T1的溫度T3。
上述保護罩23D係使其前端部於上述晶圓W的上面在外周部覆蓋成環狀，且在其與上述晶圓W的上面之間，劃成寬幅為d的空間，使之與上述晶圓W露出的製程空間連通。
因此，此構成中亦於上述保護罩23D所覆蓋之上述晶圓周邊部Wa，藉由將對向於晶圓表面之保護罩23D的表面溫度上昇至高於上述晶圓主要部分的溫度T1，可促進上述Rus (CO)12 在保護罩23D表面的分解，並使上述空間中的CO濃度局部性地增大。依此，如第6圖所示，可抑制Ru膜沉積於上述被處理基板W中的上述外周部Wa。
[第3實施型態]
第7圖係表示本發明之第3實施型態之基板保持台43的構成。然而，圖中，先前說明的部分係附註相同的參照符號，並省略說明。
參照第7圖，本實施型態中，上述晶圓W的上面係藉由可上下移動的夾緊環(clamp ring)23E保持著，上述夾緊環23E係在圖示的下降位置扣合於上述晶圓W，另一方面，在省略圖示的上昇位置釋放上述晶圓W。
上述夾緊環23E係在圖示的下降位置於上述支持部23A的外側形成環狀，且與藉由電阻加熱器RA保持為溫度T5的熱源23F接觸，依此，被加熱至上述溫度T3(T3<T5)。
又，第7圖的構成中，上述支持部23A係藉由加熱器RA加熱至上述溫度T1(T2<T1<T3)。
根據此構成，可固定上述熱源23F，且上述夾緊環23E的構成可簡單化。
第7圖的構成中，藉由將上述夾緊環23E以在其下降位置與上述晶圓W的表面分離的方式形成，也可成為與第5圖實質上相同的構成。
[第4實施型態]
第8圖係表示本發明之第4實施型態之基板保持台53的構成。
參照第8圖，基板保持台53實際上係與先前第2圖說明的構成相同，上述晶圓W係以與劃成上述凹部的內壁面僅分離0.5 mm之距離D的方式，保持於上述基板保持台13上所形成的凹部，因此，在上述晶圓W的外周部，寬度深度比約2的環狀空間13D係與上述晶圓W上的 製程空間連通而形成。
第8圖的構成中，雖然沒有特別在基板保持台13設置高溫部，但是藉由以上述方式形成環狀空間13D，且在該部分抑制因金屬羰基原料的分解所產生之CO的散逸，可抑制金屬Ru膜沉積於上述晶圓W的外周部。
此外，上述各實施型態雖以來自Rus (CO)12 原料的金屬Ru膜的成膜為例來說明，但是本發明並不限定於此特定例，也可適用於來自其他金屬羰基原料之例如W(CO)6 、Ni(CO)4 、Mo(CO)6 、Co2 (CO)8 、Rh4 (CO)12 、Re2 (CO)10 及Cr(CO)6 的各個W膜、Ni膜、Mo膜、Co膜、Rh膜、Re膜、Cr膜的成膜。
以上，係將本發明就較佳的實施型態加以說明，但是本發明並不限定於此特定的實施型態，只要在專利申請範圍所記載的要旨內，皆可進行各種變形‧變更。
本發明係針對日本平成19年3月28日申請的特願2007-085022主張優先權，並包含其全部內容。
10‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧排氣系
11A‧‧‧渦輪式分子泵
11B‧‧‧乾式泵
11C‧‧‧排器路徑
11a‧‧‧可變氣導式閥
11b、11c、11d、11g、11h‧‧‧閥
12‧‧‧處理容器
12G‧‧‧閘閥
13、23、33、43、53‧‧‧基板保持台
13A‧‧‧驅動線
13D‧‧‧環狀空間
14‧‧‧原料供給系
14A‧‧‧起泡器
14B‧‧‧氣體導入管線
14a‧‧‧起泡氣體管線
14b‧‧‧質流控制裝置
23A‧‧‧支持部
23B‧‧‧溫度控制部
23C‧‧‧外周構件
23D‧‧‧保護罩
23d‧‧‧內壁面
23e‧‧‧構件
23S‧‧‧空間
23E‧‧‧夾緊環
23F‧‧‧熱源
第1圖係表示本發明所使用之成膜裝置的概要之圖。
第2圖係說明本發明的原理之圖。
第3圖係說明本發明的原理之其他圖。
第4圖係表示本發明之第1實施型態之成膜裝置所使用之基板保持台的概要之圖。
第5圖係表示本發明之第2實施型態之成膜裝置所使 用之基板保持台的概要之圖。
第6圖係表示在上述第5圖的成膜裝置中成膜金屬膜之晶圓的概要之圖。
第7圖係表示本發明之第3實施型態之成膜裝置所使用之基板保持台的概要之圖。
第8圖係表示本發明之第4實施型態之成膜裝置所使用之基板保持台的概要之圖。
12‧‧‧處理容器
13‧‧‧基板處理台
21‧‧‧金屬Ru膜
W‧‧‧晶圓

Claims (13)

  1. 一種成膜方法，係將金屬羰基原料的氣相分子供給至被處理基板表面，使之在上述被處理基板表面附近分解，藉以在上述被處理基板表面沉積金屬膜的成膜方法，其特徵為：包含在上述被處理基板表面沉積金屬層時，在鄰接於上述被處理基板外周部之區域使上述金屬羰基原料優先分解的步驟，在上述被處理基板的外周部附近，使氛圍中的CO濃度局部性地增大，來抑制金屬膜沉積於外周部。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中，在鄰接於上述被處理基板的上述外周部之區域使上述金屬羰基原料優先分解的步驟係包括：使鄰接於上述被處理基板的上述外周部之區域的溫度上昇至高於上述被處理基板表面的溫度。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中，在鄰接於上述被處理基板的上述外周部之區域使上述金屬羰基原料優先分解的步驟係包括：在上述外周部附近，形成與上述被處理基板所面對的處理容器內的氛圍空間連通，且體積小於上述處理容器內的氛圍空間的上述外周部附近的氛圍空間之步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項之成膜方法，其中，形成上述外周部附近的氛圍空間的步驟係包括：在形成有與上述被處理基板對應之凹部的基板保持台上，以上述被處理 基板之外周面與上述凹部之內周面對向的方式配設上述被處理基板的步驟。
  5. 如申請專利範圍第3項之成膜方法，其中，形成上述外周部附近的氛圍空間的步驟係包括：覆蓋上述被處理基板的上述外周部，來配置保護罩(covering)的步驟。
  6. 如申請專利範圍第2項之成膜方法，其中，使鄰接於上述被處理基板的上述外周部之區域的溫度上昇至高於上述被處理基板表面的溫度之步驟係包括：覆蓋上述被處理基板的上述外周部，來配置保護罩，使上述保護罩的溫度上昇至高於上述被處理基板表面的溫度之步驟。
  7. 一種成膜裝置，係具備：具有用來保持被處理基板之基板保持台的處理容器；將上述處理容器予以排氣的排氣系；將金屬羰基原料的氣體供給至上述處理容器的第1氣體供給系；和將抑制上述金屬羰基原料之分解的氣體供給至上述處理容器的第2氣體供給系之金屬膜的成膜裝置，其特徵為：上述基板保持台具有對應於上述被處理基板之外徑的尺寸，且包括用來支持上述被處理基板的支持部和連接於上述支持部而包圍上述支持部的溫度控制部，上述溫度控制部係與上述支持部形成於同一面上，且與上述支持部為不同的加熱區域。
  8. 如申請專利範圍第7項之成膜裝置，其中，上述溫度控制部又具備與上述支持部上之上述被處理基板的外 周面對向的對向面，且在上述對向面與上述外周面之間，劃成與上述處理容器內的製程空間連通但容積比上述製程空間小的空間。
  9. 如申請專利範圍第8項之成膜裝置，其中，上述對向面係以相對於上述外周面，僅分離0.5~1mm之距離的方式形成。
  10. 一種成膜裝置，係具備：具有用來保持被處理基板之基板保持台的處理容器；將上述處理容器予以排氣的排氣系；將金屬羰基原料的氣體供給至上述處理容器的第1氣體供給系；和將抑制上述金屬羰基原料之分解的氣體供給至上述處理容器的第2氣體供給系之金屬膜的成膜裝置，其特徵為：上述基板保持台具有對應於上述被處理基板之外徑的尺寸，且包括用來支持上述被處理基板的支持部和連接於上述支持部而包圍上述支持部的溫度控制部；上述溫度控制部係包括與上述被處理基板的外周面分離而覆蓋上述外周面之保護罩，且上述保護罩於上述金屬膜的成膜時係保持在比上述支持部高的溫度。
  11. 如申請專利範圍第10項之成膜裝置，其中，上述保護罩在上述金屬膜的成膜時係以相對於上述外周面，僅分離0.5~1mm之距離的方式形成。
  12. 一種成膜裝置，係具備： 具有用來保持被處理基板之基板保持台的處理容器；將上述處理容器予以排氣的排氣系；將金屬羰基原料的氣體供給至上述處理容器的第1氣體供給系；和將抑制上述金屬羰基原料之分解的氣體供給至上述處理容器的第2氣體供給系之金屬膜的成膜裝置，其特徵為：上述基板保持台具有對應於上述被處理基板之外徑的尺寸，且包括用來支持上述被處理基板的支持部和連接於上述支持部而包圍上述支持部的溫度控制部；上述溫度控制部係由連接於上述被處理基板的外周面而覆蓋上述外周面之夾緊環(clamp ring)所構成，且上述夾緊環在上述金屬膜的成膜時係保持在比上述支持部高的溫度。
  13. 如申請專利範圍第12項之成膜裝置，其中，上述夾緊環在與上述被處理基板之外周面連接的第1位置和與上述外周面分離的第2位置之間可上下移動，且在上述第1位置與熱源接觸，而被加熱至比上述支持部高的溫度。
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