KR101018748B1

KR101018748B1 - 화학증폭형 형태의 ｌｃｄ용 포토레지스트 조성물

Info

Publication number: KR101018748B1
Application number: KR1020030013045A
Authority: KR
Inventors: 이동기; 이유경; 주진호; 강성철
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-03-03
Filing date: 2003-03-03
Publication date: 2011-03-04
Also published as: KR20040078228A

Abstract

본 발명은 화학증폭형 형태의 LCD용 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산에 의해 현상 용매에 대한 용해성 변화를 가지는 노볼락 유도체를 포함하여 LCD용 포토레지스트의 감도를 증가시킬 수 있는 화학증폭형 형태의 LCD용 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.

화학증폭, 포토레지스트, 노볼락 유도체

Description

화학증폭형 형태의 ＬＣＤ용 포토레지스트 조성물{PHOTORESIST COMPOSITION FOR LCD OF CHEMICALLY AMPLIFIED TYPE}

도 1은 본 발명의 실시예 4에 따른 리소그라피 평가 결과이다.

본 발명은 화학증폭형 형태의 LCD용 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 t-부톡시카보닐기 및 아세탈기를 보호기로 갖는 레지스트 물질을 포함하여 LCD용 포토레지스트의 감도를 증가시킬 수 있는 화학증폭형 형태의 LCD용 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.

LCD 패널의 수요 증가, 특히 TV, 모니터용 패널의 수요 증가는 글래스(Glass)의 대형화와 패널의 고정세화를 필요로 하고 있다. 이러한 추세에 따라 글래스 조건과 부합된 관련 공정 조건에 새로이 만족할 포토레지스트의 개발이 필요하게 되었다. 대형 글래스상에서의 포토(Photo) 공정은 라인 생산량을 결정하는 중요한 공정으로서, 포토레지스트 막의 도포 특성, 얼룩 프리(Free), 현상 콘트라스트, 해상도, 기판과의 접착력, 잔막 특성, 감도 등이 제조되는 미세 회로의 품질에 직접적인 영향을 미치는 중요한 공정이다. 특히, 포토공정 중 형성되는 포토레지스트의 감도는 현재 양산 라인의 공정 택(Tact)에 영향을 주는 중요한 요인으로서 생산성 향상에 기여할 수 있다.

현재 LCD용 레지스트로 가장 널리 쓰이는 것은 근자외선을 이용한 포지형인 2,1,5-디아조나프토퀴논(이하, 'DNQ'라 함)과 노볼락 수지로 제조된 시스템으로, 이는 빛을 쪼이면 광반응이 일어난다. 여기서, 광반응을 일으키는 것은 DNQ로서, 이것은 처음에는 알칼리에 불용성이나 빛을 쪼이면 알칼리 가용성으로 바뀌어 알칼리 수용액을 현상액(developer)으로 사용하면 노광된 부분이 녹아 나간다.

반면 노볼락 수지는 원래 알칼리 가용성이지만 분해되지 않은 DNQ와 알칼리 상태에서 반응을 하여 가교된다. 따라서 노광부에서는 DNQ의 분해로 인해 용해가 촉진되지만 비노광부에서는 DNQ와 노볼락 수지의 가교로 인해 용해가 방해받게 되어 결국 현상 중에 마스크의 형상이 드러나게 되는 것이다. 이때 DNQ는 알칼리에 잘 녹던 노볼락 수지의 용해를 방해하는 작용을 하므로 흔히 용해억제제(dissolution inhibitor)라고 불리운다. 이러한 시스템의 경우 노광에 의한 감도가 50 내지 100 mJ/㎠ 정도 인 것으로 알려져 있다. 하지만 LCD 공정상의 수율의 증가와 반응성 향상을 위해서 감도를 증가시킬 필요가 있어졌고, 이를 위해 화학증폭형 레지스트가 요구되고 있는 것이다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술에서의 문제점을 해결하기 위하여, 포토레지스트의 감도를 증가시킬 수 있는 화학증폭형의 신규한 노볼락 유도체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은 상기 노볼락 유도체를 포함하는 액정표시장치용 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 레지스트 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법 및 상기 패턴을 포함하는 액정표시장치를 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3으로 표시되는 노볼락 유도체를 제공한다.

[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

(상기 화학식 1 내지 3의 식에서, x 및 y는 중합체의 보호기의 정도와 관련되며, x는 50 내지 65의 정수이고, y는 35 내지 50의 정수이다.)

또한, 본 발명은 촉매 및 용매하에, 노볼락의 현상용매에 대하여 용해성 변화를 가지는 작용기를 함유하며, 노볼락의 35 내지 50%의 몰 비율을 갖는 화합물과 노볼락 수지를 반응시키는 단계를 포함하는 상기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3의 노볼락 유도체의 제조방법을 제공한다.

또한 본 발명은 상기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 표시되는 노볼락 유도체로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 제공한다.

또한 본 발명은 실리콘웨이퍼 및 글래스 위에 상기 포토레지스트 조성물을 도포한 후 포토마스크를 덮은 채 노광하고 현상하여 이미징 층에 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 LCD용 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공한다.

또한 본 발명은 상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.

이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명은 현재까지 LCD 공정에서 사용되고 있는 g선이나 i선 노광에서 우수한 특성을 나타내는 노볼락(novolac)계 포토레지스트의 감도를 증가시키기 위해, 용해 억제 원리와는 완전히 다른 레지스트의 감도를 비약적으로 향상시킬 수 있는 화학증폭형 레지스트 물질인 신규한 노볼락 유도체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것을 특징으로 한다.

상기 화학증폭형 레지스트 물질은 상기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3의 노볼락 유도체인 것이 바람직하다. 상기 화학식 1 내지 3에서, x 및 y 값은 중합체의 보호기의 정도와 관련되는 것으로, x는 50 또는 65이고, y는 50 또는 35인 것이 더욱 바람직하다.

본 발명의 레지스트 물질 중에서 화학식 1의 노볼락 유도체는 산성기가 t-부톡시카보닐(이하, 't-BOC'라 함)과 같은 기에 의하여 봉쇄된 고분자와 근자외선에 의하여 강산을 발생하는 화합물을 함유하고 있다. 상기에서 소수성의 t-BOC 기를 절단하여 산성기로 변화시키는데는, 촉매량의 산이 요구된다. 이러한 노볼락 유도체를 이용하면, 레지스트 필름의 노광부는 매우 낮은 노광량에도 알칼리 현상액에 가용성으로 된다.

상기 t-BOC 레지스트는 노광과 가열 사이의 시간 경과에 따라 산촉매에 열화에 의한 T-top형성, 노광 파장에서의 수지의 흡광도에 의한 레지스트 프로파일(profile)의 악화, 강산발생에 의한 장기신뢰성 등의 문제가 있음에도 불구하고 뛰어난 감도와 해상도를 갖고 있기 때문에 KrF 엑시머 레이저용의 레지스트로서 사용한다. 이 계의 특징은 노광에 의하여 생성된 산의 촉매반응을 이용하고 있기 때문에 매우 고감도를 나타낸다(수∼30 mJ/㎠ 정도). 그러므로, 상기 t-BOC를 갖는 화학식 1의 노볼락 유도체를 레지스트 물질로 이용하면 산발생제가 소량 필요하고, 수지의 투명성을 향상시켜 레지스트 깊이 방향의 광흡수의 구배를 작게 할 수 있다.

이때, 상기 산발생제는 광조사에 의하여 산을 발생하며, PEB (post-exposure bake) 처리에 의하여 수지의 극성변화 또는 가교반응을 산촉매로서 증진시킨다. 또한, 폴리비닐페놀 (PVP) 등의 알칼리 가용성 수지의 용해억제보호기를 산촉매 반응에 의하여 분리시켜 노광부를 알칼리 가용으로 만들어 포지티브의 상을 부여한다. 예를 들면 보호기인 t-부톡시카보닐기가 산에 의하여 알칼리 가용의 PVP로 변화한다. 발생한 산 한 분자 당의 촉매반응의 회수 (catalytic chain length)는 PEB 조건에 따라서 다르나 수백∼천, 확산길이는 50 Å전후이다. 상기 t-BOC 기의 경우 DBIAS에서 나오는 산에 의해 보호기가 탈리 반응을 할 때, 많은 활성화 에너지가 필요하여 쉽게 탈리되지 않는다.

또한, 화학식 2 또는 화학식 3의 아세탈기로 보호된 노볼락 유도체의 경우는 노볼락의 하이드록시기를 보호할 때 비닐 에테르를 사용할 수 있으며, 이때 사용될 수 있는 비닐 에테르의 종류는 특별히 한정되지 않고 매우 다양하다. 그러므로, 본 발명은 여러 가지 아세탈기로 보호된 노볼락 유도체를 합성하여 다양한 물성을 볼 수 있었으며 이를 통해 PEB 공정을 이용하지 않는 상태로 패턴형성이 가능하다.

또한, 본 발명은 촉매 및 용매하에, 노볼락 수지와 35 내지 50% 몰비의 노볼락의 현상용매에 대하여 용해성 변화를 가지는 작용기를 함유하는 화합물을 반응시 키는 단계를 포함하는 상기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3의 노볼락 유도체의 제조방법을 제공한다.

즉, 상기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3의 노볼락 유도체는 노볼락의 하이드록시 그룹에 현상용매에 대하여 용해성 변화를 가지는 작용기인 t-BOC기나, THP(tetrahydropyran), t-부틸기와 같은 아세탈 그룹을 35 내지 50% 비율로 보호하는 방법으로 제조할 수 있다.

따라서, 상기 용해성 변화를 가지는 작용기를 함유하는 화합물은 디-t-부틸 디카보네이트, 디히드로피란, 또는 t-부틸 비닐 에테르를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 촉매는 노볼락 유도체의 작용기에 따라 염기 또는 산촉매를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 화학식 1의 노볼락 유도체를 제조할 경우는 DAMP(4-(dimethylamino)pyridine)와 같은 염기를 사용할 수 있으며, 화학식 2 또는 화학식 3의 노볼락 유도체를 제조하는 경우는 황산 또는 염산과 같은 산을 사용할 수 있다.

이러한, 본 발명의 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3의 노볼락 유도체의 바람직한 일실시예를 들면 하기와 같다.

상기 화학식 1의 t-BOC기로 보호되는 노볼락 유도체는 노볼락 수지에 DTBDC(di-t-butyl dicarbonate)를 노볼락의 35 내지 50%의 몰비율로 첨가하고, DMAP(4-(dimethylamino)pyridine)을 촉매량 만큼 넣은 후 THF(tertrahydrofuran) 용매에서 24시간 동안 반응시킨 후 발생한 염을 제거하고 용매를 제거하여 제조할 수 있다.

또한, 상기 화학식 2의 아세탈기로 보호되는 노볼락 유도체는 노볼락 수지에 황산이나 염산을 촉매로 하여 DHP(dihydropyran)를 노볼락의 35 내지 50%의 몰 비율로 넣고 THF 용매에서 24시간 반응시킨 후 증류수로 여러 번 씻어 내어 산을 제거한 후 용매를 제거하여 얻을 수 있다.

상기 화학식 3의 아세탈기로 보호되는 노볼락 유도체는 노볼락 수지에 황산이나 염산을 촉매로 하여 t-부틸 비닐 에테르를 노볼락의 35 내지 50%의 몰 비율로 넣고 THF 용매에서 24시간 반응시킨 후 증류수로 여러 번 씻어 내어 산을 제거한 후 용매를 제거하여 얻을 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 표시되는 노볼락 유도체로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 제공한다.

상기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3의 노볼락 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 레지스트 화합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 30 내지 50 중량%인 것이 바람직하다. 상기 노볼락 유도체의 함량이 30 중량% 미만이면 원하는 두께 조절이 어려운 문제가 있고, 50 중량%를 초과하면 두께가 두꺼워지며 용해가 잘 안되는 문제가 있다.

본 발명의 포토레지스트 조성물은 상기 노볼락 유도체 이외에 광산발생제 및 유기용매를 포함한다.

상기 산발생제로는 I-라인용으로 DBIAS (Di-tert-butylphenyliodonium-9,10- diethoxy anthracene-2-sulfonate)와 같은 안트라센 술폰산계를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 용제로는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(이하, PGMEA라 칭함), 에틸락테이트(EL), 2-메톡시에틸아세테이트(MMP), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 3-메톡시부틸아세테이트, 4-부티로락톤 등을 단독 또는 혼합 사용할 수 있으며, 바람직하게는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트를 사용한다.

상기 광산발생제의 함량은 2 내지 10 중량%인 것이 바람직하며, 상기 유기용매는 잔량으로 포함될 수 있다.

본 발명은 상기 화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3의 노볼락 유도체를 광산발생제와 함께 용제에 용해시키고, 필터로 여과하여 포토레지스트 용액을 제조할 수 있다.

이 밖에, 본 발명의 액정표시장치 회로용 포토레지스트 조성물은 필요에 따라서 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착 촉진제, 계면활성제 등의 첨가제를 추가로 첨가하여 기판에 피복함으로써 개별공정의 특성에 따른 성능향상을 도모할 수도 있다.

본 발명은 상기 포토레지스트 용액을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 도포 후 90∼120℃ 열판에서 90∼120초간 전열처리한다. 이것을 노광장치를 이용하여 노광한 후 110℃ 열판에서 90초간 후열처리 공정을 거치고, 현상액으로서 테트라메틸수 산화암모늄 수용액을 사용하여 현상한 후 포토레지스트 화상 획득에 이용할 수 있다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 방법으로 제조되는 포토레지스트 패턴을 포함하여 감도가 증가된 초고속 액정표시장치, 바람직하게는 TFT-LCD를 제공할 수 있다.

이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

<실시예 1-1>

t-BOC기로 보호된 노볼락 유도체의 제조(화학식 1의 화합물)

500 ml 3구 둥근바닥 플라스크에 11.8 g(0.1 mol)의 노볼락(분자량 8000)과 교반막대기(stirring bar)를 넣었다. 여기에 잘 건조된(well-dried) THF 200 ml를 넣고 노볼락을 완전히 녹인 후 DMAP (4-(dimethylamino)pyridine)을 촉매량 만큼 넣었다. 이 용액에 DTBDC (di-t-butyl dicarbonate) 10.9 g(0.05 mol)을 질소 분위기 하에서 10분 동안 적가(drop wise)하여 넣었다. 이후, 반응 중 발생하는 이산화탄소가 빠져나올 수 있도록 바늘을 고무 마개 위에 꼽아둔다. 상온에서 24시간 동안 반응시킨 후 분별깔때기에 옮겨서 디에틸 에테르에 녹인 후 1M NaOH 용액으로 2회 씻어준 후 소금(brine)으로 1회 씻어주었다. 얻은 유기 용액을 MgSO₄로 건조한 후 걸러내었다. 용매를 제거한 후 감압건조(vacuum drying)하고 갈색의 50% 보호된 노볼락 유도체를 얻었다.

[화학식 1a]

상기 화학식 1의 식에서, x는 50이고, y는 50이다.

<실시예 1-2>

상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 실시하되, 35% 보호된 노볼락 유도체를 제조하기 위해 공정 중 DTBDC를 7.63 g(0.035mol)을 넣어서 반응시켜 갈색의 35% 보호된 화학식 1의 노볼락 유도체를 얻었다(x= 65, y= 35).

<실시예 2-1>

THP로 보호된 노볼락 유도체의 제조

250 ml 3구 둥근바닥 플라스크에 11.8g (0.1 mol)의 노볼락(분자량 8000)과 교반막대기(stirring bar)를 넣었다. 여기에 잘 건조된(well-dried) THF 200 ml를 넣고 노볼락을 완전히 녹인 후 강한 염산을 1 ml 넣었다. 이 용액에 DHP(dihydropyran) 4.2 g(0.05 mol)을 질소 분위기 하에서 10분 동안 적가(drop wise)하여 넣었다. 40 ℃에서 15시간 반응 후 분별깔대기에 옮겨서 디에틸 에테르에 녹인 후 물로 4회 씻어서 산을 제거하였다. 얻은 유기 용액을 MgSO₄로 건조한 후 걸러내었다. 용매를 제거한 후 감압건조(vacuum drying)하고 갈색의 50% 보호 된 노볼락 유도체를 얻었다.

[화학식 2]

상기 화학식 2의 식에서, x는 50, y는 50 이다.

<실시예 2-2>

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 실시하되, 35% 보호된 노볼락 유도체를 제조하기 위해 공정 중 DHP를 3.0 g(0.035mol)을 넣어서 반응시켜 갈색의 35% 보호된 화학식 2의 노볼락 유도체를 얻었다(x=65, y= 35).

<실시예 3-1>

t-부틸로 보호된 노볼락 유도체의 제조

250ml 3구 둥근바닥 플라스크에 11.8 g(0.1 mol)의 노볼락(분자량 8000)과 교반막대기(stirring bar)를 넣었다. 여기에 잘 건조된(well-dried) THF 200 ml를 넣고 노볼락을 완전히 녹인 후 강한 황산을 1 ml 넣었다. 이 용액에 t-부틸 비닐 에테르 5.0g (0.05 mol)을 질소 분위기 하에서 10분 동안 적가(drop wise)하여 넣었다. 40 ℃에서 15시간 반응 후 분별깔대기에 옮겨서 디에틸 에테르에 녹인 후 물로 4회 씻어서 산을 제거하였다. 얻은 유기 용액을 MgSO₄로 건조한 후 걸러내었다. 용매를 제거한 후 감압건조(vacuum drying)한 후 갈색의 50% 보호된 노볼락 유도체를 얻었다. 35% 보호된 노볼락 유도체의 경우는 공정 중 DHP를 3.5 g(0.035 mol)을 넣어서 반응시켜 갈색의 35% 보호된 노볼락 유도체를 얻었다.

[화학식 3]

상기 화학식 3의 식에서, x는 50이고, y는 50이다.

<실시예 3-2>

상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 실시하되, 35% 보호된 노볼락 유도체를 제조하기 위해 공정 중 DHP를 3.0 g(0.035mol)을 넣어서 반응시켜 갈색의 35% 보호된 화학식 3의 노볼락 유도체를 얻었다(x=65, y= 35).

<실시예 4>

t-부틸기로 보호된 노볼락 유도체의 리소그라피 평가

원자외선이 차단된 실험실에서 실시예 3-1에서 제조한 t-부틸기로 보호된 노볼락 유도체 40 중량%와 광산 발생제로 DBIAS (Di-tert-butylphenyliodonium-9,10-diethoxy anthracene-2-sulfonate) 10 중량%를 잔량의 PGMEA (Propylene glycol methyl ether acetate)에 용해한 후 0.2 mm 필터로 필터하여 레지스트 용액을 제조하였다. 이 레지스트 용액을 HMDS (Hexamethylene disilazane)으로 표면처리한 실리콘 웨이퍼에 ~2000 rpm으로 스핀 코팅하고 110℃ 에서 90초간 전열처리(prebake) 하였다. 패턴이 새겨진 마스크를 덮고 I-라인에서 30 ∼ 60 mJ/㎠의 노광량으로 노광한 후, 110 ℃에서 90초간 후열처리(PEB : Postexposure Bake) 하였다. 잠상이 생긴 이 패턴을 현상액으로서 2.38 wt%의 테트라메틸 암모늄 수용액(TMAH: Tetramethylammonium hydroxide) 으로 40 ∼ 80초간 현상하고 증류수로 씻었다. 그 결과, 도 1의 포지티브 레지스트 화상을 얻었다.

도 1의 결과에서 보면, 본 발명의 t-부틸기로 보호된 노볼락 유도체를 사용함으로써, 우수한 레지스트 화상을 얻을 수 있었다. 즉, 일반적으로 반도체에 사용되고 있는 i 라인 PR의 감도는 100 mJ/㎠인데, 본 발명의 감도는 30 ∼ 60 mJ/㎠로 고감도화 된 것을 알 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 산에 의해 현상 용매에 대하여 용해성 변화를 가지는 작용기를 갖는 화학증폭형 노볼락 유도체는 제조 방법이 간단하고, 감도가 높아 초고속 LCD 용 레지스트로 사용될 수 있다.

Claims

하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 노볼락 유도체:

[화학식 2]

[화학식 3]

상기 화학식 2 내지 3의 식에서, x 및 y는 중합체의 보호기의 정도와 관련되며, x는 50 내지 65의 정수이고, y는 35 내지 50의 정수이다.
제1항에 있어서,

상기 화학식 2 또는 화학식 3에서 x 및 y는 각각 50이거나, 또는 x는 65 이고, y는 35인 것을 특징으로 하는 노볼락 유도체.
촉매 및 용매하에, 노볼락의 현상용매에 대하여 용해성 변화를 가지는 작용기를 함유하며, 노볼락의 35 내지 50%의 몰 비율을 갖는 화합물과 노볼락 수지를 반응시키는 단계를 포함하는 제1항의 화학식 2 또는 화학식 3의 노볼락 유도체의 제조방법.
제3항에 있어서,

상기 용해성 변화를 가지는 작용기를 함유하는 화합물이 디-t-부틸 디카보네이트, 디히드로피란, 또는 t-부틸 비닐 에테르인 것을 특징으로 하는 노볼락 유도체의 제조방법.
삭제
제3항에 있어서,

상기 화학식 2의 노볼락 유도체는 황산 또는 염산을 촉매로 하여 노볼락 수지에 디히드로피란을 노볼락의 35 내지 50%의 몰 비율로 넣고 THF 용매에서 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 노볼락 유도체의 제조방법.
제3항에 있어서,

상기 화학식 3의 노볼락 유도체는 황산 또는 염산을 촉매로 하여 노볼락 수지에 t-부틸 비닐 에테르를 노볼락의 35 내지 50%의 몰 비율로 넣고 THF 용매에서 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 노볼락 유도체의 제조방법.
제1항의 화학식 2, 및 화학식 3으로 표시되는 노볼락 유도체로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
제8항에 있어서,

상기 포토레지스트 조성물이 제1항의 화학식 2, 및 화학식 3으로 표시되는 노볼락 유도체로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물 30 내지 50 중량%, 광산발생제 2 내지 10 중량% 및 잔량의 유기용매를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물.
실리콘웨이퍼 및 글래스 위에 제8항 기재의 포토레지스트 조성물을 도포한 후 포토마스크를 덮은 채 노광하고 현상하여 이미징 층에 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 LCD용 포토레지스트 패턴의 형성방법.
제10항의 방법으로 형성된 포토레지스트 패턴을 포함하는 액정표시장치.
촉매 및 용매하에, 노볼락의 현상용매에 대하여 용해성 변화를 가지는 작용기를 함유하며, 노볼락의 35 내지 50%의 몰 비율을 갖는 화합물과 노볼락 수지를 반응시키는 단계를 포함하여 하기 화학식 1로 표시되는 노볼락 유도체를 제조하고, 하기 화학식 1의 노볼락 유도체는 노볼락 수지에 디-t-부틸 디카보네이트(DTBDC)를 노볼락의 35 내지 50%의 몰비율로 첨가하고, 4-(디메틸아미노)피리딘(DMAP)을 촉매량 만큼 넣은 후 THF 용매에서 반응시켜 제조하는 노볼락 유도체의 제조방법:

[화학식 1]

상기 화학식 1의 식에서, x 및 y는 중합체의 보호기의 정도와 관련되며, x는 50 내지 65의 정수이고, y는 35 내지 50의 정수이다.