KR101039236B1 - 면적 효율성을 고려한 충전 펌프 및 전압 생성 방법 - Google Patents
면적 효율성을 고려한 충전 펌프 및 전압 생성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101039236B1 KR101039236B1 KR1020067002634A KR20067002634A KR101039236B1 KR 101039236 B1 KR101039236 B1 KR 101039236B1 KR 1020067002634 A KR1020067002634 A KR 1020067002634A KR 20067002634 A KR20067002634 A KR 20067002634A KR 101039236 B1 KR101039236 B1 KR 101039236B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- vcc
- signal
- clock signal
- phase
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Steroid Compounds (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
Abstract
Description
Claims (21)
- 전압을 생성하기 위한 방법에 있어서,공급 전압(VCC)을 제공하는 단계;각각의 클럭 사이클들을 가진 클럭 신호를 제공하는 단계;2*VCC와 동일한 제 1 전압 신호를 생성하기 위하여 VCC 및 VCC를 덧셈하는 단계;3*VCC와 동일한 제 2 전압을 형성하기 위하여 제 1 신호에 VCC를 부가하는 단계; 및클럭 사이클에 응답하여 6*VCC와 동일한 제 3 전압 신호를 생성하기 위하여 제 2 전압 신호를 이배화하는 단계를포함하는, 전압 생성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 클럭 사이클에 응답하여 12*VCC와 동일한 제 4 전압 신호를 형성하기 위하여 제 3 전압 신호를 이배화하는 단계를 더 포함하는, 전압 생성 방법.
- 충전 펌프에 있어서,입력 전압(VCC)을 수신하는 제 1 전압 가산기 스테이지로서, 상기 제 1 전압 가산기 스테이지는 제 1 및 제 2 단계를 가진 클럭 신호에 응답하여 제 1 및 제 2 전압 신호를 제공하기 위하여 동작하고, 상기 제 1 전압 신호는 클럭 신호의 제 1 단계 동안 2*VCC와 같고 클럭 신호의 제 2 단계 동안 VCC와 같고, 상기 제 2 전압 신호는 제 1 전압 신호와 상보적인, 제 1 전압 가산기 스테이지와,입력 전압(VCC) 및 제 1과 제 2 전압 신호들을 수신하는 제 2 전압 가산기 스테이지로서, 상기 제 2 전압 가산기는 클럭 신호에 응답하여, 제 3 및 제 4 전압 신호를 제공하기 위하여 동작하고, 상기 제 3 전압 신호는 클럭 신호의 제 1 단계 동안 3*VCC와 동일하고 클럭 신호의 제 2 단계 동안 VCC와 동일하고, 상기 제 4 전압 신호는 상기 제 3 전압 신호와 서로 상보적인, 제 2 전압 가산기 스테이지와,상기 제 3 및 제 4 전압 신호를 수신하고, 제 5 및 제 6 전압 신호를 제공하는 제 1 전압 이배화기 스테이지를포함하는, 충전 펌프.
- 삭제
- 제 3 항에 있어서, 다수의 전압 이배화기 스테이지들을 더 포함하고, 0보다 큰 정수(k)에 대한 k번째 전압 이배화기 스테이지는 (2*k+1) 번째 및 (2*k+2)번째 전압 신호들을 수신하고, k번째 전압 이배화기 스테이지는 클럭 신호, (2*k+3)번째 및 (2*k+4) 번째 전압 신호들에 응답하여, 클럭 신호의 제 1 단계 동안 3*2k*VCC와 같고 클럭 신호의 제 2 단계 동안 3*2(k-1)*VCC와 같은 (2*k+3) 번째 전압 신호를 제공하도록 동작하고, (2*k+4)번째 전압 신호는 (2*k+3) 번째 전압 신호에 상보적인, 충전 펌프.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 전압 가산기 스테이지는 제 1 캐패시터를 포함하고, 충전 펌프는 클럭 신호에 응답하여 클럭 신호의 제 2 단계 동안 입력 전압(VCC)와 병렬로 제 1 캐패시터를 충전하고 클럭 신호의 제 1 단계 동안 입력 전압(VCC)와 직렬로 충전된 제 1 캐패시터를 결합하도록 구성되어, 제 1 캐패시터는 제 1 전압 신호를 제공할 수 있는, 충전 펌프.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 전압 가산기 스테이지는 제 2 캐패시터를 포함하고, 충전 펌프는 클럭 신호에 응답하여 클럭 신호의 제 1 단계 동안 입력 전압(VCC)와 병렬로 제 2 캐패시터를 충전하고 클럭 신호의 제 2 단계 동안 입력 전압(VCC)와 직렬로 충전된 제 2 캐패시터를 결합하도록 구성되어, 제 2 캐패시터는 제 2 전압 신호를 제공할 수 있는, 충전 펌프.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전압 가산기 스테이지는 제 3 캐패시터를 포함하고, 상기 충전 펌프는 클럭 신호에 응답하여, 클럭 신호의 제 2 단계 동안 입력 전압(VCC)과 병렬로 제 3 캐패시터를 충전하고 클럭 신호의 제 1 단계 동안 제 1 전압 신호와 직렬로 충전된 제 3 캐패시터를 결하도록 구성되어, 제 3 캐패시터는 제 3 전압 신호를 제공할 수 있는, 충전 펌프.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 전압 가산기 스테이지는 제 4 캐패시터를 포함하고, 충전 펌프는 클럭 신호에 응답하여, 클럭 신호의 제 1 단계 동안 입력 전압(VCC)와 병렬로 제 4 캐패시터를 충전하고 클럭 신호의 제 2 단계 동안 제 2 전압 신호와 병렬로 충전된 제 4 캐패시터를 결합하도록 구성되어, 제 4 캐패시터는 제 4 전압 신호를 제공할 수 있는, 충전 펌프.
- 제 1 항에 있어서,클럭 신호를 제공하는 단계를더 포함하고,상기 단계에서, 상기 클럭 신호의 제 1 단계 동안 2*VCC와 동일하고 상기 클럭 신호의 제 2 단계 동안 VCC와 동일한 상기 제 1 전압 신호를 생성하기 위해 입력 전압(VCC)을 가산하고,상기 단계에서, 상기 클럭 신호의 제 1 단계 동안 3*VCC와 같고 상기 클럭 신호의 제 2 단계 동안 VCC와 같은 제 2 전압 신호를 생성하기 위해 상기 제 1 전압 신호에 상기 입력 전압(VCC)을 부가하는, 전압 생성 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 클럭 신호에 응답하여 상기 제 2 전압 신호를 이배화하는 것은, 상기 클럭 신호의 제 1 단계 동안 6*VCC와 같고 상기 클럭 신호의 제 2 단계 동안 3*VCC와 같은 상기 제 3 전압 신호를 생성하는, 전압 생성 방법.
- 제 11 항에 있어서, 클럭 신호의 제 1 단계 동안 12*VCC와 같고 클럭 신호의 제 2 단계 동안 6*VCC와 같은 제 4 전압 신호를 생성하기 위해 클럭 신호에 응답하여 제 3 전압 신호를 이배화하는 단계를 더 포함하는, 전압 생성 방법.
- 제 12 항에 있어서, 클럭 신호의 제 2 단계 동안 2*VCC와 같고 클럭 신호의 제 1 단계 동안 VCC와 같은 제 5 전압 신호를 생성하기 위해 클럭 신호에 응답하여 입력 전압(VCC)을 부가하는 단계와,클럭 신호의 제 2 단계 동안 3*VCC와 같고 클럭 신호의 제 1 단계 동안 VCC와 같은 제 6 전압 신호를 생성하기 위해 클럭 신호에 응답하여 제 5 전압 신호에 입력 전압(VCC)을 부가하는 단계를 더 포함하는, 전압 생성 방법.
- 제 13 항에 있어서, 클럭 신호의 제 2 단계 동안 6*VCC와 같고 클럭 신호의 제 1 단계 동안 3*VCC와 같은 제 7 전압 신호를 생성하기 위해 클럭 신호에 응답하여 제 6 전압 신호를 이배화하는 단계를 더 포함하는, 전압 생성 방법.
- 제 14 항에 있어서, 클럭 신호의 제 2 단계 동안 12*VCC와 같고 클럭 신호의 제 1 단계 동안 6*VCC와 같은 제 8 전압 신호를 생성하기 위해 클럭 신호에 응답하는 제 7 전압 신호를 이배화하는 단계를 더 포함하는, 전압 생성 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 전압 가산기 스테이지는 유전체 층을 갖는 하나 이상의 커패시터를 포함하고, 상기 충전 펌프는 상기 유전체 층에서 두 가지 이상의 전압을 제공하고, 상기 두 가지 이상의 전압은 상기 충전 펌프의 상기 입력 전압(Vcc) 이하인, 충전 펌프.
- 제 19 항에 있어서, 상기 유전체 층은 개별 충전 펌프 스테이지의 전압 출력 미만인 브레이크다운 전압을 갖는, 충전 펌프.
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/636,839 | 2003-08-07 | ||
US10/636,839 US6922096B2 (en) | 2003-08-07 | 2003-08-07 | Area efficient charge pump |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060052973A KR20060052973A (ko) | 2006-05-19 |
KR101039236B1 true KR101039236B1 (ko) | 2011-06-07 |
Family
ID=34116483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067002634A KR101039236B1 (ko) | 2003-08-07 | 2004-07-27 | 면적 효율성을 고려한 충전 펌프 및 전압 생성 방법 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6922096B2 (ko) |
EP (1) | EP1652189B8 (ko) |
JP (1) | JP4768614B2 (ko) |
KR (1) | KR101039236B1 (ko) |
CN (1) | CN1856834B (ko) |
AT (1) | ATE373308T1 (ko) |
DE (1) | DE602004008935T2 (ko) |
TW (1) | TWI266170B (ko) |
WO (1) | WO2005017902A1 (ko) |
Families Citing this family (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6734718B1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-05-11 | Sandisk Corporation | High voltage ripple reduction |
US7397299B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-07-08 | The Hong Kong University Of Science And Technology | N-stage exponential charge pumps, charging stages therefor and methods of operation thereof |
US20070126494A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-07 | Sandisk Corporation | Charge pump having shunt diode for improved operating efficiency |
US7372320B2 (en) * | 2005-12-16 | 2008-05-13 | Sandisk Corporation | Voltage regulation with active supplemental current for output stabilization |
US20070139099A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Sandisk Corporation | Charge pump regulation control for improved power efficiency |
US20070229149A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-04 | Sandisk Corporation | Voltage regulator having high voltage protection |
US7554311B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-06-30 | Sandisk Corporation | Hybrid charge pump regulation |
US7368979B2 (en) | 2006-09-19 | 2008-05-06 | Sandisk Corporation | Implementation of output floating scheme for hv charge pumps |
US20080068068A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-20 | Sridhar Yadala | Method and system for charge pumps |
US7440342B2 (en) | 2006-12-29 | 2008-10-21 | Sandisk Corporation | Unified voltage generation method with improved power efficiency |
US7477092B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-01-13 | Sandisk Corporation | Unified voltage generation apparatus with improved power efficiency |
US7558129B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-07-07 | Sandisk 3D Llc | Device with load-based voltage generation |
US7580296B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-08-25 | Sandisk 3D Llc | Load management for memory device |
US7580298B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-08-25 | Sandisk 3D Llc | Method for managing electrical load of an electronic device |
US7515488B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-04-07 | Sandisk 3D Llc | Method for load-based voltage generation |
US8232833B2 (en) | 2007-05-23 | 2012-07-31 | Silicon Storage Technology, Inc. | Charge pump systems and methods |
US20090058507A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Prajit Nandi | Bottom Plate Regulated Charge Pump |
US8044705B2 (en) * | 2007-08-28 | 2011-10-25 | Sandisk Technologies Inc. | Bottom plate regulation of charge pumps |
KR100900965B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-06-08 | 한국전자통신연구원 | 고전압용 씨모스 전하 펌프 |
US7586362B2 (en) * | 2007-12-12 | 2009-09-08 | Sandisk Corporation | Low voltage charge pump with regulation |
US7586363B2 (en) * | 2007-12-12 | 2009-09-08 | Sandisk Corporation | Diode connected regulation of charge pumps |
US7969235B2 (en) | 2008-06-09 | 2011-06-28 | Sandisk Corporation | Self-adaptive multi-stage charge pump |
US20090302930A1 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-10 | Feng Pan | Charge Pump with Vt Cancellation Through Parallel Structure |
US8710907B2 (en) * | 2008-06-24 | 2014-04-29 | Sandisk Technologies Inc. | Clock generator circuit for a charge pump |
US7683700B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-03-23 | Sandisk Corporation | Techniques of ripple reduction for charge pumps |
KR20100011650A (ko) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 삼성전자주식회사 | 저전압 캐패시터로 구현되는 차치 펌프 및 이를 구비하는ddi |
US7795952B2 (en) * | 2008-12-17 | 2010-09-14 | Sandisk Corporation | Regulation of recovery rates in charge pumps |
US7973592B2 (en) * | 2009-07-21 | 2011-07-05 | Sandisk Corporation | Charge pump with current based regulation |
US8339183B2 (en) | 2009-07-24 | 2012-12-25 | Sandisk Technologies Inc. | Charge pump with reduced energy consumption through charge sharing and clock boosting suitable for high voltage word line in flash memories |
US20110148509A1 (en) | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Feng Pan | Techniques to Reduce Charge Pump Overshoot |
US8514630B2 (en) | 2010-07-09 | 2013-08-20 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of word-line leakage in memory arrays: current based approach |
US8432732B2 (en) | 2010-07-09 | 2013-04-30 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of word-line leakage in memory arrays |
US8305807B2 (en) | 2010-07-09 | 2012-11-06 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of broken word-lines in memory arrays |
US8106701B1 (en) | 2010-09-30 | 2012-01-31 | Sandisk Technologies Inc. | Level shifter with shoot-through current isolation |
KR101204569B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2012-11-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 고전압 발생기 및 고전압 발생 방법 |
US8294509B2 (en) | 2010-12-20 | 2012-10-23 | Sandisk Technologies Inc. | Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances |
US8339185B2 (en) | 2010-12-20 | 2012-12-25 | Sandisk 3D Llc | Charge pump system that dynamically selects number of active stages |
US8537593B2 (en) | 2011-04-28 | 2013-09-17 | Sandisk Technologies Inc. | Variable resistance switch suitable for supplying high voltage to drive load |
US8379454B2 (en) | 2011-05-05 | 2013-02-19 | Sandisk Technologies Inc. | Detection of broken word-lines in memory arrays |
US8750042B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-06-10 | Sandisk Technologies Inc. | Combined simultaneous sensing of multiple wordlines in a post-write read (PWR) and detection of NAND failures |
US8726104B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-05-13 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory and method with accelerated post-write read using combined verification of multiple pages |
US8775901B2 (en) | 2011-07-28 | 2014-07-08 | SanDisk Technologies, Inc. | Data recovery for defective word lines during programming of non-volatile memory arrays |
US8699247B2 (en) | 2011-09-09 | 2014-04-15 | Sandisk Technologies Inc. | Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program |
US8400212B1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-19 | Sandisk Technologies Inc. | High voltage charge pump regulation system with fine step adjustment |
US8514628B2 (en) | 2011-09-22 | 2013-08-20 | Sandisk Technologies Inc. | Dynamic switching approach to reduce area and power consumption of high voltage charge pumps |
US8395434B1 (en) | 2011-10-05 | 2013-03-12 | Sandisk Technologies Inc. | Level shifter with negative voltage capability |
US8730722B2 (en) | 2012-03-02 | 2014-05-20 | Sandisk Technologies Inc. | Saving of data in cases of word-line to word-line short in memory arrays |
US8710909B2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-04-29 | Sandisk Technologies Inc. | Circuits for prevention of reverse leakage in Vth-cancellation charge pumps |
US9810723B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-11-07 | Sandisk Technologies Llc | Charge pump based over-sampling ADC for current detection |
US9164526B2 (en) | 2012-09-27 | 2015-10-20 | Sandisk Technologies Inc. | Sigma delta over-sampling charge pump analog-to-digital converter |
CN103066832B (zh) * | 2012-12-07 | 2016-06-22 | 广州慧智微电子有限公司 | 一种能快速启动的电荷泵 |
US8836412B2 (en) | 2013-02-11 | 2014-09-16 | Sandisk 3D Llc | Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple |
US8981835B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-03-17 | Sandisk Technologies Inc. | Efficient voltage doubler |
US9024680B2 (en) | 2013-06-24 | 2015-05-05 | Sandisk Technologies Inc. | Efficiency for charge pumps with low supply voltages |
US9077238B2 (en) | 2013-06-25 | 2015-07-07 | SanDisk Technologies, Inc. | Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption |
US9007046B2 (en) | 2013-06-27 | 2015-04-14 | Sandisk Technologies Inc. | Efficient high voltage bias regulation circuit |
US9165683B2 (en) | 2013-09-23 | 2015-10-20 | Sandisk Technologies Inc. | Multi-word line erratic programming detection |
US9083231B2 (en) | 2013-09-30 | 2015-07-14 | Sandisk Technologies Inc. | Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency |
US9154027B2 (en) | 2013-12-09 | 2015-10-06 | Sandisk Technologies Inc. | Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption |
US9071236B1 (en) * | 2013-12-23 | 2015-06-30 | Nxp B.V. | Method and system for controlling a charge pump |
US9443612B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Determination of bit line to low voltage signal shorts |
US9460809B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-10-04 | Sandisk Technologies Llc | AC stress mode to screen out word line to word line shorts |
US9514835B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-12-06 | Sandisk Technologies Llc | Determination of word line to word line shorts between adjacent blocks |
US9484086B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-11-01 | Sandisk Technologies Llc | Determination of word line to local source line shorts |
US9379605B2 (en) | 2014-08-11 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Clocking circuit, charge pumps, and related methods of operation |
US9330776B2 (en) | 2014-08-14 | 2016-05-03 | Sandisk Technologies Inc. | High voltage step down regulator with breakdown protection |
US9202593B1 (en) | 2014-09-02 | 2015-12-01 | Sandisk Technologies Inc. | Techniques for detecting broken word lines in non-volatile memories |
US9240249B1 (en) | 2014-09-02 | 2016-01-19 | Sandisk Technologies Inc. | AC stress methods to screen out bit line defects |
US9449694B2 (en) | 2014-09-04 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory with multi-word line select for defect detection operations |
US9917507B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-03-13 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents |
US9647536B2 (en) | 2015-07-28 | 2017-05-09 | Sandisk Technologies Llc | High voltage generation using low voltage devices |
US9659666B2 (en) | 2015-08-31 | 2017-05-23 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic memory recovery at the sub-block level |
US9520776B1 (en) | 2015-09-18 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Selective body bias for charge pump transfer switches |
US9698676B1 (en) | 2016-03-11 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc | Charge pump based over-sampling with uniform step size for current detection |
US20190311749A1 (en) * | 2018-04-09 | 2019-10-10 | Anaflash Inc. | Logic Compatible Embedded Flash Memory |
US10461635B1 (en) | 2018-05-15 | 2019-10-29 | Analog Devices Global Unlimited Company | Low VIN high efficiency chargepump |
KR102491767B1 (ko) | 2018-11-05 | 2023-01-27 | 삼성전자주식회사 | 전압을 변환하기 위한 차지 펌프를 포함하는 전자 회로 |
US11599760B2 (en) | 2020-06-25 | 2023-03-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bi-directional voltage converter of smart card and smart card including the same |
US20230238873A1 (en) * | 2022-01-24 | 2023-07-27 | Stmicroelectronics S.R.L. | Voltage regulator circuit for a switching circuit load |
US11810626B2 (en) | 2022-02-11 | 2023-11-07 | Sandisk Technologies Llc | Generating boosted voltages with a hybrid charge pump |
WO2023223836A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 国立大学法人大阪大学 | 電源回路、パワーマネジメント回路及びセンサデバイス |
US11955196B2 (en) * | 2022-07-13 | 2024-04-09 | Nanya Technology Corporation | Memory device, voltage generating device and voltage generating method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5397931A (en) * | 1993-03-31 | 1995-03-14 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Voltage multiplier |
US5436587A (en) * | 1993-11-24 | 1995-07-25 | Sundisk Corporation | Charge pump circuit with exponetral multiplication |
US5801577A (en) * | 1995-12-26 | 1998-09-01 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | High voltage generator |
US6545529B2 (en) * | 2000-05-02 | 2003-04-08 | Hynix Semiconductor Inc. | High voltage generating circuit |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1364618A (en) * | 1971-12-03 | 1974-08-21 | Seiko Instr & Electronics | Voltage boosters |
JPS5245009B2 (ko) * | 1972-02-24 | 1977-11-12 | ||
DE2821418A1 (de) * | 1978-05-16 | 1979-11-22 | Siemens Ag | Taktgesteuerter gleichspannungswandler |
US4888738A (en) | 1988-06-29 | 1989-12-19 | Seeq Technology | Current-regulated, voltage-regulated erase circuit for EEPROM memory |
US5008799A (en) * | 1990-04-05 | 1991-04-16 | Montalvo Antonio J | Back-to-back capacitor charge pumps |
US5059815A (en) * | 1990-04-05 | 1991-10-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | High voltage charge pumps with series capacitors |
JPH04268294A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Nec Corp | 昇圧回路 |
EP0696839B1 (en) * | 1994-08-12 | 1998-02-25 | Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Voltage elevator of the charge pump type |
US5508971A (en) | 1994-10-17 | 1996-04-16 | Sandisk Corporation | Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems |
US5596532A (en) * | 1995-10-18 | 1997-01-21 | Sandisk Corporation | Flash EEPROM self-adaptive voltage generation circuit operative within a continuous voltage source range |
US5625544A (en) | 1996-04-25 | 1997-04-29 | Programmable Microelectronics Corp. | Charge pump |
KR100280434B1 (ko) * | 1998-01-23 | 2001-03-02 | 김영환 | 고전압발생회로 |
US6208542B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-03-27 | Sandisk Corporation | Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory |
US6044019A (en) | 1998-10-23 | 2000-03-28 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory with improved sensing and method therefor |
JP4427898B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2010-03-10 | 株式会社デンソー | 昇圧装置及びその制御方法 |
US6861894B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-03-01 | Sandisk Corporation | Charge pump with Fibonacci number multiplication |
-
2003
- 2003-08-07 US US10/636,839 patent/US6922096B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-27 WO PCT/US2004/024064 patent/WO2005017902A1/en active IP Right Grant
- 2004-07-27 KR KR1020067002634A patent/KR101039236B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-27 EP EP04779231A patent/EP1652189B8/en not_active Not-in-force
- 2004-07-27 CN CN2004800278897A patent/CN1856834B/zh active Active
- 2004-07-27 DE DE602004008935T patent/DE602004008935T2/de active Active
- 2004-07-27 JP JP2006522598A patent/JP4768614B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-27 AT AT04779231T patent/ATE373308T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-08-06 TW TW093123747A patent/TWI266170B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-06-21 US US11/158,557 patent/US7113023B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5397931A (en) * | 1993-03-31 | 1995-03-14 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Voltage multiplier |
US5436587A (en) * | 1993-11-24 | 1995-07-25 | Sundisk Corporation | Charge pump circuit with exponetral multiplication |
US5801577A (en) * | 1995-12-26 | 1998-09-01 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | High voltage generator |
US6545529B2 (en) * | 2000-05-02 | 2003-04-08 | Hynix Semiconductor Inc. | High voltage generating circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050237103A1 (en) | 2005-10-27 |
US7113023B2 (en) | 2006-09-26 |
EP1652189B8 (en) | 2008-02-13 |
WO2005017902A1 (en) | 2005-02-24 |
CN1856834A (zh) | 2006-11-01 |
TW200517805A (en) | 2005-06-01 |
WO2005017902A9 (en) | 2005-05-19 |
JP2007502096A (ja) | 2007-02-01 |
CN1856834B (zh) | 2011-09-07 |
DE602004008935D1 (de) | 2007-10-25 |
US20050030088A1 (en) | 2005-02-10 |
DE602004008935T2 (de) | 2008-04-30 |
TWI266170B (en) | 2006-11-11 |
KR20060052973A (ko) | 2006-05-19 |
US6922096B2 (en) | 2005-07-26 |
JP4768614B2 (ja) | 2011-09-07 |
EP1652189B1 (en) | 2007-09-12 |
EP1652189A1 (en) | 2006-05-03 |
ATE373308T1 (de) | 2007-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101039236B1 (ko) | 면적 효율성을 고려한 충전 펌프 및 전압 생성 방법 | |
US6501325B1 (en) | Low voltage supply higher efficiency cross-coupled high voltage charge pumps | |
US6359798B1 (en) | Charge pump voltage converter | |
US7030683B2 (en) | Four phase charge pump operable without phase overlap with improved efficiency | |
US6661682B2 (en) | High voltage generating charge pump circuit | |
KR100834195B1 (ko) | 전하펌프 전원 공급장치 | |
US6359501B2 (en) | Charge-pumping circuits for a low-supply voltage | |
US5818289A (en) | Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit | |
US5994949A (en) | Negative voltage charge pump particularly for flash EEPROM memories | |
WO1998020401A1 (en) | Positive/negative high voltage charge pump system | |
KR20080026612A (ko) | 광범위의 공급 전압들에서의 효율적인 전하 펌프 | |
US6674317B1 (en) | Output stage of a charge pump circuit providing relatively stable output voltage without voltage degradation | |
US6166585A (en) | Methods and apparatus for a high efficiency charge pump that includes a MOSFET capacitor operating in an accumulation region | |
US5831469A (en) | Multiplier improved voltage | |
EP0865149B1 (en) | High current CMOS charge pump, particularly for flash EEPROM memories | |
US5543668A (en) | Charge stacking on-chip high-voltage generator and method | |
Baderna et al. | Power efficiency evaluation in Dickson and voltage doubler charge pump topologies | |
US6078212A (en) | VT cancellation in output stage of charge pump | |
US7688001B2 (en) | Method and system for providing a charge pump for low voltage applications | |
JPH0974738A (ja) | 半導体装置 | |
EP0851562B1 (en) | High voltage charge pump, particularly for flash EEPROM memories | |
Yan et al. | An improved charge pump with high efficiency for low voltage operations |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140502 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150430 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160427 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170504 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180427 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 9 |