KR101034479B1 - 박막트랜지스터 액정디스플레이 백라이트 유니트용광학시트 및 그를 구비한 박막트랜지스터 액정디스플레이 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 액정디스플레이 백라이트 유니트용 광학시트 및 그를 구비한 박막트랜지스터 액정디스플레이에 관한 것이다.

본 발명의 광학시트는 투명 기재시트; 및 상기 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출부로 확산패턴이 형성된 광확산층;으로 이루어지되, 상기 확산패턴이 광이 유입되는 몸체부와 상기 몸체부 상에 소정 두께로 형성된 돌출부간의 아스펙트비가 0.8 이상을 충족하는 광학시트로서, 휘도가 개선되어, 디스플레이의 측면 또는 후면에 위치한 광원램프로부터 조사되는 빛을 통과시키면서 균일한 광확산을 유도하여 선명한 광화상을 얻을 수 있으므로, 박막트랜지스터 액정디스플레이 백라이트 유니트용 광학시트로 유용하고, 이를 구비한 백라이트 어셈블리, 나아가, 박막트랜지스터 액정디스플레이의 성능개선에 유효하다.

광학시트, 아스펙트비, 광확산필름, 휘도, 투과율

Description

박막트랜지스터 액정디스플레이 백라이트 유니트용 광학시트 및 그를 구비한 박막트랜지스터 액정디스플레이{OPTICAL SHEET FOR TFT-LCD BACK LIGHT UNIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING THE OPTICAL SHEET}

본 발명은 박막트랜지스터 액정디스플레이(이하,“TFT-LCD”라 함) 백라이트 유니트(back light unit)용 광학시트 및 그를 구비한 박막트랜지스터 액정디스플레이에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 디스플레이의 측면 또는 후면에 위치한 광원램프로부터 조사되는 빛을 통과시키면서 균일한 광확산을 유도하여 선명한 광화상이 얻어지도록 한 광학시트 및 그를 구비한 박막트랜지스터 액정디스플레이에 관한 것이다.

액정디스플레이는 초박형으로 제작이 가능한 저소비전력, 저발열 및 고선명의 화상출력 장치로서, 최근 산업 각 분야의 화상표시 장치로 각광 받고 있다. 그러나 이러한 액정디스플레이는 다른 평판 디스플레이 방식과는 달리 액정 자체가 비발광 소재이므로 디스플레이 화면의 밝기를 향상시키기 위해 추가적인 발광장치가 필요하다.

상기 추가적인 발광장치로는 프론트 라이트 방식 및 백라이트 방식의 발광장치 등 이 있는데, 상기 백라이트 방식은 디스플레이 소자의 뒷면에 부착된 백라이트 유니트의 광원으로부터 발생되는 빛을 도광판을 통하여 반대편에까지 이르게 하고, 금속 증착판 또는 불투명 백색판과 같은 반사판에 반사시켜 전면으로 광이 출사되도록 하여 디스플레이 화면의 밝기를 향상시키는 간접 조명방식이다. 이러한 백라이트 방식에서는 최소의 소비전력으로 최대의 화상 밝기를 구현할 필요가 있다.

따라서, 이러한 요구를 충족하기 위해서는 기재시트의 적어도 일면에 광확산층을 형성시킨 광학시트를 제조하여, 광원으로부터 발산된 빛을 액정구동부로 전달하는 방식이 주목받고 있다.

이때, 광학시트는 광원램프로부터 조사되어 확산판 또는 도광판을 투과한 빛을 손실없이 통과시키면서도 균일하게 확산시키는 기능을 갖는데, 광학시트가 갖추어야 할 가장 중요한 특성은 높은 전광선 투과율과 높은 헤이즈 특성이 있어야 한다.

이러한 광 특성을 기본으로 더욱 요구되는 특성으로는 높은 광 효율 즉, 높은 휘도를 가져야 한다. 즉, 광원에서 일정하게 형성된 광의 분포 및 광의 경로를 액정디스플레이에 필요한 정면광으로 변경시키는 것이다.

이러한 광학시트는 통상 고분자 수지 및 구형 입자로 구성된 조성물을 기재시트 상에 도포하여, 광이 유입되는 몸체부와 상기 입자로 인해 형성되는 돌출부로 형성된다.

그러나, 종래 광학시트는 광이 유입되는 몸체부와 돌출부간의 아스펙트비가 낮아 광학시트에 요구하는 고 효율의 광 경로 즉, 고휘도를 원하는 정도로 달성하지 못하고 있는 실정이다.

이에, 본 발명자들은 종래 광학시트의 낮은 고휘도 특성을 개선하고자 노력한 결과, 기재시트 상에 다수개의 돌출부로 확산패턴이 형성된 광확산층으로 이루어진 광학시트에 있어서, 기재시트 상에 형성된 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)에 대한 돌출부의 두께(d) 비율을 특정하여 제조함으로써, TFT-LCD 백라이트용으로 적합한 높은 전광선투과율과 헤이즈를 지니며, 특히 고휘도 구현을 확인함으로써, 본 발명을 완성하였다.

본 발명의 목적은 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출부로 형성된 확산패턴이 특정의 아스펙트비를 충족하여, 고휘도를 구현하는 TFT-LCD 백라이트 유니트용 광학시트를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 광학시트를 구비한 백라이트 어셈블리를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 광학시트를 구비한 박막트랜지스터 액정디스플레이를 제공하는 것이다.

본 발명은 투명 기재시트 및 상기 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출부로 확산패턴이 형성된 광확산층으로 이루어지되, 상기 확산패턴이 투명 기재시트 상에 형성된 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)에 대한 돌출부의 두께(d) 비율(ASPECT비)이 0.8 이상인 TFT-LCD 백라이트 유니트용 광학시트를 제공한다. 더욱 상세하게는 상기 아스펙트비가 0.8 내지 1.5인 것이다.

본 발명에서 상기 확산패턴은 전자빔 조사장치에 의해서 표면형상이 이루어지는 것이며, 상기 전자빔 조사가 텅스텐, 탄탈 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 고융점 소재 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하는 것으로 수행된다.

이때, 전자빔은 0.005 내지 0.1nm의 파장범위에서 조사되고, 바람직한 흡수선량은 40 내지 120kGy이 조사되는 것이다.

또한, 상기 다수개의 돌출부는 구형 또는 반구형이며, 본 발명의 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)이 0.005 내지 50㎛을 충족한다.

본 발명은 상기 고휘도의 광학시트를 구비하는 백라이트 어셈블리를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 상기 고휘도의 광학시트를 구비하는 박막트랜지스터 액정디스플레이를 제공한다.

본 발명에 따라, 투명 기재시트 및 상기 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출부로 확산패턴이 형성된 광확산층으로 이루어지되, 상기 확산패턴이 투명 기재시트 상에 형성된 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)에 대한 돌출부의 두께(d) 비율인 아스펙트비를 특정화함으로써, 본 발명의 광학시트는 고휘도가 구현된 TFT-LCD 백라이트 유니트용 광학 재료로서 유용하다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명은 투명 기재시트; 및 상기 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출부로 확산패턴이 형성된 광확산층;으로 이루어지되, 상기 확산패턴이 투명 기재시트 상에 형성된 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)에 대한 돌출부의 두께(d) 비율인 아스펙트비가 0.8 이상인 광학시트를 제공한다.

도 1은 본 발명의 광학시트의 돌출부가 반구형의 확산패턴일 때, 아스펙트비를 정 의한 것으로서, 본 발명의 광학시트에서 아스펙트비는 0.8 이상의 고비율이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.8 내지 1.5를 충족하는 것이다. 이때, 아스펙트비가 0.8 미만이면, 광의 집광성이 저하되고, 1.5를 초과하면 광의 전반사량 증가로 오히려 휘도가 감소한다.

본 발명의 광학시트는 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출구가 형성된 광확산층이 형성되되, 높은 아스펙트비를 만족하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에서 정의된 아스펙트비를 충족하는 수단이라면 특별히 한정될 수 없다.

이에, 본 발명은 투명 기재시트 상에 고분자 수지 및 광확산 입자로 이루어진 조성물을 도포 및 건조한 후, 전자빔을 조사하여, 상기 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출부가 구형 또는 반구형의 확산패턴으로 형성된 광학시트를 제공한다.

본 발명의 광학시트에 형성된 확산패턴에 있어서, 상기 아스펙트비 0.8 내지 1.5의 형상은 코팅방식에 의해 1차적으로 표면형상을 형성하고, 이후 전자빔 조사하여 돌출부가 구형 또는 반구형의 확산패턴을 가지도록 제조한다.

더욱 상세하게는, 조성물로 사용되는 고분자 수지 및 유기입자의 가교도 및 조사되는 전자빔의 에너지양의 조정에 따라 표면형상이 구현된다. 즉, 가교된 유기입자와 비가교된 고분자 수지로 이루어진 표면형상에 전자빔을 조사하여 상기 비가교된 고분자 수지층의 분해를 유도함으로써, 상대적으로 가교된 유기입자의 구형 표면형상을 두드러지게 함으로써 목표로 하는 아스펙트비의 표면형상을 구현한다.

본 발명에 사용된 전자빔 조사방식의 전자빔 파장범위는 0.005 내지 0.1nm이며, 고융점소재의 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출시키는 방법이다. 상기 고융점소재 필라멘트로는 텅스텐, 탄탈 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것이다.

필라멘트는 전자총 안에 장착되어 있는데, 다량의 전자를 공급할 수 있어야 하고, 주변의 분위기에 따라 영향을 받지 않아야 하기 때문에 고진공시키는 것이 일반적이다.

전자빔 조사 단위로는 흡수선량(kGy)이 있는데, 용도, 제품에 따라 요구되는 흡수선량이 각기 다르다. 본 발명의 전자빔의 바람직한 흡수선량은 40 내지 120kGy이 조사되는 것이다. 이때, 흡수선량이 40 kGy이하의 영역에서는 다이옥신 분해기능, 휘발유 유기화합물 분해기능이 있으며, 흡수선량 50 kGy의 영역에서는 고분자 경화의 기능이 있다. 또한, 흡수선량이 60 내지 120 kGy의 영역에서는 고분자 물질의 분해, 수축기능 등이 있다. 이에, 본 발명에서는 고분자 수지의 분해 가능한 전자빔 흡수선량 영역에서 흡수선량 조절을 통해 표면형상의 구형화를 두드러지게 구현할 수 있다.

상기 광학시트에서 다수개의 돌출부는 고분자 수지 내에 분산되는 광확산 입자 및 그 크기에 따라 조절될 수 있다.

이때, 상기 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)은 0.005 내지 50㎛을 충족하며, 상기 범위를 벗어나면, 광효율 향상효과가 미흡하여, TFT-LCD 백라이트 유니트로서 적용하기에 바람직하지 않다.

본 발명에서 사용되는 바람직한 광확산 입자는 아크릴 수지, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드 및 폴리메틸메타아크릴레이트 로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 사용되고, 구형 형태가 바람직하다. 특히, 본 발명의 광확산 입자는 입자 제조 시, 가교제에 의해 가교화된 입자가 사용된다.

또한, 상기 유기입자가 광학시트를 투과하는 광선량을 극대화하기 위해서는 투명한 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 무색 투명한 것을 사용하는 것이다.

또한, 상기 입자의 입경은 0.1 내지 100㎛가 바람직하고, 20 내지 70㎛가 더욱 바람직하다. 이때, 입자입경이 0.1㎛ 미만이면, 광 확산 효과가 불충분하고, 입자입경이 100㎛을 초과하면, 광확산층을 형성하는 수지 조성물의 코팅을 곤란하게 하고, 적층 후 입자의 탈락 등의 문제점을 야기한다.

또한, 본 발명의 광확산층에 사용되는 고분자 수지는 경화형 수지라면, 특별한 제한 없이 사용가능하나, 취급과 입수의 용이성을 고려하면 열 경화형 수지가 더욱 바람직하다. 이에, 열경화형 수지의 바람직한 일례로는 요소수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 우레탄 수지, 아크릴계 수지, 폴리우레탄, 불소계 수지, 실리콘계 수지, 폴리아미드이미드 등에서 선택 사용할 수 있다. 또한, 광확산층에는 상기 고분자 수지 이외에, 가소제, 안정화제, 열화 방지제, 분산제, 소포제, 발포제등에 더 배합할 수 있다.

광투과율이 85 내지 95%에 이르는 원하는 광학특성을 가진 광학시트를 제조하기 위해서는 고분자 수지와 유기입자간의 비율조절이 중요하며, 바람직하게는 고분자 수지 100 중량부에 대하여, 입자 비율이 0.1 내지 1000 중량부를 사용하고, 더욱 바람직하게는 10 내지 500 중량부를 분산시키는 것이다. 이때, 유기입자의 배합량이 0.1 중량부 미만이면, 광 확산 효과가 불충분하게 되고, 상기 유기입자의 배합량이 1000 중량부를 초과하면, 광확산층을 형성하는 수지 조성물의 도포가 곤란하게 된다.

또한, 광투과율을 조절하기 위해서는 광확산층의 두께를 조절하여야 하는데, 85 내지 95%에 이르는 전광선투과율을 얻기 위해서는 광확산층의 두께가 0.2 내지 500㎛가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 내지 200㎛인 것이 바람직하다. 도포 두께가 0.2㎛ 미만이면 코팅 시, 필름과의 접착력이 낮아지고, 적층 후 입자의 탈락이 발생하는 문제점이 있고, 500㎛을 초과하면 전광선 투과율이 84% 이하가 되어 원하는 확산필름을 제조할 수 없게 된다.

본 발명의 광학시트에서 사용되는 기재시트는 광선을 투과시킬 필요가 있으므로 투명, 특히 무색 투명한 합성수지가 바람직하다. 그 일례로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 셀룰로오스 아세테이트 등에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 투명 기재시트의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 10 내지 500㎛가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 75 내지 250㎛를 만족한다. 이때, 기재시트의 두께가 10㎛ 미만이면, 광확산층을 형성하는 수지 조성물에 의하여 컬(CURL)이 발생하기 쉬우며, 500㎛을 초과하면, 액정표시장치의 휘도가 저하되고, 백라이트 유니트의 두께가 커져서 액정표시장치의 박형화의 요구에 상충된다.

본 발명의 광학시트는 상기 광확산층이 형성된 투명 기재시트 이면에, 블로킹 방지 층이 형성될 수 있다.

상기 블로킹방지층은 블로킹방지용 고분자 수지 및 블로킹방지용 입자로 구성되며, 상기 블로킹방지용 고분자 수지로는 경화성 수지가 바람직하나, 더욱 바람직하게는 취급과 입수의 용이성을 고려하여 열 경화성 수지를 사용하는 것이 좋다. 열 경화성 수지로는 요소수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 우레탄 수지, 아크릴계 수지, 폴리우레탄, 불소계 수지, 실리콘계 수지 및 폴리아미드이미드로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하나, 이에 특별히 한정되는 것은 아니다. 블로킹방지용 고분자 수지는 광선을 투과시켜야 하므로 무색 투명한 것이 바람직하다. 또한, 블로킹방지용 고분자 수지에는 가소제, 안정화제, 열화 방지제, 분산제, 소포제, 발포제, 왁스제 또는 대전방지제 등이 추가로 배합될 수 있다.

상기 블로킹방지용 입자는 아크릴 수지, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드 및 폴리메틸메타아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어지고, 구형의 형태를 띠는 것이 바람직하다. 이때, 블로킹방지층에 사용되는 입자의 사용량은 블로킹방지층에 사용되는 고분자 수지 100 중량부에 대하여, 0.01∼500 중량부가 포함된다. 보다 바람직하게는 0.1∼100 중량부인 것이 좋다. 이때, 입자의 사용량이 0.01 중량부 미만이면, 공정 중 필름 주행성을 저해하는 블로킹 현상이 발생하고, 500 중량부를 초과하면, 블로킹방지층을 형성하는 수지 조성물의 코팅이 곤란해진다.

블로킹방지층용 입자 역시 광확산 시트를 통과하는 광선량을 최대화시키기 위해 무 색투명한 것이 바람직하며, 입자의 입경 역시 0.1∼100㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 50㎛ 범위를 사용한다. 이때, 입경이 0.1㎛ 미만이면, 공정 중 필름 주행성을 저해하는 블로킹 현상이 발생하며, 100㎛를 초과하면, 블로킹방지층을 형성하는 블로킹방지층 수지 조성물의 코팅이 곤란하고, 블로킹방지층의 적층 후 입자가 탈락되는 문제가 있다.

또한, 높은 광투과율 및 블로킹 방지기능을 확보하고, 85∼95%의 전광선 투과율을 얻기 위해서, 블로킹방지층의 도포층 두께를 조절할 수 있는데, 바람직하게는 0.1∼100㎛이고, 더욱 바람직하게는 0.1∼50㎛ 범위이고, 가장 바람직하게는 0.1∼20㎛ 범위이다. 이때, 블로킹방지층의 두께가 0.1㎛ 미만이면, 코팅 시 기재시트와의 접착력이 낮아지고, 적층 후 입자가 탈락하는 문제점이 있고, 100㎛를 초과하면, 전광선 투과율이 84% 이하로 떨어져 원하는 광확산 시트를 제조할 수 없다.

이에, 본 발명의 광학시트는 높은 전광선투과율과 헤이즈를 지니며, 특히 높은 휘도를 구현함으로써[표 6], 디스플레이의 측면 또는 후면에 위치한 광원램프로부터 조사되는 빛을 통과시키면서 균일한 광확산을 유도하여 선명한 광화상을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명의 광학시트는 TFT-LCD 백라이트 유니트 용도로서 유용하다.

본 발명은 상기 휘도가 개선된 광학시트를 구비한 백라이트 어셈블리를 제공한다.

나아가, 본 발명은 상기 휘도가 개선된 광학시트를 구비한 박막트랜지스터 액정디스플레이를 제공한다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다.

본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

< 실시예 1>

고투명한 폴리에스테르필름(도레이새한 주식회사 XG533-100㎛)의 한 면에 하기 표 1의 조성비로 이루어진 도포액을 메이어바(Mayer bar)를 이용하여 도포한 후, 110℃에서 60초간 건조하여, 두께 30㎛의 광확산 코팅층을 형성시켰다. 이후, 상기 광확산층에 가속전압 90Kv, 흡수선량 100kGy의 전자빔(이와사키전기 주식회사 EZCure)을 조사하여 도 2와 같은 확산패턴이 형성된 광학시트를 제조하였다.

< 실시예 2>

고투명한 폴리에스테르필름(도레이새한 주식회사 XG533-100)의 한 면에 하기 표 2의 조성비로 이루어진 도포액을 메이어바를 이용하여 도포한 후, 110℃에서 60초간 건조하여, 두께 30㎛의 광확산 코팅층을 형성하였다. 이후, 상기 광확산층에 가속전압 90Kv, 흡수선량 60kGy의 전자빔(이와사키전기 주식회사 EZCure)을 조사하여 도 3과 같은 확산패턴이 형성된 광학시트를 제조하였다.

< 실시예 3>

상기 실시예 1에서 제조된 광확산층이 형성된 기재시트 이면에 하기 표 3의 조성으로 이루어진 블로킹방지층 도포액을 도포한 후, 110℃에서 40초간 건조하여 두께가 5㎛의 블로킹방지층을 형성한 광학시트를 제조하였다.

< 비교예 1>

고투명한 폴리에스테르필름(도레이새한 주식회사 XG533-100um)의 한 면에 하기 표 4의 조성비를 가진 도포액을 메이어바를 이용하여 도포한 후, 110℃에서 60초간 건조하여 두께 30㎛의 광학시트를 제조하였다.

< 실험예 1> 아스펙트비 측정

상기에서 제조된 광학시트에 대하여, 단면 절단 후 주사전자현미경(SEM, 히타치, S-3400N)을 이용하여 측정하였다.

측정된 아스펙트비는 도 1에서 정의한 바와 같으며, 각각 제조된 광학시트의 아스펙트비 결과를 하기 표 5에 기재하였다.

상기 결과로부터, 표면형상을 형성시 광확산 코팅층에의 전자빔 조사를 최적화함으로써, 투명 기재시트 상에 형성된 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)에 대한 돌출부의 두께(d) 비율인 아스펙트비가 0.8 이상을 충족시킴을 확인하였다.

< 실험예 2> 광학특성 측정

1. 전광선 투과율 측정

상기에서 제조된 광학시트의 빛 투과능 및 빛 분산능을 검정하기 위하여 하기와 같이 수행하였다.

일본 니폰덴소쿠사의 헤이즈 측정기(AUTOMATIC DIGITAL HAZEMETER, 일본 니폰덴소쿠사 제작)를 사용하여 10cm×10cm 크기로 샘플링한 광학시트 1 매를 수직으로 놓고, 수직으로 놓여진 시료의 직각 방향으로 550nm의 파장을 갖는 빛을 투과시켜 측정된 값을 기록하였다. 이러한 전광선 투과율 값은 하기 수학식 1을 이용하여 산출하였으며, 그 결과를 표 6에 기재하였다.

2. 헤이즈 측정

상기 제조된 광학시트에 대하여, 하기 수학식 2를 근거하여 헤이즈(HAZE) 를 측정하여 그 결과를 표 6에 기재하였다.

3. 휘도 측정

상기에서 제조된 광학시트의 광확산능을 측정하기 위하여 하기와 같이 수행하였다.

32" 직하형 백라이트 유니트를 이용하여 휘도를 측정하였으며, 확산시트를 재단하여 광확산판 위에 장착하여 탑콘사의 BM-7 측정기를 이용하여 측정각도 0.2도, BM-7과 백라이크 유니트와의 간격을 25cm로 하여 백라이트 유니트에 있는 램프 13개의 위치와 램프사이의 공간 12개 지점의 휘도를 9회 반복 측정하여 램프부분의 휘도 평균값과 램프가 없는 부분의 휘도 평균값을 차이를 측정하여 광확산성으로 대표하였다. 또한, 상기 휘도 평균값 차이(램프부분 휘도 평균값 - 무램프부분 휘도 평균값)를 하기 표 6에 기재하였다.

상기 결과로부터, 아스펙트비가 0.8 이상의 고 비율을 가진 광학시트가 종래의 광학시트보다 우수한 고휘도를 나타내었다. 따라서, 본 발명의 고 아스펙트비를 충족하는 광학시트는 디스플레이의 측면 또는 후면에 위치한 광원램프로부터 조사되는 빛을 통과시키면서 균일한 광확산을 유도하여 선명한 광화상을 얻을 수 있으므로, TFT-LCD 백라이트 유니트 용도로서 바람직하다.

상기에서 살펴본 바와 같이,

첫째, 본 발명은 확산패턴의 형상에 있어서 광이 유입되는 몸체부와 상기 몸체부 상에 소정 두께의 돌출부가 특정의 아스펙트비를 충족하는 광학시트를 제공하였다.

둘째, 본 발명의 광학시트는 종래보다 휘도가 매우 개선된 효과를 확인함으로써, 디스플레이의 측면 또는 후면에 위치한 광원램프로부터 조사되는 빛을 통과시키면서 균일한 광확산을 유도하여 선명한 광화상을 얻을 수 있어, TFT-LCD 백라이트 유니트 용도로서 유용하다.

셋째, 본 발명은 특정의 아스펙트비를 충족하여 휘도가 개선된 광학시트를 구비한 백라이트 어셈블리, 나아가, 박막트랜지스터 액정디스플레이를 제공할 수 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 실시예에 대해서만 상세히 기술되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

도 1은 본 발명의 광학시트의 돌출구가 반구형의 확산패턴을 가질 때, 아스펙트비를 정의한 것이고,

도 2는 본 발명의 광학시트 제조 시, 전자빔 조사전의 표면형상을 나타낸 것이고,

도 3은 본 발명의 광학시트 제조 시, 전자빔 조사후의 표면형상을 나타낸 것이다.

Claims (12)

1. 투명 기재시트; 및 상기 투명 기재시트 상에 다수개의 돌출부로 확산패턴이 형성된 광확산층;으로 이루어지되, 상기 확산패턴이 투명 기재시트 상에 형성된 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)에 대한 돌출부의 두께(d) 비율인 아스펙트비가 0.8 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정디스플레이용 광학시트.
2. 제1항에 있어서, 상기 확산패턴이 전자빔 조사에 의해서 표면형상이 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
3. 제2항에 있어서, 상기 확산패턴이 텅스텐, 탄탈 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 고융점 소재 필라멘트를 가열시켜 열전자를 방출하는 전자빔 조사에 의해 표면형상이 이루어지는 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
4. 제2항에 있어서, 상기 전자빔이 0.005 내지 0.1nm의 파장범위에서 조사되는 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
5. 제2항에 있어서, 상기 전자빔이 40 내지 120kGy 흡수선량으로 조사되는 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
6. 삭제
7. 제1항에 있어서, 상기 다수개의 돌출부가 구형 또는 반구형인 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
8. 제1항에 있어서, 상기 돌출부의 단위 몸체부의 반경(ℓ)이 0.005 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
9. 제1항에 있어서, 상기 확산패턴이 상기 투명 기재시트 상에 고분자 수지 및 유기입자로 이루어진 조성물이 도포되어 구형 또는 반구형으로 형성된 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
10. 제9항에 있어서, 상기 고분자 수지가 열 경화 수지인 것을 특징으로 하는 상기 광학시트.
11. 제1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 9, 10항 중 어느 한 항의 박막트랜지스터 액정디스플레이용 광학시트를 구비하는 것을 특징으로 하는 백라이트 어셈블리.
12. 제1, 2, 3, 4, 5, 7, 8, 9, 10항 중 어느 한 항의 박막트랜지스터 액정디스플레이용 광학시트를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치.

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