KR101046679B1

KR101046679B1 - 압전 트랜스식 이오나이저 및 제전 방법

Info

Publication number: KR101046679B1
Application number: KR1020080114815A
Authority: KR
Inventors: 코이치 야스오카; 유키 시바타; 노부히로 후지와라; 사토시 스즈키; 토시오 사토
Original assignee: 에스엠시 가부시키가이샤
Priority date: 2007-11-22
Filing date: 2008-11-18
Publication date: 2011-07-05
Also published as: DE102008057423B4; KR20090053701A; JP2009129673A; TW200939893A; US7821762B2; DE102008057423A1; CN101442871B; TWI384905B; JP5201958B2; CN101442871A; US20090135538A1

Abstract

1차측 부분에 교류 전압을 인가하면 2차측 부분에 고(高)전압을 발생하는 강유전체 소자로 이루어지는 압전 트랜스(piezoelectric transformer)를 사용하여, 이 압전 트랜스의 2차측 부분의 표리(表裏) 양면에, 절연용의 유전체 시트를 통하여 접지 전극을 밀착 상태로 부착하고, 이 접지 전극의 주위에서 유전체 배리어 방전을 생기게 하여 플러스·마이너스의 이온을 발생시킴과 함께, 에어 노즐로부터, 상기 접지 전극을 가로질러 제전(static elimination) 대상물을 향하는 공기류를 분사하도록 구성한다.

압전 트랜스, 강유전체 소자, 유전체 시트, 접지 전극, 제전, 대전

Description

압전 트랜스식 이오나이저 및 제전 방법{PIEZOELECTRIC TRANSFORMER TYPE IONIZER AND STATIC ELIMINATING METHOD}

본 발명은, 정전기로 대전(帶電,charge)된 각종 워크(work;가공물)의 제전(除電,static elimination)을 압전 트랜스(piezoelectric transformer)를 이용하여 행하도록 한 이오나이저(ionizer) 및 그것을 이용한 제전 방법에 관한 것이다.

압전 트랜스에 의해 고(高)전압을 발생시키고, 그 고전압을 침전극(needle electrode)에 가하여 이온을 발생시키는 이오나이저는, 특허 문헌 1 등에 의해 종래부터 알려져 있다. 이 압전 트랜스를 이용한 이오나이저는, 압전 트랜스의 1차측 부분에 교류의 저전압을 가하면 2차측 부분에 고전압이 발생하는 것을 이용하는 것으로, 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 2차측 부분(출력측)에 발생한 고전압을 침전극에 가하여 이온의 발생에 사용하는 것이 일반적이다.

그러나, 상기 압전 트랜스를 이용한 이오나이저에 있어서는, 침전극의 선단(先端)에 전계를 집중시켜 이온을 발생시키기 때문에, 당해 침전극의 선단이 국소적으로 열화되기 쉬워, 금속 입자의 비산을 일으키고, 제전 성능이 단기간에 저하되어 버린다는 문제점이 있다. 또한, 침전극은 이온 생성 영역이 좁기 때문에, 이 온 발생량이 적고, 이온 발생량을 늘리기 위해 전압을 높이면, 이온 발생량도 늘지만 침전극 선단의 전계가 너무 강해져, 강한 산화력을 가지는 오존의 발생을 조장하는 등의 문제가 있다.

[특허 문헌 1] 일본공개특허공보 평10-302994호

본 발명의 기술적 과제는, 압전 트랜스를 이용한 종래의 이오나이저의 결점인 침전극이 국소적 열화와 금속 입자의 비산을 일으키고, 제전 성능이 단기간에 저하되어 버린다는 문제를 해결하여, 고(高)정밀도의 제전을 장시간에 걸쳐 유지할 수 있고, 그에 따라 메인트넌스 기간도 장기화할 수 있어 보수가 용이해지고, 게다가, 이온 밸런스를 양호하게 유지 가능하게 한 압전 트랜스식의 이오나이저와, 당해 압전 트랜스를 이용한 제전 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 압전 트랜스식 이오나이저는, 강유전체 소자(ferroelectric element)로 이루어지는 압전 트랜스와, 제전 대상물을 향하여 공기류(airstream)를 분사하는 에어 노즐을 갖고, 상기 압전 트랜스는, 구동용의 교류 전압이 인가되는 1차측 부분과, 고전압을 발생하는 2차측 부분을 갖고, 당해 2차측 부분의 외면에는, 금속세선(金屬細線;thin metallic wire) 형상의 접지 전극이, 절연용의 유전체 시트를 통하여 당해 유전체 시트에 밀착한 상태로 부착되고, 그에 따라 당해 압전 트랜스가, 상기 접지 전극의 주위에서 유전체 배리어 방전(dielectric barrier discharge)을 생기게 하여 플러스·마이너스의 이온을 생성하도록 구성되고, 상기 에어 노즐은, 상기 접지 전극의 위치를 지나는 공기류에 의해 상기 이온이 제전 대상물을 향하여 보내지도록 된 방향으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명에 있어서 상기 압전 트랜스는, 가늘고 긴 직방체의 형을 하고 있고, 당해 압전 트랜스의 길이 방향의 절반이 상기 1차측 부분임과 아울러, 다른 절반이 상기 2차측 부분이며, 당해 2차측 부분의 표리(表裏) 양면 중 적어도 한쪽에, 상기 접지 전극이, 당해 압전 트랜스의 폭방향으로 연재(extend)하도록 부착되어 있는 것이 바람직하다.

보다 바람직하게는, 상기 압전 트랜스의 2차측 부분의 표리 양면에 각각 접지 전극이 형성되어 있고, 표면측의 접지 전극의 수와 이면측의 접지 전극의 수가 동수(同數)임과 아울러, 표면측의 접지 전극과 이면측의 접지 전극이 서로 대응하는 위치에 설치되어 있는 것이다.

본 발명에 있어서는, 상기 에어 노즐로부터 나온 공기류가, 상기 압전 트랜스의 외면을 따라 상기 접지 전극과 직교하는 방향으로 흐르도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서 바람직하게는, 상기 유전체 시트가 폴리이미드 필름으로 구성되어 있는 것이다. 또한, 상기 접지 전극은, 상기 유전체 시트에 부착한 금속 와이어이거나, 또는 당해 유전체 시트에 인쇄 혹은 증착한 금속막에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 구체적인 실시 형태에 있어서는, 상기 압전 트랜스의 1차측 부분에 인가되는 교류 전압을 출력하는 전압 발생기와, 제전 대상물의 대전 전위량을 측정하는 센서와, 당해 센서에 의한 측정 신호를 상기 전압 발생기에 피드백하여 이온 밸런스를 제어하는 제어 회로를 갖는다.

상기 전압 발생기는, 직류 전원과, 발진 회로와, 이 발진 회로의 출력에 기초하여 플러스·마이너스를 전환(switch)하는 반도체 스위칭 소자로 이루어져 있고, 이 전압 발생기로부터 직사각형 스위칭파형의 교류 전압이 출력되고, 또한, 상기 제어 회로는, 상기 센서로부터의 측정 신호에 의해 당해 전압 발생기의 스위칭 주파수를 제어하도록 구성되어 있다.

또한, 본 발명의 제전 방법은, 구동용의 교류 전압이 인가되는 1차측 부분과, 고전압을 발생하는 2차측 부분을 갖고, 당해 2차측 부분의 외면에 금속세선 형상의 접지 전극이 절연용의 유전체 시트를 통하여 밀착 상태로 부착된 압전 트랜스를 사용하고, 당해 압전 트랜스의 상기 1차측 부분에 교류 전압을 인가하여 2차측 부분에 고전압을 발생시킴으로써, 상기 유전체 시트 상에 있어서 상기 접지 전극의 주위에 유전체 배리어 방전을 발생시켜 플러스·마이너스의 이온을 생성시키고, 그것과 동시에 에어 노즐로부터, 상기 압전 트랜스의 상기 접지 전극의 설치 장소를 지나 제전 대상물을 향하는 공기류를 흘리는 것을 특징으로 한다.

이상에 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 압전 트랜스를 이용함으로써 고정밀도의 제전을 장시간에 걸쳐 유지할 수 있고, 그에 따라 메인트넌스 기간도 장기화할 수 있어 보수가 용이하며, 게다가, 이온 밸런스를 양호하게 유지 가능하게 한 이오나이저 및, 제전 방법을 제공할 수 있다.

(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)

이하에, 본 발명의 실시예를, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다.

도1 및 도2 는, 본 발명에 따른 이오나이저의 실시의 일 예를 나타내고 있다. 이 이오나이저는, 자발 분극(spontaneous polarization)을 갖는 PZT(티탄산지르콘산납) 등의 강유전체 소자(2)로 이루어지는 압전 트랜스(1)를 사용하고, 이 압전 트랜스(1)의 고전압면을 면 형상 고전압 전극으로서 이용하는 것이다. 이 압전 트랜스(1)는, 그 1차측 부분(2A)의 두께(T) 방향 양면에 교류 전압을 인가하면, 2차측 부분(2B)의 외면에 전하(電荷)가 유기(誘起)되는 것으로, 이 압전 트랜스(1)를 이온 생성을 위한 전극으로서 이용하고 있다. 이 결과, 침전극에 압전 트랜스의 고전압을 직접 인가하는 종래품과 같은 국소적 열화나 금속 입자의 비산 등을 일으키는 일 없이, 고정밀도의 제전 작용을 장시간에 걸쳐 유지할 수 있고, 그에 따라 메인터넌스 기간도 장기화할 수 있고, 게다가 양호한 이온 밸런스를 유지할 수 있는 것이다.

더욱 구체적으로 설명하면, 도시한 상기 압전 트랜스(1)는, 로젠형(Rosen type)으로, 한 방향으로 가늘고 길게 그리고 횡폭(W)보다 두께(T)가 얇은 직방체 형상을 한 상기 강유전체 소자(2)에 의해 형성되어 있다. 이 압전 트랜스(1) 즉 강유전체 소자(2)의 길이(L) 방향의 절반은, 1차측 부분(2A)으로서 두께(T) 방향으로 자발 분극되고, 다른 절반은, 2차측 부분(2B)으로서 길이(L) 방향으로 자발 분극되어 있고, 당해 강유전체 소자(2)의 1차측 부분(2A)에는, 그 두께(T) 방향의 양면 즉 표리 양면에 금속을 증착한 통전용 전극(3)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 1차측 부분(2A)에 전압 발생기(8)로부터 상기 통전용 전극(3)을 통과시켜 교류 전압을 인가하면, 상기 강유전체 소자(2)의 두께(T) 방향으로 교류 전계가 형성되고, 역압전 효과에 의해 이 1차측 부분(2A)은 길이(L) 방향으로 신축 진동한다. 그 진동수는 인가 전압의 주파수와 동등하며, 어느 주파수에 있어서 소자 전체가 공진하여, 강한 기계 진동이 된다. 이때, 상기 2차측 부분(2B)은 길이(L) 방향으로 신축하고 있기 때문에, 압전 효과에 의해 이 2차측 부분(2B)에 전하가 유기된다.

상기 압전 트랜스(1)의 2차측 부분(2B)에는, 평평한 표리 양면에 각각, 유전체 시트(4)를 통하여 금속세선 형상의 접지 전극(5)이 밀착 상태로 부착되고, 접지선(5a)을 통하여 접지되어 있다. 즉, 상기 2차측 부분(2B)의 표면 및 이면에는, 상기 유전체 시트(4)가 각각 접착되고, 이 유전체 시트(4)의 표면에, 1개 또는 복수개의 상기 접지 전극(5)이, 당해 유전체 시트(4)에 밀착한 상태로 부착되어 있다. 도시한 예에서는, 상기 2차측 부분(2B)의 표면측과 이면측에 있어서의 최고 전압 발생 영역 내에, 각각 2개의 접지 전극(5)이, 등전위 방향인 폭(W)방향을 향하여 서로 평행하게 부착되어 있다. 표면측의 접지 전극(5)과 이면측의 접지 전극(5)과는, 상기 강유전체 소자(2) 및 유전체 시트(4)를 통하여 서로 대응하는 위치를 차지하고 있다. 그러나, 표면측의 접지 전극(5)과 이면측의 접지 전극(5)과는, 서로의 위치가 압전 트랜스(1)의 길이(L) 방향으로 달라 있어도 좋다.

이와 같이, 압전 트랜스(1)의 2차측 부분(2B)인 고전압면을 이오나이저의 면 형상 고전압 전극으로서 이용하고, 이 2차측 부분(2B)의 외면에 유전체 시트(4)를 통하여 금속세선 형상의 접지 전극(5)을 밀착 배치함으로써, 이 2차측 부분(2B)에 발생하는 고전압으로 상기 유전체 시트(4)를 통하여 접지 전극(5)의 주위에 유전체 배리어 방전 즉 교류 코로나 방전이 발생하고, 이 유전체 배리어 방전의 플라즈 마(6)에 의해 공기 중의 기체 분자가 전리(電離)하여 제전용의 플러스·마이너스의 이온이 발생한다. 상기 배리어 방전에 있어서는, 방전되었을 때에 공간을 이동한 하전(荷電) 입자의 일부가 이온화하거나, 중성 분자가 전리하거나하여 이온이 생성되고, 그 이온의 일부가 플라즈마 외부로 방출되는 것으로 생각된다. 그 때문에, 이온 방출량은 방전 전하량에 의존하고 있다고 말할 수 있다.

상기 유전체 시트(4)로서는, 폴리이미드 필름 등의 절연성의 고분자 필름이 적합하지만, 그것에 한정되는 것은 아니어서, 예를 들면, 유리 등의 박판을 이용할 수 있다. 또한, 상기 접지 전극(5)은, 도시하고 있는 바와 같이, 도전성의 금속 와이어를 유전체 시트(4)에 접착 또는 그 외의 수단으로 부착함으로써 구성할 수 있지만, 당해 금속 와이어와 유전체 시트(4)와의 사이에 불균일한 극간이 있으면, 방전의 집중에 의한 열화나 마모가 진행될 가능성도 있기 때문에, 유전체 시트(4)에 대한 밀착성이 중요하며, 이러한 관점에서 보면, 상기 접지 전극(5)은, 유전체 시트(4)에 인쇄 또는 증착한 금속막으로 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 유전체 시트(4)로서 유리 등의 경질(硬質)의 소재를 이용하는 경우에는, 압전 트랜스(1)로의 접합시에, 당해 압전 트랜스(1)의 기계 진동을 저해하지 않도록 테이프 형상의 완충재를 개재시키는 등의 배려가 필요해진다.

상기 이오나이저는 또한, 상기 접지 전극(5)의 주위에서 교류 코로나 방전에 의해 발생한 이온을 대전한 워크 등의 제전 대상물(11)로 분사하기 위해, 컴프레서(compressor) 등의 공기압원에 접속된 에어 노즐(7)을 갖고 있다. 이 에어 노즐(7)은, 상기 압전 트랜스(1)의 표리 양면측에 각각, 공기 취출구(吹出口;7a)를 상기 압전 트랜스(1)의 길이 방향을 향하여 설치되고, 이 공기 취출구(7a)로부터 분사된 공기류(9)가, 상기 압전 트랜스(1)의 외면을 따라 상기 유전체 시트(4) 상의 접지 전극(5)과 직교하는 방향으로 흐르도록 되어 있다. 이에 따라, 이온을 포함한 공기류가 상기 제전 대상물(11)로 분사되어, 대전된 당해 제전 대상물(11)의 제전이 행해진다. 그러나, 상기 에어 노즐(7)은 하나여도 좋고, 이 하나의 에어 노즐(7)로부터 상기 압전 트랜스(1)의 표리 양면을 따라 에어가 분사되도록 구성하는 것도 가능하다.

또한, 도1 에 있어서는, 제전 대상물(11)로서 차지 플레이트(charge plate)가 이용되고 있다. 이 차지 플레이트(11)는, 이오나이저의 제전 특성을 계측하기 위한 것으로, 제전 대상물을 모방한 것이며, 또한, 차지 플레이트 모니터(12)는, 상기 차지 플레이트(11)의 전위의 변화 등의 관측, 기록을 행하는 것이다.

상기 전압 발생기(8)는, 상기 압전 트랜스(1)를 공진시키는 주파수의 교류 전압을 출력하여 당해 압전 트랜스(1)에 인가하는 것으로, 그 출력파형은, 정현파형이라도 직사각형 스위칭파형이라도 좋다. 그러나, 본 발명자들은, 상기 압전 트랜스(1)의 1차측 부분(2A)에 인가하는 전압의 파형에 의해 2차측 부분(2B)의 전압의 승압(昇壓)비가 다르며, 직사각형 스위칭파를 입력한 경우의 쪽이 정현파를 입력한 경우보다도 2차측 부분 전압의 승압비가 높은 것을 실험으로 확인하고 있기 때문에, 굳이 말하자면 정현파형보다 직사각형 스위칭파형의 쪽이 바람직하다고 말할 수 있을 것이다.

상기 전압 발생기(8)의 출력파형을 직사각형 스위칭파형으로 하는 경우에는, 도3 에 나타내는 바와 같이, 당해 전압 발생기(8)를, 예를 들면 24∼40V 정도의 직류 전원과, 발진 회로와, 당해 발진 회로의 출력에 기초하여 플러스·마이너스를 절환하는 FET(전계 효과 트랜지스터) 등의 반도체 스위칭 소자에 의해 구성함으로써, 35kHz 정도의 직사각형 스위칭파형의 교류(직사각형파 교류)를 얻을 수 있다. 그리고, 이 전압 발생기(8)를 압전 트랜스(1)의 근방에 배치함으로써, 이오나이저를, 이온 밸런스의 고정밀도화와 현저한 소형·간소화가 원리적으로 용이한 것으로서 구성할 수 있을 뿐만 아니라, 직류 전압 공급만으로 동작하는 간단한 구성으로 할 수 있다.

상기 이오나이저에 있어서는, 상기 압전 트랜스(1)를 형성하는 강유전체 소자(2) 상에 유전체 시트(4) 및 접지 전극(5)을 배치한 연면(沿面;creeping) 배리어 구조를 채용하고 있다. 이 경우, 전극의 극성에 의해 연면 방전(creeping discharge)의 형태가 다르며, 이온 밸런스가 플러스로 치우칠 때에 그 차이가 현저해지는 점에서, 연면 방전의 전류 강도에 의해 플러스 이온 생성량이 변화되고 있다고 생각된다. 이 점에서, 압전 트랜스(1)의 입력 전압 또는 주파수에 의해 이온 밸런스를 제어함으로써, 고정밀도의 이온 밸런스를 실현할 수 있다.

그 때문에 이오나이저에, 도3 에 나타내는 바와 같이, 제전 대상물(11)의 대전 전위량을 검출하기 위해 당해 제전 대상물(11)에 대향시켜 배치된 표면 전위 센서(13)와, 이 센서(13)로 검출한 대전 전위량을 이온 밸런스 제어를 위해 스위칭 주파수를 조정하는 신호로서 상기 전압 발생기(8)에 피드백하는 제어 회로를 부설함으로써, 이온 밸런스의 피드백 제어에 의한 고정밀도 제어가 가능해진다. 구체 적으로는, 제전 대상물(11)측이 플러스가 되면, PZT 강유전체 소자(2)의 구동 전압을 내리거나, 그 구동 공진 주파수를 공진점(共振点)으로부터 조금 어긋나게 하는 제어를 행하고, 제전측이 마이너스가 되면, 그 반대의 제어를 행하면 좋다. 진

상기 구성을 갖는 압전 트랜스식 이오나이저에 의하면, 예를 들면, 직류 24V로부터 반도체 스위칭 소자에 의해 만든 직사각형파로 구동할 수 있고, 이에 따라 현저한 소형 경량화를 달성할 수 있으며, 또한, 유전체 배리어 방전을 이용하기 때문에 플러스·마이너스 이온이 동시에 생성되어, 플러스·마이너스 이온이 균일하게 분포되고, 제전 고르지 못함이 없고, 역(逆)대전도 0V로 하도록 제어 가능하며, 고정밀도의 제전 특성을 얻을 수 있으며, 또한, 압전 트랜스의 구동 전압의 전압치 또는 주파수를 바꿈으로써 2차 전압을 제어할 수 있기 때문에, 정밀도가 좋은 이온 밸런스의 제어를 행할 수 있다.

(실시예)

도1 및 도2 에 나타내는 압전 트랜스(1)로서, 길이 50mm, 폭 13mm, 두께 2mm의 얇은 직방체 형상을 한 로젠형 PZT 압전 트랜스를 이용하여, 그 압전 트랜스(1)의 1차측 부분(2A)의 전극(3)으로서 표리 양면에 금속을 증착하고, 한편, 2차측 부분(2B)의 표리 양면에는 절연을 위한 두께 175㎛의 폴리이미드 필름을 접착하고, 이 폴리이미드 필름의 위에, 등전위 방향인 폭(W)방향을 향하여 각각 2개의 Φ100㎛의 텅스텐 와이어를 접착하여 접지 전극(5)을 형성하고, 모든 와이어의 단부(端部)를 접지했다. 상기 PZT 압전 트랜스는, 공진 주파수 규격치가 33kHz로 비교적 낮은 것이다.

또한, 컴프레서에 접속된 2개의 에어 노즐(7)을, 압축 에어가 압전 트랜스(1)의 2차측 부분(2B)의 표리 양면을 따라 상기 텅스텐 와이어에 직교하는 방향으로 흐르도록 배치했다. 공기류의 유량은 10 리터/min, 유속은, 압전 트랜스로부터 1cm 하류에서 7.5m/s, 6cm 하류에서 4.0m/s였다.

이 이오나이저의 제전 특성은, 상기 공기류의 하류에 제전 대상물인 대전체를 모방한 차지 플레이트(11)를 설치하고, 이를 이용하여 계측했다. 차지 플레이트 모니터(12)는, 상기 차지 플레이트(11)에 일정한 대전을 부여한 후에, 이 이오나이저에 의한 공기 이온에 의해 제전하고, 그에 따라 전위가 변화할 때의 그 전위의 변화를 관측, 기록하기 위한 것이다.

상기 압전 트랜스(1)의 1차측 부분(2A)으로의 입력 전압은 40V, 공진 주파수는 35.83kHz였다. 도4 는, 상기 압전 트랜스(PT)에서 차지 플레이트(CP)(11)까지의 거리를 바꾼 경우의 차지 플레이트 전위 ±1kV시의 제전 속도의 변화를 나타낸다. 동(同) 도면으로부터, 이 실시예에서는 제전 속도가 빠르고, 직류 동작 침전극 정도의 제전 속도가 있으며, 또한, 최종 전위가 0에 가까워지고 있는 점에서, 이온 밸런스가 좋은 것도 알 수 있다.

또한, 실시예로서 나타낸 상기 이오나이저에 있어서는, 상기 압전 트랜스(1)의 2차측 부분(2B)의 표면과 이면에 각각 복수의 접지 전극(5)이 부착되어 있지만, 당해 접지 전극(5)의 수는 1개씩이라도 좋고, 혹은, 표면과 이면에서 접지 전극의 수가 달라 있어도 좋다. 나아가서는, 상기 압전 트랜스(1)의 표면 또는 이면에만 1개 또는 복수개의 접지 전극을 부착하는 것도 가능하다.

도1 은 본 발명에 따른 이오나이저의 실시예를 나타내는 개략 측면도이다.

도2 는 상기 실시예의 개략 정면도이다.

도3 은 전압 발생기의 구성예를 나타내는 블록 구성도이다.

도4 는 본 발명에 따른 이오나이저의 제전 속도에 대한 실험예를 나타내는 그래프이다.

Claims

강유전체 소자로 이루어지는 압전 트랜스와, 제전(static elimination) 대상물을 향하여 공기류를 분사하는 에어 노즐을 갖고,

상기 압전 트랜스는, 구동용의 교류 전압이 인가되는 1차측 부분과, 당해 1차측 부분으로의 교류 전압의 인가에 의해 고전압을 발생시켜 고전압 전극이 되는 2차측 부분을 갖고, 상기 2차측 부분의 외면에는, 금속세선 형상의 접지 전극이, 절연용의 유전체 시트를 통하여 상기 유전체 시트에 밀착한 상태로 부착되고, 그에 따라 상기 압전 트랜스가, 상기 접지 전극의 주위에서 유전체 배리어 방전을 생기게 하여 플러스·마이너스의 이온을 생성하도록 구성되고,

상기 에어 노즐은, 상기 접지 전극의 위치를 지나는 공기류에 의해 상기 이온이 제전 대상물을 향하여 보내지도록 된 방향으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
제1항에 있어서,

상기 압전 트랜스가 가늘고 긴 직방체의 형을 하고 있고, 상기 압전 트랜스의 길이 방향의 절반이 상기 1차측 부분임과 아울러, 다른 절반이 상기 2차측 부분이며, 상기 2차측 부분의 표리(表裏) 양면 중 적어도 한쪽에, 상기 접지 전극이, 상기 압전 트랜스의 폭방향으로 연재(extend)하도록 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
제2항에 있어서,

상기 접지 전극이, 상기 압전 트랜스의 2차측 부분의 표리 양면에 각각 형성되고, 표면측의 접지 전극의 수와 이면측의 접지 전극의 수가 동수(同數)임과 아울러, 표면측의 접지 전극과 이면측의 접지 전극이 서로 대응하는 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 에어 노즐은, 상기 에어 노즐로부터 나온 공기류가 상기 압전 트랜스의 외면을 따라 상기 접지 전극과 직교하는 방향으로 흐르도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 유전체 시트가 폴리이미드 필름인 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 접지 전극이, 상기 유전체 시트에 접착한 금속 와이어 또는 상기 유전체 시트에 인쇄 혹은 증착한 금속막에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 압전 트랜스의 1차측 부분에 인가되는 교류 전압을 출력하는 전압 발생기와, 제전 대상물의 대전 전위량을 측정하는 센서와, 상기 센서에 의한 측정 신호를 상기 전압 발생기에 피드백하여 이온 밸런스를 제어하는 제어 회로를 갖는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
제7항에 있어서,

상기 전압 발생기가, 직류 전원과, 발진 회로와, 이 발진 회로의 출력에 기초하여 플러스·마이너스를 전환(switch)하는 반도체 스위칭 소자로 이루어져 있고, 상기 전압 발생기로부터 직사각형 스위칭파형의 교류 전압이 출력되도록 구성되고, 또한, 상기 제어 회로가, 상기 센서로부터의 측정 신호에 의해 상기 전압 발생기의 스위칭 주파수를 제어하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저.
구동용의 교류 전압이 인가되는 1차측 부분과, 당해 1차측 부분으로의 교류 전압의 인가에 의해 고전압을 발생시켜 고전압 전극이 되는 2차측 부분을 갖고, 상기 2차측 부분의 외면에 금속세선 형상의 접지 전극이 절연용의 유전체 시트를 통하여 밀착 상태로 부착된 압전 트랜스를 사용하고, 상기 압전 트랜스의 상기 1차측 부분에 교류 전압을 인가하여 2차측 부분에 고전압을 발생시킴으로써, 상기 유전체 시트 상에 있어서 상기 접지 전극의 주위에 유전체 배리어 방전을 발생시켜 플러스·마이너스의 이온을 생성시키고, 그것과 동시에 에어 노즐로부터, 상기 압전 트랜스의 상기 접지 전극의 설치 장소를 지나 제전 대상물을 향하는 공기류를 흘리는 것을 특징으로 하는 압전 트랜스식 이오나이저에 의한 제전 방법.