KR101057201B1

KR101057201B1 - 기재, 통신 모듈 및 통신 장치

Info

Publication number: KR101057201B1
Application number: KR1020090013563A
Authority: KR
Inventors: 준 쯔쯔미; 가즈히로 마쯔모또
Original assignee: 다이요 유덴 가부시키가이샤
Priority date: 2008-02-20
Filing date: 2009-02-18
Publication date: 2011-08-16
Also published as: US8159315B2; JP2009200715A; EP2093828A1; KR20090090276A; TWI413295B; JP5344736B2; TW200950205A; CN101515660A; CN101515660B; US20090206956A1

Abstract

50Ω보다 작은 임피던스와, 50Ω 혹은 그 이상의 임피던스를 갖는 고주파 필터 및 분파기를, 소형이며 염가이고 안정적으로 제공함으로써, 필터 소자를 탑재하는 1개의 기재(基材)에 형성되는 전송 선로의 특성 임피던스를, 염가이며 소형화를 저해하는 일 없이 용이하게 조정할 수 있도록 하는 층 구성을 갖는 기재를 실현한다. 필터 소자를 접속하기 위한 필터 배선층(제1 배선층(4))과, 필터 배선층의 아래쪽에 배치되고 적어도 일부에 그라운드부를 구비한 그라운드 배선층(제2 배선층(5) 등)과, 필터 배선층과 그라운드 배선층 사이에 배치된 절연층(제1 절연층(1) 등)을 구비하고，절연층은, 필터 배선층의 배선 폭과 절연층의 유전율 및 두께로 결정되는 특성 임피던스가 0.1Ω∼50Ω으로 되는 두께로 형성되어 있다.

기재, 통신 모듈, 특성 임피던스, 필터 배선층, 절연층

Description

기재, 통신 모듈 및 통신 장치{SUBSTRATE, COMMUNICATION MODULE, AND COMMUNICATION APPARATUS}

본 발명은, 휴대 전화로 대표되는 이동 통신 기기나 무선 기기에 사용되는 고주파 필터 및 분파기용의 기재(基材)에 관한 것이다. 또한，고주파 필터 및 분파기에 관한 것으로，특히 탄성파 디바이스를 이용하여 제공되는 고주파 필터 및 분파기에 관한 것이다. 또한, 이들을 이용한 모듈, 통신 장치에 관한 것이다.

최근, 휴대 전화로 대표되는 무선 통신 기기는 멀티밴드·멀티시스템화가 진행되고, 1대의 휴대 전화 단말기에 복수의 통신 장치가 탑재되도록 되어 있다. 일반적으로, 1개의 통신 장치에는 복수의 필터, 나아가서는 분파기, 파워 앰프 등이 필요로 되기 때문에, 1대의 휴대 전화 단말기에는 매우 많은 고주파 디바이스를 탑재할 필요가 있어, 휴대 전화 단말기의 소형화를 저해하는 요인으로 되어 있었다. 이 때문에, 각 고주파 디바이스의 소형, 박형화가 강하게 요구되고 있는 상황이다.

통신 장치에서 사용되는 고주파 필터나 분파기, 또한，파워 앰프는, 각각 입출력 임피던스가 50Ω으로 되도록 조정되고, 패키지에 탑재되어 공급된다. 고주파 필터나 분파기에는, 탄성 표면파(Surface Acoustic Wave: SAW) 필터나, 압전 박막 공진기(Film Bulk Acoustic wave Resonator: FBAR) 필터 등의 탄성파 디바이스가 널리 이용되고 있다. 이들 탄성파 디바이스에 대해서는, 필터 소자의 설계에 의해 입출력 임피던스를 조정하는 것이 가능하기 때문에，별도 정합 회로를 부가하는 일 없이 50Ω을 실현할 수 있다. 그러나, 파워 앰프의 경우, 입출력 임피던스는 통상적으로 수 Ω이며, 앰프 소자의 설계만으로는 50Ω을 달성할 수 없다. 따라서, 정합 회로 소자가 필수로 되어, 그것을 위한 스페이스가 필요하여 소형화의 장해로 되어 있다.

도 18a는, 종래의 휴대 전화 단말기에서의 RF 블록의 개요를 나타낸다. 도 18a에 도시한 고주파 블록은, 안테나(101), 분파기(102), 로우 노이즈 앰프(LNA)(103), 수신단간 필터(104), LNA(105), 믹서(106 및 109), 로우 패스 필터(LPF)(107 및 110), 가변 이득 앰프(VGA)(108 및 111), 위상 제어 회로(112), 송신 회로(113), 송신단간 필터(114), 파워 앰프(PA)(115)를 구비하고 있다. 도 18a는, 1개의 통신 장치를 구성하기 위한 RF 블록이며, 멀티밴드·멀티시스템화된 휴대 전화 단말기에는, 이 블록이 복수개 탑재된다.

도 18a에 도시한 바와 같이, 파워 앰프(115)의 전후에는 송신단간 필터(114) 및 분파기(102)가 배치되는 것이 일반적이다. 통상적으로，파워 앰프(115)는, 도 18b에 도시한 바와 같이, 앰프 소자(115a), 정합 회로(115b 및 115c)를 구비한 파워 앰프 모듈로서 제공되고, 필터와 분파기 사이에서 50Ω의 임피던스 정합이 달성되어 있다. 그 때문에，파워 앰프 모듈의 크기는 4㎜×4㎜ 정도로 되고, 고주파 필터(예를 들면 1.4㎜×1.0㎜)와 비교하여 대형으로 되어 있었다. 따라서, 이와 같은 RF 블록을 소형화하기 위해서는, 파워 앰프(1l5)에 부가되는 정합 회로를 간소화 혹은 삭제하는 것이 효과적이다. 그것을 위해서는, 임피던스 조정이 가능한 고주파 필터 및 분파기의 입출력 임피던스를 50Ω보다 현격히 작게 하여, 파워 앰프의 입출력 임피던스에 근접시킬 필요가 있다.

그러나, 고주파 필터나 분파기는, 파워 앰프에 접속됨과 동시에, 다른 부품과도 접속되어 있으며, 그들의 입출력 임피던스는 50Ω인 것이 일반적이다. 따라서, 고주파 필터나 분파기의 입출력 임피던스는, 50Ω과 50Ω보다 현격히 작은 2개의 임피던스인 것이 필요하게 된다.

종래, 서로 다른 2개의 임피던스를 입출력 임피던스에 갖는 고주파 필터나 분파기로서는, 50Ω의 입력 임피던스와, 평형-불평형 출력 변환을 수반한 50Ω보다도 큰 100Ω이나 200Ω 등을 갖는 것이 있었다. 이와 같은 필터나 분파기는, 노이즈 저감을 위해서 평형 입력에 대응한 로우 노이즈 앰프와 필터 사이의 평형-불평형 변환 회로를 불필요하게 하기 위해서 실현된 것이었다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).

이것에 대하여, 입출력 임피던스가 수 Ω인 파워 앰프는, 정합 회로를 부가하여 모듈로서 제공되는 것이 일반적이었기 때문에, 50Ω과 50Ω보다 작은 임피던스의 양방을 갖는 고주파 필터나 분파기는 제공되어 있지 않았다. 그러나, 전술한 바와 같이, 고주파 디바이스의 소형화에 대한 요구로부터, 파워 앰프의 정합 회로도 간략화 혹은 삭제하는 것이 바람직하다. 그것을 위해서는, 50Ω과 50Ω보다 작은 임피던스를 갖는 고주파 필터나 분파기가 필요하게 된다.

또한，도 19에 도시한 바와 같은 휴대 전화 단말기의 RF 블록에서 사용되는 분파기(201)에서는，50Ω보다 낮은 임피던스를 갖는 파워 앰프(203)와, 50Ω보다 높은 임피던스를 갖는 로우 노이즈 앰프(202)에 직접 접속하는 것이 예상된다. 따라서，분파기(201)에서, 송신 포트(205)는 50Ω보다도 낮은 입력 임피던스를 구비하고，안테나(101)에 접속되는 안테나 포트(206)는 50Ω의 임피던스를 구비하고，로우 노이즈 앰프(202)에 접속되는 수신 포트(204)는 50Ω보다 높은 임피던스를 구비하고 있을 필요가 있다. 즉, 분파기(201)는, 3종의 임피던스를 가질 필요가 있다.

이상 정리하면, 고주파 필터나 분파기에서는，50Ω보다 낮은 임피던스와 50Ω의 2종의 임피던스를 갖는 것(예를 들면, 도 18a의 송신단간 필터(114)), 또는 50Ω보다 낮은 임피던스와 50Ω 및 50Ω보다 높은 임피던스의 3종을 갖는 것(도 19의 분파기(201)), 또한, 50Ω과 50Ω보다 큰 임피던스의 2종을 갖는 것(예를 들면, 도 18a의 수신단간 필터(104)) 등이 요구되는 사태로 되었다.

이와 같은 고주파 필터나 분파기를 제작하기 위해서는, SAW 필터나 FBAR 필터라고 하는 필터 소자의 입출력 임피던스와, 또한，이들 필터 소자를 탑재하는 기재에 형성된 전송 선로의 특성 임피던스가, 각각 50Ω보다 작은 값과 큰 값을 가질 필요가 있다. SAW 필터나 FBAR 필터에 대해서는, 용이하게 입력 임피던스를 조정 가능하기 때문에 문제는 없다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-267885호 공보

그러나, 기재에 형성된 전송 선로에 대해서는, 1개의 기재 내에서, 50Ω보다도 작은 특성 임피던스와 큰 특성 임피던스를, 소형을 유지한 채로 제조성 좋게 염가로 제작하기 위해서는, 설계의 연구가 필요하게 되었다. 환언하면, 기재에 형성되는 전송 선로에 대해서는, 동일 기재 내에서 복수의 특성 임피던스를 용이하게 제작하기 위해서는, 종래의 기재에서는 설계 자유도가 작다고 하는 문제가 있었다. 또한，현 상황에서 요구되고 있는 고주파 필터나 분파기에 대한 코스트를 생각하면, 예를 들면, 도 18a 내의 송신단간 필터(114), 수신단간 필터(104) 및 분파기(102) 등의 복수의 제품에 대하여 기재의 층 구성을 통일하는 것이 바람직하다. 따라서, 1개의 층 구성에서, 특성 임피던스의 조정이 용이하며, 설계 자유도를 크게 할 수 있는 층 구성을 갖는 기재가 요구되고 있었다.

본 발명의 목적은, 50Ω보다 작은 임피던스와, 50Ω 혹은 그 이상의 임피던스를 갖는 고주파 필터 및 분파기를, 소형이며 염가이고 안정적으로 제공하는 것이며, 필터 소자를 탑재하는 1개의 기재에 형성되는 전송 선로의 특성 임피던스를, 염가이며 소형화를 저해하는 일 없이 용이하게 조정할 수 있도록 하는 층 구성을 갖는 기재를 실현하는 것이다. 또한，그와 같은 기재를 구비한 필터, 분파기를 실현하는 것이다. 또한，그와 같은 기재, 필터, 또는 분파기를 구비한 통신 모듈을 실현하는 것을 목적으로 한다. 또한，그와 같은 통신 모듈을 구비한 통신 장치를 실현하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제1 기재는, 필터 소자가 탑재되는 기재로서, 상기 필터 소자를 접속하기 위한 배선을 구비한 필터 배선층과, 상기 필터 배선층의 아래쪽에 배치되고, 적어도 일부에 그라운드부를 구비한 그라운드 배선층과, 상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 배치된 절연층을 구비하며，상기 절연층은, 상기 필터 배선층의 배선의 폭과 상기 절연층의 유전율 및 두께로 결정되는 특성 임피던스가 0.1Ω∼50Ω으로 되는 두께로 형성되어 있는 것이다.

본 발명의 제2 기재는, 필터 소자가 탑재되는 기재로서, 상기 필터 소자를 접속하기 위한 배선을 구비한 필터 배선층과, 상기 필터 배선층의 아래쪽에 배치되고, 적어도 일부에 그라운드부를 구비한 그라운드 배선층과, 상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 배치된 절연층을 구비하며，상기 절연층의 두께는, 상기 필터 배선층의 배선의 폭과 상기 절연층의 유전율 및 두께로 결정되는 특성 임피던스가 0.1Ω∼50Ω으로 되는 두께의, 대략 절반 이하로 형성되어 있는 것이다.

본 발명에 의하면, 복수의 입력 임피던스를 갖는 고주파 필터나 분파기를 구성하기 위해서 필요한, 임피던스에 관하여 매우 설계 자유도가 높고, 더욱 염가이고 안정적으로 제조 가능한 기재를 제공하는 것이 가능하게 된다. 또한，그 결과로서, 염가이고 안정적으로 고주파 필터 및 분파기를 제공하는 것이 가능하게 된다. 또한, 기재의 최표층 절연층을 박형화하기 위해서, 본 발명을 이용하여 제작된 고주파 필터 및 분파기는 박형화되는 효과도 갖는다.

<실시 형태>

〔1.기재, 필터 및 분파기의 구성〕

도 1은, 본 실시 형태에서의 기재의 층 구조를 나타내는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 기재는, 제1 절연층(1), 제2 절연층(2), 제3 절연층(3)을 구비하고 있다. 또한，제1 절연층(1)의 표면에는 제1 배선층(4)이 형성되어 있다. 또한，제1 절연층(1)과 제2 절연층(2) 사이에는 제2 배선층(5)이 형성되어 있다. 또한，제2 절연층(2)과 제3 절연층(3) 사이에는 제3 배선층(6)이 형성되어 있다. 또한，제3 절연층(3)의 하면에는 제4 배선층(7)이 형성되어 있다. 제1 배선층(4)은, 전송 선로(마이크로스트립 선로)로서 이용되고 있다.

또한，본 실시 형태에의 제1 배선층(4)은, 본 발명에서의 필터 소자를 접속 가능한 필터 배선층의 일례이다. 또한，본 실시 형태에서의 제2 배선층(5), 제3 배선층(6) 및 제4 배선층(7)은, 적어도 일부에 그라운드 패턴(그라운드부)을 구비할 수 있으며, 본 발명의 그라운드 배선층의 일례이다.

기재에 형성되는 전송 선로로서, 기재 표면에 형성되는 마이크로스트립 선로를 이용하여 그 특성 임피던스에 대하여 설명한다. 도 2는, 마이크로스트립 선로의 구조를 나타낸다. 도 2에서, 마이크로스트립 선로의 배선 패턴(12)은, 절연체(11)의 표면에 형성되어 있다. 또한，절연층(11)의 배면측에는 그라운드층(13)이 형성되어 있다.

마이크로스트립 선로의 특성 임피던스는, 절연체(11)의 유전율, 두께 d 및 배선 패턴(12)의 폭 W로 거의 결정된다. 절연체(11)의 유전율은, 절연체 재료로 결정되기 때문에, 설계 요소로서는, 절연체(11)의 두께 d와 배선 패턴(12)의 폭 W로 된다.

여기서, 특성 임피던스의 조정 방법에 대하여 설명한다. 특성 임피던스를 작게 하기 위해서는, 절연체(11)의 두께 d를 얇게 하거나，배선 패턴(12)의 폭 W를 크게 할 필요가 있고, 또한，특성 임피던스를 크게 하기 위해서는, 절연체(11)의 두께 d를 두껍게 하거나，배선 패턴(12)의 폭 W를 작게 할 필요가 있다. 이와 같은 특성 임피던스와 절연체(11) 및 배선 패턴(12)의 치수와의 관계를 근거로 하여, 소형화 및 박형화를 진행하면서, 특성 임피던스를 50Ω보다 작은 값부터 큰 값까지 용이하게 조정 가능하며, 또한 염가이고 안정적으로 제조 가능한 층 구성을 갖는 기재에 대하여 설명한다.

도 1로 되돌아가서, 본 실시 형태의 기재에서, 제1 배선층(4)은, 필터 소자를 접속하기 위한 것으로, 기재의 표면에 형성되어 있다. 또한，제2 배선층(5)은, 제1 배선층(4)의 아래쪽이며, 또한, 필터 탑재면의 1층 아래에 형성되어 있다. 또한，제2 배선층(5)의 적어도 일부에는 그라운드 패턴이 배치되고, 마이크로스트립 선로를 형성하고 있다.

마이크로스트립 선로의 특성 임피던스는, 상기한 바와 같이 제1 배선층(4)의 배선 패턴의 폭 및 제1 배선층(4)과 제2 배선층(5) 사이에 끼워진 제1 절연층(1)의 유전율 및 두께로 결정된다. 따라서 본 실시 형태에서는, 제1 절연층(1)의 두께를, 특성 임피던스가 50Ω보다도 작아지도록 얇게 하고, 또한, 제1 절연층(1)의 두 께와 대략 일치 혹은 그보다 두꺼운 절연층이 기재 내에 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성으로 함으로써, 50Ω보다 작은 특성 임피던스에 대해서는, 제1 배선층(4)에 배선 패턴을 형성하고，제2 배선층(5)에 그라운드 패턴을 형성함으로써, 배선 패턴의 폭을 크게 하는 일 없이 제작할 수 있다. 또한，특성 임피던스의 하한값은, 기재의 제조 한계값으로 할 수 있고，예를 들면 0.1Ω으로 할 수 있다. 또한，50Ω 및 그 이상의 특성 임피던스에 대해서는, 제1 배선층(4)의 배선 패턴의 폭을 가늘게 하거나，혹은, 그라운드 패턴을 제2 배선층(5)보다 하측의 배선층(제3 배선층(6), 제4 배선층(7) 등)에 형성함으로써, 소형화를 저해하는 일 없이 실현할 수 있다.

또한，제1 절연층(1)을 얇게 형성함으로써, 기재 전체의 강도가 약해질 가능성이 있지만, 다른 절연층(제2 절연층(2), 제3 절연층(3) 등)의 두께를 제1 절연층(1)의 두께보다도 두껍게 형성함으로써, 강도를 확보하고, 안정적으로 기재를 공급하는 것이 가능하게 된다.

또한，마이크로스트립 선로를 형성하고 있는 제1 배선층(4)의 배선 패턴의 폭 W 및 제1 배선층(4)과 제2 배선층(5) 사이에 끼워진 제1 절연층(1)의 비유전율 e_r로 하였을 때, 제1 절연층(1)의 두께 d가,

을 충족하고, 또한, 제1 절연층(1)의 두께 d와 대략 일치 혹은 그보다 두꺼운 절연층이 기재 내에 포함되어 있는 구성으로 하여도 된다.

이와 같이 제1 절연층(1)의 두께 d를 결정하고, 후술하는 바와 같이, 제1 절연층(1)을 사이에 두고 배선 패턴과 그라운드 패턴을 배치함으로써, 소형화를 저해하는 일 없이 50Ω보다도 작은 특성 임피던스를 갖는 전송 선로를 용이하게 형성할 수 있다. 또한，50Ω 및 그 이상의 특성 임피던스에 대해서는, 제1 배선층(4)의 배선 패턴의 폭 W를 가늘게 하거나，혹은, 그라운드 패턴을 제2 배선층(5)보다 아래의 배선층에 형성함으로써 실현할 수 있다. 또한，제1 절연층(1)이 얇게 됨으로써 기재 전체의 강도가 약하게 될 가능성이 있지만, 다른 절연층(제2 절연층(2), 제3 절연층(3) 등)을 제1 절연층(1)보다도 두껍게 형성함으로써 강도를 확보하고, 안정적으로 기재를 제작 및 공급하는 것이 가능하게 된다.

또한，제1 절연층(1)의 두께가, 마이크로스트립 선로를 형성하고 있는 제1 배선층(4)의 배선 패턴의 폭 W 및 제1 배선층(4)과 제2 배선층(5) 사이에 끼워진 제1 절연층(1)의 유전율, 두께 d로 결정되는 특성 임피던스가 50Ω으로 되는 절연층의 두께의 대략 절반 이하로 되도록 얇게 설정하고, 또한, 제1 절연층(1)의 두께 d와 대략 일치 혹은 그보다 두꺼운 절연층이 기재 내에 포함되는 구성으로 하여도 된다.

이와 같은 구성으로 함으로써, 50Ω보다 작은 특성 임피던스에 대해서는, 제1 배선층(4)에 배선 패턴을 형성하고，제2 배선층(5)에 그라운드 패턴을 배치함으로써 용이하게 제작할 수 있으며, 50Ω의 특성 임피던스에 대해서는, 제1 배선 층(4)에 형성된 배선 패턴의 폭을 가늘게 하거나，또는, 제1 절연층(1)과 그 아래의 절연층(제2 절연층(2))을 사이에 두고 그라운드 패턴을 형성하고，제1 절연층(1) 및 제2 절연층(2)의 합계 두께를 조정함으로써, 정확하게 50Ω의 특성 임피던스를 달성하는 것이 가능하다. 환언하면, 배선 패턴의 폭 W를 변경하지 않고, 50Ω보다 작은 특성 임피던스와 50Ω의 특성 임피던스를 실현하는 것이 가능하게 된다. 또한，50Ω보다 큰 특성 임피던스의 실현에 대해서는, 제1 배선층(4)의 배선 패턴의 폭을 더 가늘게 하거나, 제2 절연층(2)의 아래에 절연층을 더 개재하여 그라운드 패턴을 형성함으로써, 용이하게 실현 가능하다. 또한，이와 같은 기재에 대해서는, 제1 절연층(1)이 50Ω의 특성 임피던스를 실현하는 것보다도 극단적으로 얇게 형성되기 때문에, 제1 절연층(1)과 대략 일치하거나, 혹은 그보다도 두꺼운 절연층을 기재 내에 포함시킴으로써, 기재 전체의 강도를 유지하여, 안정적으로 제작 및 공급하는 것이 가능하게 된다.

의 식을 충족하고, 또한, 제1 절연층(1)의 두께 d와 대략 일치 혹은 그보다 두꺼운 절연층이 기재 내에 포함되어 있는 구성으로 하여도 된다.

이와 같이 제1 절연층(1)의 두께 d를 결정함으로써, 후술하는 바와 같이, 50Ω으로 되는 절연층의 두께의 대략 절반 이하로 된다. 따라서, 제1 절연층(1)을 사이에 두고 배선 패턴과 그라운드 패턴을 배치함으로써, 50Ω보다도 매우 작은 특성 임피던스를 갖는 전송 선로를 용이하게 형성할 수 있다. 또한，50Ω의 특성 임피던스에 대해서는, 제1 배선층(4)에 형성된 배선 패턴의 폭 W를 가늘게 하거나， 또는, 제1 절연층(1) 아래의 절연층(제2 절연층(2))을 사이에 두고 그라운드 패턴을 형성하고，제1 절연층(1) 및 제2 절연층(2)의 합계 두께를 조정함으로써, 정확하게 50Ω을 달성하는 것이 가능하다. 환언하면, 배선 패턴의 폭 W를 변경하는 일 없이, 50Ω보다 작은 특성 임피던스와 50Ω의 특성 임피던스를 실현하는 것이 가능하게 된다. 또한，50Ω보다 큰 특성 임피던스의 실현에 대해서는, 제1 배선층(4)의 배선 패턴의 폭 W를 더 가늘게 하거나, 제2 절연층(2)의 아래에 절연층을 더 개재하여 그라운드 패턴을 형성함으로써, 용이하게 실현 가능하다. 또한，이와 같은 기재에 대해서는, 제1 절연층(1)이 50Ω의 특성 임피던스를 실현하는 것보다도 극단적으로 얇게 설정되기 때문에, 제1 절연층(1)이 대략 일치하거나, 혹은 그보다도 두꺼운 절연층을 기재 내에 포함시킴으로써, 기재 전체의 강도를 유지하여, 안정적으로 제작 및 공급하는 것이 가능하게 된다.

또한，기재를 3층 이상의 절연층을 이용하여 구성함으로써, 50Ω보다 작은 값의 특성 임피던스, 50Ω의 특성 임피던스 및 50Ω보다 큰 값의 특성 임피던스의, 3종의 특성 임피던스를 실현하기 위한 유전체 두께를 각각 개별로 형성할 수 있어, 보다 자유도가 높은 설계가 가능하게 되어 바람직하다.

또한，기재를 형성하는 절연층의 적어도 일부가 세라믹스를 함유하는 재료로 함으로써, 강도가 강하고, 또는 흡습성이 작기 때문에 기밀 밀봉을 가능하게 할 수 있다.

또한，기재의 최하층의 절연층(본 실시 형태에서는 제3 절연층(3))의 두께를 제1 절연층(1)의 두께보다도 두껍게 함으로써, 기재 제조 시의 적층 공정에 최하층의 절연층을 고강도의 베이스 기판으로서 이용할 수 있고, 적층 어긋남이 적어, 안정적으로 기재를 제작할 수 있다.

도 3은, 기재 표면에 형성되는 전송 선로인 마이크로스트립 선로의 특성 임피던스에 대하여, 절연체의 비유전율 및 배선 폭이 결정되었을 때에, 50Ω을 실현하는 절연체의 두께를 계산한 결과를 나타낸다. 도 4는, 실제로 고주파 필터 혹은 분파기의 기재를 제작하는 것을 상정하고, 절연체의 비유전율 e_r의 범위는 2∼10, 마이크로스트립 선로의 배선 폭의 범위는 50㎛∼150㎛로 하고, 배선 폭을 25㎛마다, 비유전율 e_r을 2씩 변화시켜 계산한 것이다.

도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 계산한 범위 내에서는，비유전율 e_r을 바꾸었을 때에 50Ω을 실현하는 절연층의 두께는, 모든 배선 폭에서, 거의 직선에서 근사할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

또한，각 선폭의, 비유전율 e_r에 대한 50Ω을 실현하기 위한 절연층의 두께 d의 변화를 직선 근사하였을 때의 근사식을 이하에 나타낸다. d₅₀은 선폭이 50㎛일 때의 절연층의 두께, d₇₅는 선폭이 75㎛일 때의 절연층의 두께, d₁₀₀은 100㎛일 때의 절연층의 두께, d₁₂₅는 125㎛일 때의 절연층의 두께, d₁₅₀은 150㎛일 때의 절연층의 두께이다.

즉，50Ω을 실현하기 위한 절연층의 두께 d는, 다음 식으로 표현할 수 있다.

또한，수학식 8에서의 1차 계수 a(W)와, 상수항 b(W)의 배선 폭에 대한 변화를 각각 도 4, 도 5에 도시한다. 배선 폭 W에 대한 1차 계수와 상수항의 변화는, 직선 근사할 수 있는 것을 알 수 있다. 따라서，도 5 및 도 6의 변화를 직선 근사하였을 때의 근사식은 이하와 같이 된다.

이 결과, 수학식 9 및 수학식 10을 수학식 8에 대입함으로써, 배선 폭 W 및 절연체의 비유전율 e_r이 결정되었을 때에, 50Ω을 얻기 위한 절연체 두께 d는 이하의 식으로 표현하게 되어, 용이하게 일의로 구할 수 있다.

<실시예 1>

도 6에, 제1 실시예의 기재의 층 구조를 나타낸다. 각 층의 구성에 대해서는, 도 1에 도시한 구성과 마찬가지이기 때문에 설명은 생략한다. 절연층(1∼3)은, 알루미나를 주성분으로 하는 세라믹스로 형성되며, 비유전율 e_r은 9.5이다. 제1 배선층(4)의 배선 폭 W는 100㎛이다. 또한，제1 절연층(1)의 두께 da는 50㎛이고, 제2 절연층(2)의 두께 db는 50㎛이며, 제3 절연층(3)의 두께 dc는 90㎛이다.

우선，수학식 11을 이용하여, e_r=9.5, W=100일 때의 50Ω을 얻기 위한 절연층 두께 d를 구하면 d=109.14㎛로 된다. 이 결과, 본 실시예의 제1 절연층(1)의 두께 da=50㎛는, 50Ω을 얻기 위한 절연체의 두께의 1/2보다도 얇기 때문에 제1 절연층(1)의 아래에 그라운드 패턴을 배치함으로써, 낮은 특성 임피던스를 용이하게 얻을 수 있다.

예를 들면, 도 7에 도시한 바와 같이, 그라운드 패턴을 제1 절연층(1)의 아래(제2 배선층(5))에 배치하면, 32.5Ω의 특성 임피던스가 얻어진다. 또한, 도 7에 도시한 구성은, 제2 배선층(5)에 그라운드 패턴을 구비하기 때문에, 제2 배선층(5)의 그라운드 패턴과 전기적으로 접속하는 비아 패턴(8 및 9)이, 제2 절연층(2) 및 제3 절연층(3)에 배치되어 있다. 비아 패턴(8 및 9)의 단부는, 기재의 풋 패턴인 제4 배선층(7)에 전기적으로 접속하여 접지된다.

또한, 제1 절연층(1)의 두께는, 50Ω의 특성 임피던스를 얻기 위한 절반 이하의 두께이기 때문에，도 8에 도시한 바와 같이, 그라운드 패턴을 제2 절연층(2)의 아래(제3 배선층(6))에 배치하면 47.8Ω이 얻어지고, 배선 폭을 바꾸지 않고 50Ω에 매우 가까운 특성 임피던스를 실현 가능하다. 또한，도 8에 도시한 구성은, 제3 배선층(6)에 그라운드 패턴을 구비하기 때문에, 제3 배선층(6)의 그라운드 패턴과 전기적으로 접속하는 비아 패턴(10)이, 제3 절연층(3)에 배치되어 있다. 비아 패턴(10)의 단부는, 기재의 풋 패턴인 제4 배선층(7)에 전기적으로 접속하여 접지된다.

도 9는, 도 6에 도시한 층 구성을 구비한 기재에, 필터 소자를 탑재하여 분파기를 구성한 예를 나타낸다. 도 9에 도시한 분파기는, 기재(20)에 정합 회로(21), 수신용 SAW 필터(22), 송신용 SAW 필터(23)를 탑재한 구성이다. 안테나 포트(24a), 수신 포트(24b), 송신 포트(24c)는, 제1 배선층(4)에 형성되어 있는 배선이다. 또한，제1 배선층(4)의 배선 폭 W(도 6 참조)는 100㎛이다. 송신 포트(24c)는, 아래쪽의 제2 배선층(5)에 그라운드 패턴(25c)을 형성하여 입력 임피던스를 50Ω보다도 작은 32.5Ω으로 하고 있다. 또한，안테나 포트(24a) 및 수신 포트(24b)는, 아래쪽에 제3 배선층(6)에 각각 그라운드 패턴(25a 및 25b)을 형성하여, 50Ω에 가까운 입력 임피던스를 달성하고 있다. 또한，그라운드 패턴(25d)은, 제2 배선층(5)에 형성되어 있다.

또한，도 9에 도시한 구성은, 각 배선의 아래쪽 근방에만 그라운드 패턴을 배치하고 있지만, 도 10에 도시한 바와 같이 제2 배선층(5)의 대부분에 그라운드 패턴(25e)을 배치하고, 50Ω에 가까운 임피던스를 형성하고자 하는 안테나 포트(24a) 및 수신 포트(24b)의 부분만큼 별도의 그라운드 패턴(25a 및 25b)에 접속하는 구조로 하여도 된다.

또한, 예를 들면 수신 포트(24b)에 50Ω보다 큰 임피던스를 제작하고자 하는 경우에는, 수신 포트용 배선의 아래쪽 부근에 형성하는 그라운드 패턴을 제4 배선층(7)에 형성하는 구성으로 하여도 된다. 또한，기재 내에는 그라운드 패턴을 형성하지 않은 구성으로 하여도 된다.

<실시예 2>

도 11은, 제2 실시예의 기재의 구조를 나타낸다. 절연층(31∼34)의 재료는, 저온 동시 소성 세라믹스(Low Temperature Co-fired Ceramics)이며, 비유전율 e_r은 7이다. 배선 폭 W는 100㎛이다. 또한，본 구성은, 절연층을 4층 적층한 구조이며, 제1 절연층(31)의 두께 da는 25㎛, 제2 절연층(32)의 두께 db는 70㎛, 제3 절연층(33)의 두께 dc는 70㎛, 제4 절연층(34)의 두께 dd는 70㎛이다.

우선，수학식 11을 이용하여, e_r=7, W=100일 때의 50Ω의 특성 임피던스를 얻기 위한 절연층의 두께 d를 구하면 d=83.84㎛로 된다. 이 결과, 본 실시예의 제1 절연층(31)의 두께 da는 25㎛이며, 50Ω의 특성 임피던스를 얻기 위한 절연층의 두께 d보다도 얇기 때문에 그라운드 패턴을 제1 절연층(31)의 아래(제2 배선층(36))에 배치함으로써, 낮은 특성 임피던스를 용이하게 얻을 수 있다.

또한，도 12에 도시한 바와 같이, 그라운드 패턴을 제1 절연층(31)의 아래(제2 배선층(36))에 배치하면, 23.4Ω의 특성 임피던스가 얻어진다. 이 경우, 제2 배선층(36)에 전기적으로 접속된 비아 패턴(40)이, 제2 절연층(32)을 삽통하여, 제3 배선층(37)의 그라운드 패턴에 전기적으로 접속되어 있다. 또한，제3 배선층(37)의 그라운드 패턴은, 제3 절연층(33)에 배치된 비아 패턴(41)에 의해, 제4 배선층(38)의 그라운드 패턴에 전기적으로 접속되어 있다. 또한，제4 배선층(38)의 그라운드 패턴은, 제4 절연층(34)에 배치된 비아 패턴(42)에 의해, 풋 패턴인 제5 배선층(39)에 전기적으로 접속되어 접지되어 있다.

또한，도 13에 도시한 바와 같이, 그라운드 패턴을 제2 절연층(32)의 아래(제3 배선층(33))에 배치하면, 53.7Ω의 특성 임피던스가 얻어지고, 배선 폭을 바꾸지 않고 50Ω에 매우 가까운 특성 임피던스를 실현할 수 있다. 이 경우, 제3 배 선층(37)에 전기적으로 접속한 비아 패턴(43)이, 제3 절연층(33)을 삽통 배치하여 제4 배선층(38)의 그라운드 패턴에 전기적으로 접속되어 있다. 또한，제4 배선층(38)의 그라운드 패턴은, 제4 절연층(34)에 형성된 비아 패턴(44)에 의해, 풋 패턴인 제5 배선층(39)에 전기적으로 접속되어 접지되어 있다.

이와 같이, 배선 폭을 변경할 필요가 없으므로, 제조성 좋게 기재를 제작하는 것이 가능하다. 또한，최하의 절연층 두께는 70㎛로 제1 절연층보다도 두껍기 때문에, 제조시의 적층 어긋남도 적어, 안정적으로 기재를 제조하는 것이 가능하다.

도 14는, 도 11에 도시한 층 구성을 갖는 기재를 이용하여, 필터 소자를 탑재하고, 고주파 필터를 형성한 예를 나타낸다. 도 14에 도시한 고주파 필터는, 기재(51) 위에 FBAR 필터(52)를 탑재한 구성이다. 입력 포트(53a), 출력 포트(53b)는, 제1 배선층(35)에 형성된 배선이다. 제1 배선층(35)(도 11 참조)의 배선 폭은 100㎛이다. 입력 포트(53a)는, 아래쪽의 제2 배선층(36)에 그라운드 패턴(54a)을 형성하여 입력 임피던스를 50Ω보다도 작은 23.4Ω으로 하고 있다. 출력 포트(53b)는, 제3 배선층(37)에 그라운드 패턴(54b)을 형성하여, 50Ω에 가까운 53.7Ω의 입력 임피던스를 달성하고 있다.

또한，도 13에서는, 각 배선의 아래쪽 근방에만 그라운드 패턴을 배치하고 있지만, 도 14에 도시한 바와 같이, 제2 배선층(36)의 대부분에 그라운드 패턴(54c)을 배치하는 구성으로 하여도 된다. 이와 같은 구성의 경우, 50Ω에 가까운 임피던스를 형성하고자 하는 출력 포트(53b)의 부분만큼, 별도의 그라운드 패 턴(54b)을 형성한 구조로 하여도 된다.

또한，절연층으로서는, 표 1에 나타내는 것을 적절히 이용할 수 있다.

세라믹스 재료	비유전율
A	7
B	27
C	81
D	125
E	7.8
F	9

또한，제1 및 제2 실시예에서는, 기재의 재료로서 세라믹스를 주성분으로 한 재료를 이용하였지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 불소 수지 등의 프린트 기판 재료를 이용한 프린트 기판이어도 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 플렉시블 기판이어도 된다.

또한，제1 및 제2 실시예와 같이, 기재의 재료로서 세라믹스를 주성분으로 한 재료를 이용한 경우, 강도도 강하고, 또한，캐비티 구조를 형성하며，금속 캡을 땜납 접합에 의해 장착함으로써 기밀 밀봉을 달성할 수 있어, 양호한 특성을 갖고, 보다 신뢰성도 높게 되어, 고주파 필터나 분파기의 기재로서는 보다 바람직하다.

또한，기재의 표면에 형성하는 전송 선로의 형태로서 마이크로스트립 선로를 이용하여 설명하였지만, 예를 들면, 코플래너 선로 등을 이용하여도 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한，전송 선로를 코플래너 선로로 구성하고, 기재 표면에 그라운드 패턴을 형성하는 경우에서도, 배선과 그라운드의 거리가, 제1 절연층의 두께보다도 큰 경우에는, 제2 도체층에 형성된 그라운드에 의해 특성 임피던스가 결정되기 때문에, 이와 같은 코플래너 선로에 대해서도, 수학식 1 및 수학식 2로 표현되는 관계가 성립하다.

〔2. 통신 모듈의 구성〕

도 16은, 본 실시 형태의 기재, 필터, 또는 분파기를 구비한 통신 모듈의 일례를 나타낸다. 도 16에 도시한 바와 같이, 듀플렉서(62)는, 수신 필터(62a)와 송신 필터(62b)를 구비하고 있다. 또한，수신 필터(62a)에는, 예를 들면 밸런스 출력에 대응한 수신 단자(63a 및 63b)가 접속되어 있다. 또한，송신 필터(62b)는, 파워 앰프(64)를 통해서 송신 단자(65)에 접속하고 있다. 여기에서, 수신 필터(62a) 및 송신 필터(62b)에는, 본 실시 형태에서의 기재, 필터 또는 분파기가 포함되어 있다.

수신 동작을 행할 때, 수신 필터(62a)는, 안테나 단자(61)를 통해서 입력되는 수신 신호 중，소정의 주파수 대역의 신호만을 통과시키고, 수신 단자(63a 및 63b)로부터 외부로 출력한다. 또한，송신 동작을 행할 때, 송신 필터(62b)는, 송신 단자(65)로부터 입력되어 파워 앰프(64)에 의해 증폭된 송신 신호 중，소정의 주파수 대역의 신호만을 통과시키고, 안테나 단자(61)로부터 외부로 출력한다.

이상과 같이 본 실시 형태의 기재, 필터, 또는 분파기를 통신 모듈의 수신 필터(62a) 및 송신 필터(62b)에 구비함으로써，염가이고, 품질이 안정된 통신 모듈을 실현할 수 있다. 또한，기재의 최표층 절연층을 박형화하기 때문에, 통신 모듈을 박형화할 수 있다. 또한，정합 회로의 간략화가 가능하게 되어，통신 모듈을 소형화할 수 있다.

또한，도 16에 도시한 통신 모듈의 구성은 일례이며, 다른 형태의 통신 모듈에 본 발명의 기재, 필터, 또는 분파기를 탑재하여도, 마찬가지의 효과가 얻어진다.

〔3. 통신 장치의 구성〕

도 17은, 본 실시 형태의 통신 모듈을 구비한 통신 장치의 일례로서, 휴대 전화 단말기의 RF 블록을 나타낸다. 또한，도 17에 도시한 구성은, GSM(Global System for Mobile Co㎜unications) 통신 방식 및 W-CDMA(Wideband Code Division Multiple Access) 통신 방식에 대응한 휴대 전화 단말기의 구성을 나타낸다. 또한，본 실시 형태에서의 GSM 통신 방식은, 850㎒대, 950㎒대, 1.8㎓대, 1.9㎓대에 대응하고 있다. 또한，휴대 전화 단말기는, 도 17에 도시한 구성 이외에 마이크로폰, 스피커, 액정 디스플레이 등을 구비하고 있지만, 본 실시 형태에서의 설명은 불필요하기 때문에 도시를 생략하였다. 여기에서, 수신 필터(73a, 77, 78, 79, 80) 및 송신 필터(73b)에는, 본 실시 형태에서의 기재, 필터 또는 분파기가 포함되어 있다.

우선，안테나(71)를 통해서 입력되는 수신 신호는, 그 통신 방식이 W-CDMA나 GSM에 의해 안테나 스위치 회로(72)에 의해, 동작이 대상으로 하는 LSI를 선택한다. 입력되는 수신 신호가 W-CDMA 통신 방식에 대응하고 있는 경우에는, 수신 신호를 듀플렉서(73)에 출력하도록 절환한다. 듀플렉서(73)에 입력되는 수신 신호는, 수신 필터(73a)에 의해 소정의 주파수 대역으로 제한되고, 밸런스형의 수신 신호가 LNA(74)에 출력된다. LNA(74)는, 입력되는 수신 신호를 증폭하고, LSI(76)에 출력한다. LSI(76)에서는, 입력되는 수신 신호에 기초하여 음성 신호로의 복조 처리를 행하거나, 휴대 전화 단말기 내의 각 부를 동작 제어한다.

한편，신호를 송신하는 경우는, LSI(76)는 송신 신호를 생성한다. 생성된 송신 신호는, 파워 앰프(75)에 의해 증폭되어 송신 필터(73b)에 입력된다. 송신 필터(73b)는, 입력되는 송신 신호 중 소정의 주파수 대역의 신호만을 통과시킨다. 송신 필터(73b)로부터 출력되는 송신 신호는, 안테나 스위치 회로(72)를 통하여 안테나(71)로부터 외부로 출력된다.

또한，입력되는 수신 신호가 GSM 통신 방식에 대응한 신호인 경우에는, 안테나 스위치 회로(72)는, 주파수 대역에 따라서 수신 필터(77∼80) 중 어느 하나를 선택하여, 수신 신호를 출력한다. 수신 필터(77∼80) 중 어느 하나에 의해 대역 제한된 수신 신호는, LSI(83)에 입력된다. LSI(83)는, 입력되는 수신 신호에 기초하여 음성 신호로의 복조 처리를 행하거나, 휴대 전화 단말기 내의 각 부를 동작 제어한다. 한편，신호를 송신하는 경우는, LSI(83)는 송신 신호를 생성한다. 생성된 송신 신호는, 파워 앰프(81 또는 82)에 의해 증폭되고, 안테나 스위치 회로(72)를 통해서 안테나(71)로부터 외부로 출력된다.

이상과 같이, 본 실시 형태의 기재, 필터 또는 분파기를 구비한 통신 모듈을 통신 장치에 구비함으로써，염가이고, 품질이 안정된 통신 장치를 실현할 수 있다. 또한，기재의 최표층 절연층을 박형화하기 때문에, 통신 장치를 박형화할 수 있다.

〔4. 실시 형태의 효과, 기타〕

본 실시 형태에 의하면, 복수의 입력 임피던스를 갖는 고주파 필터나 분파기를 구성하기 위해서 필요한 임피던스에 관하여, 매우 설계 자유도가 높고, 더 염가이고, 안정적으로 제조 가능한 기재를 제공하는 것이 가능하게 된다. 또한，그 결과로서, 염가이고, 품질이 안정된 고주파 필터 및 분파기를 제공하는 것이 가능하게 된다.

또한, 기재의 최표층 절연층(본 실시 형태에서는 제1 절연층(1))을 박형화하기 때문에, 기재 전체를 박형화할 수가 있어，그와 같은 기재를 구비한 고주파 필터 및 분파기를 박형화할 수 있다.

또한，본 발명의 기재, 필터 또는 분파기를 통신 모듈 또는 통신 장치에 탑재함으로써, 통신 모듈 또는 통신 장치의 소형화 및 박형화가 가능하게 된다.

〔부기 1〕

필터 소자가 탑재되는 기재로서, 상기 필터 소자를 접속하기 위한 배선을 구비한 필터 배선층과, 상기 필터 배선층의 아래쪽에 배치되고, 적어도 일부에 그라운드부를 구비한 그라운드 배선층과, 상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 배치된 절연층을 구비하며，상기 절연층은, 상기 필터 배선층의 배선의 폭과 상기 절연층의 유전율 및 두께로 결정되는 특성 임피던스가 0.1Ω∼50Ω으로 되는 두께로 형성되어 있는 기재.

〔부기 2〕

상기 필터 배선층의 배선의 폭을 W, 상기 절연층의 비유전율을 e_r로 하였을 때, 상기 절연층의 두께 d는, d≤(0.0952×W+0.6)×e_r+(0.1168×W+1.32)의 관계에 있는 부기 1에 기재된 기재.

〔부기 3〕

필터 소자가 탑재되는 기재로서, 상기 필터 소자를 접속하기 위한 배선을 구비한 필터 배선층과, 상기 필터 배선층의 아래쪽에 배치되고, 적어도 일부에 그라운드부를 구비한 그라운드 배선층과, 상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 배치된 절연층을 구비하며，상기 절연층의 두께는, 상기 필터 배선층의 배선 폭과 상기 절연층의 유전율 및 두께로 결정되는 특성 임피던스가 0.1Ω∼50Ω으로 되는 두께의, 대략 절반 이하로 형성되어 있는 기재.

〔부기 4〕

상기 필터 배선층의 배선의 폭을 W, 상기 절연층의 비유전율을 e_r로 하였을 때, 상기 절연층의 두께 d는, d≤{(0.0952×W+0.6)×e_r+(0.1168×W+1.32)}/2의 관계에 있는 부기 3에 기재된 기재.

〔부기 5〕

상기 절연층은, 적어도 3층 구비한 부기 1 내지 부기 4 중 어느 하나에 기재된 기재.

〔부기 6〕

상기 절연층은, 적어도 일부가 세라믹스를 포함하는 부기 1 내지 부기 5 중 어느 하나에 기재된 기재.

〔부기 7〕

상기 절연층의 두께와 대략 일치 혹은 그보다 두꺼운 다른 절연층을 구비한 부기 1 내지 부기 6 중 어느 하나에 기재된 기재.

〔부기 8〕

상기 절연층은, 복수의 절연층으로 구성되며, 최하층의 절연층의 두께가, 상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 끼워진 절연층의 두께보다도 두꺼운 부기 1 내지 부기 6 중 어느 하나에 기재된 기재.

〔부기 9〕

부기 1 내지 부기 8 중 어느 하나에 기재된 기재를 구비한 필터.

〔부기 10〕

부기 1 내지 부기 8 중 어느 하나에 기재된 기재, 또는 부기 9에 기재된 필터를 구비한 분파기.

〔부기 11〕

부기 9에 기재된 필터, 또는 부기 10에 기재된 분파기를 구비한 통신 모듈.

〔부기 12〕

부기 11에 기재된 통신 모듈을 구비한 통신 장치.

본 발명의 탄성파 디바이스는, 소정 주파수의 신호를 수신 또는 송신할 수 있는 기기에 유용하다.

도 1은 실시 형태에서의 기재의 단면도.

도 2는 마이크로스트립 선로의 구성을 나타내는 사시도.

도 3은 마이크로스트립 선로에서, 배선폭 W、비유전율 e_r이 결정되었을 때에, 특성 임피던스가 50Ω으로 되는 절연체 두께를 나타내는 특성도.

도 4는 1차 계수 a(W)의 배선 폭에 대한 변화를 나타내는 특성도.

도 5는 상수항 b(W)의 배선 폭에 대한 변화를 나타내는 특성도.

도 6은 실시예 1에서의 기재의 단면도.

도 7은 실시예 1에서의 기재의 단면도.

도 8은 실시예 1에서의 기재의 단면도

도 9는 실시예 1에서의 기재에 정합 회로나 필터 등을 탑재한 상태를 나타내는 모식도.

도 10은 실시예 1에서의 기재에 정합 회로나 필터 등을 탑재한 상태를 나타내는 모식도.

도 11은 실시예 2에서의 기재의 단면도.

도 12는 실시예 2에서의 기재의 단면도.

도 13은 실시예 2에서의 기재의 단면도.

도 14는 실시예 2에서의 기재에 필터 소자를 탑재한 상태를 나타내는 모식도.

도 15는 실시예 2에서의 기재에 필터 소자를 탑재한 상태를 나타내는 모식도.

도 16은 실시 형태의 기재, 필터 또는 분파기를 구비하는 통신 모듈의 블록도.

도 17은 실시 형태의 통신 모듈을 구비한 통신 장치의 블록도.

도 18a는 종래의 RF 블록의 구성을 나타내는 블록도.

도 18b는 도 18a에서의 파워업의 구성을 나타내는 회로도.

도 19는 종래의 RF 블록의 구성을 나타내는 블록도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1: 제1 절연층

2: 제2 절연층

3: 제3 절연층

4: 제1 배선층

5: 제2 배선층

6: 제3 배선층

Claims

필터 소자가 탑재되는 기재(基材)로서,

상기 필터 소자를 접속하기 위한 복수의 배선을 구비한 필터 배선층과,

상기 필터 배선층의 아래쪽에 배치되고, 적어도 일부에 그라운드부를 구비한 그라운드 배선층과,

상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 배치된 절연층과,

상기 절연층 아래에 배치되고, 상기 절연층의 두께와 일치 또는 그보다 두꺼운 다른 절연층

을 구비하며,

상기 절연층은, 상기 필터 배선층의 배선의 폭과 상기 절연층의 유전율 및 두께로 결정되는 특성 임피던스가 0.1Ω∼50Ω으로 되는 두께로 형성되고,

상기 복수의 배선 중 적어도 하나의 배선은, 다른 배선과는 상이한 특성 임피던스를 갖는 기재.
제1항에 있어서,

상기 필터 배선층의 배선의 폭을 W, 상기 절연층의 비유전율을 e_r로 하였을 때, 상기 절연층의 두께 d는,

d≤(0.0952×W+0.6)×e_r+(0.1168×W+1.32)

의 관계에 있는 기재.
필터 소자가 탑재되는 기재로서,

상기 필터 소자를 접속하기 위한 복수의 배선을 구비한 필터 배선층과,

상기 필터 배선층의 아래쪽에 배치되고, 적어도 일부에 그라운드부를 구비한 그라운드 배선층과,

상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 배치된 절연층과,

상기 절연층 아래에 배치되고, 상기 절연층의 두께와 일치 또는 그보다 두꺼운 다른 절연층

을 구비하며,

상기 절연층의 두께는, 상기 필터 배선층의 배선의 폭과 상기 절연층의 유전율 및 두께로 결정되는 특성 임피던스가 0.1Ω∼50Ω으로 되는 두께의, 절반 이하로 형성되고,

상기 복수의 배선 중 적어도 하나의 배선은, 다른 배선과는 상이한 특성 임피던스를 갖는 기재.
제3항에 있어서,

상기 필터 배선층의 배선의 폭을 W, 상기 절연층의 비유전율을 e_r로 하였을 때, 상기 절연층의 두께 d는,

d≤{(0.0952×W+0.6)×e_r+(0.1168×W+1.32)}/2

의 관계에 있는 기재.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 절연층은,

복수의 절연층으로 구성되며,

상기 복수의 절연층 중 최하층의 절연층의 두께가, 상기 필터 배선층과 상기 그라운드 배선층 사이에 끼워진 상기 복수의 절연층 중 다른 절연층의 두께보다도 두꺼운 기재.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 기재를 구비한 필터.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 기재를 구비한 분파기를 구비한 통신 모듈.
제7항에 기재된 통신 모듈을 구비한 통신 장치.