KR101044188B1 - 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 반송 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101044188B1
KR101044188B1 KR1020090032360A KR20090032360A KR101044188B1 KR 101044188 B1 KR101044188 B1 KR 101044188B1 KR 1020090032360 A KR1020090032360 A KR 1020090032360A KR 20090032360 A KR20090032360 A KR 20090032360A KR 101044188 B1 KR101044188 B1 KR 101044188B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
board
interrupt
pattern
wafer
Prior art date
Application number
KR1020090032360A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090113762A (ko
Inventor
기요히토 이이지마
히로아키 모치즈키
마사히로 누마쿠라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20090113762A publication Critical patent/KR20090113762A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101044188B1 publication Critical patent/KR101044188B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41815—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the cooperation between machine tools, manipulators and conveyor or other workpiece supply system, workcell
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/4189—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the transport system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 인터럽트 웨이퍼의 처리에 의해 처리실 내의 상태가 흐트러지는 것을 방지하기 위한 것으로, 통상시 반출 패턴의 순서로 카세트 용기(134A, 134B)로부터 제품 웨이퍼 Wp와 더미 웨이퍼 Wd를 반출시키는 제어가 반복되고 있는 사이에 인터럽트 개시 버튼이 눌러지면, 웨이퍼의 반출 이력에 근거하여 그 때의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단하고, 그 사이클이 종료했다고 판단한 경우는 그 직후에, 또한 그 사이클이 종료하지 않았다고 판단한 경우는 그 사이클이 종료하기까지 상기 통상시 반출 패턴으로 웨이퍼를 반출하고, 다음 사이클에서 제품 웨이퍼를 인터럽트 웨이퍼로 치환한 인터럽트시 반출 패턴의 순서로 카세트 용기(134C, 134B)로부터 인터럽트 웨이퍼 Wf와 더미 웨이퍼 Wd를 반출시킨다.

Description

기판 반송 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE CONVEYANCE METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 FPD(Flat Panel Display) 기판 등의 기판을 기판 수납 용기로부터 한 개씩 반출하여 처리실로 반송하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 그 기판 반송 방법에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 디바이스를 제조하는 플라즈마 처리 장치 등의 기판 처리 장치는, 기판 수납 용기로부터 제품 웨이퍼를 한 개씩 반출하여 처리실로 반송하고, 처리실 내에 공급한 처리 가스를 플라즈마화하는 것으로 제품 웨이퍼에 대하여 에칭이나 성막 등의 처리를 실시하게 되어 있다.
이러한 기판 처리 장치에서는, 처리실 내에서 제품 웨이퍼를 처리할 때에 발생하는 반응 생성물이나 처리실 내에 외부에서 혼입하는 미립자 등의 파티클(particle)(미세한 입자 형상의 이물질)을 적절히 제거하는 것이 중요하게 된다.
예컨대, 처리실 내에 설치되는 기판 탑재대에 파티클이 잔류하고 있으면, 그 탑재대 상에 탑재된 제품 웨이퍼의 이면에 파티클이 부착하고, 다음 공정에서 문제가 확대될 우려가 있다. 또한, 처리실 내에 파티클이 잔류하고 있으면, 제품 웨이퍼 상에 부착하여, 그 제품 웨이퍼의 처리에 영향을 줄 우려가 있어, 제품 웨이퍼 상에 최종적으로 제조되는 반도체 디바이스의 품질을 확보할 수 없는 등의 불량이 발생하여 버린다.
종래는, 이러한 처리실 내의 파티클을 효과적으로 제거하기 위해, 예컨대, 제품 웨이퍼의 소정 개수 걸러 더미 웨이퍼를 반송시켜 일정한 타이밍에서 처리실 내의 클리닝 처리를 행하고 있었다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2007-250791호 공보
그런데, 기판 처리 장치에는, 제품 웨이퍼와는 별도로 인터럽트 웨이퍼를 끼어들게 하여 우선적으로 처리를 실행시키는 인터럽트 처리 기능을 구비하는 것이 있다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 예컨대, 인터럽트 웨이퍼가 수납된 별도의 기판 수납 용기가 세트되어, 소망의 타이밍에서 인터럽트 개시의 조작이 이루어지면, 1 로트분의 제품 웨이퍼의 처리가 계속되는 중이더라도, 우선적으로 인터럽트 웨이퍼가 기판 수납 용기로부터 반출되고, 처리실로 반송되어 인터럽트 웨이퍼의 처리가 시작된다.
그러나, 종래는 특별히 인터럽트 웨이퍼를 반송하는 타이밍이 규제되어 있지 않기 때문에, 인터럽트 개시의 조작이 이루어지면 그 직후에 인터럽트 웨이퍼가 기판 수납 용기로부터 반출되게 되고 있었다. 이것 때문에, 상술한 바와 같은 제품 웨이퍼의 일정한 타이밍에서 클리닝 처리를 행하고 있는 기판 처리 장치에서는, 인터럽트 개시의 조작의 타이밍에 따라서는, 제품 웨이퍼의 뒤에 연속하여 인터럽트 웨이퍼가 반송되어 버리는 경우도 있었다.
이렇게 하면, 원래이면 다음에 반출되어야 할 웨이퍼는 클리닝 처리에 사용되는 더미 웨이퍼일 것인데, 인터럽트 웨이퍼가 반송되는 것에 의해, 그 때만 프로세스 처리(제품 웨이퍼와 인터럽트 웨이퍼)가 연속하여 실행되어 버린다. 이 경우, 더미 웨이퍼는, 그 인터럽트 웨이퍼의 뒤에 반송되어 클리닝 처리가 실행된다. 이것 때문에, 처리실 내의 클리닝 처리를 행하는 타이밍이 흐트러지기 때문에, 처리실 내의 상태가 흐트러져, 결과로서 각 웨이퍼의 프로세스 처리에 편차가 생길 우려가 있다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 문제에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은, 인터럽트 기판의 처리에 의해 처리실 내의 상태가 흐트러지는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 기판 반송 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 임의의 관점에 의하면, 기판 수납 용기로부터 기판을 한 개씩 반출하여 처리실로 반송하고, 상기 기판에 대한 프로세스 처리와 상기 처리실 내의 클리닝 처리를 반복하는 기판 처리 장치의 기판 반송 방 법으로서, 상기 기판 처리 장치는, 제품 기판과 같은 프로세스 처리를 실시하는 인터럽트 기판의 처리를 소정의 타이밍에서 개시시키기 위한 인터럽트 개시 버튼과, 상기 프로세스 처리에 이용하는 상기 제품 기판과 상기 클리닝 처리에 이용하는 더미 기판을 상기 기판 수납 용기로부터 반출시키는 순서를 규정하는 통상시의 반출 패턴과, 이 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판을 소정 개수만 상기 인터럽트 기판으로 치환한 인터럽트시의 반출 패턴과, 상기 기판 수납 용기로부터 반출한 기판의 반출 이력을 기억하는 기억부를 구비하고, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러졌는지 여부를 판단하는 단계와, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌려 있지 않은 동안에는, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하는 단계와, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러지면, 상기 반출 이력에 근거하여 그 때의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단하고, 그 사이클이 종료했다고 판단하는 경우는 그 직후에, 또한 그 사이클이 종료하지 않았다고 판단한 경우는 그 사이클이 종료하기까지 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행한 후에, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행하고, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료하면, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어로 복귀하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법이 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 기판 수납 용기로부터 기판을 한 개씩 반출하여 처리실로 반송하고, 기판에 대한 프로세스 처 리와 상기 처리실 내의 클리닝 처리를 반복하는 기판 처리 장치로서, 제품 기판과 같은 프로세스 처리를 실시하는 인터럽트 기판의 처리를 소정의 타이밍에서 개시시키기 위한 인터럽트 개시 버튼과, 상기 프로세스 처리에 이용하는 상기 제품 기판과 상기 클리닝 처리에 이용하는 더미 기판을 상기 기판 수납 용기로부터 반출시키는 순서를 규정하는 통상시의 반출 패턴과, 이 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판을 소정 개수만 상기 인터럽트 기판으로 치환한 인터럽트시의 반출 패턴과, 상기 기판 수납 용기로부터 반출한 기판의 반출 이력을 기억하는 기억부와, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러졌는지 여부를 판단하여, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌려 있지 않은 동안에는, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하여, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러지면, 상기 반출 이력에 근거하여 그 때의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단하고, 그 사이클이 종료했다고 판단한 경우는 그 직후에, 또한 그 사이클이 종료하지 않았다고 판단한 경우는 그 사이클이 종료하기까지 상기 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행한 후에, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행하여, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료하면, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어로 복귀하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
이러한 본 발명에 의하면, 통상시의 반출 패턴의 순서로 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어가 반복하여 행해지고 있는 동안에, 그 반출 패턴의 사이클의 도중에서 인터럽트 개시 버튼이 눌려도, 즉시 인터럽트 기판이 반송되는 것은 아니고, 그 사이클이 종료한 후에 인터럽트시의 반출 패턴의 순서로 인터럽트 기판이 반송된다. 또한, 인터럽트시의 반출 패턴은, 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판을 인터럽트 기판으로 치환한 것이며, 그 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료한 후에 통상시의 반출 패턴의 사이클로 되돌아간다. 이와 같이, 통상시 또는 인터럽트시의 반출 패턴을 이용하여 인터럽트 기판의 반출 타이밍을 규제하는 것에 의해, 어떠한 타이밍에서 인터럽트 개시 버튼이 눌려도, 클리닝 처리의 타이밍이 흐트러지는 경우는 없다. 따라서, 인터럽트 기판의 처리에 의해 처리실 내의 상태가 흐트러지는 것을 확실히 방지할 수 있다.
또한, 상기 통상시의 반출 패턴은, 예컨대, 미리 설정된 상기 제품 기판의 개수에 근거하여 결정한다. 이러한 통상시의 반출 패턴은, 예컨대, 1개 또는 복수개의 상기 제품 기판의 후에 1개의 상기 더미 기판이 반출되는 순서이다. 이것에 의해, 1개 또는 복수개의 프로세스 처리가 종료후, 즉 사이클의 최후에 더미 기판이 반출되어 클리닝 처리가 행하여지고, 이들의 처리가 복수 사이클 반복된다. 또한, 본 발명에 따른 인터럽트시의 반출 패턴으로서는 제품 기판이 인터럽트 기판으로 치환되기 때문에, 이 경우의 인터럽트시의 반출 패턴이라도, 그 사이클의 최후에 더미 기판이 반출되는 순서가 된다.
이와 같이, 1개 또는 복수개의 프로세스 처리후에 1개의 더미 기판을 반송하여 클리닝을 행하는 경우, 그 통상시 또는 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부는, 상기 반출 이력에 근거하여 상기 인터럽트 개시 버튼의 누름 직 전에 반출된 기판이 상기 더미 기판인지 여부로 판단하도록 할 수도 있다. 이러한 반출 패턴에 의하면 각 사이클의 최후에 반드시 더미 기판이 반출되기 때문에, 인터럽트 개시 버튼의 누름 직전에 반출된 기판이, 혹시 더미 기판이 아니면 그 반출 패턴의 사이클이 종료하고 있지 않고, 더미 기판이면 그 반출 패턴의 사이클이 종료하고 있는 것을 알 수 있다. 이것에 의해, 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 용이하게 판단할 수 있다.
또, 상기 인터럽트시의 반출 패턴은, 예컨대, 미리 설정된 상기 인터럽트 기판의 개수에 근거하여 결정한다. 이 경우, 상기 인터럽트 기판의 설정 개수가 상기 제품 기판의 설정 개수 이하인 경우에는, 상기 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판의 전부 또는 일부를 치환한 하나의 반출 패턴을 상기 인터럽트시의 반출 패턴으로서 결정한다. 또한, 상기 인터럽트 기판의 설정 개수가 상기 제품 기판의 설정 개수를 초과하는 경우에는, 상기 통상시의 반출 패턴 중의 제품 기판의 전부 또는 일부를 치환한 복수의 반출 패턴을 상기 인터럽트시의 반출 패턴으로서 결정한다. 이와 같이, 인터럽트시의 반출 패턴을 인터럽트 기판의 개수에 따라 결정하는 것에 의해, 클리닝 처리의 타이밍을 흐트러지게 하지 않고, 소망의 개수만큼 끼어들 수 있다.
또, 상기 인터럽트 기판은, 예컨대, 상기 프로세스 처리후의 상태를 측정하기 위한 측정 기판이다. 이 경우, 기판에 대하여 소정의 측정 처리를 행하는 측정실을 마련하고, 상기 제어부는, 상기 프로세스 처리가 실시된 인터럽트 기판을, 상기 측정실에 반송하여 소정의 측정 처리를 더 실시하도록 할 수도 있다. 특히 인터 럽트 기판을 측정 기판으로서 이용하는 경우에는, 인터럽트 기판을 처리할 때의 처리실 내의 조건은 제품 기판을 처리하는 경우와 마찬가지인 것이 바람직하고, 또한 그 후의 제품 기판의 처리에 영향을 주지 않도록 하는 것이 바람직하다. 따라서, 클리닝 처리의 타이밍을 흐트러지게 하지 않도록 인터럽트 기판을 처리할 수 있는 본 발명에 있어서는 인터럽트 기판을 측정 기판으로서 이용하는 것이 특히 유효하다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 기판 수납 용기로부터 기판을 한 개씩 반출하여 복수의 처리실로 반송하고, 상기 각 처리실에서 기판에 대한 프로세스 처리와 상기 처리실 내의 클리닝 처리를 반복하는 기판 처리 장치로서, 제품 기판과 같은 프로세스 처리를 실시하는 인터럽트 기판의 처리를 소정의 타이밍에서 개시시키기 위한 인터럽트 개시 버튼과, 상기 프로세스 처리에 이용하는 상기 제품 기판과 상기 클리닝 처리에 이용하는 더미 기판을 상기 기판 수납 용기로부터 반출시키는 순서를 각 처리실마다 규정하는 통상시의 반출 패턴과, 이 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판을 소정 개수만 상기 인터럽트 기판으로 치환한 상기 각 처리실마다의 인터럽트시의 반출 패턴과, 상기 기판 수납 용기로부터 반출한 기판의 상기 각 처리실마다의 반출 이력을 기억하는 기억부와, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러졌는지 여부를 판단하여, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌려 있지 않은 동안에는, 상기 각 처리실마다 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하고, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러지면, 상기 인터럽트 기판의 처리를 행하지 않는 처리실에 관해서는 그 대로 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하고, 상기 인터럽트 기판의 처리를 행하는 처리실에 관해서는, 상기 반출 이력에 근거하여 그 때의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단하고, 그 사이클이 종료했다고 판단한 경우는 그 직후에, 또한 그 사이클이 종료하지 않았다고 판단한 경우는 그 사이클이 종료하기까지 상기 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행한 후에, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행하고, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료하면, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어로 복귀하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
이러한 본 발명에 의하면, 각 처리실에서 프로세스 처리와 클리닝 처리가 같은 사이클로 반복 실시되고 있는 동안, 어떤 타이밍에서 인터럽트 개시 버튼이 눌려도, 복수의 처리실 중의 소망의 처리실에, 그 처리실에서의 클리닝 처리의 타이밍을 흐트러지게 하지 않고 인터럽트 기판의 처리를 행할 수 있다. 이것에 의해, 인터럽트 기판의 처리에 의해 처리실 내의 상태가 흐트러지는 것을 확실히 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 인터럽트 기판의 반출 타이밍을 규제하는 것에 의해, 클리닝 처리의 타이밍을 흐트러지게 하지 않고 인터럽트 기판의 처리를 행할 수 있기 때문에, 처리실 내의 상태가 흐트러지는 것을 확실히 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 기판 반송 방법을 제공할 수 있는 것이다.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시의 형태에 대하여 구체적으로 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일의 기능 구성을 갖는 구성 요소에 관해서는, 동일의 부호를 붙이는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
(기판 처리 장치의 구성예)
우선, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 여기서는, 반송실에 적어도 1 이상의 진공 처리 유닛이 접속된 기판 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 도 1은 본 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
기판 처리 장치(100)는, 피처리 기판, 예컨대, 반도체 웨이퍼(이하, 단지「웨이퍼」라고도 말함) W에 대하여 소정의 처리(예컨대, 에칭 처리)를 행하는 하나 또는 2개 이상의 진공 처리 유닛(프로세스 쉽)(110)과, 이 진공 처리 유닛(110)에 대하여 웨이퍼 W를 반출입시키는 반송 유닛(120)을 구비한다. 반송 유닛(로더 유닛)(120)은, 웨이퍼 W를 반송할 때에 공용되는 반송실(130)을 갖고 있다.
도 1에서는, 예컨대, 2개의 진공 처리 유닛(프로세스 쉽)(110A, 110B)을 반송 유닛(120)의 측면에 설치한 것을 나타낸다. 각 진공 처리 유닛(110A, 110B)은 각각, 플라즈마 처리 장치(200A, 200B)와, 이들의 각각에 연결되어, 진공 흡인 가능하게 구성된 중계실로서의 로드록실(150A, 150B)을 갖고 있다. 각 진공 처리 유닛(110A, 110B)은, 각 플라즈마 처리 장치(200A, 200B) 내에서 웨이퍼 W에 대하여 동종의 처리, 예컨대, 에칭 처리를 행하게 되어 있다.
예컨대, 각 플라즈마 처리 장치(200A, 200B)는, 처리실(210A, 210B)을 구비하고, 그 내부에 배치한 웨이퍼의 탑재대를 겸하는 서셉터(하부 전극)(211A, 211B)에 고주파 전력을 인가하고, 또한, 처리실(210A, 210B) 내에 처리 가스를 공급하여 플라즈마화해서 웨이퍼 표면에 플라즈마 에칭 처리를 실시한다.
또, 도 1에 나타낸 바와 같이 플라즈마 처리 장치를 구비하는 진공 처리 유닛을 2개 마련한 경우에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 플라즈마 처리 장치를 구비하는 진공 처리 유닛을 3개 이상 마련하더라도 좋다. 또한, 반드시 모든 진공 처리 유닛에 플라즈마 처리 장치를 마련하지 않더라도 좋고, 예컨대, 플라즈마 처리 장치를 구비하는 진공 처리 유닛과, 플라즈마 처리 장치 이외의 처리 장치(예컨대, 열처리 장치 등)를 구비하는 진공 처리 유닛을 마련하더라도 좋다.
상기 반송 유닛(120)의 반송실(130)은, 예컨대, N2 가스 등의 불활성 가스나 청정 공기가 순환되는 단면 대략 직사각형상의 상자형태에 의해 구성되어 있다. 반송실(130)에서의 단면 대략 직사각형상의 장변을 구성하는 한 측면에는, 복수의 카세트대(132A~132C)가 병설되어 있다. 이들 카세트대(132A~132C)에는, 카세트 용 기(134A~134C)를 탑재시킨다. 반송실(130)의 측벽에는, 웨이퍼 W의 투입구로서의 3개의 로드포트(136A~136C)가 각 카세트대(132A~132C)에 대응하도록 마련되고 있다.
도 1에서는, 예컨대, 각 카세트대(132A~132C)에 3대의 카세트 용기(134A~134C)를 각각 하나씩 탑재할 수 있는 예를 들고 있지만, 카세트대와 카세트 용기의 수는 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 1대 또는 2대이더라도 좋고, 또한 4대 이상 마련하더라도 좋다.
각 카세트 용기(134A~134C)에는, 적어도 1 로트분(예컨대 25개) 이상의 웨이퍼 W를 등피치로 다단으로 탑재하여 수용할 수 있게 되어 있고, 내부는 예컨대, N2 가스 분위기로 채워진 밀폐 구조로 되어 있다. 그리고, 반송실(130)은 그 내부로 로드포트(136A~136C)를 통해 웨이퍼 W를 반출입 가능하게 구성되어 있다.
각 카세트 용기(134A~134C)에는, 프로세스 처리를 실시하기 위한 제품 웨이퍼 Wp, 처리실 내의 클리닝 처리를 행하기 위한 더미 웨이퍼 Wd, 예컨대, 제품 웨이퍼 Wp와 같은 프로세스 처리를 행하기 위한 인터럽트 웨이퍼 Wf가 수용된다. 여기서는, 카세트 용기(134A)에는 제품 웨이퍼 Wp가 수용되고, 카세트 용기(134B)에는 더미 웨이퍼 Wd가 수용되고, 카세트 용기(134C)에는 인터럽트 웨이퍼 Wf가 수용된 경우를 예로 들어 설명한다. 또, 이것에 한정되는 것은 아니고, 어떤 카세트 용기에 어떤 종류의 웨이퍼가 수용되어 있더라도 좋다. 또한, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 수용된 카세트 용기(134C)는, 미리 카세트대(132C)에 세트하도록 할 수도 있고, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 처리를 행할 때에 카세트대(132C)에 세트하도록 할 수도 있다.
반송실(130) 내에는, 웨이퍼 W를 그 긴쪽 방향(도 1에 나타내는 화살표 방향)을 따라 반송하는 공통 반송 기구(대기압측 반송 기구)(160)가 마련되어 있다. 이 공통 반송 기구(160)는, 예컨대, 기대(기대)(162) 상에 고정되어, 이 기대(162)는 반송실(130) 내의 중심부를 길이 방향을 따라 설치된 도시하지 않는 안내 레일상을, 예컨대, 리니어 모터 구동 기구에 의해 슬라이드 이동 가능하게 구성되어 있다. 공통 반송 기구(160)는 예컨대, 도 1에 나타내는 것 같은 2개의 픽(pick)을 구비하는 더블 아암 기구이더라도 좋고, 또한 하나의 픽을 구비하는 싱글 아암 기구이더라도 좋다.
반송실에서의 단면 대략 직사각형상의 장변을 구성하는 다른 측면에는, 상기2개의 로드록실(150A, 150B)의 기단(基端)이, 개폐 가능하게 구성된 게이트 밸브(대기압측 게이트 밸브)(152A, 152B)를 각각 거쳐 연결되어 있다. 각 로드록실(150A, 150B)의 선단은, 개폐 가능하게 구성된 게이트 밸브(진공압측 게이트 밸브)(232A, 232B)를 통해서 각각 상기 처리실(210A, 210B)에 연결되어 있다.
각 로드록실(150A, 150B) 내에는 각각, 웨이퍼 W를 일시적으로 탑재하여 대기시키는 한 쌍의 버퍼용 탑재대(154A 및 156A와 154B 및 156B)가 마련된다. 여기서 반송실측의 버퍼용 탑재대(154A, 154B)를 제 1 버퍼용 탑재대로 하고, 처리실측의 버퍼용 탑재대(156A, 156B)를 제 2 버퍼용 탑재대로 한다. 그리고, 양 버퍼용 탑재대(154A, 156A)의 사이 및 버퍼용 탑재대(154B, 156B) 사이에는, 굴신(屈伸), 선회(旋回) 및 승강 가능하게 이루어진 다관절 아암으로 되는 개별 반송 기구(진공압측 반송 기구)(170A, 170B)가 마련되어 있다.
이들 개별 반송 기구(170A, 170B)의 선단에는 픽(172A, 172B)이 마련되고, 이 픽(172A, 172B)을 이용하여 제 1, 제 2 양 버퍼용 탑재대(154A, 156A 및 154B, 156B) 사이에서 웨이퍼 W의 전달, 이재(移載)를 행할 수 있게 되어 있다. 또, 로드록실(150A, 150B)로부터 처리실(210A, 210B) 내로의 웨이퍼의 반출입은, 각각 상기 개별 반송 기구(170A, 170B)를 이용하여 행해진다.
반송실(130)의 일단부, 즉 단면 대략 직사각형상의 단변을 구성하는 한쪽의 측면에는, 웨이퍼 W의 위치 결정 장치로서의 오리엔터(프리얼라인먼트 스테이지)(137)가 마련되어 있다. 오리엔터(137)는, 예컨대, 내부에 회전 탑재대(138)와 웨이퍼 W의 주연부를 광학적으로 검출하는 광학 센서(139)를 구비하고, 웨이퍼 W의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등을 검출하여 위치맞춤을 행한다.
반송실(130)의 타단부, 즉 단면 대략 직사각형상의 단변을 구성하는 다른 쪽의 측면에는, 측정실(300)이 마련되어 있다. 측정실(300)은, 예컨대, 광학계의 모니터이며, 반입된 웨이퍼 W를 탑재하는 탑재대(302)와, 이 탑재대(302)에 탑재된 웨이퍼 W에 지향하는 광학 센서(304)를 갖고, 웨이퍼 W의 프로세스 처리 후의 상태를 측정한다. 구체적으로는 예컨대, 표면층의 막 두께, 배선홈이나 게이트 전극 등의 CD(Critical Dimension)값 등의 프로세스 처리 결과를 측정하거나, 웨이퍼 W의 표면에서의 파티클수를 측정하거나 한다.
기판 처리 장치(100)는, 상술한 각 진공 처리 유닛(110A, 110B) 및 반송 유닛(120)의 각부의 동작을 제어하는 제어부(400)와, 반송 유닛(120)의 일단부에 설치된 조작부(140)를 구비한다.
조작부(140)에는, 예컨대, LCD(Liquid Crystal Display) 등의 표시부를 구비한 터치 패널로 이루어지는 조작 패널(142), 인터럽트 웨이퍼 Wf의 처리를 시작하기 위한 인터럽트 개시 버튼(144) 등이 마련되어 있다. 표시부에는 예컨대, 기판 처리 장치(100)의 각 구성 요소의 동작 상황이 표시된다. 또한, 사용자는 조작 패널(142)에 의해 기판 처리 장치(100)에 대한 여러가지의 조작을 행할 수 있다. 또, 인터럽트 개시 버튼(144)은, 조작 패널(142)과 별개로 마련하는 대신에, 조작 패널(142)에 표시시켜 터치 패널로 조작할 수 있도록 하더라도 좋다.
상기 조작부(140)는 제어부(400)에 접속되어 있다. 제어부(400)는 조작부(140)로부터의 조작에 의해, 미리 설정된 레시피 등의 데이터에 근거하여 소정의 프로그램을 실행하여, 진공 처리 유닛(110A, 110B) 및 반송 유닛(120)의 각부, 예컨대, 각 플라즈마 처리 장치(200A, 200B), 측정실(300), 오리엔터(orientor)(137), 각 반송 기구(160, 170) 등을 제어하게 되어 있다. 이것에 의해, 예컨대, 후술하는 웨이퍼 반송, 웨이퍼에 대한 프로세스 처리(여기서는 에칭 처리), 처리실 내의 클리닝 처리, 웨이퍼에 대한 측정 처리 등이 행하여진다.
(플라즈마 처리 장치의 구성예)
다음으로, 상기 플라즈마 처리 장치(200A, 200B)의 구성예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에서는, 플라즈마 처리 장치(200A, 200B)는 마찬가지로 구성되는 경우를 예로 들기 때문에, 이하, 부호의 A, B를 생략한 플라즈마 처리 장치(200)에 의해 대표하여 설명한다. 도 2는 이러한 플라즈마 처리 장치(200)의 개략 구성을 나타내는 단면도를 나타내는 단면 도이다. 플라즈마 처리 장치(200)는 에칭 처리를 실행 가능한 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(200)는, 금속제(예컨대, 알루미늄제 또는 스테인레스제)의 원통형의 처리실(챔버)(210)을 갖고 있고, 이 처리실(210)의 속에 예컨대, 직경이 300mm의 웨이퍼 W를 탑재하는 스테이지로서의 원주형상 서셉터(211)를 구비하고 있다.
처리실(210)의 측벽과 서셉터(211) 사이에는, 서셉터(211)의 위쪽의 기체를 처리실(210)의 밖으로 배출하는 유로로서 기능하는 배기로(212)가 형성되어 있다. 이 배기로(212)의 도중에는 환상(環狀)의 배플판(213)이 설치되어 있고, 배기로(212)의 배플판(213)으로부터 아래의 공간은, 가변식 버터플라이 밸브인 자동압력 제어 밸브(이하, 「APC(Adaptive Pressure Control) 밸브」라고 함)(214)에 통하여 있다. APC 밸브(214)는, 진공 흡인용의 배기 펌프인 터보 분자 펌프(이하, 「TMP」라고 함)(215)에 접속되어 있고, 또한 이 TMP(215)을 통해 배기 펌프인 드라이펌프(이하, 「DP」라고 함)(216)에 접속되어 있다. 이들 APC 밸브(214), TMP(215), 및 DP(216)에 의해 구성되는 배기 유로(이하, 「본 배기 라인」이라고 함)는 처리실(210) 내를 고진공 상태가 될 때까지 감압하기 위한 것이다. 그리고 처리실(210) 내의 압력은 APC 밸브(214)에 의해 조절된다.
또, 배기로(212)의 배플판(213)으로부터 아래의 공간은, 본 배기 라인과는 별도의 배기 라인(이하, 「애벌 배기 라인」이라고 함)에도 접속되어 있다. 이 애벌 배기 라인은, 도중에 밸브 V2를 구비한 배기관(217)과 DP(216)에 의해 구성되어 있다. 처리실(210) 내의 기체는 보통, 본 배기 라인보다 먼저 이 애벌 배기 라인에 의해 배출되게 된다.
하부 전극으로서의 서셉터(211)에는 고주파 전원(218)이 도선(250)을 통해 접속되어 있고, 고주파 전원(218)으로부터 소정의 고주파 전력이 인가된다. 도선(250)에는, 서셉터(211)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여, 이 고주파 전력의 서셉터(211)로의 입사 효율을 최대한으로 하는 정합기(219)와, 도선(250)의 도통 및 절단을 전환하는 스위치(251)가 구비되어 있다. 이 스위치(251)는, 전기적으로 서셉터(211)와 고주파 전원(218)의 사이에 위치하고 있어, 서셉터(211)의 전기적 상태를 플로팅(부유) 상태와 도통 상태의 어느 것으로 설정할 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 W가 서셉터(211)의 상면에 탑재되어 있을 때, 스위치(251)는 서셉터(211)를 전기적 플로팅 상태로 한다.
서셉터(211)의 내부의 위쪽에는, 웨이퍼 W를 정전 흡착하기 위한 도전막으로 이루어지는 원판 형상의 전극판(220)이 마련되어 있다. 전극판(220)에는 직류 전원(222)이 전기적으로 접속되어 있다. 웨이퍼 W는, 직류 전원(222)으로부터 전극판(220)에 인가되는 직류 전압에 따라 발생하는 쿨롱력 또는 죤슨 라벡(Johnsen-Rahbek) 힘에 의해 서셉터(211)의 상면에 흡착 유지된다. 원 형상의 포커스 링(224)은 실리콘 등으로 이루어지고, 서셉터(211)의 위쪽에 발생한 플라즈마를 웨이퍼 W를 향해 수속시키는 것이다.
서셉터(211)의 내부에는 냉매실(225)이 배치되어 있다. 이 냉매실(225)에는, 칠러 유닛(도시하지 않음)으로부터 배관(226)을 통해 소정 온도의 냉매(예컨대, 냉 각수)가 순환 공급된다. 서셉터(211)에 탑재된 웨이퍼 W의 처리 온도는 냉매실(225)에 의해 온도 제어된다.
서셉터(211)의 상면에서 웨이퍼 W가 흡착하는 부분(이하, 「흡착면」이라고 함)에는, 복수의 전열 가스 공급 구멍(227)과 전열 가스 공급구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이들 전열 가스 공급 구멍(227)과 전열 가스 공급구는, 서셉터(211) 내부에 구비된 전열 가스 공급 라인(228)과 밸브 V3를 갖는 전열 가스 공급관(229)을 경유하고 전열 가스 공급부(도시하지 않음)에 연결되고 있고, 여기에서의 전열 가스(예컨대, He 가스)를 흡착면과 웨이퍼 W의 이면과의 간극에 공급한다. 이것에 의해 웨이퍼 W와 서셉터(211)의 열전도성이 향상된다. 또, 전열 가스 공급 구멍(227)과 전열 가스 공급구에 대한 전열 가스의 공급량은 밸브 V3에 의해 조정된다.
또, 흡착면에는, 서셉터(211)의 상면으로부터 돌출 자유로운 리프트 핀으로서의 복수의 푸셔핀(230)이 구비되어 있다. 이들의 푸셔핀(pusher pin)(230)은, 모터(도시하지 않음)의 회전 운동이 볼나사 등에 의해 직선 운동으로 변환되는 것에 의해, 도면 중 상하 방향으로 이동한다. 푸셔핀(230)은, 웨이퍼 W가 흡착면에 흡착 유지되어 있을 때에는 서셉터(211)에 수용되어 있고, 소정의 처리(예컨대, 에칭 처리)가 종료한 웨이퍼 W를 처리실(210)로부터 반출할 때에는 서셉터(211)의 상면으로부터 돌출하여 웨이퍼 W를 서셉터(211)로부터 위쪽으로 들어올린다.
처리실(210)의 천장부에는, 상부 전극(233)이 설치되어 있다. 상부 전극(233)에는 고주파 전원(252)이 접속되어 있고, 소정의 고주파 전력이 인가된다.
이 상부 전극(233)은 처리실 내에 가스를 도입하기 위한 샤워 헤드의 기능도 겸하고 있다. 상부 전극(233)은, 다수의 가스 공기통(234)을 갖는 전극판(235)과, 이 전극판(235)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(236)로 구성된다. 전극 지지체(236)의 내부에는, 버퍼실(237)이 마련되어 있고, 이 버퍼실(237)에는 처리 가스 공급부(도시하지 않음)로부터 연장되어 있는 처리 가스 도입관(238)이 접속되어 있다. 이 처리 가스 도입관(238)의 도중에는 밸브 V1이 구비되어 있고, 이 밸브 V1에 의해 버퍼실(237)에 대한 가스 공급량이 조정된다. 여기서, 하부 전극을 구성하는 서셉터(211)와 상부 전극(233) 사이의 거리(전극간 거리) D는, 예컨대 35±1mm 이상으로 설정된다.
처리실(210)의 측벽에는, 웨이퍼 W의 반입출구(231)를 개폐하는 게이트 밸브(232)가 부착되어 있다. 이 플라즈마 처리 장치(200)의 처리실(210) 내에 처리 가스가 공급되고, 상부 전극(233)에 고주파 전력이 인가되면, 공간 S에 고밀도의 플라즈마가 발생하여, 이온이나 래디컬이 생성된다.
(기판 처리 장치의 동작)
다음으로, 상술한 바와 같은 구성의 기판 처리 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 예컨대, 카세트 용기(134A)에 수용되어 있는 제품 웨이퍼 Wp에 플라즈마 처리 장치(200A)의 처리실(210A)에서 에칭 처리를 실시하는 경우에는 다음과 같이 동작한다. 즉, 공통 반송 기구(160)에 의해 카세트 용기(134A)로부터 처리를 행하는 제품 웨이퍼 Wp가 취출되면, 제품 웨이퍼 Wp는 오리엔터(137)까지 반송되어 오리엔터(137)의 회전 탑재대(138)에 옮겨져, 위치 결정된다.
위치 결정된 제품 웨이퍼 Wp는, 다시, 상기 공통 반송 기구(160)에 의해 수취되어 유지되고, 이 제품 웨이퍼 Wp에 대하여 처리를 행하는 로드록실(150A)의 직전까지 반송된다. 그리고, 게이트 밸브(152A)가 개방되면, 공통 반송 기구(160)에 유지되어 있는 제품 웨이퍼 Wp가 반송실(130)로부터 로드록실(150A) 내로 반입된다. 로드록실(150A)로의 제품 웨이퍼 Wp의 반입이 종료하면, 게이트 밸브(152A)가 폐색되어, 압력 조정이 행하여진다.
로드록실(150A)이 소정의 진공 압력이 되어, 게이트 밸브(232A)가 개방되면, 로드록실(150A) 내의 제품 웨이퍼 Wp는 개별 반송 기구(170A)에 의해 처리실(210A)로 반입되어 서셉터(211A)에 탑재된다. 처리실(210A)로의 제품 웨이퍼 Wp의 반입이 완료하면, 게이트 밸브(232A)가 폐색되고, 처리실(210A)에서 제품 웨이퍼 Wp의 에칭 처리가 시작된다.
에칭 처리는 미리 설정된 프로세스 레시피에 근거하여 실행된다. 구체적으로는 처리실(210)(210A)의 내부가 감압되고, 상부 전극(233)으로부터 처리 가스(예컨대, C4F8 가스, O2 가스, 및 Ar 가스를 포함하는 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 처리실(210) 내에 도입한다. 이 때, APC 밸브(214) 등에 의해 처리실(210) 내는 소정의 진공 압력으로 유지된다. 이 상태에서 고주파 전원(218)으로부터 고주파 전력이 서셉터(211)에 인가되고, 또한, 고주파 전원(252)으로부터 고주파 전력이 상부 전극(233)에 인가되면, 플라즈마 생성 공간 S에서 처리 가스의 플라즈마가 발생한다. 이 플라즈마에 의해 생성되는 래디컬이나 이온은 포커스 링(224)에 의해 제품 웨이퍼 Wp의 표면에 수속되어, 그 표면이 물리적 또는 화학적으로 에칭된다.
그리고, 제품 웨이퍼 Wp의 에칭 처리가 종료하여, 게이트 밸브(232A)가 개방되면, 제품 웨이퍼 Wp는 개별 반송 기구(170A)에 의해 로드록실(150A)로 반출된다. 로드록실(150A)로의 제품 웨이퍼 Wp의 반출이 종료하면, 게이트 밸브(232A)가 폐색하고, 반송실(130)에의 제품 웨이퍼 Wp의 반출 동작이 행하여진다. 즉, 로드록실(150A)로 반출된 처리 완료의 제품 웨이퍼 Wp는, 게이트 밸브(152A)가 개방되면, 공통 반송 기구(160)에 의해 로드록실(150A)에서 반송실(130)로 반출되고, 게이트 밸브(152A)가 폐색된다.
이러한 제품 웨이퍼 Wp의 에칭 처리가 실행되면, 처리실(210A) 내에 에칭에 의한 반응 생성물 등의 파티클이 발생한다. 이 파티클이 제품 웨이퍼 Wp에 부착되면, 제품 웨이퍼 Wp로 제조되는 반도체 디바이스의 배선 단락 등의 원인으로 되고, 나아가서는 수율 저하의 요인으로 된다. 이것 때문에, 기판 처리 장치(100)에서는, 일정한 타이밍에서 처리실(210A)에 더미 웨이퍼 Wd를 반송하여 처리실(210A) 내의 파티클을 제거하는 클리닝 처리를 행하게 되어 있다.
클리닝 처리는, 예컨대, 미리 설정된 클리닝 처리 조건(예컨대, 처리실 내압력, 가스종류, 가스 유량 등으로 이루어지는 클리닝 레시피)에 근거하여 실행된다. 클리닝 처리는, 예컨대, 에칭 처리와 같은 조건으로 행해도 좋고, 또한 다른 조건으로 행해도 좋다.
또, 클리닝 처리의 타이밍은 연속하여 처리하는 제품 웨이퍼 Wp의 개수에 의해 정할 수 있다. 또한, 클리닝 처리를 복수회 연속하여 처리하는 것도 가능하고, 이 클리닝 처리의 연속 횟수는 더미 웨이퍼 Wd의 개수에 의해 정할 수 있다. 이들 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd의 개수는, 예컨대, 디폴트로는 한 개로 설정되어 있고, 조작 패널(142)에 의해 각 웨이퍼의 개수의 설정을 변경할 수 있다.
이들의 설정 개수에 따라 각 카세트 용기(134A, 134B)로부터 반출되는 각 웨이퍼의 반출 패턴이 결정된다. 예컨대, 더미 웨이퍼 Wd가 1개, 제품 웨이퍼 Wp가 2개로 설정되어 있는 경우에는, 카세트 용기(134A)로부터 제품 웨이퍼 Wp가 2개 연속하여 반출된 후에, 카세트 용기(134B)로부터 더미 웨이퍼 Wd가 1개 반출된다고 하는 반출 패턴을 1사이클로 하고, 이것을 복수 사이클 반복하는 제어를 행하는 것에 의해, 각 웨이퍼가 1개씩 처리실로 반송되고, 소정 개수(예컨대, 1 로트분)의 제품 웨이퍼 Wp의 처리가 행하여진다.
그런데, 기판 처리 장치(100)는, 이러한 통상시의 반출 패턴에 의한 제품 웨이퍼 Wp의 처리 기능과는 별도로, 급하게 처리하는 인터럽트 웨이퍼 Wf(특급 웨이퍼)를 우선하여 끼어들어 처리시키는 인터럽트 처리 기능(특급 처리 기능)을 구비한다. 이 인터럽트 처리 기능은, 예컨대, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 수용된 카세트 용기(134C)가 카세트대(132C)에 세트되고, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌리면, 1로트(예컨대, 25개)분의 처리가 계속되는 중이더라도, 우선적으로 인터럽트 웨이퍼 Wf를 처리실(210A)로 반송하여 에칭 처리를 행하는 것이다.
이러한 인터럽트 처리 기능을 이용하여 인터럽트 웨이퍼 Wf에 에칭 처리를 행하게 하는 경우, 종래와 같이 카세트 용기(134A, 134B)로부터 반출되는 제품 웨이퍼 Wp와 더미 웨이퍼 Wd의 반출 순서(통상시의 반출 패턴)에 관계없이, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 처리가 시작된 시점에서 카세트대(132C)에서 인터럽트 웨이퍼 Wf를 반출하도록 했다면, 반출 패턴의 사이클이 흐트러질 우려가 있다.
예컨대, 제품 웨이퍼 Wp와 더미 웨이퍼 Wd를 1개씩 교대로 카세트 용기(134A, 134B)로부터 반출하는 반출 패턴의 사이클로 처리가 실행되어 있는 경우를 생각하면, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 처리가 없는 경우는, 제품 웨이퍼 1개분의 에칭 처리의 후에 클리닝 처리가 행하여지게 된다. 그런데, 혹시 제품 웨이퍼 Wp의 직후에 인터럽트 웨이퍼 Wf의 처리가 행하여지면, 그 인터럽트 웨이퍼 Wf를 포함하는 사이클만큼, 제품 웨이퍼 1개분과 인터럽트 웨이퍼 1개분의 합계 2개분의 에칭 처리의 후에 클리닝 처리가 행하여진다. 이와 같이 반출 패턴의 사이클이 흐트러지면, 클리닝 처리의 타이밍이 흐트러진다. 이것 때문에, 처리실(210A) 내의 상태가 흐트러져, 그 결과로서 웨이퍼의 처리 결과에 편차가 생길 우려가 있다.
그래서, 본 실시예에서는, 예컨대, 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd의 순으로 반출되는 반출 패턴을 흐터러지게 하지 않고 인터럽트 웨이퍼 Wf의 처리를 실행할 수 있도록 하는 것으로, 처리실 내의 상태가 흐트러지는 것을 확실히 방지할 수 있는 것이다. 구체적으로는, 기판 처리 장치(100)에서는, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌린 경우에는, 인터럽트 웨이퍼 Wf를 카세트 용기(134C)로부터 반출하는 타이밍을 규제하도록 각 웨이퍼의 반출 순서를 제어하는 웨이퍼 반송 제어를 행하게 되어 있다. 이러한 웨이퍼 반송 제어는 제어부(400)에 의해 소정의 웨이퍼 반송 프로그램에 근거하여 실행된다.
(제어부의 구성예)
이러한 본 실시예에서의 웨이퍼 반송 제어를 행하는 제어부(400)의 구성예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 제어부(400)는, 예컨대, 도 3에 나타낸 바와 같이 제어부 본체를 구성하는 CPU(중앙 처리 장치)(410), CPU(410)가 사용하는 ROM(리드온리 메모리), RAM(랜덤 액세스 메모리) 등의 메모리(420), 예컨대, 버저와 같은 경보기 등으로 구성되는 통지부(430), 기판 처리 장치(100)의 각부를 제어하기 위한 각종 제어기(440), 기판 처리 장치(100)의 처리를 행하는 프로그램을 저장하는 프로그램 기억부(450), 및 프로그램에 근거하는 처리를 실행할 때에 사용하는 레시피 데이터 등의 각종 데이터를 기억하는 데이터 기억부(460)를 구비한다. 프로그램 기억부(450)와 데이터 기억부(460)는, 예컨대, 플래시 메모리, 하드디스크, CD-ROM 등의 기록 매체로 구성되고, 필요에 따라 CPU(410)에 의해 데이터가 판독된다.
이들 CPU(410), 메모리(420), 통지부(430), 각종 제어기(440), 프로그램 기억부(450), 데이터 기억부(460)는 제어 버스, 시스템 버스, 베이터 버스 등의 버스 라인에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
각종 제어기(440)에는, 각 진공 처리 유닛(110A, 110B) 및 반송 유닛(120)의 각부, 예컨대, 각 플라즈마 처리 장치(200A, 200B), 측정실(300), 오리엔터(137), 각 반송 기구(160, 170) 등을 제어하는 제어기를 구비한다. 또한, 각 플라즈마 처리 장치(200A, 200B)를 제어하는 제어기에는, 예컨대, 도 2에 나타내는 밸브 V1, V2, V3, APC 밸브(214), TMP(215), DP(216), 고주파 전원(218, 252), 직류 전원(222), 스위치(251) 등을 제어하는 제어기도 포함된다. 또한, 조작 패널(142)과 데이터를 교환하는 제어기나, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌러졌는지 여부를 검출하는 제어기도 포함된다.
프로그램 기억부(450)에는, 상기 웨이퍼 반송 제어를 행하기 위한 웨이퍼 반송 프로그램(452) 이외에, 도시는 하지 않지만 에칭 등을 하기 위한 프로세스 처리 프로그램, 처리실 내의 클리닝을 행하기 위한 클리닝 처리 프로그램, 웨이퍼의 처리 결과의 측정을 행하는 측정 처리 프로그램 등이 기억되어 있다.
데이터 기억부(460)에는, 상기 웨이퍼 반송 제어에 있어서 각부를 제어할 때에 필요한 웨이퍼 반송 관련 데이터(462) 이외에, 프로세스 처리에 있어서 각부를 제어할 때에 필요한 설정 데이터(예컨대, 처리실 내 압력, 가스 종류, 가스 유량, 고주파 전력 등)로 이루어지는 프로세스 처리 레시피, 클리닝 처리에 있어서 각부를 제어할 때에 필요한 클리닝 처리 레시피, 측정 처리에 있어서 각부를 제어할 때에 필요한 측정 처리 레시피 등이 기억되어 있다.
웨이퍼 반송 관련 데이터(462)로서는, 예컨대, 도 4에 나타내는 것 같은 더미 웨이퍼 Wd의 개수, 제품 웨이퍼 Wp의 개수, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 개수의 데이터 테이블을 갖는다. 제품 웨이퍼 Wp의 개수는, 연속하여 프로세스 처리하는 개수이며, 소망의 클리닝 처리의 타이밍에 따라 설정한다. 이 제품 웨이퍼 Wp의 개수마다 더미 웨이퍼 Wd가 반출되어 클리닝 처리가 실행되기 때문이다.
또, 더미 웨이퍼 Wd의 개수는, 연속하여 클리닝 처리하는 개수이며, 소망의 클리닝 처리의 길이에 따라 설정한다. 더미 웨이퍼 Wd의 개수가 많을수록 연속하여 실행되는 클리닝 처리의 횟수도 많아지기 때문이다. 또한, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 개수는, 제품용 웨이퍼의 개수 이하로 설정할 수도 있고, 또한 제품용 웨이퍼의 개수를 초과하여 설정할 수도 있다.
또, 웨이퍼 반송 관련 데이터(462)로서, 예컨대, 도 5(a)에 나타내는 것 같은 통상시 반출 패턴, 도 5(b)에 나타내는 것 같은 인터럽트시 반출 패턴을 나타내는 데이터 테이블을 갖는다. 이들의 반출 패턴은, 각 카세트 용기(134A~134C)로부터 각 웨이퍼를 반출하는 순서의 1사이클분의 패턴을 나타내는 것이다. 도 5(a)에 나타내는 통상시 반출 패턴은, 더미 웨이퍼 Wd의 개수 및 제품 웨이퍼 Wp의 개수에 근거하여 결정한다. 도 5(a)에서는, 그 구체예로서 더미 웨이퍼 Wd가 1개, 제품 웨이퍼 Wp가 1개인 경우의 통상시 반출 패턴을 나타내고 있다. 이 경우는, 제품 웨이퍼 Wp와 더미 웨이퍼 Wd가 그 순서로, 복수의 사이클에서 각 카세트 용기(134A, 134B)로부터 반출된다.
도 5(b)에 나타내는 인터럽트시 반출 패턴은 더미 웨이퍼 Wd의 개수, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 개수에 근거하여 결정한다. 구체적으로는 인터럽트시키는 인터럽트 웨이퍼 Wf의 개수분만큼 도 5(a)에 나타내는 통상시 반송 패턴의 제품 웨이퍼 Wp와 치환한 반출 패턴으로 한다. 도 5(b)에서는, 그 구체예로서 더미 웨이퍼 Wd가 1개, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 1개의 경우의 인터럽트시 반출 패턴을 나타내고 있다. 이 경우는, 인터럽트 웨이퍼 Wf와 더미 웨이퍼 Wd가 그 순서로, 한 번의 사이클만 각 카세트 용기(134A, 134C)로부터 반출된다.
또, 그 밖의 웨이퍼 반송 관련 데이터(462)로서는, 각 웨이퍼가 카세트 용기로부터 반출될 때마다, 그 웨이퍼의 반출 이력을 기억하는 웨이퍼 반출 이력의 데 이터 테이블이 마련되어 있다. 이러한 웨이퍼의 반출 이력의 데이터 테이블의 구체예를 도 6에 나타낸다. 도 6에서는, 2개째의 제품 웨이퍼 Wp까지 반출되어 있는 상태에 있는 것을 나타내고 있다. 즉, 1개째의 제품 웨이퍼 Wp가 반출된 후에 1개째의 더미 웨이퍼 Wd가 반출되어, 2개째의 제품 웨이퍼 Wp가 반출되고, 그 다음 웨이퍼는 아직 반출되어 있지 않은 상태이다. 이 웨이퍼의 반출 이력은, 예컨대, 제어부(400)가 행하는 웨이퍼 반송 제어에 있어서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸을 때에 반출 패턴의 사이클이 종료하고 있는지 여부를 판단할 때에 사용된다. 구체적으로는 웨이퍼의 반출 이력과 반출 패턴과 대조하는 것에 의해, 그 반출 패턴이 종료하고 있는지 여부를 판단할 수 있다. 전부 대조할 수 있던 경우에는 반출 패턴이 종료하고 있는 것을 알 수 있고, 대조할 수 없던 경우에는 반출 패턴이 아직 종료하지 않고 있는 것을 알 수 있다.
또, 예컨대, 도 5(a)에 나타낸 바와 같이 더미 웨이퍼 Wd가 각 사이클의 최후로 되는 반출 패턴의 경우에는, 웨이퍼의 반출 이력에 근거하여 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌리기 직전의 웨이퍼가 더미 웨이퍼 Wd인지 여부를 판단하는 것으로 그 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단할 수도 있다. 즉, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌리기 직전의 웨이퍼가 더미 웨이퍼 Wd인 경우에는 그 반출 패턴의 사이클이 종료하고 다음 사이클이 아직 시작되고 있지 않은 상태인 것을 알 수 있다. 이것에 대하여, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌리기 직전의 웨이퍼가 더미 웨이퍼 Wd가 아닌 경우에는 그 반출 패턴의 사이클은 아직 계속되는 중인 것을 알 수 있다.
예컨대, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸을 때의 반출 이력이 도 6에 나타낸 바와 같이 되어 있는 경우에는, 인터럽트 개시 버튼(144)의 가압 직전의 웨이퍼는 제품 웨이퍼 Wp이기 때문에, 그 사이클의 더미 웨이퍼 Wd가 아직 반출되지 않았으므로, 그 반출 패턴의 사이클은 아직 종료하지 않았다고 판단할 수 있다. 이것에 의하면, 그 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 용이하게 판단할 수 있다. 또, 웨이퍼의 반출 이력에 근거하여 반출 패턴이 종료했는지 여부를 판단하는 방법은 이것에 한정되는 것이 아니다.
(웨이퍼 반송 제어)
다음으로, 이러한 제어부(400)에 의해 행해지는 웨이퍼 반송 제어의 일례에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 7은 본 실시예에서의 웨이퍼 반송 제어를 나타내는 흐름도이다. 여기서는, 제품 웨이퍼 Wp는 1개(도 4에서 L=1), 더미 웨이퍼 Wd는 1개(도 4에서 m=1), 인터럽트 웨이퍼 Wf는 1개(도 4에서 n=1)로 설정되어 있고, 플라즈마 처리 장치(200A)의 처리실(210A)에만 각 웨이퍼를 반송하여 처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명한다. 이 경우에는, 각 카세트 용기(134A~134C)로부터 반출되는 웨이퍼의 순서로서, 처리실(210A)의 통상시 반출 패턴은 도 5(a)에 나타낸 바와 같이 되고, 처리실(210A)의 인터럽트시 반출 패턴은 도 5(b)에 나타낸 바와 같이 된다.
본 실시예에서의 웨이퍼 반송 제어에 있어서는, 우선 단계 S110에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌러졌는지 여부를 판단한다. 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌려 있지 않다고 판단한 경우는, 단계 S120에서 통상시 반출 패턴에 근거하여 카세 트 용기(134A, 134B)로부터 각 웨이퍼를 반출한다. 이 단계 S120의 처리는, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌려 있지 않은 동안에는 반복하여 행한다.
그리고, 단계 S110에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸다고 판단한 경우는, 단계 S130에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸을 때의 통상시 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단한다. 구체적으로는 상기 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부는, 도 6에 나타내는 것 같은 웨이퍼의 반출 이력에 근거하여 판단한다.
단계 S130에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸을 때의 통상시 반출 패턴의 사이클이 아직 종료하지 않았다고 판단한 경우에는, 단계 S140에서 통상시 반출 패턴의 순서로 웨이퍼 반송 처리를 한다. 예컨대, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸을 때에 도 6에 나타내는 것 같은 웨이퍼 반출 이력이던 경우에는, 아직 그 사이클의 웨이퍼 반출이 종료하지 않고 있기 때문에 통상시 반출 패턴의 순서로 웨이퍼를 반출한다. 즉, 단계 S140에서 더미 웨이퍼 Wd를 반출한다.
그리고, 단계 S130에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸을 때의 통상시 반출 패턴의 사이클이 종료했다고 판단한 경우에는, 단계 S150에서 다음 사이클로부터 인터럽트시 반출 패턴의 순서로 카세트 용기(134A~134C)로부터 각 웨이퍼를 반출하여, 처리실(210A)로 반송한다. 이 경우의 반출되는 각 웨이퍼는, 제품 웨이퍼 Wp의 전부를 인터럽트 웨이퍼 Wf로 치환한 인터럽트 반출 패턴의 경우에는, 인터럽트 웨이퍼 Wf와 더미 웨이퍼 Wd이다. 또한, 제품 웨이퍼 Wp의 전부를 인터럽트 웨이퍼 Wf로 치환한 인터럽트 반출 패턴의 경우에는, 인터럽트 웨이퍼 Wf, 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd를 반출하여 처리실(210A)로 반송한다.
계속해서 단계 S160에서 그 인터럽트 웨이퍼 Wf를 포함하는 사이클이 종료했는지 여부를 판단하여, 종료하지 않고 있으면 종료할 때까지 단계 S150의 처리를 반복한다. 또, 단계 S150에서 인터럽트 웨이퍼 Wf를 포함하는 사이클이 종료했는지 여부는, 단계 S130의 경우와 마찬가지로 웨이퍼의 반출 이력에 근거하여 판단한다.
단계 S170에서 그 인터럽트 웨이퍼 Wf를 포함하는 사이클이 종료했다고 판단한 경우는, 모든 웨이퍼의 처리가 종료했는지 여부를 판단한다. 즉, 예컨대, 1로트(25개)분의 제품 웨이퍼 Wp의 처리가 종료하고, 최후의 더미 웨이퍼 Wd를 반출했는지 여부를 판단한다. 단계 S170에서 모든 웨이퍼의 처리가 종료하지 않았다고 판단한 경우는 단계 S110의 처리에 되돌아가, 다시 통상시 반출 패턴의 순서로 카세트 용기(134A, 134B)로부터 각 웨이퍼를 반출한다. 이것에 의해, 나머지의 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd의 처리가 반복된다. 그리고, 단계 S170에서 모든 웨이퍼의 처리가 종료했다고 판단한 경우는, 일련의 웨이퍼 반송 제어를 종료한다.
다음으로, 이러한 웨이퍼 반송 제어의 상세에 대해 설명한다. 예컨대, 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 각각 1개(도 4에서 L=1, m=1, n=1)로 설정되어 있는 경우에는, 각 카세트 용기(134A, 134B, 134C)로부터 반출되는 웨이퍼의 순서로서, 통상시 반출 패턴은 도 5(a)에 나타낸 바와 같이 되고, 인터럽트시 반출 패턴은 도 5(b)에 나타낸 바와 같이 된다.
이러한 설정 조건으로 웨이퍼 반송 제어를 행하면, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌려 있지 않은 동안에는, 도 5(a)에 나타내는 통상시 반출 패턴의 순서로 각 웨이퍼 Wp, Wd를 반송한다. 즉, 도 8에 나타내는 제 1 사이클과 같이 카세트 용 기(134A)로부터 제품 웨이퍼 Wp를 1개 반출한 후, 카세트 용기(134B)로부터 더미 웨이퍼 Wd를 1개 반출한다고 하는 사이클을 반복하고, 이들 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd를 이 순서로 처리실(210A)로 반송한다. 그리고, 처리실(210A)에서는 제품 웨이퍼 Wp가 반입되면 그 제품 웨이퍼 Wp에 대하여 소정의 에칭 처리가 실시되고, 더미 웨이퍼 Wd가 반입되면 처리실(210A) 내의 클리닝 처리가 행하여진다.
이 때, 예컨대, 제 2 사이클의 도중(예컨대, 제품 웨이퍼 Wp의 반출 직후)에, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 수용되어 있는 카세트 용기(134C)가 세트되어 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸다고 하면, 그 제 2 사이클이 종료하기까지는, 도 5(a)에 나타내는 통상시 반출 패턴으로 웨이퍼 Wp, Wd를 반출한다. 즉, 더미 웨이퍼 Wd를 반출하여 제 2 사이클의 웨이퍼의 반출을 종료시킨다.
그리고, 도 8에 나타낸 바와 같이 다음 제 3 사이클에 있어서 도 5(b)에 나타내는 인터럽트시 반출 패턴의 순서로 웨이퍼 Wf, Wd를 반출한다. 즉, 카세트 용기(134C)로부터 인터럽트 웨이퍼 Wf를 1개 반출한 후, 카세트 용기(134B)로부터 더미 웨이퍼 Wd를 1개 반출한다고 하는 사이클을 한번만 실행하고, 이들 인터럽트 웨이퍼 Wf, 더미 웨이퍼 Wd를 이 순서로 처리실(210A)로 반송한다. 그리고, 처리실(210A)에서는 인터럽트 웨이퍼 Wf가 반입되면 그 인터럽트 웨이퍼 Wf에 대하여 제품 웨이퍼 Wp와 같은 에칭 처리가 실시되고, 더미 웨이퍼 Wd가 반입되면 처리실(210A) 내의 클리닝 처리가 행하여진다.
이것에 의해, 인터럽트 웨이퍼 Wf는, 반드시 앞의 사이클이 종료한 후(여기서는 더미 웨이퍼 Wd의 뒤)에 반출되게 되기 때문에, 반출 패턴이 흐트러지는 경우 는 없고, 클리닝 처리의 타이밍이 흐트러지는 경우도 없다. 또한, 인터럽트시 반출 패턴은, 통상시 반출 패턴에서의 제품 웨이퍼 Wp를 인터럽트 웨이퍼 Wf로 치환한 것이기 때문에, 1 로트분의 처리 도중에 이러한 인터럽트 반출 패턴에 의해 각 웨이퍼 Wf, Wd를 반출하더라도, 1 로트분 전체의 반출 패턴이 흐트러지는 경우는 없고, 클리닝 처리의 타이밍이 흐트러지는 경우도 없다. 이것에 의해, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 처리를 행하더라도 처리실(210A) 내의 상태가 흐트러지는 것을 방지할 수 있고, 웨이퍼의 처리 결과에 편차를 방지할 수 있다.
이러한 인터럽트 웨이퍼 Wf는 웨이퍼 W의 프로세스 처리 후의 상태(예컨대, 표면층의 막 두께, 배선홈이나 게이트 전극 등의 CD값 등의 프로세스 처리 결과, 웨이퍼 W의 표면에서의 파티클수 등)를 측정하기 위한 측정 웨이퍼로서 이용할 수 있다. 이 경우에는, 인터럽트 웨이퍼 Wf는 처리실(210A)로 반송되면 제품 웨이퍼 Wp와 같은 프로세스 처리가 행하여진다. 그리고, 처리실(210A)에서의 처리가 종료하면, 측정실(300)에 반송되어 소정의 측정 처리가 행하여져, 측정 처리가 종료하면 카세트 용기(134C)에 되돌려진다. 이 때, 본 실시예에서는 인터럽트 웨이퍼 Wf(여기서는 측정 웨이퍼)를 끼어들게 하더라도 반출 패턴이 흐트러지는 일이 없다. 이것 때문에, 측정 웨이퍼인 인터럽트 웨이퍼 Wf에 관해서도 제품 웨이퍼 Wp와 같은 처리실 내 상태에서 프로세스 처리가 행하여지기 때문에, 제품 웨이퍼 Wp와 인터럽트 웨이퍼 Wf와의 사이에서도 프로세스 처리 결과에 편차가 생기는 일도 없다. 이것에 의해, 어떠한 타이밍에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌려도, 측정 웨이퍼인 인터럽트 웨이퍼 Wf는 항상 제품 웨이퍼 Wp와 같은 처리 결과가 얻어진다. 따라서, 그와 같은 측정 웨이퍼를 이용하여 측정 처리를 행하는 것에 의해, 프로세스 처리 결과를 정확히 측정할 수 있다.
다음으로, 웨이퍼 반송 제어의 다른 구체예에 대하여 설명한다. 예컨대, 제품 웨이퍼 Wp가 2개, 더미 웨이퍼 Wd가 1개, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 2개(도 4에서 L=2, m=1, n=2)로 설정되어 있는 경우에는, 각 카세트 용기(134A, 134B, 134C)로부터 반출되는 웨이퍼의 순서로서, 통상시 반출 패턴은 도 9(a)에 나타낸 바와 같이 되고, 인터럽트시 반출 패턴은 도 9(b)에 나타낸 바와 같이 된다.
이러한 설정 조건으로 웨이퍼 반송 제어를 행하면, 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌려 있지 않은 동안에는, 도 9(a)에 나타내는 통상시 반출 패턴의 순서로 웨이퍼 Wp, Wd를 반송한다. 즉, 도 10의 제 1 사이클에 나타낸 바와 같이 제품 웨이퍼 Wp를 2개 연속하여 반출한 후, 더미 웨이퍼 Wd를 1개 반출한다고 하는 사이클을 반복하고, 이들 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd를 이 순서로 처리실(210A)로 반송한다. 그리고, 처리실(210A)에서는 제품 웨이퍼 Wp가 반입되면 그 제품 웨이퍼 Wp에 대하여 소정의 에칭 처리가 실시되고, 더미 웨이퍼 Wd가 반입되면 처리실(210A) 내의 클리닝 처리가 행하여진다.
이 때, 예컨대, 제 1 사이클의 도중(예컨대, 2개째의 제품 웨이퍼 Wp의 반출직후)에, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 수용되어 있는 카세트 용기(134C)가 세트되어 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌렸다고 하면, 그 제 1 사이클이 종료하기까지는, 도 9(a)에 나타내는 통상시 반출 패턴으로 각 웨이퍼 Wp, Wd를 반송한다. 즉, 카세트 용기(134A)로부터 제품 웨이퍼 Wp를 2개 반출하고, 최후에 카세트 용기(134B)로부터 더미 웨이퍼 Wd를 반출하여 제 1 사이클을 종료시킨다.
그리고, 도 10에 나타낸 바와 같이 다음 제 2 사이클에서 도 9(b)에 나타내는 인터럽트시 반출 패턴의 순서로 각 웨이퍼 Wf, Wd를 반출한다. 즉, 카세트 용기(134C)로부터 인터럽트 웨이퍼 Wf를 2개 반출한 후, 카세트 용기(134B)로부터 더미 웨이퍼 Wd를 1개 반출한다고 하는 사이클을 한번만 실행하고, 이들 인터럽트 웨이퍼 Wf, 더미 웨이퍼 Wd를 이 순서로 처리실(210A)로 반송한다. 그리고, 처리실(210A)에서는 인터럽트 웨이퍼 Wf가 반입되면 그 인터럽트 웨이퍼 Wf에 대하여 제품 웨이퍼 Wp와 마찬가지인 에칭 처리가 실시되고, 더미 웨이퍼 Wd가 반입되면 처리실(210A) 내의 클리닝 처리가 행하여진다.
이것에 의해, 인터럽트 웨이퍼 Wf는, 반드시 앞의 사이클이 종료한 후(여기서는 더미 웨이퍼 Wd의 뒤)에 반출되게 되기 때문에, 반출 패턴이 흐트러지는 경우는 없고, 클리닝 처리의 타이밍이 흐트러지는 경우는 없다. 또한, 예컨대, 도 9(b)에 나타낸 바와 같이 인터럽트시 반출 패턴은, 도 9(a)에 나타내는 통상시 반출 패턴에서의 2개분의 제품 웨이퍼 Wp를 2개분의 인터럽트 웨이퍼 W로 치환한 것이기 때문에, 1 로트분의 처리 도중에 이러한 인터럽트시 반출 패턴에 의한 웨이퍼의 반출을 하더라도 전체의 반출 패턴이 흐트러지는 경우는 없고, 클리닝 처리의 타이밍이 흐트러지는 것도 없다. 이것에 의해, 처리실(210A) 내의 상태가 흐트러지는 것을 방지할 수 있고, 웨이퍼의 처리 결과에 편차를 방지할 수 있다.
또, 상술한 구체예에서는 인터럽트 웨이퍼 Wf의 설정 개수가, 연속하여 처리하는 제품 웨이퍼 Wp의 설정 개수와 같은 경우에 대하여 설명했지만, 반드시 이것 에 한정되는 것이 아니라, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 설정 개수는, 연속하여 처리하는 제품 웨이퍼 Wp의 설정 개수보다 적더라도 좋고, 또한 많더라도 좋다.
인터럽트 웨이퍼 Wf의 설정 개수가 제품 웨이퍼 Wp의 설정 개수와 같은 경우에, 인터럽트시 반출 패턴을 설정하기 위해서는, 상술한 바와 같이 통상시 반출 패턴의 제품 웨이퍼 Wp를 전부 인터럽트 웨이퍼 Wf로 치환한 것만으로 충분하다. 이것에 대하여, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 설정 개수가 제품 웨이퍼 Wp의 설정 개수보다 적은 경우에, 인터럽트시 반출 패턴을 설정하기 위해서는, 통상시 반출 패턴의 제품 웨이퍼 Wp의 일부를 인터럽트 웨이퍼 Wf로 치환하도록 하면 바람직하다.
구체적으로는, 예컨대, 통상시 반출 패턴이 2개의 제품 웨이퍼 Wp, 1개의 더미 웨이퍼 Wd의 순서로 설정되어 있는 경우에, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 1개로 설정되어 있는 경우에는, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 반출 패턴을, 예컨대, 도 11에 나타낸 바와 같이 1개의 인터럽트 웨이퍼 Wf, 1개의 제품 웨이퍼 Wp, 1개의 더미 웨이퍼 Wd의 순서로 하면 바람직하다. 이것에 의해, 예컨대, 도 12에 나타낸 바와 같이 제 1 사이클의 도중에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌린 경우는, 다음 제 2 사이클에서 인터럽트 웨이퍼 Wf, 제품 웨이퍼 Wp, 더미 웨이퍼 Wd의 순서로 반출된다.
또, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 설정 개수가 제품 웨이퍼 Wp의 설정 개수보다 많은 경우에, 복수의 인터럽트시 반출 패턴으로 결정하고, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 수만 순서대로 제품 웨이퍼 Wp를 치환하도록 하면 된다. 구체적으로는 예컨대, 통상시 반출 패턴이 2개의 제품 웨이퍼 Wp, 1개의 더미 웨이퍼 Wd로 설정되어 있는 경우에, 인터럽트 웨이퍼 Wf가 3개로 설정되어 있는 경우에는, 인터럽트 웨이퍼 Wf의 반출 패턴을 예컨대, 도 13(a)에 나타내는 제 1 인터럽트시 반출 패턴과, 도 13(b)에 나타내는 제 2 인터럽트시 반출 패턴으로 결정하면 바람직하다. 제 1 인터럽트시 반출 패턴은, 2개의 인터럽트 웨이퍼 Wf, 1개의 더미 웨이퍼 Wd의 순서이며, 제 2 인터럽트시 반출 패턴은, 1개의 인터럽트 웨이퍼 Wf, 1개의 제품 웨이퍼 Wp, 1개의 더미 웨이퍼 Wd의 순서이다.
이것에 의해, 예컨대, 도 14에 나타낸 바와 같이 제 1 사이클의 도중에서 인터럽트 개시 버튼(144)이 눌린 경우는, 다음 제 2 사이클에서 제 1 인터럽트시 반출 패턴에 의한 각 웨이퍼 Wf, Wd를 반출하고, 제 3 사이클에서 제 2 인터럽트시 반출 패턴에 의한 각 웨이퍼 Wf, Wp, Wd를 반출한다. 즉, 제 2 사이클에서는 2개의 인터럽트 웨이퍼 Wf, 1개의 더미 웨이퍼 Wd의 순서로 반출하고, 제 3 사이클에서는 1개의 인터럽트 웨이퍼 Wf, 1개의 제품 웨이퍼 Wp, 1개의 더미 웨이퍼 Wd의 순서로 반출한다. 이와 같이, 인터럽트시의 반출 패턴을 인터럽트 웨이퍼 Wf의 개수에 따라 결정하는 것에 의해, 클리닝 처리의 타이밍을 흐트러지게 하지 않고, 소망의 개수만큼 끼어들 수 있다.
또, 상기 실시예에서는, 카세트 용기(134A~134C)로부터 반출한 웨이퍼를 처리실(210A)에만 반송하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 카세트 용기(134A~134C)로부터 반출한 웨이퍼를 처리실(210B)에만 반송하는 경우도 마찬가지로 웨이퍼 반송 제어가 행하여진다.
또, 처리실(210A, 210B)의 양쪽에 반송하는 경우에는, 각 처리실(210A, 210B)마다 통상시 반출 패턴 및 인터럽트시 반출 패턴을 기억해 두고, 또한 인터럽 트 웨이퍼 Wf를 어떤 처리실로 반송하여 처리시키는지를 미리 설정해두는 것으로, 상기와 마찬가지로 웨이퍼 반송 제어를 행할 수 있다. 이 경우에, 카세트 용기(134A~134C)로부터 각 웨이퍼를 반출시키기 위해서는, 각 처리실(210A, 210B)의 통상시 반출 패턴(또는 인터럽트시 반출 패턴)에 근거하여 각 처리실(210A, 210B)마다, 예컨대, 1개씩 반출하도록 할 수도 있고, 반출 패턴마다 반출하도록 할 수도 있다. 또한, 각 처리실(210A, 210B)의 통상시 반출 패턴(또는 인터럽트시 반출 패턴)은 같더라도 좋고, 또한 다르더라도 좋다.
또, 처리실(210A, 210B)의 어느 쪽이든 먼저 종료한 쪽에 웨이퍼를 반송하는, 소위 OR 반송을 행하는 경우라도, 인터럽트 웨이퍼 Wf를 반송하는 처리실을 미리 설정해 두는 것으로 상기와 같은 웨이퍼 반송 제어를 행할 수 있다.
또, 상기 실시예에서는, 카세트 용기로부터 반출하는 웨이퍼의 반출 패턴으로서 1개 또는 복수개의 제품 웨이퍼 Wp의 후에 더미 웨이퍼 Wd를 반출하는 경우에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 더미 웨이퍼 Wd를 최초에 반출하여 처리실 내의 조건을 구비하고 나서 1개 또는 복수개의 제품 웨이퍼 Wp를 반출하는 반출 패턴이더라도 좋다.
또, 상기 실시예에서는, 본 발명을 2개의 처리실(210A, 210B)을 구비하는 기판 처리 장치(100)에 적용한 경우에 대하여 설명했지만, 반드시 이것에 한정되는 것이 아니라, 하나의 처리실만을 구비하는 기판 처리 장치에 적용할 수도 있다. 또한, 3개 이상의 처리실을 구비하는 기판 처리 장치(100)에 적용할 수도 있다.
또, 상기 실시예에 의해 상술한 본 발명에 관해서는, 복수의 기기로 구성되 는 시스템에 적용하더라도, 하나의 기기로 이루어지는 장치에 적용할 수도 있다. 상술한 실시예의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램을 기억한 기억 매체 등의 매체를 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터(또는 CPU나 MPU)가 기억 매체 등의 매체에 기억된 프로그램을 판독하여 실행하는 것에 의해서도, 본 발명이 달성될 수 있다.
이 경우, 기억 매체 등의 매체로부터 판독된 프로그램 자체가 상술한 실시예의 기능을 실현하게 되어, 그 프로그램을 기억한 기억 매체 등의 매체는 본 발명을 구성하게 된다. 프로그램을 공급하기 위한 기억 매체 등의 매체로서는, 예컨대, 플로피(등록상표) 디스크, 하드디스크, 광 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW, 자기테이프, 불휘발성의 메모리 카드, ROM 등을 들 수 있다. 또한, 매체에 대하여 프로그램을, 네트워크를 통해 다운로드하여 제공하는 것도 가능하다.
또, 컴퓨터가 판독한 프로그램을 실행하는 것에 의해, 상술한 실시예의 기능이 실현되는 것뿐만 아니라, 그 프로그램의 지시에 근거하여, 컴퓨터 상에서 가동되고 있는 OS 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시예의 기능이 실현되는 경우도, 본 발명에 포함된다.
또한, 기억 매체 등의 매체로부터 판독된 프로그램이, 컴퓨터에 삽입된 기능확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램의 지시에 근거하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시예의 기 능이 실현되는 경우도, 본 발명에 포함된다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 물론이다. 당업자이면, 특허 청구 범위에 기재된 범주내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 도출할 수 있는 것은 분명하고, 그들에 관해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
예컨대, 상기 실시예에서는, 예컨대, 처리 유닛을 처리실에 로드록실을 접속하여 구성하고, 반송 유닛에 복수의 처리 유닛을 병렬로 접속한 소위 탠덤형의 기판 처리 장치를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 처리 유닛을 공통 반송실의 주위에 복수의 처리실을 접속하여 구성한 소위 클러스터툴형의 기판 처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다. 이 경우에, 제품 웨이퍼 Wp가 복수의 처리실을 떠돌아다니는 것과 같은 경로로 처리되는 경우에는, 인터럽트 웨이퍼 Wf에 관해서도 마찬가지의 경로로 마찬가지로 처리되도록 하여도 좋다. 이것에 의해, 제품 웨이퍼 Wp의 1 로트분의 처리 도중에서 인터럽트 웨이퍼 Wf를 측정 웨이퍼로서 이용할 수 있고, 그와 같이 하더라도 웨이퍼의 반출 패턴이 흐트러지는 경우는 없고, 각 처리실 내의 상태가 흐트러지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은, 기판 수납 용기로부터 기판을 한 개씩 반출하여 처리실로 반송하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 그 기판 반송 방법에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명을 적용 가능한 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도,
도 2는 도 1에 나타내는 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도,
도 3은 도 1에 나타내는 제어부의 구성예를 나타내는 블록도,
도 4는 동 실시예에서의 각 웨이퍼의 설정 개수를 기억하는 데이터 테이블의 구체예를 나타내는 도면,
도 5(a)는 동 실시예에서의 통상시 반출 패턴의 구체예를 나타내는 도면,
도 5(b)는 동 실시예에서의 인터럽트시 반출 패턴의 구체예를 나타내는 도면,
도 6은 동 실시예에서의 웨이퍼의 반출 이력의 구체예를 나타내는 도면,
도 7은 도 1에 나타내는 제어부가 행하는 웨이퍼 반송 제어의 일례를 나타내는 흐름도,
도 8은 도 5(a), 도 5(b)에 나타내는 반출 패턴에 근거하는 웨이퍼 반출 순서의 일례를 나타내는 도면,
도 9(a)는 동 실시예에서의 통상시 반출 패턴의 다른 구체예를 나타내는 도면,
도 9(b)는 동 실시예에서의 인터럽트시 반출 패턴의 다른 구체예를 나타내는 도면,
도 10은 도 9(a), 도 9(b)에 나타내는 반출 패턴에 근거하는 웨이퍼 반출 순 서의 일례를 나타내는 도면,
도 11은 도 9(b)에 나타내는 인터럽트시 반출 패턴의 다른 구체예를 나타내는 도면,
도 12는 도 9(a), 도 11에 나타내는 각 반출 패턴에 근거하는 웨이퍼 반출 순서의 일례를 나타내는 도면,
도 13(a)는 도 9(b)에 나타내는 인터럽트시 반출 패턴의 또 다른 구체예를 나타내는 도면으로서, 제 1 인터럽트시 반출 패턴을 나타내는 도면,
도 13(b)는 도 13(a)에 연속하는 제 2 인터럽트시 반출 패턴을 나타내는 도면,
도 14는 도 9(a), 도 13(a), 도 13(b)에 나타내는 각 반출 패턴에 근거하는 웨이퍼 반출 순서의 일례를 나타내는 도면.
부호의 설명
100 : 기판 처리 장치 110(110A, 110B) : 진공 처리 유닛
120 : 반송 유닛 130 : 반송실
132A~132C : 카세트대 134A~134C : 카세트 용기
136A~136C : 로드포트 137 : 오리엔터
138 : 회전 탑재대 139 : 광학 센서
140 : 조작부 140A, 140B : 처리실
142 : 조작 패널 144 : 인터럽트 개시 버튼
150A, 150B : 로드록실 152A, 152B : 게이트 밸브
154A, 154B : 버퍼용 탑재대 156A, 156B : 버퍼용 탑재대
160 : 공통 반송 기구 162 : 기대
170A, 170B : 개별 반송 기구 172A, 172B : 픽
200(200A, 200B) : 플라즈마 처리 장치
210(210A, 210B) : 처리실 211(211A, 211B) : 서셉터
212 : 배기로 213 : 배플판
214 : APC 밸브 215 : TMP
216 : DP 217 : 배기관
218 : 고주파 전원 219 : 정합기
220 : 전극판 222 : 직류 전원
224 : 포커스링 225 : 냉매실
226 : 배관 227 : 전열 가스 공급 구멍
228 : 전열 가스 공급 라인 229 : 전열 가스 공급관
230 : 푸셔핀 231 : 반입출구
232 : 게이트 밸브 232A, 232B : 게이트 밸브
233 : 상부 전극 234 : 가스 공기통
235 : 전극판 236 : 전극 지지체
237 : 버퍼실 238 : 처리 가스 도입관
250 : 도선 251 : 스위치
252 : 고주파 전원 300 : 측정실
302 : 탑재대 304 : 광학 센서
400 : 제어부 410 : CPU
420 : 메모리 430 : 통지부
440 : 각종 제어기 450 : 프로그램 기억부
452 : 웨이퍼 반송 프로그램 460 : 데이터 기억부
462 : 웨이퍼 반송 관련 데이터 W : 웨이퍼
Wd : 더미 웨이퍼 Wf : 인터럽트 웨이퍼
Wp : 제품 웨이퍼

Claims (11)

  1. 기판 수납 용기로부터 기판을 한 개씩 반출하여 처리실로 반송하고, 상기 기판에 대한 프로세스 처리와 상기 처리실 내의 클리닝 처리를 반복하여 행하는 기판 처리 장치의 기판 반송 방법으로서,
    상기 기판 처리 장치는, 제품 기판과 같은 프로세스 처리를 실시하는 인터럽트 기판의 처리를 소정의 타이밍에서 개시시키기 위한 인터럽트 개시 버튼과,
    상기 프로세스 처리에 이용하는 상기 제품 기판과 상기 클리닝 처리에 이용하는 더미 기판을 상기 기판 수납 용기로부터 반출시키는 순서를 규정하는 통상시의 반출 패턴과, 이 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판을 소정 개수만큼 상기 인터럽트 기판으로 치환한 인터럽트시의 반출 패턴과, 상기 기판 수납 용기로부터 반출한 기판의 반출 이력을 기억하는 기억부
    를 구비하고,
    상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러졌는지 여부를 판단하는 단계와,
    상기 인터럽트 개시 버튼이 눌려 있지 않은 동안에는, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하여 행하는 단계와,
    상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러지면, 상기 반출 이력에 근거하여 그 때의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단하고, 그 사이클이 종료했다고 판단한 경우는 그 직후에, 또한 그 사이클이 종료하지 않았다고 판단한 경우는 그 사이 클이 종료하기까지 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행한 후에, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행하고, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료하면, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어로 복귀하는 단계
    를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 통상시의 반출 패턴은 미리 설정된 상기 제품 기판의 개수에 근거하여 결정하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 통상시의 반출 패턴은, 1개 또는 복수개의 상기 제품 기판의 뒤에 1개의 상기 더미 기판이 반출되는 순서인 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 통상시 또는 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부 는, 상기 반출 이력에 근거하여 상기 인터럽트 개시 버튼의 누름 직전에 반출된 기판이 상기 더미 기판인지 여부로 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 인터럽트시의 반출 패턴은, 미리 설정된 상기 인터럽트 기판의 개수에 근거하여 결정하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 인터럽트 기판의 설정 개수가 상기 제품 기판의 설정 개수 이하인 경우에는, 상기 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판의 전부 또는 일부를 치환한 하나의 반출 패턴을 상기 인터럽트시의 반출 패턴으로서 결정하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 인터럽트 기판의 설정 개수가 상기 제품 기판의 설정 개수를 초과하는 경우에는, 상기 통상시의 반출 패턴 중의 제품 기판의 전부 또는 일부를 치환한 복수의 반출 패턴을 상기 인터럽트시의 반출 패턴으로서 결정하는 것을 특징으로 하 는 기판 반송 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인터럽트 기판은, 상기 프로세스 처리 후의 상태를 측정하기 위한 측정 기판인 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.
  9. 기판 수납 용기로부터 기판을 한 개씩 반출하여 처리실로 반송하고, 기판에 대한 프로세스 처리와 상기 처리실 내의 클리닝 처리를 반복하여 행하는 기판 처리 장치로서,
    제품 기판과 같은 프로세스 처리를 실시하는 인터럽트 기판의 처리를 소정의 타이밍에서 개시시키기 위한 인터럽트 개시 버튼과,
    상기 프로세스 처리에 이용하는 상기 제품 기판과 상기 클리닝 처리에 이용하는 더미 기판을 상기 기판 수납 용기로부터 반출시키는 순서를 규정하는 통상시의 반출 패턴과, 이 통상시의 반출 패턴중의 제품 기판을 소정 개수만큼 상기 인터럽트 기판으로 치환한 인터럽트시의 반출 패턴과, 상기 기판 수납 용기로부터 반출한 기판의 반출 이력을 기억하는 기억부와,
    상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러졌는지 여부를 판단하여, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌려 있지 않은 동안에는, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하여 행하고, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러지면, 상기 반출 이력에 근거하여 그 때의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단하고, 그 사이클이 종료했다고 판단한 경우는 그 직후에, 또한 그 사이클이 종료하지 않았다고 판단한 경우는 그 사이클이 종료하기까지 상기 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행한 후에, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행하고, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료하면, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어로 복귀하는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    기판에 대하여 소정의 측정 처리를 행하는 측정실을 더 구비하고,
    상기 인터럽트 기판은 상기 프로세스 처리 후의 상태를 측정하기 위한 측정 기판이며,
    상기 제어부는, 상기 프로세스 처리가 실시된 인터럽트 기판을, 상기 측정실에 반송하여 소정의 측정 처리를 더 실시하는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 기판 수납 용기로부터 기판을 한 개씩 반출하여 복수의 처리실로 반송하고, 상기 각 처리실에서 기판에 대한 프로세스 처리와 상기 처리실 내의 클리닝 처리를 반복하여 행하는 기판 처리 장치로서,
    제품 기판과 같은 프로세스 처리를 실시하는 인터럽트 기판의 처리를 소정의 타이밍에서 개시시키기 위한 인터럽트 개시 버튼과,
    상기 프로세스 처리에 이용하는 상기 제품 기판과 상기 클리닝 처리에 이용하는 더미 기판을 상기 기판 수납 용기로부터 반출시키는 순서를 각 처리실마다 규정하는 통상시의 반출 패턴과, 이 통상시의 반출 패턴 중의 제품 기판을 소정 개수만큼 상기 인터럽트 기판으로 치환한 상기 각 처리실마다의 인터럽트시의 반출 패턴과, 상기 기판 수납 용기로부터 반출한 기판의 상기 각 처리실마다의 반출 이력을 기억하는 기억부와,
    상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러졌는지 여부를 판단하여, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌려 있지 않은 동안에는, 상기 각 처리실마다 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하여 행하고, 상기 인터럽트 개시 버튼이 눌러지면, 상기 인터럽트 기판의 처리를 행하지 않는 처리실에 관해서는 그대로 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 반복하여 행하고, 상기 인터럽트 기판의 처리를 행하는 처리실에 관해서는, 상기 반출 이력에 근거하여 그 때의 반출 패턴의 사이클이 종료했는지 여부를 판단하고, 그 사이클이 종료했다고 판단한 경우는 그 직후에, 또한 그 사이클이 종료하지 않았다고 판단한 경우는 그 사이클이 종료 하기까지 상기 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행한 후에, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어를 행하고, 상기 인터럽트시의 반출 패턴의 사이클이 종료하면, 상기 통상시의 반출 패턴의 순서로 상기 기판 수납 용기로부터 각 기판을 반출시키는 제어로 복귀하는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020090032360A 2008-04-28 2009-04-14 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치 KR101044188B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008117043A JP5294681B2 (ja) 2008-04-28 2008-04-28 基板処理装置及びその基板搬送方法
JPJP-P-2008-117043 2008-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090113762A KR20090113762A (ko) 2009-11-02
KR101044188B1 true KR101044188B1 (ko) 2011-06-28

Family

ID=41215173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090032360A KR101044188B1 (ko) 2008-04-28 2009-04-14 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8145339B2 (ko)
JP (1) JP5294681B2 (ko)
KR (1) KR101044188B1 (ko)
CN (1) CN101572221B (ko)
TW (1) TWI466218B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5433290B2 (ja) * 2009-04-20 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び制御装置
JP2011054619A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5575507B2 (ja) * 2010-03-02 2014-08-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置のメンテナンス方法
JP5947030B2 (ja) * 2010-12-28 2016-07-06 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理方法、基板処理装置
JP5972587B2 (ja) * 2012-02-01 2016-08-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
TWI725303B (zh) * 2012-02-10 2021-04-21 美商布魯克斯自動機械公司 基材處理設備
JP2013191770A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Tokyo Electron Ltd 成膜装置の安定化方法及び成膜装置
JP2014116545A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP6105436B2 (ja) * 2013-08-09 2017-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP6420609B2 (ja) * 2013-11-21 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送方法および基板処理装置
JP6600081B2 (ja) * 2016-04-08 2019-10-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US10867821B2 (en) * 2018-09-11 2020-12-15 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer robot and method of teaching edge position of target body
JP7499105B2 (ja) * 2020-08-03 2024-06-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188231A (ja) * 1992-12-21 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理方法及びその装置
KR19980024479A (ko) * 1996-09-11 1998-07-06 가나이 쯔도무 진공처리장치의 운전방법 및 진공처리장치
JP2001102427A (ja) 1999-10-01 2001-04-13 Hitachi Ltd プロセス処理方法およびその装置並びに半導体製造ラインおよび半導体製造ラインにおける被処理基板の搬送方法
KR100856816B1 (ko) 2006-03-15 2008-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 기판 처리 장치,프로그램을 기록한 기록 매체

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63169738A (ja) * 1987-01-07 1988-07-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JP3384292B2 (ja) * 1997-08-20 2003-03-10 株式会社日立製作所 真空処理装置の運転方法及び真空処理装置
EP1255294A4 (en) * 2000-01-17 2009-01-21 Ebara Corp SEMI-SLIDE TRANSPORT CONTROL APPARATUS AND METHOD OF TRANSPORTING SEMICONDUCTED DISCS
US7031792B2 (en) * 2001-04-04 2006-04-18 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and information storage apparatus and method
US6889105B2 (en) * 2001-05-16 2005-05-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Scheduling method and program for a substrate processing apparatus
JP2003045947A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
US20030074098A1 (en) * 2001-09-18 2003-04-17 Cheung Robin W. Integrated equipment set for forming an interconnect on a substrate
TWI328164B (en) * 2002-05-29 2010-08-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for monitoring tool performance
US7295279B2 (en) * 2002-06-28 2007-11-13 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. System and method for manufacturing liquid crystal display devices
KR101025527B1 (ko) * 2002-09-30 2011-04-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 제조 프로세스의 모니터링 및 제어를 위한 방법 및장치
JP4170864B2 (ja) * 2003-02-03 2008-10-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法
JP4233908B2 (ja) * 2003-04-02 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
EP1732524B1 (en) * 2004-03-30 2012-08-22 Relypsa, Inc. Methods and compositions for treatment of ion imbalances
JP2006179528A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム
JP2006277298A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、履歴情報記録方法、履歴情報記録プログラム及び履歴情報記録システム
JP4781832B2 (ja) * 2006-02-01 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
US20070215180A1 (en) 2006-03-15 2007-09-20 Tokyo Electron Limited Cleaning method of substrate processing equipment, substrate processing equipment, and recording medium for recording program thereof
JP2007258396A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置及び方法
US20070250202A1 (en) * 2006-04-17 2007-10-25 Tokyo Electron Limited Coating and developing system, method of controlling coating and developing system and storage medium
DE102006025407A1 (de) * 2006-05-31 2007-12-06 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum dynamischen Ändern der Transportsequenz in einer Cluster-Anlage
US20080226826A1 (en) * 2006-06-26 2008-09-18 Tokyo Electon Limited Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06188231A (ja) * 1992-12-21 1994-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理方法及びその装置
KR19980024479A (ko) * 1996-09-11 1998-07-06 가나이 쯔도무 진공처리장치의 운전방법 및 진공처리장치
JP2001102427A (ja) 1999-10-01 2001-04-13 Hitachi Ltd プロセス処理方法およびその装置並びに半導体製造ラインおよび半導体製造ラインにおける被処理基板の搬送方法
KR100856816B1 (ko) 2006-03-15 2008-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 기판 처리 장치,프로그램을 기록한 기록 매체

Also Published As

Publication number Publication date
JP5294681B2 (ja) 2013-09-18
JP2009267218A (ja) 2009-11-12
US8145339B2 (en) 2012-03-27
TW201009989A (en) 2010-03-01
TWI466218B (zh) 2014-12-21
CN101572221B (zh) 2011-01-05
CN101572221A (zh) 2009-11-04
US20090269171A1 (en) 2009-10-29
KR20090113762A (ko) 2009-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101044188B1 (ko) 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치
US11069548B2 (en) Substrate processing method and substrate processing system
US20100089423A1 (en) Cleaning method and storage medium
US8172949B2 (en) Substrate processing apparatus, program for performing operation and control method thereof, and computer readable storage medium storing the program
KR100856816B1 (ko) 기판 처리 장치의 클리닝 방법, 기판 처리 장치,프로그램을 기록한 기록 매체
US11804368B2 (en) Cleaning method and plasma processing apparatus
TW201714244A (zh) 基板運送裝置及基板運送方法
US20100218786A1 (en) Cleaning method of plasma processing apparatus and storage medium
US20070215180A1 (en) Cleaning method of substrate processing equipment, substrate processing equipment, and recording medium for recording program thereof
US9305814B2 (en) Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method
JP4789821B2 (ja) 基板処理装置の検査方法
JP2012074485A (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法並びにその方法を実施するためのプログラムを記憶する記憶媒体
US7416405B2 (en) Vertical type of thermal processing apparatus and method of using the same
US7337663B2 (en) Sonic energy process chamber
US9330950B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
US20080069669A1 (en) Substrate processing device, method of adjusting pressure in substrate processing device, and method of executing charge neutralization processing on mounting table of substrate processing device
JP5268659B2 (ja) 基板収納方法及び記憶媒体
JP4646941B2 (ja) 基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法
US20220349061A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-transitory Computer-readable Recording Medium
JP2023160648A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140530

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150515

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 9